JPS6046178A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6046178A JPS6046178A JP59142323A JP14232384A JPS6046178A JP S6046178 A JPS6046178 A JP S6046178A JP 59142323 A JP59142323 A JP 59142323A JP 14232384 A JP14232384 A JP 14232384A JP S6046178 A JPS6046178 A JP S6046178A
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- Japan
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- charge
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は受光部にダイオードアレーを設け、読み出しレ
ジスタとして電荷転送素子（ＯｈａｒｇｅＴｒａｎｓｆ
ｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ ；以下ＯＴＤと略す）を設けた二
次元固体撮像素子（以下単にホトセンサと略す）に関す
るものである。
ジスタとして電荷転送素子（ＯｈａｒｇｅＴｒａｎｓｆ
ｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ ；以下ＯＴＤと略す）を設けた二
次元固体撮像素子（以下単にホトセンサと略す）に関す
るものである。
ホトセンサには、従来、絶縁ゲート電界効果トランジス
タ（ＭＯＳ）ランジスタ）を用いるＭＯＳ方式とＯＴＤ
を用いるＯＴＤ方式の２種類が知られている。前者は後
者と比べ光の利用率は高く信号電荷量も多いが、読み出
しの際の雑音が大きいなど、それぞれ一長一短を有して
いる。
タ（ＭＯＳ）ランジスタ）を用いるＭＯＳ方式とＯＴＤ
を用いるＯＴＤ方式の２種類が知られている。前者は後
者と比べ光の利用率は高く信号電荷量も多いが、読み出
しの際の雑音が大きいなど、それぞれ一長一短を有して
いる。
この２つの方式の長所を兼ね備えたホトセンサとして、
第１図に示すような受光部にＭＯＳ方式を、読み出しレ
ジスタにＯＴＤ方式を用いたホトセ／すが提案されてい
る。
第１図に示すような受光部にＭＯＳ方式を、読み出しレ
ジスタにＯＴＤ方式を用いたホトセ／すが提案されてい
る。
第１図は受光部にホトダイオードアレー、読み出しレジ
スタに０ＴＤ（ここではＢＯＤを用いる）を設けたホト
センサの従来例の回Ｍ模式図を示す。
スタに０ＴＤ（ここではＢＯＤを用いる）を設けたホト
センサの従来例の回Ｍ模式図を示す。
第１図において８１．８５はＣＴＤの入力部、８７．８
８は出力部、８２．８６は電荷転送部である。１はホト
ダイオード、２は垂直スイッチＭＯＳトランジスタ、４
は垂直信号線、８３は垂直走査回路、１００，１０５は
第１転送ゲート、１０１．１０４は第２転送ゲート、１
０２．１０３１’ｊ７”ルーミンク防止回路である。
８は出力部、８２．８６は電荷転送部である。１はホト
ダイオード、２は垂直スイッチＭＯＳトランジスタ、４
は垂直信号線、８３は垂直走査回路、１００，１０５は
第１転送ゲート、１０１．１０４は第２転送ゲート、１
０２．１０３１’ｊ７”ルーミンク防止回路である。
この素子においては、垂直信号線の信号電荷は水平ブラ
ンキング期間内にＯＴＤレジスタへ転送される。以下、
第２図のパルスタイミング図と第３図の電位分布図を用
いて、この素子の動作を説明する。第３図は、第１図の
平面図においてＸ−Ｘ′に相当する部分の断面（−）と
第２図の（ｂ）から（ｇ）に対応する時の電位分布（ｂ
）〜（ｇ）を示している。さらに破線で示したのはＢ
Ｔ、 Ｇのゲート下の電位、Ｂ Ｌ Ｄの電位である。
ンキング期間内にＯＴＤレジスタへ転送される。以下、
第２図のパルスタイミング図と第３図の電位分布図を用
いて、この素子の動作を説明する。第３図は、第１図の
平面図においてＸ−Ｘ′に相当する部分の断面（−）と
第２図の（ｂ）から（ｇ）に対応する時の電位分布（ｂ
）〜（ｇ）を示している。さらに破線で示したのはＢ
Ｔ、 Ｇのゲート下の電位、Ｂ Ｌ Ｄの電位である。
水平走査期間にＯＴ Ｄが動作し、各信号を出力段へ転
送すると同時に、入力部から一定のバイアス電荷を１１
百次転送してきて、水平走査期間の終りには信号が全て
読み出されているとともに、ＯＴＤの各段には一定量の
電荷ＣＧが存在している状態となる。このブランキング
期間初期状態ヲ第３図（ｂｌに示す。ＢＧけブルーミン
グ電荷、Ｌは規準レベルを示す。
送すると同時に、入力部から一定のバイアス電荷を１１
百次転送してきて、水平走査期間の終りには信号が全て
読み出されているとともに、ＯＴＤの各段には一定量の
電荷ＣＧが存在している状態となる。このブランキング
期間初期状態ヲ第３図（ｂｌに示す。ＢＧけブルーミン
グ電荷、Ｌは規準レベルを示す。
水平プシンギング朋間に入り、ますＡチャネルの動作が
開始される。ＴＸ２とＢ Ｔ、 Ｇがｈｉｇｈに、Ｂ
Ｌ Ｔ）がｌｏｗになると、Ｂ Ｌ Ｄから電荷が垂直
信号線へ流入する（第３図（Ｃ））。その後Ｂ Ｌ Ｄ
を旧ｇｌ＋ にすると、逆に垂直信号線から電荷がＢＬ
Ｄへ流出し、垂直信号線は次式で示される電位ｖｖｃに
クランプされ、電荷の流出は止まる。（第３図（ｄ））
。
開始される。ＴＸ２とＢ Ｔ、 Ｇがｈｉｇｈに、Ｂ
Ｌ Ｔ）がｌｏｗになると、Ｂ Ｌ Ｄから電荷が垂直
信号線へ流入する（第３図（Ｃ））。その後Ｂ Ｌ Ｄ
を旧ｇｌ＋ にすると、逆に垂直信号線から電荷がＢＬ
Ｄへ流出し、垂直信号線は次式で示される電位ｖｖｃに
クランプされ、電荷の流出は止まる。（第３図（ｄ））
。
Ｖｖｃ ” ＶＴＸ２ Ｖ＋ｂ ＴＸ２ （］）ここテ
ｖＴｘ□、ｖ、ｂ ＴＸ２ ハＴ Ｘ ２ （７） ｈ
ｉｇｈ レヘ／ｌ／、ＴＸ２ゲー） （ＩＯＩＴ）の実
効しきい電圧（基板バイアス効果含む）である。
ｖＴｘ□、ｖ、ｂ ＴＸ２ ハＴ Ｘ ２ （７） ｈ
ｉｇｈ レヘ／ｌ／、ＴＸ２ゲー） （ＩＯＩＴ）の実
効しきい電圧（基板バイアス効果含む）である。
第３図（ｅ）では、ＢＬＧがｌｏｗになり以下の動作で
はＢＬＧとＢＬＤは関与しない。次にＴＸＩがｈｉｇｈ
になｊ５、ＯＴＤの移送パルスであるＨｌをｌｏｗにす
ると、ＯＴＤの入力部から送られてきた各バイア・スミ
荷ＣＧがそれぞれの垂直信号線へ転送される。この、Ｈ
ｌがｌｏｗになる時、電荷がＯＴＤの隣の電極へ移送し
ないように、各電位関係を設定しておく必要がある。具
体的には、ＯＴＤチャネルのしきい電圧、転送ゲートＴ
Ｘ１のしきい電圧、ＯＴＤの移送パルスＨ２のｌｏｗレ
ベル、転送パルスＴＸＩのｈｉｇｈレベルをそれぞれ”
１ｂｃｓＶ＋ｈＴｘ１ｓ Ｈ２Ｌ％ ＶＴＸＩ トｔ
ル１！： ５ｖＴＸ１−■、ｂＴｘ１．２１′Ｔ２Ｌ−
ｖ、ｈｃ（２）であればよい。
はＢＬＧとＢＬＤは関与しない。次にＴＸＩがｈｉｇｈ
になｊ５、ＯＴＤの移送パルスであるＨｌをｌｏｗにす
ると、ＯＴＤの入力部から送られてきた各バイア・スミ
荷ＣＧがそれぞれの垂直信号線へ転送される。この、Ｈ
ｌがｌｏｗになる時、電荷がＯＴＤの隣の電極へ移送し
ないように、各電位関係を設定しておく必要がある。具
体的には、ＯＴＤチャネルのしきい電圧、転送ゲートＴ
Ｘ１のしきい電圧、ＯＴＤの移送パルスＨ２のｌｏｗレ
ベル、転送パルスＴＸＩのｈｉｇｈレベルをそれぞれ”
１ｂｃｓＶ＋ｈＴｘ１ｓ Ｈ２Ｌ％ ＶＴＸＩ トｔ
ル１！： ５ｖＴＸ１−■、ｂＴｘ１．２１′Ｔ２Ｌ−
ｖ、ｈｃ（２）であればよい。
この時ある垂直ゲルト線（第１図９０に相当）の電位Ｖ
、。が旧ｇｈ になると、ある行のホトダイオードの信
号電荷５Ｇは、それぞれの垂直信号線へ移り、ＯＴＤか
らのバイアス電荷と混合（ＳＧ十〇Ｇ）する。
、。が旧ｇｈ になると、ある行のホトダイオードの信
号電荷５Ｇは、それぞれの垂直信号線へ移り、ＯＴＤか
らのバイアス電荷と混合（ＳＧ十〇Ｇ）する。
次にＯＴＤの移送パルスＨ１をｈｉｇｈにすると、（第
３図（ｆ））垂直信号線にあるバイアス電荷と信号電荷
が（ＳＧ＋ＯＧ）垂直信号線が（１）式のｖｖｃになる
までＯＴＤへ流れる。
３図（ｆ））垂直信号線にあるバイアス電荷と信号電荷
が（ＳＧ＋ＯＧ）垂直信号線が（１）式のｖｖｃになる
までＯＴＤへ流れる。
転送パルスＴＸＩをｌｏｗにすると、垂直信号線とＯＴ
Ｄは電気的に切れるが、この時ＯＴＤには、元あったバ
イアス電荷に加え、ホトダイオードからの信号電荷もあ
る事になる。（第３図（ｇ））以上がＡチャネルのＯＴ
Ｄにｎ行目の信号を入れる動作を示したが、同じ水平ブ
ランキング期間の後半にもう一方のＢチャネルＯＴＤに
（ｎ＋１）行目の何月を移すＡチャネルと同じ動作が行
なわれる。そして、水平走査期間にＡ、Ｂ両チャネルの
ＯＴＤが動作し、２行の信号が２つの出力段からｌ圓次
読み出される事になる。
Ｄは電気的に切れるが、この時ＯＴＤには、元あったバ
イアス電荷に加え、ホトダイオードからの信号電荷もあ
る事になる。（第３図（ｇ））以上がＡチャネルのＯＴ
Ｄにｎ行目の信号を入れる動作を示したが、同じ水平ブ
ランキング期間の後半にもう一方のＢチャネルＯＴＤに
（ｎ＋１）行目の何月を移すＡチャネルと同じ動作が行
なわれる。そして、水平走査期間にＡ、Ｂ両チャネルの
ＯＴＤが動作し、２行の信号が２つの出力段からｌ圓次
読み出される事になる。
この従来例においては、信号を読み出す前に、ＢＬＤと
ＢＬＧの動作により各垂直信号線の電位を各チャネルご
との（１）式で示されるクランプ電位に設定することに
より、ＩＯｍＶ〜１００ｍＶの、Ａチャネルの第２転送
ゲートとＢチャネルの第２転送ゲートのしきい値電圧の
ばらつき、及び各垂直信号線ごとのしきい値電圧のばら
つきの悪影響をなくし、ＭＯＳ型とＯＴ’Ｄ型の長所を
組み合せた装置として秀れた特性が期待された。しかし
、実際には次のような理由から極めて不十分な性能しか
得られない。
ＢＬＧの動作により各垂直信号線の電位を各チャネルご
との（１）式で示されるクランプ電位に設定することに
より、ＩＯｍＶ〜１００ｍＶの、Ａチャネルの第２転送
ゲートとＢチャネルの第２転送ゲートのしきい値電圧の
ばらつき、及び各垂直信号線ごとのしきい値電圧のばら
つきの悪影響をなくし、ＭＯＳ型とＯＴ’Ｄ型の長所を
組み合せた装置として秀れた特性が期待された。しかし
、実際には次のような理由から極めて不十分な性能しか
得られない。
垂直信号線からＯＴＤへの電荷の移送においては、水平
ブランキング期間内の短い時間内にしか電荷移送を行な
うことができないために、若干の部分が垂直信号線に取
り残される。取り残される電荷量ΔＱは近似的に次式で
表わされる。
ブランキング期間内の短い時間内にしか電荷移送を行な
うことができないために、若干の部分が垂直信号線に取
り残される。取り残される電荷量ΔＱは近似的に次式で
表わされる。
ＱＢ：バイアス電荷
Ｑ８：信号電荷
β：第２転送ゲートのコンダクタンス
ＯＶ：垂直信号線の容量
ｔ ：転送時間
この取り残される１は、固体撮像素子において必ず存在
する各素子定数のばらつきの為に各垂直信号線ごとにば
らつく。この取シ残し量のばらつきのために、この固体
撮像素子で撮したモニタ画面には薄い縞縞の、いわゆる
固定パターン雑音が見られる事になる。
する各素子定数のばらつきの為に各垂直信号線ごとにば
らつく。この取シ残し量のばらつきのために、この固体
撮像素子で撮したモニタ画面には薄い縞縞の、いわゆる
固定パターン雑音が見られる事になる。
この固定パターン雑音を低減するには、垂直信号線に取
り残される電荷量そのものを少なくすればよい。それに
は、（３）式よりわかる様に、垂直信号線からＯＴＤへ
の転送時間ｔを長くすればよい。
り残される電荷量そのものを少なくすればよい。それに
は、（３）式よりわかる様に、垂直信号線からＯＴＤへ
の転送時間ｔを長くすればよい。
本発明は、受光部にＭＯＳセンサを配し、その上下に信
号読み出し用ＯＴＤを設けた固体撮像素子において、信
号読み出し用ＯＴＤと垂直信号線との間に蓄積容量を設
け、一旦、信号電荷をこの蓄積容量に蓄えることにより
、垂直信号線からＯＴＤへの実効的な転送時間ｔを長く
し、固定パターン雑音の少ない、高画質を得るものであ
る。
号読み出し用ＯＴＤを設けた固体撮像素子において、信
号読み出し用ＯＴＤと垂直信号線との間に蓄積容量を設
け、一旦、信号電荷をこの蓄積容量に蓄えることにより
、垂直信号線からＯＴＤへの実効的な転送時間ｔを長く
し、固定パターン雑音の少ない、高画質を得るものであ
る。
以下本発明の詳細な説明する。
第４図は本発明の一実施例の回路模式図、第５図はＡ、
Ｂチャネルに関する各パルスのタイミングチャート、第
６図は、第４図の平面図においてｘ−ｘ’に相当する部
分の断面図である。
Ｂチャネルに関する各パルスのタイミングチャート、第
６図は、第４図の平面図においてｘ−ｘ’に相当する部
分の断面図である。
第４図において１から１０５までは第１図と同じであり
、１０６，１０７は蓄積容量、１０８．１０９は、第３
転送ゲートである。
、１０６，１０７は蓄積容量、１０８．１０９は、第３
転送ゲートである。
本素子の動作のポイントは、−水子期間（ＨＰ）のほと
んどの期間を使い、信号電荷を垂直信号線から蓄積容量
に移す点にある。第５図のタイミングチャートを用いて
本素子の動作を説明する。
んどの期間を使い、信号電荷を垂直信号線から蓄積容量
に移す点にある。第５図のタイミングチャートを用いて
本素子の動作を説明する。
第５図において、実線がＡチャネル側のパルスタイミン
グを、一点鎖線がＢチャネル側のパルスタイミングを示
す。ＴＸ３、Ｈｌ、Ｈ２はＡ、Ｂチャネルで共通のタイ
ミングでよい。水平走査期間（ＨＩＰ）において、ＯＴ
Ｄが動作し、各信号を出力段に転送する。それと同時に
Ａチャネルの動作が起きる。
グを、一点鎖線がＢチャネル側のパルスタイミングを示
す。ＴＸ３、Ｈｌ、Ｈ２はＡ、Ｂチャネルで共通のタイ
ミングでよい。水平走査期間（ＨＩＰ）において、ＯＴ
Ｄが動作し、各信号を出力段に転送する。それと同時に
Ａチャネルの動作が起きる。
ＴＸ２とＢＬＧがｈｉｇｈに、ＢＬＤがｌｏｗ になる
と、ＢＬＤから電荷が垂直信号線に流入する。
と、ＢＬＤから電荷が垂直信号線に流入する。
その後にＢＬＤをｈｉｇｈにすると、垂直信号線から電
荷が流出し、垂直信号線は次式で示される電位ｖｖｏに
クランプされ、電荷の流出は止まる。
荷が流出し、垂直信号線は次式で示される電位ｖｖｏに
クランプされ、電荷の流出は止まる。
ｖｖｃ ” ＶＴＸ２ Ｖ＋ｂ ＴＸ２ （１）ここで
ｖＴｘ□、ｖ、ｂ、ｒｘ２は、ＴＸ２の旧ｇｈレベル、
ＴＸ２のゲー） （ＩＯＩＴ）の実効しきい電圧（基板
バイアス効果含む）である。
ｖＴｘ□、ｖ、ｂ、ｒｘ２は、ＴＸ２の旧ｇｈレベル、
ＴＸ２のゲー） （ＩＯＩＴ）の実効しきい電圧（基板
バイアス効果含む）である。
次にＢＬＧがｌｏｗになシ、以下の動作ではＢ Ｌ Ｇ
とＢ Ｔ、 Ｄは関与しない。その後ＴＸ１、蓄積容量
のゲート３０７へのパルスφ、ｎ行目の垂直ゲート線（
第１図９０に相当）の電位ｖ９ｏ（ｎ）がｈｉｇｈにな
ると、ある行のホトダイオードの信号電荷は、それぞれ
の垂直信号線に移り、更に、垂直信号線の電位が（１）
式のｖｖｏになるまで、蓄積容量に流れ込む。このよう
にして、 転送パルスＴＸＩをｌｏｗにした状態では、信号電荷は
蓄積容量に移されている事になる。なお、垂直ゲート線
が旧ｇｈレベルにある時間は、ＴＸＩＡとＴＸ２Ａがｈ
ｉｇｈにある時間内ではどのような時間でもよい。
とＢ Ｔ、 Ｄは関与しない。その後ＴＸ１、蓄積容量
のゲート３０７へのパルスφ、ｎ行目の垂直ゲート線（
第１図９０に相当）の電位ｖ９ｏ（ｎ）がｈｉｇｈにな
ると、ある行のホトダイオードの信号電荷は、それぞれ
の垂直信号線に移り、更に、垂直信号線の電位が（１）
式のｖｖｏになるまで、蓄積容量に流れ込む。このよう
にして、 転送パルスＴＸＩをｌｏｗにした状態では、信号電荷は
蓄積容量に移されている事になる。なお、垂直ゲート線
が旧ｇｈレベルにある時間は、ＴＸＩＡとＴＸ２Ａがｈ
ｉｇｈにある時間内ではどのような時間でもよい。
以上の様にしてＡチャネルの蓄積容量にｎ行目の信号が
入った後に、同様な動作がＢチャネルに対しても起とｊ
ｐ、ｎ＋１行目の信号がＢチャネルの蓄積容量に移され
る。
入った後に、同様な動作がＢチャネルに対しても起とｊ
ｐ、ｎ＋１行目の信号がＢチャネルの蓄積容量に移され
る。
その後、水平ブランキング期間（ＨＢＰ）において、Ｏ
ＴＤの移送パルスＨ１、転送パルスＴＸ３をｈｉｇｈに
し、蓄積容量のゲートへの印加パルスφをｌｏｗにする
と、Ａ、Ｂチャネルの蓄積容量の信号電荷は、ＯＴＤに
送られる。水平走査期間にＡ、Ｂ両チャネルのＯＴＤが
動作し、２行の信号が２つの出力段から順次読み出され
る。
ＴＤの移送パルスＨ１、転送パルスＴＸ３をｈｉｇｈに
し、蓄積容量のゲートへの印加パルスφをｌｏｗにする
と、Ａ、Ｂチャネルの蓄積容量の信号電荷は、ＯＴＤに
送られる。水平走査期間にＡ、Ｂ両チャネルのＯＴＤが
動作し、２行の信号が２つの出力段から順次読み出され
る。
本実施例においては、信号読み出し時間を従来となり、
固定パターン雑音も約７になる。このように、転送時間
を長くどれるために固定パターン雑音を大幅に改善でき
る。
固定パターン雑音も約７になる。このように、転送時間
を長くどれるために固定パターン雑音を大幅に改善でき
る。
１反上、２行分同時読み出し方式について説明したが、
本発明は勿論、これに限定されるものではない。１行分
の読み出しを行なう場合には一水平期間内に、Ａチャネ
ルの動作のみを行なえばよい。
本発明は勿論、これに限定されるものではない。１行分
の読み出しを行なう場合には一水平期間内に、Ａチャネ
ルの動作のみを行なえばよい。
また、Ｂ Ｔ、 ＤとＢ Ｌ Ｇを省略し、１水平期間
の１１とんどの時間を垂直信号線から蓄積容量への信号
の転送に用いることもできる。第７図にこの場合の実施
例のパルスのタイミングチャートを示す。
の１１とんどの時間を垂直信号線から蓄積容量への信号
の転送に用いることもできる。第７図にこの場合の実施
例のパルスのタイミングチャートを示す。
図には示していないがＴＸ２は常に旧ｇｈ になってい
る。
る。
また、蓄積容量に拡散層容量を用い、垂直信号線からＯ
ＴＤの電荷転送に際し、拡散層容量から内部的な、バイ
アス電荷を垂直信号線に導入して第５図に述べたと同様
な動作を行なうこともできる。第８図はこの場合の実施
例のパルスのタイミングチャート、第９図は第４図の平
面図においてｘ−ｘ’に相当する部分の断面図を示す。
ＴＤの電荷転送に際し、拡散層容量から内部的な、バイ
アス電荷を垂直信号線に導入して第５図に述べたと同様
な動作を行なうこともできる。第８図はこの場合の実施
例のパルスのタイミングチャート、第９図は第４図の平
面図においてｘ−ｘ’に相当する部分の断面図を示す。
実線がＮチャネル側のパルスのタイミングを、一点鎖線
がＢチャネル側のパルスのタイミングを示す。
がＢチャネル側のパルスのタイミングを示す。
以上の実施例において、各パルスの時間はタイミングさ
え一致していれば一水平期間内で、どのようにとっても
よいのは言うまでもない。
え一致していれば一水平期間内で、どのようにとっても
よいのは言うまでもない。
以上、述べた様に、本発明においては、信号電荷を一旦
蓄積容量にだくわえた後に、ＯＴＤに送ることによυ、
垂直信号線からＯＴＤへの実効的転送時間を長くとるこ
とができ、固定パターン雑音を大幅に低減することがで
きる。
蓄積容量にだくわえた後に、ＯＴＤに送ることによυ、
垂直信号線からＯＴＤへの実効的転送時間を長くとるこ
とができ、固定パターン雑音を大幅に低減することがで
きる。
第１図、第２図、第３図は従来の固体撮像装置を説明す
る図、第４図は本発明の固体撮像装置の実施例を示す略
回路図、第５図は第４図の装置における駆動パルスを示
す図、第６図は第４図の装置の構造断面を示す図、第７
図、第８図、第９図は本発明の装置ｆの他の実施例を示
す図である。 ３００：ｐ型Ｓ１基体 ３０１．３０９：ｎ−型層 ３０２．３０８：ｎ＋型層 ３０３．３０４ ：０ＴＤ（ＢＯＤ）の移送電極３０５
：絶縁膜（ＳｉＯ□等） ３０６：垂直信号線（ＡＩ！等） ３０７：蓄積容量電極 ＨＰ：１水平期間 ＨＳ Ｐ ：水平走査期間 ＨＩ］Ｐ：水平プランギング期間 ＴＰ ：ＯＴＤへの転送期間 ＡＰ ：Ａチャンネル動作期間 ＢＰ ：Ｂチャンネル動作期間
る図、第４図は本発明の固体撮像装置の実施例を示す略
回路図、第５図は第４図の装置における駆動パルスを示
す図、第６図は第４図の装置の構造断面を示す図、第７
図、第８図、第９図は本発明の装置ｆの他の実施例を示
す図である。 ３００：ｐ型Ｓ１基体 ３０１．３０９：ｎ−型層 ３０２．３０８：ｎ＋型層 ３０３．３０４ ：０ＴＤ（ＢＯＤ）の移送電極３０５
：絶縁膜（ＳｉＯ□等） ３０６：垂直信号線（ＡＩ！等） ３０７：蓄積容量電極 ＨＰ：１水平期間 ＨＳ Ｐ ：水平走査期間 ＨＩ］Ｐ：水平プランギング期間 ＴＰ ：ＯＴＤへの転送期間 ＡＰ ：Ａチャンネル動作期間 ＢＰ ：Ｂチャンネル動作期間
Claims (1)
- １、受光部にＭＯＳセンサを配し、その上下に信号読み
出し用ＯＴＤを設けた固体撮像装置において、信号読み
出し用ＯＴＤと垂直信号線との間に蓄積容量を設け、一
旦信号電荷を該蓄積容量にたくわえた後にＯＴＤに送る
ことによシ、垂直信号線からＯＴＤへの実効的転送時間
を長くとったことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59142323A JPS6046178A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59142323A JPS6046178A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046178A true JPS6046178A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15312673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59142323A Pending JPS6046178A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296903A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド装置 |
| JPH04115311U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-13 | 日本電気株式会社 | 磁気記録再生機器の再生増幅器 |
-
1984
- 1984-07-11 JP JP59142323A patent/JPS6046178A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296903A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド装置 |
| JPH04115311U (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-13 | 日本電気株式会社 | 磁気記録再生機器の再生増幅器 |
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