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JPS5951173B2 - variable impedance circuit - Google Patents

variable impedance circuit

Info

Publication number
JPS5951173B2
JPS5951173B2 JP1541177A JP1541177A JPS5951173B2 JP S5951173 B2 JPS5951173 B2 JP S5951173B2 JP 1541177 A JP1541177 A JP 1541177A JP 1541177 A JP1541177 A JP 1541177A JP S5951173 B2 JPS5951173 B2 JP S5951173B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
base
impedance
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1541177A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS53100749A (en
Inventor
登史 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP1541177A priority Critical patent/JPS5951173B2/en
Publication of JPS53100749A publication Critical patent/JPS53100749A/en
Publication of JPS5951173B2 publication Critical patent/JPS5951173B2/en
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/46One-port networks

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は利得制御回路、位相制御回路、電圧(電流)制
御形見振器、電圧(電流)制御形7戸波器等に適用して
好適な可変インピーダンス回路に関し、特に構成簡単に
してインピーダンス可変範囲が広く、ダイナミックレン
ジが広く且つ位相制御回路に適用した場合信号の振幅の
絶対値が変化しないものを提案せんとするものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a variable impedance circuit suitable for application to a gain control circuit, a phase control circuit, a voltage (current) controlled vibrator, a voltage (current) controlled seven-channel wave generator, etc. The purpose of this invention is to propose a simple method that has a wide impedance variable range, a wide dynamic range, and does not change the absolute value of the signal amplitude when applied to a phase control circuit.

以下に図面を参照して本発明をその実施例につき詳細に
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

まず第1図を参照して本発明の一実施例を説明する。First, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

tは第1の電源端子でこテれには正の直列電圧が供給さ
れる。
t is a first power supply terminal to which a positive series voltage is supplied.

第2の電源端子はここでは接地とされる。The second power supply terminal is here grounded.

端子tと接地との間にトランジスタ1のコレクタ・エミ
ッタ間と第1のダイオード2との直列回路が接続される
A series circuit between the collector and emitter of the transistor 1 and the first diode 2 is connected between the terminal t and ground.

トランジスタ1のコレクタが電源端子tに接続され、θ
そのエミッタがコレクタ及びベースが直接接続されたダ
イオード構成のトランジスタ2のベースに接続され、そ
のトランジスタ2のエミッタが接地される。
The collector of transistor 1 is connected to power supply terminal t, and θ
Its emitter is connected to the base of a diode-configured transistor 2 whose collector and base are directly connected, and the emitter of the transistor 2 is grounded.

トランジスタ1のベースと接地との間に第2及び第3の
ダイオード3,4の直列回路が接テ続される。
A series circuit of second and third diodes 3 and 4 is connected between the base of transistor 1 and ground.

ダイオード3及び4は夫々コレクタ及びベースが直接接
続されたダイオード構成のトランジスタで、トランジス
タ3のベースがトランジスタ1のベースに接続され、ト
ランジスタ3のエミッタがトランジスタ4のベースに接
続され、ト)ランジスタ4のエミッタが接地される。
The diodes 3 and 4 are diode-configured transistors in which the collector and base are directly connected, respectively.The base of the transistor 3 is connected to the base of the transistor 1, the emitter of the transistor 3 is connected to the base of the transistor 4, and The emitter of is grounded.

これらトランジスタ1〜4は本例ではNPN形トランジ
スタである。
These transistors 1 to 4 are NPN type transistors in this example.

トランジスタ1のベースは電流源回路8を通じて電源端
子tに接続される。
The base of the transistor 1 is connected to a power supply terminal t through a current source circuit 8.

トランジスタ1及び第1のダイオード2の接続中点がイ
ンピーダンス回路6を介して入力信号の信号源5に接続
される。
A midpoint between the transistor 1 and the first diode 2 is connected to an input signal source 5 via an impedance circuit 6 .

信号源5の他端は接地されている。そしてトランジスタ
1及び第1のダイオード2との接続中点より出力信号の
得られる出力端子7が導出される。
The other end of the signal source 5 is grounded. An output terminal 7 from which an output signal is obtained is led out from the midpoint of connection between the transistor 1 and the first diode 2.

そして、本例ではインピーダンス制御手段35として上
述の電流源回路8を使用し、これに流れる直流電流を可
変することによって出力端子7及び接地間のインピーダ
ンスを可変し得るようにしている。
In this example, the above-described current source circuit 8 is used as the impedance control means 35, and by varying the direct current flowing through it, the impedance between the output terminal 7 and the ground can be varied.

この第1図の回路に於いて、インピーダンス回路6を抵
抗器とするときは、全体として利得制御回路を構成し得
、又コンデンサにて構成するときはカットオフ周波数を
可変し得る高域通過ろ波器を構成し得、又、インダクタ
にて構成するときはカットオフ周波数を可変し得る低域
通過P波器を構成し得る。
In the circuit shown in Fig. 1, when the impedance circuit 6 is a resistor, it can constitute a gain control circuit as a whole, and when it is constituted by a capacitor, it can be a high-pass filter whose cutoff frequency can be varied. When configured with an inductor, a low-pass P-wave device whose cutoff frequency can be varied can be configured.

次にこの第1図の可変インピーダンス回路の動作を数式
を用いて解析してみよう。
Next, let's analyze the operation of the variable impedance circuit shown in FIG. 1 using mathematical formulas.

トランジスタのベース・エミッタ間電圧VBEは一般に
次式の如く表わされる。
The base-emitter voltage VBE of a transistor is generally expressed by the following equation.

二二でqは電子の電荷、kはボルツマン定数、Tは絶対
温度、■5はコレクタ飽和電流、■はコレクタ電流であ
る。
22, q is the electron charge, k is Boltzmann's constant, T is the absolute temperature, ■5 is the collector saturation current, and ■ is the collector current.

又、トランジスタ1〜4のベース・エミッタ間電圧VB
EI〜VBE4とすれば、トランジスタ1のベース電位
及びトランジスタ3のベース電位が等しいことから次式
が成り立つ。
In addition, the base-emitter voltage VB of transistors 1 to 4
If EI to VBE4, the following equation holds true since the base potential of transistor 1 and the base potential of transistor 3 are equal.

VBEI + VBE2= VBE3+ VBE4
・・・・”(2)次に出力端子7の電圧、即ち
トランジスタ2のコレクタ電圧■、、2を求めると次式
の如くなる。
VBEI + VBE2= VBE3+ VBE4
(2) Next, the voltage at the output terminal 7, that is, the collector voltage (2) of the transistor 2, is calculated as shown in the following equation.

二の式でisは入力信号電流、■ゆは電流源回路8の直
流電流を示す。
In the second equation, is represents the input signal current, and 2 represents the DC current of the current source circuit 8.

上述の(3)式に於いて18=0のときのVC2を■。In the above equation (3), VC2 when 18=0 is ■.

と置くと、(3)式は次式の如く表わされる。Then, equation (3) can be expressed as the following equation.

このV。This V.

を基準電位点と称する。斯くすると(3)式のVC2と
この基準電位■。
is called the reference potential point. In this way, VC2 in equation (3) and this reference potential ■.

との差をv′とするとこれは次式の如く表わされる。Let v' be the difference between .

又、この基準電位V。Also, this reference potential V.

とVC2との差をV//とするとこれは次式の如く表わ
される。
Letting the difference between and VC2 be V//, this is expressed as the following equation.

この(5)及び(6)式の関係をグラフに表わすと第2
図の曲線(9)、 (10)及び01)の如くなる。
If the relationship between equations (5) and (6) is expressed graphically, the second
The curves are as shown in curves (9), (10) and 01) in the figure.

この場合(9)。(10)、 0.11は夫々Ixを小
から大に変化させた場合の曲線を示す。
In this case (9). (10) and 0.11 respectively show the curves when Ix is changed from small to large.

横軸は18、縦軸はV′及びV//である。The horizontal axis is 18, and the vertical axis is V' and V//.

このグラフかられかることは、これら曲線が点対称であ
り、且つ、■8を変えることによって傾斜が変化し、即
ちこの可変インピーダンス回路の入力インピーダンスが
変化することを示す。
What can be seen from this graph is that these curves are point symmetrical, and that by changing (1)8, the slope changes, that is, the input impedance of this variable impedance circuit changes.

又、直線部が長いということはダイナミックレンジが広
いということを示す。
Further, a long straight line portion indicates a wide dynamic range.

ここで入力インピーダンスをrとするとこれは次式の如
く表わされる。
Here, if the input impedance is r, it is expressed as the following equation.

これに対し一般にダイオードなどのインピーダンスは次
式の如く表わされる。
On the other hand, the impedance of a diode or the like is generally expressed as shown in the following equation.

そして、このダイオードの場合はインピーダンスが信号
電流i5によっても変化することが解る。
It can be seen that the impedance of this diode also changes depending on the signal current i5.

(7)式に於いてiζ<Ixという条件を設ければ(7
)式は次式の如く近似される。
If we set the condition iζ<Ix in equation (7), then (7
) is approximated as follows.

従ってこの(9)式から解ることは、入力信号に対する
直線性の範囲が広く、ダイナミックレンジが広いという
ことである。
Therefore, it can be seen from this equation (9) that the range of linearity with respect to the input signal is wide and the dynamic range is wide.

次に第3図を参照して本発明の他の実施例を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施例ではインピーダンス制御手段35として第1図
の如く電流源回路8の電流を可変するのではなくして、
次のような構成にて行っている。
In this embodiment, the impedance control means 35 does not vary the current of the current source circuit 8 as shown in FIG.
This is done using the following configuration.

即ち、トランジスタ4のコレクタ・ベース間に抵抗器1
2を接続し、トランジスタ4のベースと接地との間に抵
抗器13及び可変直流電源14の直列回路を接続して、
この直流電源14の電圧を可変することによってインピ
ーダンスを可変するようにしている。
That is, a resistor 1 is connected between the collector and base of the transistor 4.
2 is connected, and a series circuit of a resistor 13 and a variable DC power supply 14 is connected between the base of the transistor 4 and the ground.
By varying the voltage of this DC power supply 14, the impedance is varied.

次に第4図を参照して本発明の更に他の例を説明する。Next, still another example of the present invention will be described with reference to FIG.

本例ではトランジスタ1のベースとトランジスタ3のベ
ースとの間に抵抗器15を接続し、トランジスタ1のベ
ースと接地との間に可変電流源回路16を接続してイン
ピーダンス制御手段35を構成した場合である。
In this example, a resistor 15 is connected between the base of transistor 1 and the base of transistor 3, and a variable current source circuit 16 is connected between the base of transistor 1 and ground to constitute impedance control means 35. It is.

次に第5図を参照して本発明の更に他の実施例を説明す
る。
Next, still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第1図の実施例ではトランジスタ1〜4が全てNPN形
のトランジスタの場合であったが、本例ではトランジス
タ2及び4のみをPNP形トランジスタを使用した場合
である。
In the embodiment shown in FIG. 1, transistors 1 to 4 are all NPN type transistors, but in this example, only transistors 2 and 4 are PNP type transistors.

そして、トランジスタ2のエミッタをトランジスタ1の
エミッタに接続し、トランジスタ2のコレクタ及びベー
スを直接接続してダイオード構成としてそのコレクタ及
びベースを接地し、トランジスタ4のエミッタをトラン
ジスタ3のエミッタに接続し、トランジスタ4のコレク
タ及びベース間を直接接続してダイオード構成にすると
共にこれらコレクタ及びベースを接地する。
Then, the emitter of transistor 2 is connected to the emitter of transistor 1, the collector and base of transistor 2 are directly connected to form a diode configuration, and the collector and base are grounded, and the emitter of transistor 4 is connected to the emitter of transistor 3, The collector and base of the transistor 4 are directly connected to form a diode configuration, and the collector and base are grounded.

インピーダンス制御手段35は第1図の場合と同様であ
る。
The impedance control means 35 is the same as in FIG.

次に第6図を参照して本発明の更に他の実施例を説明す
る。
Next, still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本例では本発明の可変インピーダンス回路の出力側に差
動増巾回路17にて構成された出力回路を設けた場合で
ある。
In this example, an output circuit constituted by a differential amplification circuit 17 is provided on the output side of the variable impedance circuit of the present invention.

この差動増巾回路17はNPN形のトランジスタ18及
び19、定電流源回路20から構成されており、トラン
ジスタ18のベースがトランジスタ1のエミッタに接続
されトランジスタ19のベースがトランジスタ3のエミ
ッタに接続されている。
This differential amplification circuit 17 is composed of NPN transistors 18 and 19 and a constant current source circuit 20. The base of transistor 18 is connected to the emitter of transistor 1, and the base of transistor 19 is connected to the emitter of transistor 3. has been done.

尚、出力はトランジスタ18及び19のコレクタより得
るようにしている。
Note that the output is obtained from the collectors of transistors 18 and 19.

次に第7図を参照して本発明可変インピーダンス回路を
位相制御回路に適用した場合の例を説明する。
Next, an example in which the variable impedance circuit of the present invention is applied to a phase control circuit will be described with reference to FIG.

即ち、例えばカラーテレビジョン受像機の色補正回路に
適用した場合には、局部副搬送波発振器5を設け、その
一端を接地すると共に他端をコンデンサ6を通じて出力
端子7、即ちトランジスタ1のエミッタに接続すると共
に、局部副搬送波発振器5の他端を抵抗器22を通じて
差動増巾回路17のトランジスタ19のベースに接続し
、トランジスタ19のベースを抵抗器21を通じてトラ
ンジスタ3のエミッタに接続する。
That is, when applied to a color correction circuit of a color television receiver, for example, a local subcarrier oscillator 5 is provided, one end of which is grounded, and the other end is connected to the output terminal 7, that is, the emitter of the transistor 1, through a capacitor 6. At the same time, the other end of the local subcarrier oscillator 5 is connected to the base of the transistor 19 of the differential amplification circuit 17 through the resistor 22, and the base of the transistor 19 is connected to the emitter of the transistor 3 through the resistor 21.

この場合抵抗器21及び22は略値を等しく構成する。In this case, the resistors 21 and 22 have approximately equal values.

第7図の等価回路を第8図に示す。An equivalent circuit of FIG. 7 is shown in FIG.

この場合29は第7図に於ける差動増巾回路17を除い
た可変インピーダンス回路を示し、その他は第7図と同
様の符号を同一部分に付しである。
In this case, 29 represents a variable impedance circuit other than the differential amplification circuit 17 in FIG. 7, and the same parts are given the same reference numerals as in FIG. 7 for the rest.

次にこの第7図及び第8図の位相制御回路の動作を数式
を使って説明しよう。
Next, the operation of the phase control circuit shown in FIGS. 7 and 8 will be explained using mathematical expressions.

信号源、即ち局部副搬送波発振器5の信号電圧e1、出
力端子7に得られる出力信号電圧をe。
The signal voltage e1 of the signal source, that is, the local subcarrier oscillator 5, and the output signal voltage obtained at the output terminal 7 are e.

とじ、コンデンサ6の容量をC1可変インピーダンス回
路29の抵抗値をR1角周波数をωとすると出力信号電
圧e。
When the capacitance of the capacitor 6 is C1, the resistance value of the variable impedance circuit 29 is R1, and the angular frequency is ω, the output signal voltage is e.

は次式の如く表わされる。is expressed as the following equation.

又、出力信号電圧e。Also, the output signal voltage e.

の入力信号電圧e1に対する位相をθとするとこれは次
式の如く表わされる。
Letting the phase with respect to the input signal voltage e1 be θ, this is expressed as the following equation.

θ=2tan−1ωcR−・・−・(111この場合θ
は180°の範囲で可変できる。
θ=2tan−1ωcR−・・・・(111In this case θ
can be varied within a range of 180°.

群遅延時間(包路線遅延時間) dB/dωは次式の如
くなる。
The group delay time (envelope delay time) dB/dω is as shown in the following equation.

本発明可変インピーダンス回路は上述したようにコンデ
ンサ或いはインダクタと組合せることによって第9図に
示す如く発振器を構成することもできる。
The variable impedance circuit of the present invention can also be combined with a capacitor or inductor to form an oscillator as shown in FIG. 9, as described above.

即ち、差動増巾回路17のトランジスタ19のコレクタ
と電源端子tとの間に負荷抵抗器24を接続し、そのト
ランジスタ19のコレクタよりの出力をNPN形トラン
ジスタ25のベースに供給する。
That is, a load resistor 24 is connected between the collector of the transistor 19 of the differential amplifier circuit 17 and the power supply terminal t, and the output from the collector of the transistor 19 is supplied to the base of the NPN transistor 25.

トランジスタ25のコレクタを電源端子tに接続すると
共に、そのエミッタを水晶振動子26及び抵抗器27の
直列回路を通じ、更に90°移相用のコンデンサ28を
通じて接地する。
The collector of the transistor 25 is connected to the power supply terminal t, and its emitter is grounded through a series circuit of a crystal oscillator 26 and a resistor 27, and further through a capacitor 28 for 90° phase shift.

この直列回路とコンデンサ或過 ンデンサ6を介して出力端子7、即ちトランジスタ1の
エミッタに接続すると共に抵抗器22を通じてトランジ
スタ19のベースにも接続する。
It is connected to the output terminal 7, ie, the emitter of the transistor 1, through this series circuit and a capacitor 6, and also to the base of the transistor 19 through a resistor 22.

この第9図の発振器では電流源回路8の電流を可変する
ことによって発振周波数を可変することができる。
In the oscillator shown in FIG. 9, the oscillation frequency can be varied by varying the current of the current source circuit 8.

この発振器の周波数と位相の関係を第10図に示す。The relationship between frequency and phase of this oscillator is shown in FIG.

尚、水晶振動子26の代りにコイル及びコンデンサの直
列回路よりなる直列共振回路も可能である。
Incidentally, instead of the crystal resonator 26, a series resonant circuit consisting of a series circuit of a coil and a capacitor may be used.

又コンデンサ6は結合コンデンサである。Further, the capacitor 6 is a coupling capacitor.

この発振器は位相制御電流制御形発振器となる。This oscillator is a phase controlled current controlled oscillator.

上述せる本発明可変インピーダンス回路によれば構成簡
単にしてインピーダンス可変範囲が広く、ダイナミック
レンジが広く、且つ位相制御回路に適用した場合信号の
振幅の絶対値が変化しない可変インピーダンス回路を得
ることができる。
According to the variable impedance circuit of the present invention described above, it is possible to obtain a variable impedance circuit that has a simple configuration, has a wide impedance variable range, a wide dynamic range, and does not change the absolute value of the signal amplitude when applied to a phase control circuit. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す回路結線図、第2図は
特性曲線図、第3〜第9図は本発明の他の実施例を示す
回線結線図、第10図は特性曲線図である。 tは第1の電源端子、1はトランジスタ、2.3及び4
は第1、第2及び第3のダイオード、6はインピーダン
ス回路、7は出力端子、8は電流源回路、35はインピ
ーダンス制御手段である。
Fig. 1 is a circuit wiring diagram showing one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a characteristic curve diagram, Figs. 3 to 9 are circuit wiring diagrams showing other embodiments of the invention, and Fig. 10 is a characteristic curve diagram. It is a diagram. t is the first power supply terminal, 1 is a transistor, 2.3 and 4
are first, second and third diodes, 6 is an impedance circuit, 7 is an output terminal, 8 is a current source circuit, and 35 is an impedance control means.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1及び第2の電源端子間にトランジスタのコレク
タ・エミッタ間と第1のダイオードとの直列回路を接続
し、上記トランジスタのベースと上記第2の電源端子と
の間に第2及び第3のダイオードの直列回路を接続する
と共に、上記トランジスタのベースを電流源回路を通じ
て上記第1の電源端子に接続し、上記トランジスタに流
れる電流を変更して該トランジスタのエミッタ入力イン
ピーダンスを可変させるインピーダンス制御回路を上記
トランジスタのベース回路に設け、上記トランジスタ及
び第1のダイオードの接続中点にインピーダンスを回路
を介して入力信号を供給するようになし、上記トランジ
スタと上記第1のダイオードとの接続中点より出力信号
を取出すようにしたことを特徴とする可変インピーダン
ス回路。
1 A series circuit consisting of a collector-emitter of a transistor and a first diode is connected between the first and second power supply terminals, and a series circuit of a first diode and a second diode is connected between the base of the transistor and the second power supply terminal. an impedance control circuit that connects a series circuit of diodes, connects the base of the transistor to the first power supply terminal through a current source circuit, and changes the current flowing through the transistor to vary the emitter input impedance of the transistor. is provided in the base circuit of the transistor, an impedance is provided at the midpoint of the connection between the transistor and the first diode, and an input signal is supplied through the circuit; A variable impedance circuit characterized by extracting an output signal.
JP1541177A 1977-02-15 1977-02-15 variable impedance circuit Expired JPS5951173B2 (en)

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