JPS61174136A - 光フアイバの製造方法 - Google Patents
光フアイバの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/28—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with phosphorus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は欠陥の少ないクラッド部をもつガラス光ファイ
バの製造方法に関し、クラッドの伝送特性に対する影響
が特に大きいシングルモードファイバの製造にも利用で
きる。
バの製造方法に関し、クラッドの伝送特性に対する影響
が特に大きいシングルモードファイバの製造にも利用で
きる。
従来のシングルモードファイバの製造方法には例えばＭ
ＣＶＤ法、ＶＡＤ法、ＰＯＶＤ法、 Ｏ’ＶＤ法等があ
るが、はとんどの場合コアにＧ ｅ ０１を含んでおり
、欠陥濃度が多くなるため、水素ガスがファイバ内に拡
散して侵入した場合、水素とガラスが反応し、吸収損失
が増加したり、放射線が照射されることにより、ガラス
がイオン化して吸収損失が増加する欠点があった。この
欠点を改善するためにコアは８１０．、クラッドは８
ｌ ｏｌ−Ｆ ガラスから成るファイバが開発された。
ＣＶＤ法、ＶＡＤ法、ＰＯＶＤ法、 Ｏ’ＶＤ法等があ
るが、はとんどの場合コアにＧ ｅ ０１を含んでおり
、欠陥濃度が多くなるため、水素ガスがファイバ内に拡
散して侵入した場合、水素とガラスが反応し、吸収損失
が増加したり、放射線が照射されることにより、ガラス
がイオン化して吸収損失が増加する欠点があった。この
欠点を改善するためにコアは８１０．、クラッドは８
ｌ ｏｌ−Ｆ ガラスから成るファイバが開発された。
そして一部の特性改善は見られたが、まだ満足できるも
のではなかった。
のではなかった。
本発明者らは、上記の吸収損失増加につき鋭意研究の結
果、その原因は８１０３−ＩＰ ガラスに残留する欠
陥であることを見出した。
果、その原因は８１０３−ＩＰ ガラスに残留する欠
陥であることを見出した。
本発明は、弗素添加シングルモードファイバのクラッド
ガラスが欠陥をもち、耐水素特性、耐放射線特性が良く
ないという問題点を解決することを目的とするものであ
る。
ガラスが欠陥をもち、耐水素特性、耐放射線特性が良く
ないという問題点を解決することを目的とするものであ
る。
本発明はコアが石英ガラス、クラッドの全部又は一部が
少々くとも弗素を含む石英ガラスからなるシングルモー
ドファイバを製造する方法において、該クラッドガラス
は、火炎加水分解により形成された微粒子状ガラスを堆
積して多孔質ガラス体とし、該多孔質ガラス体を弗素系
ガス雰囲気中で加熱処理した後透明化するかもしくは弗
素系ガス雰囲気で加熱処理しながら透明化することによ
り調製することからなり、かつ該クラッドガラスに上記
のいずれかの段階においてリン化合物を含有させること
を特徴とする光ファイバの製造方法である。
少々くとも弗素を含む石英ガラスからなるシングルモー
ドファイバを製造する方法において、該クラッドガラス
は、火炎加水分解により形成された微粒子状ガラスを堆
積して多孔質ガラス体とし、該多孔質ガラス体を弗素系
ガス雰囲気中で加熱処理した後透明化するかもしくは弗
素系ガス雰囲気で加熱処理しながら透明化することによ
り調製することからなり、かつ該クラッドガラスに上記
のいずれかの段階においてリン化合物を含有させること
を特徴とする光ファイバの製造方法である。
本発明の特に好ましい実施態様として、上記微粒子状ガ
ラスはガラス棒の外表面に堆積される上記方法および上
記クラッドガラスはパイプ状であり、上記パイプ状クラ
ッドガラスより高屈折率のガラス棒を該パイプ状クラッ
ドガラスに挿入して、加熱一体化しながら線引するか、
又は加熱一体化した後線引きする上記方法が挙げられる
。
ラスはガラス棒の外表面に堆積される上記方法および上
記クラッドガラスはパイプ状であり、上記パイプ状クラ
ッドガラスより高屈折率のガラス棒を該パイプ状クラッ
ドガラスに挿入して、加熱一体化しながら線引するか、
又は加熱一体化した後線引きする上記方法が挙げられる
。
ガラスの欠陥はその製造方法によシ異なることが知られ
ているがその原因については不明な点が多い。本発明者
らは種々の製造方法を試みたが、以下の要件を満たす製
造方法で８１０！−Ｆガラスを製造することによシ、耐
水素および耐放射線特性が改善されることがわかった。
ているがその原因については不明な点が多い。本発明者
らは種々の製造方法を試みたが、以下の要件を満たす製
造方法で８１０！−Ｆガラスを製造することによシ、耐
水素および耐放射線特性が改善されることがわかった。
まず、ガラス原料から火炎加水分解反応によりガラス微
粒子を形成すること、その原料にリン化合物を混入させ
る等の手段により、微粒子にＰ、ｏ、を添加すること、
微粒子を堆積することによ多形成された多孔質体を弗素
系ガス雰囲気で熱処理することである。
粒子を形成すること、その原料にリン化合物を混入させ
る等の手段により、微粒子にＰ、ｏ、を添加すること、
微粒子を堆積することによ多形成された多孔質体を弗素
系ガス雰囲気で熱処理することである。
ここで、ＶＡＤ法においてｐ！ ｏ、を添加する方法は
スート製造工程で原料ガスにリン系の原料を添加する方
法があるが、リン系の原料を添加した場合、スートのか
さ密度制御が困難になシ、スートの割れが発生したシ、
気泡が発生したシすることがある。このような場合には
スート形成の条件（温度等）を最適化することにより改
善できるが、スート形成時にはリンを添加せず、スート
形成後にスートにリン系の原料ガスを付着させた後透明
化する方法又はリン系の原料ガス中で透明化する方法に
よっても回避できる。
スート製造工程で原料ガスにリン系の原料を添加する方
法があるが、リン系の原料を添加した場合、スートのか
さ密度制御が困難になシ、スートの割れが発生したシ、
気泡が発生したシすることがある。このような場合には
スート形成の条件（温度等）を最適化することにより改
善できるが、スート形成時にはリンを添加せず、スート
形成後にスートにリン系の原料ガスを付着させた後透明
化する方法又はリン系の原料ガス中で透明化する方法に
よっても回避できる。
この時リン系の原料に酸素を添加し加熱するとＰ、 ｏ
、が形成し易い。透明化時にリン系原料ガスを添加する
方法では気泡が残留することがある。
、が形成し易い。透明化時にリン系原料ガスを添加する
方法では気泡が残留することがある。
なお充分に低ＯＨ化したい場合には塩素ガスによる脱水
処理を加えてもよい。またクラッドの外側に石英ジャケ
ット管をかぶせてもより０以下図面によυ本発明の方法
を具体的に説明する。第１図は本発明による光ファイバ
の製造の１実施態様を示す。
処理を加えてもよい。またクラッドの外側に石英ジャケ
ット管をかぶせてもより０以下図面によυ本発明の方法
を具体的に説明する。第１図は本発明による光ファイバ
の製造の１実施態様を示す。
第１図（ａ） ＶＡＤ法によりコア用石英ガラスの製
造法の１例を示す。コア用スート作製用多重管バーナー
２にガラス原料である８１０ｔ４ と０８およびＨ，を
供給し火炎加水分解法によりコア用スート１を形成する
。
造法の１例を示す。コア用スート作製用多重管バーナー
２にガラス原料である８１０ｔ４ と０８およびＨ，を
供給し火炎加水分解法によりコア用スート１を形成する
。
第１図（ロ） ＷＡＤ法によシ製造されたコア用スート
１を電気炉中にてコア用スート加熱用ヒーター４で加熱
し透明化する方法を示す。必要なら透明化の前に脱水処
理をおこなう。
１を電気炉中にてコア用スート加熱用ヒーター４で加熱
し透明化する方法を示す。必要なら透明化の前に脱水処
理をおこなう。
第１図（ｃ） ＷＡＤ法によるマンドレル７へのクラ
ッド用スート５の製造法の１例を示す。クラッド用スー
ト作製用多重管バーナー６には５ｔｃ４゜馬、０．の他
ＰＯＣ１４を添加している。ｐｏａｔＢは脱水工程又は
透明化工程で添加してもよい。
ッド用スート５の製造法の１例を示す。クラッド用スー
ト作製用多重管バーナー６には５ｔｃ４゜馬、０．の他
ＰＯＣ１４を添加している。ｐｏａｔＢは脱水工程又は
透明化工程で添加してもよい。
第１図（、ｉ） クラッド用スート５の透明化工程の
一例を示す。８はクラッド用スート透明化用ヒータ、９
は透明化されたクラッドパイプである。
一例を示す。８はクラッド用スート透明化用ヒータ、９
は透明化されたクラッドパイプである。
透明化はＨｅ とＢ ｊ ｐ、の混合ガス中でおこな
われる。必要なら透明化工程の前に脱水処理をおこなう
。またあらかじめ弗素系ガス雰囲気で透明化温度より低
い温度で熱処理した後Ｈｅ 雰囲気で透明化する方が
気泡は少ない。
われる。必要なら透明化工程の前に脱水処理をおこなう
。またあらかじめ弗素系ガス雰囲気で透明化温度より低
い温度で熱処理した後Ｈｅ 雰囲気で透明化する方が
気泡は少ない。
第１図（ｅ） ＷＡＤ法で製造したコア３とクラッド
ガラス９を線引炉で一体化しながら線引する方法の一例
を示す。１０は線引炉ヒーター１１は樹脂被覆用ダイス
、１２は樹脂硬化用炉、１３は巻取器である。あらかじ
め馬−０，火炎や電気炉で一体化してから線引してもよ
い。
ガラス９を線引炉で一体化しながら線引する方法の一例
を示す。１０は線引炉ヒーター１１は樹脂被覆用ダイス
、１２は樹脂硬化用炉、１３は巻取器である。あらかじ
め馬−０，火炎や電気炉で一体化してから線引してもよ
い。
Ｐ、Ｏ，を含む微粒子を弗素系ガス雰囲気で熱処理する
ことにより耐水素特性、耐放射線特性が改善される。そ
の理由は、火炎加水分解では反応温度が低くなり、欠陥
ができにくいことであると考えられるＰ、Ｏ，を添加す
るとさらに反応温度が下げられる外、透明化温度も下げ
ることができ、ガラス中の欠陥濃度が極めて低くなる。
ことにより耐水素特性、耐放射線特性が改善される。そ
の理由は、火炎加水分解では反応温度が低くなり、欠陥
ができにくいことであると考えられるＰ、Ｏ，を添加す
るとさらに反応温度が下げられる外、透明化温度も下げ
ることができ、ガラス中の欠陥濃度が極めて低くなる。
実施例
実施例１
第１図←）のようにＷＡＤ法で作った純粋石英棒を延伸
した後、第１図（ｃ）のように同じ＜’ ＷＡＤ装置に
上記純粋石英棒をとりつけ、ｖＡＤ用多重管バーナー６
テ８１０４ 、 ＰＯ（１４，Ｈ雪＋ Ｏｓの各ガス
を流すことにより、Ｐ意Ｏｇを含んだ８１０＝微粒子を
形成し前記石英棒の表面に該微粒子を堆積させもこの後
上記により得た表面に微粒子を堆積させ九石英棒を電気
炉内に入れ、Ｈｅとａｙ・のガスを流しながら１１００
℃で熱処理した後、ＩＩ６ 雰囲気で１６５０℃に加
熱して透明化した。その後線引してシングルモードファ
イバを得た。このうち５００ｍを束数シし、水素中で４
時間、２００℃で加熱したところまったく損失増加現象
は見られなかった。さらに別の５００ｍのファイバを１
０’Ｒ／ ｈｒ の線量率でｒ線を１時間照射したと
ころ損失増は１．３０μｍにおいて１ｄＢ／ｋｍと極め
て小さい値であった。
した後、第１図（ｃ）のように同じ＜’ ＷＡＤ装置に
上記純粋石英棒をとりつけ、ｖＡＤ用多重管バーナー６
テ８１０４ 、 ＰＯ（１４，Ｈ雪＋ Ｏｓの各ガス
を流すことにより、Ｐ意Ｏｇを含んだ８１０＝微粒子を
形成し前記石英棒の表面に該微粒子を堆積させもこの後
上記により得た表面に微粒子を堆積させ九石英棒を電気
炉内に入れ、Ｈｅとａｙ・のガスを流しながら１１００
℃で熱処理した後、ＩＩ６ 雰囲気で１６５０℃に加
熱して透明化した。その後線引してシングルモードファ
イバを得た。このうち５００ｍを束数シし、水素中で４
時間、２００℃で加熱したところまったく損失増加現象
は見られなかった。さらに別の５００ｍのファイバを１
０’Ｒ／ ｈｒ の線量率でｒ線を１時間照射したと
ころ損失増は１．３０μｍにおいて１ｄＢ／ｋｍと極め
て小さい値であった。
実施例２
直径１０ｍのアルミナ棒を第１図（Ｃ）のＷＡＤ装置に
とりつけ、ＷＡＤ用多重管バーナーで８１（４ａｏｏｃ
ｃ／分、ＰＯＯ１ｓ２０ ＣＣ７分、Ｈ！ ４ Ｌ ７
分、０．１２１７分の各ガスを流すことによ’） 、Ｐ
ｇ’ｇを［Ｌ１重量％含んだ８１０．微粒子を形成し、
前記アルミナ棒の表面に微粒子を直径１２０■まで堆積
させた。次にこのアルミナ棒を抜きとり、多孔質ガラス
パイプとして、第１図＠）の示すように電気炉内でＨｅ
と８１７４の混合ガス雰囲気で熱処理した後透明化
して直径６０簡のガラスパイプとし、このパイプに別途
ＷＡＤ法で製造した直径５ｍｍの透明石英棒を挿入して
酸水素バーナーで加熱一体化した。次にこれを天然石英
からつくった石英管に挿入して再び酸水素バーナーで加
熱一体化し線引してシングルモードファイバを得た。こ
のうち５００ｍを束取りし、水素中で４時間２００℃で
加熱したところ、伝送損失増はまったく見られなかった
。さらに別の５００ｍのファイバに１０’ Ｒ／ ｈｒ
の線量率のＴ線を１時間照射したところ１．３０μ
ｍ における伝送損失の増加量は６ ｄＢ／ ｋｍと、
小さい値であった。
とりつけ、ＷＡＤ用多重管バーナーで８１（４ａｏｏｃ
ｃ／分、ＰＯＯ１ｓ２０ ＣＣ７分、Ｈ！ ４ Ｌ ７
分、０．１２１７分の各ガスを流すことによ’） 、Ｐ
ｇ’ｇを［Ｌ１重量％含んだ８１０．微粒子を形成し、
前記アルミナ棒の表面に微粒子を直径１２０■まで堆積
させた。次にこのアルミナ棒を抜きとり、多孔質ガラス
パイプとして、第１図＠）の示すように電気炉内でＨｅ
と８１７４の混合ガス雰囲気で熱処理した後透明化
して直径６０簡のガラスパイプとし、このパイプに別途
ＷＡＤ法で製造した直径５ｍｍの透明石英棒を挿入して
酸水素バーナーで加熱一体化した。次にこれを天然石英
からつくった石英管に挿入して再び酸水素バーナーで加
熱一体化し線引してシングルモードファイバを得た。こ
のうち５００ｍを束取りし、水素中で４時間２００℃で
加熱したところ、伝送損失増はまったく見られなかった
。さらに別の５００ｍのファイバに１０’ Ｒ／ ｈｒ
の線量率のＴ線を１時間照射したところ１．３０μ
ｍ における伝送損失の増加量は６ ｄＢ／ ｋｍと、
小さい値であった。
実施例３
ＷＡＤ用多重管バーナーで５ｔｃｔ４ｓ ａ ａ ｃｃ
／分、Ｐｏｃｔ４５０ ｃｃ／分、Ｈ２１０ｔ ７分、
０．１６ｔ／分の各ガスを流すことにより、Ｐ鵞’ｉを
含んだＢ ｔｏ、から成る直径１５０−の多孔質ガラス
体をつ〈シ、電気炉内でＨｅとＣＩ４の混合ガスで脱水
した後ＯＣｋ Ｆｓと■・ の混合ガス雰囲気中で熱処
理し、次いで１６５０℃に加熱して透明化した。
／分、Ｐｏｃｔ４５０ ｃｃ／分、Ｈ２１０ｔ ７分、
０．１６ｔ／分の各ガスを流すことにより、Ｐ鵞’ｉを
含んだＢ ｔｏ、から成る直径１５０−の多孔質ガラス
体をつ〈シ、電気炉内でＨｅとＣＩ４の混合ガスで脱水
した後ＯＣｋ Ｆｓと■・ の混合ガス雰囲気中で熱処
理し、次いで１６５０℃に加熱して透明化した。
この透明ガラス体に直径６雪の穴を軸方向にあけ、ｖＡ
Ｄで製造した直径５■の純粋石英棒を挿入し電気炉で加
熱一体化し線引してシングルモードファイバを得た。
Ｄで製造した直径５■の純粋石英棒を挿入し電気炉で加
熱一体化し線引してシングルモードファイバを得た。
このうち５００ｍを乗取シし、■雪ガス雰囲気で２００
℃に加熱、１時間保持した後、伝送損失は全く増加しな
かった。また別の５００ｍをとり、１０’Ｒ／ ｈｒ
の線量率のｒ線を１時間照射したところ１．３０ｐｍ
Ｋおける伝送損失の増加量は４．５ ａＢ／ ｋＩｌｌ
と小さい値であった。
℃に加熱、１時間保持した後、伝送損失は全く増加しな
かった。また別の５００ｍをとり、１０’Ｒ／ ｈｒ
の線量率のｒ線を１時間照射したところ１．３０ｐｍ
Ｋおける伝送損失の増加量は４．５ ａＢ／ ｋＩｌｌ
と小さい値であった。
実施例４
’ＶＡＤ法で作った純粋石英棒を延伸した後、同じ（Ｗ
ＡＤ装置に上記純粋石英棒をとりつけ、ＷＡＤ用多重管
バーナーで８１０４． Ｈ，、Ｏ鵞の各ガスを流すこと
により 、”Ｏｘ微粒子を形成し、前記石英棒の表面に
該微粒子を堆積させた。この後上記によシ得た表面に微
粒子を堆積させた石英棒を電気炉に入れ、■・、 ５ｔ
ｙ４． ｐｏｃｚ４． Ｏ，ガスを流しながら１２００
℃で熱処理した後、Ｈ・雰囲気で１６５０℃に加熱して
透明化した。その後線引してシングルモードファイバを
得た。
ＡＤ装置に上記純粋石英棒をとりつけ、ＷＡＤ用多重管
バーナーで８１０４． Ｈ，、Ｏ鵞の各ガスを流すこと
により 、”Ｏｘ微粒子を形成し、前記石英棒の表面に
該微粒子を堆積させた。この後上記によシ得た表面に微
粒子を堆積させた石英棒を電気炉に入れ、■・、 ５ｔ
ｙ４． ｐｏｃｚ４． Ｏ，ガスを流しながら１２００
℃で熱処理した後、Ｈ・雰囲気で１６５０℃に加熱して
透明化した。その後線引してシングルモードファイバを
得た。
このうち５００ｍを乗取シし、水素中で４時間、２００
℃に加熱したところ、まったく損失増加現象は見られな
かった。さらに別の５００ｍのファイバを１ｏ！ｕ ／
ｈｒ の線量率でＴ線を１時間照射したところ損失
増は１．３０μｍにおいて１、５ ａｎ／ ｌａａと極
めて小さい値であった。
℃に加熱したところ、まったく損失増加現象は見られな
かった。さらに別の５００ｍのファイバを１ｏ！ｕ ／
ｈｒ の線量率でＴ線を１時間照射したところ損失
増は１．３０μｍにおいて１、５ ａｎ／ ｌａａと極
めて小さい値であった。
本発明の方法は、極めて耐水素特性、耐放射線特性の良
好なファイバを製造できるという効果を奏する。
好なファイバを製造できるという効果を奏する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施態様を説明する図
であって、 第１図に）ＷＡＤ法によるコア用ガラスの製造工程、 第１図（ロ）コア用スートの透明化工程、第１図（ｃ）
ＷＡＤ法によるクラッド用スートの製造工程、 第１図（ｄ）クラッド用スートの透明化工程、第１図（
ｅ）コアとクラッドガラスを一体化しながら線引する工
程 を示す。
であって、 第１図に）ＷＡＤ法によるコア用ガラスの製造工程、 第１図（ロ）コア用スートの透明化工程、第１図（ｃ）
ＷＡＤ法によるクラッド用スートの製造工程、 第１図（ｄ）クラッド用スートの透明化工程、第１図（
ｅ）コアとクラッドガラスを一体化しながら線引する工
程 を示す。
Claims (5)
- （１）コアが石英ガラス、クラッドの全部又は一部が少
なくとも弗素を含む石英ガラスからなるシングルモード
ファイバを製造する方法において、該クラッドガラスは
、火炎加水分解により形成された微粒子状ガラスを堆積
して多孔質ガラス体とし、該多孔質ガラス体を弗素系ガ
ス雰囲気中で加熱処理した後透明化するかもしくは弗素
系ガス雰囲気で加熱処理しながら透明化することにより
調製することからなり、かつ該クラッドガラスに上記の
いずれかの段階においてリン化合物を含有させることを
特徴とする光ファイバの製造方法。 - （２）微粒子状ガラスはガラス棒の外表面に堆積される
特許請求の範囲第（１）項記載の光ファイバの製造方法
。 - （３）該クラッドガラスはパイプ状であり、該パイプ状
クラッドガラスより高屈折率のガラス棒を該パイプ状ク
ラッドガラスに挿入して、加熱一体化しながら線引する
か、又は加熱一体化した後線引きする特許請求の範囲第
（１）項記載の光ファイバの製造方法。 - （４）パイプ状クラッドガラスは、微粒子を出発材の外
表面に堆積し、多孔質ガラス体形成後に上記出発材を引
き抜き、その後透明化して得られる特許請求の範囲第（
３）項記載の光ファイバの製造方法。 - （５）パイプ状クラッドガラスは、微粒子を回転する出
発材の先端に堆積して得た棒状多孔質ガラス体を透明化
して調製したクラッドガラスに穴をあけて得る特許請求
の範囲第（３）項記載の光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101385A JPS61174136A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光フアイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101385A JPS61174136A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光フアイバの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174136A true JPS61174136A (ja) | 1986-08-05 |
Family
ID=11766231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101385A Pending JPS61174136A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174136A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294440A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマｕｖランプ用異形合成石英ガラス管およびその製造方法 |
| CN112573816A (zh) * | 2019-09-29 | 2021-03-30 | 中天科技精密材料有限公司 | 掺氟石英套管及制造方法 |
-
1985
- 1985-01-25 JP JP1101385A patent/JPS61174136A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294440A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマｕｖランプ用異形合成石英ガラス管およびその製造方法 |
| CN112573816A (zh) * | 2019-09-29 | 2021-03-30 | 中天科技精密材料有限公司 | 掺氟石英套管及制造方法 |
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