JPS5941169B2 - エラストマ−ヒヨウジソウチ - Google Patents
エラストマ−ヒヨウジソウチInfo
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- JPS5941169B2 JPS5941169B2 JP50159497A JP15949775A JPS5941169B2 JP S5941169 B2 JPS5941169 B2 JP S5941169B2 JP 50159497 A JP50159497 A JP 50159497A JP 15949775 A JP15949775 A JP 15949775A JP S5941169 B2 JPS5941169 B2 JP S5941169B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエラストマーの弾性変形を利用したエラストマ
ー表示装置の構造に関するものである。
ー表示装置の構造に関するものである。
透明基板上に透明導電層、エラストマー層、金属反射層
、導電エラストマー層、対向電極層を順次形成し、透明
導電層と対向電極層の間に電界を印加することによつて
電圧が印加された部分にフロスト状の凹凸の表面変形を
発生させ、この表面変形による光散乱現象を表示素子と
して利用したエラストマー表示装置が知られている。図
によつて従来技術を説明すると、第１図においてガラス
、プラスチック等の透明基板１の上に酸化インジウム又
は酸化スズを主成分とする透明導電膜パターン２を形成
し、次に体積抵抗率１０１５Ω儂程度のエラストマー層
３、インジウム等の金属反射層４、カーボン粉末を混入
した導電エラストマー層５、銀ペースト又は金、銀等の
金属蒸着層の対向電極６を順次形成する。
、導電エラストマー層、対向電極層を順次形成し、透明
導電層と対向電極層の間に電界を印加することによつて
電圧が印加された部分にフロスト状の凹凸の表面変形を
発生させ、この表面変形による光散乱現象を表示素子と
して利用したエラストマー表示装置が知られている。図
によつて従来技術を説明すると、第１図においてガラス
、プラスチック等の透明基板１の上に酸化インジウム又
は酸化スズを主成分とする透明導電膜パターン２を形成
し、次に体積抵抗率１０１５Ω儂程度のエラストマー層
３、インジウム等の金属反射層４、カーボン粉末を混入
した導電エラストマー層５、銀ペースト又は金、銀等の
金属蒸着層の対向電極６を順次形成する。
このようにして構成したエラストマー表示装置において
、透明導電膜２と対向電極６に電圧を印加すると透明導
電膜パターン２に対応してエラストマー層にフロスト状
の凹凸の表面変形があられれ、金属反射層４が透明基板
１の下側から入射する光を乱反射させ白濁を生じパター
ン認識別することができる。このような従来のエラスト
マー表示装置を動作させるための駆動電圧は人間が明確
に識別できる十分なコントラストをうるためには８０〜
１００Ｖの電圧が必要でありこの駆動電圧はエラストマ
ー層３の厚さに依存し、１田当り１０〜５にＶの電圧が
必要とされている。従つてこの駆動電圧を低くするため
にはエラストマー層３の厚さをうすくする必要があるが
周知のようにエラストマー層のような有機物質をうすく
形成するとピンホールによる絶縁破壊が起り表示装置の
機能を果せない。又表示面積が広くなる程ピンホールの
発生確率が増加し表示面積に応じてエラストマー層３の
厚さの下限を増加させなければならない。このため従来
の構成によるエラストマー表示装置は駆動電圧が高く、
デスプレイ装置として動作させる際に回路構成上制限が
あり又使用範囲も限定されるという重大な欠点を有して
いた。又駆動電圧をできるだけ低い状態で使用すること
を意図して工ラストマ一層３の厚さは絶縁破壊が起らな
い下限の厚さで形成するのが通常であるが、この場合に
は又絶縁破壊までにはいたらないが電流の漏れ現象があ
りそのために消費電流が増加するという欠点があつた。
本発明の目的は駆動電圧を低下させしかも消費電流を大
巾に減少させるエラストマー表示装置の構成を提供する
ものである。
、透明導電膜２と対向電極６に電圧を印加すると透明導
電膜パターン２に対応してエラストマー層にフロスト状
の凹凸の表面変形があられれ、金属反射層４が透明基板
１の下側から入射する光を乱反射させ白濁を生じパター
ン認識別することができる。このような従来のエラスト
マー表示装置を動作させるための駆動電圧は人間が明確
に識別できる十分なコントラストをうるためには８０〜
１００Ｖの電圧が必要でありこの駆動電圧はエラストマ
ー層３の厚さに依存し、１田当り１０〜５にＶの電圧が
必要とされている。従つてこの駆動電圧を低くするため
にはエラストマー層３の厚さをうすくする必要があるが
周知のようにエラストマー層のような有機物質をうすく
形成するとピンホールによる絶縁破壊が起り表示装置の
機能を果せない。又表示面積が広くなる程ピンホールの
発生確率が増加し表示面積に応じてエラストマー層３の
厚さの下限を増加させなければならない。このため従来
の構成によるエラストマー表示装置は駆動電圧が高く、
デスプレイ装置として動作させる際に回路構成上制限が
あり又使用範囲も限定されるという重大な欠点を有して
いた。又駆動電圧をできるだけ低い状態で使用すること
を意図して工ラストマ一層３の厚さは絶縁破壊が起らな
い下限の厚さで形成するのが通常であるが、この場合に
は又絶縁破壊までにはいたらないが電流の漏れ現象があ
りそのために消費電流が増加するという欠点があつた。
本発明の目的は駆動電圧を低下させしかも消費電流を大
巾に減少させるエラストマー表示装置の構成を提供する
ものである。
上記目的を達成するための本発明の要旨とするところは
、透明基板上に透明導電層、エラストマー層、金属反射
層、導電エラストマー層、対向電極層を有するエラスト
マー表示装置において透明導電層とエラストマー層の中
間に該エラストマー層とは異種の絶縁性透明層を形成し
、透明エラストマー層の厚さがうすくても絶縁性を維持
し、そのために駆動電圧が減少し、消費電流が著しく減
少したことにある。次に図面に基づき本発明の詳細を説
明する。第２図は本発明の実施例を示すものでエラスト
マー表示装置の断面構造を示す図である。透明基板とし
てガラス基板１１の上にパターン化した酸化インジウム
や酸化スズを主成分とした透明導電層１２を形成した後
２×１０−５ｔ０ｒｒに排気した真空蒸着装置において
絶縁性透明層１３として、酸化シリコンを約５０００λ
〜１００００λの厚さに真空蒸着する。次にエラストマ
ー層１４として体積抵抗率１０１５Ω？程度の透明シリ
コン樹脂をスピンナー装置を用いて約１〜３μの厚さに
塗布し１５０℃の温度で４０分硬化処理を行つた後真空
蒸着装置により３００〜１０００λの膜厚のインジウム
膜を金属反射層１５として形成する。次にシルクスクリ
ーン印刷法によりカーボンを混入せしめたシリコン樹脂
からなる導電エラストマー層１６を印刷後乾燥、硬化し
つづいて銀ペーストを対向電極１７として印刷、乾燥、
硬化する。以上のように透明導電層１２とエラストマー
層１４の中間にうすくても絶縁性がすぐれている絶縁性
透明層１３を形成することにより、エラストマー層が十
分にうすくても絶縁性は保証され、電界が有効にエラス
トマー層にかかりそのため駆動電圧が低下し消費電流も
大巾に減少する効果がえ１られた。従来技術による構成
のエラストマー表示１装置と本発明による構成のものに
おける特性を比１較すると第１表のようになり、最低駆
動電圧は１／２以下に、消費電流は２００分の１になり
この絶縁性透明層の挿入の効果は大きい。上記の実施例
において絶縁性透明層として酸化シリコンの例をのべた
が二酸化シリコグ、酸化アルミニウム、酸化イツトリウ
ム、チタン酸バリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル
、酸化ジルコン、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸
化スズ等の絶縁性透明金属酸化物層、フツ化マグネシウ
ム、フツ化カルシウム等の絶縁性透明金属フッ化物層を
用いても上記と同様の効果がえられた。又以上の無機物
質のみならず、ポリプロピレン、アクリル、ポリイミド
等の透明有機物質層を用いても同様の効一果がえられた
。
、透明基板上に透明導電層、エラストマー層、金属反射
層、導電エラストマー層、対向電極層を有するエラスト
マー表示装置において透明導電層とエラストマー層の中
間に該エラストマー層とは異種の絶縁性透明層を形成し
、透明エラストマー層の厚さがうすくても絶縁性を維持
し、そのために駆動電圧が減少し、消費電流が著しく減
少したことにある。次に図面に基づき本発明の詳細を説
明する。第２図は本発明の実施例を示すものでエラスト
マー表示装置の断面構造を示す図である。透明基板とし
てガラス基板１１の上にパターン化した酸化インジウム
や酸化スズを主成分とした透明導電層１２を形成した後
２×１０−５ｔ０ｒｒに排気した真空蒸着装置において
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ー層１４として体積抵抗率１０１５Ω？程度の透明シリ
コン樹脂をスピンナー装置を用いて約１〜３μの厚さに
塗布し１５０℃の温度で４０分硬化処理を行つた後真空
蒸着装置により３００〜１０００λの膜厚のインジウム
膜を金属反射層１５として形成する。次にシルクスクリ
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からなる導電エラストマー層１６を印刷後乾燥、硬化し
つづいて銀ペーストを対向電極１７として印刷、乾燥、
硬化する。以上のように透明導電層１２とエラストマー
層１４の中間にうすくても絶縁性がすぐれている絶縁性
透明層１３を形成することにより、エラストマー層が十
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トマー層にかかりそのため駆動電圧が低下し消費電流も
大巾に減少する効果がえ１られた。従来技術による構成
のエラストマー表示１装置と本発明による構成のものに
おける特性を比１較すると第１表のようになり、最低駆
動電圧は１／２以下に、消費電流は２００分の１になり
この絶縁性透明層の挿入の効果は大きい。上記の実施例
において絶縁性透明層として酸化シリコンの例をのべた
が二酸化シリコグ、酸化アルミニウム、酸化イツトリウ
ム、チタン酸バリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル
、酸化ジルコン、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸
化スズ等の絶縁性透明金属酸化物層、フツ化マグネシウ
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用いても上記と同様の効果がえられた。又以上の無機物
質のみならず、ポリプロピレン、アクリル、ポリイミド
等の透明有機物質層を用いても同様の効一果がえられた
。
第１図は従来のエラストマー表示装置の構成を説明する
ための斜視図、第２図は本発明の実施例を説明するため
の断面図、第１表はエラストマー表示装置の最低駆動電
圧と消費電流特性を従来技術による場合と本発明による
構成の装置の場合で比較したものである。 ２・・・・・・透明導電層、３・・・・・・エラストマ
ー層、４・・・・・・金属反射層、１２・・・・・・透
明導電層、１３・・・・・・絶縁性透明層、１４・・・
・・・エラストマー層。
ための斜視図、第２図は本発明の実施例を説明するため
の断面図、第１表はエラストマー表示装置の最低駆動電
圧と消費電流特性を従来技術による場合と本発明による
構成の装置の場合で比較したものである。 ２・・・・・・透明導電層、３・・・・・・エラストマ
ー層、４・・・・・・金属反射層、１２・・・・・・透
明導電層、１３・・・・・・絶縁性透明層、１４・・・
・・・エラストマー層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に透明導電層、エラストマー層、金属反
射層、導電エラストマー層、対向電極層を形成してなる
エラストマー表示装置において、透明導電層とエラスト
マー層の中間に該エラストマー層とは異種の絶縁性透明
層を形成することを特徴とするエラストマー表示装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に於て絶縁性透明層として、
二酸化シリコン、一酸化シリコン、酸化アルミニウム、
酸化イットリウム、チタン酸バリウム、酸化ハフニウム
、酸化タンタル、酸化ジルコン、酸化マグネシウム、酸
化セリウム、酸化スズ等の金属酸化物層、フッ化マグネ
シウム、フッ化カルシウム等の金属フッ化物層等の無機
物質層を形成したエラストマー表示装置。 ３ 特許請求の範囲第１項に於て絶縁性透明層としてポ
リプロピレン、アクリル、ポリイミド等の有機物質から
なる層を形成したことを特徴とするエラストマー表示装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50159497A JPS5941169B2 (ja) | 1975-12-25 | 1975-12-25 | エラストマ−ヒヨウジソウチ |
| US05/753,539 US4119368A (en) | 1975-12-25 | 1976-12-22 | Elastomer display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50159497A JPS5941169B2 (ja) | 1975-12-25 | 1975-12-25 | エラストマ−ヒヨウジソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5279692A JPS5279692A (en) | 1977-07-04 |
| JPS5941169B2 true JPS5941169B2 (ja) | 1984-10-05 |
Family
ID=15695048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50159497A Expired JPS5941169B2 (ja) | 1975-12-25 | 1975-12-25 | エラストマ−ヒヨウジソウチ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4119368A (ja) |
| JP (1) | JPS5941169B2 (ja) |
Families Citing this family (90)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2033125B (en) * | 1978-08-18 | 1982-07-21 | Sharp Kk | Elastomer display |
| US4494826A (en) * | 1979-12-31 | 1985-01-22 | Smith James L | Surface deformation image device |
| US4626920A (en) * | 1984-01-30 | 1986-12-02 | New York Institute Of Technology | Solid state light modulator structure |
| US4857978A (en) * | 1987-08-11 | 1989-08-15 | North American Philips Corporation | Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization |
| US4879602A (en) * | 1987-09-04 | 1989-11-07 | New York Institute Of Technology | Electrode patterns for solid state light modulator |
| US4878122A (en) * | 1987-09-04 | 1989-10-31 | New York Institute Of Technology | Light modulator video display apparatus |
| US5124834A (en) * | 1989-11-16 | 1992-06-23 | General Electric Company | Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same |
| US5526172A (en) * | 1993-07-27 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same |
| KR0151457B1 (ko) * | 1994-04-30 | 1998-12-15 | 배순훈 | 광로조절장치 및 그 제조방법 |
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