JPS61122547A - 薄膜の光吸収特性測定方法 - Google Patents
薄膜の光吸収特性測定方法Info
- Publication number
- JPS61122547A JPS61122547A JP24318584A JP24318584A JPS61122547A JP S61122547 A JPS61122547 A JP S61122547A JP 24318584 A JP24318584 A JP 24318584A JP 24318584 A JP24318584 A JP 24318584A JP S61122547 A JPS61122547 A JP S61122547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- thin film
- liquid
- film
- excitation light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 80
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 72
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 47
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 75
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract 2
- 241001237728 Precis Species 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004867 photoacoustic spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/171—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with calorimetric detection, e.g. with thermal lens detection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、特に液面上に展開された薄膜の特性を光学的
に測定する方法に関するもので、更に詳しくは、6I膜
の種々の特性分析の基礎となる光吸収特性の測定方法に
関する0本発明は1例えば単分子累積膜の形成に際し、
累積すべく液面上に展開された単分子膜の特性分析等に
利用されるものである。 。
に測定する方法に関するもので、更に詳しくは、6I膜
の種々の特性分析の基礎となる光吸収特性の測定方法に
関する0本発明は1例えば単分子累積膜の形成に際し、
累積すべく液面上に展開された単分子膜の特性分析等に
利用されるものである。 。
[従来の技術]
従来、ある試料の光吸収特性を測定する方法としては、
透過率又は反射率から光吸収特性を求める方法がある。
透過率又は反射率から光吸収特性を求める方法がある。
しかし、試料に光が照射された場合、透過光1反射光の
他に散乱光があり、更に高精度を期すためには光の吸収
成分を直接測定する方法が光吸収特性評価上重要となる
。
他に散乱光があり、更に高精度を期すためには光の吸収
成分を直接測定する方法が光吸収特性評価上重要となる
。
光の吸収成分を直接測定する方法としては、断続的に光
を照射すると、試料に吸収された光エネルギーが無輻射
緩和過程により、断続的に熱に変換されることを利用し
た測定法である光音響分光法(Photoacougt
ic Spectrogcopy: PAS)や光熱
輻射分光法(Photothermal Radiom
etry: PTR)がある。
を照射すると、試料に吸収された光エネルギーが無輻射
緩和過程により、断続的に熱に変換されることを利用し
た測定法である光音響分光法(Photoacougt
ic Spectrogcopy: PAS)や光熱
輻射分光法(Photothermal Radiom
etry: PTR)がある。
PAS法は、検出器の種類によりマイクロホン法と圧電
素子法に分けられるが、マイクロホン法では試料を密閉
した試料室にいれる必要があり、圧電素子法では検出器
と試料の配置が問題となり、いずれも液面上に展開され
た薄膜の測定には不向きである。また、PTR法は、赤
外線検出器を用いていることから、水蒸気等の大気変動
の影響を受けやすいという欠点がある。
素子法に分けられるが、マイクロホン法では試料を密閉
した試料室にいれる必要があり、圧電素子法では検出器
と試料の配置が問題となり、いずれも液面上に展開され
た薄膜の測定には不向きである。また、PTR法は、赤
外線検出器を用いていることから、水蒸気等の大気変動
の影響を受けやすいという欠点がある。
一方、やはり光の吸収成分を直接測定する方法として、
光熱偏向分光法(PhatotherwalDefle
ction 5pectroscopy: PDS
)と言われる方法がある。このPDS法は、試料の光吸
収による発熱と共に試料内及び試料近傍に温度分布が生
じて屈折率が変化し、これによってそこに入射する光が
偏向することを利用したものである。即ち、試料の測定
部位に、光吸収されたときに発熱による温度分布を生じ
させて屈折率を変化させる励起光と、これによる偏向量
を測定するためのプローブ光とを照射し、励起光の波長
とプローブ光の偏向量とから試料の光吸収特性を測定す
るものである。この方法は、試料と検出系が独立に設定
でき、現場での計測や遠隔計測に適しており、本発明の
基本原理もこのPDS法による。
光熱偏向分光法(PhatotherwalDefle
ction 5pectroscopy: PDS
)と言われる方法がある。このPDS法は、試料の光吸
収による発熱と共に試料内及び試料近傍に温度分布が生
じて屈折率が変化し、これによってそこに入射する光が
偏向することを利用したものである。即ち、試料の測定
部位に、光吸収されたときに発熱による温度分布を生じ
させて屈折率を変化させる励起光と、これによる偏向量
を測定するためのプローブ光とを照射し、励起光の波長
とプローブ光の偏向量とから試料の光吸収特性を測定す
るものである。この方法は、試料と検出系が独立に設定
でき、現場での計測や遠隔計測に適しており、本発明の
基本原理もこのPDS法による。
上記PDS法は、励起光とプローブ光の配2によって、
横方向(transverse) fflと縦方向号(
callinear )型の二通りがあり、いずれも上
述のように試料の励起光吸収量に応じたプローブ光の偏
向量を測定するもので、検出器としては位置敏感検出器
(pso)を用いることが多い。
横方向(transverse) fflと縦方向号(
callinear )型の二通りがあり、いずれも上
述のように試料の励起光吸収量に応じたプローブ光の偏
向量を測定するもので、検出器としては位置敏感検出器
(pso)を用いることが多い。
第9図(a)は縦方向型の例で、励起光源10より出た
励起光11は、チョッパー12で断続光となり。
励起光11は、チョッパー12で断続光となり。
レンズ34で集束されて試料4′に照射される。プロー
ブ光源5より出たプローブ光6は、レンズ3≦及びミラ
ー等の光路調整器18で励起光11が照射されている試
料4′の領域を通過して検出器7へと至り、点線で示さ
れるように偏向したときの偏向量が測定される。第9図
(b)は横方向型の例で、プローブ光5が試料4′の表
面に平行に照射される点が縦方向型と相違するだけで他
は同様である。
ブ光源5より出たプローブ光6は、レンズ3≦及びミラ
ー等の光路調整器18で励起光11が照射されている試
料4′の領域を通過して検出器7へと至り、点線で示さ
れるように偏向したときの偏向量が測定される。第9図
(b)は横方向型の例で、プローブ光5が試料4′の表
面に平行に照射される点が縦方向型と相違するだけで他
は同様である。
このPDS法の理論的取扱いは、試料内の熱伝導方程式
を解けばよく、偏向角φとして測定される偏向量は、励
起光強度、屈折率の温度係数(EnlつT)、プローブ
光の通過する債城での温度勾配(つ丁1つり等に比例す
ることになる。試料の光吸収係数に比例する項は(つT
1つりに含まれる。また(an/& )は、試料によっ
ては正負いずれかの値をとり得、このことは偏向角も正
負両方の場合があることを示している。
を解けばよく、偏向角φとして測定される偏向量は、励
起光強度、屈折率の温度係数(EnlつT)、プローブ
光の通過する債城での温度勾配(つ丁1つり等に比例す
ることになる。試料の光吸収係数に比例する項は(つT
1つりに含まれる。また(an/& )は、試料によっ
ては正負いずれかの値をとり得、このことは偏向角も正
負両方の場合があることを示している。
しかしながら、このPDS法をそのまま液面上に展開さ
れた薄膜についての測定に適用すると、試料たる薄膜が
極めて薄いものであるため、次のような不都合を生ずる
。ここで液面上に展開された薄膜とは1例えば単分子膜
のように、液面上に浮きも沈みもせ、ずに広げられた薄
い膜をいう。
れた薄膜についての測定に適用すると、試料たる薄膜が
極めて薄いものであるため、次のような不都合を生ずる
。ここで液面上に展開された薄膜とは1例えば単分子膜
のように、液面上に浮きも沈みもせ、ずに広げられた薄
い膜をいう。
液面上に展開された薄膜の場合、照射される励起光の薄
膜通過領域が短いため、励起光が液面に達する前の外環
境による影響1例えば空気中の粉塵やゆらぎの影響を受
けやすい、また、励起光が薄膜到達後の不要な反射光や
透過光の影響もS/N比を低下させる原因となり1M度
及び感度のよい測定が困難となる。特に、液面上の気相
に特殊な気体を用いて液面上の薄膜と相互作用を利用す
る系においては、励起光が通過する気体領域をできるだ
け短かくする必要があるが、実現が困難である。
膜通過領域が短いため、励起光が液面に達する前の外環
境による影響1例えば空気中の粉塵やゆらぎの影響を受
けやすい、また、励起光が薄膜到達後の不要な反射光や
透過光の影響もS/N比を低下させる原因となり1M度
及び感度のよい測定が困難となる。特に、液面上の気相
に特殊な気体を用いて液面上の薄膜と相互作用を利用す
る系においては、励起光が通過する気体領域をできるだ
け短かくする必要があるが、実現が困難である。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は、液面に展開された薄I11..いう極めて薄
く特異な環境下にある試料について、その光吸収特性を
精度及び感度よく測定できるようにすることをその解決
すべき問題点とするものである。
く特異な環境下にある試料について、その光吸収特性を
精度及び感度よく測定できるようにすることをその解決
すべき問題点とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明において上記問題点を解決するために講じられた
手段は、液面とに展開された薄膜の測定部位に断続的に
励起光を照射しつつこの測定部位又はその近傍にプロー
ブ光を照射し、このプローブ光の偏向量から光吸収特性
を測定するに際し、前記励起光を、第一の測定部位の液
面で全反射される入射角で液体側から照射すると共に、
この反射光を液面下で少なくとも第二の測定部位の液面
で全反射される角度に反射させる薄膜の光吸収特性測定
方法とすることである。
手段は、液面とに展開された薄膜の測定部位に断続的に
励起光を照射しつつこの測定部位又はその近傍にプロー
ブ光を照射し、このプローブ光の偏向量から光吸収特性
を測定するに際し、前記励起光を、第一の測定部位の液
面で全反射される入射角で液体側から照射すると共に、
この反射光を液面下で少なくとも第二の測定部位の液面
で全反射される角度に反射させる薄膜の光吸収特性測定
方法とすることである。
[作 用]
励起光が試料たる薄膜に吸収されると、励起光の照射時
と非照射時とでは測定部位及びその近傍の屈折率が変化
するので、これをプローブ光の偏向量として検出するこ
とによって光吸収特性を測定することができる。この原
理自体は従来のPOS法と同様である。
と非照射時とでは測定部位及びその近傍の屈折率が変化
するので、これをプローブ光の偏向量として検出するこ
とによって光吸収特性を測定することができる。この原
理自体は従来のPOS法と同様である。
ところで1本発明では、試料が液面上に展開されたNF
Mであり、しかも励起光は、薄膜が展開している液面で
全反射されるよう液体側から照射されるものである。励
起光は液体内を通って薄膜に照射されるので、空気中を
通って照射されるときのように空気中の粉塵やゆらぎの
影響を受けることがない、薄膜へ照射された励起光は、
液面で全反射され、液面上の気相へと抜ける透過光は、
会友射時のエバネ7セント波としての波長オーダー以下
のごくわずかのものであるので、透過光が測定値に影響
を及ぼす心配もない、また、励起光は、液面で規則的に
反射されることになるため、不規則な反射光による悪影
響も生じないものである。更に、励起光が液面と液面下
の間で多重反射され、複数の測定部位に励起光が照射さ
れることになり、プローブ光の偏向される領域が増大さ
れるため、ブロー光の偏向角が大きくなって高感度な検
出を行うことが1きる。
Mであり、しかも励起光は、薄膜が展開している液面で
全反射されるよう液体側から照射されるものである。励
起光は液体内を通って薄膜に照射されるので、空気中を
通って照射されるときのように空気中の粉塵やゆらぎの
影響を受けることがない、薄膜へ照射された励起光は、
液面で全反射され、液面上の気相へと抜ける透過光は、
会友射時のエバネ7セント波としての波長オーダー以下
のごくわずかのものであるので、透過光が測定値に影響
を及ぼす心配もない、また、励起光は、液面で規則的に
反射されることになるため、不規則な反射光による悪影
響も生じないものである。更に、励起光が液面と液面下
の間で多重反射され、複数の測定部位に励起光が照射さ
れることになり、プローブ光の偏向される領域が増大さ
れるため、ブロー光の偏向角が大きくなって高感度な検
出を行うことが1きる。
[実施例]
第1図においてlは液体2を収容した液槽で。
その液面3上には試料たる薄膜4が展開されている0図
示される薄#f4は、単分子膜を模式的に表わしたもの
である。
示される薄#f4は、単分子膜を模式的に表わしたもの
である。
液槽lの側方にはプローブ光[5が設けられている。こ
のプローブ光源5からは、液面3直下で液面3と平行方
向にプローブ光6が照射されるものである。また、プロ
ーブ光[5と液/falを挟んで相対向する位置には、
送られて来るプローブ光6の位置を検出する検出器7が
設けられている。
のプローブ光源5からは、液面3直下で液面3と平行方
向にプローブ光6が照射されるものである。また、プロ
ーブ光[5と液/falを挟んで相対向する位置には、
送られて来るプローブ光6の位置を検出する検出器7が
設けられている。
この検出器7の信号は、ドライバー8を介してロックイ
ンアンプ9へ送られるようになっている。
ンアンプ9へ送られるようになっている。
プローブ光源5のやや下方には励起光源1oが設けられ
ている。励起光源10は、薄WA4が展開されている液
面3で全反射される角度で、液体2側から励起光11を
薄膜4に向けて照射するものである。液槽1に入る前の
励起光11の光路に沿った位置に、励起光11を断続光
として照射するためのチ、ツバ−12が設けられている
。液面3下のプローブ光6光路のやや下方には、液面3
と平行に鏡面13が設けられており、液面3で全反射さ
れた励起光11を更に反射し、液面3と鏡面13間で励
起光11を多重反射して、IiI膜4の複数の測定部位
に励起光11を照射できるようになっている。また、励
起光源lOから照射されて液面3と鏡面13間で多重反
射された励起光11が液槽lから出た位置には、この励
起光11を吸収するための吸収体14が設けられている
。
ている。励起光源10は、薄WA4が展開されている液
面3で全反射される角度で、液体2側から励起光11を
薄膜4に向けて照射するものである。液槽1に入る前の
励起光11の光路に沿った位置に、励起光11を断続光
として照射するためのチ、ツバ−12が設けられている
。液面3下のプローブ光6光路のやや下方には、液面3
と平行に鏡面13が設けられており、液面3で全反射さ
れた励起光11を更に反射し、液面3と鏡面13間で励
起光11を多重反射して、IiI膜4の複数の測定部位
に励起光11を照射できるようになっている。また、励
起光源lOから照射されて液面3と鏡面13間で多重反
射された励起光11が液槽lから出た位置には、この励
起光11を吸収するための吸収体14が設けられている
。
チョッパー12はロックインアンプ9に接続されていて
、チョッパー12から送られる励起光11の断続状態を
示す信号を参照信号として、検出器7かもの信号を同期
検出できるようになっている。プローブ光源5.励起光
源lO,チョ7パー12及びロックインアンプ9は、各
々測定制御器15に接続されている。測、定制御器15
は、プローブ光6及び励起光11の光路及び波長並びに
チョッパー12による励起光!!の断続間隔を制御する
と共に、ロックインアンプ9からの信号によって光吸収
特性を算出するものである。
、チョッパー12から送られる励起光11の断続状態を
示す信号を参照信号として、検出器7かもの信号を同期
検出できるようになっている。プローブ光源5.励起光
源lO,チョ7パー12及びロックインアンプ9は、各
々測定制御器15に接続されている。測、定制御器15
は、プローブ光6及び励起光11の光路及び波長並びに
チョッパー12による励起光!!の断続間隔を制御する
と共に、ロックインアンプ9からの信号によって光吸収
特性を算出するものである。
尚、液槽1は、少なくともプローブ光6及び励起光11
の光路となる部分に透明な窓を設けておけば、ことさら
全体を透明とする必要はない、また、液体2は、励起光
11について吸収の小さいものであればプローブ光6へ
多少直接影響を与えるものであっても測定にさほど悪影
響はないが、透明であることが好ましい。
の光路となる部分に透明な窓を設けておけば、ことさら
全体を透明とする必要はない、また、液体2は、励起光
11について吸収の小さいものであればプローブ光6へ
多少直接影響を与えるものであっても測定にさほど悪影
響はないが、透明であることが好ましい。
まず、励起光源1oより出射された励起光11は、チョ
ッパー12により断続光に変調され、液mlの液面3上
に展開されている薄!4の第一の測定部位を液面3下よ
り照射する。このとき、励起光11は、入射角が液体2
の臨界角より大きくなるように入射され、液面3で全反
射され、更に鏡面13で反射され、これを繰返して第二
、第三・・・・・・の測定部位を照射した後液体z内を
通過して液槽1の外へ出る。液面3上の気相には、全反
射の時のエバネ、゛セント波として、波長オーダー以下
のごくわずかな光がしみ出すだけである。液槽1から出
た励起光11は、吸収体14により吸収され、不要な光
がカットされる。断続励起光11が全反射される各測定
部位上の領域では、液面3上の薄!lI4が光を吸収し
、無放射輻射過程により、断続的に熱を発生し、そのた
め、近傍の屈折率変化が断続的に生じることになる。。
ッパー12により断続光に変調され、液mlの液面3上
に展開されている薄!4の第一の測定部位を液面3下よ
り照射する。このとき、励起光11は、入射角が液体2
の臨界角より大きくなるように入射され、液面3で全反
射され、更に鏡面13で反射され、これを繰返して第二
、第三・・・・・・の測定部位を照射した後液体z内を
通過して液槽1の外へ出る。液面3上の気相には、全反
射の時のエバネ、゛セント波として、波長オーダー以下
のごくわずかな光がしみ出すだけである。液槽1から出
た励起光11は、吸収体14により吸収され、不要な光
がカットされる。断続励起光11が全反射される各測定
部位上の領域では、液面3上の薄!lI4が光を吸収し
、無放射輻射過程により、断続的に熱を発生し、そのた
め、近傍の屈折率変化が断続的に生じることになる。。
一方、プローブ光源5から出射されるプローブ光6は、
液面3直下を液面3と平行に通るため。
液面3直下を液面3と平行に通るため。
上記励起光11の照射によって断続的に屈折率が変化す
る領域を通過することになる。この屈折率の断続的変化
を生じる各測定部位近傍を、プローブ光源5から出射さ
れたプローブ光6が通過すると、変化した屈折率分布に
応じて、点線で示されるように光路が偏向することにな
る。
る領域を通過することになる。この屈折率の断続的変化
を生じる各測定部位近傍を、プローブ光源5から出射さ
れたプローブ光6が通過すると、変化した屈折率分布に
応じて、点線で示されるように光路が偏向することにな
る。
検出器7は、継続してプローブ光6を受け、プローブ光
6の受光位置をドライバー8を介してロックインアンプ
9へ送る。ロックインアンプ9は、この検出器7からの
信号を受けると同時にチョッパー12からの信号を受け
ており、両信号を同期させることによって、励起光11
照射時のプローブ光6の受光位置信号と、励起光!!非
照射時のプローブ光6の受光位置信号とをS/N比良く
区分けして測定制御器15へ送る。測定制御器15は、
この送られて来た信号に基づき、その時の励起光11の
波長についてのプローブ光6の偏向量を求め、これに基
づいて光吸収特性を算出する。また、励起光11の波長
を順次変えながら同様の測定を行えば、薄膜4の分光吸
収特性を得ることができる。
6の受光位置をドライバー8を介してロックインアンプ
9へ送る。ロックインアンプ9は、この検出器7からの
信号を受けると同時にチョッパー12からの信号を受け
ており、両信号を同期させることによって、励起光11
照射時のプローブ光6の受光位置信号と、励起光!!非
照射時のプローブ光6の受光位置信号とをS/N比良く
区分けして測定制御器15へ送る。測定制御器15は、
この送られて来た信号に基づき、その時の励起光11の
波長についてのプローブ光6の偏向量を求め、これに基
づいて光吸収特性を算出する。また、励起光11の波長
を順次変えながら同様の測定を行えば、薄膜4の分光吸
収特性を得ることができる。
この測定に際して、測定部位は、測定制御4115で励
起光11の光路を調節することで自由に選択でき、また
液面3の位置に応じてやはり測定制御器15でプローブ
光6の光路を調節して正確を期すことができる。また、
プローブ光源5、励起光源lO及びチ璽フパー12に必
要な調節を全て測定制御器I5で自動的に行うようにし
、操作を簡略化することも可能である。
起光11の光路を調節することで自由に選択でき、また
液面3の位置に応じてやはり測定制御器15でプローブ
光6の光路を調節して正確を期すことができる。また、
プローブ光源5、励起光源lO及びチ璽フパー12に必
要な調節を全て測定制御器I5で自動的に行うようにし
、操作を簡略化することも可能である。
入射角θ、鏡面13と液面3の距離d、反射領域を文と
すれば、励起光照射回数Nは次式のような関係がある。
すれば、励起光照射回数Nは次式のような関係がある。
即ち、N=jL/(2dtanθ)の関係が成立し1例
えば、交=30m園、d −0,5■箇。
えば、交=30m園、d −0,5■箇。
θ−eo”とすればN″418となり、感度を約18倍
上げることができる。
上げることができる。
励起光11の測定部位における光量分布、液体2の熱に
よる屈折率変化の特性、プローブ光6の入射ビーム位置
及びその時の偏向量から薄$4によって吸収された光エ
ネルギーが求まる。従って、励起光11の薄膜4への照
射エネルギーをフォトセンサー等でモニターしておけば
1両者から薄膜4の絶対的な光吸収特性が得られる。そ
して、励起光11の波長を変化させることにより、絶対
的分光吸収特性が得られる。また、励起光11の各波長
における相対強度を予め求め、波長に対応したプローブ
光6の偏向量を求めるだけでも、相対的な分光吸収特性
を得ることができる。光吸収特性の相対値、絶対値は、
0定の目的に応じ適宜選択すればよい。
よる屈折率変化の特性、プローブ光6の入射ビーム位置
及びその時の偏向量から薄$4によって吸収された光エ
ネルギーが求まる。従って、励起光11の薄膜4への照
射エネルギーをフォトセンサー等でモニターしておけば
1両者から薄膜4の絶対的な光吸収特性が得られる。そ
して、励起光11の波長を変化させることにより、絶対
的分光吸収特性が得られる。また、励起光11の各波長
における相対強度を予め求め、波長に対応したプローブ
光6の偏向量を求めるだけでも、相対的な分光吸収特性
を得ることができる。光吸収特性の相対値、絶対値は、
0定の目的に応じ適宜選択すればよい。
プローブ光6は、第2図に示されるように、励起光11
と共に測定部位で全反射させるようにしてもよい、この
ようにすると、液体2の大きな屈折率変化を生ずる部分
を通過させることができ、高感度の測定ができる利点が
ある。
と共に測定部位で全反射させるようにしてもよい、この
ようにすると、液体2の大きな屈折率変化を生ずる部分
を通過させることができ、高感度の測定ができる利点が
ある。
プローブ光6は、第3図に示されるように、液面3近く
の気相中を通過させ、気相部の屈折率変化の影響下に置
くこともできる。このようにすると、プローブ光6と励
起光11が全く交差しなり)ので、プローブ光6に対し
て励起光11が交差することによって及ぼす影響を除去
することができる。
の気相中を通過させ、気相部の屈折率変化の影響下に置
くこともできる。このようにすると、プローブ光6と励
起光11が全く交差しなり)ので、プローブ光6に対し
て励起光11が交差することによって及ぼす影響を除去
することができる。
第4図に示されるように、薄$4が展開されている液面
3の一部を仕切枠1Bで仕切り、薄M44の無い液面3
′を形成し、この液面3′を参照液面として測定するこ
ともできる。即ち、プローブ光源5から出射されたプロ
ーブ光6及び励起光源10から出射されてチオツバ−1
2を経た励起光11を、例えばビームスプリッタ−やハ
ーフミラ−等の光路分割手段!?で分割した後、ミラー
等の光路FA整手段18を用いて液面3と3′に同時に
プローブ光6と励起光11を送る。そして、液面3.3
′に対応するプローブ光6の偏向量を各々の検出器7で
検知し、両者の差から測定を行うものである。このよう
にすると、薄84の有無による差が測定でき、他の影響
を相殺することができるめで、高精度の測定が可能とな
る。
3の一部を仕切枠1Bで仕切り、薄M44の無い液面3
′を形成し、この液面3′を参照液面として測定するこ
ともできる。即ち、プローブ光源5から出射されたプロ
ーブ光6及び励起光源10から出射されてチオツバ−1
2を経た励起光11を、例えばビームスプリッタ−やハ
ーフミラ−等の光路分割手段!?で分割した後、ミラー
等の光路FA整手段18を用いて液面3と3′に同時に
プローブ光6と励起光11を送る。そして、液面3.3
′に対応するプローブ光6の偏向量を各々の検出器7で
検知し、両者の差から測定を行うものである。このよう
にすると、薄84の有無による差が測定でき、他の影響
を相殺することができるめで、高精度の測定が可能とな
る。
更に、第5図に示されるように、プローブ光6を、液面
3付近に設けた、例えばニオブ酸リチウム結晶、酸化チ
タン結晶、二酸化ケイ素結晶、ガラス、プラスチック等
の屈折率変化の大きな媒体ls中に通すこともできる。
3付近に設けた、例えばニオブ酸リチウム結晶、酸化チ
タン結晶、二酸化ケイ素結晶、ガラス、プラスチック等
の屈折率変化の大きな媒体ls中に通すこともできる。
即ち、液面3上の薄膜4の光吸収によって発生した熱を
、薄膜4近傍に液面3と平行に配置した熱屈折率変化の
大きな媒体13に作用させて屈折率変化に変換し、その
媒体lS中をプローブ光6を通過させ、プローブ光6の
偏向量を拡大し、高感度検出を図ることができる。
、薄膜4近傍に液面3と平行に配置した熱屈折率変化の
大きな媒体13に作用させて屈折率変化に変換し、その
媒体lS中をプローブ光6を通過させ、プローブ光6の
偏向量を拡大し、高感度検出を図ることができる。
本発明による光吸収特性の測定は、液槽lt−第6図及
び第7図に示されるようなものとして、単分子累積膜の
取得時に利用すると有益である。
び第7図に示されるようなものとして、単分子累積膜の
取得時に利用すると有益である。
発明者にちなんでラングミュア・ブロジz’lト法と呼
ばれる単分子膜累積法(以下LB法という。
ばれる単分子膜累積法(以下LB法という。
新実験化学講座18巻438頁〜507頁丸善参照)に
おいては、液面3上に形成した単分子膜を基板20の表
面上に移し取り、1枚ずつ重ねて超薄膜を作るため、液
面3上の薄膜の特性が重要である。 LB法により基板
20上に移し取った累積膜の構造や分子配向が液面3上
の展開単分子膜の状態を基にしていることは轟然である
が、その状態がそのまま基板20上に移されているかど
うかには問題がある0本発明は、液面3上に展開された
単分子膜がそのままの状態で基板20上に移し取れるか
どうかを分析するのに利用できるものである。以下に。
おいては、液面3上に形成した単分子膜を基板20の表
面上に移し取り、1枚ずつ重ねて超薄膜を作るため、液
面3上の薄膜の特性が重要である。 LB法により基板
20上に移し取った累積膜の構造や分子配向が液面3上
の展開単分子膜の状態を基にしていることは轟然である
が、その状態がそのまま基板20上に移されているかど
うかには問題がある0本発明は、液面3上に展開された
単分子膜がそのままの状態で基板20上に移し取れるか
どうかを分析するのに利用できるものである。以下に。
単分子累積膜を得るための液槽l及びその手順を説明す
る。
る。
第6図及び第7図に示されるように、液体2が収容され
た浅くて広い角型の液槽1の内側に、例えばポリプロピ
レン製等の内枠21が水平に釣ってあり、水面3.3′
を仕切っている。液体2としては、通常純水が用いられ
る。内枠21の内側には1例えばやはりポリプロピレン
製等の成膜枠22が浮かべられている。成膜枠22は1
幅が内枠21の内幅より僅かに短かい直方体で、図中左
右方向に二次元ピストン運動可能なものとなっている。
た浅くて広い角型の液槽1の内側に、例えばポリプロピ
レン製等の内枠21が水平に釣ってあり、水面3.3′
を仕切っている。液体2としては、通常純水が用いられ
る。内枠21の内側には1例えばやはりポリプロピレン
製等の成膜枠22が浮かべられている。成膜枠22は1
幅が内枠21の内幅より僅かに短かい直方体で、図中左
右方向に二次元ピストン運動可能なものとなっている。
成膜枠22には、成膜枠22を図中右方に引張るための
重錘23が滑車24を介して結び付けられている。また
、成膜枠22上に固定された磁石25と、成膜枠22の
上方で図中左右に移動可能で磁石25に接近すると互に
反撥し合う対磁石2Bとが設けられていて、これによっ
て成膜枠22は図中左右への移動並びに停止が可能なも
のとなっている。このような!lI錘23や一組の磁石
25.213の代りに1回転モーターやプーリーを用い
て直接成膜枠22を移動させるものもある。
重錘23が滑車24を介して結び付けられている。また
、成膜枠22上に固定された磁石25と、成膜枠22の
上方で図中左右に移動可能で磁石25に接近すると互に
反撥し合う対磁石2Bとが設けられていて、これによっ
て成膜枠22は図中左右への移動並びに停止が可能なも
のとなっている。このような!lI錘23や一組の磁石
25.213の代りに1回転モーターやプーリーを用い
て直接成膜枠22を移動させるものもある。
内枠21内の両側には、吸引パイプ27を介して吸引ポ
ンプ(図示されていない)に接続された吸引ノズル28
が並べられている。この吸引ノズル28は、単分子膜や
単分子累積膜内に不純物が混入してしまうのを防止する
ために、液面3.3′上の不要になった前工程の単分子
膜等を迅速に除去するのに用いられるものである。尚、
20は基板ホルダ29に取付けられて垂直に上下される
基板である。
ンプ(図示されていない)に接続された吸引ノズル28
が並べられている。この吸引ノズル28は、単分子膜や
単分子累積膜内に不純物が混入してしまうのを防止する
ために、液面3.3′上の不要になった前工程の単分子
膜等を迅速に除去するのに用いられるものである。尚、
20は基板ホルダ29に取付けられて垂直に上下される
基板である。
まず、成膜枠22を移動させて、液面3.3′上の不要
となった単分子膜等を掃き寄せながら吸引ノズル2Bか
らすすり出し、液面3.3′を浄化する。こうして清浄
化された液面3.3′の左端に成膜枠22を寄せて1例
えば、〜5X10−)■an/1(7)W度でベンゼン
、クロロホルム等の揮発性溶媒に溶かした膜構成物質の
溶液を、スポイト等で数滴液面3上にたらす、この溶液
が液面3上に広がり、溶媒が揮発すると、単分子膜が液
面3上に残されることになる。
となった単分子膜等を掃き寄せながら吸引ノズル2Bか
らすすり出し、液面3.3′を浄化する。こうして清浄
化された液面3.3′の左端に成膜枠22を寄せて1例
えば、〜5X10−)■an/1(7)W度でベンゼン
、クロロホルム等の揮発性溶媒に溶かした膜構成物質の
溶液を、スポイト等で数滴液面3上にたらす、この溶液
が液面3上に広がり、溶媒が揮発すると、単分子膜が液
面3上に残されることになる。
上記単分子膜は、液面3上で二次元系の挙動を示す0分
子の面密度が低いときには二次元気体の気体膜と呼ばれ
、一分子当りの占有面積と表面圧との間に二次元理想気
体の状態方程式が成立する。
子の面密度が低いときには二次元気体の気体膜と呼ばれ
、一分子当りの占有面積と表面圧との間に二次元理想気
体の状態方程式が成立する。
次いで、この気体膜の状態から、徐々に成膜枠22を右
方に動かし、単分子膜が展開している液面3の領域を次
第に縮めて面密度を増してやると、分子間相互作用が強
まり、二次元液体の液体膜を経て二次元固体の固体膜へ
と変わる。この固体膜となると1分子の配列配向はきれ
いに揃い、高度の秩序性及び均一な超薄膜性を持つに至
る。そして、このときに基板20の表面に当該固体膜と
なった単分子膜を付着させて移し取ることが可能となる
。また、同一の基板に複数回単分子膜を重ねて移し取る
ことによって、単分子累積膜を得ることができる。尚、
基板20としては1例えばガラス、合成樹脂、セラミッ
ク、金属等が使用されている。
方に動かし、単分子膜が展開している液面3の領域を次
第に縮めて面密度を増してやると、分子間相互作用が強
まり、二次元液体の液体膜を経て二次元固体の固体膜へ
と変わる。この固体膜となると1分子の配列配向はきれ
いに揃い、高度の秩序性及び均一な超薄膜性を持つに至
る。そして、このときに基板20の表面に当該固体膜と
なった単分子膜を付着させて移し取ることが可能となる
。また、同一の基板に複数回単分子膜を重ねて移し取る
ことによって、単分子累積膜を得ることができる。尚、
基板20としては1例えばガラス、合成樹脂、セラミッ
ク、金属等が使用されている。
単分子膜を液面3上から基板2oの表面に移し取る方法
は大別して2種類ある。−は垂直浸漬法で他は水平付着
法である。垂直浸漬法とは、液面3上の単分子膜に累積
操作に好適な一定の表面圧をかけながら、膜を横切る方
向、即ち、垂直方向に基板2Gを上下させることにより
単分子膜を移し取る方法である。水平付着法とは、基板
20を水平に保ちながら上から液面3にできるだけ近づ
け、わずかに傾けて一端から単分子膜に触れて付着する
方法である。
は大別して2種類ある。−は垂直浸漬法で他は水平付着
法である。垂直浸漬法とは、液面3上の単分子膜に累積
操作に好適な一定の表面圧をかけながら、膜を横切る方
向、即ち、垂直方向に基板2Gを上下させることにより
単分子膜を移し取る方法である。水平付着法とは、基板
20を水平に保ちながら上から液面3にできるだけ近づ
け、わずかに傾けて一端から単分子膜に触れて付着する
方法である。
上記基板20へ移し取るのに好適な単分子膜の状態下に
おいて占該移し取り操作を行うべく、単分子膜の表面圧
を計測することが行われている。一般に、移し取るのに
好適な単分子膜の表面圧は15〜30dyn/c■とさ
れている。この範囲外では、分子の配列配向が乱れたり
膜の剥れを生じやすくなる。もっとも、特別の場合1例
えば、膜構成物質の化学構造、温度条件等によっては、
好適な表面圧の値が上記範囲からはみ出ることもあるの
で、上記範囲は一応の目安である。
おいて占該移し取り操作を行うべく、単分子膜の表面圧
を計測することが行われている。一般に、移し取るのに
好適な単分子膜の表面圧は15〜30dyn/c■とさ
れている。この範囲外では、分子の配列配向が乱れたり
膜の剥れを生じやすくなる。もっとも、特別の場合1例
えば、膜構成物質の化学構造、温度条件等によっては、
好適な表面圧の値が上記範囲からはみ出ることもあるの
で、上記範囲は一応の目安である。
上記単分子膜の表面圧は1表面圧測定器(図示されてい
ない)によって自動的かつ継続的に計測されるものであ
る0表面圧の測定器としては、単分子膜に覆われていな
い液面3′と、単分子膜に覆われた液面3との表面張力
の差から間接的に求める方法を応用したものや、単分子
膜に覆われていない液面3′と、単分子膜に覆われた液
面3とを区切って浮ぶことになる成膜枠22に加わる二
次元的圧力を直接測定するもの等があり、各々特色があ
る。また1通常、表面圧と共に単分子膜の一分子当りの
占有面積及びその変化量も計測される。占有面積及びそ
の変化量は、成膜枠22の左右の動きから求められる。
ない)によって自動的かつ継続的に計測されるものであ
る0表面圧の測定器としては、単分子膜に覆われていな
い液面3′と、単分子膜に覆われた液面3との表面張力
の差から間接的に求める方法を応用したものや、単分子
膜に覆われていない液面3′と、単分子膜に覆われた液
面3とを区切って浮ぶことになる成膜枠22に加わる二
次元的圧力を直接測定するもの等があり、各々特色があ
る。また1通常、表面圧と共に単分子膜の一分子当りの
占有面積及びその変化量も計測される。占有面積及びそ
の変化量は、成膜枠22の左右の動きから求められる。
前述した成膜枠22の動きは、上記測定器によって計測
される単分子膜の表面圧に基づいて制御されるものであ
る。即ち、移し取り操作に好適な範囲内で選ばれた一定
の表面圧を単分子膜が常に維持するよう、対磁石26を
左右に移動させる駆動装置(図示されていない)が表面
圧測定器により計測された単分子膜の表面圧に基づいて
制御される。この成膜枠22の移動制御は、1!!!構
成物質の溶液滴下後、単分子膜の移し取り操作開始塩だ
けでなく、移し取り操作中も継続して成されるものであ
る0例えば、移し取り操作において、単分子膜が基板2
0に移し取られて行くに従って、液面3上の単分子膜分
子の面密度は低下し1表面圧も低下することになる。従
って、成膜枠22を移動させて単分子膜の展開面積を縮
小し、その表面圧低下分を補正して一定表面圧を維持す
ることが必要となる。
される単分子膜の表面圧に基づいて制御されるものであ
る。即ち、移し取り操作に好適な範囲内で選ばれた一定
の表面圧を単分子膜が常に維持するよう、対磁石26を
左右に移動させる駆動装置(図示されていない)が表面
圧測定器により計測された単分子膜の表面圧に基づいて
制御される。この成膜枠22の移動制御は、1!!!構
成物質の溶液滴下後、単分子膜の移し取り操作開始塩だ
けでなく、移し取り操作中も継続して成されるものであ
る0例えば、移し取り操作において、単分子膜が基板2
0に移し取られて行くに従って、液面3上の単分子膜分
子の面密度は低下し1表面圧も低下することになる。従
って、成膜枠22を移動させて単分子膜の展開面積を縮
小し、その表面圧低下分を補正して一定表面圧を維持す
ることが必要となる。
上述のように、単分子累積膜を得るには種々の微妙な調
整が要求されるものである。しかし、これまでどのよう
な条件が最適条件となるかは種々の実験によらなければ
ならず、また液面3上の単分子膜が累積に適した状態と
なっているか否かは1表面圧等で間接的に確認すること
しかできず、正確さに欠けているのである。ところで1
本発明を前記表面圧測定器の代りに利用すれば、液面3
上の単分子膜の特性をその場で検知でき、その都度最適
条件下で累積させて行くことが可能となるものである。
整が要求されるものである。しかし、これまでどのよう
な条件が最適条件となるかは種々の実験によらなければ
ならず、また液面3上の単分子膜が累積に適した状態と
なっているか否かは1表面圧等で間接的に確認すること
しかできず、正確さに欠けているのである。ところで1
本発明を前記表面圧測定器の代りに利用すれば、液面3
上の単分子膜の特性をその場で検知でき、その都度最適
条件下で累積させて行くことが可能となるものである。
次に、単分子膜分子の取得時に本発明を利用するに適し
た実施例を第8図で説明する。
た実施例を第8図で説明する。
液体2が収容された液槽lの一側に支持柱30が立上げ
られており、そこに基板20を保持した基板ホルダ29
が取付けられていて、基板20を液面3に向って上下に
垂直移動できるようになっている。
られており、そこに基板20を保持した基板ホルダ29
が取付けられていて、基板20を液面3に向って上下に
垂直移動できるようになっている。
液槽l内の底部には昇降波J31が設けられていて、そ
の上に計測ユニット32が設置されている。
の上に計測ユニット32が設置されている。
計測ユニット32は、ドーナツ状に中抜きとなった略口
形を成すもので、その内周側底辺部は鏡面18となって
いて、この鏡面13が液面3の直ぐ下方で平行に位置す
るよう昇降装置i31で位置が調節されている。この計
測ユニット32内には、プローブ光源5.検出器7.プ
ローブ光源5から出射されたプローブ光6を液面3と鏡
面13の間を通して検出器7へと導く光路調整手段18
a −18c 、励起光源10.励起光源から出射され
た励起光11を断続光とするチ、、ツバー12.吸収体
14及び励起光11を液面3と鏡面18の間で複数回反
射させて吸収体14へと導く光路調整手段18d、 1
8eが設けられている。
形を成すもので、その内周側底辺部は鏡面18となって
いて、この鏡面13が液面3の直ぐ下方で平行に位置す
るよう昇降装置i31で位置が調節されている。この計
測ユニット32内には、プローブ光源5.検出器7.プ
ローブ光源5から出射されたプローブ光6を液面3と鏡
面13の間を通して検出器7へと導く光路調整手段18
a −18c 、励起光源10.励起光源から出射され
た励起光11を断続光とするチ、、ツバー12.吸収体
14及び励起光11を液面3と鏡面18の間で複数回反
射させて吸収体14へと導く光路調整手段18d、 1
8eが設けられている。
また、計測ユニット32の内周側両側面下部は、計測ユ
ニット32内を液体2かも仕切った状態でプローブ光6
と励起光1Gを通過させる窓部33となっている。尚、
22は、単分子膜である薄H4の表面圧を調整するため
の成膜枠である。
ニット32内を液体2かも仕切った状態でプローブ光6
と励起光1Gを通過させる窓部33となっている。尚、
22は、単分子膜である薄H4の表面圧を調整するため
の成膜枠である。
上記実施例によれば薄a4の光吸収特性を高感度で測定
できることは第1図で説明した通りである。特に本実施
例によれば、薄194を単分子膜としてこれを形成しつ
つ光吸収特性を測定でき、これから形成されている単分
子膜の特性を容易に分析できるので、基板22に累積さ
れる単分子累積膜をより高精度のものとすることができ
る。また、二ニア)化されているので、測定系に外界か
ら与えられる影響を減少させることができ、液槽lへの
直脱も容易である。
できることは第1図で説明した通りである。特に本実施
例によれば、薄194を単分子膜としてこれを形成しつ
つ光吸収特性を測定でき、これから形成されている単分
子膜の特性を容易に分析できるので、基板22に累積さ
れる単分子累積膜をより高精度のものとすることができ
る。また、二ニア)化されているので、測定系に外界か
ら与えられる影響を減少させることができ、液槽lへの
直脱も容易である。
[発明の効果]
本発明によれば、液面上に展開されている薄膜の光吸収
特性の測定に当り1反射光及び透過光の影響並びに励起
ビームを空気中に通すことによる悪影響を排除でき、高
感度、高精度の測定が可能となるものである。
特性の測定に当り1反射光及び透過光の影響並びに励起
ビームを空気中に通すことによる悪影響を排除でき、高
感度、高精度の測定が可能となるものである。
第1図は本発明の一実施例を示す説明図、第2図ないし
第5図は各々他の実施例の説明図、第6図及び第7図は
単分子累積膜を得る場合の液槽及び手順の説明図、第8
図は単分子累積膜の取得時に利用するに適した実施例の
説明図、第9図(a)。 (b)は従来技術の説明図である。 1:液槽、2:液体、3.3’:液面、4:薄膜、5ニ
ブローブ光源。 6:プローブ光、7:検出器。 8ニドライバー、9:ロックインアンプ、10:励起光
源、11:励起光、12:チョツノ々−113:鏡面、
14:吸収体、15:測定制御器、IB=仕切枠、17
:光路分割、 18、18a 〜18e :光路調整手段、19:媒体
。 20:基板、21:内枠、22:成膜枠、23:重錘。 24:滑車、25:磁石、26二対磁石。 27:吸収パイプ、28:吸引ノズル。 23:基板ホルダ、30:支持柱、31:昇降装置。 32:計測ユニット、33:!!部。
第5図は各々他の実施例の説明図、第6図及び第7図は
単分子累積膜を得る場合の液槽及び手順の説明図、第8
図は単分子累積膜の取得時に利用するに適した実施例の
説明図、第9図(a)。 (b)は従来技術の説明図である。 1:液槽、2:液体、3.3’:液面、4:薄膜、5ニ
ブローブ光源。 6:プローブ光、7:検出器。 8ニドライバー、9:ロックインアンプ、10:励起光
源、11:励起光、12:チョツノ々−113:鏡面、
14:吸収体、15:測定制御器、IB=仕切枠、17
:光路分割、 18、18a 〜18e :光路調整手段、19:媒体
。 20:基板、21:内枠、22:成膜枠、23:重錘。 24:滑車、25:磁石、26二対磁石。 27:吸収パイプ、28:吸引ノズル。 23:基板ホルダ、30:支持柱、31:昇降装置。 32:計測ユニット、33:!!部。
Claims (1)
- 1)液面上に展開された薄膜の測定部位に断続的に励起
光を照射しつつこの測定部位又はその近傍にプローブ光
を照射し、このプローブ光の偏向量から光吸収特性を測
定するに際し、前記励起光を、第一の測定部位の液面で
全反射される入射角で液体側から照射すると共に、この
反射光を液面下で少なくとも第二の測定部位の液面で全
反射される角度に反射させることを特徴とする薄膜の光
吸収特性測定方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24318584A JPS61122547A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 薄膜の光吸収特性測定方法 |
US06/799,497 US4830502A (en) | 1984-11-20 | 1985-11-19 | Apparatus and method for measuring light absorption characteristic of a thin film, and equipment provided with said apparatus for forming a monomolecular built-up film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24318584A JPS61122547A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 薄膜の光吸収特性測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61122547A true JPS61122547A (ja) | 1986-06-10 |
Family
ID=17100086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24318584A Pending JPS61122547A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 薄膜の光吸収特性測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61122547A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02195233A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-01 | Aloka Co Ltd | 吸光度測定装置 |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24318584A patent/JPS61122547A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02195233A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-01 | Aloka Co Ltd | 吸光度測定装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2833778B2 (ja) | 生物学的センサー | |
JPS5824861A (ja) | 生物活性物質の測定方法 | |
US7144153B2 (en) | Measuring apparatus | |
US4790664A (en) | Device and method for measuring optical properties | |
US4830502A (en) | Apparatus and method for measuring light absorption characteristic of a thin film, and equipment provided with said apparatus for forming a monomolecular built-up film | |
JP3437619B2 (ja) | センサ装置 | |
JP2000019104A (ja) | 表面プラズモンセンサ― | |
US5211829A (en) | Analytical method and apparatus using capillary tube | |
CN107356560B (zh) | 全反射式斜入射光反射差扫描成像装置及其使用方法 | |
JPS6363945A (ja) | 光物性測定の安定化方法 | |
JPS61122547A (ja) | 薄膜の光吸収特性測定方法 | |
US6788415B2 (en) | Turntable measuring apparatus utilizing attenuated total reflection | |
CN111103217A (zh) | 一种快速响应的高精度光散射浊度计测量装置 | |
JP3716305B2 (ja) | 内部反射型二次元イメージングエリプソメータ | |
JPS61122545A (ja) | 薄膜の光吸収特性測定方法 | |
JPS61122549A (ja) | 薄膜の光吸収特性測定装置 | |
JPS61122550A (ja) | 薄膜の光吸収特性測定装置 | |
JPS61122551A (ja) | 薄膜の光吸収特性測定装置 | |
JPH0460698B2 (ja) | ||
JPS61122548A (ja) | 薄膜の光吸収特性測定装置 | |
CN214472763U (zh) | 一种基于扫描振镜的角度调制型spr传感器及spr检测设备 | |
JPS6239731A (ja) | 薄膜の光物性測定装置 | |
JPS61122546A (ja) | 薄膜の光吸収特性測定方法 | |
JPH0575059B2 (ja) | ||
US7330263B2 (en) | Measurement method and apparatus |