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JPS63222031A - 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 - Google Patents

光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法

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Publication number
JPS63222031A
JPS63222031A JP5209087A JP5209087A JPS63222031A JP S63222031 A JPS63222031 A JP S63222031A JP 5209087 A JP5209087 A JP 5209087A JP 5209087 A JP5209087 A JP 5209087A JP S63222031 A JPS63222031 A JP S63222031A
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JP
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glass
refractive index
glass body
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pipe
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JP5209087A
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弘雄 金森
Hiroshi Suganuma
寛 菅沼
Hiroshi Yokota
弘 横田
Gotaro Tanaka
豪太郎 田中
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
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    • C03B37/018Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01884Means for supporting, rotating and translating tubes or rods being formed, e.g. lathes
    • C03B37/01892Deposition substrates, e.g. tubes, mandrels
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00Type of glass produced
    • C03B2201/06Doped silica-based glasses
    • C03B2201/08Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
    • C03B2201/12Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は通信用石英系光ファイバの製造方法に関し、特
にF(ふっ素)を用いてその屈折率分布を形成する部分
を有する元ファイバ用プリフォームの製造方法に関する
〔従来の技術〕
石英糸九ファイバにおいてその最低損失波長領域である
1、5 μm帯に零分散波長をシフトさせたシングルモ
ード・ファイバ(謂る分散シフトファイバ)ハ、長距離
かつ大容量の元通化伝送路として実用化が進んでいる。
分散シフトフアイバの中でも、第2図に示すような階段
型と称せられる屈折率分布を有するものは単純なステッ
プ型屈折率分布を有する分散シフトファイバに比べて曲
げ損失が小さくなり、実用上の利点が大きく開発検討が
進められている〔径考文献1:[ディスパージョン−シ
フテッド コンヴエツクスーインデックス シングルモ
ードファイバーズ(Dispersion−shift
ed convex−1naex sing1θmod
−e fibers ) j、エヌ、クワキ他、エレク
トロニクス レターズ(N、 Kuwakiet al
 、 Electronics Letters ) 
、1985 。
12、5  vo121  No、25/26  p、
 1186〜1187)。
第2図に示した屈折率分布では、中央部の屈折率の最も
高い部分21(「内側コア」と称する)と該内側コア2
1を囲み、内側コア21より低い屈折率を有する部分2
2(「外側コア」と称する)、さらに該外側コア22を
囲む最も屈折率の低いクラッド部23から屈折率分布構
造が形成されている。
このような階段型屈折率分布を有する分散シフトファイ
バについて、その屈折率分布を形成するガラス組成とし
て第3図に示すように、内側:+751 カGeO2−
8i02 、 外側コア62が8102゜クラッド部3
5がF−8i02からなるものが提案されている〔参考
文献2:[テイスノ(−ジョン−シフテッド ファイバ
ーズ ウィズ フルオリン アラデッド クラツディン
グ 〕ぐイ ザVAD  メソッド(Dispersi
on−shifted fiberswith flu
orine aadea cladding by t
he VADmθthoa ) J  エイテ、ヨコタ
他、テクニカルダイジェスト オン テイピカル ミー
ティング オン オグテイ力ル ファイバー コミユニ
ケイジョン、アトランタ(H,Yokota et a
l。
Technical digest; on Topi
cal Meeting on 0p−tiCal F
iber Communication At1ant
a ) 1986゜ベーパーWF2) 元ファイバの屈折率分布Hsio、ガラスにGeO2を
屈折率増加成分として添加することによって得るという
手段が一般的である。しかしながら、GeO2添加量を
多くしていくとガラスのレイリー散乱が増加し伝送損失
が高くなる、或いはGθ0鵞→GeOの還元に基づくと
考えられる紫外域での電子遷移吸収が増加しやはり伝送
損失が高くなると予想される。そこで上記第3図のファ
イバの組成ではクラッド部63にFを添加することによ
りクラッド部63の屈折率を下げ、内側コア31のみに
GeO2を添加してGθO!の添加量を下げ伝送損失の
低減を図ろうとしている。これ1で本発明者らはこの考
えに基づき、第2図第3図に示すような屈折率分布とガ
ラス組成を有する分散シフトファイバを作製し、波長1
.55μmに於ける伝送損失を[123dB/kmまで
に低減することができている。〔参考文献6:重松他「
1.5μm帯分散シフトシングルモードファイバの伝送
特性」電子通信学会技術研究報告OQE 86−99] 〔発明が解決しようとする問題点〕 第3図に示した従来の構造のファイバにおいて、さらな
る低損失化が困難である理由とじては、■内側コア31
に含有される()illO2の存在により、通常4価で
あるGoが線引等の高温加熱過程で還元されて、紫外域
に吸収を有する電子遷移の吸収中心となり、波長1.5
μm帝にまでその影響が及ぶこと、■Gθ02を含有す
る内側コア31とFを含有するクラッド部33に挟まれ
たSin、からなる外側コア32の部分は、他の部分に
比して線引時の高温加熱過程での粘性が高くなり、線引
時にかかる張力が外側コア32の部分に集中して、外側
コア32の部分にガラス欠陥を生じ、やはり紫外域での
吸収の原因になること、などが考えられる。
上記のような考察に基づき、Fを内側コア及び外側コア
の両方に添加することがより低損失化にとって有効であ
ることが考えられる。即ち上記損失劣化要因■に対して
は、内側コアのGeO2が添加されている部分にFを共
存させることにより、aθが還元されてもさらにGo−
F結合を作り、2価のGoに特徴的な紫外吸収が低減で
きる、或い1jGe−F結合そのものがGoの還元を抑
制できる効果が期待できる。また伝送損失要因■に対し
ては、外側コアにFを添加することによりその粘性を下
げ、内側コア及びクラッド部に近づけることにより損失
低減効果が期待できる。さらに、内側コアにFを添加す
ることにより内側コアの屈折率が低下するので、その屈
折率低下分をGθo2添加量を増加することなしに補償
するためにも、外側コア部にFを添加しその屈折率を下
げる必要がある。但し、外側コア部とクラッド部の屈折
率差を所要分だけ保つためには、外側コアにFを添加し
た場合、クラッド部へのF添加iを増して、クラッド部
の屈折率をより低減しておく必要がある。
このような目的を達成するための階段型屈折率分布を有
する分散シフトファイバの組成及び屈折率分布構造の例
を第1図に示す。第1図において内側コア11けGe0
l−F−8iO鵞、外側コア12 u F−8i(h 
、  クラッド部15 tl F−8iO,からなジ、
クラッド部13に含有されるF’iは外側コア12に官
1れるF量よp多い。例えば第1図のような構造の場合
、クラッド部13の屈折率は純stowとの比屈折率差
で−0,4%となる。
ところがこのような場合、例えはMCVD法で上記組成
のプリフォームを形成しようとすると、Fを多量に添加
するクラッド部の形成が堆積速度の劣化、Fが十分に添
加されないなどの点で難しい。
またVAD法またはOVD法の場合F[多孔質ガラス母
材fcFを含有する雰囲気中で加熱処理することにより
母材の半径方向にFを均一に添加できるが母材の半径方
向に第1図のよりなF濃度分布を形成する即ちFのみで
屈折率分布を形成することが難しい。
また上記組成、構造のものに限らず、Fで屈折率分布を
形成しかつFが比較的面濃度に添加される部分を有する
元ファイバにおいても同様の難しさがあった。
以上のように内側コアがGeO2−8in、 、外側コ
アがSiO□、クラッド部がF−SiO2からなる階段
型屈折率分布を有する第1図の分散シフトファイバの工
うに実質的にFのみによpHI折率分布の少なくとも一
部が形成された元ファイバのプリフォームの製造方法に
は種々の困難があった。
本発明はこの現状に鑑みてなされたものであシ、実質的
にFのみにより屈折率分布の少なくとも一部が形成され
た元ファイバの新規な製造方法を提供することを目的と
している。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは研究を重ねた結果、前記問題点を解決する
手段として、1ずF−8iO*からなるクラッド層に相
当するガラスパイプを作製し、これを出発材としてMD
VD法によシ該出発材の内側に順次外側コア層、内側コ
ア層を堆積してゆく方法を見出し、これにより得られた
プリフォームがその半径方向に均一に第1図の屈折率分
布構造を実現できること、さらに線引して得たファイバ
は従来よりさらに低損失なものであることを確認できた
のである。
本発明は実質的にFのみにより、屈折率分布の少なくと
も一部が形成された元ファイバのプリフォームを作製す
るにあたり、VAD法又はOVD法によ、9 F−81
0,からlるガラスパイプを作製してこれを出発材とし
て、該ガラスパイプ内面に出発材と異なる屈折率を有す
るFを含有したガラス層を堆積した後に加熱中実化する
ことを特徴とする元ファイバ用プリフォームの製造方法
である。
本発明において出発材とするガラスパイプの作製方法と
して特に好ましい方法としては、VAD法により作製し
た多孔質ガラス体を、Fを含有する雰囲気中で加熱処理
することによりFが添加された透明ガラス体とした後、
該ガラス体の中心部に穿孔加工してパイプ状とする方法
や、VAD法又はOVD法によりマンドレルを取り囲む
多孔質ガラス体を作製した後、該マンドレルを引抜くこ
とによりパイプ状多孔質ガラス体を作製して、該ガラス
体をFを含有する雰囲気中で加熱処理してFが添加され
た透明ガラスパイプを得る方法が挙げられる。
本発明においてVAD法(気相軸付法)とは、例えば第
4図に示すように、ガラス微粒子合成用バーナー4にH
,などの燃焼用ガス、0意などの助燃ガス、  5i0
4等のガラス原料ガスを供給し、火炎内で火炎加水分解
反応によりガラス微粒子を発生させこのガラス微粒子を
回転する出発材5の先端付近に堆積させ始め、ガラス微
粒子堆積体6の成長に伴い、出発材5を軸方向に移動し
、ガラス微粒子堆積体6を軸方向に形成し、しかるのち
該ガラス微粒子堆積体6(多孔質ガラス体)を加熱脱水
処理及び加熱透明化処理する方法である。この場合、出
発棒5にかえて第5図に示すようにマンドレル7を用い
てもよい。
第5図中9は、ガラス微粒子堆積体8を形成後にマンド
レル7を引き抜いた後の多孔質母材支持に用いる石英パ
イプである。
本発明においてOVD法と[、VAD法と同じくガラス
微粒子を火炎加水分解反応により発生させ、ガラス微粒
子を回転する出発材の側面に堆積させつつガラス微粒子
合成用バーナーを出発材の軸に平行に往復移動させ(或
いはガラス微粒子合成用バーナーを固足し出発材を往復
移動させ)出発材を取り囲むガラス微粒子堆積体音形成
し、しかるのちに出発材を除去し円筒状のガラス微粒子
堆積体とし加熱脱水、透明化処理をする方法である。
本発明においてMCVD法とは、出発ガラス管内に51
ct4などのガラス原料とOtを供給して、該出発ガラ
ス管の外部より加熱することによりガラス原料を酸化さ
せてガラス微粒子を発生させ、このガラス微粒子を出発
ガラス管内面に堆積させるとともに、外部加熱源を出発
ガラス管と相対的に移動させることにより堆積したガラ
ス微粒子層を透明化させることをくり返し、出発ガラス
管内面に透明ガラス層を形成したのち、加熱中実化する
方法である。
〔作 用〕
従来のMCVD法では出発石英管内面にクラッド部を形
成した後さらにコア部を形成していく訳であるが、本発
明ではクラッド部に相当するF−810z  ガラスか
らなる出発石英管を用いる。
そのためF@有量が多(MCVD法による形成が難しい
クラッド部の形成の必要がなくなる。コア部if MC
VD法で形成するがF添加量が少なく、またF添加によ
り多少堆積速度が劣化しても、その堆積量はごく僅かで
すむことから大きな問題を生じない。出発石英管となる
F−8102ガラスからなるパイプの作製は、VAD法
の応用或い[OVD法で容易に可能である。即ち、 V
AD法では多孔質ガラス体をFを含有する雰囲気中で加
熱処理することにより、Fが均一に添加された透明ガラ
ス体を容易に得ることができる。
この透明ガラス体をパイプ化加工する手段としては、中
央部に穿孔加工し必要に応じて所定径に延伸することに
より作製できる。
或いはVAD法またはOVD法により中央のマンドレル
を取り囲む多孔質ガラス体を作製したのち、該マンドレ
ルを引き抜くことによシバイブ状多孔質ガラス体を作製
し、これをFを含有する雰囲気中で加熱処理することに
より多孔質ガラス体にFを添加し、これを透明ガラス化
して出発石英管となるF−8iO,ガラスパイプを作製
できる。どちらの方法によってもMCVD法によるよ、
QFの添加が容易であり、生産性も高い0 〔実施例〕 実施例1 第4図医示すような構成でVAD法により多孔質ガラス
体を作成した。本実施例ではガラス微粒子合成用バーナ
ー4にH鵞30t/分、0225t/分、Ar15t/
分、5iC141600仁/分を供給し、外径110m
+φ長さ550−の多孔質ガラス体を得た。この多孔質
ガラス体をC1z :He=6 : 100の雰囲気を
有する炉内に挿入し1050℃に加熱して脱水処理を施
したのち、 SiF4 : He = 8 : 100
の雰囲気中で1200℃に加熱してF添加処理を施し、
さらに81F4 : Hθ=8:100の雰囲気中で1
600℃に加熱し透明ガラス化を行った。その結果外径
511+wφ長さ270 mmAの円柱状のF−8iO
2からなる透明ガラス体を得た。該透明ガラス体中央に
超音波穿孔機を用い12mφの穴をあけ、パ゛イブ状と
したのち、25鴫φまで延伸した。
次にこのパイプ状透明ガラス体をガラス旋盤に装着し、
内部にSF−ガス1t/分を流しつつ外部よりH! /
 Oxバーナーで加熱することにより、内径が約12■
φになるまでガスエツチングした。このガスエツチング
により穿孔時に内面に生じた傷や凹凸などはなくなり平
滑な内面が得られた。次に、内部にSiF4 、81C
t4 、 OH、Heガスを供給し、外部よ’) Hz
 / 02バーナーに加熱することによp、外側コアと
なる部分をMCVD法により形成した。この時5iCt
45 [10ci:7分、81F4600 cc/分%
 O2600C:r、7分、Hθ1t/分を流し15層
の形成をした。次(内側コアとなる部分をMCVD法に
よ55iCt、 3’ 00 C4/分、SiF、 6
00 ci/分、GeC480CC,7分、o。
600Ct−7分、He 117分を流し6層の形成を
行った。最後に本母材を加熱中実化することにより、第
6図に示すような階段型屈折率分布を有する分散シフト
ファイバ用中間プリフォームが得られた。
実施例2 第5図に示すような構成でVAD法によりマンドレルを
取り囲む多孔質ガラス体を作成した。
本実施例ではガラス微粒子合成用バーナー4にH,50
t/分、0.25層1分、Ar15t/分、 5iC4
1600ci/分を供給し、 ZrO2からなる円筒状
マンドレル(外径17霧φ、内径16111Iφ、長さ
600 m ) 7の上部付近より、該マンドレル7を
取ジ囲む多孔質ガラス体8、該マンドレル7を回転させ
つつ上方に引上げていくことによシ形成した。多孔質ガ
ラス体8を形成後接マンドレル7を引き抜きバイブ状と
した。
このパイプ状多孔質ガラス体に実施例1と同様の加熱処
理を施し、Fが添加された外径50mφ内径8篩φのパ
イプ状透明ガラス体を得たのち、外径25mmφKまで
延伸した。延伸後やはシ実施例1と同様にカスエツチン
グにより内径′lI:12■φ としたのち実施例と同
様の条件で:該透明ガラス体を出発材としてMCVD法
により第6図と同様の屈折率分布を有する分散シフトフ
ァイバ用プリフォームが得られ念。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明したように、内側コアが080本−F
−810,、外側コアがF−8iOス、クラッドがF−
810,からなるような階段型屈折率分布を有する分散
シフトファイバのように実質的にFのみよシ屈折率分布
の少なくとも一部が形成された元ファイバ用プリフォー
ムを容易に作製できる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図、第2図、第5図及び第6図はいずれも元ファイ
バ用プリフォームの階段型屈折率分布の説明図である。 第1図 本発明によるプリフォームのガラス組成と屈折
率分布を示す図、 第2図 一般的な階段型屈折率分布を示す図、第3図 
従来法によるプリフォームのガラス組成と屈折率分布を
示す図、 第6図 本発明の実施例で得られたプリフォームの屈折
率分布を示す図、 第4図及び第5図は本発明の実施例1及び実施例2にお
けるVAD法による出発材の作製の一工程を説明する概
略図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)実質的にF(ふつ素)のみにより屈折率分布の少
    なくとも一部を形成された光ファイバを作製するにあた
    り、VAD法又はOVD法によりF−SiO_2からな
    るガラスパイプを作製してこれを出発材として、該ガラ
    スパイプ内面に出発材とは異なる屈折率を有するFを含
    有したガラス層をMCVD法により堆積した後に加熱中
    実化することを特徴とする光ファイバ用プリフオームの
    製造方法。
  2. (2)VAD法により作製した多孔質ガラス体を、Fを
    含有する雰囲気中で加熱処理することによりFが添加さ
    れた透明ガラス体とした後、該ガラス体の中心部に穿孔
    加工してパイプ状としたものを出発材とする特許請求の
    範囲第1項に記載される光ファイバ用プリフオームの製
    造方法。
  3. (3)VAD法又はOVD法によりマンドレルを取り囲
    む多孔質ガラス体を作製した後、該マンドレルを引抜く
    ことによりパイプ状多孔質ガラス体を作製して、該ガラ
    ス体をFを含有する雰囲気中で加熱処理することにより
    得られたFが添加された透明ガラスパイプを出発材とす
    る特許請求の範囲第1項に記載の光ファイバ用プリフオ
    ームの製造方法。
JP5209087A 1987-03-09 1987-03-09 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 Expired - Lifetime JPH0798671B2 (ja)

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