JPS6083942A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPS6083942A JPS6083942A JP58192891A JP19289183A JPS6083942A JP S6083942 A JPS6083942 A JP S6083942A JP 58192891 A JP58192891 A JP 58192891A JP 19289183 A JP19289183 A JP 19289183A JP S6083942 A JPS6083942 A JP S6083942A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はＸ線露光用マスクに関し、特に例えば１μｍ
前後の極めて微細なパターン形成に適用可能なＸ線露光
用マスクに係るものである。
前後の極めて微細なパターン形成に適用可能なＸ線露光
用マスクに係るものである。
一般にこの種のＸ線露光用マスクの基板としては、軟Ｘ
線を比較的透過し易いＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣなどの無機
基板とか、まだポリイミドなどの有機基板とか、あるい
はこれらの複合基板が用いられておシ、さらに軟Ｘ線の
吸収材料としては、軟Ｘａ領域に対して高い吸収係数を
もつ金が用いられている。
線を比較的透過し易いＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣなどの無機
基板とか、まだポリイミドなどの有機基板とか、あるい
はこれらの複合基板が用いられておシ、さらに軟Ｘ線の
吸収材料としては、軟Ｘａ領域に対して高い吸収係数を
もつ金が用いられている。
このような従来例によるＸ線露光用マスクの概要を第１
図に示す。すなわち、この第１図において、１はシリコ
ン基板、２はこの基板１土に形成されたＸ線露光用マス
クの透過基板となる厚さ１〜２μｍ程度のシリコン窒化
膜、３はこのシリコン窒化膜２上に形成された厚さ数μ
ｍ程度の金の膜からなるパターンである。
図に示す。すなわち、この第１図において、１はシリコ
ン基板、２はこの基板１土に形成されたＸ線露光用マス
クの透過基板となる厚さ１〜２μｍ程度のシリコン窒化
膜、３はこのシリコン窒化膜２上に形成された厚さ数μ
ｍ程度の金の膜からなるパターンである。
従来のＸ線露光用マスクでは、このように例えばシリコ
ン窒化膜によるＸ線透過基板を用いているために、厚さ
２μｍの基板の場合、Ｘ線源としてアルミニウムのα線
を用いると、そのＸ線透過率は６７チであって露光に長
時間を必要とし、しかも機械的強度が弱くて金パターン
の変形、破損を生じ易いなどの欠点を有するものであっ
た。
ン窒化膜によるＸ線透過基板を用いているために、厚さ
２μｍの基板の場合、Ｘ線源としてアルミニウムのα線
を用いると、そのＸ線透過率は６７チであって露光に長
時間を必要とし、しかも機械的強度が弱くて金パターン
の変形、破損を生じ易いなどの欠点を有するものであっ
た。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、Ｘ線透過基板
として、例えば酸化ベリリウムのようなベリリウム化合
物の薄膜を用いることにより、露光の際の軟Ｘ線の透過
率を向上させて露光時間の短縮を図′シ、かつこのべＩ
Ｊ ＩＪウム化合物の薄膜と、その補強膜としての１例
えばポリイミドなどの有機物の薄膜との２層構造を採用
することで、その機械的強度を高めて金パターンの変形
、破損を防止させるようにしたものである。
として、例えば酸化ベリリウムのようなベリリウム化合
物の薄膜を用いることにより、露光の際の軟Ｘ線の透過
率を向上させて露光時間の短縮を図′シ、かつこのべＩ
Ｊ ＩＪウム化合物の薄膜と、その補強膜としての１例
えばポリイミドなどの有機物の薄膜との２層構造を採用
することで、その機械的強度を高めて金パターンの変形
、破損を防止させるようにしたものである。
以下この発明に係るＸ線露光用マスクの一実施例につき
、第２図を参照して詳細に説明する。
、第２図を参照して詳細に説明する。
第２図はこの実施例によるＸ線露光用マスクの断面構成
を示しておシ、この実施例では、シリコン基板４上にＸ
線露光用マスクの透過基板となる厚さ２μｍ程度の酸化
ぺ１７ リウム膜５を形成すると共に、同腹５上にはそ
の補強のために、さらに厚さ２〜３μｍ程度のポリイミ
ド膜６を形成させて２層構造とし、ついで間膜６上に厚
さ０．５μｍ程度の金の膜によるバターｙ７を形成した
のち、前記シリコン基板４を図示のようにＫＯＨあるい
はＨＦ−ＨＮＯｓなどでエツチングさせたものである。
を示しておシ、この実施例では、シリコン基板４上にＸ
線露光用マスクの透過基板となる厚さ２μｍ程度の酸化
ぺ１７ リウム膜５を形成すると共に、同腹５上にはそ
の補強のために、さらに厚さ２〜３μｍ程度のポリイミ
ド膜６を形成させて２層構造とし、ついで間膜６上に厚
さ０．５μｍ程度の金の膜によるバターｙ７を形成した
のち、前記シリコン基板４を図示のようにＫＯＨあるい
はＨＦ−ＨＮＯｓなどでエツチングさせたものである。
従ってこの実施例構成によるＸ線露光用マスクの場合、
Ｘ線源としてのアルきニウムのα線に対する透過基板の
透過率は８１％になり、前記した従来例でのシリコン窒
化膜による透過基板に比較するときは、この透過率が大
幅に改善されてその露光時間を短縮でき、併せてその２
層構造のために機械的強度が向上され、金パターンの変
形、破損をも充分に防止できるのである。
Ｘ線源としてのアルきニウムのα線に対する透過基板の
透過率は８１％になり、前記した従来例でのシリコン窒
化膜による透過基板に比較するときは、この透過率が大
幅に改善されてその露光時間を短縮でき、併せてその２
層構造のために機械的強度が向上され、金パターンの変
形、破損をも充分に防止できるのである。
なお、前記実施例では、Ｘ線透過基板として酸化ベリリ
ウムを用いているが、その他のベリリウム化合物を用い
てもよく、またその補強膜としてポリイミドを用いてい
るが、その他の有機膜を用いてもよいことは勿論である
。
ウムを用いているが、その他のベリリウム化合物を用い
てもよく、またその補強膜としてポリイミドを用いてい
るが、その他の有機膜を用いてもよいことは勿論である
。
以上詳述したようにこの発明のＸ線露光用マスクによれ
ば、Ｘ線透過基板として、高い透過率をもつベリリウム
化合物の薄膜と、その補強膜としての有機物の薄膜との
２層構造を採用したので、露光時間の短縮および機械的
強度の向上を図り得ると共に、これによシ極めて微細な
金パターンを形成できるなどの特長を有するものである
。
ば、Ｘ線透過基板として、高い透過率をもつベリリウム
化合物の薄膜と、その補強膜としての有機物の薄膜との
２層構造を採用したので、露光時間の短縮および機械的
強度の向上を図り得ると共に、これによシ極めて微細な
金パターンを形成できるなどの特長を有するものである
。
第１図は従来例によるＸ線露光用マスクの概要を示す断
面図、第２図はこの発明の一実施例によるＸ＠露光用マ
スクの概要を示す断面図である。 ４・・・・シリコン基板、５・・・・酸化ベリリウム膜
（ベリリウム化合物の薄膜）、６・・・・ポリイミド膜
（有機物の薄膜）、７・・・ 。 ターン。 代理人大岩増雄 カ１図 餌２図 手続補正書（自発） 昭和オＺ年Ｚり／／日 １τ１′許庁長宮殿 １、）＃件の表示 特願昭５８−１９２８９１号２、発
明の名称 Ｘ線露光用マスク ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 明細書の発明の詳細な説明の欄 （１）明細書第２頁第９行の「数融」を「０．５〜１７
１ｍＪと補正する。 （２）同書同頁第１４行の「アルミニウムのａ線」を［
゛アルミニウムＫａ線」と補正する。 （３）同書第４頁第２行の１“アルミニウムのａ線」を
「アルミニウムＫｇＬ線」と補正する。 以上
面図、第２図はこの発明の一実施例によるＸ＠露光用マ
スクの概要を示す断面図である。 ４・・・・シリコン基板、５・・・・酸化ベリリウム膜
（ベリリウム化合物の薄膜）、６・・・・ポリイミド膜
（有機物の薄膜）、７・・・ 。 ターン。 代理人大岩増雄 カ１図 餌２図 手続補正書（自発） 昭和オＺ年Ｚり／／日 １τ１′許庁長宮殿 １、）＃件の表示 特願昭５８−１９２８９１号２、発
明の名称 Ｘ線露光用マスク ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 明細書の発明の詳細な説明の欄 （１）明細書第２頁第９行の「数融」を「０．５〜１７
１ｍＪと補正する。 （２）同書同頁第１４行の「アルミニウムのａ線」を［
゛アルミニウムＫａ線」と補正する。 （３）同書第４頁第２行の１“アルミニウムのａ線」を
「アルミニウムＫｇＬ線」と補正する。 以上
Claims (1)
- （１）ベリリウム化合物の薄膜と有機物の薄膜との２層
栴造によるＸ線透過基板を用いたことを特徴とするＸ線
露光用マスク。、 （２侑機物の薄膜がポリイミドであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192891A JPS6083942A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192891A JPS6083942A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083942A true JPS6083942A (ja) | 1985-05-13 |
Family
ID=16298692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192891A Pending JPS6083942A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083942A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146044A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パターンの形成方法 |
| JPH02202011A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Yamaha Corp | Ｘ線リソグラフィー用マスク材 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP58192891A patent/JPS6083942A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146044A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パターンの形成方法 |
| JPH02202011A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Yamaha Corp | Ｘ線リソグラフィー用マスク材 |
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