JPS5965827A - エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子の製造方法Info
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- JPS5965827A JPS5965827A JP57175645A JP17564582A JPS5965827A JP S5965827 A JPS5965827 A JP S5965827A JP 57175645 A JP57175645 A JP 57175645A JP 17564582 A JP17564582 A JP 17564582A JP S5965827 A JPS5965827 A JP S5965827A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イフ 分野
不発Ｉ３Ａは全同体型のエレクトロクロミック表示素子
（以下ＥＣ素子と称１）に係り、特に酸圧印加により着
色させた後、′Ｉ４Ｌ儲ＩＩＪを解放状態に変化ネぜた
時の着色状態保持時間を犬「１ノに増加させることの出
来るＥＣ素子の製造方法に関する。
（以下ＥＣ素子と称１）に係り、特に酸圧印加により着
色させた後、′Ｉ４Ｌ儲ＩＩＪを解放状態に変化ネぜた
時の着色状態保持時間を犬「１ノに増加させることの出
来るＥＣ素子の製造方法に関する。
（ロ）従来技術と背景
従来よシこうしたＥＣ素子の・１比圧印加′ｌｌＩ！放
時の記憶時間を増加させるためエレクトロクコミック物
質（以下ＥＣ物賃と迫柄、ヅ）のノ曽しｊ４０搾貴の層
の間に絶縁性の中間層を挿入プ゛る方法が提案されてい
る。しかしこの方法でＱｊ、該中＋ｉ＋層を介して１戎
気を１尽導させるのに中間層中をイオンを杉、動させね
ばならない。よってイオンの伝２ｈ時間が応４を支配す
るため記憶時間も良くなるが応答時間の方も長くなジ、
あまシ応答の早い素子はつくれなかった０ ０９ 目的と牛土徽 本発明の目的はこうした背１スにかんがみ中間層の形成
方法を工夫することにより応答が早く、かつ解放時の記
憶時間の長いＥＣ素子を提供することでお９、この目的
を央塊するため一方あるいは両方が透明電極で構成され
る一対の′鯖ｍ１ＵＪに、固体エレクト四クロミック物
質層と固体電解質層を積層して形成される全固体エレク
ト日クロミック素子において、 上記１ん体エレクト圏クロミック物質層と固体電解質層
との間に中間層を形成するため、′１極上に形成した固
体エレクトロクロミック物質層の表面又は固体電解質層
の表面にプラズマ処理を施し、次いでその上に形成する
固体電解質層又は固体ニレｌｙ ） ｏ りｏ ミック
物質層に対してイオングレーティング法に適用すること
を特徴とするものである。
時の記憶時間を増加させるためエレクトロクコミック物
質（以下ＥＣ物賃と迫柄、ヅ）のノ曽しｊ４０搾貴の層
の間に絶縁性の中間層を挿入プ゛る方法が提案されてい
る。しかしこの方法でＱｊ、該中＋ｉ＋層を介して１戎
気を１尽導させるのに中間層中をイオンを杉、動させね
ばならない。よってイオンの伝２ｈ時間が応４を支配す
るため記憶時間も良くなるが応答時間の方も長くなジ、
あまシ応答の早い素子はつくれなかった０ ０９ 目的と牛土徽 本発明の目的はこうした背１スにかんがみ中間層の形成
方法を工夫することにより応答が早く、かつ解放時の記
憶時間の長いＥＣ素子を提供することでお９、この目的
を央塊するため一方あるいは両方が透明電極で構成され
る一対の′鯖ｍ１ＵＪに、固体エレクト四クロミック物
質層と固体電解質層を積層して形成される全固体エレク
ト日クロミック素子において、 上記１ん体エレクト圏クロミック物質層と固体電解質層
との間に中間層を形成するため、′１極上に形成した固
体エレクトロクロミック物質層の表面又は固体電解質層
の表面にプラズマ処理を施し、次いでその上に形成する
固体電解質層又は固体ニレｌｙ ） ｏ りｏ ミック
物質層に対してイオングレーティング法に適用すること
を特徴とするものである。
に）実施例
第１図は本発明に係るＥＣ素子の構成の説明図、第２図
は別の構成の説明図、 図中１は基板、２は透明電極、３と３ａはＥ、Ｃ物質、
４と４ａは固体電解質、５はもう一方の電極、Ｐはプラ
ズマ処理された表面を示す。第１図と第２図は積層形成
の順序とプラズマ処理される対象物質の表面が入れかわ
っているだけでプラズマ処理された中間層が介在すると
言う意味では同一の素子でりる。第１図の素子ＵＪル板
ｊの上に透明電極２を形成しそ９上にＥ Ｃ物質の層３
を形成し、このＥＣＣ物質がの表面ｌ；プラズマ処理を
施し、その上に固体’ＡＭ： Ｉ’ｌ質の１・３４をイ
オンブレーティングにより形成し、その土に電極５を形
成したもの、第２図の素子は透明電庵２の上に固体型）
φｒ質の層４ａを先に形成し、この表ａ「１にプラズマ
処理を施しｆＣＶｌ 、その上にＥ ＣＩＩ勿麹、のＩ
ｔＪ３ａをイオングレーティングにより形成しそり）上
に屯・；し５を形成したものである。そして衣１々１を
プラズマ処理し、その上Ｊ灼をイオングレーティングで
形成すると言う組合せ手順で製造ゴることにより目的の
、応答速Ｋが早く、月了放時記憶１時間の長い素子をｔ
’４るものであり、プラズマ処理のみ、あるいはイオン
グレーティングのみでは目的の効牙己が丙られなかった
。
は別の構成の説明図、 図中１は基板、２は透明電極、３と３ａはＥ、Ｃ物質、
４と４ａは固体電解質、５はもう一方の電極、Ｐはプラ
ズマ処理された表面を示す。第１図と第２図は積層形成
の順序とプラズマ処理される対象物質の表面が入れかわ
っているだけでプラズマ処理された中間層が介在すると
言う意味では同一の素子でりる。第１図の素子ＵＪル板
ｊの上に透明電極２を形成しそ９上にＥ Ｃ物質の層３
を形成し、このＥＣＣ物質がの表面ｌ；プラズマ処理を
施し、その上に固体’ＡＭ： Ｉ’ｌ質の１・３４をイ
オンブレーティングにより形成し、その土に電極５を形
成したもの、第２図の素子は透明電庵２の上に固体型）
φｒ質の層４ａを先に形成し、この表ａ「１にプラズマ
処理を施しｆＣＶｌ 、その上にＥ ＣＩＩ勿麹、のＩ
ｔＪ３ａをイオングレーティングにより形成しそり）上
に屯・；し５を形成したものである。そして衣１々１を
プラズマ処理し、その上Ｊ灼をイオングレーティングで
形成すると言う組合せ手順で製造ゴることにより目的の
、応答速Ｋが早く、月了放時記憶１時間の長い素子をｔ
’４るものであり、プラズマ処理のみ、あるいはイオン
グレーティングのみでは目的の効牙己が丙られなかった
。
第３図と第４図は本発明の詳細な説明図で夫々第１図と
第２図の素子の′ｉ１１！！故法を説明するものでるい
ｔｉ第２図とのそれと対応ざぜである。
第２図の素子の′ｉ１１！！故法を説明するものでるい
ｔｉ第２図とのそれと対応ざぜである。
第３図に：はいて、まずガラス基板１１の上に、成分Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｑよ構成る４箪性拐料（ＩＴＯと通称す）よ
シなる透りＪ電極１２を２０００Ｘのルさで形成し六、
。次いでその上に酸化タングステン（ＷＯ，３）から成
る内体ＥＣ物質の層１３を臭突蒸着法によ５４ｏｏｏＸ
の厚さで形成した。ぞしてこの層１３の表面に対し、７
Ｘ ｌ ０−３Ｔｏｒｒの減圧下で投入電力３０Ｗの
プラズマ処理を５力間イテい、きらにその上に酸化クロ
ノ、（Ｃｒ、 ０３ ）から成る固体・＋４解賀の層１
４を２ｏｏｏＸ厚さ分イλングレーシーイング法で作成
した。ぞしてその上にＩＴＯよりなル透ｔＪＪ 電極１
５をこれもイオングレーティング法によす２０００Ａ力
成長させ積層して完成させた。
ｎ、Ｓｎ、Ｑよ構成る４箪性拐料（ＩＴＯと通称す）よ
シなる透りＪ電極１２を２０００Ｘのルさで形成し六、
。次いでその上に酸化タングステン（ＷＯ，３）から成
る内体ＥＣ物質の層１３を臭突蒸着法によ５４ｏｏｏＸ
の厚さで形成した。ぞしてこの層１３の表面に対し、７
Ｘ ｌ ０−３Ｔｏｒｒの減圧下で投入電力３０Ｗの
プラズマ処理を５力間イテい、きらにその上に酸化クロ
ノ、（Ｃｒ、 ０３ ）から成る固体・＋４解賀の層１
４を２ｏｏｏＸ厚さ分イλングレーシーイング法で作成
した。ぞしてその上にＩＴＯよりなル透ｔＪＪ 電極１
５をこれもイオングレーティング法によす２０００Ａ力
成長させ積層して完成させた。
ム↓４図の工程ｅまガラス基板１１の上に透明電極１２
として２０００に形成し、その上にＣｒ！Ｏａの層１．
４８を２００ＯＡ厚さ形成しこの層１４ａの表面を７×
１０−３’ｆｏｒｒの減圧下でペルジャーの容積３．５
×１０５ ＣＴｎ３の装置でプラズマ形成電力３０Ｗに
てプラズマ処理したあと、七の表面の上にＷＯ３よ構成
るＥＣ物＠３３ａをイオングレーディング法によシ１５
を２ｏｏｏＸ形成して完成させた。
として２０００に形成し、その上にＣｒ！Ｏａの層１．
４８を２００ＯＡ厚さ形成しこの層１４ａの表面を７×
１０−３’ｆｏｒｒの減圧下でペルジャーの容積３．５
×１０５ ＣＴｎ３の装置でプラズマ形成電力３０Ｗに
てプラズマ処理したあと、七の表面の上にＷＯ３よ構成
るＥＣ物＠３３ａをイオングレーディング法によシ１５
を２ｏｏｏＸ形成して完成させた。
第５図は本発明によ多形成された素子のＩＰ！ｆ性比較
図である。
図である。
図中の工は第３図の工程で製作されたもの、■はプラズ
マ処理もイオングレーティングによる形成も行なわない
ものｍ ｉ−ｈｗｏ、層の表面のプラズマ処理だけを行
ったもの■はＣ’２０ｓ層をイオンブレティングで成長
させることだけ行ったものとして夫々試作した各サンプ
ルＩＭＩの特性の比較である。
マ処理もイオングレーティングによる形成も行なわない
ものｍ ｉ−ｈｗｏ、層の表面のプラズマ処理だけを行
ったもの■はＣ’２０ｓ層をイオンブレティングで成長
させることだけ行ったものとして夫々試作した各サンプ
ルＩＭＩの特性の比較である。
プラズマ処」里だけ、あるいはイオングレーティング法
だけの場合の効来に比して併用した場合の効果がけんち
ょであることがわかる。なを試作したサンプルＩの電圧
印加時の漸色の応答速度はムＯＤ（光学的濃度）０５で
測定して１６０ｍ５で従来法によるサンダル■と同等で
あった。また逆電圧印加時の消色時間は△０１）０．５
〜０〜０５間で５０ｍＳと従来法によるサンプルＨの１
００ｎｌＳに比して半分になった。なを省略するが第４
図の工程によって製作されたサンプルについてもほぼ同
様の特性がすなはら一般に薄膜の性質は、その下地に強
く依祥する。プラズマ処理を行ったｗｏ３層の異面には
１糺ｑ＋＋な凹凸が多数形成されて上に成長するＨの膜
面に対して垂直方向への配向を回通する。しかし、この
ような−軸配向性の成長を起す為には、一方で一定のエ
ネルギーを供給する必要がある、これを熱エネルギーの
形で与える為には、基板湿度を高める必装がめるから、
キ汗テＥ Ｃ］）素子の場合、素子特性を劣化させてし
捷う。イλンへ／−ティングは蒸発粒子の一部をイオン
化することてよシ嬢当なエネルギーを供給でき、しかも
基板温度の一ヒ昇を伴わない有効な方法である。しかる
にいくら・ｒオンブレーティングを用いても下地に配向
を促進する過当な核がなければ一１１１１配向性の成長
は起らない。本発明は、プラズマ処理にょｐ１下地に配
向のイうの該を作り、さらに・１オングレーテイングに
よシ、配向の為の、ａ癌なエネルギーを供給することに
・より、上下の層の界面附近に配向性の良い層を形成し
、素、子にメモリｐ′＆能を附与するものである。この
ように自己向性の良いへ宥はＥＣ層内に注入されたイオ
ンの電解ケｔ （ｕ、ｉｌへの拡赦を防＠着色を保１局
′３−ると罵゛えられる。
だけの場合の効来に比して併用した場合の効果がけんち
ょであることがわかる。なを試作したサンプルＩの電圧
印加時の漸色の応答速度はムＯＤ（光学的濃度）０５で
測定して１６０ｍ５で従来法によるサンダル■と同等で
あった。また逆電圧印加時の消色時間は△０１）０．５
〜０〜０５間で５０ｍＳと従来法によるサンプルＨの１
００ｎｌＳに比して半分になった。なを省略するが第４
図の工程によって製作されたサンプルについてもほぼ同
様の特性がすなはら一般に薄膜の性質は、その下地に強
く依祥する。プラズマ処理を行ったｗｏ３層の異面には
１糺ｑ＋＋な凹凸が多数形成されて上に成長するＨの膜
面に対して垂直方向への配向を回通する。しかし、この
ような−軸配向性の成長を起す為には、一方で一定のエ
ネルギーを供給する必要がある、これを熱エネルギーの
形で与える為には、基板湿度を高める必装がめるから、
キ汗テＥ Ｃ］）素子の場合、素子特性を劣化させてし
捷う。イλンへ／−ティングは蒸発粒子の一部をイオン
化することてよシ嬢当なエネルギーを供給でき、しかも
基板温度の一ヒ昇を伴わない有効な方法である。しかる
にいくら・ｒオンブレーティングを用いても下地に配向
を促進する過当な核がなければ一１１１１配向性の成長
は起らない。本発明は、プラズマ処理にょｐ１下地に配
向のイうの該を作り、さらに・１オングレーテイングに
よシ、配向の為の、ａ癌なエネルギーを供給することに
・より、上下の層の界面附近に配向性の良い層を形成し
、素、子にメモリｐ′＆能を附与するものである。この
ように自己向性の良いへ宥はＥＣ層内に注入されたイオ
ンの電解ケｔ （ｕ、ｉｌへの拡赦を防＠着色を保１局
′３−ると罵゛えられる。
（力 効果
以上説明したように本発明によｉ′ＩＪＩ下ｊ音表面に
対するプラズマ処理とイオンブレーティングによる上層
形成を（７１：用することにより、着色、消色の比、谷
速度にすぐれ、しかもシＪ（放吟記憶時間の長いすぐれ
たＥＣ素子を製造することが出来ると言う効果を生ｒる
ものである。
対するプラズマ処理とイオンブレーティングによる上層
形成を（７１：用することにより、着色、消色の比、谷
速度にすぐれ、しかもシＪ（放吟記憶時間の長いすぐれ
たＥＣ素子を製造することが出来ると言う効果を生ｒる
ものである。
第１図と第２図は本発明に係るＥＣ素子のイ１Ｇ成の説
明図、あ３図と第４図は夫々＋、発明の一実施例の工程
の説１す」図、第５図は本発明により形成される素子の
特性比較図、 図中の１と１１は基板、２と１２は透明電極、５と１５
は電極、３と１３および３ａは夫々ＥＣ物質の層４と１
４および４ａと１・！ａは夫々固体電解質の層、Ｐはプ
ラズマで表面を処理したことを示す。
明図、あ３図と第４図は夫々＋、発明の一実施例の工程
の説１す」図、第５図は本発明により形成される素子の
特性比較図、 図中の１と１１は基板、２と１２は透明電極、５と１５
は電極、３と１３および３ａは夫々ＥＣ物質の層４と１
４および４ａと１・！ａは夫々固体電解質の層、Ｐはプ
ラズマで表面を処理したことを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方あるいは両方が透明電極でＦＭ成される一対の電極
間に、固体エレクトロクロミック物ｊＪ！ｉ層と１ｕ体
４ｍ負ｊ脅を積層して形成される全固体エレクトロクロ
ミンク素子におい′Ｃ０゜ 上記固体エレクトロクロミック物質層と固体屯屏賀層と
の間に中間層を形成するため、′覗極上に形成した固体
エレクトロクロミック物質層の表面又は固体蹴解實層の
表ｒｆｔｉにグ２ズマ処理を施し、へいでその上に形成
する固体電解質Ｉ薪又は固体エレクトロクロミック物質
層に対してイオンブレーティング法を適用することを％
敵とするエレクトロクロミック機示素子の５Ａ造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175645A JPS5965827A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175645A JPS5965827A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965827A true JPS5965827A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=15999707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175645A Pending JPS5965827A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019420A (en) * | 1989-01-17 | 1991-05-28 | Eic Laboratories, Inc. | Process for forming a reduced electrochromic layer in contact with an ion conducting oxide |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175645A patent/JPS5965827A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019420A (en) * | 1989-01-17 | 1991-05-28 | Eic Laboratories, Inc. | Process for forming a reduced electrochromic layer in contact with an ion conducting oxide |
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