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JPS61168462A - ウエハ研削装置 - Google Patents

ウエハ研削装置

Info

Publication number
JPS61168462A
JPS61168462A JP570285A JP570285A JPS61168462A JP S61168462 A JPS61168462 A JP S61168462A JP 570285 A JP570285 A JP 570285A JP 570285 A JP570285 A JP 570285A JP S61168462 A JPS61168462 A JP S61168462A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
wafer
wafer chuck
chuck
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP570285A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Shimura
俊 志村
Takao Ishihara
隆男 石原
Hajime Yui
肇 油井
Satoru Yamamoto
覚 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP570285A priority Critical patent/JPS61168462A/ja
Publication of JPS61168462A publication Critical patent/JPS61168462A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 の研削に適用して効果のある技術に関する。
〔背景技術〕
シリコン(Si)ウェハの製造過程におけるウェハの表
面の加工は、インゴットからスライスされたウェハの表
面をラッピング加工することにより行われているのが通
例である。ところが、ラッピング法では歩留りが悪く、
自動化、高精度化が困難であるという問題があることが
本発明者により見い出された。
そこで、ウェハの表面を研削砥石で研削することが考え
られる。たとえば、水平回転可能なカップ砥石を1枚の
ウェハ表面に押し当ててウェハを回転させながら研削す
るものが考えられる。
ところが、この場合、カップ砥石は1枚のみのウェハの
中心を通るように片持ち式に当てられるため、偏荷重が
発生しウェハの研削面に研削模様が形成されてしまい、
高精度の研削が得られないという問題のあることが本発
明者により明らかにされた。また、砥石軸の軸心が研削
抵抗作用点かQ−)a  /  4L 、I/+71.
1  ’l /Tl−r、  MKa市L’しtfi 
A 恋W、 C生じ、研削精度の低下原因となることも
本発明者により見い出された。
なお、ウェハの研削加工については、株式会社工業調査
会、昭和59年11月20日発行、「電子材料J 19
84年11月号別冊、P53に説明されている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、高精度のウェハ研削を行うことのでき
る技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、高能率でウェハ研削を行うことの
できる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、複数のウェハチャック台を研削手段の回転直
径と重なり合う位置に対として配設しかつ各ウェハチャ
ック台自体を自転可能としたことにより、偏荷重の発生
を防止し、ウェハの研削面に研削模様が形成されないよ
うにすることによって、研削精度を向上させることがで
きるものである。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例であるウェハ研削装置の概略
平面図、第2図と第3図はそれぞれ本発明におけるウェ
ハチャック台とカップ砥石との関係を示す概略説明図で
ある。
本実施例のウェハ研削装置において、インデックステー
ブル1の複数個所には、図示しない真空吸着機構により
ウェハ3を吸着保持するウェハチャック台2が配設され
ている。インデックステーブル1は水平面内で回転可能
であり、ローダ4から受は渡されたウェハ3をウェハチ
ャック台2上に吸着保持しながら本実施例では反時計方
向に回転し、研削処理を終了したウェハ3をアンローダ
5に受は渡すものであるが、ウェハ3の受は渡し機構は
図示省略する。
本実施例のウェハチャック台2は第2図および第3図に
も示すように2台のウェハチャック台2a、2bを対と
して合計4対設けられていると共に、各ウェハチャック
台2a、2bはそれぞれのモークロa、6bにより相互
に同一方向に水平回転可能となっている。
一方、ウェハチャック台2a、  2bの対の上方には
、研削手段としてのカップ砥石7が両ウェハチャック台
2a、2bをまたぐよう水平回転および上下移動可能に
配設されている。このカップ砥石7の水平回転はモータ
8により行われ、その回転方向はウェハチャック台2a
、2bの回転方向と同一である。
カップ砥石7は本実施例では円形であり、その直径dは
第3図に示す如く、ウェハチャック台2a、2bの対の
中心点間の距離と等しくなっている。したがって、カッ
プ砥石7はウェハチャック台2a、2b上の各ウェハ3
の中心点を通ることになる。
次に、本実施例によるウェハ研削方法について説明する
まず、被加工物であるウェハ3をローダ4から受は渡し
機構(図示せず)でインデックステーブル1の所定位置
のウェハチャック台2上に順次量は渡し、真空吸着によ
り該ウェハチャック台2上に表面(回路形成面)を上に
向けて固定保持する。
このウェハ3の受は渡しはインデックステーブルlの所
定回転角度毎に順次行われる。
ウェハチャック台2上に保持されたウェハはインデック
ステーブルlの回転につれて研削位置に移動する。研削
位置では、カップ砥石7がウェハチャック台2a、2b
の対の上にまたがるように位置し、一度に2枚のウェハ
3を互いに均等な荷重で研削して行く。
したがって、本実施例では、カップ砥石7に偏荷重が発
生せず、研削模様の発生を防止できる。
なお、ウェハ3の裏面についても同様にして研削を行う
ことができる。
研削を終了したウェハ3はアンローダ5に受は渡され、
たとえばカセットに収納して次工程であるエソチング工
程に送られる。
〔効果〕
(1)、複数のウェハチャック台を研削手段の回転直径
と重なり合う位置に対として配設し、各ウェハチャック
台自体を自転可能としたことにより、研削手段に偏荷重
が発生°することを防止でき、研削模様の発生を防止で
きるので、高精度のウェハ研削が可能である。
(2)、前記(11により、ウェハ研削の歩留りを向上
させることができる。
(3)、一度に複数枚のウェハを研削できるので、スル
ープットを大巾に向上させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、カップ砥石を第1図に二点鎖線の如く次のス
テーションにも配設したり、研削機構を粗研削機構およ
び仕上研削機構として粗粒度と精粒度の複数の砥石を併
設した構造のものを用いること等も可能である。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるシリコンウェハに適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、シリコン以外のGaAs等の化合
物半導体よりなるウェハにも通用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるウェハ研削装置を示す
概略平面図、 第2図は本発明におけるチャック台とカップ砥石との関
係を示す概略側面図、 第3図は同じくその概略平面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、インデックステーブル上のウェハチャック台の上に
    ウェハを保持し、このウェハの表面を水平回転可能な研
    削手段で研削するウェハ研削装置であって、複数のウェ
    ハチャック台を研削手段の回転直径と重なり合う位置に
    対として配設し、各ウェハチャック台自体を自転可能と
    したことを特徴とするウェハ研削装置。 2、ウェハチャック台の対の中心点間の距離が研削手段
    の直径とほぼ等しいことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のウェハ研削装置。 3、各ウェハチャック台の回転方向が相互にかつ研削手
    段の回転方向と同一方向であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のウェハ研削装置。
JP570285A 1985-01-18 1985-01-18 ウエハ研削装置 Pending JPS61168462A (ja)

Priority Applications (1)

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JP570285A JPS61168462A (ja) 1985-01-18 1985-01-18 ウエハ研削装置

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JP570285A JPS61168462A (ja) 1985-01-18 1985-01-18 ウエハ研削装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61168462A true JPS61168462A (ja) 1986-07-30

Family

ID=11618440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP570285A Pending JPS61168462A (ja) 1985-01-18 1985-01-18 ウエハ研削装置

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JP (1) JPS61168462A (ja)

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