JP3175323B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばパワー素子、
複合素子をはじめＶＬＳＩ基板として広範囲に使用され
る半導体基板の製造方法に係るものであり、特に２枚の
シリコン結晶体板を直接接合する半導体基板の製造方法
に関する。
複合素子をはじめＶＬＳＩ基板として広範囲に使用され
る半導体基板の製造方法に係るものであり、特に２枚の
シリコン結晶体板を直接接合する半導体基板の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来において、シリコン結晶体によって
構成された２枚のシリコンウエハを直接接合して１枚の
半導体基板を製造するには、まず図６（Ａ）に示すよう
に洗浄を行い、シリコン結晶体よりなるシリコンウエハ
11の洗浄を行う。この洗浄工程によってシリコンウエハ
11の表面に酸化膜12が形成される。
構成された２枚のシリコンウエハを直接接合して１枚の
半導体基板を製造するには、まず図６（Ａ）に示すよう
に洗浄を行い、シリコン結晶体よりなるシリコンウエハ
11の洗浄を行う。この洗浄工程によってシリコンウエハ
11の表面に酸化膜12が形成される。
【０００３】この様に洗浄工程によって表面に酸化膜の
形成されたシリコンウエハ11は、次の図６（Ｂ）で示す
ように１〜１０wt％の希(dil) フッ酸中に浸漬して、表
面に形成された酸化膜12を取り除いた後、例えば９０℃
のキャロス溶液［Ｈ2 ＳＯ4 (4) ：Ｈ2 Ｏ2 (1) ］中に
３〜５分程度浸漬するキャロス酸化を行い、シリコンウ
エハ11の表面に、図６（Ｃ）で示すように例えば５０Å
程度の薄い酸化膜13を形成する。この結果、シリコンウ
エハ11の表面が親水性とされるようにする。
形成されたシリコンウエハ11は、次の図６（Ｂ）で示す
ように１〜１０wt％の希(dil) フッ酸中に浸漬して、表
面に形成された酸化膜12を取り除いた後、例えば９０℃
のキャロス溶液［Ｈ2 ＳＯ4 (4) ：Ｈ2 Ｏ2 (1) ］中に
３〜５分程度浸漬するキャロス酸化を行い、シリコンウ
エハ11の表面に、図６（Ｃ）で示すように例えば５０Å
程度の薄い酸化膜13を形成する。この結果、シリコンウ
エハ11の表面が親水性とされるようにする。
【０００４】この様に親水化処理が終了されたならば、
このシリコンウエハ11を図６（Ｄ）のように超純水中に
３０分程度浸漬する処理を行い、シリコンウエハ11の表
面に水分子を吸着させ、表面がＯＨ基で覆われるように
する。その後、図６（Ｅ）に示すようにこの様な処理の
行われた２枚のシリコンウエハ111 ，112 を接着し、図
６（Ｆ）で示すように熱処理して、このシリコンウエハ
111 と112 の相互を接合する。
このシリコンウエハ11を図６（Ｄ）のように超純水中に
３０分程度浸漬する処理を行い、シリコンウエハ11の表
面に水分子を吸着させ、表面がＯＨ基で覆われるように
する。その後、図６（Ｅ）に示すようにこの様な処理の
行われた２枚のシリコンウエハ111 ，112 を接着し、図
６（Ｆ）で示すように熱処理して、このシリコンウエハ
111 と112 の相互を接合する。
【０００５】この様な製造方法にあっては、キャロス酸
化を行うことによりシリコンウエハ11の表面に薄い酸化
膜13を形成することによって、その表面を親水性とする
ことであり、その結果シリコンウエハ11の表面がＯＨ基
によって覆われる。この様にＯＨ基によって覆われた２
枚のシリコンウエハ11の表面を近接させると、水素結合
によって接着される。
化を行うことによりシリコンウエハ11の表面に薄い酸化
膜13を形成することによって、その表面を親水性とする
ことであり、その結果シリコンウエハ11の表面がＯＨ基
によって覆われる。この様にＯＨ基によって覆われた２
枚のシリコンウエハ11の表面を近接させると、水素結合
によって接着される。
【０００６】ここで、もしキャロス酸化を行わないと、
dil フッ酸処理したシリコンウエハ11の表面が親水性と
ならず、２枚のシリコンウエハ111 および112 を接着す
ることができないものであり、キャロス酸化工程が不可
欠であった。
dil フッ酸処理したシリコンウエハ11の表面が親水性と
ならず、２枚のシリコンウエハ111 および112 を接着す
ることができないものであり、キャロス酸化工程が不可
欠であった。
【０００７】しかし、キャロス酸化によって形成された
酸化膜13は、その後に熱処理を行っても、接合界面およ
びその近傍にこの酸化膜が局在し、接合界面を通過する
方向の電気抵抗を増大させる。また、この局在する酸化
膜は結晶欠陥発生の原因となり、この半導体基板を用い
て構成したデバイス特性上で問題を有する。
酸化膜13は、その後に熱処理を行っても、接合界面およ
びその近傍にこの酸化膜が局在し、接合界面を通過する
方向の電気抵抗を増大させる。また、この局在する酸化
膜は結晶欠陥発生の原因となり、この半導体基板を用い
て構成したデバイス特性上で問題を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、キャロス酸化処理を省くこ
とができるようにして、２枚のシリコンウエハを接合し
た場合に、その接合界面に酸素が局在することがなく、
接合界面における低抵抗化が図れるようにして、特性の
安定したデバイスが確実に形成されるようにした半導体
基板の製造方法を提供しようとするものである。
な点に鑑みなされたもので、キャロス酸化処理を省くこ
とができるようにして、２枚のシリコンウエハを接合し
た場合に、その接合界面に酸素が局在することがなく、
接合界面における低抵抗化が図れるようにして、特性の
安定したデバイスが確実に形成されるようにした半導体
基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００９】
【発明の概要】この発明に係る半導体基板の製造方法に
あっては、第１および第２のシリコン結晶体板各々の少
なくとも１つの面を鏡面研磨し、その表面を洗浄した後
シリコン結晶体板の表面の酸化膜を除去するとともに、
表面のシリコン原子のボンドに直接ＯＨ基をターミネー
トするようにする。その後この第１および第２のシリコ
ン結晶体板を接着させるようにする。
あっては、第１および第２のシリコン結晶体板各々の少
なくとも１つの面を鏡面研磨し、その表面を洗浄した後
シリコン結晶体板の表面の酸化膜を除去するとともに、
表面のシリコン原子のボンドに直接ＯＨ基をターミネー
トするようにする。その後この第１および第２のシリコ
ン結晶体板を接着させるようにする。
【００１０】なお、洗浄後のシリコン結晶体板表面の酸
化膜除去およびＯＨ基のターミネートは、シリコン結晶
体板の表面に存在する酸化膜が除去された状態で、まず
シリコン原子のボンドを電気陰性度の高い原子でターミ
ネートしておき、その後このターミネートされた電気陰
性度の高い原子をＯＨ基で置換するようにする。
化膜除去およびＯＨ基のターミネートは、シリコン結晶
体板の表面に存在する酸化膜が除去された状態で、まず
シリコン原子のボンドを電気陰性度の高い原子でターミ
ネートしておき、その後このターミネートされた電気陰
性度の高い原子をＯＨ基で置換するようにする。
【００１１】この場合、シリコン結晶体板の表面を、よ
り多くの電気陰性度の高い原子で終端することが必要で
ある。また換言すれば、２枚のシリコン結晶体板の接着
前のシリコン結晶体板表面の“Ｓｉ−Ｈ”結合の割合を
極力低く抑えることが必要である。
り多くの電気陰性度の高い原子で終端することが必要で
ある。また換言すれば、２枚のシリコン結晶体板の接着
前のシリコン結晶体板表面の“Ｓｉ−Ｈ”結合の割合を
極力低く抑えることが必要である。
【００１２】これは例えばconcＨＦ浸漬後に、超純水に
浸漬することで実現される。この場合、シリコン結晶体
板の表面は多くのフッ素原子により終端された構造とな
り、このシリコン結晶体板を超純水に浸漬することによ
り、その表面にターミネートされたフッ素原子はＯＨ基
に置換されるようになる。
浸漬することで実現される。この場合、シリコン結晶体
板の表面は多くのフッ素原子により終端された構造とな
り、このシリコン結晶体板を超純水に浸漬することによ
り、その表面にターミネートされたフッ素原子はＯＨ基
に置換されるようになる。
【００１３】以上のようにして２枚のシリコン結晶体板
がこのＯＨ基に基づく水素結合で接着され、接合界面に
酸素が局在することがなく、低抵抗化が確実に図れるこ
とになる。
がこのＯＨ基に基づく水素結合で接着され、接合界面に
酸素が局在することがなく、低抵抗化が確実に図れるこ
とになる。
【００１４】このようにこの発明に係る半導体基板の製
造方法によれば、キャロス酸化処理工程を採用すること
なく、２枚のシリコン結晶体板を接着することができ、
この場合その接合界面に酸素が局在することがない状態
で接合できる。このため、その接合界面における低抵抗
化が確実に実現できるものであり、特性の安定したデバ
イスが容易に形成されるようになる。
造方法によれば、キャロス酸化処理工程を採用すること
なく、２枚のシリコン結晶体板を接着することができ、
この場合その接合界面に酸素が局在することがない状態
で接合できる。このため、その接合界面における低抵抗
化が確実に実現できるものであり、特性の安定したデバ
イスが容易に形成されるようになる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、図面を参照
しつつ説明する。図１はシリコン単結晶体からなるシリ
コンウエハ11を接着する工程を示すもので、このシリコ
ンウエハ11の少なくとも一方の面は鏡面に研磨されてい
る。なお、接合するためには２枚のシリコンウエハが用
意されるものであるが、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）ではそ
の一方のシリコンウエハ11のみを示している。以下、図
１を参照してこの発明の一実施例に係る製造工程を説明
する。なお、図１（Ａ）は洗浄工程、図１（Ｂ）はconc
ＨＦ浸漬工程、図１（Ｃ）は超純水浸漬工程、図１
（Ｄ）はＯＨ基に基づく水素結合でウエハを密着するウ
エハ密着工程、図１（Ｅ）は熱処理により共有結合を形
成してウエハを強固に接合する接合工程を各々示し、本
実施例では図１（Ｂ）のconcＨＦ浸漬工程及び図１
（Ｃ）の超純水浸漬工程により、ウエハ表面の自然酸化
膜を取り除き、ウエハ表面に直接ＯＨ基をターミネート
させるようにしている。
しつつ説明する。図１はシリコン単結晶体からなるシリ
コンウエハ11を接着する工程を示すもので、このシリコ
ンウエハ11の少なくとも一方の面は鏡面に研磨されてい
る。なお、接合するためには２枚のシリコンウエハが用
意されるものであるが、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）ではそ
の一方のシリコンウエハ11のみを示している。以下、図
１を参照してこの発明の一実施例に係る製造工程を説明
する。なお、図１（Ａ）は洗浄工程、図１（Ｂ）はconc
ＨＦ浸漬工程、図１（Ｃ）は超純水浸漬工程、図１
（Ｄ）はＯＨ基に基づく水素結合でウエハを密着するウ
エハ密着工程、図１（Ｅ）は熱処理により共有結合を形
成してウエハを強固に接合する接合工程を各々示し、本
実施例では図１（Ｂ）のconcＨＦ浸漬工程及び図１
（Ｃ）の超純水浸漬工程により、ウエハ表面の自然酸化
膜を取り除き、ウエハ表面に直接ＯＨ基をターミネート
させるようにしている。
【００１６】まず図１（Ａ）で示すように、シリコンウ
エハ11を例えばＳＣ２［ＨＣｌ(1)：Ｈ2 Ｏ2 (1) ：Ｈ
2 Ｏ(4) ］のような標準洗浄液を用いて洗浄する。この
洗浄工程によってシリコンウエハ11の表面には５０Å程
度の厚さの酸化シリコンによる自然酸化膜12が形成され
る。
エハ11を例えばＳＣ２［ＨＣｌ(1)：Ｈ2 Ｏ2 (1) ：Ｈ
2 Ｏ(4) ］のような標準洗浄液を用いて洗浄する。この
洗浄工程によってシリコンウエハ11の表面には５０Å程
度の厚さの酸化シリコンによる自然酸化膜12が形成され
る。
【００１７】この様にシリコンウエハ11の洗浄工程が終
了されたならば、図１（Ｂ）で示すようにconcＨＦ（濃
フッ酸溶液：〜５０wt％ａｑ．）に浸漬し、シリコンウ
エハ11の表面に形成された自然酸化膜12を取り除く。例
えば３分程度concＨＦ中に浸漬する。
了されたならば、図１（Ｂ）で示すようにconcＨＦ（濃
フッ酸溶液：〜５０wt％ａｑ．）に浸漬し、シリコンウ
エハ11の表面に形成された自然酸化膜12を取り除く。例
えば３分程度concＨＦ中に浸漬する。
【００１８】この様にしてconcＨＦに対する浸漬処理が
終了されたならば、図１（Ｃ）で示すようにこのシリコ
ンウエハ11を超純水に浸漬する処理を行う。この超純水
に浸漬する時間は、シリコンウエハ11の表面をターミネ
ートしたフッ素原子の大部分が水分子と反応してＯＨ基
に置換するに充分な時間であり、例えば０．５〜１時間
程度である。
終了されたならば、図１（Ｃ）で示すようにこのシリコ
ンウエハ11を超純水に浸漬する処理を行う。この超純水
に浸漬する時間は、シリコンウエハ11の表面をターミネ
ートしたフッ素原子の大部分が水分子と反応してＯＨ基
に置換するに充分な時間であり、例えば０．５〜１時間
程度である。
【００１９】この様な超純水に対する浸漬処理が終了し
たならば、スピン乾燥等の手段によってウエハ端部およ
びウエハキャリアに付着した余分な水滴を除去し、その
後この様に処理された２枚のシリコンウエハ111 および
112 を図１（Ｄ）で示すようにその鏡面研磨面同士を対
向して密着させる。そして、シリコンウエハ111 および
112 のそれぞれ表面の大部分を覆うように形成されたＯ
Ｈ基に基づく水素結合力で、このシリコンウエハ111 と
112 を接着させる。その後、図１（Ｅ）のように６００
℃〜１２００℃の温度範囲で熱処理を行って共有結合を
形成し、強固な貼り合わせ工程を完了する。
たならば、スピン乾燥等の手段によってウエハ端部およ
びウエハキャリアに付着した余分な水滴を除去し、その
後この様に処理された２枚のシリコンウエハ111 および
112 を図１（Ｄ）で示すようにその鏡面研磨面同士を対
向して密着させる。そして、シリコンウエハ111 および
112 のそれぞれ表面の大部分を覆うように形成されたＯ
Ｈ基に基づく水素結合力で、このシリコンウエハ111 と
112 を接着させる。その後、図１（Ｅ）のように６００
℃〜１２００℃の温度範囲で熱処理を行って共有結合を
形成し、強固な貼り合わせ工程を完了する。
【００２０】なお、この熱処理工程における処理雰囲気
は、通常Ｎ2 ガス中で行うものであるが、制御された雰
囲気中であれば、酸素、アルゴンまたは水素中で行うよ
うにしてもよい。
は、通常Ｎ2 ガス中で行うものであるが、制御された雰
囲気中であれば、酸素、アルゴンまたは水素中で行うよ
うにしてもよい。
【００２１】図６で示した従来方法にあっては、洗浄工
程を終了したシリコンウエハ11を１〜１０wt％の希フッ
酸溶液に浸漬してこのシリコンウエハ11表面の酸化膜12
を取り除いた後、例えば９０℃のキャロス溶液中に３〜
１０分程度浸漬し、表面に薄い酸化膜13を形成させるよ
うにしている。そして、この結果シリコンウエハ11の表
面が親水性とされるようにしているもので、その後超純
水中に浸漬することでシリコンウエハ11の表面に水分子
を吸着させ、表面がＯＨ基で覆われるようにしている。
ここで従来方法による超純水浸漬後のシリコンウエハ表
面は水に濡れる状態の親水性とされているものであり、
接着前のシリコン表面を親水性とすることは必要不可欠
な条件であった。これに対して実施例で示した製造方法
にあっては、超純水に浸漬する処理後のシリコンウエハ
11の表面は水を弾く状態の疎水性となっているもので、
接着前のシリコン表面を特に親水性とする必要がない。
程を終了したシリコンウエハ11を１〜１０wt％の希フッ
酸溶液に浸漬してこのシリコンウエハ11表面の酸化膜12
を取り除いた後、例えば９０℃のキャロス溶液中に３〜
１０分程度浸漬し、表面に薄い酸化膜13を形成させるよ
うにしている。そして、この結果シリコンウエハ11の表
面が親水性とされるようにしているもので、その後超純
水中に浸漬することでシリコンウエハ11の表面に水分子
を吸着させ、表面がＯＨ基で覆われるようにしている。
ここで従来方法による超純水浸漬後のシリコンウエハ表
面は水に濡れる状態の親水性とされているものであり、
接着前のシリコン表面を親水性とすることは必要不可欠
な条件であった。これに対して実施例で示した製造方法
にあっては、超純水に浸漬する処理後のシリコンウエハ
11の表面は水を弾く状態の疎水性となっているもので、
接着前のシリコン表面を特に親水性とする必要がない。
【００２２】図２（Ａ）はconcＨＦ（〜５０wt％）処理
したシリコンウエハ11の表面の化学構造の模式図を示
し、図２（Ｂ）はdil ＨＦ（１wt％）処理したシリコン
ウエハの表面の化学構造の模式図を示す。
したシリコンウエハ11の表面の化学構造の模式図を示
し、図２（Ｂ）はdil ＨＦ（１wt％）処理したシリコン
ウエハの表面の化学構造の模式図を示す。
【００２３】シリコンウエハ11をconcＨＦ浸漬処理する
と、図２（Ａ）で示されるようにシリコン原子１個当た
りに０．３８個のフッ素原子が存在し、図２（Ｂ）で示
すようなdil ＨＦ浸漬処理を行った場合には、シリコン
原子１個当たりに０．０８個のフッ素原子が存在するよ
うになる。そして、残りのシリコン原子は水素原子によ
って終端されている。
と、図２（Ａ）で示されるようにシリコン原子１個当た
りに０．３８個のフッ素原子が存在し、図２（Ｂ）で示
すようなdil ＨＦ浸漬処理を行った場合には、シリコン
原子１個当たりに０．０８個のフッ素原子が存在するよ
うになる。そして、残りのシリコン原子は水素原子によ
って終端されている。
【００２４】この様な状態でこのシリコンウエハ11を水
に浸漬すると、図３で示されるように“Ｓi −Ｆ”の結
合が水分子の攻撃によって“Ｓi −ＯＨ”の結合に変わ
る。しかし“Ｓi −Ｈ”結合はそのままの状態にある。
この様な結果、図３（Ａ）で示すconcＨＦで処理したシ
リコンウエハ11の表面は、約３８％がＯＨ基によって覆
われるようになる。これに対して図３（Ｂ）で示すdil
ＨＦによって処理したシリコンウエハ11の表面は、せい
ぜい８％程度しかＯＨ基で覆われることがない。この状
態で２枚のウエハを近接させると、concＨＦで処理した
ウエハの相互間はＯＨ基に基づく水素結合で接着される
のに対して、１wt％ＨＦで処理したシリコンウエハの相
互は接着しない。従って、“Ｓi −Ｈ”結合の割合をウ
エハ接着の前に極力低くしておくことが必要と考察され
る。
に浸漬すると、図３で示されるように“Ｓi −Ｆ”の結
合が水分子の攻撃によって“Ｓi −ＯＨ”の結合に変わ
る。しかし“Ｓi −Ｈ”結合はそのままの状態にある。
この様な結果、図３（Ａ）で示すconcＨＦで処理したシ
リコンウエハ11の表面は、約３８％がＯＨ基によって覆
われるようになる。これに対して図３（Ｂ）で示すdil
ＨＦによって処理したシリコンウエハ11の表面は、せい
ぜい８％程度しかＯＨ基で覆われることがない。この状
態で２枚のウエハを近接させると、concＨＦで処理した
ウエハの相互間はＯＨ基に基づく水素結合で接着される
のに対して、１wt％ＨＦで処理したシリコンウエハの相
互は接着しない。従って、“Ｓi −Ｈ”結合の割合をウ
エハ接着の前に極力低くしておくことが必要と考察され
る。
【００２５】すなわち、実施例で示した製造方法にあっ
ては、シリコンウエハ11の表面においてシリコン原子の
結合手（ボンド）をターミネートしたフッ素原子が水分
子と反応してＯＨ基に置き換わり、このＯＨ基の存在が
接着効果の原因となる。そして、残りの水素原子は２枚
のシリコンウエハが接着された状態では、相手側のシリ
コンウエハの表面にターミネートした水素原子またはＯ
Ｈ基と、また途中に水分子を介して水素原子またはＯＨ
基と対向しているものと考えられる。
ては、シリコンウエハ11の表面においてシリコン原子の
結合手（ボンド）をターミネートしたフッ素原子が水分
子と反応してＯＨ基に置き換わり、このＯＨ基の存在が
接着効果の原因となる。そして、残りの水素原子は２枚
のシリコンウエハが接着された状態では、相手側のシリ
コンウエハの表面にターミネートした水素原子またはＯ
Ｈ基と、また途中に水分子を介して水素原子またはＯＨ
基と対向しているものと考えられる。
【００２６】この様な状態で接合処理を完成するために
熱処理を行うと、熱エネルギーによって対向した原子同
志の反応が進み、“Ｓi −Ｓi ”結合や“Ｓi −Ｏ−Ｓ
i ”結合とＨ2 分子が形成されて、強固な結合が完成さ
れる。
熱処理を行うと、熱エネルギーによって対向した原子同
志の反応が進み、“Ｓi −Ｓi ”結合や“Ｓi −Ｏ−Ｓ
i ”結合とＨ2 分子が形成されて、強固な結合が完成さ
れる。
【００２７】この様な過程でシリコンウエハの相互を接
合すると、接合界面に存在する酸素原子の数は、ＯＨ基
に基づくもののみであって、１原子層以下にされる。こ
の酸素は、その後の例えば１１５０℃で１時間の熱処理
によって、容易に内部に拡散される。したがって、酸素
原子の局在による界面抵抗の増大はなくなる。
合すると、接合界面に存在する酸素原子の数は、ＯＨ基
に基づくもののみであって、１原子層以下にされる。こ
の酸素は、その後の例えば１１５０℃で１時間の熱処理
によって、容易に内部に拡散される。したがって、酸素
原子の局在による界面抵抗の増大はなくなる。
【００２８】一方、図６で示したキャロス処理を施した
製造方法にあっては、少なくとも１００Å（片面５０
Å）の酸化膜層が接合界面に存在している。この酸化膜
層はその後の熱処理によっても容易に内部に拡散するこ
とがなく、界面抵抗が増大する要因となっている。
製造方法にあっては、少なくとも１００Å（片面５０
Å）の酸化膜層が接合界面に存在している。この酸化膜
層はその後の熱処理によっても容易に内部に拡散するこ
とがなく、界面抵抗が増大する要因となっている。
【００２９】図４は上記実施例で製造した接合ウエハの
接合界面近傍の抵抗値の変化状態を、広がり抵抗測定に
よって調査した結果を示す。この図で実線で示したconc
ＨＦ処理を行った実施例製造方法では、界面近傍の広が
り抵抗がバルクシリコンの値と等しい。これに対して破
線で示した従来（キャロス酸化を用いた）の製造方法に
よって得られた接合ウエハの接合界面近傍の抵抗値は、
非常に高い値となっている。
接合界面近傍の抵抗値の変化状態を、広がり抵抗測定に
よって調査した結果を示す。この図で実線で示したconc
ＨＦ処理を行った実施例製造方法では、界面近傍の広が
り抵抗がバルクシリコンの値と等しい。これに対して破
線で示した従来（キャロス酸化を用いた）の製造方法に
よって得られた接合ウエハの接合界面近傍の抵抗値は、
非常に高い値となっている。
【００３０】図５は実施例で示した方法によって接合し
たシリコンウエハ111 ，112 相互の接合強度を、従来法
および文献等の示された値と比較して示している。この
図で（Ａ）は実施例によって得られた接合強度、（Ｂ）
は従来のキャロス酸化による方法に従って得られた接合
強度を示し、さらに（Ｃ）および（Ｄ）はそれぞれ文献
に示された例を示す。図５より明らかなように、実施例
で示した方法により接合した場合には、従来法あるいは
文献値に比べ、引っ張り強度が２〜２．５倍高い結果が
得られている。
たシリコンウエハ111 ，112 相互の接合強度を、従来法
および文献等の示された値と比較して示している。この
図で（Ａ）は実施例によって得られた接合強度、（Ｂ）
は従来のキャロス酸化による方法に従って得られた接合
強度を示し、さらに（Ｃ）および（Ｄ）はそれぞれ文献
に示された例を示す。図５より明らかなように、実施例
で示した方法により接合した場合には、従来法あるいは
文献値に比べ、引っ張り強度が２〜２．５倍高い結果が
得られている。
【００３１】以上のようにこの実施例に係る半導体基板
の製造方法によれば、キャロス酸化処理工程を採用する
ことなく、２枚のシリコン結晶体板を接着することがで
き、この場合その接合界面に酸素が局在することがない
状態で接合できる。このため、その接合界面における低
抵抗化が確実に実現できるものであり、特性の安定した
デバイスが容易に形成されるようになる。
の製造方法によれば、キャロス酸化処理工程を採用する
ことなく、２枚のシリコン結晶体板を接着することがで
き、この場合その接合界面に酸素が局在することがない
状態で接合できる。このため、その接合界面における低
抵抗化が確実に実現できるものであり、特性の安定した
デバイスが容易に形成されるようになる。
【００３２】上記一実施例においては、自然酸化膜除去
およびフッ素原子の付加工程として５０wt％のconcＨＦ
処理を行ったが、これは１wt％より濃度の高いフッ酸溶
液を用いて処理するようにしても同様に実施できる。
およびフッ素原子の付加工程として５０wt％のconcＨＦ
処理を行ったが、これは１wt％より濃度の高いフッ酸溶
液を用いて処理するようにしても同様に実施できる。
【００３３】また、一実施例で示した図１（Ｂ）のconc
ＨＦ処理に代わり、自然酸化膜除去およびフッ素原子の
付加工程としてフッ化アンモニウム溶液、またはフッ酸
−アルカリ混液で処理するようにしてもよい。その場合
も、その後、図１（Ｃ）〜（Ｅ）で示したと同様に処理
すればよい。この様な処理を行えば、水溶液中のＨ+ イ
オン濃度が減少するので、その分シリコンウエハ表面を
ターミネートする水素原子の数が化学平衡の原理にした
がって減少し、これに代わってフッ素原子またはＯＨ基
によってターミネートされる割合が増加する。
ＨＦ処理に代わり、自然酸化膜除去およびフッ素原子の
付加工程としてフッ化アンモニウム溶液、またはフッ酸
−アルカリ混液で処理するようにしてもよい。その場合
も、その後、図１（Ｃ）〜（Ｅ）で示したと同様に処理
すればよい。この様な処理を行えば、水溶液中のＨ+ イ
オン濃度が減少するので、その分シリコンウエハ表面を
ターミネートする水素原子の数が化学平衡の原理にした
がって減少し、これに代わってフッ素原子またはＯＨ基
によってターミネートされる割合が増加する。
【００３４】また図１で説明した実施例では浸漬するフ
ッ酸溶液の濃度をconcＨＦ（〜５０wt％）としたが、こ
のフッ酸濃度は特に限定することなく、それに代わって
超純水処理時に、この超純水中でシリコンウエハ11の表
面に、例えば波長４０００Å以下の紫外線を照射した
後、この様な処理の施された２枚のシリコンウエハ111
および112 を接着させるようにしてもよい。紫外線を照
射することによって、フッ酸溶液浸漬後にシリコンウエ
ハの表面をターミネートしていた水素の“Ｓi −Ｈ”結
合は切断され、これによりＯＨ基に置き変えることがで
きる。尚、ここで照射する紫外線の波長は、Ｓi −Ｈの
結合エネルギーが３．０５ｅＶであることから、これに
対応する４０７３Å程度以下であることが望ましい。さ
らに、Ｓi−Ｏ結合の結合エネルギーは３．８５ｅＶで
あり、これに対応する紫外線の波長は３２４３Åである
ことから、照射する紫外線の波長は３２４３Å以下の光
が含まれない方がよい。
ッ酸溶液の濃度をconcＨＦ（〜５０wt％）としたが、こ
のフッ酸濃度は特に限定することなく、それに代わって
超純水処理時に、この超純水中でシリコンウエハ11の表
面に、例えば波長４０００Å以下の紫外線を照射した
後、この様な処理の施された２枚のシリコンウエハ111
および112 を接着させるようにしてもよい。紫外線を照
射することによって、フッ酸溶液浸漬後にシリコンウエ
ハの表面をターミネートしていた水素の“Ｓi −Ｈ”結
合は切断され、これによりＯＨ基に置き変えることがで
きる。尚、ここで照射する紫外線の波長は、Ｓi −Ｈの
結合エネルギーが３．０５ｅＶであることから、これに
対応する４０７３Å程度以下であることが望ましい。さ
らに、Ｓi−Ｏ結合の結合エネルギーは３．８５ｅＶで
あり、これに対応する紫外線の波長は３２４３Åである
ことから、照射する紫外線の波長は３２４３Å以下の光
が含まれない方がよい。
【００３５】さらに実施例においては、浸漬するフッ酸
溶液の濃度をconcＨＦ（〜５０wt％）としたが、実験に
よると１０wt％以上のフッ酸溶液を使用して接合した場
合、界面抵抗の低減効果が得られ、接合強度もバルク並
のものが得られた。しかし、フッ酸溶液の濃度が１０wt
％未満の場合においては、２枚のシリコンウエハを室温
で密着させたときに接着しずらくなり、ついには１wt％
未満ではほとんど全てが接着されない。したがって、少
なくとも使用するフッ酸濃度は１０wt％以上であること
が望ましい。なお、図７（Ａ），（Ｂ）にＨＦエッチン
グしたシリコンウエハ表面のフッ素および酸素量のＨＦ
濃度依存性と、純水浸漬による変化を示す。表面にター
ミネートしたフッ素の量は水浸漬により減少し、代わり
にこれと等しい量の酸素が増加しており、“Ｓi −Ｆ”
結合が加水分解されて“Ｓi −ＯＨ”結合に変わること
が確認できるが、フッ酸濃度がより高ければより多くの
フッ素原子をシリコンウエハ表面にターミネートさせる
ことができ、より多くの“Ｓi −ＯＨ”結合を形成する
ことができる。またフッ酸濃度を１０wt％以上としたと
きに界面抵抗の低減効果及び高い接合強度が得られてい
ることから、超純水浸漬前に、シリコン原子１個当たり
に少なくとも０．２個のフッ素原子をターミネートさせ
るようにするとよいと考えられる。
溶液の濃度をconcＨＦ（〜５０wt％）としたが、実験に
よると１０wt％以上のフッ酸溶液を使用して接合した場
合、界面抵抗の低減効果が得られ、接合強度もバルク並
のものが得られた。しかし、フッ酸溶液の濃度が１０wt
％未満の場合においては、２枚のシリコンウエハを室温
で密着させたときに接着しずらくなり、ついには１wt％
未満ではほとんど全てが接着されない。したがって、少
なくとも使用するフッ酸濃度は１０wt％以上であること
が望ましい。なお、図７（Ａ），（Ｂ）にＨＦエッチン
グしたシリコンウエハ表面のフッ素および酸素量のＨＦ
濃度依存性と、純水浸漬による変化を示す。表面にター
ミネートしたフッ素の量は水浸漬により減少し、代わり
にこれと等しい量の酸素が増加しており、“Ｓi −Ｆ”
結合が加水分解されて“Ｓi −ＯＨ”結合に変わること
が確認できるが、フッ酸濃度がより高ければより多くの
フッ素原子をシリコンウエハ表面にターミネートさせる
ことができ、より多くの“Ｓi −ＯＨ”結合を形成する
ことができる。またフッ酸濃度を１０wt％以上としたと
きに界面抵抗の低減効果及び高い接合強度が得られてい
ることから、超純水浸漬前に、シリコン原子１個当たり
に少なくとも０．２個のフッ素原子をターミネートさせ
るようにするとよいと考えられる。
【００３６】また上記実施例においては、シリコンウエ
ハ表面をフッ素原子によりターミネートした例を示した
が、代わりにフッ素原子同様電気陰性度の高い原子，た
とえば塩素等の他のハロゲン元素でターミネートするよ
うにしてもよい。例えば塩素原子をターミネートする場
合は、たとえばＨＣｌガスを用いて、塩素が添加された
水素雰囲気中でシリコンウエハを例えば１０００℃以上
に加熱して、表面の自然酸化膜を除去するようにすれば
よい。そして自然酸化膜除去後、塩素性雰囲気を保った
まま２００℃程度まで冷却し、しかる後不活性ガス雰囲
気に切り替えてシリコンウエハを取り出すことによっ
て、シリコンウエハ表面を塩素原子および水素原子によ
りターミネートできる。以降は図１（Ｃ）と同様、超純
水中に浸漬すればターミネートした塩素原子がＯＨ基に
置換されるので、図１（Ｄ），（Ｅ）に示したのと同様
に処理すればよい。また超純水浸漬中に上記のように紫
外線を照射するようにしてもよい。
ハ表面をフッ素原子によりターミネートした例を示した
が、代わりにフッ素原子同様電気陰性度の高い原子，た
とえば塩素等の他のハロゲン元素でターミネートするよ
うにしてもよい。例えば塩素原子をターミネートする場
合は、たとえばＨＣｌガスを用いて、塩素が添加された
水素雰囲気中でシリコンウエハを例えば１０００℃以上
に加熱して、表面の自然酸化膜を除去するようにすれば
よい。そして自然酸化膜除去後、塩素性雰囲気を保った
まま２００℃程度まで冷却し、しかる後不活性ガス雰囲
気に切り替えてシリコンウエハを取り出すことによっ
て、シリコンウエハ表面を塩素原子および水素原子によ
りターミネートできる。以降は図１（Ｃ）と同様、超純
水中に浸漬すればターミネートした塩素原子がＯＨ基に
置換されるので、図１（Ｄ），（Ｅ）に示したのと同様
に処理すればよい。また超純水浸漬中に上記のように紫
外線を照射するようにしてもよい。
【００３７】さらに上記実施例においては、シリコンウ
エハをフッ酸系の水溶液に浸漬することによって、表面
の自然酸化膜を除去するとともに表面を多くのフッ素原
子でターミネートしたが、この工程は表面の酸化膜を除
去する工程と、表面を多くのフッ素原子でターミネート
する工程とに分割して実施してもよく、かつ表面をター
ミネートする原子は電気陰性度が高ければ、フッ素でな
くとも、塩素や臭素であってもよい。この場合、表面の
酸化膜を除去する工程としては、真空中しかも望ましく
は超高真空中で加熱する工程か、または真空中でスパッ
タする工程であってもよい。次に電気陰性度の高い原子
で表面をターミネートする工程としては、上記酸化膜を
除去したのと同一の真空中において、ＨＣｌやＣｌ2 等
の塩素性ガス雰囲気またはそのプラズマ雰囲気に暴露す
るか、ＨＦやＳＦ6 等のフッ素性ガス雰囲気またはその
プラズマ雰囲気に暴露するか、あるいはＨＢｒ等の臭素
性ガス雰囲気またはそのプラズマ雰囲気に暴露する工程
であってもよい。以降は図１（Ｃ）と同様、超純水中に
浸漬すればターミネートした塩素，フッ素あるいは臭素
原子がＯＨ基に置換されるので、図１（Ｄ），（Ｅ）に
示したのと同様に処理すればよい。また超純水浸漬中に
上記のように紫外線を照射するようにしてもよい。
エハをフッ酸系の水溶液に浸漬することによって、表面
の自然酸化膜を除去するとともに表面を多くのフッ素原
子でターミネートしたが、この工程は表面の酸化膜を除
去する工程と、表面を多くのフッ素原子でターミネート
する工程とに分割して実施してもよく、かつ表面をター
ミネートする原子は電気陰性度が高ければ、フッ素でな
くとも、塩素や臭素であってもよい。この場合、表面の
酸化膜を除去する工程としては、真空中しかも望ましく
は超高真空中で加熱する工程か、または真空中でスパッ
タする工程であってもよい。次に電気陰性度の高い原子
で表面をターミネートする工程としては、上記酸化膜を
除去したのと同一の真空中において、ＨＣｌやＣｌ2 等
の塩素性ガス雰囲気またはそのプラズマ雰囲気に暴露す
るか、ＨＦやＳＦ6 等のフッ素性ガス雰囲気またはその
プラズマ雰囲気に暴露するか、あるいはＨＢｒ等の臭素
性ガス雰囲気またはそのプラズマ雰囲気に暴露する工程
であってもよい。以降は図１（Ｃ）と同様、超純水中に
浸漬すればターミネートした塩素，フッ素あるいは臭素
原子がＯＨ基に置換されるので、図１（Ｄ），（Ｅ）に
示したのと同様に処理すればよい。また超純水浸漬中に
上記のように紫外線を照射するようにしてもよい。
【図１】この発明の一実施例に係る半導体基板の製造工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれconcＨＦ処理し
た後のシリコンウエハ表面、および１wt％ＨＦ処理した
後のシリコンウエハ表面の化学構造を示す模式図であ
る。
た後のシリコンウエハ表面、および１wt％ＨＦ処理した
後のシリコンウエハ表面の化学構造を示す模式図であ
る。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれフッ酸処理、純
水洗浄、さらに乾燥した後の５０wt％ＨＦ処理および１
wt％処理したシリコンウエハ表面の化学構造を示す模式
図である。
水洗浄、さらに乾燥した後の５０wt％ＨＦ処理および１
wt％処理したシリコンウエハ表面の化学構造を示す模式
図である。
【図４】接合された半導体基板の接合界面抵抗を実施例
と従来例とを比較して示す図である。
と従来例とを比較して示す図である。
【図５】接合強度を実施例並びに従来例を対比して示す
図である。
図である。
【図６】従来の半導体基板の製造過程を説明する図であ
る。
る。
【図７】（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれフッ酸処理した
シリコンウエハ表面のフッ素および酸素量のＨＦ濃度依
存性を示す図で、純水浸漬による変化も併せて示す図で
ある。
シリコンウエハ表面のフッ素および酸素量のＨＦ濃度依
存性を示す図で、純水浸漬による変化も併せて示す図で
ある。
11、111 、112 シリコンウエハ（シリコン単結晶体
板） 12 自然酸化膜 13 酸化膜（キャロス酸化による）
板） 12 自然酸化膜 13 酸化膜（キャロス酸化による）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤野 誠二 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−123014（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−4221（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−183510（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−82404（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/02,21/304
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも１つの面が鏡面研磨された第
１および第２のシリコン結晶体板の鏡面研磨された表面
を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄した第１及び第２のシリコン結晶体板を１０ｗ
ｔ％以上の濃度のフッ酸溶液に浸漬することにより該シ
リコン結晶体板の前記鏡面研磨された表面に存在する酸
化膜を除去し、かつフッ素原子で前記シリコン原子のボ
ンドをターミネートするフッ素原子付加工程と、 前記表面のシリコン原子と結合しているフッ素原子をＯ
Ｈ基で置換する ＯＨ基付加工程と、 前記第１および第２のシリコン結晶体板の前記鏡面研磨
された面同士をあわせて該第１，第２のシリコン結晶体
板をＯＨ基を介した水素結合により密着する密着工程と
を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＯＨ基付加工程は、フッ素によりタ
ーミネートされた前記第１及び第２のシリコン結晶体板
を超純水に０．５〜１時間程度浸漬させるものである請
求項１記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 少なくとも１つの面が鏡面研磨された第
１および第２のシリコン結晶体板の鏡面研磨された表面
を洗浄する洗浄工程と、 前記洗浄した第１及び第２のシリコン結晶体板をフッ化
アンモニウム溶液またはフッ酸−アルカリ混液に浸漬す
ることにより該シリコン結晶体板の前記鏡面研磨された
表面に存在する酸化膜を除去し、かつフッ素原子で前記
シリコン原子のボンドをターミネートするフッ素原子付
加工程と、 前記表面のシリコン原子と結合しているフッ素原子をＯ
Ｈ基で置換するＯＨ基付加工程と、 前記第１および第２のシリコン結晶体板の前記鏡面研磨
された面同士をあわせて該第１，第２のシリコン結晶体
板をＯＨ基を介した水素結合により密着する密着工程と
を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項４】 少なくとも１つの面が鏡面研磨された第
１および第２のシリコン結晶体板の鏡面研磨された表面
を洗浄する洗浄工程と、 前記洗浄した第１及び第２のシリコン結晶体板を塩素が
添加された水素雰囲気 中で加熱することにより該シリコ
ン結晶体板の前記鏡面研磨された表面に存在する酸化膜
を除去し、かつ塩素素原子で前記シリコン原子のボンド
をターミネートする塩素原子付加工程と、 前記表面のシリコン原子と結合している塩素原子をＯＨ
基で置換するＯＨ基付加工程と、 前記第１および第２のシリコン結晶体板の前記鏡面研磨
された面同士をあわせて該第１，第２のシリコン結晶体
板をＯＨ基を介した水素結合により密着する密着工程と
を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも１つの面が鏡面研磨された第
１および第２のシリコン結晶体板の鏡面研磨された表面
を洗浄する洗浄工程と、 前記洗浄した第１及び第２のシリコン結晶体板表面に形
成されている酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、 該酸化膜除去工程の後、電気陰性度の高い原子で前記シ
リコン原子のボンドをターミネートするターミネート工
程と、 前記表面のシリコン原子と結合している電気陰性度の高
い原子をＯＨ基で置換するＯＨ基付加工程と、 前記第１および第２のシリコン結晶体板の前記鏡面研磨
された面同士をあわせて該第１，第２のシリコン結晶体
板をＯＨ基を介した水素結合により密着する密着工程と
を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記酸化膜除去工程は真空中で加熱する
工程あるいは真空中でスパッタする工程であることを特
徴とする請求項５に記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記ターミネート工程は、前記酸化膜除
去工程と同一の真空中において、ハロゲン化物気体また
はそのプラズマ雰囲気に暴露する工程であることを特徴
とする請求項第６項記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記ＯＨ基付加工程は前記第１および第
２のシリコン結晶体板を超純水に浸漬するとともに、超
純水中において紫外線を照射する工程であることを特徴
とする請求項第１項乃至第７項のいずれかに記載の半導
体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22263592A JP3175323B2 (ja) | 1991-08-26 | 1992-08-21 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21384791 | 1991-08-26 | ||
| JP3-213847 | 1991-08-26 | ||
| JP22263592A JP3175323B2 (ja) | 1991-08-26 | 1992-08-21 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198549A JPH05198549A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3175323B2 true JP3175323B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=26520011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22263592A Expired - Lifetime JP3175323B2 (ja) | 1991-08-26 | 1992-08-21 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175323B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016112009A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 大川精工株式会社 | 高性能生海苔裁断装置 |
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| JP3535539B2 (ja) * | 1993-08-26 | 2004-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3252569B2 (ja) * | 1993-11-09 | 2002-02-04 | 株式会社デンソー | 絶縁分離基板及びそれを用いた半導体装置及びその製造方法 |
| JP3298291B2 (ja) * | 1994-03-07 | 2002-07-02 | 富士電機株式会社 | 複合素子および貼り合わせ基板の製造方法 |
| JPH07263721A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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| JP3611142B2 (ja) * | 1995-08-29 | 2005-01-19 | 三菱住友シリコン株式会社 | 張り合わせウェーハおよびその製造方法 |
| JP3917219B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2007-05-23 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP3902321B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2007-04-04 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 張り合わせ基板の製造方法 |
| JP3948156B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2007-07-25 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 張り合わせ基板の製造方法 |
| JP2000299263A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Seiko Epson Corp | シリコン系部材の固体接合方法 |
| JP2000315635A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 張り合わせ用シリコンウェーハおよびこれを用いた張り合わせ基板の製造方法 |
| JP2000315634A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 張り合わせ用シリコンウェーハおよび張り合わせ基板の製造方法 |
| US8138061B2 (en) * | 2005-01-07 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Quasi-hydrophobic Si-Si wafer bonding using hydrophilic Si surfaces and dissolution of interfacial bonding oxide |
| JP2008060355A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
| JP2008072049A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| FR2912840B1 (fr) * | 2007-02-19 | 2009-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de collage moleculaire avec nettoyage a l'acide fluorhydrique en phase vapeur et rincage a l'eau deionisee |
| JP5090789B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-12-05 | 東京応化工業株式会社 | 貼り合わせ装置、接着剤の溶解を防ぐ方法、及び貼り合わせ方法 |
| JP4967842B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
| JP5760392B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2015-08-12 | ボンドテック株式会社 | 接合方法、接合システムおよび半導体装置 |
| JP2011181632A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5789798B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2015-10-07 | ボンドテック株式会社 | 接合方法および接合システム |
| KR20170097748A (ko) * | 2014-12-19 | 2017-08-28 | 쥐-레이 스위츨란드 에스에이 | 모놀리식 cmos 통합된 픽셀 검출기와, 다양한 적용예를 포함하는 입자 검출 및 이미지화를 위한 시스템 및 방법 |
| FR3045939B1 (fr) * | 2015-12-22 | 2018-03-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de collage direct entre deux structures |
| JP2019186288A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法および接合システム |
| CN112951713A (zh) * | 2021-02-07 | 2021-06-11 | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 | 一种小尺寸晶圆的加工方法 |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP22263592A patent/JP3175323B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JP2016112009A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 大川精工株式会社 | 高性能生海苔裁断装置 |
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|---|---|
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