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JPS60166275A - セラミツクスと金属との接合方法 - Google Patents

セラミツクスと金属との接合方法

Info

Publication number
JPS60166275A
JPS60166275A JP2153984A JP2153984A JPS60166275A JP S60166275 A JPS60166275 A JP S60166275A JP 2153984 A JP2153984 A JP 2153984A JP 2153984 A JP2153984 A JP 2153984A JP S60166275 A JPS60166275 A JP S60166275A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
base material
joint
alloy
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2153984A
Other languages
English (en)
Inventor
白兼 誠
中橋 昌子
山崎 達雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2153984A priority Critical patent/JPS60166275A/ja
Publication of JPS60166275A publication Critical patent/JPS60166275A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Ceramic Products (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は金属とセラミックとを接合する方法の改良に関
する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
金属とセラミックとは夫々異なった原子結合状態を有し
、このため金属とセラミックとを接合する場合、それら
の反応性などの化学的性質、熱膨張率、電気伝導度など
の物理的性質は大きく異なる。したがって、両部材を良
好に濡らし、信頼性の高い冶金的な接合を行なうことは
相当困難である。
ところで、従来よ〕金属とセラミックとの冶金的接合方
法としては以下に示す種々の方法が知られている。
■ セラミック母材の接合面にMo −T−Wを主成分
とする粉末と有機バインダの混合物を塗布し、加湿した
雰囲気中で1400〜1700℃に加熱して反応させる
。これは通常、メタライジングと呼ばれる方法である。
次いで、前記メタライジング上にN1メッキを施した後
、該Niメッキに金属母材(例えばCu母拐)をPb 
−Sn系半田などによシ接合する。こうした接合方法は
エレクトロニクス部品において、絶縁体としてのセラミ
ック母材と導体としてのCu部材を接合する場合に多用
されている。
■ 金属母材とセラミック母材とをAu 、 P tの
ような貴金属、つまシ酸素との親和力の小さい金属を主
成分とする合金を用いて接合する方法。
■ 金属母材とセラミック母材との接合部にTI 、 
Nb 、 Zrなどの活性金属又は熱処理によって活性
金属に変換される活性金属水素化物を介在させた後、高
温、高圧下で接合する方法。
しかしながら、上記■の方法は工程数が多く煩雑である
という欠点を有する。上記■の方法は簡単な工程で接合
できるものの、高価な貴金属を使用するため経済的では
なく、しがも金属母材とセラミック母材が十分に接触す
るように高い圧力を必要として、変形を嫌うエレクトロ
部品などの接合には好ましくない。上記■の方法では活
性金属によシ強固な接合を行なえるものの、高い接合圧
力を必要とするため前記■の方法と同様、変形を嫌うエ
レクトロ部品などの接合には好ましくない。
このようなことから、Ti、Zrなどの活性金属はCu
 、 Nl 、 Feなどの遷移金属との合金において
、その共晶組成領域で活性金属の単体の融点(Ti;1
720℃、Zr ; 1860℃)及びCu 、 Ni
 、 Fe単体の融点(夫々1083℃、 1453℃
、 1534℃)と比較して融点を数100℃低下させ
ることに着目し、遷移金属母材とセラミック母材との接
合部に活性金属を介在させ、該接合部を遷移金属および
活性金属の合金の融点よシ高く、遷移金属の融点呟シ低
い温度に加熱し、遷移金属と活性金属との原子を相互に
拡散させて合金化し、この合金によって遷移金属母材と
セラミック母材とを接合する方法が米国特許第2,85
7,663号明細書に開示されている。かかる方法によ
れば、接合時において接合部に遷移金属と活性金属との
合金の融液によシ満たされ、金属母材とセラミック母材
とを濡すので、各母材を十分接触させるための接合時の
加圧をほとんど必要とせず、かつ活性金属の効果によシ
それら母材を強固に接合できる。しがしながら、得られ
た金属−セラミックの接合部材に熱衝撃を加えると、セ
ラミック母材にクラックが発生する欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は金属母材とセラミック母材とを簡単な工程で加
圧せずに強固に接合できると共に、それら接合部材に熱
衝撃を加えてもセラミック母材のクラック発生を防止し
得る接合方法を提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
本発明者らは前述した米国特許の方法により作られた接
合部材への熱衝撃によるセラミック母材のクラック発生
について種々検討した結果、遷移金属母材とセラミック
母材との接合部における遷移金属と活性金属との合金の
接合分布、つまシ合金層の接合部と非接合部の分布比が
セラミック母材のクラックに密接に相関することを究明
した。
こうした相関関係は次のような機構によるものと考えら
れる。即ち、遷移金属或いは活性金属などの金属とセラ
ミックとは熱膨張係数が大きく異なるため、接合部の温
度が上昇したシ、下降したシすると、その接合部に大き
な応力が生じる。この場合、Cu、Ni或いは全律固溶
体としてのCu −N i合金などの金属はその硬度が
低く、柔らかいため、前記応力によシ容易に変形して応
力を緩和し易い。
これに対し、遷移金属(Cu、Ni等)と活性金属(T
I、Zr等)との合金は硬く、変形し難いため、接合部
にこれら合金層が多量に存在すると、応力の緩和現象が
小さく、セラミック母材に応力が加わってクラックが発
生するものと考えられる。
このようなことから、本発明者らは上記究明結果を踏え
て、更に鋭意研究したところ、金属母材とセラミック母
材との接合面に接合部と非接合部とを設けることによシ
、応力が緩和することを見い出した。つまシ、金属母材
とセラミック母材との接合面に貫通孔を有する活性金属
層或いはいずれかが貫通孔を有する活性金属層および金
属層を介在させ、該金属と活性金属の合金を生成した接
合部と合金を生成していない非接合部を設けることによ
シ実質的にそれら母材の接合部に多量の合金層が存在し
ないようにすることによって、既述の如く各母材を加圧
せずに強固に接合できると共に、接合後、熱衝撃を与え
てもセラミック母材のクランク発生を防止し得る接合方
法を見い出したものである。
次に、本発明の詳細な説明する。
まず、金属母材と七ラミック母材との接合部(″−貫通
孔を有する活性金属層又はいずれかが貫通孔を有する活
性金属層および金属層を介在させる。
ここに用いる金属としては、例えばCu 、 Nl 、
 Fe又はこれらの合金等を挙げることができる。また
、セラミックとしては窒化物(AAN 、 5t3N4
. BNなど)、炭化物(sicなど)、酸化物(Aj
t、03など)をはじめとする各種のセラミックを用い
ることができる。更に、活性金属としては、例えばTi
或いはZr等を挙げることができる。こうした活性金属
層の貫通孔の大きさは、目標とする接合部と非接合部と
の分布比によシ決定される、接合部と非接合部との分布
比は接合部の面積が20〜70%を占める範囲が望まし
く20%未満では接合強度が充分でなく、70%を超え
ると応力の緩和現象が充分でなくなる。かかる活性金属
層を前記接合部に介在させる手段としては、例えば活性
金属箔を用いて介在させる方法が採用し得る。
次いで、金属母材とセラミック母材の接合部を真空雰囲
気、或いは不活性ガス雰囲気中にて加熱して保持する。
この工程において、基本的には圧力を加えなくともよい
が、必要に応じて0.01〜1kg/am の低圧力を
加えて加熱してもよい。加熱温度は金属母材と活性金属
の合金の融点より高く、金属母材の融点よシ低いことが
必要である。具体的には金属母材をCu 、 Ni 、
 Fe又はその合金で形成し、 TI又はwrの活性金
属層を用いる場合には872〜1085℃の範囲で加熱
する。こうした熱処理によシ各母材にその母性金属と活
性金属の合金融液が生成される。つづいて、合金の拡散
が終了し、接合面に合金層の接合部と非接合部が存在す
る状態になった時点で酸化を防止しつつ冷却して金属−
セラミックの接合材を形成する。
〔発明の実施例〕
次に、本発明の実施例を第1区を用いて説明する。
実施例1 まず、15朋角、厚さ2朋のA−IN板状体1と15j
lll角、厚さ30011mの無酸素銅板状体2を各々
1枚用意した。つづいて、これら板状体をトリクレン及
びアセトンで洗浄して脱脂処理した後、それら板状体の
接合部に厚さ20μmの貫通孔率90%のTi箔3を介
在させ、2 X 10 ” Torrの真空度に保持し
たホットプレス中1ニセソトした。ひきつづき板状体間
に上下方向から0,1kg7mm”の圧力を加え、高周
波加熱によシ接合部を930°Cζ二10分間保持して
Co −Tiの合金層を無酸素銅板状体に格子縞状に拡
散せしめた。
しかして、接合部を100倍の光学顕微鏡で観察した結
果、接合部面積が約40%であpAJIN板状体のクラ
ック発生も無く、良好なCu −AA+N接合材を得る
ことができた。
実施例2 まず、15朋角、厚さ3朋の8i、N、板状体と10鳳
萬角、厚さ1順のNi板状体を各々1枚用意した。つづ
いて、これら板状体をトリクレン及びアセトンで洗浄し
て脱脂処理を施した後、これら板状体の接合部に厚さ2
0μm1貫通孔率95%のZr箔と厚さ50μmのCo
箔を介在させ、2X10 Torrの真空度に保持され
たホットプレス中にセットした。
ひきつづき、板状体間に上下方向からQ、1 kg/i
+i+’の圧力を加え、高周波加熱によシ接合部を98
0℃に加熱し、10分間保持した。次いで圧力を解除し
てCu−Zrの合金層をNi板状体に格子縞状に拡散せ
しめた。しかして、接合部を実施例1と同様に観察した
結果、接合部面積が約50%でありがつ8i、N4板状
体のクラック発生もなく良好なNl −81、N、接合
体を得ることができた。
実施例3 まず15jlII角、厚さ311r1xのllN5N、
板状体と10n角、厚さ3 amステンレス鋼(JIS
 SU8304 )板状体を各々1枚用意した。つづい
てこれら板状体をトリクレン及びアセトンで洗浄して脱
脂処理を施した後、これら板状体の接合面に厚さ15皿
、貫連射率90%のTI箔と厚さ20μmのNi箔を介
在させ、2×IQ Torrの真空度に保持されたホッ
トプレス中にてセットした。ひきつづき板状体間に上下
方向から(12kg/am”の浮力を加え、高周波加熱
により、接合部を1000°Cに加熱し10分間保持し
た。次いで圧力を解除してTl−Niの合金層をステン
レス鋼板状体に格子縞状に拡散せしめた。
しかして接合部を実施例1と同様に観察した結果、接合
部面積が約60%であり、かつSi3N4板状体のクラ
ック発生もなく良好なステンレス鋼−813N、接合体
を得ることができた。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明によれば金属母材とセラミッ
ク母材を簡単な工程で加圧せずに強固に一合できると共
に、形成工程或いは接合後に熱衝撃を受けてもセラミッ
ク母材のクラック発生を防止し得る接合方法を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る接合方法を示すt章斜視図である
。 1:AJN板状体 2 : Cu板状体 3:貫通孔を
有するTl箔

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属母材とセラミック母材との接合面に、貫通孔
    を有する活性金属層或いは、いずれかが貫通孔を有する
    活性金属層および金属層を介在させた後、この接合部を
    前記金属母材と活性金属の合金、或いは前記金属と活性
    金属の合金の融点よ)高く、前記金属母材の融点より低
    い温度に保持して接合面に前記合金の生成部と非生成部
    を設けたことを特徴とした金属とセラミックとの接合方
    法。
  2. (2)金属母材及び金属層がCu 、 Ni 、 Fe
    或いはその合金であることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の金属とセラミックとの接合方法。
  3. (3)活性金属がT1或いはZrであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の金属とセラミックとの接
    合方法。
JP2153984A 1984-02-10 1984-02-10 セラミツクスと金属との接合方法 Pending JPS60166275A (ja)

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JP2153984A JPS60166275A (ja) 1984-02-10 1984-02-10 セラミツクスと金属との接合方法

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JPS60166275A true JPS60166275A (ja) 1985-08-29

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ID=12057771

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JP2153984A Pending JPS60166275A (ja) 1984-02-10 1984-02-10 セラミツクスと金属との接合方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4901904A (en) * 1985-07-22 1990-02-20 Ngk Insulators, Ltd. Method of producing brazing metals
JP2594475B2 (ja) * 1990-04-16 1997-03-26 電気化学工業株式会社 セラミックス回路基板
JPH09181423A (ja) * 1990-04-16 1997-07-11 Denki Kagaku Kogyo Kk セラミックス回路基板

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JP2594475B2 (ja) * 1990-04-16 1997-03-26 電気化学工業株式会社 セラミックス回路基板
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