JPS61115364A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS61115364A JPS61115364A JP23595784A JP23595784A JPS61115364A JP S61115364 A JPS61115364 A JP S61115364A JP 23595784 A JP23595784 A JP 23595784A JP 23595784 A JP23595784 A JP 23595784A JP S61115364 A JPS61115364 A JP S61115364A
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- JP
- Japan
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- etching
- hydrochloric acid
- laser
- semiconductor
- reflective surface
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（本発明の分野）
本発明は半導体レーザの製造方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来の半導体レーザは開発初期を除きほとんど（１００
）面を表面とする半導体基板上に作製され、現在はもっ
ばら（１００）面を表面とする半導体基板上に作製され
ている。レーザの共振器を形成する反射面は通常結晶の
へき開面が用いられるうへき開により反射面を作製する
方法は非常に歩留）が悪い。へき開は結晶にきずをつけ
、割るという方法で、必らず良好なへき開面が出るとは
かぎらず、非量産的である。エツチングで共振器面を形
成した半導体レーザ（以下、エツチングレーザと記す）
はエツチングで反射面をつくるため、量産的で、短共振
器化ができる。しかしながら、従来、エツチングで形成
した反射面には第４図に示すよつＩＣエツチングマスク
のエッヂ状態を反映したカーテン状の微細な凹凸が観測
され、良好なレーザ共振器の反射面とはならず、発振し
きい値電流密度の増大、ばらつきがエツチングレーザの
問題が生じ、実際には歩留シも非常に悪い。
）面を表面とする半導体基板上に作製され、現在はもっ
ばら（１００）面を表面とする半導体基板上に作製され
ている。レーザの共振器を形成する反射面は通常結晶の
へき開面が用いられるうへき開により反射面を作製する
方法は非常に歩留）が悪い。へき開は結晶にきずをつけ
、割るという方法で、必らず良好なへき開面が出るとは
かぎらず、非量産的である。エツチングで共振器面を形
成した半導体レーザ（以下、エツチングレーザと記す）
はエツチングで反射面をつくるため、量産的で、短共振
器化ができる。しかしながら、従来、エツチングで形成
した反射面には第４図に示すよつＩＣエツチングマスク
のエッヂ状態を反映したカーテン状の微細な凹凸が観測
され、良好なレーザ共振器の反射面とはならず、発振し
きい値電流密度の増大、ばらつきがエツチングレーザの
問題が生じ、実際には歩留シも非常に悪い。
（本発明の目的）
本発明の目的は以上の問題点を除き、量産性に優れ、歩
留シの高い半導体レーザの製造方法を提供する事にある
う （本発明の構成） 本発明の製造方法は（１１１）面を表面とする半導体基
板上に、活性層を含むダブルヘテロ構造を有する半導体
積層構造を形成する工程と、レーザ共振器を構成する反
射面を、前記半導体層上に耐塩酸性被膜でなるエツチン
グパターンを形成し、エツチングガスの雰囲気に曝して
、前記耐塩酸性第１図は本発明の製造方法により作製さ
れた半導体レーザの斜視図である。（１１１）面を表面
とする半導体基板１００上に活性層１０とクラッド層２
０及びクラッド層３０からなるダブルヘテロ構造を有す
る。レーザ共振器を形成するエツチング反射面４０は（
０１ｉ ＞面あるいはそれと等価な結晶面となる。この
エツチング面は耐塩酸性被膜でなるエツチングパターン
を用い、塩酸ガス。
留シの高い半導体レーザの製造方法を提供する事にある
う （本発明の構成） 本発明の製造方法は（１１１）面を表面とする半導体基
板上に、活性層を含むダブルヘテロ構造を有する半導体
積層構造を形成する工程と、レーザ共振器を構成する反
射面を、前記半導体層上に耐塩酸性被膜でなるエツチン
グパターンを形成し、エツチングガスの雰囲気に曝して
、前記耐塩酸性第１図は本発明の製造方法により作製さ
れた半導体レーザの斜視図である。（１１１）面を表面
とする半導体基板１００上に活性層１０とクラッド層２
０及びクラッド層３０からなるダブルヘテロ構造を有す
る。レーザ共振器を形成するエツチング反射面４０は（
０１ｉ ＞面あるいはそれと等価な結晶面となる。この
エツチング面は耐塩酸性被膜でなるエツチングパターン
を用い、塩酸ガス。
ＨＢｒ、Ｃ１＊ −Ｂｒｌ −Ｖ族元素の塩化物ガス等
の雰囲気に曝し、耐塩酸性被膜で覆われた領域以外の結
晶をエッチングすることにより形成する。第２図にその
ときの結晶形状について詳しく説明する。
の雰囲気に曝し、耐塩酸性被膜で覆われた領域以外の結
晶をエッチングすることにより形成する。第２図にその
ときの結晶形状について詳しく説明する。
第２図（ａ）は（１１１）面を表面とする結晶とそのへ
き開面である。（ｂ）のようＩＣ（１１１）面を表面と
し、活性層を含むダブルヘテロ構造を有する半導体結晶
２００の表面に耐塩酸性被膜３００を（ｏｘｉ）面に平
行な方向にストライプ状に形成し、塩酸ガス等によりエ
ツチングする。そのときＡ−Ａ’の断面は（ｃ）に示す
ようにエツチングによシ作製されるエツチング反射面４
０は垂直であシレーザ共振器を形成する。第３図に示す
ようにその反射面は工°゛けで決まることによる。尚、
エツチングガスとしては塩酸ガスの他、ＨＢｒ 、ａ４
ｉ、 、Ｂｒ、 、 Ｖ族元素の塩化物等が有効である
。
き開面である。（ｂ）のようＩＣ（１１１）面を表面と
し、活性層を含むダブルヘテロ構造を有する半導体結晶
２００の表面に耐塩酸性被膜３００を（ｏｘｉ）面に平
行な方向にストライプ状に形成し、塩酸ガス等によりエ
ツチングする。そのときＡ−Ａ’の断面は（ｃ）に示す
ようにエツチングによシ作製されるエツチング反射面４
０は垂直であシレーザ共振器を形成する。第３図に示す
ようにその反射面は工°゛けで決まることによる。尚、
エツチングガスとしては塩酸ガスの他、ＨＢｒ 、ａ４
ｉ、 、Ｂｒ、 、 Ｖ族元素の塩化物等が有効である
。
のＡｌ７．ＪＧａｏｙＡｓクラッド層２０．厚さ１．２
μｍ、ノダブルヘテロ構造を有する半導体結晶を形成し
た。
μｍ、ノダブルヘテロ構造を有する半導体結晶を形成し
た。
その上にＳｔＯ，でストライプマスクを形成した。
その後にエツチング装置に導入しＡｓＨｌを流しながら
９００℃まで昇温し、その状態で塩酸ガスを導入しエツ
チングを行った。そのときのガス流量は１．５ ｓｅｃ
ｍ Ａ ｓＨ６１８ｓｅｃｍとしキャリアガスとしてＨ
ｌを流し全流量をＬＳｌｍとした。エツチング雰囲気は
７ ＱＴｏｒｒである。塩酸ガスを止めＡｓＨ，を流し
たまま降温しＡｓＨ，を止めエツチングを終了した。
９００℃まで昇温し、その状態で塩酸ガスを導入しエツ
チングを行った。そのときのガス流量は１．５ ｓｅｃ
ｍ Ａ ｓＨ６１８ｓｅｃｍとしキャリアガスとしてＨ
ｌを流し全流量をＬＳｌｍとした。エツチング雰囲気は
７ ＱＴｏｒｒである。塩酸ガスを止めＡｓＨ，を流し
たまま降温しＡｓＨ，を止めエツチングを終了した。
エツチング深さは２０μｍとした。その後にメタルマス
クを用い蒸着により電極（第１図では！略を形成し、個
々のチップに分割しレーザとした。
クを用い蒸着により電極（第１図では！略を形成し、個
々のチップに分割しレーザとした。
（発明による効果）
レーザ共振器はエツチングによシ形成されているため、
へき開を必要とせず通常のＩＣと同様にッチング面を走
査電子顕微鏡でＺＯＯＯ！に拡大して観測した場合、通
常結晶成長に用いる市販の結晶基板の表面と比較して区
別ができない。気相によるエツチングを用いるため、一
度に多量のレーザ反射面を作製することができ量産性に
優れる。
へき開を必要とせず通常のＩＣと同様にッチング面を走
査電子顕微鏡でＺＯＯＯ！に拡大して観測した場合、通
常結晶成長に用いる市販の結晶基板の表面と比較して区
別ができない。気相によるエツチングを用いるため、一
度に多量のレーザ反射面を作製することができ量産性に
優れる。
以上のように本発明は量産性に優れ、歩留りの高い半導
体レーザの製造方法である。
体レーザの製造方法である。
本発明において、ダブルヘテロ構造は埋め込み構造等を
含んでいてもよい。また実施例はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓ混晶例であるが、他の混晶系でもよい。
含んでいてもよい。また実施例はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓ混晶例であるが、他の混晶系でもよい。
第１図は本発明の方法によシ作製された半導体レーザの
一例を示す斜視図、第２図（ａ）〜（ｃ）はエツチング
形状を示す図、第３図は本発明によシ得られたエツチン
グ反射面の形状例を示す図、第４図は従来のエツチング
反射面の形状を示す図である。 図中、１００は半導体基板、１０は活性層、２０ 、３
０はクラッド層、２００はダブルヘテロ構造を有する半
導体結晶、３００は耐塩酸性被膜である。 工業技術院長
一例を示す斜視図、第２図（ａ）〜（ｃ）はエツチング
形状を示す図、第３図は本発明によシ得られたエツチン
グ反射面の形状例を示す図、第４図は従来のエツチング
反射面の形状を示す図である。 図中、１００は半導体基板、１０は活性層、２０ 、３
０はクラッド層、２００はダブルヘテロ構造を有する半
導体結晶、３００は耐塩酸性被膜である。 工業技術院長
Claims (1)
- （１１１）面を表面とする半導体基板上に活性層を含む
ダブルヘテロ構造を有する積層構造を形成する工程と、
前記半導体積層構造上に耐塩酸性被膜でなるエッチング
パターンを形成し、エッチングガスの雰囲気に曝して、
前記耐塩酸性被膜で覆われた領域以外の結晶を気相エッ
チングすることによりレーザ共振器を構成する反射面を
形成する工程とを少なくとも備えていることを特徴とす
る半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23595784A JPS61115364A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23595784A JPS61115364A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115364A true JPS61115364A (ja) | 1986-06-02 |
| JPS649753B2 JPS649753B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=16993716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23595784A Granted JPS61115364A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310525A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体のドライエツチング方法 |
| JPH01108789A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Sharp Corp | 面発光半導体レーザ素子 |
-
1984
- 1984-11-10 JP JP23595784A patent/JPS61115364A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310525A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体のドライエツチング方法 |
| JPH01108789A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Sharp Corp | 面発光半導体レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649753B2 (ja) | 1989-02-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |