JPS6057168B2 - 複合接点 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は比較的低接触圧て使用される複合接点に関す
る。

従来からスイッチング接点としては、貴金属およびそ
の合金の接点がよく知られており、特に、Ａｕ（金）系
接点の白金系（白金、ロジウム、ルテニウム等）接点が
よく使用されている。

ＡｕおよびＡｕ合金のＡｕ系接点は比較的融点および硬
度が低く、そのために、接点負荷が重負荷（例えば２０
Ｖ、ＩＡ）の場合に使用したときに、接点開閉時に発生
するアーク熱による溶着、変形が生じ易く、又、接点同
士を接触させたＯＮ状態で通電した時に、接点同士が互
いにひつつき合い開離不能となる、いわゆる粘着障害が
生じ易いものであつた。しかし、一方Ａｕ系接点は、耐
触性および耐雰囲気性には優れており、そのため軽負荷
での使用時では、接点開閉回数が進んでも接点接触抵抗
は増大せず比較的安定している長所があつた。 又、白
金系接点では、融点および硬度が高いため重負荷での使
用時では、溶着、変形や粘着障害を生じないものである
が、軽負荷時では白金系接点特有の絶縁性の有ポリマー
である薄い膜状の、いわゆるブラウンパウダーが発生し
、そのため接点開閉回数が進むと接触抵抗が増大し、接
良不良（ミス）を生じる欠点があり、又、初期接触抵抗
が高い（５０ｍΩ以上）という欠点、すなわち、特に低
接触圧で使用される場合、例えばリレー用の接点におい
て初期接触抵抗が高いということはノイズの原因となつ
て、問題となつていた。 第一の発明は以上のような実
情に鑑みて為されたものであり、その目的とするところ
は、Ａｕ系接点の弱点である重負荷での開閉時における
溶着変形、粘着をなくし、初期接触抵抗が低く安定しか
つ高寿命の接点を提供するところにある。

本発明者は、比較的低接触圧で使用される接点例えば
リレー用接点等の材料として種々のＡｕ系の材料につい
て検討した結果、ＡｕとＣｕとのＡｕＣｕ合金（Ｃｕ０
．１〜１喧量％）中にある複合粒子と井桁、分散させた
ＡｕＣｕ系材料を用いた接点材料が比較的重負荷（例え
ば２０Ｖ，１Ａ）での接点開閉で優れていることを見い
だした。しかしながらその複合粒子には次の特性が要求
される。すなわち、（１）硬度が非常に高いこと。

（２）融点が高いこと。

（３）大気中での種々の腐触性ガスに対し安定している
こと。

（４）耐酸化性が大きいこと。

（５）導電性であること。

が要求される。

そこで、本発明者らはこのような特性を持つ複合粒子に
ついて研究を進めた結果、タングステンカーバイド（Ｗ
Ｃ）粒子が上記特性を有し、かつ量産性と低価格を具備
したものであることを見いだし第一の発明を完成した。
すなわち、第一の発明はＡｕＣｕ合金中にタングステン
カーバイド粒子を分散させてなる合金層を接点表面とし
たことに特徴を有し、ＷＣ粒子をＡｕＣｕ合金中に分散
させたことにより、ＡｕＣｕ合金を複合強化し、その結
果Ａｕ系接点の弱点である重負荷での接点開閉において
溶着、粘着及び変形のない高性能の複合接点が得られた
。

上記ＷＣ粒子の粒径は１０μ以下が好ましく、その共析
量は３０〜５０Ｖ０１％（容量％）が好ましいもので、
そしてＡｕＣｕ−ＷＣ合金層の厚みは１〜１５μが好ま
しく、その場合には、効果が顕著に現われ、最も好まし
いのは、ＷＣ粒子の粒径１μ、共析量４０■０Ｉ％、層
厚３〜５μであることがわかつた。そしてＡｕＣｕ−Ｗ
Ｃ合金層の母材（基材）となるＡｕＣｕ合金について述
べる。純Ａｕは非常に軟かく（ビッカース硬さＨｖ８Ｏ
〜９０）、機械的強度に弱いものであり、その糾Ａｕ中
に複合粒子を共析させて、複合強化を図つても、その効
果は弱く、重負荷で接点開閉したとき溶着障害を生じる
ことがわかつた。しかし、接触抵抗が顕著に増大しない
程度に．Ａｕの合金化を図り、硬度の上昇および機械的
強度の増大を図る必要があつた。そこで、発明者等は、
ＣｕをＡｕに合金化させることにより、硬度がビッカー
ス硬さＨＶ２ＯＯ程度にまでするＡｕＣｕ合金を選択し
た。第１図にＷＣ粒子径を１μ、ＣＵｌ重・量％ＡｕＣ
ｕ−ＷＣ合金層厚を３μとして形成したときの複合接点
のＷＣ粒子の共析量■（ＶＯｌ％）と２０Ｖ，１Ａでの
接点寿命Ｎ（接点開閉回路）の関係を示す。縦軸は接点
寿命Ｎ１横軸は共析量Ｖを示し、図において、ＷＣの共
析量が４０Ｖ０１％のところが最も寿命が長く、高性能
であることを示しＷＣの共析量が、４０Ｖ０１％のとこ
ろが最も好ましいことがわかつた。次に、ＡｕＣｕ−Ｗ
Ｃ合金接点表面度の製造方法の一例を述べる。例えば、
ＡｕＣｕ合金を接点母材上に電着させると共に、ＷＣが
共析する複合めつき方法により、ＡＬｌＣＵ一ＷＣ接点
表面層を形成させる。すなわち、メッキ液中にＷＣ粒子
を混入せしめ、十分攪拌後、通電ノし、めつきするもの
である。この複合めつき法により、ＡｕＣｕ合金中にＷ
Ｃ粒子が均一に分散する。ＡｕＣｕ−ＷＣ接点表面層を
得ることができた。第二の発明について述べる。

本発明者はさらに研究を進めた結果、第一の発明である
接点母材上にＡｕＣｕ−ＷＣ合金の接点表面層を形成し
た上に、純Ａｕ層を形成させることにより、軽負荷（例
えば１００ｍＶ，１ｍＡ）の接点開閉時に開閉動作回数
が進行しても接点接触抵”抗をよソー層安定化させるこ
とができることを見いだし第二の発明を完成した。

すなわち、第二の発明はタングステンカーバイド粒子を
ＡｕＣｕ合金中に分散させてなる合金接点表面層の表面
に純Ａｕ層を形成したところに特徴を有し、ＡｕＣｕ−
ＷＣ合金層上に純Ａｕ層を形成したことにより、接点開
閉時にＡｕＣｕ−ＷＣ合金層のＣｕの配化を防止し、接
点接触抵抗をよソー層安定化させるものである。

つぎに、純Ａｕ層について詳しく述べる。純Ａｕ層の厚
さが小さすぎると上記の効果が小さくなり、逆に厚さが
大きすぎると重負荷時の接点開閉時に、アーク熱により
ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層へ純Ａｕ層のＡｕが拡散し、接点
表面のＣｕ濃度を相対的に下げ、このため溶着が生じや
すく、接点寿命の劣化原因となり、問題となる。このよ
うなことから、本発明者は種々検討した結果、純Ａｕ層
の厚みは、０．１〜０．５μが好ましく最も好ましいの
は０．２〜０．３μであることがわかつた。次に、第三
、第四の発明について述べる。

上述の第一、第二の発明において、ＡｕＣｕ−ＷＣ合金
層を接点母材（一般にＦｅ系材料）にメッキするには、
密着性が比較的良くなく、本発明者は、研究を進めた結
果、接点母材とＡｕＣｕ−ＷＣ合金層との間に下地材を
介在させることにより、両者の結合を非常に良くするこ
とを見いだした。

しかしながらこの下地には、つぎの特性が要求される。
すなわち、（１）ＡＵＣＵ−ＷＣ層との密着性がよいこ
と。

（２）融点が高いこと（アーク熱により下地がＡｕＣｕ
−ＷＣ層と合金化して融点が下がることが予想されるか
ら）。（３）熱伝導率が大きいこと（溶着を防ぐため）
。（４）導電率が高いこと。（５）接点母材との密着性
が高いこと。

（６）接点母材成分（Ｆｅ）が拡散により接点表面に析
出しないように接点母材成分の拡散率が小さいこと。

が要求される。

そこで、本発明者はこのような特性をもつ下地について
さらに研究を進めた結果、下地を２層構造とし、接点母
材上に、下地として順次Ｃｕ層，Ｎｉ層を形成すること
によりＡｕＣｕ−ＷＣ合金層と接点母材を強固に結合す
ることを見いだした。すなわちＮｉ層は接点表面部分を
構成するＡｕＣｕ一ＷＣ層と密着性がよく、かつ融点が
高く接点の溶着を防ぐことができ、接点母材であるＦｅ
等の拡散率が小さい。

しかしながら、Ｎｉ層は接点母材との密着性が悪い。そ
こで、このＮｉ層と接点母材の間に、その両者と密着性
のよいＣｕ層を介在させ、両者を結合させたのである。
Ｃｕ層は、熱および電気伝導度がよいため、接点の耐溶
着性向上に寄与する。また、Ｎｉ層は拡散率が小さいた
め、Ｃｕ層の拡散も抑制する。すなわち、この２層構造
の下地は、前述の下地として要求される全ての特性を備
えている。下地について詳しく述べる。下地を構成する
Ｎｉ層とＣｕ層の厚さが小さいと上記の効果が小さくな
る。逆に、厚みが大きいとコストアップを招き、特にＮ
ｉ層では導体抵抗の上昇及び熱伝導率が低いことに基づ
く接点温度の上昇が問題となる。本発明者は、このよう
なことから、種々検討した結果、Ｎｉ層及びＣｕ層の厚
さは、それぞれ１〜５μが好ましく、最も好ましいのは
３μであることがわかつた。すなわち以上のように第三
の発明では、接点母材上に順次Ｃｕ層、Ｕ１層およびＡ
ｕＣｕ−ＷＣ合金接点表面層を形成した複合接点であり
、第四の発明では接点母材上に順次Ｃｕ層，Ｓｉ層，Ａ
ｕＣｕ−ＷＣ合金層および純Ａｕ層を形成した複合接点
である。

そしてこのように構成された複合接点実施例の拡大断面
図を図に示す。第２図は第三の発明の複合接点の拡大断
面図であり、第３図は第四の発明の複合接点の拡大断面
図である。第２図において、１はＦｅ系材料からなる接
点母材、２はＣｕ層、３はＮｉ層、４はＣｕ層２とＮｉ
層３からなる下地、５は接点表層を構成するＡｕＣｕ−
ＷＣ合金層である。このＡｕＣｕ−ＷＣ合金層５は、Ａ
ｕＣｕ合金５ａ中にＷＣ粒子５ｂを分散させて構成され
ている。第３図において、６は純Ａｕ層で、ＡｕＣｕ−
ＷＣ合金層５上に形成されている。以上の第一、第二、
第三、第四の発明のいづれもＡｕＣｕ合金中にＷＣ粒子
を分散させてなるところのＡｕＣｕ−ＷＣ合金層を用い
ているところに共通点がある。

以上要するに、第一の発明の複合接点は、ＡｕＣｕ合金
中にＷＣ粒子を分散させたＡｕＣｕ−ＷＣ合金層を接点
の表面層としたため、重負荷での接点開閉時に、接点間
の溶着、粘着障害を防ぎ、かつＷＣ粒子は導電性である
ため、ＡｕＣｕ合金中にＷＣ粒子を分散させても、接触
抵抗は増大せす、ＡｕＣｕ合金とほぼ同一となり、その
ため、初期接触抵抗は低く、かつ安定しており、かつ、
ＷＣ粒子により摩耗が少ないため接点開閉回数が進んで
も接触抵抗が低く、安定している。

したがつて、接点は高寿命となる。第二の発明の複合接
点は、耐触性のよいＡｕＣｕ一ＷＣ合金表面層上に、さ
らに純Ａｕをフラッシュ（薄い層）して、純Ａｕ層を形
成しているため、接ノ点開閉回数が進行しても腐獣生成
物ができず、そして、ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層のＣｕを配
化させず、接触抵抗をよソー層、低く安定させることに
なり、そのため接触障害が生じさせない効有を有する。

かつ第二の発明の複合接点は、第一の発明の効果７をす
べて持つており、重負荷から軽負荷までの接点開閉時に
、接点開閉回数が進行しても、接触抵抗は安定しており
、高容量・ドライ兼用の接点を得ることができる。第三
の発明の複合接点は、ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層フと接点母
材との間に下地としてＣｕ層およびＮｉ層をを介在させ
たため、接点が長寿命となり、下地の作用によりＡｕＣ
ｕ−ＷＣ合金層が強固に接点用材に密着固定され、かつ
下地により接点母材の拡散が抑制されて耐腐触性が向上
する効果を有する。

第四の発明の複合接点は、接点母材上に順次Ｃｕ層、Ｓ
ｉ層、ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層および純ＡｕＷを形成した
ので以上の第一、第二、第三の発明の効果のすべてを有
している。

すなわち、重負荷から軽負荷までの接点開閉時に、接点
点開閉回数が進行しても、接触抵抗は低く安定しており
、溶着、粘着や変形等の障害が生じず、かつ接点母材と
ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層とが強固に密着固定され、接点母
材の拡散が抑制され、耐腐触性が向上され、したがつて
接点寿命が非常に長くできるという効果を有する。つぎ
に実施例を説明する。

（第一発明の実施例） 〔実施例１〕 ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層は、Ａｕの機械的強度を増大させ
るために、Ｃｕを１重量％だけＡｕ中固溶させ、このＡ
ｕＣｕ合金中にＷＣ粒子を共析させたものである。

これらは複合めつき法による電解析出で得られたもので
ある。すなわち、ＡｕＣｕ合金めつき液（商品名：ニユ
ートロネツクス２４０，日本エレクトロプレーテイング
エンジニヤーズ社製）を使用し、その液中にＷＣ粒子を
混入し、複合めつきを行ない、接点母材上にＡｕＣｕ−
ＷＣ合金層を形成した。ＷＣ粒子の粒径は約１μであり
、ＡｕＣｕ合金中に非常に細かく分散しており、その共
析量は後述するＷＣ共析量測定法によつて測定するもの
であり、めつき浴中へのＷＣ粒子の混入量を増減するこ
とにＷＣ粒子のＡｕＣｕ合金中の共析量を制御し、又、
めつき時間により層厚を制御．した。そしてＷＣ粒子の
共析量は約２７■ｏ１％で、層厚は３μに形成した。な
お複合めつき条件は下記のとおりである。複合めつき条
件 電流密度 ；０．５Ａ／ｄイ 浴 温 ；６５℃ ＷＣ粒子混入量；１５ｇ／′ めつき時間 ；１紛 以上のようにして目的とする複合接点を得た。

〔実施例２〕ＷＣ粒子の共析量を約４０Ｖ０１％（ＷＣ
粒子混入量；２５ｙ／ｆ）とした外は実施例と同様にし
て複合接点を得た。

〔実施例３〕 ＷＣ粒子の共析量を約５０Ｖ０１％（ＷＣ粒子混入量；
３５ｙ／′）とした外は実施例１と同様にして複合接点
を得た。

〔実施例４〕 ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層の厚みを１μ（めつき時間；４分
）とした外は実施例２と同様にして複合接点を得た。

〔実施例５〕 ＡｕＣｕ一合金層の厚みを５μ（めつき時間；１６”分
とした外は実施例２と同様にして複合接点を得た。

（第二の発明の実施例） 〔実施例６〕 実施例２で得た複合接点のＡｕＣｕ−ＷＣ合金層上に電
着法により層厚０．１μの純Ａｕ層を形成して目的とす
る複合接点を得た。

その層厚はめつき時間により制御した。なお、めつき液
、めつき条件は下記のとおりである。めつき液；金めつ
き液 （商品名；ニユートロネツクス２１へ日 本
エレクトロプレーテイングエンジニヤ ーズ社製）
めつき条件［：―：．：堵“ 〔実施例７〕 純Ａｕ層の厚みを０．２μ（めつき時間；５醗）とした
外は実施例６と同様にして複合接点を得た。

〔実施例８〕純Ａｕ層の厚みを０．３μ（めつき時間；
乃秒）とした外は実施例６と同様にして複合接点を得た
。

〔実施例９〕純Ａｕ層の厚みを０．５μ（めつき時間：
１２５秒）とした外は実施例６と同様にして複合接点を
得た。

（第三の発明の実施例） 〔実施例１０〕 〈Ｃｕ層の形成〉 接点母材（Ｆｅ素材料）上に下記めつき浴組成およびめ
つき条件で電解析出によつて厚さ１μのＣｕ層を形成し
た。

層厚はめつき時間により制御した。浴組成 ・・・硫
酸銅 ；２２０ｆ１／ｅ 硫酸 ；４５ｇ／
ｆめつき条件・・・浴 温 ；３００Ｃ 電解密度 ；３Ａ／Ｄｄ めつき時間；２．紛 くＮｉ層の形成〉 つぎにＣｕ層の上に、下記のめつき浴組成およびめつき
条件で電解析出によつて厚さ１μのＮｉ層を形成した。

層厚はめつき時間により制御した。浴組成 ・・・硫
酸ニッケル；２７０ｇ／Ｉ？ 塩化ニッケル；
６０ｙ／ｅ ホウ酸 ；４５ｙ／Ｅ ｌ，３，６ナフタリンスルホン 酸ソーダ；３ｙ めつき条件・・・浴 温 ；４５℃ 電流密度 藝Ａ／Ｄｄ ＰＨ；４．５±２ めつき条件 ；１．紛 くＡｕＣｕ−ＷＣ合金層の形成〉 Ｕ１層の上に、実施例１のめつき条件で厚み３μＷＣ共
析量４０Ｖ０１％のＡｕＣｕ−ＷＣ合金層を形成した。

以上のようにして目的とする複合接点を得た。〔実施例
１１）Ｃｕ層の厚みを３μ（めつき時間；７．紛）、Ｎ
ｉ層の厚みを３μ（めつき時間；３分）とした外は実施
例１０と同様にして複合接点を得た。

〔実施例１２〕 Ｃｕ層の厚みを５μ（めつき時間：１２．５分）、Ｎｉ
層の厚みを５μ（めつき時間；７紛）とした外は実施例
１０と同様にして複合接点を得た。

（第四の発明の実施例） 〔実施例１３〕 実施例１０で得た複合接点のＡｕＣｕ−ＷＣ合金層上に
、実施例７の純Ａｕ層のめつき条件て電解析出によつて
厚さ０．２μの純Ａｕ層を形成して、目的とする複合接
点を得た。

〔実施例１４〕 実施例１１で得た複合接点のＡｕＣｕ−ＷＣ合金層上に
、実施例７の糾Ａｕ層のめつき条件で電解析出によつて
厚さ０．２μの純Ａｕ層を形成して、目的とする複合接
点を得た。

〔実施例１５〕 実施例１２で得た複合接点のＡｕＣｕ−ＷＣ合金層上に
、実施例７の糾Ａｕ層のめつき条件で電解析出によつて
厚さ０．２μの純Ａｕ層を形成して、目的とする複合接
点を得た。

〔実施例１６〕 ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層のＷＣ粒子の共析量を２７■ｏ１
％とした外は実施例１４と同様にして複合接点を得た。

〔実施例１７〕ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層のＷＣ粒子の共析
量を５０Ｖ０１％とした外は実施例１４と同様にして複
合接点を得た。

〔実施例１８〕ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層の厚みを２μとし
た外は実施例１４と同様にして複合接点を得た。

〔実施例１９〕 ＡｕＣｕ−ＷＣ合金層の厚みを５μとした外は実施例１
４と同様にして複合接点を得た。

〔実施例２０〕 純Ａｕ層の厚みを０．５μ（めつき時間；１２５秒）と
した外は実施例１４と同様にして複合接点を得た。

〔実施例２０〕 接点母材上に実施例１０のＣｕ層の形成条件で厚み１μ
のＣｕ層を形成し、層厚３μ、ＷＣ共析量４０■ｏ１％
の外は実施例１のＡｕＣｕ−ＷＣ合金層の形成条件と同
様にしてＡｕＣｕ−ＷＣ合金層を前記Ｃｕ層上に形成し
、そして、層厚０．２μの外は実施例６の純Ａｕ層の形
成条件と同様にして純Ａｕ層を形成して、目的とする複
合接点を得た。

ここで、上記のＡｕＣｕ−ＷＣ合金層のＷＣ粒子の共析
量を測定法を説明する。

（ＷＣ共析量測定法） 複合接点上に、保護めつき（Ｎ１）を施した後、切断し
、その断面をエメリー紙及びバフで鏡・面仕上する。

そして得られたＡｕＣｕ−ＷＣ合金層断面を金属顕微鏡
て拡大すると共に、ビデオアナライザにて、ＡｕＣｕ合
金部とＷＣ部の面積比を求め、ＷＣの共析量を得た。以
上の実施例で得た複合接点について、接点寿ノ命（重負
荷、軽負荷）、粘着、初期接触抵抗と各めつき層間の密
着性を試験した。

１接点寿命試験 接点寿命は負荷レベルを重負荷時と軽負荷時に分けて試
験した。

〈重負荷〉 負荷レベルを２０Ｖ，１Ａとし、大気中で毎秒２．８回
の頻度て接点を開閉させ、接触抵抗が４Ω以上になつた
とき、又は溶着を生じたときの接点開閉回数の接点寿命
を示した。

この場合、試験はそれぞれ１０個の試料を用い、それぞ
れｗ回試験をした。そのときの平均接点寿命は別表に示
した。なお、開閉回数は１５０万回でおわり、１５防回
が最大の接点寿命を示している。〈軽負荷〉 負荷レベルを１００７ｎ．■，１７ｎ，Ａの負荷で毎秒
１００回の頻度て接点を開閉させ、開閉動作中の接触抵
抗が３０Ω以上になつたとき、接触不良として検知し、
その生じた時の開閉回数で接点寿命を示した。

この場合、試験はそれぞれ１０個の試料を用い、それぞ
れｗ回試験をした。そのときの平均接点寿命を別表に示
した。なお、開閉回数は５０００万回でおわり、５００
０万回と示されているのは、接点不良がなかつたことに
なり、最大の接点寿命を示している。く接触抵抗の変化
〉 第４図、第５図に、実施例１４の接点開閉回数（Ｎ）と
接触抵抗（Ｒ）との関係を示した。

第４図は、負荷レベルが１００ｍ．Ｖ，１ｍＶとしたと
きの軽負荷時のグラフ、第５図は、負荷レベル２０，Ａ
，１Ｖとしたときの重負荷時のグラフである。図におい
て、縦軸は接触抵抗（Ｒ；ｍΩ），横軸は開閉回数（Ｎ
；回）を示しており、どちらも軸も、対数になつている
。２粘着試験 接点を０Ｎの状態にして、通電をし、接点同士が粘着し
開離不能になつた時間で粘着性能を評価した。

その結果を別表に示した。なお、粘着試験は５０叫間（
Ｈ）でおわり、５００時間と示されているのは、５０叫
問粘着がなかつたことを示しており、試験での最大の粘
着性能を示している。

３初期接触抵抗試験 接点の初期の接触抵抗を測定したもので、それぞれｗ個
の試料を用い、そのときの平均を別表に示した。

４密着性試験 密着性試験は、１８０′Ｃにおける曲げ試験を行ない各
めつき層間の剥離状態を調べることにより行なつた。

そしてその試験は実施例１３〜２０において行なつたも
ので、その結果、いずれの実施例でも層間剥離はみられ
ず、良好なものであつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のＷＣ粒子の共析量と接点寿命
との関係を示す図、第２図は第三の発明の一実施例の基
本的原理を説明する拡大断面図、第３図は第四の発明の
一実施例の基本的原理を説明する拡大断面図、第４図は
実施例１４の軽負荷時の接触抵抗の変化を示す図、第５
図は実施例１４の重負荷時の接触抵抗の変化を示す図で
ある。 １・・・・・・接点母材、２・・・・・・ＣＵ層、３・
・・・・・Ｎｉ層、４・・・・・・下地、５・・・・・
・ＡＵＣＵ−ＷＣ合金層、５ａ・・・・・・ＡｕＣｕ一
合金、５ｂ・・・・・・ＷＣ粒子、６・・・・・・純Ａ
ｕ層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ＡｕＣｕ合金中にタングステンカーバイド粒子を分
   散させてなる合金層を接点表面としたことを特徴とする
   複合接点。 ２ 第１項記載のＷＣの共析量が３０〜５０Ｖｏｌ％で
   ある複合接点。 ３ タングステンカーバイド粒子をＡｕＣｕ合金中に分
   散させてなる合金接点表面層の表面に純Ａｕ層を形成し
   たことを特徴とする複合接点。 ４ 第３項記載の純Ａｕ層の厚みが０．１〜０．５μで
   ある複合接点。 ５ 接点母材上に順次Ｃｕ層、Ｓｉ層および、ＡｕＣｕ
   −ＷＣ合金接点表面層を形成したことを特徴とする複合
   接点。 ６ 第４項記載のＣｕ層およびＮｉ層の厚みがそれぞれ
   １〜５μである複合接点。 ７ 接点母材上に順次Ｃｕ層、Ｓｉ層、ＡｕＣｕ−ＷＣ
   合金層および純Ａｕ層を形成したことを特徴とする複合
   接点。