JPS5967387A - すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 としてアルカン又はアルカノールスルホン酸を用いたス
ズ、鉛及びスズ−鉛合金の電気メッキ浴に関するもので
ある。

近年、スズ、スズー鉛合金メッキはノ・ンダ付は性向上
用皮膜及びエツチングレジスト用皮膜として弱電工業及
び電子工業用部品等に広く利用されている。

しかるに、工業的には、スズ、鉛及びスズ−鉛合金を高
速度で均質にメッキする浴としてホウ７ツ化物浴が広く
用いられている。しかし、ホウフッ化物浴は耽食性、与
件が激しく、メッキ設備及び作業に大きな負担となるば
かりでなく、排水処理が困郵である。ホウフッ化物は高
度の処理技術を用いれば一応解決できるが、処理に多額
の出費を伴ない、経済的損失は少なくない。

本発明は、公害対策上問題の多いホウフッ酸を用いるこ
となく、高速度で均質、緻密なメッキが得られるスズ、
鉛およびスズー鉛合金メッキ鉛を提供することを目的と
する。

本発明者は、ポウフッ化物浴に代えて、公害対ム′ン上
間炉の少Ａいアルカンスルホン酸又はアルカノールスル
ホン酸及びそれらのすず及び（又は）＠）坪ｃを主体と
するメッキ浴を用い、しかもある種の界面活性剤と平滑
添加剤を併用添加してなるものを用いることによって、
ホウフッ化物浴に匹敵し又はそれ以上である１テト能を
有すると共に、高電流部から低電流２部までの広い電流
条件下で実施でき、筒速度で、均η、緻密なスズ、鉛又
（まスズ−１１１合金メツキを与えるメッキ浴を見出し
た。

したがって、本発明は、アルカンスルホン酸又はアルカ
ノールスルホン酸及びそれらの２価のスズ塩と２価の鉛
塩のどちらか一方又は両方を含有する主メッキ浴に、あ
る種の陽イオン及び（又は）非イオン界面活性剤の１種
以上を添加し、さらに平滑添加剤の１鍾以上を併用添加
してなるスズ、＆＞又はスズ−６′０合金メッキ浴に係
る。

本発明の主メッキ浴は、基本的には、アルカンスルホニ
Ｉｌ！又はアルカノールスルホン酸の１種以」−と、そ
れらのスルホン酸のスズ塩又は鉛塩又はその両者の１種
以上よりなっている。

用いることができるアルカンスルホン酸又はアルカノー
ルスルホン酸は、次の一般式を有するものである。

Ｒ−３Ｏ３）Ｉ 〔ここで、Ｒ：アルキル基（Ｃ工〜０．）〕ＨＯ−Ｒ−
Ｓｏ、Ｈ ［ここで、Ｒ：アルキル基（Ｃ工〜１２）、水素基はア
ルキル基の任意の位置にあってよい〕アルカンスルホン
酸の例は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロ
パンスルホン酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスル
ホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、
ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスル
ホン酸などである。これらのアルカンスルホン酸は単独
で又は２種以上の混合物として使用できる。

アルカ／−ルスルホン酸の例は、イ七チオン酸（２−ヒ
ドロキシエタン−１−スルホンＱｉ）、２−ヒドロキシ
プロパン−１−スルホン酸、１−ヒドロキシプロパン−
２−スルホン酸、５−ヒドロキシプロパン−１−スルホ
ン酸、２−ヒドロキシブタン−１−スルホンｉ１３’９
．４−ヒドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロ
キシペンタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシヘキサ
ン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシデカン−１−スル
ホン酸、２−ヒドロキシドデカン−１−スルホン酸であ
る。これらのヒドロキシ含有アルカノールホン醇はｑ（
独で又は２粁以上の混合物として使用できる。

スズメッキ浴の場合には、上記のようなアルカンスルホ
ン酸又、はアルカ／−ルスルホン酸及びそのスズ塩を含
み、鉛メッキ浴の場合は同様にスルホン酸とその鉛塩を
含み、さらにはスズー鉛合金メッキ浴の基台はスルホン
酸とそのすず塩及び鉛塩を含有する。スズ及び（又は）
鉛塩の濃度は５〜２ｏｏｇ／１．好ましくは１０〜ｉ　
［］　［１ｇ／ｌである。また、メッキ洛中に存在させ
る遊離のアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン
酸の浄度は、洛中の２価のスズ及び（又は）鉛イオンと
化学１律論的に少なくとも当量以上とする。

本発明のメッキ浴に添加される界面活性剤は、メッキ浴
の分散性を同上させると共に、密着性よくに密で平滑な
メッキを得るのを可能にする。

背に、陽イオン界面活性剤は高電流部でのヤケ及びデン
ドライト（樹枝状）の生長を著しく抑制する効果があり
、また非イオン界面活性剤は低電流部でのつき回り性を
良好にする効果を有することがわかった。しかして、本
発明では、電流条件に応じて両界面活性剤を単独で又は
併用することができる。例えば、両界面活性剤の併用に
より広範囲の電流条件でのメッキが可能となる。また、
下記するように、ある種の平滑添加剤をさらに併用する
ことによって、さらに相乗効果が得られ、ノミレルメッ
キ、ラックメッキ、高速度連続メッキ、スルホールメッ
キ等の全てのメッキ法に応用することが可能となる。

本発明において、有効であることｔｒ４１つ力）つた界
面活性剤は、下記の一般式（Ｉ）〜■ ＣＩ） 〔ここで、Ｘ：））ロゲン、水酸基スルまアルカノース
ルホン酸残基（Ｃ１〜５）、 Ｒ：アルキル基（Ｃ□〜２゜）、 Ｊえ１、Ｒ″：アルキル基（Ｃ１〜４）スルまアルコキ
シル基（０１〜１０）、 Ｒ１１１ニアμｍキル基（Ｃ□〜□。）、ベンジＡ・基
又は脂肪酸（ＣＨ２）ｎ−Ｃ００Ｈ（ｎ＝１〜１８）〕
（）１） 〔ここで、Ｘ：）・ロゲン、水酸基又４１アルカンスル
ホン酸残基（Ｃ工〜５）、 Ｒ：アルキル基（Ｃ８〜２０）、 Ｒ１、水素又はアルキル基（Ｃ□〜４）〕〔ここで、Ｘ
：ハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン酸残基（Ｃ工
〜□。）、 Ｒ，Ｒ”　：　７　ルキル基（Ｃ８〜２゜）、Ｒ′：ア
ルキル基（Ｃ工〜５）、 Ｍ　：　ＯＨ，Ｎｌ！、又ｔ；ｊ　Ｏ−７＃カリ金属〕
（５） （Ｒ−ＮＨｓ　）ｅ−ＣＨｓ　−（Ｃ■ｂ　）ｎ−ＣＯ
Ｏ■〔ここで、Ｒ：アルキル基（０８〜２０）、ｎ：０
〜４の整数〕 を有する陽イオン界面活性剤、及び下記の一般式％式％
（） （） 〔ここで、Ｒ：水素又は−ＣＨ，、 Ｒ１：フェニル基又はアルキル基（Ｃ工〜４）、ｍ：２
〜１５の整数 ｎ：ｏ〜２の整数〕 （ＶＩ） Ｒ−０−ｆＣＩＩｘ　−ＣＨｔ　Ｏ端Ｈ〔ここで、Ｒ：
水素又はアルキル基（Ｃ工〜１８）、ｎ：２〜２０の整
数〕 （■１） Ｒ−［相］０（−ＣＨ，−ＣＨ，０）。Ｈｌ〔ここで、
Ｒ：アルキル基（Ｃ工〜１８）ｎ：２〜２０の整数〕 〔ここで、Ｒ：水素又は−ＣＨ３、 ｎ：２〜１５の整数〕 を有する非イオン界面活性剤である。

陽イオン界面活性剤の例としては、塩の形で表わして、
例えば、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、セチルト
リメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルアンモ
ニウムｔＭ１　ラウリルジメチルエチルアンモニウム堪
、オフタデ七二ルジメチルーエヂルアンモニウムｊ１．
＆、ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステアリ
ルジメチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベンジル
ラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルアン
モニウＪ＼塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニ
ウム塩、）ＩＪメチルベンジルアンモニウム塩、トリエ
チルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウ
ム境、ラウリルピリジニウム場、ドデシルピコリニウム
塩、ラウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリ
ニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミ
ンアセテート、オクタデシルアミンアセテート等があげ
られる。

非イオン界面活性剤の例としては、例えばスチレン化フ
ェノール、スチレン化クレゾール、スチレン化フェニル
フエ／−ルのエチレンオキシド及びプロピレンオキシ）
”　付加物々３　ｘパ＞７４０、エバン７５０、リボノ
ックスＮ−１０５、ノイゲンＥＮ、ノイゲンＥＡ１５’
７、／イゲンＥＡ１６７（以上商品名）等があげられる
。

陽イオン界面活性剤及びシトイオン界面活性剤は、上述
のように、それぞれ単独で又は併用することができる。

用いられる陽イオン界面活性剤及び（又は）非イオン界
面活性剤の鑓度は、一般に０．０１〜５０ｇ／ｌ、好ま
しくは０．０５〜２０ｊｊ／ｌである。

さらに、本発明のメッキ浴は、メッキ表面の平滑さを向
上させるためにある秤の平滑添加剤を含有する。平滑添
加剤は、前述の界面活性剤と併用することによってさら
に相乗的な効果を奏する。

特に有効であると認められた平滑添加剤としては、下記
の一般式（ト）〜（ロ）を有するものがあげられる。

（４） 〔ここで、Ｒ：水素、アルキル基（Ｃ工〜４）又はフェ
ニル基、 Ｒ１：水素、水酸基又は存在しない場合、Ｒ”　：アル
キレン基（Ｃ工〜４）、フェニレン基又ハベンジル基、 Ｒ１１＋、水素又はアルキル基（Ｃｏ〜４）〕（１３） 〔ここで、Ｘ：水素又はアルキル基（Ｃ工〜４）、Ｒ：
水素又は−ＣＨ，、 ｎ：２〜１５の整数〕 （Ｃ） ＣＨ−ＣＩ（−ＣＨ−（ＣＨｔ）ｎ　−ＣＨａ〔ここで
、Ｘ：ハロゲン又はアルキル基（Ｃ工〜４）、Ｒ：水素
又は水酸基、 ｎ二〇〜１０の整数〕 〔ここで、Ｒ８二水素又は−０Ｉ（、 Ｒ７：アルギル基（０１〜５）〕 （ト）） 〔ここで、Ｒ：二トロ基、アミノ基又はアルキル基（Ｃ
工〜５）〕 Ｃ） 〔ここで、）Ｌ、Ｒ’：アルキル基（Ｃ）〕１〜１８ （Ｇ） 〔ココで、Ｒ：水’Ｚ、アルキル基（Ｃ工〜４）又はフ
エニ縛〕Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ目＃Ｎ 〔ここで、Ｒ：水素、ブエニル基又はアルキル基（Ｃ工
〜８）〕 これらの平滑添加剤のうちでも、／？’ｉ−に、Ｎ−（
５−ヒドロキシブチリデン）−ｐ−スルファニル酸、Ｎ
−ブチリデンスルファニルＮｆｆ、Ｎ−シンナモイリデ
ンスルファニル酸、８−プロビルキノイルエーテル、１
−（ｓ−ヒドロキシブテン−１）ベンゾトリアゾール、
Ｎ、Ｎ’−ジブチリデンー〇−フェニレンジアミン、Ｎ
、　Ｎ’−ジイソブチリデン−〇−フェニレンジアミン
、Ｎ、Ｎ’−ジ（ろ−ヒドロキシブチリデン）−〇−フ
ェニレンジアミン、ｍ−二トロベンズアルデヒド、２，
４−ジアミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル（１’
））エチル−１，３，５−）リアジン、２．４−１ジア
ミノ−６−（２１−エチル−４−メチルイミダゾリル（
１’））エチル−１，５，５−）ジアミノ、２．４−ジ
アミノ−６−（２’−ウンデラルイミダゾリル（１つ）
エチル−１，３，５−トリアジン、サリチル酸フェニル
、スチリルシアナイド等があげられる。

平滑添加剤の濃度は、００１〜３ａｙ／ｌ、好ましくは
００３〜５ｙ／ｉである。

本発明のメッキ浴の上述の各成分の温度は、バレルメッ
キ、ラックメッキ、高速連続メッキ、スルポールメッキ
等に対応して任意に選択することができる。適用温度範
囲は常温でよく、高速度メッキでは５０〜６０℃程度に
昇温する。また、本発明のメッキ浴は、広範囲電流密度
において均質で緻密なメッキを得ることができる。

次に本発明の実施例によるメッキ液の組成及びメッキ作
業条件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるもの
ではなく、前述した目的の高速度で均質、緻密なメッキ
を得るという主旨に添ってメッキ浴の組成およびメッキ
条件は任意に変更することができる。

実施例におけるメッキのつき回り性及び外観は、ハルセ
ルテストにより評価した。それらの結果は、表１〜５に
示す。

実施例１ ｉ１２ｆ＃２−ヒドロキシプロパンスルホンｊ４’Ｊ４
　　　　１００１／１温度　　　　　　　　　　２５℃ 電流密度範囲　　　　　　　　　　　　　　１〜１５Ａ
／ｄｍ”実施例２ 遊離メタンスルホン酸　　　　　　　　　　　　　１５
０ｇ／ｌＮ−ブチリデンスルファニルｍ　　　　　　　
　　　　　２ｇ７を温度　　　　　　　　３５〜ｂ ？ｆＬＪｔ：密度範囲　　　　　　　　　　　　　　５
〜４０　Ａ／　ｄ　ｍ”実施例 囚　２価のスズ（エタンスルホン酸スズとして）　　　
　２０９／１遊ｈＦエタンスルホン酸　　　　　　　　
　　　　　ｉ　ｏ　ｏ　ｇ７ｔラウリルジメチルアンモ
ニウムベタイン　　　　　　１１！／ＩＮ−シンナモイ
リデンスルファニル酸　　　　　　　２ｇ／を温度　　
　　　　　　　　２５℃ 雷７ｚｌｉ’：Ｖｔ”度イに囲　　　　　　　　　　　
　　　　０．５〜１５　Ａ／　ｄ　ｍ”じ。

実施例４ 遊離２−ヒドロキシプロパンスルホン０９　　　　１０
０　Ｅｌ／１ドデシルピコリニウムメタンスルホネー）
　　　　　　　ｓ９／を湿度　　　　　　　　　　２５
℃ 電流１密度範囲　　　　　　　　　　　　　　１〜１０
Ａ／ｄｍ２実施例５ （Ａ）　　鉛（メタンスルホン酸鉛として）　　　　　
　　　　３０　ｇ／を遊離メタンスルホン酸　　　　　
　　　　　　　　１００１／１温度　　　　　　　　　
　３０℃ 電１）ｉｔＬ密度範囲　　　　　　　　　　　　　　１
〜２０　Ａ／　ｄ　ｍ’実施例６ 鉛（メタンスルホン酸鉛として）　　　　　　　　　　
　ｓｇ／を遊陪メタンスルホン酸　　　　　　　　　　
　　　１００　ｇ／ｌオクタデシルジメチルベンジルア
ンモニウムブロマイド　　　　　　　　　　　　　　　
　　　１１１／１非イオン界面活性剤　　　　　　　　
　　　　　　　５　ｇ７１温度　　　　　　　　　　２
５℃ ＫＣ電流密度範囲　　　　　　　　　　　　　０．５〜
１５　Ａ／　ｄ　ｍ″実施例７ 遊離２−ヒドロキシェタンスルホン酸　　　　　１５０
ｇ／ノ８−プロピルキノイルエーテル　　　　　　　　
　　　２　ｇ／ｌ湿度　　　　　　　　　　２５°Ｃ 電流密度範囲　　　　　　　　　　　　　　０．５〜１
０　Ａ／　ｄ　ｍ’実施例８ 遊＃２−ヒドロキシプロパンスルホン酸　　　　１００
ｇ／ノ非イオン界面活性剤　　　　　　　　　　　　　
　　５ｇ／ｌ温度　　　　　　　　　　２５℃ 電流密度範囲　　　　　　　　　　　　　　［１，５〜
５　Ａ／　ｄ　ｍ”実施例９ 遊離２−ヒドロキシプロピルスルホンＵ　　　　　１ｏ
ｏｇ７１非イオン界面活性剤　　　　　　　　　　　　
　　　５ｇ／！（エパン７５０） 温度　　　　　　　　　　２５℃ Ｎａ密度乾ｆ　　　　　　　　　　　　　　　０．５〜
１０　Ａ／　ｄ　ｍ”実施例１０ ２価のスズ（メタンスルホン酸スズとして）　　　　２
０９／を遊離メタンスルホン酸　　　　　　　　　　　
　１００１１／１非イオン界面活性剤　　　　　　　　
　　　　　　　５　／ｌ／１（リポノックスＮ−１０５
） 温度　　　　　　　　　　２５℃ −電流密度範ｔａｎ　　　　　　　　　　　　　　　α
５〜１５Ａ／ｄｍ”実施例１１ 鉛（２−ヒドロキシェタンスルホンｍ鉛）　　　　　　
２０１／１Ｍｌ’１Ｉ２−ヒドロキシェタンスルホン酸
　　　　　１５０　Ｅ／／を非イオン界面活性剤　　　
　　　　　　　　　　　　５／／／１スチリル・シアナ
イド　　　　　　　　　　　　　０．３　ｇ／ｌ渇度　
　　　　　　　　　３０℃ 電流密度範囲　　　　　　　　　　　　　　　１〜１０
Ａ／ｄｍ２実施例 ２価のスズ（メタンスルホン酸スズとし”’Ｃ）　　　
　１８ｇ／を鉛（メタンスルホン酸鉛として）　　　　
　　　　　１２１１／１遊離メタンスルホン酸　　　　
　　　　　　　　１５０１１／１非イオン界面活性剤　
　　　　　　　　　　　　　　５Ｉｉ／１（ノイゲンＥ
Ｎ） サリチル酸フェニル　　　　　　　　　　　　　　　ｏ
、　ｓ　ｌ／１温度　　　　　　　　　　２５℃ ｍ、流ＶｉＹＩ５ＣＭ［７１０，５〜２０　Ａ／　ｄ　
ｍ”実施例１６ ２″ｆｆ１ｃｎ″、（（２４”’　”　”ｒ　’／　’
７’　ｏ　／＜＞”　　　４０１！／□ホン酸スズとし
て） ｉ奴綽２−ヒドロキシプロパンスルホンＭ　　　　　２
００ｇ、７７ｍ−ニトロベンズアルデヒド　　　　　　
　　　　　２９／１温度　　　　　　　　　　６０℃ 霜、流密［ｆｆ１ｌｌｌＪＩ　　　　　　　　　　　　
　　　２〜２５　Ａ　／　ｄ　ｍｔスズメッキについて 表　　１ ◎＋優、○「良、△寥可、×；不良 比較例への組成 鉛メッキについて 表　　２ 比較例Ｂの組成 スズ−＋＜＞ｅ金メッキとして 表　　６ 比較例Ｃの組成 手続油止１ｉ 昭和５８年３月２３日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 事件の表示　昭和５７年　特願第１７６３６５号発明の
名称　　スズ、鉛及びすず−鉛合金メッキ浴補正をする
者 代理人 〒用３ 油止の対象 一腓訃一部ｙ＋ｆＦｔ四陵のす 明細書の発明の名櫓←、特許請求の範囲・発明の詳細な
説明の欄ｔ１１）正の内容　　別紙の通り 本願明細書を次のように補正する。

１．　特許請求の範囲を吹のように補正する。

１−ｔｌ）　　アルカンスルホン削又はアルカノールス
ルホン酸及びそれらの２価のずず塩又は２価の鉛塩又は
すず塩と鉛塩の両者を含有する主メッキ浴に、下記の一
般式（１）〜（Ｖ） 〔口こで、Ｘ：ハロゲン、水Ｎ基又はアルカンスルホン
酸残基（Ｃ）、 １〜５ Ｒ：アルキル基（Ｃ）、 １〜２０ ＲＩ　、　Ｒ＠　：アルキル基（Ｃ）又はアルコ１〜４ キシル基（０１〜１０）、 Ｒ”’：アルキル基（Ｃ）、　ベンジ １〜１０ ル基又は脂肪ａ？！（ＣＩ、　）ｎ−Ｃ００Ｈ（ｎ−１
〜１８）〕 〔ここで、Ｘ：ハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
１゛β残基（Ｃ１〜５）、 Ｒ：アルキル基（０８〜２０）、 Ｒｌ　、水素又はアルキル基（Ｃ１〜４）〕（１） 〔ここで、Ｘ：ハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
酸残基（Ｃ１〜１０）・ Ｒ，Ｒ”：アルキル基（０８〜２０　　ＬＨｌ、アルキ
レン基（０１Ｎ５）、 Ｍ　！　ＯＨ，ＮＨ，又はＯ−アルカリ全屈〕■ （Ｒ−ＮＨ，）■−Ｃｈｉ、　−（Ｃ，！（、）ｎ−ｃ
ｏｏ。

〔ここで、■七ニアＡ・キル基（０８〜２ｏ）、ｎ：０
〜４の祭故〕 を有する１ｊ結イオン界曲活性ｊｉ！Ｉの１セ１１以上
又は下記の一般式（７）〜へ：邊 （ト） 〔ここで、Ｒ：水素又は−ＣＩ（、、 Ｒ１二水素、フェニル基又はアルキル基（０１〜４）・ ｍｉ２〜２０の整々（、 ｎ：１〜３の整攻〕 （ＶＤ Ｒ−０−（−Ｃ）（、−ＣＴ（、Ｏ）　ｎＨ〔ここで、
Ｒ：水素又はアルキル基（Ｃ１〜１８）、ｎ：２〜２０
の整数〕 （ｉ’ｌＤ 〔ここで、■乞：アルギル基（Ｃ１〜１８）、ｎ：２〜
２０の隆数〕 〔ここで、Ｒ：水素又は−〇Ｈ，、 ｎ：２〜１５の整数〕 を有する非イオン界面活性剤の１種以上又は陽イオン界
面活″１／１：剤と非イオン界面活性剤との両方を添加
し、さらに平滑添加剤の１４１ｆｔ以上を添加してなる
スズ、鉛又はスズー鉛合金メッキ浴。

＋２）　　ｌ：巧イオンｙｆ−面活性剤及び（又け）非
イオン界面活性剤の一度が０，０１〜５０　Ｓ７／ｌ　
　である特許請求の範囲第１項記賎のメッキ浴。

（３）平滑添加剤のＪ１１夏が００１〜３　Ｄ　９／ｌ
　　である特許ｍｌ求の耽１．囲第１項記載のメッキ浴
。

（４）　　アルカンスルホン１ｐ又はアルカノールスル
ホン４’ｉ２のスズ塩及び（又は）鉛塩のｔｉ’ｉ　ｒ
”＝　Ｉ’Ｌが５〜２００　にＩ／ｌ　　である／Ｉ参
ｆｆ’ｌ’　ｉ＋＋’Ｊ二ｊくの範Ｎｉｐ第１項ＩＩ己
４曵のメッキ浴。

（５）　遊？ＩＣのアルカンスルホン酸又はアルカノー
ルスルホン酬の濃度が２価のスズ及び（又は）鉛イオン
と化学県論的に少なくとも当量以上である特許請求の範
囲第１項記載のメッキ浴。」２　第６頁第３行の１メツ
キ鉛」を「メッキ浴」と訂正する。

３、　第８頁下から第２行の１濃度」を１総濃度」と訂
正する。

４、　第１１頁下段の化学式 と訂正する。

５、　第１２頁第１〜４行の１〔ここで、Ｒ：水素・・
・・の整数〕」を次のように補正する。

［〔ここで、ｌｌ：水素又は−ＣＨ，、Ｒ１，水素、フ
ェニル基又は゛アルキル基（０１〜４）、 ｍ：２〜２０の整数、 ｎ：１〜５の整数〕」 ６、　第１６頁第２〜６行の「゛〔ここでＲＩ　：水素
・・・・アルキル基（Ｃ）〕　を次のように補１〜５ 正する。

１−〔ここで、Ｒｏ：水素又はアルキル基（Ｃ１〜５）
、Ｒ，：アルキル基（Ｃ１〜５）又はヒドロキシル基含
有アルキル基（Ｃ１〜５）〕Ｚ　第１６頁の３番目の化
学式 を次のように訂正する。

」 ８　第１７直下から第４行の「トリアミン」を「トリア
ジン」と訂正する。

９　第１７丙下から第３行の「ウンデシル」を「ウンデ
シル」と訂正する。

手　　続　　１山　　１に　　１１４ 昭和５８年４月４目 特許ｎ堤官若杉和夫殿 事件の表示　昭和５７年　特願第１７６５６５号発明の
名称　スズ、鉛及びすり′−鉛合金メツキ浴補正をする
者 代理人 〒川３ １山市のχ・１策 願書の発明者・出願人の４（セ仁− 明細書の発明の名称・特許請求の範囲・発明の詳細な説
明の欄−・委任状及−びその訳・文−−−−−−−−−
−−−−−−−−−・・−−−−−一各−１通−〜−図
−面一＝−・−・・−−−−−−−一−−−　・　−−
−−１通−・補正の内容　　別紙の通り 本願明細書を次のように補止する。

１、　第８頁下から第２行の「濃度」を「濃度（金属で
表わして）」と訂正する。

２、　第１８頁の末行の次に下記の文章を加入する「実
施例におけるスズ塩及び鉛塩の量は、金属として表わし
た。」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ｔ）　　アルカンスルボン酸又はアルカノールスルホ
   ン酸及びそわらの２価のすず塩又は２価の鉛塩又はすず
   塩と鉛塩の両者を含有する主メッキ浴に、下記の一般式
   （Ｉ）〜（ＩＶ） （Ｉ） 〔ここで、Ｘ：）・ロゲン、水酸基又はアルカンスルホ
   ン酸残基（Ｃ工〜５）、 Ｒ：アルキル基（Ｃ）、 １〜２０ Ｒ’％Ｒ″：アルキル基（Ｃよ〜４）又はアルコキシル
   基（Ｃ）、 １〜１０ Ｒ１１＋　、アルキル基（Ｃ工〜、。）、ベンジル基又
   は脂肪ｅ　（ＣＨｚ）ｎ−ＣＯＯＨ（ｎ　＝１〜１８）
   〕 〔ここで、Ｘ：ハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
   酸残基（Ｃ工〜５）、 Ｒ：アルキル基（Ｃ８〜２ｏ）。 Ｒ′：水素又はアルキル基（Ｃ工〜４）〕（ＩＩＩ） 〔ここで、Ｘ：ハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
   残基（Ｃ工〜１０）、 Ｒ，Ｒ”＋アルキル基（０８〜２ｏ）、Ｒ１：アルキレ
   ン基（Ｃ工〜５）、 Ｍ：ＯＴ（％ＮＨ，又はＯ−アルカリ金属〕ａ■ （Ｒ−ＮＨ，）の・ＣＨｓ　−（ＣＨｔ）ｎ−ＣｏｏＯ
   〔ここで、Ｒ：アルキル基（Ｃ８〜２０）、ｎｅｏ〜４
   の整数〕 を有する陽イオン界面活（＜ｌユ剤の１種以上又は下記
   の−／ｉｊｉ゛式（Ｖ）〜（■１） （Ｖ） 〔ここで、Ｒ：水素又は−ＣＨ，、 Ｒ’ニアｘニル基又ハアルキル３（ｃ工〜４）ｍ：２〜
   １５の整数 ｎｅｏ〜２の整数〕 （Ｖｌ） Ｒ−０−（−ＣＨ２−ＣＨ，０）、　Ｈ〔ここで、Ｒ：
   水素又はアルキル基（Ｃ工〜□８）、ｎ：２〜２０の整
   数〕 （■） Ｒ−０ｏ−（ＣＨ，−ＣＨ，Ｏ）。Ｈｌ〔ここで、Ｒ：
   アルキル基（ｃ工〜□８）、ｎ：２〜２０の整数〕 を有する非イオン界面活性剤の１ｆＩＩｔ以上又は陽イ
   オン界面が１性剤と非イオン界面活性剤との両方を添加
   し、さらに平、ｌｉ’ｉ添加剤の１種以上を添加してな
   るスズ、鉛又はスズー鉛合金メッキ浴。 °（２）陽イオン界面活性剤及び（又は）非イオン界面
   活性剤の濃度がｏ、ｏｉ〜５０　ｇ／ｌ　である特許Ｗ
   １ｆ求の範囲第１項記載のメッキ浴。 （３）平滑添加剤の霞度がｏ、ｏ１〜３０　ｇ／ｌ　で
   ある特許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。 （４）　　アルカンスルホン酸又ハアルヵノールスルポ
   ン酸のスズ塩及び（又は）鉛塩の濃度が５〜２００９／
   ｌ　である特許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。 （５）　　’ＪＵ　部（７，）　７　＃カンスルポン酸
   又はアルカノールスルホン酸の濃度が２価のスズ及び（
   又は）鉛イオンと化学’Ｎｔ’　ａｉ的に少なくとも当
   量以上である特ｊ４′ｒＨ７ｉ求（７）　ｌｌ−ｉ、’
   間第１項記載ツメツキ浴。