JPS60113993A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
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- JPS60113993A JPS60113993A JP58222336A JP22233683A JPS60113993A JP S60113993 A JPS60113993 A JP S60113993A JP 58222336 A JP58222336 A JP 58222336A JP 22233683 A JP22233683 A JP 22233683A JP S60113993 A JPS60113993 A JP S60113993A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は多層回路基板の製造方法に関する。
最近の混成集積回路は、ＶＬＳＩ化に対応して１ｇ号線
数全多く布線する必要があり、これには低抵抗な布線抵
抗で欠現する必要がある。寸た、周辺部品を宮めで機能
化する必要があるため１言穣性の昆い厚膜抵抗素子の使
用、およびチップ部品、テップキャリアなどの重量物パ
ッケージに対しても平田食われのない、かつセラミック
基板との良好な密着性全有する導体の使用で高［言頼を
達成しながら高密度化する必要がある。
数全多く布線する必要があり、これには低抵抗な布線抵
抗で欠現する必要がある。寸た、周辺部品を宮めで機能
化する必要があるため１言穣性の昆い厚膜抵抗素子の使
用、およびチップ部品、テップキャリアなどの重量物パ
ッケージに対しても平田食われのない、かつセラミック
基板との良好な密着性全有する導体の使用で高［言頼を
達成しながら高密度化する必要がある。
第１図は従来のＭ！３縁ペーストおよび導体ペーストの
印刷、焼成に工す形成された多層回路基板の′ｇＴ面図
であり、図において、ｔ１＋は基板としての例えばアル
ミナセラミック、（２）は厚膜導体による第１４体層、
（３）は厚膜抵抗体、（４１はクロスガラス層、１．５
１ｉｄ厚膜導体による第２導体層を示している。
印刷、焼成に工す形成された多層回路基板の′ｇＴ面図
であり、図において、ｔ１＋は基板としての例えばアル
ミナセラミック、（２）は厚膜導体による第１４体層、
（３）は厚膜抵抗体、（４１はクロスガラス層、１．５
１ｉｄ厚膜導体による第２導体層を示している。
従来の多層回路基板は上記のように構成され、各層を厚
膜で形成するために、厚膜抵抗材料との信頼性は確立さ
れたものがあるが、周知のこさく微細バクーンの形成に
は１００〜２０ｏｐｍ巾迄との限界がある。このため厚
膜導体をエツチングやレーザ焼成でサブストラクテイプ
的に形成、微細化することが公知となっている。しかし
、サブストラクテイブ的に形成するため、一度全面に未
焼成又は焼成状態で形成しておく必要があり、抵抗体金
有する場合、第２導体ｆｆ：厚膜、印刷技術で抵抗体に
近接することは困難で微細パターンは事実上困難であり
、才た抵抗体全有する場合の厚膜導体材料としては一般
に銀、パラジウム、白金・銀等の貴金属材料などが用い
られるが、これらの汎用厚膜材料では導体シート抵抗値
が２０〜ｌｏｏｍΩと高く、回路実装の信号伝送系に問
題音生するという欠点があった。
膜で形成するために、厚膜抵抗材料との信頼性は確立さ
れたものがあるが、周知のこさく微細バクーンの形成に
は１００〜２０ｏｐｍ巾迄との限界がある。このため厚
膜導体をエツチングやレーザ焼成でサブストラクテイプ
的に形成、微細化することが公知となっている。しかし
、サブストラクテイブ的に形成するため、一度全面に未
焼成又は焼成状態で形成しておく必要があり、抵抗体金
有する場合、第２導体ｆｆ：厚膜、印刷技術で抵抗体に
近接することは困難で微細パターンは事実上困難であり
、才た抵抗体全有する場合の厚膜導体材料としては一般
に銀、パラジウム、白金・銀等の貴金属材料などが用い
られるが、これらの汎用厚膜材料では導体シート抵抗値
が２０〜ｌｏｏｍΩと高く、回路実装の信号伝送系に問
題音生するという欠点があった。
この発明は上記従来のものの欠点を除去するためになさ
ｈたもので、基板に所定パターンの第１導体層を形成し
、厚膜形成、焼成して上記第１導体層に阪続された抵抗
体を形成し、北記第１導体層と抵抗体上に樹脂にエリ絶
ＲＮを形成し、この絶縁層にメッキし、所定パターンに
エツチングして第２導体層を形成することにより、第２
導体が抵抗体に近接配置できるのｒ／ｉ’ｇうに及はす
、抵抗体と重ね配線でき、しかも容易に微細バタ〜ンと
することができる。才た、低抵抗金属を用いたメッキで
製造されることにエリ、低抵抗導体となる多層回路基板
の製造方法を提供することを目的とする。
ｈたもので、基板に所定パターンの第１導体層を形成し
、厚膜形成、焼成して上記第１導体層に阪続された抵抗
体を形成し、北記第１導体層と抵抗体上に樹脂にエリ絶
ＲＮを形成し、この絶縁層にメッキし、所定パターンに
エツチングして第２導体層を形成することにより、第２
導体が抵抗体に近接配置できるのｒ／ｉ’ｇうに及はす
、抵抗体と重ね配線でき、しかも容易に微細バタ〜ンと
することができる。才た、低抵抗金属を用いたメッキで
製造されることにエリ、低抵抗導体となる多層回路基板
の製造方法を提供することを目的とする。
第２図〜第４図はこの発明の一夾癩例にかかわる多層回
路基板の断面図であり、＋＋１次この発明の一実篩例に
より製造される多層回路基板の製造過程を示す。
路基板の断面図であり、＋＋１次この発明の一実篩例に
より製造される多層回路基板の製造過程を示す。
図において、ｆ！＋は基板としての例えはアルミナセラ
ミック、ｔ２＋ｉｄアルミナセラミック基板＋１＋上に
印刷さｔまた例えば銀・パラジウム系を用いた第１導体
層、（３）は同様に形成された例えは酸化ルテニウム系
を用いた厚膜抵抗体、（６）は第２図に示す第１導体層
（２）と抵抗体（３）の上に、パクーニング後硬化して
形成さｉ″Ｌ定例えは感光性ポリイミド樹脂を用いた絶
縁層、（７）は第１．第２導体層間を接続するために絶
縁層内に形成された貫通孔、（８）は第３図に不す基板
の絶縁層上及び純通孔（７）内にメッキにより形成され
た第２尋体層である。即ち、例えばアルミナセラミック
を用いた基１（１）上に、例えは銀パラジウム系４体ペ
ーストを印刷、焼成し厚膜導体による第ｇ４体層（２）
を形成する。次に、例えは酸化ルテニウム系厚膜抵抗ペ
ースト’を印刷。
ミック、ｔ２＋ｉｄアルミナセラミック基板＋１＋上に
印刷さｔまた例えば銀・パラジウム系を用いた第１導体
層、（３）は同様に形成された例えは酸化ルテニウム系
を用いた厚膜抵抗体、（６）は第２図に示す第１導体層
（２）と抵抗体（３）の上に、パクーニング後硬化して
形成さｉ″Ｌ定例えは感光性ポリイミド樹脂を用いた絶
縁層、（７）は第１．第２導体層間を接続するために絶
縁層内に形成された貫通孔、（８）は第３図に不す基板
の絶縁層上及び純通孔（７）内にメッキにより形成され
た第２尋体層である。即ち、例えばアルミナセラミック
を用いた基１（１）上に、例えは銀パラジウム系４体ペ
ーストを印刷、焼成し厚膜導体による第ｇ４体層（２）
を形成する。次に、例えは酸化ルテニウム系厚膜抵抗ペ
ースト’を印刷。
焼成し、厚膜抵抗体（３）全形成する。続いて、この基
板上に、例えは感光性ポリイミド樹脂を塗布し、適当な
マスク全周いて露光し、現像、加熱硬化することにより
、第３図に示すぼ通孔（７）を有するポリイミド樹脂に
よる絶縁層（６）が形成される。次に、この基板に無電
解メッキを析出させるための活性化処理を飾し、引き続
き無電解メッキ浴に浸漬することにより基板上全面にメ
ッキが析出する。これＩｃ ’＋４気メッキをした後、
写真整版技術を用いてレジスト層を形成し、エツチング
することにより、第４図に示すメッキによる第２導体層
（８）が得られる。
板上に、例えは感光性ポリイミド樹脂を塗布し、適当な
マスク全周いて露光し、現像、加熱硬化することにより
、第３図に示すぼ通孔（７）を有するポリイミド樹脂に
よる絶縁層（６）が形成される。次に、この基板に無電
解メッキを析出させるための活性化処理を飾し、引き続
き無電解メッキ浴に浸漬することにより基板上全面にメ
ッキが析出する。これＩｃ ’＋４気メッキをした後、
写真整版技術を用いてレジスト層を形成し、エツチング
することにより、第４図に示すメッキによる第２導体層
（８）が得られる。
さらに、この発明の実施例を具体的に説明する。
アルミナセラミック基板上に銀ノくラジウム（Ａｇ２．
５：Ｐｃ１１重量比）厚膜ペースト及び酸化ルテニウム
ペースト（Ｂｕｚｚ） ｋそれぞれ８５０°Ｃ、８００
°Ｃで谷４５分間ベルト炉で焼成して第１導体層と厚膜
抵抗体を形成したのち、感光性ポリイミド樹脂全スピン
コードし、蕗光現塚Ｖこより第１．第２導体層間を接続
するための鳳通孔を形成し、望索中、３００’Ｃで硬化
させる。続いて、活性化処理（例えば央野袈薬ＣＣＰ４
２００全塗布）全施し、′Ｓ電解二′ノケルメッキを行
なう。このとき、ポリイミド層に形成さｒしたｍ通孔の
壁面及び露出している第１導体層の銀パラジウム導体に
も無電解二゛ンケルメ′ンキは析出し、第１．第２導体
層ｌｌ３１の嘔気的接続が実現される。引き続き、無「
■解ニツケルメ′ンキ上にｄ；気メッキにより１導メｍ
程度の銅＄に析出させ、エツチングにより第２４体層を
形成する。ノくターン幅は最小３０μｍ程度までが容易
に可能である。
５：Ｐｃ１１重量比）厚膜ペースト及び酸化ルテニウム
ペースト（Ｂｕｚｚ） ｋそれぞれ８５０°Ｃ、８００
°Ｃで谷４５分間ベルト炉で焼成して第１導体層と厚膜
抵抗体を形成したのち、感光性ポリイミド樹脂全スピン
コードし、蕗光現塚Ｖこより第１．第２導体層間を接続
するための鳳通孔を形成し、望索中、３００’Ｃで硬化
させる。続いて、活性化処理（例えば央野袈薬ＣＣＰ４
２００全塗布）全施し、′Ｓ電解二′ノケルメッキを行
なう。このとき、ポリイミド層に形成さｒしたｍ通孔の
壁面及び露出している第１導体層の銀パラジウム導体に
も無電解二゛ンケルメ′ンキは析出し、第１．第２導体
層ｌｌ３１の嘔気的接続が実現される。引き続き、無「
■解ニツケルメ′ンキ上にｄ；気メッキにより１導メｍ
程度の銅＄に析出させ、エツチングにより第２４体層を
形成する。ノくターン幅は最小３０μｍ程度までが容易
に可能である。
−ヒ記尖施例では、導体層が２層、絶縁層が１層の場合
について述べたが、感光性ポリイミド樹脂による絶縁層
の形成、それに続くメッキＫＬる導体層の形成のプロセ
スを繰り返すことにより層数を多くすることが出来るこ
とはぎりまでもない。
について述べたが、感光性ポリイミド樹脂による絶縁層
の形成、それに続くメッキＫＬる導体層の形成のプロセ
スを繰り返すことにより層数を多くすることが出来るこ
とはぎりまでもない。
また、最上層は、部品取付は部分のみ残し、他は樹脂で
被咎するようにすれば、信頼性を向上することができる
。
被咎するようにすれば、信頼性を向上することができる
。
史に、上記実施例では、絶縁層を形成する樹脂として、
感光性ポリイミド樹脂を用いているが、例えはポリイミ
ド樹脂等パターニングが可能で、耐熱性、耐薬品性など
の条件全満足する樹脂であわは、同様の効果を秦する。
感光性ポリイミド樹脂を用いているが、例えはポリイミ
ド樹脂等パターニングが可能で、耐熱性、耐薬品性など
の条件全満足する樹脂であわは、同様の効果を秦する。
又、第１導体層に用いる金属材料としては、銀・パラジ
ウム系以外の、例えは白金・金糸等の貴金属がある。無
電、解メッキによりメッキされる金属もニッケル以外に
、銅、錫などが使用できる。
ウム系以外の、例えは白金・金糸等の貴金属がある。無
電、解メッキによりメッキされる金属もニッケル以外に
、銅、錫などが使用できる。
更に、析出速度の大きい無°屯解メッキを用いて、導体
層の膜厚を厚くすることもできる。
層の膜厚を厚くすることもできる。
以上説（７）、したとおり、この発明は基板に所定パタ
ーンのｍｌｆｉ体層を形成し、厚膜形成、焼成して上記
絹１４体層に筬続された抵抗体全形成し、上記第１導体
層と抵抗坏土に樹脂ｉｃＬり絶縁層全形成し、この絶縁
層にメッキし、所定パターンにエツチングして第２導体
層を形成することにエリ、第２導体が抵抗体に近接でき
るのｌ−ｊ百つに及はす、抵抗体と重ね配線でさ、しか
も容易に微細パターンとすることかでさる。又、低抵抗
金属を用いたメッキで製造されることにＬす、低抵抗導
体となる多層回路基板の製造方法を得ることができる。
ーンのｍｌｆｉ体層を形成し、厚膜形成、焼成して上記
絹１４体層に筬続された抵抗体全形成し、上記第１導体
層と抵抗坏土に樹脂ｉｃＬり絶縁層全形成し、この絶縁
層にメッキし、所定パターンにエツチングして第２導体
層を形成することにエリ、第２導体が抵抗体に近接でき
るのｌ−ｊ百つに及はす、抵抗体と重ね配線でさ、しか
も容易に微細パターンとすることかでさる。又、低抵抗
金属を用いたメッキで製造されることにＬす、低抵抗導
体となる多層回路基板の製造方法を得ることができる。
第１図は従来の製造方法にエリ製造きれた多層１１５回
路基板の断面図、第２図〜第４図はこの発明の一実施例
にかかわる多層回路基板を製造工程順に示す断面図であ
る。 図において、ｉ１＋は裁板、（２）は第１導体層、（３
）は厚膜抵抗体、（４）はクロスガラス層、（５）は厚
膜４体による第２導体層、（６）は絶縁層、（７）は直
通孔、（８）は第２導体層である。 なお、図中、同一符号に同−又は相当部分全示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 １゛ 第４１２１ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １ 事件の表示 特願昭５８〜２２２８８６号２、発明
の名称 多層回路基板の製造方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明紺書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 明細書第６頁第８行の１３００°ＣＪを１３５０°ＣＪ
に訂正する。 以 上
路基板の断面図、第２図〜第４図はこの発明の一実施例
にかかわる多層回路基板を製造工程順に示す断面図であ
る。 図において、ｉ１＋は裁板、（２）は第１導体層、（３
）は厚膜抵抗体、（４）はクロスガラス層、（５）は厚
膜４体による第２導体層、（６）は絶縁層、（７）は直
通孔、（８）は第２導体層である。 なお、図中、同一符号に同−又は相当部分全示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 １゛ 第４１２１ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １ 事件の表示 特願昭５８〜２２２８８６号２、発明
の名称 多層回路基板の製造方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明紺書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 明細書第６頁第８行の１３００°ＣＪを１３５０°ＣＪ
に訂正する。 以 上
Claims (3)
- （１）基板に所定パターンの第１導体層を形成する工程
、厚膜形成焼成して上記第１導体層に接続され友抵抗体
金形成する工程、上記第１導体層と抵抗体上に樹脂によ
り絶縁層を形成する工程、およびこの絶縁層にメッキし
、所定バクーンにエツチングして第２導体層を形成する
工程を施すことを特徴とする多層回路基板の製造方法。 - （２） 絶縁層に第１導体層の一部が露出する貫通孔を
設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多
層回路基板の製造方法。 - （３） 樹脂が感光性ポリイミド樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲第１頌記載の多層回路基板の製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222336A JPS60113993A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 多層回路基板の製造方法 |
| US06/669,781 US4629681A (en) | 1983-11-25 | 1984-11-09 | Method of manufacturing multilayer circuit board |
| US06/867,637 US4752555A (en) | 1983-11-25 | 1986-05-27 | Method of manufacturing multilayer circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222336A JPS60113993A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113993A true JPS60113993A (ja) | 1985-06-20 |
| JPH023317B2 JPH023317B2 (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=16780745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222336A Granted JPS60113993A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4629681A (ja) |
| JP (1) | JPS60113993A (ja) |
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| CN1081434C (zh) * | 1995-12-05 | 2002-03-20 | 国际商业机器公司 | 多层印刷电路板和制造多层印刷电路板的方法 |
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- 1984-11-09 US US06/669,781 patent/US4629681A/en not_active Expired - Lifetime
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1986
- 1986-05-27 US US06/867,637 patent/US4752555A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023317B2 (ja) | 1990-01-23 |
| US4629681A (en) | 1986-12-16 |
| US4752555A (en) | 1988-06-21 |
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