JPS605551B2 - 高熱伝導性セラミツクスの製造方法 - Google Patents
高熱伝導性セラミツクスの製造方法Info
- Publication number
- JPS605551B2 JPS605551B2 JP57179096A JP17909682A JPS605551B2 JP S605551 B2 JPS605551 B2 JP S605551B2 JP 57179096 A JP57179096 A JP 57179096A JP 17909682 A JP17909682 A JP 17909682A JP S605551 B2 JPS605551 B2 JP S605551B2
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- JP
- Japan
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- powder
- thermally conductive
- conductive ceramics
- highly thermally
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Ceramic Products (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高熱伝導性セラミックスの製造方法に関し、
更に詳しくは、放熱特性に殴れ、繊密で電気絶縁性に富
むセラミックスの製造方法に関する。
更に詳しくは、放熱特性に殴れ、繊密で電気絶縁性に富
むセラミックスの製造方法に関する。
エレクトロニクス機器、エネルギー関連電子機器の分野
では、その高密度化、例えばIC、超LSIの集積化の
進展に伴い、放熱特性に優れた絶縁材料の開発が強く望
まれている。
では、その高密度化、例えばIC、超LSIの集積化の
進展に伴い、放熱特性に優れた絶縁材料の開発が強く望
まれている。
現在、このような絶縁材料としては各種のセラミックス
が賞用されており、例えば、IC基板を中心に山203
が主流となっている。
が賞用されており、例えば、IC基板を中心に山203
が主流となっている。
その他にも&0が使用され、一部ではSiO、BN、A
INも利用され始めている。しかしながら、AI2Qは
熱伝導率に限界(最高約30W′のoK)があってその
放熱特性を充分に高めることができず、また茂0は毒性
物質であるので使用することは好ましくない。
INも利用され始めている。しかしながら、AI2Qは
熱伝導率に限界(最高約30W′のoK)があってその
放熱特性を充分に高めることができず、また茂0は毒性
物質であるので使用することは好ましくない。
BNの場合、六方晶のものは強度が低く、立方晶のもの
はダイヤモンドと同機に高価であるため常用性に欠け工
業的ではない。また、AIN‘ま、理論的には高い熱伝
導率を備えているが、実際のものは不純物(例えば酸素
城いは微量のSi等)の混在が避けられず、その結果、
A!203の2〜3倍程度の値を示すのみである。更に
、SICも熱伝導率が高い材料であるが、通常「 その
電気低抗は低く絶縁材料としての適性には欠ける。最近
「大きな電気絶縁性と熱伝導性を併有するSIC−Be
○系の材料が開発(特関昭56−66086号、同57
−2591号、同57一15484号等を参照)されて
いるが、この材料はバリスタ特性を備えるため高電圧下
では使用不能であり「しかも、製造工程において毒性物
質たる氏○を用いるため不都合である。このように、従
来から知られている高熱伝導性のセラミックスには、そ
れぞれ一長一短があるため、更に優れた放熱特性を有し
「かつ電気絶縁性の高い材料が望まれている。
はダイヤモンドと同機に高価であるため常用性に欠け工
業的ではない。また、AIN‘ま、理論的には高い熱伝
導率を備えているが、実際のものは不純物(例えば酸素
城いは微量のSi等)の混在が避けられず、その結果、
A!203の2〜3倍程度の値を示すのみである。更に
、SICも熱伝導率が高い材料であるが、通常「 その
電気低抗は低く絶縁材料としての適性には欠ける。最近
「大きな電気絶縁性と熱伝導性を併有するSIC−Be
○系の材料が開発(特関昭56−66086号、同57
−2591号、同57一15484号等を参照)されて
いるが、この材料はバリスタ特性を備えるため高電圧下
では使用不能であり「しかも、製造工程において毒性物
質たる氏○を用いるため不都合である。このように、従
来から知られている高熱伝導性のセラミックスには、そ
れぞれ一長一短があるため、更に優れた放熱特性を有し
「かつ電気絶縁性の高い材料が望まれている。
本発明は、上記した産業上の要請に応えることができ、
放熱特性と電気絶縁性に優れたセラミックスの製造方法
の提供を目的とする。
放熱特性と電気絶縁性に優れたセラミックスの製造方法
の提供を目的とする。
本発明はSIC−AINをベースにしたセラミックスの
製造方法である。
製造方法である。
すなわち、本発明方法は、炭化ケイ素の粉末0〜85重
量%(ただし、0は含まず。)と、酸化カルシウム、酸
化バリウム、酸化ストロンチウムの群から選ばれる少な
くとも1種の酸化物又は熱分解してそれぞれの該酸化物
に転化する少なくとも1種の化合物の粉末0.1〜5重
量%と、残部が窒化アルミニウムの粉末とから成る混合
粉末を、形成し、得られた成形体を1600〜1820
00の温度城で焼結することを特徴とする。本発明にか
かる混合粉末は配合成分として必ずSICを含んでおり
、その配合割合は混合粉末の全重量に対し85%以下(
ただし、0は含まない。)に設定される。好ましくは、
65重量%以下である。SICの配合割合が85重量%
を越えると、競結して得られたセラミックスの電気絶縁
性が低下して目的を逸脱する。用いるSICの粉末の粒
径は通常2仏肌程度以下である。また、該混合粉末には
、Ca○、Ba0、Sr○の1種若し〈は2種以上の酸
化物の粉末、又は糠緒時その温度で熱分解して上記酸化
物に転化する化合物、例えば、Ca0に関してはCaC
03、CaN03;故0に関してはBaC03、BaN
03;Sぬに関してはSに03、SrN03等の粉末が
配合される。
量%(ただし、0は含まず。)と、酸化カルシウム、酸
化バリウム、酸化ストロンチウムの群から選ばれる少な
くとも1種の酸化物又は熱分解してそれぞれの該酸化物
に転化する少なくとも1種の化合物の粉末0.1〜5重
量%と、残部が窒化アルミニウムの粉末とから成る混合
粉末を、形成し、得られた成形体を1600〜1820
00の温度城で焼結することを特徴とする。本発明にか
かる混合粉末は配合成分として必ずSICを含んでおり
、その配合割合は混合粉末の全重量に対し85%以下(
ただし、0は含まない。)に設定される。好ましくは、
65重量%以下である。SICの配合割合が85重量%
を越えると、競結して得られたセラミックスの電気絶縁
性が低下して目的を逸脱する。用いるSICの粉末の粒
径は通常2仏肌程度以下である。また、該混合粉末には
、Ca○、Ba0、Sr○の1種若し〈は2種以上の酸
化物の粉末、又は糠緒時その温度で熱分解して上記酸化
物に転化する化合物、例えば、Ca0に関してはCaC
03、CaN03;故0に関してはBaC03、BaN
03;Sぬに関してはSに03、SrN03等の粉末が
配合される。
これらの粉末は、凝結助剤である。配合割合は、全体の
重量に対し0.1〜5重量%、好ましくは0.5〜3重
量%で、0.1重量%未満では糠結敷剤としての効果が
発揮されず、また5重量%を越えると暁結助剤としての
効果は飽和状態に達して無意味となるばかりではなく、
かえって晩結して得られたセラミックスの熱伝導性が低
下してしまい不都合である。NNは混合粉末の残部を構
成する。
重量に対し0.1〜5重量%、好ましくは0.5〜3重
量%で、0.1重量%未満では糠結敷剤としての効果が
発揮されず、また5重量%を越えると暁結助剤としての
効果は飽和状態に達して無意味となるばかりではなく、
かえって晩結して得られたセラミックスの熱伝導性が低
下してしまい不都合である。NNは混合粉末の残部を構
成する。
用いるMNの粉末の粒径は通常0.2〜2ぶれでよい。
混合粉末は、上記した各配合成分の粉末を、例えばボー
ルミルなどの粉砕混合機にいれて所定時間混合すること
によって調製される。この混合粉末を、つぎに、所定の
金型に充填して常法により加圧成形して成形体とする。
混合粉末は、上記した各配合成分の粉末を、例えばボー
ルミルなどの粉砕混合機にいれて所定時間混合すること
によって調製される。この混合粉末を、つぎに、所定の
金型に充填して常法により加圧成形して成形体とする。
このとき、混合粉末にパラフィン、ステアリン酸などの
有機バインダーを5〜1の重量%程度(バインダーの種
類と成形方法によって、いくぶん異なる)添加しておく
と、成形操作を円滑に行なうことができる。この成形体
を焼結して本発明のセラミックスとする。
有機バインダーを5〜1の重量%程度(バインダーの種
類と成形方法によって、いくぶん異なる)添加しておく
と、成形操作を円滑に行なうことができる。この成形体
を焼結して本発明のセラミックスとする。
競緒に先立って、成形体を例えば窒素ガス中で約450
℃の温度で仮暁すると、バインダー成分を除去すること
ができる。競結時の雰囲気は、SIC「AINと反応し
ない非酸化性雰囲気であればよく、通常はアルゴンガス
雰囲気である。
℃の温度で仮暁すると、バインダー成分を除去すること
ができる。競結時の雰囲気は、SIC「AINと反応し
ない非酸化性雰囲気であればよく、通常はアルゴンガス
雰囲気である。
競結の方法は、例えばカーボンの型に成形体を入れてこ
れを加熱加圧するホットプレス法が通常適用される。ホ
ットアィソスタティツク法を適用することもでき、この
場合には、均質で複雑形状のものも製造することができ
る。これらの場合、圧力は通常100〜3000k9/
めである。更には、NNの配合割合の大きい成形体の鱗
綾は、常圧下でも行なうことができる。本発明方法にあ
っては、この焼結過程における競絹温度が1600〜1
820qoの温度城に設定されることが必要である。
れを加熱加圧するホットプレス法が通常適用される。ホ
ットアィソスタティツク法を適用することもでき、この
場合には、均質で複雑形状のものも製造することができ
る。これらの場合、圧力は通常100〜3000k9/
めである。更には、NNの配合割合の大きい成形体の鱗
綾は、常圧下でも行なうことができる。本発明方法にあ
っては、この焼結過程における競絹温度が1600〜1
820qoの温度城に設定されることが必要である。
該温度が1600oo未満の場合には、セラミックスを
繊密化することは困難でそのため強度、熱伝導などの特
性に難点が生じ、また、182000を超えると得られ
たセラミックス熱伝導率が急激に低下してしまう。〔発
明の実施例〕 実施例 1 平均粒径0.物肌のO型SIC粉末60夕と平均粒径1
.かののAIN粉末389と高純度CaC03粉末(試
薬級)2多とを秤量し、これらをボールミルポツトに入
れて充分に混合した。
繊密化することは困難でそのため強度、熱伝導などの特
性に難点が生じ、また、182000を超えると得られ
たセラミックス熱伝導率が急激に低下してしまう。〔発
明の実施例〕 実施例 1 平均粒径0.物肌のO型SIC粉末60夕と平均粒径1
.かののAIN粉末389と高純度CaC03粉末(試
薬級)2多とを秤量し、これらをボールミルポツトに入
れて充分に混合した。
得られた混合粉末にパうフィンを7夕(約7重量%)分
散せしめ、これを37×37×100側の金型に充填し
て500k9′地の圧で加圧成形して成形体とした。こ
の成形体を窒素気流中、45000で仮嬢した。ついで
、これをカーボンの型にセットし、アルゴンガス流中で
、1800qo、300k9′流の条件で3び分間ホッ
トプレスした。
散せしめ、これを37×37×100側の金型に充填し
て500k9′地の圧で加圧成形して成形体とした。こ
の成形体を窒素気流中、45000で仮嬢した。ついで
、これをカーボンの型にセットし、アルゴンガス流中で
、1800qo、300k9′流の条件で3び分間ホッ
トプレスした。
得られた競結体の電気抵抗は、10V′物の条件で1ぴ
60伽より大きく、また、熱伝導率は100W/仇oK
であった。
60伽より大きく、また、熱伝導率は100W/仇oK
であった。
実施例 2〜12
実施例1に準じて、表に示したように配合成分、配合割
合、隣縞条件を変えて18重類の競結体を製造した。
合、隣縞条件を変えて18重類の競結体を製造した。
これらにつき、密度、熱伝導率、電気抵抗を測定しその
結果を表に併記した。〔発明の効果〕 以上の説明で明らかなように本発明方法は、繊密であっ
て、電気抵抗が高く絶縁性に富み、熱伝導率が大きく放
熱特性に優れたセラミックス材料を製造することができ
るのでその工業的価値は大である。
結果を表に併記した。〔発明の効果〕 以上の説明で明らかなように本発明方法は、繊密であっ
て、電気抵抗が高く絶縁性に富み、熱伝導率が大きく放
熱特性に優れたセラミックス材料を製造することができ
るのでその工業的価値は大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 炭化ケイ素の粉末0〜85重量%(ただし、0は含
まず。 )と、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチ
ウムの群から選ばれる少なくとも1種の酸化物又は熱分
解してそれぞれの該酸化物に転化する少なくとも1種の
化合物の粉末0.1〜5重量%と、残部が窒化アルミニ
ウムの粉末とから成る混合粉末を、成形し、得られた成
形体を1600〜1820℃の温度域で焼結することを
特徴とする高熱伝導性セラミツクスの製造方法。2 該
酸化物の粉末又は該化合物の粉末の量が0.5〜3重量
%である特許請求の範囲第1項記載の高熱伝導性セラミ
ツクスの製造方法。3 該焼結がホツトプレス法で行な
われる特許請求の範囲第1項記載の高熱伝導性セラミツ
クスの製造方法。 4 該焼結がホツトアイソスタテイツクプレス(HIP
)法で行なわれる特許請求の範囲第1項又は第3項記載
の高熱伝導性セラミツクスの製造方法。 5 該焼結が常圧下で行なわれる特許請求の範囲第1項
記載の高熱伝導性セラミツクスの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57179096A JPS605551B2 (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 高熱伝導性セラミツクスの製造方法 |
US06/443,955 US4539298A (en) | 1981-11-25 | 1982-11-23 | Highly heat-conductive ceramic material |
CA000416243A CA1193618A (en) | 1981-11-25 | 1982-11-24 | Highly heat-conductive ceramic material |
DE8282110909T DE3273238D1 (en) | 1981-11-25 | 1982-11-25 | Highly heat-conductive ceramic material |
EP82110909A EP0080213B1 (en) | 1981-11-25 | 1982-11-25 | Highly heat-conductive ceramic material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57179096A JPS605551B2 (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 高熱伝導性セラミツクスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5969474A JPS5969474A (ja) | 1984-04-19 |
JPS605551B2 true JPS605551B2 (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=16059971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57179096A Expired JPS605551B2 (ja) | 1981-11-25 | 1982-10-14 | 高熱伝導性セラミツクスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS605551B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4796077A (en) * | 1986-08-13 | 1989-01-03 | Hitachi, Ltd. | Electrical insulating, sintered aluminum nitride body having a high thermal conductivity and process for preparing the same |
JPH0653614B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1994-07-20 | 日本原子力研究所 | 核融合炉用セラミックス材料 |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP57179096A patent/JPS605551B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5969474A (ja) | 1984-04-19 |
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