[go: up one dir, main page]

JPS61117545A - X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体 - Google Patents

X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体

Info

Publication number
JPS61117545A
JPS61117545A JP59237615A JP23761584A JPS61117545A JP S61117545 A JPS61117545 A JP S61117545A JP 59237615 A JP59237615 A JP 59237615A JP 23761584 A JP23761584 A JP 23761584A JP S61117545 A JPS61117545 A JP S61117545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
aluminum nitride
ray lithography
ray
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59237615A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0481852B2 (ja
Inventor
Hideo Kato
日出夫 加藤
Masaaki Matsushima
正明 松島
Keiko Matsuda
啓子 松田
Hirofumi Shibata
浩文 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59237615A priority Critical patent/JPS61117545A/ja
Priority to US06/794,180 priority patent/US4677042A/en
Priority to DE19853539201 priority patent/DE3539201A1/de
Publication of JPS61117545A publication Critical patent/JPS61117545A/ja
Publication of JPH0481852B2 publication Critical patent/JPH0481852B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本興明はX線リングラフイー法及びそれに使用されるマ
スク保持体に関する。
[従来の技術] X線リングラフイーは、X線固有の直進性、非干渉性、
低回折性などに基づき、これまでの可視光や紫外光によ
るリソグラフィーより優れた多くの点を持っており、サ
ブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目され
つつある。
X線リソグラフィーは可視光や紫外光によるリングラフ
イーに比較して多くの優位点を持ちながらも、X線源の
パワー不足、レジストの低感度、アラインメントの困難
さ、マスク材料の選定及び加工方法の困難さなどから、
生産性が低く、コストが高いという欠点があり、実用化
が遅れている。
その中でX線リソグラフィー用マスクを取上げてみると
、可視光および紫外光リングラフイーでは、マスク保持
体(即ち光線透過体)としてガラス板および石英板が利
用されてきたが、X線リソグラフィーにおいては利用で
きる光線の波長が1〜200人とされており、これまで
のガラス板や石英板はこのX線波長域での吸収が大きく
且つ厚さも1〜2mmと厚くせざるを得ないためX線を
充分に透過させないので、これらはX線リングラフィー
用マスク保持体の材料としては不適である。
X線透過率は一般に物質の密度番−依存等るため、X線
リソグラフィー用マスク保持体の材料として密度の低い
無機物や有機物が検討されつつある。この様な材料とし
ては、たとえばベリリウム(Be)、チタン(Ti)、
ケイ素(Si)、ホウ素(B)の単体およびそれらの化
合物などの無機物、またはポリイミド、ポリアミド、ポ
リエステル、パリレン(ユニオンカーバイド社製)など
の有機物が挙げられる。
これらの物質をX線リソグラフィー用マスク保持体の材
料として実際に用いるためには、X線透過量をできるだ
け大きくするために薄膜化することが必要であり、無機
物の場合で数ILm以下、有機物の場合で数十pLm以
下の厚さに形成することが要求されている。このため、
たとえば無機物薄膜およびその複合膜からなるマスク保
持体の形成にあたっては、平面性に優れたシリコンウェ
ハー上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン
、窒化ポロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後に
シリコンウェハーをエツチングによって除去□するとい
う方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるX線リソグラフ
ィー用マスク(即ちX線吸収体)としては、一般に密度
の高い物質たとえば金、白金、タングステン、タンタル
、銅、ニッケルなどの薄膜望ましくは0.5〜IILm
厚の薄膜からなるものが好ましい。 この様なマスクは
、たとえば上記X線透過膜上に一様に上記高密度物質の
薄膜を形成した後、レジストを塗布し、該レジストに電
子ビーム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パターン
に作成される。
しかして、以上の如き従来のX線リングラフイーにおい
ては、マスク保持体のxwA透過率゛が低く、このため
十分なX線透過量を得るためにはマスク保持体をかなり
薄くする必要があり、その製造が困難になるという問題
があった。
[発明の目的] 本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、X線透過性の良
好なマスク保持体を提供し、もってX線リソグラフィー
を良好に実施することを目的とする。
[発明の概要] ゛ 本発明によれば、以上の如き目的は、マスク保持体を窒
化アルミニウムと有機物との積層体により形成すること
によって達成される。
[実施例] 本発明において積層体を構成する有機物としては少なく
とも膜形成性及びX線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な有機物としては、たとえばポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレン等が例示さ
れ、これらのうちでも特にポリイミドは耐熱性、耐衝撃
性、可視光透過性などの総合的性能が良好であるので好
適である。
本発明によるマスク保持体を構成する積層体は窒化アル
ミニウムと有機物との2層からなるものであってもよい
し、または窒化アルミニウム及び有機物の少なくとも一
方を2層以上用いて全体として3層以上からなるものと
してもよい。
本発明によるマスク保持体の厚さは特に制限されること
はなく適宜の厚さとすることができるが、たとえば2〜
20pm程度とするのが有利である。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1: 第1図(a)に示される様に、直径lOCmの円形のシ
リコンウェハー1の両面にIgm厚の酸化シリコン膜2
を形成した。
次に、第1図(b)に示される様に、シリコンウェハー
lの片面側の酸化シリコン膜2上にPIQ液(ポリイミ
ド前躯体1ロ立化成社製)をスピンコードした後に、5
0〜350℃で4時間のキ;アーを行なって211.m
厚のポリイミド膜3を形成した。
次に、第1図(C)に示される様に、リアクティブスパ
ッタ法により、アルミニウム(A1)ターゲット、アル
ゴン(Ar):窒素(N2 ) =1:1(7)ガス、
ガス圧5X10−3Torr、放電電力100Wで、ポ
リイミド膜3の上に21Lm厚の窒化アルミニウム膜4
を形成した。
次に、第1図(d)に示される様に、窒化アルミニウム
膜4上に保護のためのタール系塗料層10を形成した。
次に、第1図(e)に示される様に、露出している酸化
シリコン膜2の直径7.5cmの円形の中央部分をフッ
化アンモニウムとフッ酸との混合液を用いて除去した。
尚、この際、リング状に酸化シリコン膜2を残すため、
その部分に保護のたメツアビニシンワックス(シェル化
学社製)の層6を形成し、酸化シリコン膜の中央部分を
除去した後、該ワックス層6を除去した。
次に、第1図(f)に示される様に、3%フッ酸水溶液
中で電解エツチング(電流密度0.2A/ d m” 
)を行ない、シリコンウェハー1の露出している直径7
.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第1図(g)に示される様に、ツー2化アンモニ
ウムとフッ酸との混合液を用いて、露出部分の酸化シリ
コン膜2を除去した。
次に、第1図(h)に示される様に、リングフレーム(
パイレックス製、内径7.5cm、外径9cm、厚さ5
mm)7の一面にエポキシ系接着剤8を塗布し、該接着
剤塗布面に上記シリコンウェハー1のポリイミド膜3及
び窒化アルミニウム膜4形成面側と反対の面を接着し、
タール系塗料層10を除去した。
かくしてリングフレーム7及びシリコンウェハー1によ
り固定された状態のポリイミド膜3及び窒化アルミニウ
ム膜4の積層体からなるX線リソグラフィー用マスク保
持体を得た。
本実施例において得られたポリイミド膜;窒化アルミニ
ウム膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良好で
あった。
実施例2: シリコンウェハーlの片面側の酸化シリコン膜2上に、
ポリイミド膜3のかわりに、蒸着法により2pm厚のポ
リエステル膜を形成することを除いて、実施例1と同様
の工程を行なった。
かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のポリエステル膜及び窒化アルミニウム膜
の積層体からなるX線リソグラフィー用マスク保持体を
得た。
本実施例において得られたポリエステル膜;窒化アルミ
こラム膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良好
であった。
実施例3: シリコンウェハー1の片面側の酸化シリコン膜2上に、
ポリイミド膜3のかわりに、蒸着法により2JLm厚の
パリレン膜を形成することを除き、実施例1と同様の工
程を行なった。
カくシてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のパリレン膜及び窒化アルミニウム膜の積
層体からなるX線リソグラフィー用マスク保持体を得た
本実施例において得られたパリレン膜;窒化アルミニウ
ム膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良好であ
った。
実施例4: 実施例1の工程において、ポリイミド膜3及び窒化アル
ミニウム膜4を形成した後に、窒化アルミニウム膜4上
にフォトレジストCMS (クロロメチル化ポリスチレ
ン、東洋ソーダ社製)の層を形成した。
次に、エレクトロンビーム描画装置を用いてマスクパタ
ーンの描画を行なった後に規定の処理を行ない、レジス
トパターンを得た。
次に、エレクトロンビーム蒸着機を用いて上記レジスト
パターン上にニッケル(Ni)を0.5舊m厚に蒸着し
た。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、ニッケル
膜パターンを得た。
次に、ニッケル膜パターンを有する窒化アルミニウム膜
上に保護のためのタール系塗料層を形成した。
以下、実施例1と同様の工程を行ない、リングフレーム
及びシリコンウェハーにより固定された状態のポリイミ
ド膜と窒化アルミニウム膜との積層体からなるマスク保
持体を用いたX線リソグラフィー用マスクを得た。
本実施例において得られたX線リソグラフィー用マスク
におけるポリイミド膜;窒化アルミニウム膜の構成を有
するマスク保持体は特に強度が良好であった。
実施例5: 実施例2の工程において、ポリエステル膜及び窒化アル
ミニウム膜を形成した後に、窒化アルミニウム膜上にフ
ォトレジストCMSの層を形成した。
以下、実施例4と同様の工程を行なった。
かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のポリエステル膜及び窒化アルミニウム膜
の積層体からなるマスク保持体を用いたX線リソグラフ
ィー用マスクを得た。
本実施例において得られたX線リソグラフィー用マスク
におけるポリエステル膜;窒化アルミニウム膜の構成を
有するマスク保持体は特に強度が良好であった。
実施例6: 実施例3の工程において、パリレン膜及び窒化アルミニ
ウム膜を形成した後に、窒化アルミニウム膜上にフォト
レジストCMSの層を形成した。
以下、実施例3と同様の工程を行なった。
かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のパリレン膜及び窒化アルミニウム膜の積
層体からなるマスク保持体を用いたX線リソグラフィー
用マスクを得た。
本実施例において得られたX線リソグラフィー用マスク
におけるパリレン膜:窒化アルミニウム膜の構成を有す
るマスク保持体は特に強度が良好であった・ 実施例7: 第2図(a)に示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウェハーlの両面にIILm厚の酸化シリコン膜
2を形成した。
次に、第2図(b)に示される様に、シリコンロ ウニバー1の片面側の酸化シリコン膜2上にPIQ液(
ポリイミド前駆体)をスピンコードした後に、50〜3
50℃で4時間のキュアーを行なって21Lm厚のポリ
イミド膜3を形成した。
次に、第2rI!J(c)に示される様に、リアクティ
ブスパッタ法により、アルミニウム(A I)ターゲッ
ト、アルゴン(Ar):窒素(N2 ) =1=1のガ
ス、ガス圧5X10−3Torr、放電電力ioowで
、ポリイミド膜3の上にlILm厚の窒化アルミニウム
膜4を形成した。
次に、第2図(d)に示される様に、窒化アルミニウム
膜4上に上記と同様にして21Lm厚のポリイミド膜5
を形成した。
次に、第2図(e)に示される様に、露出している酸化
シリコン膜2の直径7.5cmの円形の中央部分をフッ
化アンモニウムとフッ酸との混合液を用いてを除去した
。尚、この際、リング状に酸化シリコン膜2を残すため
、その部分に保護のためのアビニシンワックス(シェル
化学社製)の層6を形成し、酸化シリコン膜の中央部分
を除去した後、該ワックス層6を除去した。
次に、第2図(f)に示される様に、3%フッ酸水溶液
中で電解エツチング(電流密度0.2A/drn”)を
行ない、シリコンウェハー1の露出している直径7.5
cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第2図(g)に示される様に、フッ化アンモニウ
ムとフッ酸との混合液を用いて、露出部分の酸化シリコ
ン膜2を除去した。
次に、第2図(h)に示される様に、リングフレーム(
パイレックス製、内径7.5cm、外径9cm、厚さ5
mm)7の一面にエポキシ系接着剤8を塗布し、該接着
剤塗布面に上記シリコンウェハー1のポリイミド膜3,
5及び窒化アルミニウム膜4形成面側と反対の面を接着
した。
かくしてリングフレーム7及びシリコンウェハー1によ
り固定された状態のポリイミド膜3゜5及び窒化アルミ
ニウム膜4の積層体からなるX線リソグラ“フィー用マ
スク保持体を得た。
本実施例において得られたポリイミド膜;窒化アルミニ
ウム膜;ポリイミド膜の構成を有するマスク保持体は特
に強度及び耐薬品性が良好であった。
実施例:8 シリコンウェハーlの片面側の酸化シリコン膜2上に、
ポリイミド膜3.5のかわりに、蒸着法により2層m厚
のポリエステル膜を形成することを除いて、実施例7と
同様の工程を行なった。
かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のポリエステル膜及び窒化アルミニウム膜
の積層体からなるX線リソグラフィー用マスク保持体を
得た。
本実施例において得られたポリエステル膜;窒化アルミ
ニウム膜;ポリエステル膜の構成を有するマスク保持体
は特に強度及び耐薬品性が良好であった。
実施例9: シリコンウェハー1の片面側の酸化シリコン膜2上に、
ポリイミド膜3,5のかわりに、蒸着法により2ILm
厚のパリレン膜を形成することを除き、実施例7と同様
の工程を行なった。
かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態のパリレン膜及び窒化アルミニウム膜の積
層体からなるX線リソグラフィー用マスク保持体を得た
本実施例において得られたパリレン膜;窒化アルミニウ
ム膜;パリレン膜の構成を有するマスク保持体は特に強
度及び耐薬品性が良好であった。
実施例10: 実施例7の工程において、ポリイミド膜3,5及び窒化
アルミニウム膜4を形成した後に、ポリイミド膜5上に
スピンコードによりポジ型フォトレジストAZ−137
0(シブレー社製)の層をlIJ、m厚に形成した。
次に、石英マスクを用いて遠紫外光によりをレジストの
焼付を行なった後に規定の処理を行ない、マスクに対し
ネガ型のレジストパターンを得た。
次に、エレクトロンビーム蒸着機を用いて上記レジスト
パターン上にタンタル(T a)を0.5gm厚に蒸着
した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、リフトオ
フ法によりタンタル膜パターンを得た。
次に、ポリイミド膜5上に更に保護のための2gm厚の
ポリイミド膜を形成した。
以下、実施例7と同様の工程を行ない、リングフレーム
及びシリコンウェハーにより固定された状態の窒化アル
ミニウム膜とポリイミド膜との積層体からなるマスク保
持体を用いたX線リソグラフィー用マスクを得た。
本実施例において得られたX線リソグラフィー用マスク
におけるポリイミド膜;窒化アルミニウム膜;ポリイミ
ド膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良好であ
った。
実施例:11 実施例7と同様の方法により、シリコンウェハー上にポ
リイミド膜(lILm厚);窒化アルミニウム膜(II
Lm厚);ポリイミド膜(31Lm厚);窒化アルミニ
ウム膜(IILm厚);ボリイミド膜(IJLm厚)の
5層からなる積層体を形成した。
以下、実施例7.と同様の工程を行ないシリコンウェハ
ー及び酸化シリコン膜の円形の中央部分を除去し、更に
ヒドラジン系溶剤により露出部分のポリイミド膜を除去
し、次いで実施例7と同様にしてリングフレームを接着
した。
かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態の窒化アルミニウム膜(lILm厚);ポ
リイミド膜(3ILm厚);窒化アルミニウム膜(Ig
m厚)の3層の積層体からなるX線リソグラフィー用マ
スク保持体を得た。
本実施例により得られた変化アルミニウム膜;ポリイミ
ド膜P窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体
は特に放熱性が良好であった。
実施例12: ポリイミド膜のかわりに、蒸着法によりポリエステル膜
を形成することを除いて、実施例11と同様の工程を行
なった。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハーにより固
定された状態の窒化アルミニウム膜;ポリエステル膜;
窒化アルミこラム膜の3層の積層体からなるX線リソグ
ラフィー用マスク保持体を得た。
本実施例により得られた窒化アルミニウム膜;ポリエス
テル膜;窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持
体は特に放熱性が良好であった。
実施例13: ポリイミド膜のかわりに、蒸着法によりパリレン膜を形
成することを除いて、実施例11と同様の工程を行なっ
た。
かくしてリングフレーム及びシリコンウェハーにより固
定された状態の窒化アルミニウム膜;パリレン膜;窒化
アルミニウム膜の3層の積層体からなるX線リソグラフ
ィー用マスク保持体を得た。
本実施例により得られた窒化アルミニウム膜;パリレン
膜;窒化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は
特に放熱性が良好であった。
[発明の効果] 以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構成要素と
して用いられる窒化アルミニウムはX線透過率及び可視
光線透過率が高く(IJJ、m厚の光学濃度が約o、o
l)、熱膨張率が低く(3〜4X 10−6 /”O)
 、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好であるなどの特
長を有するので、以下の様な効果が得られる。
(1)窒化アルミニウムはX線透、過率が高いので比較
的厚くしても比較的高いX線透過量が得られるので、マ
スク保持体の製造を容易且つ良好に行なうことができる
(2)窒化アルミニウムは成膜性が良好であるので極め
て薄い膜からなるマスク保持体を製造することができ、
これによりX線透過量を高め焼付のスループットを向上
させることができる。
(3)窒化アルミニウムは可視光線の透過率が高いため
、X線リソグラフィーにおいて可視光線を用いて目視に
より容易且つ正確に7ラインメントができる。
(4)窒化アルミニウムの熱膨張係数はX線リソグラフ
ィーにおけるシリコンウェハー焼付基板の熱膨張係数(
2〜3X 10−6 /’Cりとほぼ同じ値であるから
、極めて高精度の焼付けが可能となる。
(5)窒化アルミニウムの熱伝導性が高いため、X線照
射による温度上昇を防止でき、特に真空中での焼付けの
際に効果が大である。
(6)窒化アルミニウムと有機物との積層体を用いるこ
とにより、上記の如き窒化アルミニウムの特性に加えて
該有機物の有する特性を付加したマスク保持体とするこ
とができる。即ち、本発明に係るマスク保持体は窒化ア
ルミニウムからなるマスク保持体のもつ効果に加えて、
強度が大きく、実質的にストレスがないといった効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(h)及び第2図(L)〜(h)は本発
明によるX線リソグラフィー用マスク保持体の製造工程
を示す図である。 l:シリコンウェハー 2二酸化シリコン膜 3.5:ポリイミド膜 ゛4:窒化アルミニウム膜 ・  6:ワックス層 7:リングフレーム 8:接着剤 10:タール系塗料層 代理人  弁理士  山 下 積 平 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化アルミニウムと有機物との積層体からなる保
    持体により保持されたマスクを用いることを特徴とする
    、X線リソグラフィー法。
  2. (2)窒化アルミニウムと有機物との積層体からなるこ
    とを特徴とする、X線リソグラフィー用マスク保持体。
  3. (3)有機物がポリイミドである、特許請求の範囲第2
    項のX線リソグラフィー用マスク保持体。
JP59237615A 1984-11-05 1984-11-13 X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体 Granted JPS61117545A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59237615A JPS61117545A (ja) 1984-11-13 1984-11-13 X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体
US06/794,180 US4677042A (en) 1984-11-05 1985-11-01 Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method
DE19853539201 DE3539201A1 (de) 1984-11-05 1985-11-05 Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59237615A JPS61117545A (ja) 1984-11-13 1984-11-13 X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61117545A true JPS61117545A (ja) 1986-06-04
JPH0481852B2 JPH0481852B2 (ja) 1992-12-25

Family

ID=17017940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59237615A Granted JPS61117545A (ja) 1984-11-05 1984-11-13 X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61117545A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639932A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Hoya Corp X線露光用マスク
JPH02309A (ja) * 1987-12-29 1990-01-05 Canon Inc X線用マスクとそれをを用いた露光方法
JP2010092873A (ja) * 2001-07-17 2010-04-22 Epcos Ag 過電圧アレスタ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639932A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Hoya Corp X線露光用マスク
JPH02309A (ja) * 1987-12-29 1990-01-05 Canon Inc X線用マスクとそれをを用いた露光方法
JP2010092873A (ja) * 2001-07-17 2010-04-22 Epcos Ag 過電圧アレスタ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0481852B2 (ja) 1992-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4037111A (en) Mask structures for X-ray lithography
US4677042A (en) Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method
US4837123A (en) Mask structure for lithography, method of preparation thereof and lithographic method
US4253029A (en) Mask structure for x-ray lithography
JPS5842003A (ja) 偏光板
JPS61117545A (ja) X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体
JPS61118754A (ja) X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体
JPS61126551A (ja) X線リソグラフイ−用マスク構造体の製造方法
JPS61160746A (ja) リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体
JPS61121055A (ja) X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体
JPS61160747A (ja) リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体
JPS61140942A (ja) リソグラフイ−用マスク構造体
JPH09142996A (ja) 反射型マスク基板
JPH0690998B2 (ja) X線リソグラフィー用マスク構造体の製造方法
JPS62108522A (ja) リソグラフィー用マスク構造体の製造方法、及び薄膜の製造方法
JPS61110139A (ja) X線リソグラフイ−法及びx線リソグラフイ−用マスク保持体
US4307181A (en) Masking agent for the deposition of a material and method for such a deposition using this masking agent
JPS61249056A (ja) リソグラフイ−用マスク構造体
JPH0482047B2 (ja)
JPH0316116A (ja) X線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたx線露光方法
JPH0423819B2 (ja)
JPH1012526A (ja) X線露光用マスク及びその製造方法
JPS61255346A (ja) X線露光用マスク
JPH0340935B2 (ja)
JPH10339869A (ja) ディスプレイ表示素子用基材フィルム