JPS61172325A - 縦型熱処理炉 - Google Patents
縦型熱処理炉Info
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- JPS61172325A JPS61172325A JP29056485A JP29056485A JPS61172325A JP S61172325 A JPS61172325 A JP S61172325A JP 29056485 A JP29056485 A JP 29056485A JP 29056485 A JP29056485 A JP 29056485A JP S61172325 A JPS61172325 A JP S61172325A
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- Japan
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- wafer
- furnace
- jig
- wafers
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- Pending
Links
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 56
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
この発明は半導体ウェハに不純物拡散等の加熱処理を施
す装置に関する。
す装置に関する。
[背景技術]
従来、半導体ウェハに7クセプタ不純物あるいはドナー
不純物などを拡散するにあたっては、第1図に示すよう
に石英又はシリコン製の治具2に多数のウェハ1を直立
させて並列的に保持し、第2図に示すような横型拡散炉
3に挿入するのが一般的であり、拡散炉3は、ヒータ4
を有すると共に、ウェハ挿入用開口部とは反対端側から
不純物舎含むキャリアガス(02= H2= N2等)
5を流入させるようになっているのが普通であった。横
型拡散炉の例としては特開昭49−104570号があ
る。
不純物などを拡散するにあたっては、第1図に示すよう
に石英又はシリコン製の治具2に多数のウェハ1を直立
させて並列的に保持し、第2図に示すような横型拡散炉
3に挿入するのが一般的であり、拡散炉3は、ヒータ4
を有すると共に、ウェハ挿入用開口部とは反対端側から
不純物舎含むキャリアガス(02= H2= N2等)
5を流入させるようになっているのが普通であった。横
型拡散炉の例としては特開昭49−104570号があ
る。
しかし、このような従来技術によれば、ウェハを炉内に
挿入するときに、炉体内壁とウェハ治具とが接触し異物
が発生しがちである。又、炉内の温度分布が不均一であ
ることと相撲ってガスの流速分布の不均一性あるいは乱
流の発生などによってウェハ内での又はウェハ間での素
子特性に相当のばらつきが生ずる欠点がある。
挿入するときに、炉体内壁とウェハ治具とが接触し異物
が発生しがちである。又、炉内の温度分布が不均一であ
ることと相撲ってガスの流速分布の不均一性あるいは乱
流の発生などによってウェハ内での又はウェハ間での素
子特性に相当のばらつきが生ずる欠点がある。
すなわちウェハを炉体内に保持するときに、ウェハ治具
が炉体内壁と接触するので、この接触面からの熱伝達に
よってウェハ治具およびウェハの温度分布に差が生じた
り、炉体内に導入された反応ガス密度が重力の影響で炉
体内の上下で差が生じ、一枚のウェハ内でバラツキが生
じたりする等の問題がある。
が炉体内壁と接触するので、この接触面からの熱伝達に
よってウェハ治具およびウェハの温度分布に差が生じた
り、炉体内に導入された反応ガス密度が重力の影響で炉
体内の上下で差が生じ、一枚のウェハ内でバラツキが生
じたりする等の問題がある。
又、ウェハを−まいずつ治具にたてかえる必要があり自
動化に不向きである。又、装置の専有スペースがかなり
大きいという欠点もある。
動化に不向きである。又、装置の専有スペースがかなり
大きいという欠点もある。
[発明の目的]
゛本発明の目的は上記した欠点を除去した新規な熱処理
炉を提供することにある。
炉を提供することにある。
[発明の概要]
本発明の代表的なものの概要は下記のとおりである。す
なわも、被処理物を挿入すべき空間がほぼ鉛直方向に沿
って存在するような縦型構成とする。
なわも、被処理物を挿入すべき空間がほぼ鉛直方向に沿
って存在するような縦型構成とする。
このような構成とすることにより炉の内壁とウェハ(ウ
ェハ治具)とを非接触にすることができ異物の発生を低
減できる。又、ウェハはほぼ水平に保持されるので治具
から治具への一括移送がしやすく自動化に対応でき、ま
たウェハの大口径化にも対応できる。
ェハ治具)とを非接触にすることができ異物の発生を低
減できる。又、ウェハはほぼ水平に保持されるので治具
から治具への一括移送がしやすく自動化に対応でき、ま
たウェハの大口径化にも対応できる。
さらに省スペース、省エネルギーも達成でき、熱変形に
も強い。
も強い。
[実施例]
第3図は、この発明の一実施例で用いられるウェハ保持
治具を示すもので、多数の半導体ウェハ11はほぼ等間
隔で上下の一対の保持部材12A。
治具を示すもので、多数の半導体ウェハ11はほぼ等間
隔で上下の一対の保持部材12A。
12Bからなる保持治具12内に配列される。保持部材
12A、12Bは互いに同様な構成で、図示の如く重ね
合わせた際にウェ/%外径に相当する内径をもった円筒
状部を各々3本づつで計6本の棒状部12Xにより形成
するようになっている。
12A、12Bは互いに同様な構成で、図示の如く重ね
合わせた際にウェ/%外径に相当する内径をもった円筒
状部を各々3本づつで計6本の棒状部12Xにより形成
するようになっている。
そして、各棒状部12Xのウェハ11に係合すべき部分
にはウェハ厚さに相当する幅の溝が切られており、後述
のようにウェハ11を水平に保持してもウェハが落下し
ないようになっている。
にはウェハ厚さに相当する幅の溝が切られており、後述
のようにウェハ11を水平に保持してもウェハが落下し
ないようになっている。
ウェハ保持治具12内に第3図に示すように保持された
多数のウェハ11は、第4図に示すように治具12を9
0°回転させて治具ホルダ16に保持させることにより
ほぼ水平の状態で縦形拡散炉(熱処理炉)13内に挿入
される。拡散路13はヒータ14を有すると共に、下方
から不純物を含むキャリヤガス15を導入するようにな
っている。
多数のウェハ11は、第4図に示すように治具12を9
0°回転させて治具ホルダ16に保持させることにより
ほぼ水平の状態で縦形拡散炉(熱処理炉)13内に挿入
される。拡散路13はヒータ14を有すると共に、下方
から不純物を含むキャリヤガス15を導入するようにな
っている。
拡散処理にあたっては、ガス15を炉13内に導入する
と共にヒータ14でウェハ11を所定の温度に加熱する
。一方、ウェハ保持治具12を治具ホルダ16を用いて
炉の内壁と非接触の状態で保持する。この実施例ではこ
の非接触を利用して治具ホルダ16を、さらに矢印UL
に示す如く上下動させ且つ矢印Rに示す如く回転させる
ことによりウェハ11に上下動及び回転運動を与えるよ
うにする。このようにすると、ウエノ111に対してヒ
ータ14の熱とがス15中の不純物を均一に作用させる
ことができるので、ウェハ内及びウェハ間の素子特性ば
らつきを大幅に減らすことができる。
と共にヒータ14でウェハ11を所定の温度に加熱する
。一方、ウェハ保持治具12を治具ホルダ16を用いて
炉の内壁と非接触の状態で保持する。この実施例ではこ
の非接触を利用して治具ホルダ16を、さらに矢印UL
に示す如く上下動させ且つ矢印Rに示す如く回転させる
ことによりウェハ11に上下動及び回転運動を与えるよ
うにする。このようにすると、ウエノ111に対してヒ
ータ14の熱とがス15中の不純物を均一に作用させる
ことができるので、ウェハ内及びウェハ間の素子特性ば
らつきを大幅に減らすことができる。
第5図及び第6図は、第4図の処理バッチにおいて各ウ
ェハ毎に多数の拡散型トランジスタを形成した場合に、
1ウエハ内での又は複数ウェハ間でのトランジスタの電
流増幅率hp+=のばらつきを従来法による場合と対比
して示したものである。
ェハ毎に多数の拡散型トランジスタを形成した場合に、
1ウエハ内での又は複数ウェハ間でのトランジスタの電
流増幅率hp+=のばらつきを従来法による場合と対比
して示したものである。
第5図によれば、1つのウェハ11内におけるY方向に
沿うhpgのばらつきは破線Aに示す従来法による場合
よりも実線Bで示すこの発明による場合の方がはるかに
小さいことが明らかである。また、第6図によれば、同
一処理バッチ内におけるウェハ11間のhpI:のばら
つきも破線Aに示す従来の場合よりも実線Bに示すこの
発明による場合の方が十分小さいことが明らかで、ある
。
沿うhpgのばらつきは破線Aに示す従来法による場合
よりも実線Bで示すこの発明による場合の方がはるかに
小さいことが明らかである。また、第6図によれば、同
一処理バッチ内におけるウェハ11間のhpI:のばら
つきも破線Aに示す従来の場合よりも実線Bに示すこの
発明による場合の方が十分小さいことが明らかで、ある
。
[効果J
以上のように、縦型熱処理炉を用いると、炉構造ないし
使用治具類を殊更に複雑化させることなく、ウェハ内及
びウェハ間での素子特性ばらつきを大幅に低減すること
ができ、各種半導体装置を高歩留で製作できる。
使用治具類を殊更に複雑化させることなく、ウェハ内及
びウェハ間での素子特性ばらつきを大幅に低減すること
ができ、各種半導体装置を高歩留で製作できる。
また、炉の内壁(石英)とウェハ治具とが接触しないの
で異物発生が低減される。
で異物発生が低減される。
またウェハを−まい−まい鉛直方向にたてる必要がなく
治具を工夫すれば治具から治具への一括移しかえも可能
であり自動化に適する。
治具を工夫すれば治具から治具への一括移しかえも可能
であり自動化に適する。
又、大口径ウェハのとりあつかいも容易である。
又、従来使用されなかった縦のスペースをうまく利用し
ているのでかなりの専有スペース縮少ができる。又、効
率がよいために省エネにもなる。
ているのでかなりの専有スペース縮少ができる。又、効
率がよいために省エネにもなる。
又、横型炉では炉体が長時間高温に保たれると例えば石
英管の中央部が重力の影響で下側にたるむなどの変形が
おこりやすいが縦型炉では石英管がもともとほぼ重力方
向(鉛直方向)に延在しているためたるみのような変形
の心配が少ない。
英管の中央部が重力の影響で下側にたるむなどの変形が
おこりやすいが縦型炉では石英管がもともとほぼ重力方
向(鉛直方向)に延在しているためたるみのような変形
の心配が少ない。
[利用分野]
本発明は、熱処理装置として非常に有効である。
第1図は、従来技術におけるウェハの保持状態を示す側
図面、第2図は、従来技術による拡散法を示す炉断面図
、第3図は、この発明の一実施例で用いられるウェハ保
持治具を示す斜視図、第4図は、この発明の一実施例に
よる拡散法を示す炉断面図、第5図及び第6図は、この
発明の効果を従来技術による場合と対比して示すグラフ
である。 11・・・半導体ウェハ、12・・・ウェハ保持治具、
13・・・縦形拡散炉、16・・・治具ホルダ。 第 1 図 第 2 図 第 6 図
図面、第2図は、従来技術による拡散法を示す炉断面図
、第3図は、この発明の一実施例で用いられるウェハ保
持治具を示す斜視図、第4図は、この発明の一実施例に
よる拡散法を示す炉断面図、第5図及び第6図は、この
発明の効果を従来技術による場合と対比して示すグラフ
である。 11・・・半導体ウェハ、12・・・ウェハ保持治具、
13・・・縦形拡散炉、16・・・治具ホルダ。 第 1 図 第 2 図 第 6 図
Claims (1)
- 被処理物を挿入すべき空間が、ほぼ鉛直方向に沿って存
在する炉体を有する縦型熱処理炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29056485A JPS61172325A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 縦型熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29056485A JPS61172325A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 縦型熱処理炉 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15986778A Division JPS5588323A (en) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61172325A true JPS61172325A (ja) | 1986-08-04 |
Family
ID=17757654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29056485A Pending JPS61172325A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 縦型熱処理炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61172325A (ja) |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29056485A patent/JPS61172325A/ja active Pending
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