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JPS61172325A - 縦型熱処理炉 - Google Patents

縦型熱処理炉

Info

Publication number
JPS61172325A
JPS61172325A JP29056485A JP29056485A JPS61172325A JP S61172325 A JPS61172325 A JP S61172325A JP 29056485 A JP29056485 A JP 29056485A JP 29056485 A JP29056485 A JP 29056485A JP S61172325 A JPS61172325 A JP S61172325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
furnace
jig
wafers
vertical type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29056485A
Other languages
English (en)
Inventor
Norimasa Miyamoto
宮本 憲昌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP29056485A priority Critical patent/JPS61172325A/ja
Publication of JPS61172325A publication Critical patent/JPS61172325A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] この発明は半導体ウェハに不純物拡散等の加熱処理を施
す装置に関する。
[背景技術] 従来、半導体ウェハに7クセプタ不純物あるいはドナー
不純物などを拡散するにあたっては、第1図に示すよう
に石英又はシリコン製の治具2に多数のウェハ1を直立
させて並列的に保持し、第2図に示すような横型拡散炉
3に挿入するのが一般的であり、拡散炉3は、ヒータ4
を有すると共に、ウェハ挿入用開口部とは反対端側から
不純物舎含むキャリアガス(02= H2= N2等)
5を流入させるようになっているのが普通であった。横
型拡散炉の例としては特開昭49−104570号があ
る。
しかし、このような従来技術によれば、ウェハを炉内に
挿入するときに、炉体内壁とウェハ治具とが接触し異物
が発生しがちである。又、炉内の温度分布が不均一であ
ることと相撲ってガスの流速分布の不均一性あるいは乱
流の発生などによってウェハ内での又はウェハ間での素
子特性に相当のばらつきが生ずる欠点がある。
すなわちウェハを炉体内に保持するときに、ウェハ治具
が炉体内壁と接触するので、この接触面からの熱伝達に
よってウェハ治具およびウェハの温度分布に差が生じた
り、炉体内に導入された反応ガス密度が重力の影響で炉
体内の上下で差が生じ、一枚のウェハ内でバラツキが生
じたりする等の問題がある。
又、ウェハを−まいずつ治具にたてかえる必要があり自
動化に不向きである。又、装置の専有スペースがかなり
大きいという欠点もある。
[発明の目的] ゛本発明の目的は上記した欠点を除去した新規な熱処理
炉を提供することにある。
[発明の概要] 本発明の代表的なものの概要は下記のとおりである。す
なわも、被処理物を挿入すべき空間がほぼ鉛直方向に沿
って存在するような縦型構成とする。
このような構成とすることにより炉の内壁とウェハ(ウ
ェハ治具)とを非接触にすることができ異物の発生を低
減できる。又、ウェハはほぼ水平に保持されるので治具
から治具への一括移送がしやすく自動化に対応でき、ま
たウェハの大口径化にも対応できる。
さらに省スペース、省エネルギーも達成でき、熱変形に
も強い。
[実施例] 第3図は、この発明の一実施例で用いられるウェハ保持
治具を示すもので、多数の半導体ウェハ11はほぼ等間
隔で上下の一対の保持部材12A。
12Bからなる保持治具12内に配列される。保持部材
12A、12Bは互いに同様な構成で、図示の如く重ね
合わせた際にウェ/%外径に相当する内径をもった円筒
状部を各々3本づつで計6本の棒状部12Xにより形成
するようになっている。
そして、各棒状部12Xのウェハ11に係合すべき部分
にはウェハ厚さに相当する幅の溝が切られており、後述
のようにウェハ11を水平に保持してもウェハが落下し
ないようになっている。
ウェハ保持治具12内に第3図に示すように保持された
多数のウェハ11は、第4図に示すように治具12を9
0°回転させて治具ホルダ16に保持させることにより
ほぼ水平の状態で縦形拡散炉(熱処理炉)13内に挿入
される。拡散路13はヒータ14を有すると共に、下方
から不純物を含むキャリヤガス15を導入するようにな
っている。
拡散処理にあたっては、ガス15を炉13内に導入する
と共にヒータ14でウェハ11を所定の温度に加熱する
。一方、ウェハ保持治具12を治具ホルダ16を用いて
炉の内壁と非接触の状態で保持する。この実施例ではこ
の非接触を利用して治具ホルダ16を、さらに矢印UL
に示す如く上下動させ且つ矢印Rに示す如く回転させる
ことによりウェハ11に上下動及び回転運動を与えるよ
うにする。このようにすると、ウエノ111に対してヒ
ータ14の熱とがス15中の不純物を均一に作用させる
ことができるので、ウェハ内及びウェハ間の素子特性ば
らつきを大幅に減らすことができる。
第5図及び第6図は、第4図の処理バッチにおいて各ウ
ェハ毎に多数の拡散型トランジスタを形成した場合に、
1ウエハ内での又は複数ウェハ間でのトランジスタの電
流増幅率hp+=のばらつきを従来法による場合と対比
して示したものである。
第5図によれば、1つのウェハ11内におけるY方向に
沿うhpgのばらつきは破線Aに示す従来法による場合
よりも実線Bで示すこの発明による場合の方がはるかに
小さいことが明らかである。また、第6図によれば、同
一処理バッチ内におけるウェハ11間のhpI:のばら
つきも破線Aに示す従来の場合よりも実線Bに示すこの
発明による場合の方が十分小さいことが明らかで、ある
[効果J 以上のように、縦型熱処理炉を用いると、炉構造ないし
使用治具類を殊更に複雑化させることなく、ウェハ内及
びウェハ間での素子特性ばらつきを大幅に低減すること
ができ、各種半導体装置を高歩留で製作できる。
また、炉の内壁(石英)とウェハ治具とが接触しないの
で異物発生が低減される。
またウェハを−まい−まい鉛直方向にたてる必要がなく
治具を工夫すれば治具から治具への一括移しかえも可能
であり自動化に適する。
又、大口径ウェハのとりあつかいも容易である。
又、従来使用されなかった縦のスペースをうまく利用し
ているのでかなりの専有スペース縮少ができる。又、効
率がよいために省エネにもなる。
又、横型炉では炉体が長時間高温に保たれると例えば石
英管の中央部が重力の影響で下側にたるむなどの変形が
おこりやすいが縦型炉では石英管がもともとほぼ重力方
向(鉛直方向)に延在しているためたるみのような変形
の心配が少ない。
[利用分野] 本発明は、熱処理装置として非常に有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来技術におけるウェハの保持状態を示す側
図面、第2図は、従来技術による拡散法を示す炉断面図
、第3図は、この発明の一実施例で用いられるウェハ保
持治具を示す斜視図、第4図は、この発明の一実施例に
よる拡散法を示す炉断面図、第5図及び第6図は、この
発明の効果を従来技術による場合と対比して示すグラフ
である。 11・・・半導体ウェハ、12・・・ウェハ保持治具、
13・・・縦形拡散炉、16・・・治具ホルダ。 第  1  図 第  2  図 第  6  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被処理物を挿入すべき空間が、ほぼ鉛直方向に沿って存
    在する炉体を有する縦型熱処理炉。
JP29056485A 1985-12-25 1985-12-25 縦型熱処理炉 Pending JPS61172325A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29056485A JPS61172325A (ja) 1985-12-25 1985-12-25 縦型熱処理炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29056485A JPS61172325A (ja) 1985-12-25 1985-12-25 縦型熱処理炉

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15986778A Division JPS5588323A (en) 1978-12-27 1978-12-27 Manufacture of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61172325A true JPS61172325A (ja) 1986-08-04

Family

ID=17757654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29056485A Pending JPS61172325A (ja) 1985-12-25 1985-12-25 縦型熱処理炉

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61172325A (ja)

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