JPS6035934B2 - チオ官能性ポリシロキサン重合体の製法 - Google Patents
チオ官能性ポリシロキサン重合体の製法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/28—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen sulfur-containing groups
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリシロキサン重合体、特にチオ官能性ポリシ
ロキサン重合体およびその製法に関するものである。
ロキサン重合体およびその製法に関するものである。
従釆、水酸基末端ジメチルポリシロキサン流体を酸性白
土の存在下でメトキシ含有シラシクロベンタンチオール
と反応させて含硫シランとジメチルポリシロキサンの縮
合反応を行なわせることにより含硫化合物が調製されて
いる。
土の存在下でメトキシ含有シラシクロベンタンチオール
と反応させて含硫シランとジメチルポリシロキサンの縮
合反応を行なわせることにより含硫化合物が調製されて
いる。
縮合反応において、酸性白士は含硫化合物のメトキシ基
とジメチルポリシロキサンの水酸基との間の縮合を触媒
するだけでなく、水酸基同志の間の縮合をも触媒して化
合物を生成させる働きをする。さらに、この方法は予め
形成された水酸基ジメチルポリシロキサン流体が縮合合
反応の前に製造されていることを要する。同じく米国特
許第3私鼠05号にはナトリウムスルホハイドラィドを
ジメチルホルムアミドの存在下でW−クロロアルキル含
有オルガノボリシロキサンと反応させることにより含硫
シロキサンを製造する方法が開示されている。
とジメチルポリシロキサンの水酸基との間の縮合を触媒
するだけでなく、水酸基同志の間の縮合をも触媒して化
合物を生成させる働きをする。さらに、この方法は予め
形成された水酸基ジメチルポリシロキサン流体が縮合合
反応の前に製造されていることを要する。同じく米国特
許第3私鼠05号にはナトリウムスルホハイドラィドを
ジメチルホルムアミドの存在下でW−クロロアルキル含
有オルガノボリシロキサンと反応させることにより含硫
シロキサンを製造する方法が開示されている。
含藤オルガノポリシロキサンを記述している他の特許は
米国特許、第2960492号でt これにはビニル含
有シロキサンをメルカプタンと反応させてスルホハィド
ラィド基をシロキサンの不飽和ビニル基と結合させるこ
とにより付加物を形成させることが開始されている。米
国特許第総総144号には、ケイ素1原子当り1個また
は2個のメルカプトアルキル基を含有するシロキサンを
過酸化物触媒の存在下で不飽和オレフィン基を含有する
ポリヒドロキシル化炭素化合物と反応させることが開示
されている。チオ官能性ポリシロキサン重合体を製造す
る上記諸方法は種々の欠陥を有する。たとえば長い反応
時間がかかる。また反応材料の1つとしてクロアルキル
基またはビニル不飽和をもつシロキサンが要求される。
さらに、クロロアルキル茎またはビニル基のチオ官能基
への完全な転換を得るのがきわめて困難で、従って両方
の官能基をもつ重合体が上記諸方法から得られる。従っ
て本発明の目的はビニル不飽和またはクロロァルキル置
換基を要することのないチオ官能性ポリシロキサン重合
体の製法を提供することである。他の目的は、低い温度
で短かい反応時間しか要しないチオ官能性ポリシロキサ
ンの製法を提供することである。さらに他の目的は、ジ
シロキサンと環式トリシロキサンから広範囲のチオ官能
性シロキサンを製造する方法を提供することである。さ
らに別の目的はクロロアルキルまたはビニル基残澄を含
まないチオ官能性シロキサンを製造することである。上
述諸目的およびその他後述する所から明らかになるであ
ろうその他の目的は、本発明に従い、ジシロキサンとヒ
ドロキシもしくはヒド。
米国特許、第2960492号でt これにはビニル含
有シロキサンをメルカプタンと反応させてスルホハィド
ラィド基をシロキサンの不飽和ビニル基と結合させるこ
とにより付加物を形成させることが開始されている。米
国特許第総総144号には、ケイ素1原子当り1個また
は2個のメルカプトアルキル基を含有するシロキサンを
過酸化物触媒の存在下で不飽和オレフィン基を含有する
ポリヒドロキシル化炭素化合物と反応させることが開示
されている。チオ官能性ポリシロキサン重合体を製造す
る上記諸方法は種々の欠陥を有する。たとえば長い反応
時間がかかる。また反応材料の1つとしてクロアルキル
基またはビニル不飽和をもつシロキサンが要求される。
さらに、クロロアルキル茎またはビニル基のチオ官能基
への完全な転換を得るのがきわめて困難で、従って両方
の官能基をもつ重合体が上記諸方法から得られる。従っ
て本発明の目的はビニル不飽和またはクロロァルキル置
換基を要することのないチオ官能性ポリシロキサン重合
体の製法を提供することである。他の目的は、低い温度
で短かい反応時間しか要しないチオ官能性ポリシロキサ
ンの製法を提供することである。さらに他の目的は、ジ
シロキサンと環式トリシロキサンから広範囲のチオ官能
性シロキサンを製造する方法を提供することである。さ
らに別の目的はクロロアルキルまたはビニル基残澄を含
まないチオ官能性シロキサンを製造することである。上
述諸目的およびその他後述する所から明らかになるであ
ろうその他の目的は、本発明に従い、ジシロキサンとヒ
ドロキシもしくはヒド。
力ルボンオキシ含有シランまたはシロキサンとの間の反
応に酸触媒の存在下において環式トリシロキサンを以っ
て作用させる(上記有機ケイ素化合物の少なくとも1つ
はチオール基を含有する)ことから成るチオ官能性ポリ
シロキサンの製法を提供することにより達成される。意
外なことに、本発明の方法は、環式トリシロキサン以外
の環式シロキサンの重合に作用することのできる触媒を
使用したとしても、環式トリシロキサンに限られること
が認められた。本発明で使用しうるオルガノポリシロキ
サンは「式のジシロキサンまたは式 の環式シロキサンであり、ここでR(同じものまたは異
なったものでありうる)は炭素原子数1〜18の一価炭
化水素基またはハロゲン化一価炭化水素基を表わし、M
は式R′(SR‘′′)yおよびで表わされる基であり
、aは0〜6の数、yは1〜3の数である。
応に酸触媒の存在下において環式トリシロキサンを以っ
て作用させる(上記有機ケイ素化合物の少なくとも1つ
はチオール基を含有する)ことから成るチオ官能性ポリ
シロキサンの製法を提供することにより達成される。意
外なことに、本発明の方法は、環式トリシロキサン以外
の環式シロキサンの重合に作用することのできる触媒を
使用したとしても、環式トリシロキサンに限られること
が認められた。本発明で使用しうるオルガノポリシロキ
サンは「式のジシロキサンまたは式 の環式シロキサンであり、ここでR(同じものまたは異
なったものでありうる)は炭素原子数1〜18の一価炭
化水素基またはハロゲン化一価炭化水素基を表わし、M
は式R′(SR‘′′)yおよびで表わされる基であり
、aは0〜6の数、yは1〜3の数である。
ジシ。
キサンおよび(または)環式トリシロキサンと反応しう
るオルガノケイ素化合物の適当な例は一般式のシラン、
またなは一般式 のシロキサンであり、ここでRは炭素原子数1〜18の
一価炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基でありトM
は式R′(SR′′′)yおよびで表わされる基である
。
るオルガノケイ素化合物の適当な例は一般式のシラン、
またなは一般式 のシロキサンであり、ここでRは炭素原子数1〜18の
一価炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基でありトM
は式R′(SR′′′)yおよびで表わされる基である
。
R′は炭素原子数1〜18で脂肪族不飽和結合を含まな
い置換および禾置換の二価、三価または四価炭化水素基
、炭化水素ューテル、炭化水素チオェーテル、炭化水素
ヱステル、およびR′がケイ素−炭素結合を通じてケイ
素原子についている炭化水素チオヱステル基であり、R
″は水素または炭素原子数1〜18の一価炭化水素基で
あり、R…はR″と同じものか、または式R″″×によ
り表わされる基であり、ここで×は−00CR,OHま
たはシアノアルキル基であり、R側は炭素原子数1〜1
8で脂肪族不飽和結合を含まぬ二価炭化水素基である。
い置換および禾置換の二価、三価または四価炭化水素基
、炭化水素ューテル、炭化水素チオェーテル、炭化水素
ヱステル、およびR′がケイ素−炭素結合を通じてケイ
素原子についている炭化水素チオヱステル基であり、R
″は水素または炭素原子数1〜18の一価炭化水素基で
あり、R…はR″と同じものか、または式R″″×によ
り表わされる基であり、ここで×は−00CR,OHま
たはシアノアルキル基であり、R側は炭素原子数1〜1
8で脂肪族不飽和結合を含まぬ二価炭化水素基である。
Yは式R3Si○身およびの基であり、ここでRおよび
R″は前記と同じ、bは0〜3の数、cは0〜2の数で
b十cの和は1〜2,dは0〜2の数、eは1〜3の数
、mおよびnは各々0〜999の数に等しく、m+nの
和は最小限1である。
R″は前記と同じ、bは0〜3の数、cは0〜2の数で
b十cの和は1〜2,dは0〜2の数、eは1〜3の数
、mおよびnは各々0〜999の数に等しく、m+nの
和は最小限1である。
Rにより表わされる適当な一価炭化水素基の例はアルキ
ル基たとえばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ベン
チル、ヘキシル、オクチル、デシル、オクタデシル;ア
リール基たとえばフェニル、ジフェニルおよびナフチル
;アルカリール基たとえばトリル、キシルおよびエチル
フエニル;アラルキル基たとえばペンジル、Q−フェニ
ルェチル、8−フエニルエチル、Q−フエニルブチルお
よびシクロアルキル基たとえばシクロブチル、シクロベ
ンチルおよびシクロヘキシル基;ハロゲン化炭化水素基
たとえばクロロメチル、ブロモェチル、テトラフルオロ
エチル、フルオロエチル、トリフルオロトリル、ヘキサ
フルオロキシリル等々である。
ル基たとえばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ベン
チル、ヘキシル、オクチル、デシル、オクタデシル;ア
リール基たとえばフェニル、ジフェニルおよびナフチル
;アルカリール基たとえばトリル、キシルおよびエチル
フエニル;アラルキル基たとえばペンジル、Q−フェニ
ルェチル、8−フエニルエチル、Q−フエニルブチルお
よびシクロアルキル基たとえばシクロブチル、シクロベ
ンチルおよびシクロヘキシル基;ハロゲン化炭化水素基
たとえばクロロメチル、ブロモェチル、テトラフルオロ
エチル、フルオロエチル、トリフルオロトリル、ヘキサ
フルオロキシリル等々である。
RおよびR肌で表わされる二価炭化水素基の適当な例は
エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ヘキサメチ
レン、オクタメチレン等々である。
エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ヘキサメチ
レン、オクタメチレン等々である。
三価および四価の炭化水素基の適当な例は式=CHCH
2−、=CHCQC日2 − 、=CH(C比)3−、
=CH(CH2)4−、=CH等々である。
2−、=CHCQC日2 − 、=CH(C比)3−、
=CH(CH2)4−、=CH等々である。
R″で表わされる一価炭化水素基の適当な例は、アルキ
ル基たとえばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ベン
チル、ヘキシル、オクチル、デシル、オクタデシル:ア
リール基たとえばフェニル、ジフエニル、およびナフチ
ル:アルカリール基たとえばトリル、キシルおよびエチ
ルフェニル:アラルキル基たとえばペンジル、Q−フェ
ニルエチル、B−フエニルエチル、Q−フエニルフチル
およびシクロアルキル基たとえばシクロブチル、シクロ
ベンチルおよびシクロヘキシルである。
ル基たとえばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ベン
チル、ヘキシル、オクチル、デシル、オクタデシル:ア
リール基たとえばフェニル、ジフエニル、およびナフチ
ル:アルカリール基たとえばトリル、キシルおよびエチ
ルフェニル:アラルキル基たとえばペンジル、Q−フェ
ニルエチル、B−フエニルエチル、Q−フエニルフチル
およびシクロアルキル基たとえばシクロブチル、シクロ
ベンチルおよびシクロヘキシルである。
R′(SR川)y基の適当な例には‐CH2SH、‐C
2ASH、− C3比SH、 − CH2SC4日9、
C2比SC2日5 C3日5SC6
K(HSC仏 )2CHCH2CH2 − 、( HS
CH2CH2 )( HSC仏 ) CH ( CQ
)4 ‐(HSC比CH2)3CCH2CH2 −
、(HSCQC日2 )(HSCH2)CHCH(CH
2SH)CH2CH2CH2−、HS( CH2 )5
CH ( CH2C泣SH ) C比CH2CH(CQ
C日3)−、(HSC比CH2)2CHCQC日2 −
、(HSC比 )2CHSCH2C比CH2 − 、
( HSCH2 )2( C2日5 ) CCH2SC
H2CH2CH3(HSC比)3CC比SCH2CH2
C比−、(HSCH2)(HSC&CH2CH2CH2
)CHSCはCH2CH2 ‐(HSC比CH2 )2
CHCH2SCH2CH2CH2 ‐( HSC比 )
2 ( C2日5 ) CCH2SC比CH2S(CQ
)3 − 、( HSC比)3CCH2S(CH2)3
S(CQ)3−、(C比)3S (C比)2CN等々がある。
2ASH、− C3比SH、 − CH2SC4日9、
C2比SC2日5 C3日5SC6
K(HSC仏 )2CHCH2CH2 − 、( HS
CH2CH2 )( HSC仏 ) CH ( CQ
)4 ‐(HSC比CH2)3CCH2CH2 −
、(HSCQC日2 )(HSCH2)CHCH(CH
2SH)CH2CH2CH2−、HS( CH2 )5
CH ( CH2C泣SH ) C比CH2CH(CQ
C日3)−、(HSC比CH2)2CHCQC日2 −
、(HSC比 )2CHSCH2C比CH2 − 、
( HSCH2 )2( C2日5 ) CCH2SC
H2CH2CH3(HSC比)3CC比SCH2CH2
C比−、(HSCH2)(HSC&CH2CH2CH2
)CHSCはCH2CH2 ‐(HSC比CH2 )2
CHCH2SCH2CH2CH2 ‐( HSC比 )
2 ( C2日5 ) CCH2SC比CH2S(CQ
)3 − 、( HSC比)3CCH2S(CH2)3
S(CQ)3−、(C比)3S (C比)2CN等々がある。
本発明で使用しうるヒドロキシ−およびヒドロカルボン
オキシ含有シランは、シランたとえば3ーメルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、2−メルカプトエチルトリ
エトキシシラン、W−メルカプトデシルトリヱトキシシ
ラン、VV−メルカプトヘキシルトリプロポキシシラン
、VV−メルカプトアミルトリエトキシシラン、2−(
トリエトキシシリル)エチルプチルチオエーテル、3−
(トリメトキシシリル)プロピルブチルチオエーテル、
4−(トリエトキシシリル)ブチルメチルチオエーテル
、2−(メチルジヱトキシシリル)エチルメチルエーテ
ル、2一(メチルジヱトキシシリル)エチルフエニルチ
オエーテル、2−(メチルジエトキシシリル)エチルド
デシルチオエ−テル、6−(トリメトキシシリル)へキ
シルエチルチオヱーテル、メチルトリエトキシシラン、
ジメチルジエトキシシラン、トリメチルヱトキシシラン
、ジメチルシランジオール、ジフエニルシランジオール
等々である。
オキシ含有シランは、シランたとえば3ーメルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、2−メルカプトエチルトリ
エトキシシラン、W−メルカプトデシルトリヱトキシシ
ラン、VV−メルカプトヘキシルトリプロポキシシラン
、VV−メルカプトアミルトリエトキシシラン、2−(
トリエトキシシリル)エチルプチルチオエーテル、3−
(トリメトキシシリル)プロピルブチルチオエーテル、
4−(トリエトキシシリル)ブチルメチルチオエーテル
、2−(メチルジヱトキシシリル)エチルメチルエーテ
ル、2一(メチルジヱトキシシリル)エチルフエニルチ
オエーテル、2−(メチルジエトキシシリル)エチルド
デシルチオエ−テル、6−(トリメトキシシリル)へキ
シルエチルチオヱーテル、メチルトリエトキシシラン、
ジメチルジエトキシシラン、トリメチルヱトキシシラン
、ジメチルシランジオール、ジフエニルシランジオール
等々である。
同じく、少なくとも1個もしくはそれ以上のアルコキシ
またはヒドロキシ基を含む相当するシロキサンまたはそ
の共重合体も本発明で使用しうる。
またはヒドロキシ基を含む相当するシロキサンまたはそ
の共重合体も本発明で使用しうる。
これらポリシロキサンの適当な例はモノェトキシ末端ブ
ロック8−メルカプトェチルプロピルポリシロキサンま
たはメチルジェトキシシリル末端ブロックBーメルカプ
トプチルメチルポロシロキサン、モノヒドロキシ末端ブ
ロック8ーメルカプトエチルメチルポリシロキサン、ジ
ヒドロキシ末端ブ。ツクジメチルポリシロキサン、ジェ
トキシ末端ブロックジメチルポリシロキサンである。こ
れらポリシ。キサンは、トリアルキルアルコキシシラン
とチオール含有オルガノポリシロキサンとの共加水分解
および縮合によるか、または環式チオール含有オルガノ
ポリシロキサンとケイ素原子を含有する支配的にケイ素
結合したァルコキシ基との平衡により精造されうる。ジ
シロキサンおよび(または)環式トリシ。
ロック8−メルカプトェチルプロピルポリシロキサンま
たはメチルジェトキシシリル末端ブロックBーメルカプ
トプチルメチルポロシロキサン、モノヒドロキシ末端ブ
ロック8ーメルカプトエチルメチルポリシロキサン、ジ
ヒドロキシ末端ブ。ツクジメチルポリシロキサン、ジェ
トキシ末端ブロックジメチルポリシロキサンである。こ
れらポリシ。キサンは、トリアルキルアルコキシシラン
とチオール含有オルガノポリシロキサンとの共加水分解
および縮合によるか、または環式チオール含有オルガノ
ポリシロキサンとケイ素原子を含有する支配的にケイ素
結合したァルコキシ基との平衡により精造されうる。ジ
シロキサンおよび(または)環式トリシ。
キサンと共に最初の反応材料の1つとして使用しうるそ
の他のヒドロキシおよび(または)ヒドロカルボンオキ
シ・ケイ素化合物は米国特許第3655713号に開示
されているシラシクロベンタンチオール化合物である。
の他のヒドロキシおよび(または)ヒドロカルボンオキ
シ・ケイ素化合物は米国特許第3655713号に開示
されているシラシクロベンタンチオール化合物である。
適当なシロキサンの、例はジシロキサンたとえばへキサ
メチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキ
サプロピルジシロキサン、ヘキサオクチルジシロキサン
、ジー(3−メルカプトプ。
メチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキ
サプロピルジシロキサン、ヘキサオクチルジシロキサン
、ジー(3−メルカプトプ。
ピル)テトラメチルジシロキサン等々である。本発明で
使用しうる環式シロキサンの例はへキサメチルシクロト
リシロキサン、ヘキサエチルトリシロキサン、ヘキサフ
エニルトリシロキサン、ヘキサブチルトリシロキサン、
ヘキサオクチルトリシロキサン、1,2,3ートリメチ
ルー1,2,3ートリフェニルシクロトリシロキサン類
等々である。本発明の組成物は、ジシロキサンおよび(
または)ヒドロキシおよび(または)ヒドロカルボンオ
キシ含有またはシロオキサンの間の反応に酸触媒の存在
下で環式トリシロキサンを以つて作用させる(これら化
合物の少なくとも1つはチオールを含有する)ことによ
り製造される。
使用しうる環式シロキサンの例はへキサメチルシクロト
リシロキサン、ヘキサエチルトリシロキサン、ヘキサフ
エニルトリシロキサン、ヘキサブチルトリシロキサン、
ヘキサオクチルトリシロキサン、1,2,3ートリメチ
ルー1,2,3ートリフェニルシクロトリシロキサン類
等々である。本発明の組成物は、ジシロキサンおよび(
または)ヒドロキシおよび(または)ヒドロカルボンオ
キシ含有またはシロオキサンの間の反応に酸触媒の存在
下で環式トリシロキサンを以つて作用させる(これら化
合物の少なくとも1つはチオールを含有する)ことによ
り製造される。
反応に作用させるのに使用されうる触媒は酸性白土およ
び有機機、無機酸で、pK値1.0以下、より好適には
水溶液中0.7以下のものである。
び有機機、無機酸で、pK値1.0以下、より好適には
水溶液中0.7以下のものである。
使用しうる適当な酸触媒はペンゾスルホン酸、パラ−ト
ルヱンスルホン酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、過塩素酸、塩
酸ならびにフィルトロール蛇.13およびM.24とし
てフイルトロール・コーポレイシヨンから販売されてい
る酸性白土である。触媒の量は臨界的ではないが、反応
材料すなわちシランとシロキサンの総重量に対し約0.
003%から約10%重量までをチオ官能組成物を作る
反応中に使用することが好ましい。これより多量を使用
してもよいが、本発明の意図は生成する組成物の官能性
を変えることのない触媒系を堤供することにある。一般
に、反応が完了した後は、触媒の存在が生成重合体の性
質に有害に作用することがあるから、触媒を除去または
破壊することが望ましい。
ルヱンスルホン酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、過塩素酸、塩
酸ならびにフィルトロール蛇.13およびM.24とし
てフイルトロール・コーポレイシヨンから販売されてい
る酸性白土である。触媒の量は臨界的ではないが、反応
材料すなわちシランとシロキサンの総重量に対し約0.
003%から約10%重量までをチオ官能組成物を作る
反応中に使用することが好ましい。これより多量を使用
してもよいが、本発明の意図は生成する組成物の官能性
を変えることのない触媒系を堤供することにある。一般
に、反応が完了した後は、触媒の存在が生成重合体の性
質に有害に作用することがあるから、触媒を除去または
破壊することが望ましい。
触媒の除去は、たとえば水で洗うことによりなしうるし
、また塩基性試薬で中和することにより破壊しうる。さ
らに、或る触媒、たとえば酸性白土は反応混合物を炉適
することにより破壊しうる。反応は約25qoから約2
00℃までの範囲の温度で0.虫時間から数日間の期間
にわたり、所望により炭化水素溶剤の存在下で導きうる
。或る条件の下では、たとえば無水酸触媒を使用したと
きなどは、反応を行なうため触媒量のプロトン化合物が
要求される。プロトン化合物の語は、反応性水素をもつ
化合物、たとえばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノールなどのようなアルコールおよび水を意味
する。フ。。トン化合物の量は臨界的でなく、シランお
よびシロキサンの総重量に対し約0.0001〜約10
%の範囲でよい。反応は溶剤なしでも導きうるが、溶剤
を用いるならシランおよびシ。キサンの重量に対し約1
〜50%で用いることができる。適当な炭化水素溶剤の
例ではへブタン、ベンゼン、トルヱン、キシレン等々で
ある。さらに、反応は不活性雰囲気内で導くのが好まし
い。本発明のチオ官能性オルガノポリシロキサンは金属
保護剤として、および金属基質上の雛型剤として使用さ
れうる。
、また塩基性試薬で中和することにより破壊しうる。さ
らに、或る触媒、たとえば酸性白土は反応混合物を炉適
することにより破壊しうる。反応は約25qoから約2
00℃までの範囲の温度で0.虫時間から数日間の期間
にわたり、所望により炭化水素溶剤の存在下で導きうる
。或る条件の下では、たとえば無水酸触媒を使用したと
きなどは、反応を行なうため触媒量のプロトン化合物が
要求される。プロトン化合物の語は、反応性水素をもつ
化合物、たとえばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノールなどのようなアルコールおよび水を意味
する。フ。。トン化合物の量は臨界的でなく、シランお
よびシロキサンの総重量に対し約0.0001〜約10
%の範囲でよい。反応は溶剤なしでも導きうるが、溶剤
を用いるならシランおよびシ。キサンの重量に対し約1
〜50%で用いることができる。適当な炭化水素溶剤の
例ではへブタン、ベンゼン、トルヱン、キシレン等々で
ある。さらに、反応は不活性雰囲気内で導くのが好まし
い。本発明のチオ官能性オルガノポリシロキサンは金属
保護剤として、および金属基質上の雛型剤として使用さ
れうる。
これら組成物は金属表面にその腐蝕および高温酸化に対
する抵抗を改善するため適用されうる。同じくこれら組
成物はポリウレタンなどのような物質の被覆材としてお
よび雛型剤として有効である。以下に本発明の実施例を
示す。
する抵抗を改善するため適用されうる。同じくこれら組
成物はポリウレタンなどのような物質の被覆材としてお
よび雛型剤として有効である。以下に本発明の実施例を
示す。
すべての部は特に断らない限り重量による。例1
70q Cに加熱したへキサメチルシクロトリシロキサ
ン12.76部を含有する反応容器に3−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン28.2部、水0.5部およ
び酸性白土(前記フィルトロールM.13)25.5部
を添加する。
ン12.76部を含有する反応容器に3−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン28.2部、水0.5部およ
び酸性白土(前記フィルトロールM.13)25.5部
を添加する。
容器を10000に加熱し、この温度に3時間維持する
。ついで容器内容物を6000に冷やし、炉過する。揮
発分は20000、1メートル以下で8.0時間で留去
される。澄んだ透明な液が得られ、粘度は260で10
比sである。核磁気共鳴分折で、生成物はCH30:H
SC3比:Si(CH3)2のモル比3:1:100で
あることが示される。生成物のSH含量は約0.43%
である。産出した組成物を銅基質に適用し、被覆された
基質についでヱポキシカル・ウレタンNo.1850フ
オーム“B”PaK(U.S.ジプサムより発売)の層
を適用する。
。ついで容器内容物を6000に冷やし、炉過する。揮
発分は20000、1メートル以下で8.0時間で留去
される。澄んだ透明な液が得られ、粘度は260で10
比sである。核磁気共鳴分折で、生成物はCH30:H
SC3比:Si(CH3)2のモル比3:1:100で
あることが示される。生成物のSH含量は約0.43%
である。産出した組成物を銅基質に適用し、被覆された
基質についでヱポキシカル・ウレタンNo.1850フ
オーム“B”PaK(U.S.ジプサムより発売)の層
を適用する。
基質とウレタン層の間にすぐれた雛型が行なわれる。上
記で製造されたチオ官能性ポリシロキサンの代りにトリ
メチルシリル末端ブロックジメチルポリシロキサンを用
いる場合は、ウレタン層が被覆した銅基質に粘着する。
記で製造されたチオ官能性ポリシロキサンの代りにトリ
メチルシリル末端ブロックジメチルポリシロキサンを用
いる場合は、ウレタン層が被覆した銅基質に粘着する。
例2
3−メルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに2
−メルカプトェチルトリェトキシシラン(2500で3
5比s)31部を使用すること以外は例1の方法を繰返
す。
−メルカプトェチルトリェトキシシラン(2500で3
5比s)31部を使用すること以外は例1の方法を繰返
す。
この結果の生成物の粘度は2500で9技sである。核
磁気共鳴分析によりC2日50:HSC2日5:Si(
CH3)2の比は3:1:96であることが示される。
生成物中のSHの%は約0.41%である。この生成物
は、銅基質とポリウレタン層との間の雛型剤として銅基
質に適用したとき、すぐれた雛型性を示す。
磁気共鳴分析によりC2日50:HSC2日5:Si(
CH3)2の比は3:1:96であることが示される。
生成物中のSHの%は約0.41%である。この生成物
は、銅基質とポリウレタン層との間の雛型剤として銅基
質に適用したとき、すぐれた雛型性を示す。
例33−メルカプトプロピルトリメトキシシランの代り
にW−メルカプトアミトリェトキシシラン紙.3部を用
いる以外、例1の方法を繰返す。
にW−メルカプトアミトリェトキシシラン紙.3部を用
いる以外、例1の方法を繰返す。
得られた生成物の粘度は25qoで9&sである。核磁
気共鳴分析によりC2虫○:HSC5日,o:Sj(C
H3)2の比は2.95:1:97であることが示され
る。生成物中のSH%は約0.4%である。例4 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシランの代りにW
ーメルカプトデシルトリェトキシシラン48.3部を用
いる以外、例1の方法を繰返す。
気共鳴分析によりC2虫○:HSC5日,o:Sj(C
H3)2の比は2.95:1:97であることが示され
る。生成物中のSH%は約0.4%である。例4 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシランの代りにW
ーメルカプトデシルトリェトキシシラン48.3部を用
いる以外、例1の方法を繰返す。
得られた生成物の粘度は25q0で101csである。
核磁気共鳴分析によりC2比○:HSC,oH幻:Si
(CH3)2の比は2.9:1:102であることが示
される。生成物中のSH%は約0.39%である。例5 3−メルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに2
一(トリェトキシシリル)エチルブチルチオェーテル4
0.2部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
核磁気共鳴分析によりC2比○:HSC,oH幻:Si
(CH3)2の比は2.9:1:102であることが示
される。生成物中のSH%は約0.39%である。例5 3−メルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに2
一(トリェトキシシリル)エチルブチルチオェーテル4
0.2部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
得られた生成物の粘度は25℃で10比sである。核磁
気共鳴分析によりCH20:SC比:Si(CH3)2
の比は1.3:1:50であることが示される。例6 3−メルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに3
一(トリメトキシシリル)プロピルフェニルチオエーテ
ル39.2部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
気共鳴分析によりCH20:SC比:Si(CH3)2
の比は1.3:1:50であることが示される。例6 3−メルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに3
一(トリメトキシシリル)プロピルフェニルチオエーテ
ル39.2部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
得られた生成物の粘度は25ooで9$sである。核磁
気共鳴分析によりC6QC日30:SCH2:Si(C
H3)2の比は1:3:1:96であることが示される
。例7 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに2
一(メチルジェトキシシリル)エチルフェニルチオェー
テル38.8部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
気共鳴分析によりC6QC日30:SCH2:Si(C
H3)2の比は1:3:1:96であることが示される
。例7 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに2
一(メチルジェトキシシリル)エチルフェニルチオェー
テル38.8部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
得られた生成物の粘度は25qoで9枕sである。核磁
気共鳴分析によりC6日5:CQO:SCH2:Si(
CH3)2の比は1:2.9:1:96である。例8 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに式 の化合物23部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
気共鳴分析によりC6日5:CQO:SCH2:Si(
CH3)2の比は1:2.9:1:96である。例8 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシランの代りに式 の化合物23部を用いる以外、例1の方法を繰返す。
得られた生成物の粘度は25℃で10比sである。核磁
気共鳴分析によりC広○:HSCH:Si(CH3)2
の比は1:1:97.5であることが示される。生成物
のSH舎量は約0.42%である。例970qoに加熱
されたへキサメチルシクロトリシロキサン11i碇郡を
含有する反応容器にを141部、水0.5部「 および
前記酸性白土25部を添加する。
気共鳴分析によりC広○:HSCH:Si(CH3)2
の比は1:1:97.5であることが示される。生成物
のSH舎量は約0.42%である。例970qoに加熱
されたへキサメチルシクロトリシロキサン11i碇郡を
含有する反応容器にを141部、水0.5部「 および
前記酸性白土25部を添加する。
容器を100qoに加熱し、3時間維持する。ついで容
器内容物を60o0に冷やし、炉過する。揮発分は20
0℃、1トール以下で4時間かけて留去される。澄んだ
透明な液が得られ、粘度は25qoで3比sである。核
磁気共鳴分析によりHSC3日6:Si(CH3)2の
モル比は1:12であることが示される。生成物のSH
含量は約3.0%である。例 10 1〆反応容器にへキサメチルシクロトリシロキサン27
7部とトルェン25部を添加する。
器内容物を60o0に冷やし、炉過する。揮発分は20
0℃、1トール以下で4時間かけて留去される。澄んだ
透明な液が得られ、粘度は25qoで3比sである。核
磁気共鳴分析によりHSC3日6:Si(CH3)2の
モル比は1:12であることが示される。生成物のSH
含量は約3.0%である。例 10 1〆反応容器にへキサメチルシクロトリシロキサン27
7部とトルェン25部を添加する。
容器を70℃に加熱し、ついで2−メルカプトェチルト
リェトキシシラン19.碇部、水14部、ヘキサメチル
ジシロキサン1碇部および前記酸性白土6部を容器に加
える。反応諸材料を還流温度に加熱し、水とエタノール
を約155ooの容器温度にまで共雛留去する。ついで
反応諸材料を室温に冷やし、触媒を炉過により除去する
。ついで揮発分を190q○、1トール以下で3時間か
けて留去する。約212部の清澄液状生成物が得られ、
粘度は25℃で44.1csである。
リェトキシシラン19.碇部、水14部、ヘキサメチル
ジシロキサン1碇部および前記酸性白土6部を容器に加
える。反応諸材料を還流温度に加熱し、水とエタノール
を約155ooの容器温度にまで共雛留去する。ついで
反応諸材料を室温に冷やし、触媒を炉過により除去する
。ついで揮発分を190q○、1トール以下で3時間か
けて留去する。約212部の清澄液状生成物が得られ、
粘度は25℃で44.1csである。
核磁気共鳴分析により、C2は○:HSC2A:Si(
CH3)2のモル比は1:1:私.8であることが示さ
れる。生成物のSH含童は0.77%である。約20.
8部の水−エタノール共雛混合物が得られ、これは分析
の結果エタノール7.3部、水10.5部およびトルェ
ン2.8部から成っていた。約払.あ部の揮発分がスト
リッピングで除去される。例11 2−メルカブトヱチルトリェトキシシランの代りに3ー
メルカプトプロピルトリメトキシシラン16.7部を用
いる以外、例10の手続を繰返す。
CH3)2のモル比は1:1:私.8であることが示さ
れる。生成物のSH含童は0.77%である。約20.
8部の水−エタノール共雛混合物が得られ、これは分析
の結果エタノール7.3部、水10.5部およびトルェ
ン2.8部から成っていた。約払.あ部の揮発分がスト
リッピングで除去される。例11 2−メルカブトヱチルトリェトキシシランの代りに3ー
メルカプトプロピルトリメトキシシラン16.7部を用
いる以外、例10の手続を繰返す。
約196.3部の澄んだ液状生成物(粘度25q0で1
1&s)が得られる。核磁気共鳴分析によりHSC3日
6:Si(C&)2のモル比は1:42であることが示
される。例 12 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシラン16.7部
と濃硫酸1部を用いる以外は例ioの手続を繰返す。
1&s)が得られる。核磁気共鳴分析によりHSC3日
6:Si(C&)2のモル比は1:42であることが示
される。例 12 3ーメルカプトプロピルトリメトキシシラン16.7部
と濃硫酸1部を用いる以外は例ioの手続を繰返す。
また水は用いない。触媒は10.の部の重炭酸ナトリウ
ムで中和する。や)濁った液体が得られ、これを2回炉
遇した後の粘度は2500で15比sである。核磁気共
鳴分析によりHSC3日6:Si(CH3)2のモル比
は1.0:33.3であることを示される。生成物のS
H舎量は約0.66%である。例 13硫酸の代りに濃
硝酸1部を用いる以外、例12の手続を繰返す。
ムで中和する。や)濁った液体が得られ、これを2回炉
遇した後の粘度は2500で15比sである。核磁気共
鳴分析によりHSC3日6:Si(CH3)2のモル比
は1.0:33.3であることを示される。生成物のS
H舎量は約0.66%である。例 13硫酸の代りに濃
硝酸1部を用いる以外、例12の手続を繰返す。
約170部の濁った液が回収され、粘度は25o0で4
1枕sである。核磁気共鳴分析によりCH30:HSC
3日6:Si(CH3)2のモル比が1.0:1.0:
52であることが示された。この生成物のSH含量は約
0.5%である。例 14 硫酸の代りにパラートルェンスルホン酸1.0部を用い
る以外、例12の手続を繰返す。
1枕sである。核磁気共鳴分析によりCH30:HSC
3日6:Si(CH3)2のモル比が1.0:1.0:
52であることが示された。この生成物のSH含量は約
0.5%である。例 14 硫酸の代りにパラートルェンスルホン酸1.0部を用い
る以外、例12の手続を繰返す。
や)濁った液約184部が回収され、2500で364
csの粘度である。核磁気共鳴分析によりCH30:H
SC3日6:Si(CH3)2のモル比が0.56:1
.0:42であることが示された。この生成物のSH舎
量は約0.96%である。例 15 硫酸の代りに濃過塩素酸1部を用いる以外例12の手続
を繰返す。
csの粘度である。核磁気共鳴分析によりCH30:H
SC3日6:Si(CH3)2のモル比が0.56:1
.0:42であることが示された。この生成物のSH舎
量は約0.96%である。例 15 硫酸の代りに濃過塩素酸1部を用いる以外例12の手続
を繰返す。
約207部の褐色透明な液が回収され、粘度は25℃で
26&sである。核磁気共鳴分析によりCH30:HS
C3日6:Si(C比)2のモル比が0.27:1.0
:51.5であることが示された。この生成物のSH含
量は約0.78%である。例 16 硫酸の代りに濃塩酸2部を用いる以外、例12の手続を
繰返す。
26&sである。核磁気共鳴分析によりCH30:HS
C3日6:Si(C比)2のモル比が0.27:1.0
:51.5であることが示された。この生成物のSH含
量は約0.78%である。例 16 硫酸の代りに濃塩酸2部を用いる以外、例12の手続を
繰返す。
約153.8部の透明液が回収され、粘度は25q0で
約59.1csである。核磁気共鳴分析によりCH30
:HSC3日6:Si(CH3)2のモル比が0.95
:1.0:38.5であることが示された。この生成物
のSH含量は約0.72%である。例 17 硫酸の代りに5.6部のフィルトロールNo.24(フ
ィルトロール・コーポレイションの酸性白土)を用い、
0.5部の水を使用する以外、例12の手続を繰返す。
約59.1csである。核磁気共鳴分析によりCH30
:HSC3日6:Si(CH3)2のモル比が0.95
:1.0:38.5であることが示された。この生成物
のSH含量は約0.72%である。例 17 硫酸の代りに5.6部のフィルトロールNo.24(フ
ィルトロール・コーポレイションの酸性白土)を用い、
0.5部の水を使用する以外、例12の手続を繰返す。
約97部の透明液が回収され、粘度は25午Cで10次
sである。核磁気共鳴分析は、HSC3HB:Si(C
H3)2のモル比1:35.6であることを示す。生成
物のSH含量は約0.67%である。例18 例10の比較として、1その反応容器にオクタメチルシ
クロテトラシロキサン277部、トルェン25部、2−
メルカプトェチルトリェトキシシラン19部、水14部
、ヘキサメチルジシロキサン1碇部、および酸性白土(
フィルトロールNo.13)6部を入れる。
sである。核磁気共鳴分析は、HSC3HB:Si(C
H3)2のモル比1:35.6であることを示す。生成
物のSH含量は約0.67%である。例18 例10の比較として、1その反応容器にオクタメチルシ
クロテトラシロキサン277部、トルェン25部、2−
メルカプトェチルトリェトキシシラン19部、水14部
、ヘキサメチルジシロキサン1碇部、および酸性白土(
フィルトロールNo.13)6部を入れる。
反応系を還流温度に加熱し、水とエタノールを共穣蒸留
し、ディーン・スターク・ヘッド‘こ集める。
し、ディーン・スターク・ヘッド‘こ集める。
反応系は3日間還流し、1日ごとに試料を取り出し、揮
発分を除去する。3日後、反応容器の中味はまだ揮発性
で、何ら反応が生じていないことが示された。
発分を除去する。3日後、反応容器の中味はまだ揮発性
で、何ら反応が生じていないことが示された。
例 19
70oCに加熱したへキサメチルシクロトリシロキサン
1276部を含有する反応容器に水0.5部と式により
示されるメルカプト官能性シロキサン3灘.5部と酸性
白土(フィルトロール舷.13)25部を添加する。
1276部を含有する反応容器に水0.5部と式により
示されるメルカプト官能性シロキサン3灘.5部と酸性
白土(フィルトロール舷.13)25部を添加する。
容器を10000に加熱し「 この温度に3時間維持す
る。容器内容物をついで60℃に冷やし「炉過する。揮
発分は185oo、1トール以下で3時間かけて留適す
る。澄んだ透明液が得られ、これは大気に当てるとガム
状組成物に硬化する。核磁気共鳴分析は、C比○:HS
C3日6:Si(CH3)2のモル比が0.19:1.
0:5.0であることを示す。生成物のSH含量は約6
.0%である。例 20 2そ容器にへキサメチルシクロトリシロキサン100碇
部、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン35.
4部および30岬で1斑時間乾燥してある酸性白士(フ
ィルト。
る。容器内容物をついで60℃に冷やし「炉過する。揮
発分は185oo、1トール以下で3時間かけて留適す
る。澄んだ透明液が得られ、これは大気に当てるとガム
状組成物に硬化する。核磁気共鳴分析は、C比○:HS
C3日6:Si(CH3)2のモル比が0.19:1.
0:5.0であることを示す。生成物のSH含量は約6
.0%である。例 20 2そ容器にへキサメチルシクロトリシロキサン100碇
部、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン35.
4部および30岬で1斑時間乾燥してある酸性白士(フ
ィルト。
−ル柚.13)20.7部を入れる。反応系を3時間1
00q0に加熱する。3時間後、試料を取り出す。
00q0に加熱する。3時間後、試料を取り出す。
全試料は室温で硬化したが、これは融点64.5q○の
へキサメチルシクロトリシロキサンが重合しなかったこ
とを示す。この反応容器に約2部の水を入れ、反応系を
3時間100q0に加熱する。系を室温に冷やし、触媒
を炉週により除去する。揮発分を真空ストリッピングに
より除去すると約58安部の澄んだ液が得られる。生成
物の粘度は25qCで84Xsで、核磁気共鳴分析によ
りCH30:HSC3は:Sj(CH3)2の比は1:
1:35である。この例は反応を行なうのにプロトン化
合物が必要であることを示す。例 21 5夕の容器にへキサメチルシクロトリシロキサン220
碇郡、トルエン15碇郡および1,3−ジ(3ーメルカ
プトプロピル)テトラメチルジシロキサンを入れる。
へキサメチルシクロトリシロキサンが重合しなかったこ
とを示す。この反応容器に約2部の水を入れ、反応系を
3時間100q0に加熱する。系を室温に冷やし、触媒
を炉週により除去する。揮発分を真空ストリッピングに
より除去すると約58安部の澄んだ液が得られる。生成
物の粘度は25qCで84Xsで、核磁気共鳴分析によ
りCH30:HSC3は:Sj(CH3)2の比は1:
1:35である。この例は反応を行なうのにプロトン化
合物が必要であることを示す。例 21 5夕の容器にへキサメチルシクロトリシロキサン220
碇郡、トルエン15碇郡および1,3−ジ(3ーメルカ
プトプロピル)テトラメチルジシロキサンを入れる。
系を70午0に加熱し、容器に3ーメルカプトプ。ピル
メチルジメトキシシラン9碇郡、水9碇部および酸性白
土(フィルトロール船.13)5の都を入れる。系を3
時間100℃に加熱する。3時間後、系を60qoに冷
やし、炉過する。
メチルジメトキシシラン9碇郡、水9碇部および酸性白
土(フィルトロール船.13)5の都を入れる。系を3
時間100℃に加熱する。3時間後、系を60qoに冷
やし、炉過する。
揮発分は18.5℃、1トール以下で4.畑時間留去す
る。澄んだ透明液が得られ、粘度は25qoで6比sで
ある。核磁気共鳴分析はHSC3日6:Si(CH3)
2のモル比が1:16.5であることを示す。生成物の
SH含量は約2.1%である。例 22 ジメチルメトキシシラン6礎部と水1部を用いる以外〜
例21の手続を繰返す。
る。澄んだ透明液が得られ、粘度は25qoで6比sで
ある。核磁気共鳴分析はHSC3日6:Si(CH3)
2のモル比が1:16.5であることを示す。生成物の
SH含量は約2.1%である。例 22 ジメチルメトキシシラン6礎部と水1部を用いる以外〜
例21の手続を繰返す。
澄んだ透明液が得られ、粘度は2500で3比sである
。核磁気共鳴分析はC松○;HSC3日6;Si(C&
)2のモル比が2:1.0:30であることを示す。生
成物のSH含量は約1.4%である。上記諸例の反応は
大気圧(約760側Hg)で導かれたがふ反応は大気圧
以上で導いてもよい。
。核磁気共鳴分析はC松○;HSC3日6;Si(C&
)2のモル比が2:1.0:30であることを示す。生
成物のSH含量は約1.4%である。上記諸例の反応は
大気圧(約760側Hg)で導かれたがふ反応は大気圧
以上で導いてもよい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 pK値1.0以下の触媒存在下で、環式トリシロキ
サンを下記(1)式のシランおよび(2)式のシロキサ
ンより成る群から選ばれたケイ素化合物と反応させるこ
とから成り、(1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (2)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで、環式トリシロキサンまたはケイ素化合物は少な
くとも1つのチオール基を含有し、Rは一価炭化水素基
およびハロゲン化一価炭化水素基(各々炭素原子数1〜
18)より成る群から選ばれ、MはR′(SR′″)_
yおよび▲数式、化学式、表等があります▼ より成る群から選ばれ、R′は脂肪族不飽和結合を含ま
ず炭素原子数1〜18を有する置換および未置換の二価
、三価および四価の炭化水素基、炭化水素エーテル、炭
化水素チオエーテル、炭化水素エステル、ならびにR′
がケイ素−炭素結合を通じてケイ素についている炭化水
素チオエステル基より成る群から選ばれ、R″は水素お
よび炭素原子数1〜18の一価炭化水素基より成る群か
ら選ばれ、R′″はR″と式R″″Xにより表わされる
基とより成る群から選ばれ、Xは▲数式、化学式、表等
があります▼ および シアノアルキル基より成る群から選ばれ、R″″は脂肪
族不飽和結合を含まず炭素原子数1〜18を有する二価
炭化水素基であり、Yは▲数式、化学式、表等がありま
す▼ RC =0および ▲数式、化学式、表等があります▼ (RおよびR″は上記と同じ) より成る群から選ばれ、bは0〜3の数、cは0〜3の
数であり、b+cの和は3までの数、dは0〜2の数、
eは1〜3の数、mとnは各々0〜999の数に等しく
m+nの和は少なくとも1,yは1〜3の数であるとこ
ろのチオ官能性ポリシロキサン重合体の製法。 2 環式トリシロキサンが式 M_aR_6_−_aSi_3O_3 〔ここでRは一価炭化水素基およびハロゲン化一価炭化
水素基(各々炭素原子数1〜18)より成る群から選ば
れ、aは0〜6の数、MはR′(SR′″)_yおよび
▲数式、化学式、表等があります▼より成る群から選ば
れたので、R′は脂肪族不飽和結合を含まず炭素原子数
1〜18を、有する置換おむび未置換の二価、三価およ
び四価の炭化水素基、炭化水素エーテル、炭化水素チオ
エーテル、炭化水素エステルならびにR′がケイ素−炭
素結合を通じてケイ素についている炭化水素チオエステ
ル基より成る群から選ばれ、R′″は水素、炭素原子数
1〜18の一価炭化水素基および式R″″Xにより表わ
される基より成る群から選ばれ、Xは▲数式、化学式、
表等があります▼および シアノアルキル基より成る群から選ばれた基、R″″は
炭素原子数1〜18で脂肪族不飽和結合を含まない二価
炭化水素基であり、yは1〜3の数である。 〕により示される特許請求の範囲第1項記載の製法。 3 反応が炭化水素溶剤の存在下で導かれる特許請求の
範囲第1項記載の製法。 4 溶剤がトルエンである特許請求の範囲第3項記載の
製法。 5 反応が200℃までの温度で導かれる特許請求の範
囲第1項記載の製法。 6 反応がプロトン化合物の存在下で導かれる特許請求
の範囲第1項記載の製法。 7 プロトン化合物が水である特許請求の範囲第6項記
載の製法。 8 プロトン化合物がアルコールである特許請求の範囲
第6項記載の製法。 9 環式トリシロキサンがヘキサメチルシクロトリシロ
キサンである特許請求の範囲第1項記載の製法。 10 ケイ素化合物がメルカプトアルキルトリヒドロカ
ルボンオキシシランである特許請求の範囲第1項記載の
製法。 11 ケイ素化合物がメルカプトアルキルトリアルコキ
シシランである特許請求の範囲第10項記載の製法。 12 ケイ素化合物がβ−メルカプトエチルトリエトキ
シシランである特許請求の範囲第10項記載の製法。 13 ケイ素化合物がメルカプトアルキルトリアルコキ
シシランである特許請求の範囲第10項記載の製法。 14 ケイ素化合物がチオエーテルアルキルトリアルコ
キシシランである特許請求の範囲第1項記載の製法。 15 ケイ素化合物がチオール含有シランの加水分解よ
り得られる特許請求の範囲第1項記載の製法。 16 ケイ素化合物が3−メルカプトプロピルトリメト
キシシランの加水分解から得られる特許請求の範囲第1
5項記載の製法。 17 ケイ素化合物β−メルカプトエチルトリエトキシ
シランの加水分解から得られる特許請求の範囲第15項
記載の製法。 18 pK値1.0以下の触媒存在下で、環式トリシロ
キサンとオルガノジシロキサンとを含有する混合物を、
下記(1)式のシランおよび(2)式のシロキサンより
成る群から選ばれたケイ素化合物と反応させることから
成り、(1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (2)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで、環式トリシロキサンまたはジシロキサン、また
はケイ素化合物は少なくとも1つのチオール基を含有し
、Rは一価炭化水素基およびハロゲン化一価炭化水素基
(各々炭素原子数1〜18)より成る群から選ばれ、M
はR′(SR′″)_yおよび▲数式、化学式、表等が
あります▼より成る群から選ばれ、ここでR′は脂肪族
不飽和結合を含まず炭素原子数1〜18の置換および未
置換の二価、三価および四価の炭化水素基。 炭化水素エーテル、炭化水素チオエーテル、炭化水素エ
ステル、ならびにR′がケイ素−炭素結合を通じてケイ
素についている炭化水素チオエステル基より成る群から
選ばれ、R″は水素および炭素原子数1〜18の一価炭
化水素基より成る群から選ばれ、R′″はR″と式R″
″Xにより表わされる基とより成る群から選ばれ、Xは
▲数式、化学式、表等があります▼ および シアノアルキル基より成る群から選ばれ、R″″は脂肪
族不飽和結合を含まず炭素原子数1〜18の二価炭化水
素基であり、Yは▲数式、化学式、表等があります▼ RC=0お よび ▲数式、化学式、表等があります▼ (RおよびR″は上記と同じ) より成る群から選ばれ、bは0〜3の数、cは0〜3の
数で、b+cの和は3までの数、dは0〜2の数、eは
1〜3の数、mとnは各々0〜999の数に等しくm+
nの和は少なくとも1,yは1〜3の数であるところの
チオ官能性ポリシロキサン重合体の製法。 19 オルガノジシロキサンが式 M_aR_(_6_−_a_)Si_2O〔ここでRは
一価炭化水素基およびハロゲン化一価炭化水素基(各々
炭素原子数1〜18)より成る群から選ばれ、aは0〜
6の数、MはR′(SR′″)_yおよび▲数式、化学
式、表等があります▼より成る群から選ばれたもので、
R′は脂肪族不飽和結合を含まず炭素原子数1〜18を
有する置換および未置換の二価、三価および四価の炭化
水素基、炭化水素エーテル、炭化水素チオエーテル、炭
化水素エステルならびにR′がケイ素−−炭素結合を通
じてケイ素原子についている炭化水素チオエステル基よ
り成る群から選ばれ、R′″は水素、炭素原子数1〜1
8の一価炭化水素基および式R″″Xにより表わされる
基より成る群から選ばれ、Xは▲数式、化学式、表等が
あります▼ および シアノアルキル基より成る群から選ばれた基、R″″は
脂肪族不飽和結合を含まず炭素原子数1〜18を有する
二価炭化水素基であり、yは1〜3の数である。 〕により示される特許請求の範囲第18項記載の製法。 20 オルガノジシロキサンがヘキサメチルジシロキサ
ンである特許請求の範囲第18項記載の製法。 21 ジシロキサンがジ(3−メルカプトプロピル)テ
トラメチルジシロキサンである特許請求の範囲第18項
記載の製法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US630475 | 1975-11-10 | ||
US05/630,475 US4046795A (en) | 1975-11-10 | 1975-11-10 | Process for preparing thiofunctional polysiloxane polymers |
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---|---|
JPS5260900A JPS5260900A (en) | 1977-05-19 |
JPS6035934B2 true JPS6035934B2 (ja) | 1985-08-17 |
Family
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---|---|
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CA (1) | CA1091382A (ja) |
DE (1) | DE2649854C2 (ja) |
FR (1) | FR2330715A1 (ja) |
GB (1) | GB1570779A (ja) |
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