JPS5989410A - 気相反応方法 - Google Patents
気相反応方法Info
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- JPS5989410A JPS5989410A JP57199897A JP19989782A JPS5989410A JP S5989410 A JPS5989410 A JP S5989410A JP 57199897 A JP57199897 A JP 57199897A JP 19989782 A JP19989782 A JP 19989782A JP S5989410 A JPS5989410 A JP S5989410A
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- oxygen
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、１モル以下の酸素または酸化物の混入した
シランに、フッ素またはフッ化水素をシランに対し０．
１〜２０％ 、好ましくは１〜１０チの温度に混入ぜし
めた反応性気体であることを目的としている。
シランに、フッ素またはフッ化水素をシランに対し０．
１〜２０％ 、好ましくは１〜１０チの温度に混入ぜし
めた反応性気体であることを目的としている。
この発明は、かかるフッ素またはフッ化水素（以下単に
フッ素という）を混入させたシランをプラズマ気相法（
ＰＣＶＤという）または減圧気相法（ｒ、ｐｃｖＤとい
う）Ｋよシ、基板の被形成面上に非単結晶半導体膜を形
成せしめたことを目的とする０ この発明は、アモルファスまたに１結晶性が一部捷たは
全部に含む非単結晶学：４シ体であって、かかる半導体
中に酸化物性１１Ｃ１，ＩＱ化珪素（Ｓ１０□一般には
Ｓｉｑ、）が混入して、その電気伝漕度および５ｉ−Ｏ
Ｈ結合が混入して電気伝導！■、の特性劣化をおこすこ
とを防ぐことによシ、高電気伝心度を有しかつ特性の劣
化をともなわない半導体を形成することを目的としてい
る。
フッ素という）を混入させたシランをプラズマ気相法（
ＰＣＶＤという）または減圧気相法（ｒ、ｐｃｖＤとい
う）Ｋよシ、基板の被形成面上に非単結晶半導体膜を形
成せしめたことを目的とする０ この発明は、アモルファスまたに１結晶性が一部捷たは
全部に含む非単結晶学：４シ体であって、かかる半導体
中に酸化物性１１Ｃ１，ＩＱ化珪素（Ｓ１０□一般には
Ｓｉｑ、）が混入して、その電気伝漕度および５ｉ−Ｏ
Ｈ結合が混入して電気伝導！■、の特性劣化をおこすこ
とを防ぐことによシ、高電気伝心度を有しかつ特性の劣
化をともなわない半導体を形成することを目的としてい
る。
従来かかる気相法（Ｐ （３Ｖ ＤまたはＬＰＯＶＤ法
を総称する）においては、反応装ｂ°のごく微量酸素の
リークによる反応炉内への混入、ステンレス酸等内壁に
伺着している水、酸素との反応による酸化珪素の発生お
よびかかる酸化珪素の１疋コン半導体膜への混入によシ
その電気特性が十分なものではなかった。
を総称する）においては、反応装ｂ°のごく微量酸素の
リークによる反応炉内への混入、ステンレス酸等内壁に
伺着している水、酸素との反応による酸化珪素の発生お
よびかかる酸化珪素の１疋コン半導体膜への混入によシ
その電気特性が十分なものではなかった。
加えて高圧容器（ボンベともいう）中にシランを充填す
る際、この初期のボンベ内に残存する吸着水により、ボ
ンベ内では酸化珪素が発生し、このボンベ内に残存する
酸化珪素極微粉もシランとともに反応炉内を飛翔して、
シリコン半４′！体中に酸化物または水酸化物を作って
し寸っていた。そしてこのｆ１〆化物および水酸化物は
その混入ｆ２素が一般的に１０〜３Ｘ１０ ａｍ も
半朽体中に混入してしまい、結果とし′Ｃ０６１〜２％
もの湿度匠なつ１しまっていた。さらにその伝導が十分
でないとともに前記した装ｊ？’ｊ （７，”リーク等
によシさらに多くの酸素がシリコン半Ｎ）体中に混入し
又しまっていた。
る際、この初期のボンベ内に残存する吸着水により、ボ
ンベ内では酸化珪素が発生し、このボンベ内に残存する
酸化珪素極微粉もシランとともに反応炉内を飛翔して、
シリコン半４′！体中に酸化物または水酸化物を作って
し寸っていた。そしてこのｆ１〆化物および水酸化物は
その混入ｆ２素が一般的に１０〜３Ｘ１０ ａｍ も
半朽体中に混入してしまい、結果とし′Ｃ０６１〜２％
もの湿度匠なつ１しまっていた。さらにその伝導が十分
でないとともに前記した装ｊ？’ｊ （７，”リーク等
によシさらに多くの酸素がシリコン半Ｎ）体中に混入し
又しまっていた。
本発明はかかる特性低下および劣化の主原因である酸素
をとシ除くことを目的としている。
をとシ除くことを目的としている。
そのため本発１．！Ｊｌけシラン（８１Ｈ，のモノシラ
ンまたは５ｉｎＨ，、、−Ｌｎ＞ ２のポリシラン）中
にフッ素または純水素の転体を混入せしめ、このフッ素
によジシラン中の脱水を行なわしめ、反応生成物である
非１結晶シリコン中ＫＳｉＯｘまたは５ｉ（ＯＨλで表
わされる酸化珪素または水酸化珪素を除去せしめること
をｌ［ヲ徴としている。
ンまたは５ｉｎＨ，、、−Ｌｎ＞ ２のポリシラン）中
にフッ素または純水素の転体を混入せしめ、このフッ素
によジシラン中の脱水を行なわしめ、反応生成物である
非１結晶シリコン中ＫＳｉＯｘまたは５ｉ（ＯＨλで表
わされる酸化珪素または水酸化珪素を除去せしめること
をｌ［ヲ徴としている。
即ち、酸素の電気４１１度が３．０であるのに対し、そ
れより大きい３．５の１１．気Ｐｉ４１度を有するフッ
素を消量添加せしめることによシ、脱水反応（脱ｒＫ素
反応と変えてもよい）を行なわしめることを目的として
いる。
れより大きい３．５の１１．気Ｐｉ４１度を有するフッ
素を消量添加せしめることによシ、脱水反応（脱ｒＫ素
反応と変えてもよい）を行なわしめることを目的として
いる。
以下に図面に従ってその実施例を示す。
実施例１
第１図は本発明に用いられたｐｃｖＤ装置の（°；Ｌ要
を示す。
を示す。
［，４１面において被形成面をイ）する基板（１）は２
′！、い対をなし、各対を耐量（３〜１０ｃｍ）ｌ、て
反応性気体の流れにそうようにしてホルダー（１ツに保
持されている。反応炉（２）は上部下部に赤外線ヒータ
（７）（９）を有し、基板（１）を加熱している。反応
性気体はふき出し口（３）よシ排気口（８）Ｋ上方より
下方に基板表面れ、基板の近傍の空間で反応性気体をプ
ラズマ化して被形成面上に非単結晶半導体膜を形成して
いる０ 反応炉の出し入れは予備室を有し、炉内に大気が混入す
るのを防いでいる。即ち基板ホルダーは予備室（１０に
配置し、パルプ（ハ）を開は真空ポンプはりによシ真空
にした後、反応炉内（てゲート弁を開けて導入ぜしめる
。
′！、い対をなし、各対を耐量（３〜１０ｃｍ）ｌ、て
反応性気体の流れにそうようにしてホルダー（１ツに保
持されている。反応炉（２）は上部下部に赤外線ヒータ
（７）（９）を有し、基板（１）を加熱している。反応
性気体はふき出し口（３）よシ排気口（８）Ｋ上方より
下方に基板表面れ、基板の近傍の空間で反応性気体をプ
ラズマ化して被形成面上に非単結晶半導体膜を形成して
いる０ 反応炉の出し入れは予備室を有し、炉内に大気が混入す
るのを防いでいる。即ち基板ホルダーは予備室（１０に
配置し、パルプ（ハ）を開は真空ポンプはりによシ真空
にした後、反応炉内（てゲート弁を開けて導入ぜしめる
。
ドーピング系体）は流量計α′Ｌ）、バルブ９）９をイ
ｊし又いる。
ｊし又いる。
この図面では水素希釈のジポランＱす、水素希釈の７第
２：ヒンＱ′→、水素またはへリュームのキャリアガス
Ｑυを有している。シランはボンベψ）Ｋ充μ「ｉされ
、Ｊ１力１，１ε整器い夛をへてパルプ斡９より翰にイ
ピ（されている。
２：ヒンＱ′→、水素またはへリュームのキャリアガス
Ｑυを有している。シランはボンベψ）Ｋ充μ「ｉされ
、Ｊ１力１，１ε整器い夛をへてパルプ斡９より翰にイ
ピ（されている。
かかるＰＣＶＤ装置において、電気エイルギ（４）を加
えない楊−８はＬＰＯＶＤと２直る。
えない楊−８はＬＰＯＶＤと２直る。
かくし−Ｃ反応炉を真空引をし、十分配管を含めて真空
引（ＩＸｌｏ−′ｔｏｒｒ以下）をした後、フッ素の混
入したシランをに）より反応炉内に巧゛大した０温度を
２５０６０ 、反応炉内圧力をＯ，１ｔｏｒｒとし、電
気ヱネルギとしてＩＯＷを加えた。基板はここでは１０
ｃ ｍ’が１６１い４ｃｍの間隙をへ又配置されてい
る。
引（ＩＸｌｏ−′ｔｏｒｒ以下）をした後、フッ素の混
入したシランをに）より反応炉内に巧゛大した０温度を
２５０６０ 、反応炉内圧力をＯ，１ｔｏｒｒとし、電
気ヱネルギとしてＩＯＷを加えた。基板はここでは１０
ｃ ｍ’が１６１い４ｃｍの間隙をへ又配置されてい
る。
シランを３０ｃｃＺ分でフッ素／シラ／を５係とすると
フッ素はｌ 、５００７分とする）を；＋、、’：Ｌ人
した。
フッ素はｌ 、５００７分とする）を；＋、、’：Ｌ人
した。
すると反応炉内では第２図に示される反応式がおこり、
Ａ；、−果として形成される非単結晶半導体中゛ｖｒ
Ｈ：ｐ 累はＩ Ｘ １０ ｃ ｒｒ＋’以下、好まし
くは１×１０〜ｌＸｌ０ Ｃ！ｎＫ’ｔて下げること
ができた。これを赤外線吸収スペクトルまたは工ＭＡ（
イオン・マイクロ・アナライザ）により検出せしめた。
Ａ；、−果として形成される非単結晶半導体中゛ｖｒ
Ｈ：ｐ 累はＩ Ｘ １０ ｃ ｒｒ＋’以下、好まし
くは１×１０〜ｌＸｌ０ Ｃ！ｎＫ’ｔて下げること
ができた。これを赤外線吸収スペクトルまたは工ＭＡ（
イオン・マイクロ・アナライザ）により検出せしめた。
作光し轄。
第２図ｒ（おい１すＪ’、 ｉ−ｉ、、ｒＪＡ’ （３
０％３１） ”’Ｃ’ ；ｈ ６０ 結果として非狼結
晶シリコンが水素を含南しｔｌまた一部には従来のフッ
素を含有して形ル）Ｌぜしめることができた。
０％３１） ”’Ｃ’ ；ｈ ６０ 結果として非狼結
晶シリコンが水素を含南しｔｌまた一部には従来のフッ
素を含有して形ル）Ｌぜしめることができた。
この時一般にフッ素がない場合、式（３曵（３名（３つ
の反応もおき、結果としてこの反応生成物中に日１０バ
一般的にはＳ １０ ｘ ）が混入してしまう。加えて
式（３３）（’、３４）の中途の反応がおきるため、５
ｉ−ＯＨフ も同時に多４に混入してし１うことが判明し７た。
の反応もおき、結果としてこの反応生成物中に日１０バ
一般的にはＳ １０ ｘ ）が混入してしまう。加えて
式（３３）（’、３４）の中途の反応がおきるため、５
ｉ−ＯＨフ も同時に多４に混入してし１うことが判明し７た。
しかしこの反応式に式（３１）Ｋ示される如くフッ素を
混入ぜしめると、フッ素′！ｆ、たけフッ化水素は式（
３５） （３６） Ｋ示される如く、５ｉｎＬを脱水せ
しめ、プ 珪素のｒｉ（化物または水酸化物の反応を錆止すること
ができることがわかった。
混入ぜしめると、フッ素′！ｆ、たけフッ化水素は式（
３５） （３６） Ｋ示される如く、５ｉｎＬを脱水せ
しめ、プ 珪素のｒｉ（化物または水酸化物の反応を錆止すること
ができることがわかった。
さらにこの反応ＦｉＳｉＦヤを反応性気体として用いる
のではなく、フッ素（勺またはフッ化水素（ＨＦ）であ
ることが重要であシ、シラン系の］〜３０Ｗの珪素１１
〆３を作ることを４芙−Ｒ〉丁はしていない。これは式
（３卑３６）より明らかに化学的に安定なＳｉＦ、ｌｄ
、二次生成物であることよシ明らかである。
のではなく、フッ素（勺またはフッ化水素（ＨＦ）であ
ることが重要であシ、シラン系の］〜３０Ｗの珪素１１
〆３を作ることを４芙−Ｒ〉丁はしていない。これは式
（３卑３６）より明らかに化学的に安定なＳｉＦ、ｌｄ
、二次生成物であることよシ明らかである。
かくしてフッ素−ｊたはフッ化水素を添加することによ
シ、反応生成物中に酸化物または水酸化物を十分少なく
することができる。そしてそのフッ素の添加範囲は第３
図に示す曲線（３つに囲まれた斜線領域（３８）が最適
であった。
シ、反応生成物中に酸化物または水酸化物を十分少なく
することができる。そしてそのフッ素の添加範囲は第３
図に示す曲線（３つに囲まれた斜線領域（３８）が最適
であった。
は脱酸素反応を期待することができなかった。またフッ
素の添加量を２０％以上にすることも可能であるが、あ
棟り多いと配管系または反応炉がエツチングされやすく
、その結果全屈不純物が入シやすいため２０％１で好ま
しくは１〜１０％が最適であった。
素の添加量を２０％以上にすることも可能であるが、あ
棟り多いと配管系または反応炉がエツチングされやすく
、その結果全屈不純物が入シやすいため２０％１で好ま
しくは１〜１０％が最適であった。
との反応生成物を作る温度も２５０’Ｏではなく１５０
〜３００°ＯＲおいてはこ（７； ｊｉ ｄｌが好まし
がった。
〜３００°ＯＲおいてはこ（７； ｊｉ ｄｌが好まし
がった。
しかし５００〜’ｉ’ｏｏ’ｏと高温になると、単なる
ｒ、ｐＣｖＤでよく、電気エネルギは不要であった。
ｒ、ｐＣｖＤでよく、電気エネルギは不要であった。
シランを前記したモノシランではなく、ポリシラン（例
えば５ｉｔｌ−］、）を用いた場合はＬＰＣＶＤ＆−よ
３００〜５００°Ｃで可能であった。その際のフッ素は
１〜１０チ添加することが有効であった。
えば５ｉｔｌ−］、）を用いた場合はＬＰＣＶＤ＆−よ
３００〜５００°Ｃで可能であった。その際のフッ素は
１〜１０チ添加することが有効であった。
第４図はガラス基板上Ｋ Ｏ，５μの半巧体層を平行ｆ
ｆ１ｌｆ極を設けて電気伝導度特性を調べたものである
。第４図は特に本発明方法のフッ素またはフッ化水素を
冷加ｌ−た特性（４４） −（４８）およびフッ素また
はフッ化水素の添加を全く行なっていない場合の層性（
３９）〜（４３）を示したものである。
ｆ１ｌｆ極を設けて電気伝導度特性を調べたものである
。第４図は特に本発明方法のフッ素またはフッ化水素を
冷加ｌ−た特性（４４） −（４８）およびフッ素また
はフッ化水素の添加を全く行なっていない場合の層性（
３９）〜（４３）を示したものである。
図面において領域（４９）は暗転洒１ツを示し、１０（
ｎｃＪのオーダの値を有している。ことＫＡＭＩ（１０
０ｍＷ／Ｑ ｍ Ｌ） ｆ領域（５０）Ｋて照射すると
、従来は曲？ａ（４０）Ｋ示す如＜ Ｉ Ｘ １０’
（Ａ Ｃ！ ｍ５’を有しかつ２時間連続照射して約１
桁その値が劣化していた。
ｎｃＪのオーダの値を有している。ことＫＡＭＩ（１０
０ｍＷ／Ｑ ｍ Ｌ） ｆ領域（５０）Ｋて照射すると
、従来は曲？ａ（４０）Ｋ示す如＜ Ｉ Ｘ １０’
（Ａ Ｃ！ ｍ５’を有しかつ２時間連続照射して約１
桁その値が劣化していた。
他方本イ’ｉ ８Ｊ］ Ｋおい−ＣＦｉ、そ。ブ、５ヶ
。１，１．ゆ、６′湧デゴオーダと約１桁も大きく、さ
らに連続光の照射にて曲線（４５）＋でみられる如くほ
とんとその劣化かみられなかった。
。１，１．ゆ、６′湧デゴオーダと約１桁も大きく、さ
らに連続光の照射にて曲線（４５）＋でみられる如くほ
とんとその劣化かみられなかった。
さらに領域（５１）においてその照射後の暗転導度も従
来例では（３”）（’ １） Ｓ′ノー桁の劣化がみら
れるがン 本発明においては（４４）（４６）は？、！［のｎ１１
４囲で同一であ） つた〇 さらに１５０’Ｏの加熱を行なうと、従来例では曲線（
４１）が（４２）となシ、ηｌｊノーの特性向上変化が
あシその後領域（５ツにて光照射を行なうと曲線０段と
曲線＜４０）の如＜ｒｌび劣化特性がみられる。即ち従
来例ではかくの如くに電気伝導度が（５つに示される如
く小さく、かつ光照射により劣化Ｑ＋性がみられる。
来例では（３”）（’ １） Ｓ′ノー桁の劣化がみら
れるがン 本発明においては（４４）（４６）は？、！［のｎ１１
４囲で同一であ） つた〇 さらに１５０’Ｏの加熱を行なうと、従来例では曲線（
４１）が（４２）となシ、ηｌｊノーの特性向上変化が
あシその後領域（５ツにて光照射を行なうと曲線０段と
曲線＜４０）の如＜ｒｌび劣化特性がみられる。即ち従
来例ではかくの如くに電気伝導度が（５つに示される如
く小さく、かつ光照射により劣化Ｑ＋性がみられる。
しかし本発明においては、電気伝導度が（５４）の如く
大きく、かつ光照射の有無、熱アニールの有無で特性の
劣化がほとんど観察されなかった。
大きく、かつ光照射の有無、熱アニールの有無で特性の
劣化がほとんど観察されなかった。
ここに第１図に示される如くドーピング系にてホウ素を
１０″〜５ＸｌＯ” Ｃ耐′代表的には２Ｘ１０”〜ｌ
Ｘｌ６’ｃＩ７１□Ｊ混入させることにより、このホウ
素が変化をもさらに完全に除去することができた。
１０″〜５ＸｌＯ” Ｃ耐′代表的には２Ｘ１０”〜ｌ
Ｘｌ６’ｃＩ７１□Ｊ混入させることにより、このホウ
素が変化をもさらに完全に除去することができた。
第５図は第４図における従来例の光劣化特性（Ｐｈｏｔ
ｏ−工ｎｄｕｃｅｄ Ｅｆｆｅｃｔ以１Ｐ工Ｅという、
これはステズラーロンスキ７ＪＪＪ果ともいわれている
）の原理および本発明による特性びＪの原理を示したも
のである。
ｏ−工ｎｄｕｃｅｄ Ｅｆｆｅｃｔ以１Ｐ工Ｅという、
これはステズラーロンスキ７ＪＪＪ果ともいわれている
）の原理および本発明による特性びＪの原理を示したも
のである。
即ち（Ａ）はＴｉ ｆ、 Ｙ ｆ ？イ 中に【ｊとの
結合があると、この部分ではｓｉＯを作るため電気伝導
を劣化さぜる。このため第４図（５３）（４９）が作ら
れる。さり ０Ｈ基によるスピン（５５）（５ａ）を逆向きに有して
いるま ため ４″１： ＶＣこの８ｌ−ＯＨにより電気伝導に
大きな変化はない。しかし第４図曲線（４０）（４３）
Ｋみられるプ 如く光特に紫外ｉｉη照射を行なうと、その一方の８ｌ
−ＯＨ基の向きがかわる。そのタ゛イボール（双このた
め電気伝導度が曲線（４０） （４３）の如くにその照
フ 対量に従って指数関数的に桟少していく。これは１５０
°Ｃ以上の熱処理で再び熱４伯の（Ｂ） Ｋ ｆＬるた
め、曲線（４３）の光照射のルハ４１−は（５３）に概
略一致する。
結合があると、この部分ではｓｉＯを作るため電気伝導
を劣化さぜる。このため第４図（５３）（４９）が作ら
れる。さり ０Ｈ基によるスピン（５５）（５ａ）を逆向きに有して
いるま ため ４″１： ＶＣこの８ｌ−ＯＨにより電気伝導に
大きな変化はない。しかし第４図曲線（４０）（４３）
Ｋみられるプ 如く光特に紫外ｉｉη照射を行なうと、その一方の８ｌ
−ＯＨ基の向きがかわる。そのタ゛イボール（双このた
め電気伝導度が曲線（４０） （４３）の如くにその照
フ 対量に従って指数関数的に桟少していく。これは１５０
°Ｃ以上の熱処理で再び熱４伯の（Ｂ） Ｋ ｆＬるた
め、曲線（４３）の光照射のルハ４１−は（５３）に概
略一致する。
この可逆性のくりかえしがおきるため、ｌｐ￥性の劣化
がされる。このモデルは本元明人によってなされたもの
であシ、現在フィジカル・レビュー・レター社に投稿中
である。
がされる。このモデルは本元明人によってなされたもの
であシ、現在フィジカル・レビュー・レター社に投稿中
である。
さらに本ｊＩＭ明に示す如く、フッ素またはフッ化水素
を添加すると、第５図（Ｄ） Ｋ示す如く、酸素を全く
またにはとんと除去できると同時に、その珪素の不対結
合手の中和に水素およびフ、ツ素が寄与するため、第４
図（５ツに示す如く、その電気伝導度を向上せしめると
ともに、５ｉ−ＯＨ基の可逆過程による特性の劣化がな
い。
を添加すると、第５図（Ｄ） Ｋ示す如く、酸素を全く
またにはとんと除去できると同時に、その珪素の不対結
合手の中和に水素およびフ、ツ素が寄与するため、第４
図（５ツに示す如く、その電気伝導度を向上せしめると
ともに、５ｉ−ＯＨ基の可逆過程による特性の劣化がな
い。
さらにこの本発明の珪素中Ｋ ｈｚ Ｃ，酸素がそれで
も残存する場合、第５図（Ｋ） Ｋ示す如く、三４？の
ホウ素と５ｉ−ＯＨとが第５図（Ｆ） Ｋ示す如く混合
し、Ｂ−〇−８１結合によυ５ｉ−ＯＨ基の存在を禁止
することができた。その結果、電気特性の阪導度の向上
をさらＫはかることができた。
も残存する場合、第５図（Ｋ） Ｋ示す如く、三４？の
ホウ素と５ｉ−ＯＨとが第５図（Ｆ） Ｋ示す如く混合
し、Ｂ−〇−８１結合によυ５ｉ−ＯＨ基の存在を禁止
することができた。その結果、電気特性の阪導度の向上
をさらＫはかることができた。
この実施例は第１図にみられる如く、ボンベ中特にボン
ベ内でボンベとフッ素が反応しないようにその内壁にボ
ンベの金１ｑｔｙ、２化物または≧ｄ化珪累ヲコーティ
ングした。またはステンレスボンベ９へ９ を用い、その内壁をプラズマ水素゛カヒ「およびそれに
加えてプラズマ望にイア１ｆ覧を施したものケ用いた。
ベ内でボンベとフッ素が反応しないようにその内壁にボ
ンベの金１ｑｔｙ、２化物または≧ｄ化珪累ヲコーティ
ングした。またはステンレスボンベ９へ９ を用い、その内壁をプラズマ水素゛カヒ「およびそれに
加えてプラズマ望にイア１ｆ覧を施したものケ用いた。
かくすることによシ、７ツネを０．１〜２０％、残りシ
ランという高濃Ｊ皮シランをｌｏ＝３０Ｋｇ／ｃｍ”ｃ
高圧で充填することができ、かつその特性もＩ４−以上
十分安定なものであった。
ランという高濃Ｊ皮シランをｌｏ＝３０Ｋｇ／ｃｍ”ｃ
高圧で充填することができ、かつその特性もＩ４−以上
十分安定なものであった。
この発明において吏だ右ｌ（として高圧容器内にフッ素
寸たはフッ化水素を混合したシランを用いた。
寸たはフッ化水素を混合したシランを用いた。
しかし第１図においてに）よシフッ素またはフッ化水素
またＶｉこれらを水素またｔ・まヘリュームによシ０．
１〜１０％に希釈して導入し、０邊よりはシランのみ導
入し、ドーピング系にて混合させてもよい。
またＶｉこれらを水素またｔ・まヘリュームによシ０．
１〜１０％に希釈して導入し、０邊よりはシランのみ導
入し、ドーピング系にて混合させてもよい。
第３図の特性に１：かくの如く（（シて調べることによ
υさらにその粘度を向上させることができる。
υさらにその粘度を向上させることができる。
本発明に１？いてＰまたはＮ型の不純物を０．００１チ
以上混入さぜない真性のシリコン被膜を示した。
以上混入さぜない真性のシリコン被膜を示した。
しかしＮ価またはＶ価の不純物をｉ ｌａ的に導入して
ＰまたはＮ型の半２’、”４’＋体を作ることも可能で
あるＧｔまたＣ！ＩＩ達同時に導入して、シリコン金主
成分とするＢ ｉ Ｘ Ｏｒ−ｙ（（０＜ ｘ、＜ １
）を作ることも可Ｎヒでちる。
ＰまたはＮ型の半２’、”４’＋体を作ることも可能で
あるＧｔまたＣ！ＩＩ達同時に導入して、シリコン金主
成分とするＢ ｉ Ｘ Ｏｒ−ｙ（（０＜ ｘ、＜ １
）を作ることも可Ｎヒでちる。
またゲルマンを４人してシリコンを主成分とするＳ １
ＸＧｅ＋−、Ｉ（０＜Ｘ＜ １）を作ることも可能であ
る。
ＸＧｅ＋−、Ｉ（０＜Ｘ＜ １）を作ることも可能であ
る。
さらに本発明の非単結晶半導体を積層したＰ工Ｎ構造を
冶したｊＹ： ’ｉ’に、変換装置またはＩＧＦＥ’Ｔ
、集石゛１回路Ｉｔ ％ ｌ ；、 ：、 ｌ’ ｆ（
）５＋＋へＬｌ、高イｒ； ：’ＮｔＩ性の半導体装Ｉ
Ｖ１゛を実用化することができ、その工業的価値は大な
るものである。
冶したｊＹ： ’ｉ’に、変換装置またはＩＧＦＥ’Ｔ
、集石゛１回路Ｉｔ ％ ｌ ；、 ：、 ｌ’ ｆ（
）５＋＋へＬｌ、高イｒ； ：’ＮｔＩ性の半導体装Ｉ
Ｖ１゛を実用化することができ、その工業的価値は大な
るものである。
第１図は本発明に用いたＯＶＤ装置、の概要を示す〇
＃ｒ！ ２図は本発明に用いられた化学反応式を示すＯ
第３図は本光りＪＫ必要なｊｌ：１量な領域を示す。 第４図は木兄ＩＪｉｌおよび従来例の電気伝導涯の変化
を示す。 第５し；］は本発明および従来例における結合子配位の
１６．１係を示す。 ５ｉＨ４−−−−−−→ Ｓ、 −１−２Ｈ１−−−−
−（ヲのｓ、 Ｈ，＋２ ｌ−１−〜 ＳＨ＋ ２）
ＩＦ −−−−（？Ｉ）Ｓｉ）１４十〇、 −
−う Ｓシα＋２Ｈｘｊ −−−−（ａ２）０２＋
２）−１２−ｍ−→２ＨｔＯ↑ 〜−−−（９９
）Ｓ、Ｈ３＋２Ｈ１０−−−一う ５１０２＋ ４Ｈコ
↑ −−−−Ｃ３４）Ｓ；Ｏｚ’２ｈ ＋２）４ｍ
−） ５ｒ−Ｖ＊１＋ ２ＨｔＯｉ −−−−ｔｑ
ｓ）Ｓ、α＋４）−ＩＦ −−一う Ｓｉ）：、丁
＋２ＨｔＯ４−−−−ｔ９ｇ）替９１ａ ０−００Ｑ／ ０−００１ ０．０１
０．Ｊ ／／＠３（２） ｇ８問（ｋｒ ） 羊４■ ０ Ｓ。 （Ｅ） （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） ＣＤ） ♂、−Ｂ−５゜ ＄ｌ （Ｆン 舖贋ａ
第３図は本光りＪＫ必要なｊｌ：１量な領域を示す。 第４図は木兄ＩＪｉｌおよび従来例の電気伝導涯の変化
を示す。 第５し；］は本発明および従来例における結合子配位の
１６．１係を示す。 ５ｉＨ４−−−−−−→ Ｓ、 −１−２Ｈ１−−−−
−（ヲのｓ、 Ｈ，＋２ ｌ−１−〜 ＳＨ＋ ２）
ＩＦ −−−−（？Ｉ）Ｓｉ）１４十〇、 −
−う Ｓシα＋２Ｈｘｊ −−−−（ａ２）０２＋
２）−１２−ｍ−→２ＨｔＯ↑ 〜−−−（９９
）Ｓ、Ｈ３＋２Ｈ１０−−−一う ５１０２＋ ４Ｈコ
↑ −−−−Ｃ３４）Ｓ；Ｏｚ’２ｈ ＋２）４ｍ
−） ５ｒ−Ｖ＊１＋ ２ＨｔＯｉ −−−−ｔｑ
ｓ）Ｓ、α＋４）−ＩＦ −−一う Ｓｉ）：、丁
＋２ＨｔＯ４−−−−ｔ９ｇ）替９１ａ ０−００Ｑ／ ０−００１ ０．０１
０．Ｊ ／／＠３（２） ｇ８問（ｋｒ ） 羊４■ ０ Ｓ。 （Ｅ） （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） ＣＤ） ♂、−Ｂ−５゜ ＄ｌ （Ｆン 舖贋ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１モル係以下の酸素または酸化物の混入したシランに
、フッ素またはフッ化水素を蛙−“ −
混入せしめ た反応性気体を、１気圧以下に保持された反応炉内に導
入し、熱または電気エネルギを供給して熱化学反応寸た
はプラズマ化学反応をぜしめることＣζより、被形成面
上にシリコンを主成分とした非単結晶半導体膜を形成ゼ
しめることを特徴とした気相反応方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、シランｄ！９ ｊ
、 Ｈ，’ＩＨたはＳ １ ｎ Ｈｉ＊＋ｚ（ｎ ２’
”）よりなることを特徴とする気相反応方法０ ：ｔｙ１％イｔａ ’Ｃ！ Ｓ ４４Ｑ Ｌｉｊ ＪＸ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199897A JPS5989410A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 気相反応方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199897A JPS5989410A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 気相反応方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989410A true JPS5989410A (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=16415419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199897A Pending JPS5989410A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 気相反応方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989410A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2592396A1 (fr) * | 1985-12-28 | 1987-07-03 | Canon Kk | Procede pour former un film depose. |
| EP0673058A3 (ja) * | 1988-03-31 | 1995-10-11 | Toshiba Kk | |
| USRE36328E (en) * | 1988-03-31 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107551A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Amorphous semiconductor having chemical modification |
| JPS57153428A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure vessel for manufacturing semiconductor and its use |
| JPS57170520A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure cylinder for fabrication of semiconductor film and its application |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57199897A patent/JPS5989410A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107551A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Amorphous semiconductor having chemical modification |
| JPS57153428A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure vessel for manufacturing semiconductor and its use |
| JPS57170520A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | High-pressure cylinder for fabrication of semiconductor film and its application |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2592396A1 (fr) * | 1985-12-28 | 1987-07-03 | Canon Kk | Procede pour former un film depose. |
| EP0673058A3 (ja) * | 1988-03-31 | 1995-10-11 | Toshiba Kk | |
| USRE36328E (en) * | 1988-03-31 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism |
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