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JPS60257450A - マスクパターン結像装置 - Google Patents

マスクパターン結像装置

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Publication number
JPS60257450A
JPS60257450A JP60111389A JP11138985A JPS60257450A JP S60257450 A JPS60257450 A JP S60257450A JP 60111389 A JP60111389 A JP 60111389A JP 11138985 A JP11138985 A JP 11138985A JP S60257450 A JPS60257450 A JP S60257450A
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JP
Japan
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substrate
alignment
radiation
mask pattern
detector
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Application number
JP60111389A
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English (en)
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JP2575621B2 (ja
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ヤン・エバート・フアン・デル・ウエルフ
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS60257450A publication Critical patent/JPS60257450A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2575621B2 publication Critical patent/JP2575621B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ムと、基板上の整合マークをマスク内の整合マークと整
合させる光学的微細整合ンスデムとを具えでなる基板」
、一、のマスクパターン結像装置であって、さらに基板
を予備的に整合させる予備整合ステーションと、該基板
をその予備整合を乱すことなく前記投影力ラムの下側の
位置に移送する移送手段とを具えてなるマスクパターン
結像装置に関するものである。
かかる装置は、半導体基板上に集積回路(IC)パター
ンの縮尺像を反覆して投影するために用いられるもので
、特に、rlEE[1’ )ランス アクンヨンス オ
ン エレクトロン デバイセズj 1979年4月号、
HD−26巻、第4号、723〜728頁の論文口先学
的投写印刷のための自動整合システム」の中で述べられ
ている。この装置の精密整合システムは基板をマスクと
比較して0.1 μmのオーダーの精度をもって整合さ
せることが可能である。精密整合は全自動で且つ1ない
し2秒以内の比較的高速で行なうもので、多数の基板ウ
ェハを短時間で結像装置を通過させて露出させることが
できる。
精密整合システムの整合範囲は比較的小さく、例えば±
40μmであるから、基板の予備整合が必要となる。こ
の予備整合が基板ウニへの結像装置を通って供給される
速度の低減を来たさないようにするために、本装置は投
影力ラムの隣りに予備整合ステーションを設ける。投影
力ラムにおいて最初の基板ウェハが精密整合されまた露
出されている間に、次の基板ウェハを予備整合スデーン
ヨンで予備整合させることができ、従って原則として2
つの工程が同時に行われる。
予備整合は顕微鏡によって行なうことができ、顕微鏡は
基板ウェハが装置内で十字線のような固゛定基孕マーク
と比較して正しい位置にあるかどうかを確認する。この
ようにして見出された位置上の誤差は、ウェハの位置を
手動で調整し修正する。
この非自動的予備整合は比較的長時間を要し、また作業
者の大なる熟練を必要とする。
基板用テーブルが基板ウェハの位置決めをするだめの停
止手段を備えていると、自動的予備整合かり能である。
しかし基板ウェハの辺縁は必ずしも輪郭が明確に定めら
れていないから、要求される予(#1)整合精度か得ら
れず、その結果、精密整合システムによる基板ウェハの
整合が不正確になるという問題に逢着する。
本発明は予備整合を自動的に且つ極めて正確に行いうる
結像装置を提供することを目的とするものである。その
ために木発すによる装置では、予備整合ステーションは
、基板上の2個の整合マークを2個の複合放射線感応検
出器」二にA4像さぜる2個の光学システムを具え、各
検出器の副検出器の複合出力信号を対応する整合マーク
の検出器に対する整合の尺度とすることを特徴とずろ。
本発明は、投影カラム内における精密整合のだめの整合
マークが投影カラム外における予備整合の目的に対して
も極めて好適であるという事実の発見に基づいて得られ
たものである。2つの整合マークと2個の複合検出器と
を用いるので、マーク自体を2つの互いに直角な方向に
予備整合させることか可能であるのみならず、整合マー
クの中心を結ぶ線の方向を確定することすなわち角度整
合を行なうことができる。
同一の整合マークを精密整合と予備整合とに使用するこ
と自体は、ドイツ特許願第3.235.247号によっ
て知られている。しかしながら、このドイツ特許願第3
.234.247号による装置においては、予備整合は
投影カラムで行うもので、別の予備整合ステ=ンヨンで
行うものではない。さらに、」1記装置は、同一の光学
的/ステムを精密整合と予備整合とに用い、これら2つ
の形式の整合に対する検出信号の作用のみを異にするも
のである。
上述のrl[EEB )ランス アクションス オンエ
レクトロン デバイセスJ 1977年4 万骨、E[
]−26°巻、第4号、723〜728頁に掲載された
前記論文に記載されているように、整合マークとして位
相格子すなわち、入射する光線の位相に影響するのみの
格子を、マスクと基板との相対整合のために使用するこ
とは極めて音別である。位相格子を有する基板を露出す
るに好適な装部は、予備整合ヌテーンヨンの2個の結像
システムが位相格子を検出器」二に振幅構造として結像
する顕微鏡によって構成する。
これらの顕微鏡は、前記文献に判り易く記載されている
位相差顕微鏡であってもよく、それによると位相物体に
よって回折されていない放射線は4分の1波長板を通過
する。この放射線は物体によって回折した放射線と干渉
し、そのために像が形成され、その像の輝度変化は物体
における位相変化を表わす。使用する放射線は高度にコ
ヒレントでなければならない。例えば白熱電灯のような
非コヒレント照射源によって発せられる放射線のほんの
小部分を利用することもできるが、そのときは、位相格
子上、つまり検出器上の放射線の量は補的で小であると
いう結果となる。代案として、レーザーを照射源に用い
ることもできる。しかしレーザーによって発せられる放
射線は、コヒレントであるとともに単色である。基板上
にマスクパターンを結像させるための装置において、単
色放射線の使用は問題を生ずる。これは集債回路、を製
作する連続した各工程中において、薄層の材料が基板上
に蒸着されることである。複数のこのような薄層は、使
用されたレーザー放射線に対して反射妨害被覆として作
用する。この場合、検出器はごく少量の放射線しか感受
しない。
予備整合光線の放射が比較的広範囲の波長域を包含する
ような本発明の好適実施態様においては、前記顕微鏡を
干渉顕微鏡とし、これらの各干渉顕微鏡は、照明システ
ムと、位相格子上に放射線スポットを形成し、また検出
器上に映像を生ずる結像レンズと、照明システムよりの
放射線ビームを2つのサフビームに分割する放射線ビー
ム分割素子とを具え、ビーム分割素子は位相格子の位置
において前記2つのザブビームが該位相格子の格子゛周
期の半分に等しい距離だけ互に離間するようこれらビー
ムを分割し、さらに位相格子によって反射したこれらサ
ブビームを結合するように動作することを特徴とする。
2本の再結合されたサブビームは相互に干渉し合うから
、格子の位相構造は振幅構造に転換される。位相格子は
検出器上で転換される。位相格子は検出器」−で明るい
点として結像され、検出器上の強度分布変化は、検出器
と比較した、位相格子すなわち基板の位詩で定められる
好ましくは、本発明による装置は前記放射線ビーム分割
素子を偏光感応性ヒーl、スプリッタとし、特定の方向
の偏光を有する放射線を位相格子に向は指向し、位相格
子で反射された放射線を検出器jこ向けて伝達する結像
レンズと、照明システムとの間に偏光感応性ビーム反射
器を配置する。
偏光感応性ヒートスプリッタはザハー板またはウオラス
トン・プリスムとする。
本発明の別の特徴によれば、前記ビーム反射器は、2つ
の隣接する波長域において動作する2つのザフ層からな
る偏光感応性ビーム反射層を含む。
複合された光束反射層は比較的広範囲の波長域に亘って
作用する。
照明/原からなるべく多くの光きなるべく少量の迷光と
が位相格子に到達することを保証するためと、検出信号
におけるノイズを抑制するために、本発明による装置は
照明システムが放射線源と、これに後続する集光レンズ
で、放射線源を結像レンズの開口内に結像する集光レン
ズと、該集光ジンクの背後に配置されているフィールド
開口とを有し、該開口は位相格子上に結像されるように
する。
本発明による装置は、低反射係数を有するビームセパレ
ータを検出器の前に配置し、位相板によって反射された
放射線の小部分をこれによって基準マークに向けて反射
し、基準マーク七該基準マーク上に重畳している2つの
位相格子の像を視認観測しうるようにした光学的手段を
具えたものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明により予備整合ステーションを装備し
た基板上へのマスクパターン結像装置を示す。
第2図は、精密整合用の基板格子マークを示す。
第3図は本発明による光学的予備整合ステーションの詳
細を示す。
第1図は基板上にマスクパターンを反復して、結像する
だめの装置を示すものである。この装置の主要部分l」
、結像されるべきパターンCを装着する投影カラムと、
マスクパターンに対し相対的に基板の位置決めをなし得
る可動の基板チーフルtlTとである。
投影カラムは、ランプ1.A、例えば水銀灯を有する照
明システムと、楕円鏡EM、インチクレークと称される
素子INと、集光レンズCOとを具え、前記素子1〜は
投射ビーム(光束)上向に均一な放射線分布を生ずる。
ビート上はマスクテーブルi、lT上に配置されたマス
クパターンCを照射する。第2番目のマスクパターンT
をマスクチーフルMTJ二に配置する。マスクテーブル
MTを軸)、(Aの周りに回転させるこみにより、第2
番目のマスクパターンMTを投影カラムの中へ移送し得
る。
マスクパターンCを横切る光束は、投影カラム内の概要
図で示した投影レンズンステムPLを通過し、該投影レ
ンズンステム乱は基板W上にマスクパターンCの像を形
成する。この投影レンズンステムP1、は例えは5.1
の縮小率と、o3の開[」数と、直径14mmの111
(回折映像域を有し、例えばコリメークと対物レンズと
を含んでなる。コリメータは無限遠の個所にマスクパタ
ーンを結像し、また対物レンズはその焦点平面にこのパ
ターンを結像する。対物レンズは基板中の高さ変化に追
随するため、垂直方向に可動とする。
基板を靭ま、空気ベアリングで支承された基板チー−1
ルWT上に配置ずろ。投影レンズンスデトP1、と基板
テーブル+lTき(まハウジンクHθの中に配設されて
おり、該ハウジンクはその底部が例えば花崗岩のような
基礎1’lP上に支承され、またその頂部はマスクテー
ブルMTにより閉塞されている。さらにこの装置は軸[
νCAの周りに回動可能で、且つ高さの調節自在な基板
交換器WCを含む。該交換器によ−、て基板は予備整合
ステーションCAがら投影カラl、中へ移送することが
できる。投影カラムの構造と作用のさらに詳細について
はrJEEIE )ランスアクンヨンズ オン エレク
トロン デバイセズ」1979年4月号巳万骨26巻、
第4号、723〜728頁に掲載された論文「光学的投
写印刷のための自動整合ンステl−i (Automa
tic Al+gnment System foro
ptical Pro、iecting Printi
ng)を参照する。
この論文は基板をマスクに比較して精密に整合させる方
法を述へている。この[目的のために、基板中の2つの
位相格子とマスク中の格子とを利用する。第1図の左側
の部分には、マスクパターン0と、これに組合わされる
格子マー幻、11およびN12とを示し、同図の右側部
分に(よ、基板Wと1、基板格子マーク11.およびP
2とを示しである。この部分はさらに基板上のマスクパ
ターンCの反復された縮尺像を示している。
第2図は2個の同一の基板位相格子の1個を拡大して示
す。この位相格子は4個のザブ格子P、、a。
P、、 b、 P、、 cおよびP、、 dを含ンでオ
リ、ソレラノウぢp、、bとP、、[1とはX方向にお
ける整合に役立ぢ、またP、、 aとP、、cとはY方
向の整合に役立つ。2個のザブ格子P、、 bおよびP
、、 cは例えば16μmの格子周期(間隔)を有し、
またザブ格子P、、aおよびPl。
dは例えば17.6μmの周期を有する。それぞれのザ
ブ格子は例えば200 X200 μmの大きさとする
11EIEE )ランス アクンヨンス オン エレク
トロンデハイセズ」1979年4月号、ED−26巻、
第4号、723〜728頁の前記論文に述べられている
ように、適宜な光学系を用いて、格子マーク;、12上
に結像することにより、約0.1 μmの整合精度を達
成することが可能である。(しかしながら、この極めて
正確な精密整合システムの整合範囲は±40μmに過ぎ
ず、予備整合を必要とする。この予備整合は第1図中参
照符号C八を倒した予(liii整合ステーションで行
われる。基板が予mi整合された後に、極めて正確に規
制された動作を遂行し月つ移送中の基板を正確に保持す
る機械的手段を具えた基板交換器が予備整合を乱すこと
なく基板を拍゛い上げてそれを投影カラムの中の基板チ
ーフルへ移送し、それを基板チーフル七へ降ろす。
第1図に概略的に示したように、予・備整合ステーショ
ンCAは、基板を位置決めすることのできる基板テーブ
ルIIIT’と、基板の位置を予備整合ステーション中
の固定基準と比較して決定するための光学系とを含む。
基板交換器11[は軸11CAの周りに回動可能な3個
のリムを有する。第1図の下側部分にこの基板交換器1
〜Cの平面図を示す。tJ l、酪、A2および八、は
図示されない基板保持手段を具える。リムの端部には、
例えば、真空結合部を具え、移送中の基板を下面で保持
するようにしてもよい。基板交換器は、リム八、の端部
か予備整合ステーション中の基板チーフルIIIT′の
上方に位置するときは、リムA2の端部は投影カラ1・
下方の基板デーフルWTの上方に位置し、またリノ、八
、の端部:ま投影カラトから離れて突出するように構成
する。この位置てす1−A1は予備整合させた基板を受
取りそれを投影カラム下方の位置へ移送する。1JAA
3は基板をさらに搬出手段へ移送することができ、す1
−A2は露出された基板を受取ってそれを装置外へ移動
させるこ吉がてき、リムらは基板をさらに搬出手段へ移
送することができる。基板テーブルは、基板交換器のI
J l、の厚味よりも大きい距離に亘って垂直に調整自
在な支持部材を含む。この支持部材は管状の支持要素を
有する。基板が基板テーブル10の」一方に配置された
位置では、上記支持要素はこの基板を支持する。次でリ
ムは、例えばこのリムの真空結合部の真空を遮断するこ
とによって、基板を開放し、リムは回動して去る。。支
持部材はそれから、支持表面が基板テーブルの」二表面
と同一水準となるま−C下方へ移動する。このような基
板チーフル、並びに基板交換器はオランタ特許願第83
00220号(特願昭59−6399号、特開昭59−
151.、426号に対応)に記載されている。
第3図は予備整合ステーションで使用される光半的予備
整合システムを示す。このシステムは、基板マークP1
を1番面の放射線感応性検出器D 、 −1r−に結像
させるための第1結像ンステトと、基板マ―りP2ヲ放
射線感応性検出器DJ:に結像させるためのこれと同一
の第2結像システムとを有する。
前記第1結像/ステムは、放射点v1をマークP 、 
J:に形成するとともにこの放射点v1を検出器D1上
に結像するだめの結像レンズIL、を含む。結像は、格
子の位相構造が、振幅構造、あるいは強度分布に転換さ
れるような方法で行うを要する。
従って本発明によれば、整合ビームb1は2本のザブビ
ームb3,1とbl、2とに分割され、これらのザブビ
ームは位相格子P1の位置において、格子周期の半分に
等しい距離を距でて変位(ンフト)シており、さらにこ
れらザブビームは、基板から反射して干渉を生じた後に
、格子が検出器上に明るい点として結像され、且つ像の
中の格子を取り囲む帯域が暗くなるような位相差を有す
る。
この目的のために、複屈折素子、たとえばザパー板Sl
を予備整合ビームh1の通路に配置する。このザハー仮
S1の詳細を第3図の左側部分に斜視図で示しである。
ザハー板S1は単軸の複屈折性結晶よりなる2個の等し
い厚さを有する平行平面板OP。
およびO12を含んでなり、その先軸り八、とOA2 
とは平行平面の表面と45°の角度をなし、画板は互い
に90°旋回させである。サバ−板の光軸に関して45
°の角度の偏光方向を有し且つ平行平面の表面に垂直に
入射する光ビームは最初の平行平面板・l’ OPIで
常光線と異常光線とに分割され、それらの光線ビームは
1番目と2番目の石英平行平面板の界面でそれぞれ異常
光線と常光線とに変化する。
これは平行平面板OPI とO12との光軸が互いに直
角に延びているからである。2つの互いに平行なビーム
b、、1.とbl、2がザハー板S1から生じ、それら
のビームは互いに直角方向の偏光を有しており、また板
の厚さと屈折係数との関数である距離を互いに距でて横
方向に変位している。これらのパラメータを適宜に選定
することによって、ザブビームが位相格子[〕1の周期
の半分に等しい距離を互いに距でて変位することを保証
することが可能である。
さらに、偏光感応性ビーム反射器PBS 、を、予備整
合ビーム6、の通路に配置する。このプリズトの゛選択
反射面PBP 、は偏光解析器として機能するもので、
特定の偏光方向を有する光ビームをザハー板の光軸に対
し45°の角度において、シバ−板S1へ反射させるだ
けのものである。2本の勺ブビームb1.1とbl、2
とは基板によって反射され勺バー板を再度横切った後に
、再びプリズムPBS 、に入射する。
2木のサブビームの互いに直角方向の2つの偏光は選択
反射面PBP 、の偏光の伝送方向と45°の角度をな
す。これらのサブビームの各々は2つの成分からなって
おり、その第1の成分と第2の成分とはプリズムPBS
 、の偏光方向に対してそれぞれ平行と直角型に延びる
ものとして考えてもよい。検出器は一方向の偏光をもっ
た1本のビームを「見る−1のであって、ビーム中の成
分は全く見分けることかできない。
ザハー仮S、から出てくるザフヒーl、の間の位相差は
、常光線に対する屈折率n。と異常光線に対する屈折率
n、、よ、板OP、およびQP2 の厚さと、ビームb
1を横切り月つ図の紙面に垂直に延びる軸の周りのザハ
ー板の傾きとに依存する。サブビーム・ b2,1とb
l、2とは同位相にあることが保証される。
位相格子外の基板部分において反射したサブビームの対
応する部分も同位相にある。基板の位相格子外の範囲か
ら反射したビーム成分をザバー板により結合して形成さ
れるビームはそのとき基板」二に入射するビームと同方
向の偏光を有し、最初に述べたビームは偏光感応性反射
器PBS 、によって検出器へ伝送されない。
格子の効果は、ザブビームh2,1とり7,2とが位相
格子の「山」と「谷」の寸法をもった小さいビーム部分
からなるものと仮定するならば、最も良く説明される。
若しザブビームb1,1の最初のビーム部分が山に入射
すれば、ビームbI22の対応する最初のビーム部分は
位相格子の谷にぶつかる。格子構造の効果として、ザブ
ビームb1.1の最初のビーム部分はザブビームb1,
2の最初のビーム部分に刻して後れるが、この遅延は格
子の谷ずなわぢ溝の深度の関数である。最適の精密整合
信号を得るために1格子の溝は波長の四分の−の深さを
与えられている。この深度はまた予備整合システムに対
°しても実質的に最適である。前記遅延はそのとき18
0°である。同様に、ビーム”、I+1の、位相格子の
谷にぶつかる二番目のビーム部分と、ビームb1.2の
、山に入射する対応したビーム部分とは、反射後で、プ
リズムpes 、通過後に180°の位相差を示す。こ
のことは、位相格子から発生ずるすべての対応ヒーl、
部分(ご適用される。総体jこ、ザブビーム111.1
とbl、2とjよ、もしそれらが位相格子から発生する
ならは、互いjご[0°位相がずれろ。偏光の方向に関
しては、勺フビームの1本の偏光方向が偏光の元の方向
に関して180°変位しており、そのためjご反射した
2木の勺フビームで構成されたビームの偏光方向かプリ
ズムPBS 、て反射したビームb、の偏光方向に関し
て90’旋回しているということ;ごなる。ビームb+
の、位相格子で反射した部分はヒートスプリ7り(分割
器)によって検出器D1へ伝送され、従ってこの検出器
は位相格子を黒い背景中の明るい表面として「見る廖こ
ととなる。
第3図に挿入図で示したように、検出器は4個の副検出
器り、a、 D、、 b、 D、、 c及びり、、 d
からなる。これらの検出器の出力信号はそれらが感受す
る放射線の量に比例する。これらの出力信号が厳密に等
しいときは、格子P1はシステム内で正しく整合されて
いる。若し検出器り、、 a、 D、、 b、 D、、
 c及び貼、dの出力信号をsa、 sb、 sC及び
Sdて表わずならば、信号 S、= (S、、−′1−) (SbキS。)は、X方
向における整合の尺度となり、また信号、sf= (s
a+sJ −(Sc−1−3d)は、Y方向における整
合の尺度となる。副検出器の出力信号は電子的処理回路
EPに人力され、そこでこれらの信号は2番目の映像シ
ステムの検出器D2からの信号と共に、基板デーフルシ
汀′用駆動」・段DVに対する制御信号に処理される。
サバ−板の代わりに、ウォラストン・プリズムを使用す
ることも可能である。第3図の左側に示されているよう
に、かかるプリスl、は、m軸の複屈折性結晶の2個の
複合形プリズムWP、、a とWP、。
bとからなり、それらが結合されて平行iAE面を有す
る板を形成する。光軸口A、 と〇八。とけ、画面に対
してそれぞれ平行と垂直とに延びている。プリズムWP
+ の平行平面の表面の一つに入射し、且つプリズムの
光軸に関して45°の角度で、整合されるビームはプリ
ズムによって2本の勺フビームに分割され、それらザブ
ビームは互いに直角に偏光されて、互いに小さい角度を
なす。プリズム(卯。
のりさと屈折率との適宜な選択によって、格子の場所に
おいてザブビームが格子周期の半分に等しい距離を距で
て、互いに横方向に変位し、またそれぞれが正しい位相
を有することを保証することができる。
ウォラストン・プリズムは、レンズIL、の最初の焦点
平面に配置するを可とする。このレンズを通過した後、
2本の互いに直角に偏光されたザブビームはそこで互い
に平行に延びる。さらに、直接ビームと基板で反射した
ビームとは、それから同じ角度でプリズムを横切る。若
しウォラストン・プリズムが最初の焦点平面の外側に整
合されていたならば、ビームは互いに平行な状態で基板
上に入射しないから、この基板とウォラストン・プリズ
ムとの間の距離は臨界的となる。さらに、反射ビームは
、そのどき入射ビームとは異なった方法でこのプリズム
を横切るから、検出器上に形成される位相格子の像はよ
り低度のコントラストのものとなる。
前記文献に記載された予備整合システムの試験結果の説
明によれば、基板は±5μmの精度て予備整合させるこ
とができる。この予備整合システムの整合範囲は±30
0 μmである。予備整合ステーションヘ機械的移送手
血・によって移送された基板は基板チーフルV汀′」−
に機械的工程段階によって上記範囲内で配置することが
できる。
サバ−板あるいはウォラストン・プリズムのような偏光
感応性素子以外に、半透明鏡と全反射鏡の組合せのよう
な他の素子をビームb、の分割のために使用することも
可能である。さらにビーム反射器PBS +を無偏光性
のビーム反射器であってもよい。移送格子は上記に特定
したものと異なる格子周期を有していてもよい。本発明
はザブビーム間°の距離が格子周期の半分に等しいこと
のみを必須とする。
照明システムはランプ1.A1 と集光レンズCI、1
 とを含んでおり、該集光レンズはランプが発する放射
線のビームを形成するとともにレンズ11,1 の瞳に
このランプを結像するから、光の最大量が予備整合のた
めに使用可能となる。集光レンズのすぐ背後に開口DP
、を配置する。それは位相格子上に結像される。これに
より、位相格子より若干大きい範囲のみを照明すること
ができる。この照明方法による唐、如何なる迷光も殆と
位相格子に到達し得す、また検出器の信号が殆ど如何な
るノイズも含まない。
勺バー板あるいはウォラストン・プリズムは予備整合ビ
ームを2本のザブビームに分割し、それらのザフビーム
は相互にコヒレントであり、また”’ ム反射5pes
、を通過後、このコヒレントの性質のために相互に干渉
する。しかしなから、ザブビーム自身および予備整合ビ
ーl、自身はコヒレントであることを要しない。従って
、単色であるレーザーを採用する必要はない。
広い放射スペクトルを発する、例えば白熱灯のようなラ
ンプLへ、を使用したときには、特殊なビーム反射プリ
ズムPBS 、を使用しなければならない。
従来の偏光感応性反射プリズムは、狭いバント内1 の
波長を有するビームの成分のために設計されhものであ
る。そのようなプリズムのビーム反射層は基準波長の4
分の1あるいは半分の程度の厚さを有する複数のザブ層
からなる。本発明によれば、広いスペクトルの照明を有
する予備整合システムに使用されるプリズムPBS 、
はザブ層の1番目の組と2番目の組からなるビーム反射
層を有し、1番目の組は1番目の基準波長の前後で1番
目の波長領域においてビーム反射器として作用し、また
2番目の組は2番目の基準波長の前後で2番目の波長領
域においてビーム反射器として作用する。これにより2
組のザブ層よりなる全体の層は、2つの基準波長を包含
する広い波長領域をもったビームを反射させることがで
きる。
ザバー板あるいはウォラストン・プリズムに関′しては
、これらの素子はほぼ非波長依存性であるから、予備整
合ビームの広いスペクトルに鑑みて特殊な工程をとるを
要しない。これはビームの放射線が近赤外域に位置する
とき特に然りであって、予備整合システムにとって好都
合である。
これまで、1番目の結像システムのみ、すなわぢ第1図
の左側のシステムのみを説明した。第3図から明らかな
ように、2番目の、すなわち右側の結像システムは1番
[」のものと同一であるので、2番目のシステムは説明
を省略する。
2番目の結像システムの複合検出器D2からの信号は、
検出器D1からの信号と共に、駆動手段DVに対ずろ制
御信号となるよう処理するため電子的プロセス回路IE
Pに人力する。第3図の下方部分の平面図に示したよう
に、基板チーフルWT’は3つの別個に制御された駆動
手段Dυ、、 DV2およびDυ3によって動かされる
。駆動手段DV、はテーブルをX方向に動かし、また2
つの駆動手段Dv2およびDν3はY方向に運動を与え
る。信号SYIおよびSy2によるDν2およちひDν
3の別個の制御のために、基板チーフルはXおよびY方
向における線運動を遂行し得るのみならず、また成る点
、例えば点只の周りに回転し、それによって角度整合を
可能ならしめることもできる。
第3図に示されるように、双方の照明システムにはビー
ムスプリッタBS、またはBS2を設番す5、ることも
できる。これらのビームスプリッタはビームb1および
b2の小部分、例えば数パーセントを反射プリズムRP
、を経て例えば十字線GHのような基準マークへ反射す
る。十字線とそれに重ね合わされた格子の像とを、モニ
タ装置MONに接続されるテレビカメラTVCの上に結
像する、レンズIL3 と反射プリズムRP2 とによ
って、格子1〕1およびP2の十字線と比較した位置を
作業者に見えるようにすることができる。
本発明を集積回路のパターンを半導体の基板上に投影す
ることについて説明した。しかし、」二連の説明におけ
る装置は、複数のマスクを連続的に基板上に投影しなけ
ればならずまた基板と比較して極めて正確に整合しなけ
ればならないような他゛の平版印刷技術にも適用するこ
とができることは明らかである。この例は磁区メモリに
対する伝達パターンおよび検出パターンの製作である。
」二連の説明における「集積回路パターン」は、そのど
きは、「伝達パターン」または「検出パターン」と読み
替え、また「基板」は「磁性材料の層」と読み替えれば
良い。
【図面の簡単な説明】
第1図は予備整合ステーションをもつ基板上にマスクパ
ターンを結像させるための装置の略図、第2図は精密整
合のための基板格子マークの図、第3図は本発明による
光学的予備整合ステーションを示すフロック図である。 へ4.八2.八、 リ ム b ・ビーム bl、1. bI+ 2 ・ザブビームBS ・ビーム
スプリッタ 島 ・・・予備整合ステー/コン CD ・・・集光レンズ D ・・・放射感応性検出器 り、、 a、 D、、 b、 −副検出器DP ・開口 DV ・・・駆動手段 巳M ・・・楕円鏡 EP ・・電子的プロセス回路 GR・十字線 HD 枠体 IL ・結像レンズ IN ・・・インテグレータ LA ランプ M ・・格子マーク MA ・軸 MON ・・モニタ MT マスクチーフル ロへ ・光軸 P 基板格子マーク(位相格子) P、、a、P、、b −ザブ格子 PBP 選択反射面 PBS ・偏光感応性ビーム反射器(プリズム)PL 
・放映レンズシステム QP ・・平行平面板 R・点 RP ・・反射プリズム S ・・・ザハー板 TVC・テレビカメラ V ・放射点 1、“、′ ・・基板 lIl′C基板変換器 ill CA ・・軸 WP、 WP、、 a、 IIIP、、 b・・ウォラ
スト7−プリズムW1’ 基(反テーフ゛ル 特3′F 出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルー
イランペンファフリケン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 光学的結像システムを有する投影カラムと、基板」
    −の整合マークをマスク内の整合マークと整合させる光
    学的微細整合システムとを具えてなる基板上へのマスク
    パターン結像装置であって、さらに基板を予備的に整合
    させる予備整合ステーションと、該基板をその予備整合
    を乱すことなく前記投影カラムの下側の位置に移送する
    移送手段とを具えてなるマスクパターン結像装置におい
    て、 前記予備整合ステーションは、基板上の2個の整合マー
    クを2個の複合放射線感応検出器上に結像させる2個の
    光学システムを具え、各検出器の副検出器の複合出力信
    号を対応する整合マークの検出器に対する整合の尺度と
    することを特徴とするマスクパターン結像装置。 2、 基板の整合マークを位相格子とし、予備整合ステ
    ジョン内の2個の結像用光学システムを顕微鏡で構成し
    、該顕微鏡によって検出器上に位相格子を振幅構造とし
    て結像させることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載のマスクパターン結像装置。 3 前記顕微鏡を干渉顕微鏡とし、これらの各干渉顕微
    鏡は、照明システムと、位相格子上に放射線スポットを
    形成し、また検出器上に映像を生ずる結像レンズと、照
    明システムよりの放射線ビームを2つのサブビームに分
    割する放射線ビーム分割素子とを具え、ビーム分割素子
    は位相格子の位置において前記2つのサブビームが該位
    相格子の格子周期の半分に等しい距離だけ互に離隔する
    ようこれらビームを分割し、さらに位相格子によって反
    射したこれらサブビームを結合するように動作すること
    を特徴とする特許請求の範囲第2項記載のマスクパター
    ン結像装置。 4、 前記放射線ビーム分割素子を偏光感応性ビームス
    プリッタとし、特定の方向の偏光を有する放射線を位相
    格子に向:す指向し、位本目格子で反射された放射線を
    検出器jご向けて伝達する結像レンズと、照明システム
    との間に偏光感応性ビーム反射器を配置したことを特徴
    とする特許請求の範囲第3項記載のマスクパターン結像
    装置。 5 偏光感応性ビームスプリツタをザハー(・反とした
    ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載のマスクパ
    ターン結像装置。 6.1伺光感応性ビートスプリンタをウォラストンブリ
    スムとしたことを特徴とする特許請求の範囲第11項記
    載のマスクパターン結像装置。 7 ヒ−l、反射器が、2つの隣接波長領域で動作する
    2つのサフ層を有する偏光感応性ビーム反射層を有する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載のマスクパ
    ターン結像装置。 8、 照明システムが放射線源と、これに後続する集光
    レンズて、放射線源を結像ランスの開[コ内に結像する
    集光ランスと、該集光ランスの背後に配置されているフ
    ィールド開口とを有し、該開口は位相格子上に結像され
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第7項
    のいずれかに記載のマスクパターン結像装置。 9、 低反射係数を有するビームセパレータを検出器の
    前に配置し、位相仮によって反射された放射線の小部分
    をこれによって基準マークに向けて反則し、基準マーク
    と該基準マーク上に重畳している2つの位相格子の像を
    視認観測しつるようにした光学的手段を具えた第1項な
    いし第8項のいずれかに記載のマスクパターン結像装置
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