JPS60251273A - 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 - Google Patents
真空蒸発装置の蒸発量制御方法Info
- Publication number
- JPS60251273A JPS60251273A JP59106396A JP10639684A JPS60251273A JP S60251273 A JPS60251273 A JP S60251273A JP 59106396 A JP59106396 A JP 59106396A JP 10639684 A JP10639684 A JP 10639684A JP S60251273 A JPS60251273 A JP S60251273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- shutter
- amount
- control
- extent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（本発明の技術分野）
本発明は真空蒸発装置に関し、特に連続式真空蒸発装置
における溶融した金属蒸気流量（蒸発量）を迅速に制御
し得る制御方法に関する。
における溶融した金属蒸気流量（蒸発量）を迅速に制御
し得る制御方法に関する。
（従来の技術）
従来法による連続式真空蒸発装置の蒸発槽構成を第７図
仏フ、価）及び（０）に示す。蒸発槽は溶融した金属の
蒸気を真空条件下で溶融金属表面１から発生させる浴槽
２と、その蒸気を板７まで導くダクト（チャンネル）６
から構成されている。従来は板７に蒸着する金属蒸気量
（蒸発量）は浴槽２に加える金属蒸発潜熱に見合うヒー
タ電力とシャッタ５の開孔面積で制御していた。チャン
ネル６は板７が垂直に走るか水平に走るかによって、垂
直ライン〔第７図（＆Ｊおよび（ｂ）に示す〕あるいは
水平ライン〔第７図（０）に示す〕という形状になって
いる。蒸気流量を制御するシャッタ５は開孔面積を変え
るためバタフライ弁タイプ〔第７図（ａ）および（０）
のシャッタ〕あるいはスライド式〔第７図（ｂ）〕のも
のが使われている。シャッタ５の開孔面積の変化はバタ
フライ弁タイプでは蝶番形の軸受け３、スライド式では
ビニオンラック式のもの３′で操作されている。
仏フ、価）及び（０）に示す。蒸発槽は溶融した金属の
蒸気を真空条件下で溶融金属表面１から発生させる浴槽
２と、その蒸気を板７まで導くダクト（チャンネル）６
から構成されている。従来は板７に蒸着する金属蒸気量
（蒸発量）は浴槽２に加える金属蒸発潜熱に見合うヒー
タ電力とシャッタ５の開孔面積で制御していた。チャン
ネル６は板７が垂直に走るか水平に走るかによって、垂
直ライン〔第７図（＆Ｊおよび（ｂ）に示す〕あるいは
水平ライン〔第７図（０）に示す〕という形状になって
いる。蒸気流量を制御するシャッタ５は開孔面積を変え
るためバタフライ弁タイプ〔第７図（ａ）および（０）
のシャッタ〕あるいはスライド式〔第７図（ｂ）〕のも
のが使われている。シャッタ５の開孔面積の変化はバタ
フライ弁タイプでは蝶番形の軸受け３、スライド式では
ビニオンラック式のもの３′で操作されている。
通常シャッタ５には蒸気の凝固を防ぐためのヒータ４が
備えつけられている。なお８はスプラッシュ防止板であ
る。
備えつけられている。なお８はスプラッシュ防止板であ
る。
（本発明の解決しようとする問題点）
以上のような従来の蒸発装置を使った場合、蒸着量（付
着量）の制御はヒータ電力および／またはシャッタ５の
開孔面積を制御して蒸気流量（蒸発Ｘ＞を変化させるこ
とによって行っていた。その１例として亜鉛蒸着の場合
について第８図（ヒータ電力のみ変化）５Ｍ９図（シャ
ッタ開度変化）に示す。
着量）の制御はヒータ電力および／またはシャッタ５の
開孔面積を制御して蒸気流量（蒸発Ｘ＞を変化させるこ
とによって行っていた。その１例として亜鉛蒸着の場合
について第８図（ヒータ電力のみ変化）５Ｍ９図（シャ
ッタ開度変化）に示す。
第８図において横軸は時間（分）をあられし、縦軸の最
下段はシャッタが常に開状態にあることを示し、同中段
は上部ヒータパワー（ＫＷ）を、そして最上段にはその
時の板への亜鉛付着量を付着層厚さくμｍ）にてあられ
す。図から明らかなようにシャッタは常に開とし、ヒー
タ出力を増加すると亜鉛付着量は時間と共に増してゆく
が、次にヒータ出力を最初の出力に戻してもすぐには亜
鉛付着量は低下しない。このようにヒータ電力のみ変化
させると、浴槽の熱容量のため、溶融金属温度の変化が
遅く蒸発量の変化も遅い。
下段はシャッタが常に開状態にあることを示し、同中段
は上部ヒータパワー（ＫＷ）を、そして最上段にはその
時の板への亜鉛付着量を付着層厚さくμｍ）にてあられ
す。図から明らかなようにシャッタは常に開とし、ヒー
タ出力を増加すると亜鉛付着量は時間と共に増してゆく
が、次にヒータ出力を最初の出力に戻してもすぐには亜
鉛付着量は低下しない。このようにヒータ電力のみ変化
させると、浴槽の熱容量のため、溶融金属温度の変化が
遅く蒸発量の変化も遅い。
第９図は上部ヒータパワー（ＫＷ） は一定状態にして
、バタフライ弁開度を、順次１８０°。
、バタフライ弁開度を、順次１８０°。
９０°、 ６０”、 ５０″、−１０°と変化させた場
合の、亜鉛付着量Ｃμｍ）を第８図と同様にあられした
ものでおる。この場合にはシャッタ開度変化に対する蒸
発量変化の追従性が悪いことがわかる。
合の、亜鉛付着量Ｃμｍ）を第８図と同様にあられした
ものでおる。この場合にはシャッタ開度変化に対する蒸
発量変化の追従性が悪いことがわかる。
従って上記の従来の制御法では、任意の蒸発量制御を迅
速に行うことは難しく、このため蒸発量制御に必要な時
間が長くなシ、製品とならない蒸着板が多く発生すると
いう問題点があった。
速に行うことは難しく、このため蒸発量制御に必要な時
間が長くなシ、製品とならない蒸着板が多く発生すると
いう問題点があった。
本発明は上述の従来方法の問題点を解決し、任意の蒸発
量制御を迅速に行い得る真空蒸発装置の蒸発量制御方法
を提供することを目的とするものである。
量制御を迅速に行い得る真空蒸発装置の蒸発量制御方法
を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決する手段）
以上の問題点を解決する手段として、本発明者らは、シ
ャッター開孔部で蒸気流れをチョーク（音速）させ、該
チョーク現象を利用して迅速な蒸発量制御を行うことを
見出した。
ャッター開孔部で蒸気流れをチョーク（音速）させ、該
チョーク現象を利用して迅速な蒸発量制御を行うことを
見出した。
すなわち本発明は連続式真空蒸着装置において、蒸発槽
出口のシャッタ部で金属蒸気流がチョークする開口面積
とし、蒸発量の瞬間的な制御をシャッタで行い、次いで
ヒートバランス上の制御をヒータ電力で行うことｅ％徴
とする真空蒸着装置の蒸発量制御方法を提供する。
出口のシャッタ部で金属蒸気流がチョークする開口面積
とし、蒸発量の瞬間的な制御をシャッタで行い、次いで
ヒートバランス上の制御をヒータ電力で行うことｅ％徴
とする真空蒸着装置の蒸発量制御方法を提供する。
まず本発明方法を原理的に説明する。一般に気体ではオ
リフィス等の開口（孔）部の上流側圧力ｉＰ、、下流側
圧力をＰ２とする時に、この上下流の圧力比が大きくな
ると流速は、開口部で音速となシ流量は上流の圧力Ｐ、
たけて決まる。
リフィス等の開口（孔）部の上流側圧力ｉＰ、、下流側
圧力をＰ２とする時に、この上下流の圧力比が大きくな
ると流速は、開口部で音速となシ流量は上流の圧力Ｐ、
たけて決まる。
この現象を「チョーク現象」という。一般にＰ。
一定の条件では流−１ｉｅはＰ２の圧力で決まる。
Ｇ＝ＰｖＡ ・・・・・・・・・ （１）ρ
Ｇ：流量
Ｖ：流速
Ａ：開口面積
ρ：密度
すなわち、Ｐ２を下げるに従いＶがふえ、流量Ｇが増加
する。しかしながら、気体では流速（Ｖ）が上がるに従
い圧縮性の影響が出て戸も下がる。
する。しかしながら、気体では流速（Ｖ）が上がるに従
い圧縮性の影響が出て戸も下がる。
つまりｐとＶの積であるｅＦｉ、ｐ、’ｉ下げるに従い
ふえるがＧが最大となる流量がある。このとき流速は音
速となっておシ、それ以上Ｐ２を下げても流量はＰ、の
みで決まる。（チョーク現象）このチョークの時の（１
）式Ｌ １めＰム ・・・・・・・・・（２） で表される。
ふえるがＧが最大となる流量がある。このとき流速は音
速となっておシ、それ以上Ｐ２を下げても流量はＰ、の
みで決まる。（チョーク現象）このチョークの時の（１
）式Ｌ １めＰム ・・・・・・・・・（２） で表される。
本発明は制御前（シャッタ開度Ｓ。）、制御後（シャッ
タ開度Ｓ、）共にチョーク条件を満足するように運転し
付着量を制御することを特徴としている。
タ開度Ｓ、）共にチョーク条件を満足するように運転し
付着量を制御することを特徴としている。
ここで制御を行う前の状態管
蒸発ｌ：〇。
浴槽内圧力ニＰ。
シャッタ開度：８゜
とし、制御後の状Ｍを
蒸発ｌ：Ｇ。
浴槽内圧力ニＰ１
シャッタ開度： Ｓ。
とすると、本発明方法では、浴槽内の圧力はチャンネル
内圧力に比べ充分に高くして、開口部でチョーク（音速
）になるようにシャッタ構造を設定する。このようにシ
ャッタを設定すると制御後の状態はシャツタ開孔部でチ
ョークしているため流量は上流側と下流側の圧力差が大
で上流側の圧力のみで決まるので、Ｇ ＝に８ｏＰ。
内圧力に比べ充分に高くして、開口部でチョーク（音速
）になるようにシャッタ構造を設定する。このようにシ
ャッタを設定すると制御後の状態はシャツタ開孔部でチ
ョークしているため流量は上流側と下流側の圧力差が大
で上流側の圧力のみで決まるので、Ｇ ＝に８ｏＰ。
（制御前）またはＧ、にｋＳ、Ｐ、（制御後）となる。
ただしｋは流体の比熱比（＆）による定数である。
従って流量は
で表せる。
一方、湯温に対する飽和圧力をＰ とすると、蒸発量は
〔（飽和圧力）−（浴槽内圧力）〕に比例するので、 と表せる。（３）、（４）式よＪ Ｐ、を消去すると（
５）式が得られる。
〔（飽和圧力）−（浴槽内圧力）〕に比例するので、 と表せる。（３）、（４）式よＪ Ｐ、を消去すると（
５）式が得られる。
１
ａｓｏｐ８
すなわち、（５）式によれば制御後の蒸発量は、制御前
後のシャッタ開度比（Ｓ、／８ｏ）および、制御前の浴
槽内の圧力Ｐ。と湯温（例えば溶融亜鉛）に対応する飽
和圧力（Ｐ８）との此（Ｐｏ／ Ｐ８）によって決定す
ることができる。
後のシャッタ開度比（Ｓ、／８ｏ）および、制御前の浴
槽内の圧力Ｐ。と湯温（例えば溶融亜鉛）に対応する飽
和圧力（Ｐ８）との此（Ｐｏ／ Ｐ８）によって決定す
ることができる。
しかしながら、ヒータ電力を制御後に変化させないと、
ヒートバランス上、ヒータによって与えられる電力によ
シ湯温は変化し再び蒸発量は制御前に戻る。従ってシャ
ッタを移動した後、ヒータを０１に見合う電力に変化さ
せる必要があるが、シャッタによ多蒸発量制御を迅速に
行っているため、蒸発量の定常状態も従来とは比較に々
らない程早く得ることができる。
ヒートバランス上、ヒータによって与えられる電力によ
シ湯温は変化し再び蒸発量は制御前に戻る。従ってシャ
ッタを移動した後、ヒータを０１に見合う電力に変化さ
せる必要があるが、シャッタによ多蒸発量制御を迅速に
行っているため、蒸発量の定常状態も従来とは比較に々
らない程早く得ることができる。
本発明方法は以上の理論に基き、蒸気流れをシャッタ部
でチョークさせて迅速に蒸発量制御できるものであって
、チャンネル内圧力と浴槽内圧力との比をチョーク発生
可能な条件とし。
でチョークさせて迅速に蒸発量制御できるものであって
、チャンネル内圧力と浴槽内圧力との比をチョーク発生
可能な条件とし。
その条件下でシャッタ開度を変えるようにする。
ここでチョーク現象の時の定数には、前述のように流体
の比熱比にによる定数であって、例えばに＝１．４のガ
スにおいては、 １ −（０，５２以下で起こる。
の比熱比にによる定数であって、例えばに＝１．４のガ
スにおいては、 １ −（０，５２以下で起こる。
Ｏ
蒸発量の制御は具体的には次のように行う。
蒸発量制御前の状態を前述のようにする。シャツタ開孔
部で蒸気流れがチョークする条件は次のように（７）式
を満足する圧力条件で、蒸発量は（６）式で決まる。す
なわち、チョーク時の流量はに：蒸気の比熱比 Ｒ：普遍ガス常数 Ｔ：蒸気温度 Ｍ：蒸気分子量 で決まシ、ここでチャンネル内（シャッタ後流）の圧力
をＰｏｈとすると、浴槽内圧力（シャッタ前流）Ｐｏに
対し、 を満足するようにシャッタ開度を沃める必要がある。本
発明は（７）式の条件を満足するように、（６）式中の
シャッタ開度（８，） を設定できる構造とする。
部で蒸気流れがチョークする条件は次のように（７）式
を満足する圧力条件で、蒸発量は（６）式で決まる。す
なわち、チョーク時の流量はに：蒸気の比熱比 Ｒ：普遍ガス常数 Ｔ：蒸気温度 Ｍ：蒸気分子量 で決まシ、ここでチャンネル内（シャッタ後流）の圧力
をＰｏｈとすると、浴槽内圧力（シャッタ前流）Ｐｏに
対し、 を満足するようにシャッタ開度を沃める必要がある。本
発明は（７）式の条件を満足するように、（６）式中の
シャッタ開度（８，） を設定できる構造とする。
以下に本発明を図によル具体的に説明する。
第１図は本発明方法の１実飽態様を示すものである。蒸
発は従来と同じく浴槽２の溶融金属１０表面から起こる
。溶融金属１への加熱社図示されていないヒーターによ
シ行う。浴槽２の出口にはシャッタ１５が設けてあシ、
その開度は仕様の蒸発量範囲内で蒸気流れがチョーク（
音速）条件を満足できるよう設定可能な寸法とする。な
おシャッタ開度があま）大きいと、チョ−り条件を満た
す圧力差が保てない。浴槽上面から板７（この場合は薄
鋼板）までは従来どお）となっている。なお１３はシャ
ッタ駆動用軸、１４はヒータ（蒸気付着防止用）、６は
チャンネル、１９は蒸気流通口である。
発は従来と同じく浴槽２の溶融金属１０表面から起こる
。溶融金属１への加熱社図示されていないヒーターによ
シ行う。浴槽２の出口にはシャッタ１５が設けてあシ、
その開度は仕様の蒸発量範囲内で蒸気流れがチョーク（
音速）条件を満足できるよう設定可能な寸法とする。な
おシャッタ開度があま）大きいと、チョ−り条件を満た
す圧力差が保てない。浴槽上面から板７（この場合は薄
鋼板）までは従来どお）となっている。なお１３はシャ
ッタ駆動用軸、１４はヒータ（蒸気付着防止用）、６は
チャンネル、１９は蒸気流通口である。
また、本発明の方法に用いるシャッタは第１図に示した
構成に限定されるものではなく、例えばバタフライ形の
ものでも蒸気流れがチョークする範囲に設定すればよい
。バタフライ形シャッタを用いた本発明方法に用いる装
置の実施態様例を第３図（ａ）に示す。また第３図（ｂ
）は同装置をチャンネル部における水平方向断面の概略
説明図である。第３図（ａ）および（ｂ）において２３
はシャツタ軸、２４はヒータ、２５はノくタンライ形シ
ャッタ、２７はチョーク時に側面から蒸着のもれをなく
し、開孔面積が設定しやすいように設けたシャッタ側壁
であり、１，２．／ｉは第１図と同じを意味する。
構成に限定されるものではなく、例えばバタフライ形の
ものでも蒸気流れがチョークする範囲に設定すればよい
。バタフライ形シャッタを用いた本発明方法に用いる装
置の実施態様例を第３図（ａ）に示す。また第３図（ｂ
）は同装置をチャンネル部における水平方向断面の概略
説明図である。第３図（ａ）および（ｂ）において２３
はシャツタ軸、２４はヒータ、２５はノくタンライ形シ
ャッタ、２７はチョーク時に側面から蒸着のもれをなく
し、開孔面積が設定しやすいように設けたシャッタ側壁
であり、１，２．／ｉは第１図と同じを意味する。
さらに、Ｍ４図に示すように、板７上への付着量検出器
３９を併用すると、蒸着後の付着量を検出し、このデー
タに基いて細かくシャッタ、電力を変化させることによ
シ、よシ精度の高い蒸発量制御を行うことが可能である
。なお、第４図中３３はシャッタ駆動機、３５はシャッ
タ、３８はシャッタ駆動装置、４０は排気ダクトをあら
れし、付番１，２．／＋、７は第１図と同じを意味して
いる。
３９を併用すると、蒸着後の付着量を検出し、このデー
タに基いて細かくシャッタ、電力を変化させることによ
シ、よシ精度の高い蒸発量制御を行うことが可能である
。なお、第４図中３３はシャッタ駆動機、３５はシャッ
タ、３８はシャッタ駆動装置、４０は排気ダクトをあら
れし、付番１，２．／＋、７は第１図と同じを意味して
いる。
（効果）
本発明方法は真空蒸着装置の蒸発槽出口のシャッタを蒸
気流れがチョークするよう設定しているため、前述の理
論に基き、蒸発量制御はシャッタのみで前記（５）式に
従う変化が迅速に行える。このシャッタ変化と同時にあ
るいは変化後、制御したい蒸発量に見合う電力にヒータ
を変化させることによシ、任意の蒸発量制御を行うこと
ができる。
気流れがチョークするよう設定しているため、前述の理
論に基き、蒸発量制御はシャッタのみで前記（５）式に
従う変化が迅速に行える。このシャッタ変化と同時にあ
るいは変化後、制御したい蒸発量に見合う電力にヒータ
を変化させることによシ、任意の蒸発量制御を行うこと
ができる。
（実施例）
実施例１
亜鉛の連続真空蒸着において、本発明の方法に基き、第
１図に示した構成の装置を用いて。
１図に示した構成の装置を用いて。
シャッタとヒータ電力で亜鉛蒸発量制御を行った結果を
、第８図及び第９図と同様に、第２図に示す。この時の
条件はＰ ａｈ ／ Ｐ ｏ （０、５で行った。第２
図から明らかなように、板への亜鉛蒸気の付着量（１１
７ｍ２）変化時間Ｃ分）は、シャッタを移動させるに要
した時間に対応しておシ、シャッタをさらに早く移動で
きれは、さらに制御時間を短かくすることも可能でｓｂ
、従来の制御法に比べ非常に素早い対応が可能である。
、第８図及び第９図と同様に、第２図に示す。この時の
条件はＰ ａｈ ／ Ｐ ｏ （０、５で行った。第２
図から明らかなように、板への亜鉛蒸気の付着量（１１
７ｍ２）変化時間Ｃ分）は、シャッタを移動させるに要
した時間に対応しておシ、シャッタをさらに早く移動で
きれは、さらに制御時間を短かくすることも可能でｓｂ
、従来の制御法に比べ非常に素早い対応が可能である。
また第５図は、上記と同様の条件で行ったときの、シャ
ッタ開孔比（Ｓ、／Ｓｏ、横軸）と亜鉛付着量制御比（
Ｇ、／Ｇｏｓ縦軸）の関係について、本発明の方法にも
とづく予想曲線（図中実線にて示す）と、実測値（図中
丸印または四角部にて示す）とを比較したグラフであっ
て１本発明の方法が非常圧精度良いことがわかる。
ッタ開孔比（Ｓ、／Ｓｏ、横軸）と亜鉛付着量制御比（
Ｇ、／Ｇｏｓ縦軸）の関係について、本発明の方法にも
とづく予想曲線（図中実線にて示す）と、実測値（図中
丸印または四角部にて示す）とを比較したグラフであっ
て１本発明の方法が非常圧精度良いことがわかる。
実施例２
本発明方法によシ亜鉛の連続真空蒸着を行ったときの、
シャッター操作、ヒーターパワー操作の１例を、第６図
にグラフによシ模式的に示す。横軸は時間（分）、縦軸
は下段よシ亜鉛付着量（μｍ）、シャッター開度（％）
、ヒーターパワーをめられす。
シャッター操作、ヒーターパワー操作の１例を、第６図
にグラフによシ模式的に示す。横軸は時間（分）、縦軸
は下段よシ亜鉛付着量（μｍ）、シャッター開度（％）
、ヒーターパワーをめられす。
第１図は本発明方法に用いる真空蒸発装置の１実施態様
を説明する図。 第２図は本発明方法による亜鉛蒸着量制御の結果を示す
グラフ。 第３図（ａ）および（ｂ）は本発明方法に用いる装置の
別の実施態様を説明する図であって、バタン、ライ形シ
ャッタを用いるものを示す。 第４図は本発明方法のさらなる実施態様であって、板上
の付着量検出器を併用する方法を説明する図。 第５図は本発明の実施例１において本発明方法にもとづ
く予想曲線と実測値の比較を行った結果を示すグラフ。 第６図は本発明の実施例２の操作方法を説明する図。 第７図体）〜（０）は従来の連続式真空蒸発装置を概略
説明する図。 第８図および第９図は、従来方法による亜鉛蒸着量制御
を行った時の亜鉛付着量変化を例示するグラフで、第８
図はヒータ電力のみの変化による制御、第９図はシャッ
タ開度のみの変化による制御を示す。 後代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 区 Ｃｖ）［５ 滅 − 第７図 （Ｃ） 時間（分） 特許庁長官志 賀 字 殿 １．事件の表示 昭和５９ 年特許願第 １０６１６号 ２、発明の名称 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目５番１号４、復式
理 人 氏 名 弁理士（７１７９） 内 １） 明（ほか１名
） ５、補正命令の日付 自発補正 ６、補正により増加する発明の数 ′なルＺ補正の対称 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２） 図
面 ａ補正の内容 （り 明細書第３頁第１０行及び第２０行、第１５頁第
２０行ならびに第１４頁第５〜４行の「上部ヒータパワ
ー」もしくは「ヒーターパワー」なる記載金「ヒータ電
力」と訂正する。 （２） 同第５頁第１３行及びＷ、１５行の「ヒータ出
力」なる記載ｔ″「ヒータ電力」と訂正する。 （３）同第５頁＠１５行ノ「Ｇ＝ＰＶＡＪ７ｆｆｉ、６
記載を「ＧｏｃρＶＡＪと訂正する。 （４） 同第６頁第４行〜＠７行の「つまり・・・決ま
る。（チョーク現象）。」なる記載を下記のとお９訂正
する。 「つまシρとＶの積はＰ、を下げるに従い増加し、ρＶ
が最大とがる流量がある。このとき流速は音速となって
おり、それ以上Ｐ８を下げてもρＶ は一定となり、流
量ＧはＰｌとムの積で決まる（チョーク現象）。」 （２） （５）同第７頁第９行の「のみで」なる記載を「とシャ
ッタ開度で」と訂正し、第１５行及び第１６行の１飽和
圧力」を「飽和蒸気圧力」と訂正する。 （６） 同第８頁第３行の 「 なる記載を下記のとおシ訂正する。 「 」 （７） 同第９頁第１４行の 「Ｅ＋１ なる記載を 「 に＋１ 」 と訂正する。 （８）図面の第２図、第６図、第８図及び第９図を別紙
のとお９訂正する（各図中の「上部ヒータパワー」なる
記載を「ヒータ電力」と訂正する）。 時間（分） 第９図 時 間 （分） 手続補正書 昭和６０年 ６月ノ９日 特許庁長官 志賀 学殿 １、事件の表示 昭和５９ 年特許願第１０６５９６号 ２°発”１１ ｎ 名＋ｉｓ： 真空蒸発装置の蒸発量
制御方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目５番１号＆Ｓ２°
（６２０）三菱重工業株式会社（名 利０ （ほか１名） ４、復式 理 人 住 所 東京都港区虎ノ門−丁目１６番２号（ほか１名
） ５、補正命令の日付 自発補正 ２補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２） 図
面 ａ補正の内容 （１）明細書第１４頁第３行の「シャッター開度（チ）
」なる記載を「シャッター開度比」と訂正する。 （２）図面第２図、第５図及び第６図をそれぞれ別紙の
とおシ補正する。 （２） 第２図 時間（＠ シャッタ開孔比、５１１５゜
を説明する図。 第２図は本発明方法による亜鉛蒸着量制御の結果を示す
グラフ。 第３図（ａ）および（ｂ）は本発明方法に用いる装置の
別の実施態様を説明する図であって、バタン、ライ形シ
ャッタを用いるものを示す。 第４図は本発明方法のさらなる実施態様であって、板上
の付着量検出器を併用する方法を説明する図。 第５図は本発明の実施例１において本発明方法にもとづ
く予想曲線と実測値の比較を行った結果を示すグラフ。 第６図は本発明の実施例２の操作方法を説明する図。 第７図体）〜（０）は従来の連続式真空蒸発装置を概略
説明する図。 第８図および第９図は、従来方法による亜鉛蒸着量制御
を行った時の亜鉛付着量変化を例示するグラフで、第８
図はヒータ電力のみの変化による制御、第９図はシャッ
タ開度のみの変化による制御を示す。 後代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 区 Ｃｖ）［５ 滅 − 第７図 （Ｃ） 時間（分） 特許庁長官志 賀 字 殿 １．事件の表示 昭和５９ 年特許願第 １０６１６号 ２、発明の名称 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目５番１号４、復式
理 人 氏 名 弁理士（７１７９） 内 １） 明（ほか１名
） ５、補正命令の日付 自発補正 ６、補正により増加する発明の数 ′なルＺ補正の対称 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２） 図
面 ａ補正の内容 （り 明細書第３頁第１０行及び第２０行、第１５頁第
２０行ならびに第１４頁第５〜４行の「上部ヒータパワ
ー」もしくは「ヒーターパワー」なる記載金「ヒータ電
力」と訂正する。 （２） 同第５頁第１３行及びＷ、１５行の「ヒータ出
力」なる記載ｔ″「ヒータ電力」と訂正する。 （３）同第５頁＠１５行ノ「Ｇ＝ＰＶＡＪ７ｆｆｉ、６
記載を「ＧｏｃρＶＡＪと訂正する。 （４） 同第６頁第４行〜＠７行の「つまり・・・決ま
る。（チョーク現象）。」なる記載を下記のとお９訂正
する。 「つまシρとＶの積はＰ、を下げるに従い増加し、ρＶ
が最大とがる流量がある。このとき流速は音速となって
おり、それ以上Ｐ８を下げてもρＶ は一定となり、流
量ＧはＰｌとムの積で決まる（チョーク現象）。」 （２） （５）同第７頁第９行の「のみで」なる記載を「とシャ
ッタ開度で」と訂正し、第１５行及び第１６行の１飽和
圧力」を「飽和蒸気圧力」と訂正する。 （６） 同第８頁第３行の 「 なる記載を下記のとおシ訂正する。 「 」 （７） 同第９頁第１４行の 「Ｅ＋１ なる記載を 「 に＋１ 」 と訂正する。 （８）図面の第２図、第６図、第８図及び第９図を別紙
のとお９訂正する（各図中の「上部ヒータパワー」なる
記載を「ヒータ電力」と訂正する）。 時間（分） 第９図 時 間 （分） 手続補正書 昭和６０年 ６月ノ９日 特許庁長官 志賀 学殿 １、事件の表示 昭和５９ 年特許願第１０６５９６号 ２°発”１１ ｎ 名＋ｉｓ： 真空蒸発装置の蒸発量
制御方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目５番１号＆Ｓ２°
（６２０）三菱重工業株式会社（名 利０ （ほか１名） ４、復式 理 人 住 所 東京都港区虎ノ門−丁目１６番２号（ほか１名
） ５、補正命令の日付 自発補正 ２補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２） 図
面 ａ補正の内容 （１）明細書第１４頁第３行の「シャッター開度（チ）
」なる記載を「シャッター開度比」と訂正する。 （２）図面第２図、第５図及び第６図をそれぞれ別紙の
とおシ補正する。 （２） 第２図 時間（＠ シャッタ開孔比、５１１５゜
Claims (2)
- （１）連続式真空蒸着装置において、蒸発槽出口のシャ
ッタ部で金属蒸気流がチョークする開口面積とし、蒸発
量の瞬間的な制御をシャッタで行い、次いでヒートバラ
ンス上の制御をヒータ電力で行うことを特徴とする真空
蒸着装置の蒸発量制御方法。 - （２）金属蒸気流が亜鉛である特許請求の範囲第（１）
項記載の真空蒸発装置の蒸発量制御方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106396A JPS60251273A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 |
| CA000481704A CA1249491A (en) | 1984-05-28 | 1985-05-16 | Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process |
| US06/735,442 US4587134A (en) | 1984-05-28 | 1985-05-17 | Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process |
| EP85106511A EP0166960B1 (en) | 1984-05-28 | 1985-05-24 | Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process |
| DE8585106511T DE3583829D1 (de) | 1984-05-28 | 1985-05-24 | Verfahren zur raschen veraenderung der abgeschiedenen menge beim kontinuierlichen bedampfen. |
| KR1019850003652A KR890004044B1 (ko) | 1984-05-28 | 1985-05-28 | 연속 증착 공정에서의 부착량 급속 변화 방법 |
| AU43056/85A AU574469B2 (en) | 1984-05-28 | 1985-05-28 | Changing rate of deposition of metal in vacuum evaporation process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106396A JPS60251273A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251273A true JPS60251273A (ja) | 1985-12-11 |
| JPH037751B2 JPH037751B2 (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=14432526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59106396A Granted JPS60251273A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4587134A (ja) |
| EP (1) | EP0166960B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60251273A (ja) |
| KR (1) | KR890004044B1 (ja) |
| AU (1) | AU574469B2 (ja) |
| CA (1) | CA1249491A (ja) |
| DE (1) | DE3583829D1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267471A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 |
| JPS62267465A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 連続真空蒸着装置の蒸着室内における溶融金属表面の汚れ検出方法 |
| JPS648265A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method for controlling evaporation rate of vacuum deposition device |
| JPS6465257A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method for controlling amount of evaporation in vacuum deposition device |
| JP2004504487A (ja) * | 2000-07-17 | 2004-02-12 | コールス テクノロジー ベー．フェー． | 蒸着方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4898746A (en) * | 1988-06-28 | 1990-02-06 | Rca Licensing Corporation | Material deposition process analysis system |
| DE4442733C2 (de) * | 1994-12-01 | 2001-04-26 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Einrichtung zur Bedampfung bandförmiger Substrate im Vakuum |
| TW340876B (en) * | 1996-03-27 | 1998-09-21 | Nisshin Steel Co Ltd | Method and apparatus for controlling the deposition amount of a plating metal as well as method and apparatus for measuring the amount of a metal vapor |
| US5951769A (en) | 1997-06-04 | 1999-09-14 | Crown Roll Leaf, Inc. | Method and apparatus for making high refractive index (HRI) film |
| US6254934B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-07-03 | Litton Systems, Inc. | Method for controlled deposition of mirror layers |
| EP1972699A1 (fr) * | 2007-03-20 | 2008-09-24 | ArcelorMittal France | Procede de revetement d'un substrat et installation de depot sous vide d'alliage metallique |
| JP5740552B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2015-06-24 | アドヴァンスト ガルヴァニゼイション アーゲー | 真空蒸発法における蒸気流を制御するための方法及び装置 |
| EP2199425A1 (fr) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | ArcelorMittal France | Générateur de vapeur industriel pour le dépôt d'un revêtement d'alliage sur une bande métallique (II) |
| US20120052189A1 (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-01 | Litian Liu | Vapor deposition system |
| KR102007697B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2019-08-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차전지용 전극 제조 장치 |
| TWI582251B (zh) * | 2014-10-31 | 2017-05-11 | 財團法人工業技術研究院 | 蒸鍍系統以及蒸鍍方法 |
| CN104988462B (zh) * | 2015-07-23 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种坩埚装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2440135A (en) * | 1944-08-04 | 1948-04-20 | Alexander Paul | Method of and apparatus for depositing substances by thermal evaporation in vacuum chambers |
| GB1010456A (en) * | 1962-10-02 | 1965-11-17 | G V Planer Ltd | Means for measuring and/or controlling the evaporation rate in vacuum evaporation processes |
| US3281265A (en) * | 1963-09-17 | 1966-10-25 | United States Steel Corp | Method and apparatus for controlling coating thickness by electron beam evaporation |
| US3602190A (en) * | 1968-10-30 | 1971-08-31 | Western Electric Co | Multiple vaporizing system |
| US3690933A (en) * | 1970-05-21 | 1972-09-12 | Republic Steel Corp | Apparatus and method for continuously condensing metal vapor upon a substrate |
| BE789818A (fr) * | 1971-10-07 | 1973-04-06 | Du Pont | Composes de polycetal |
| BE790940A (fr) * | 1971-11-04 | 1973-03-01 | Rca Corp | Procede de reglage de la composition d'un film |
| GB1483966A (en) * | 1974-10-23 | 1977-08-24 | Sharp Kk | Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition |
| US4061800A (en) * | 1975-02-06 | 1977-12-06 | Applied Materials, Inc. | Vapor desposition method |
| US3971334A (en) * | 1975-03-04 | 1976-07-27 | Xerox Corporation | Coating device |
| JPS5210869A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-27 | Toshinori Takagi | Thin film forming method |
| DE2548357C2 (de) * | 1975-10-29 | 1983-05-26 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Einrichtung zur kontinuierlichen Vakuumbedampfung eines bandförmigen Trägermaterials mit Zink |
| JPS5739172A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus for preparing thin film |
| US4425871A (en) * | 1981-02-09 | 1984-01-17 | Applied Magnetics Corporation | Apparatus for sensing deposition of a thin film layer of a material |
| CA1163231A (en) * | 1981-07-24 | 1984-03-06 | Don E. Brodie | Reactive plating method and product |
| JPS5871370A (ja) * | 1981-10-24 | 1983-04-28 | Nippon Electric Ind Co Ltd | ロ−ルフイルムの金属蒸着自動制御装置 |
| US4495889A (en) * | 1982-11-24 | 1985-01-29 | Riley Thomas J | Polymeric film coating apparatus |
| US4526802A (en) * | 1983-03-31 | 1985-07-02 | Clarion Co., Ltd. | Film deposition equipment |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP59106396A patent/JPS60251273A/ja active Granted
-
1985
- 1985-05-16 CA CA000481704A patent/CA1249491A/en not_active Expired
- 1985-05-17 US US06/735,442 patent/US4587134A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-24 EP EP85106511A patent/EP0166960B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-24 DE DE8585106511T patent/DE3583829D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-28 AU AU43056/85A patent/AU574469B2/en not_active Ceased
- 1985-05-28 KR KR1019850003652A patent/KR890004044B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267471A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 |
| JPS62267465A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 連続真空蒸着装置の蒸着室内における溶融金属表面の汚れ検出方法 |
| JPS648265A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method for controlling evaporation rate of vacuum deposition device |
| JPS6465257A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method for controlling amount of evaporation in vacuum deposition device |
| JP2004504487A (ja) * | 2000-07-17 | 2004-02-12 | コールス テクノロジー ベー．フェー． | 蒸着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3583829D1 (de) | 1991-09-26 |
| KR850008503A (ko) | 1985-12-18 |
| EP0166960A2 (en) | 1986-01-08 |
| AU4305685A (en) | 1985-12-05 |
| US4587134A (en) | 1986-05-06 |
| CA1249491A (en) | 1989-01-31 |
| AU574469B2 (en) | 1988-07-07 |
| EP0166960A3 (en) | 1988-03-30 |
| JPH037751B2 (ja) | 1991-02-04 |
| KR890004044B1 (ko) | 1989-10-18 |
| EP0166960B1 (en) | 1991-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60251273A (ja) | 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 | |
| RU2429312C1 (ru) | Промышленный парогенератор для нанесения на металлическую ленту покрытия из сплава | |
| RU2515875C2 (ru) | Промышленный генератор пара для нанесения покрытия из сплава на металлическую полосу (ii) | |
| JP5049446B2 (ja) | 蒸着方法 | |
| KR890002655B1 (ko) | 진공증착장치에서 부착량의 분포제어방법 | |
| AU2001275831A1 (en) | Vapour deposition | |
| KR100287978B1 (ko) | 증발속도를 크게 한 mg 증발방법 | |
| CA1050720A (en) | Continuous casting method and apparatus | |
| JP7219780B2 (ja) | 基板コーティング用真空蒸着設備及び方法 | |
| JPH0136554B2 (ja) | ||
| US3608520A (en) | Coating apparatus | |
| CN1325693C (zh) | 局部涂覆分离剂的方法和装置 | |
| CN113930738B (zh) | 一种真空镀膜用的金属蒸汽调制装置及其调制方法 | |
| KR101778441B1 (ko) | 건식코팅장치 | |
| JPS63199868A (ja) | 真空蒸発装置内の溶融金属レベル制御装置 | |
| JPS6043209B2 (ja) | 鋼板の冷却装置 | |
| JP2009233716A (ja) | 圧延材の冷却方法 | |
| JPH0716635A (ja) | 圧延材の冷却制御装置 | |
| JPH01184270A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| US382321A (en) | Manufacture of sheet metal | |
| JPS62270772A (ja) | 連続式真空蒸着装置の付着量のオンライン学習制御方法 | |
| JPS63192859A (ja) | 連続式真空蒸着装置 | |
| JPS63274769A (ja) | 真空蒸着装置のメツキ材料の蒸発量制御方法 | |
| JPS632682B2 (ja) | ||
| JPH01205073A (ja) | 真空蒸発装置の蒸発量制御方法 |