JP2813259B2 - 薄膜誘電体 - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子デバイス、特
に、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、液晶ディ
スプレイ、ＩＣの絶縁膜、中でも主にＥＬ素子に利用さ
れる薄膜誘電体の構造に関するものである。
に、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、液晶ディ
スプレイ、ＩＣの絶縁膜、中でも主にＥＬ素子に利用さ
れる薄膜誘電体の構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】現在、各種電子デバイス、特にＥＬ素子に
利用されている薄膜誘電体は、材料としてＳｉＯ2（酸
化シリコン）、Ｓｉ3Ｎ4（窒化シリコン）、Ａｌ2Ｏ
3（酸化アルミニウム）等を用いた単膜あるいはこれら
を組み合わせた２層程度の積層薄膜が主である。特にＳ
ｉ3Ｎ4系の単層絶縁膜は、非晶質で安定であり、耐圧が
高く均一な発光が得られている。
利用されている薄膜誘電体は、材料としてＳｉＯ2（酸
化シリコン）、Ｓｉ3Ｎ4（窒化シリコン）、Ａｌ2Ｏ
3（酸化アルミニウム）等を用いた単膜あるいはこれら
を組み合わせた２層程度の積層薄膜が主である。特にＳ
ｉ3Ｎ4系の単層絶縁膜は、非晶質で安定であり、耐圧が
高く均一な発光が得られている。
【０００３】しかし、ＥＬ素子において、より高輝度
な、あるいは低電圧駆動が可能な素子を作製するには、
ＳｉＯ2（酸化シリコン）、Ｓｉ3Ｎ4（窒化シリコ
ン）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）等より比誘電率の
高い材料、高誘電率材料を用いて薄膜誘電体を形成する
ことが必要である。しかし、高誘電率材料は一般にリー
ク電流が大きく、また耐圧が低いことから、同時に絶縁
破壊対応（長寿命化）が可能な薄膜誘電体を実現させる
必要がある。
な、あるいは低電圧駆動が可能な素子を作製するには、
ＳｉＯ2（酸化シリコン）、Ｓｉ3Ｎ4（窒化シリコ
ン）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）等より比誘電率の
高い材料、高誘電率材料を用いて薄膜誘電体を形成する
ことが必要である。しかし、高誘電率材料は一般にリー
ク電流が大きく、また耐圧が低いことから、同時に絶縁
破壊対応（長寿命化）が可能な薄膜誘電体を実現させる
必要がある。
【０００４】高輝度化、低電圧駆動化とトレードオフの
関係にある絶縁破壊対応（長寿命化）など素子の高性能
化を満たす方法として、ＳｉＯx（酸化ケイ素）を高誘
電率体であるＨｆＯ2（酸化ハフニウム）による２層構
造やＳｉＯxをＨｆＯ2でサンドイッチ状に挟んだ絶縁体
（薄膜誘電体）が、特開平２−１９５６８５号公報に開
示されている。また、自己回復型絶縁破壊をする膜と、
比誘電率が１４０と非常に大きな値のチタン酸ストロン
チウム（ＳｒＴｉＯ2）を材料にした伝播型絶縁破壊を
する膜を交互に積層した薄膜誘電体が、特開平２−２１
５０８１号公報に開示されている。しかし、薄膜ＥＬ素
子の高輝度を満たして、絶縁破壊に耐えられる薄膜誘電
体は実用化されていない。
関係にある絶縁破壊対応（長寿命化）など素子の高性能
化を満たす方法として、ＳｉＯx（酸化ケイ素）を高誘
電率体であるＨｆＯ2（酸化ハフニウム）による２層構
造やＳｉＯxをＨｆＯ2でサンドイッチ状に挟んだ絶縁体
（薄膜誘電体）が、特開平２−１９５６８５号公報に開
示されている。また、自己回復型絶縁破壊をする膜と、
比誘電率が１４０と非常に大きな値のチタン酸ストロン
チウム（ＳｒＴｉＯ2）を材料にした伝播型絶縁破壊を
する膜を交互に積層した薄膜誘電体が、特開平２−２１
５０８１号公報に開示されている。しかし、薄膜ＥＬ素
子の高輝度を満たして、絶縁破壊に耐えられる薄膜誘電
体は実用化されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電子デバイスの高性能
化、例えばＥＬ素子における高輝度化、低電圧駆動化を
実現するためには、比誘電率が３〜８であるＳｉＯ2、
Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3等より高い誘電率をもつ材料による
薄膜誘電体の開発が重要である。中でも、高誘電率材料
であるＴａ2Ｏ5は比誘電率が２４と高く、ＥＬ素子にお
いては高輝度化が図れることから、有望な誘電体材料と
して特に研究が盛んである。しかし、高誘電率材料は一
般にリーク電流が大きく耐圧が低いことから、断線（ラ
イン状欠陥）が生じやすく、実際のデバイスに利用する
場合、信頼性の面で問題が生じていた。
化、例えばＥＬ素子における高輝度化、低電圧駆動化を
実現するためには、比誘電率が３〜８であるＳｉＯ2、
Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3等より高い誘電率をもつ材料による
薄膜誘電体の開発が重要である。中でも、高誘電率材料
であるＴａ2Ｏ5は比誘電率が２４と高く、ＥＬ素子にお
いては高輝度化が図れることから、有望な誘電体材料と
して特に研究が盛んである。しかし、高誘電率材料は一
般にリーク電流が大きく耐圧が低いことから、断線（ラ
イン状欠陥）が生じやすく、実際のデバイスに利用する
場合、信頼性の面で問題が生じていた。
【０００６】本発明は、Ｔａ 2 Ｏ 5 と、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳ
ｉ 3 Ｎ 4 とを交互に積層することにより、高い誘電率を有
し、耐圧が高く、リーク電流が少ない、長寿命の薄膜誘
電体を提供することを目的としている。
ｉ 3 Ｎ 4 とを交互に積層することにより、高い誘電率を有
し、耐圧が高く、リーク電流が少ない、長寿命の薄膜誘
電体を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、Ｔａ2Ｏ 5 による薄膜と、Ａｌ2Ｏ3 また
はＳｉ3Ｎ 4 からなる薄膜を、交互に積層するとともに、
積層膜が４層以上、好ましくは１８層以上であることを
特徴とする薄膜誘電体である。
達成するために、Ｔａ2Ｏ 5 による薄膜と、Ａｌ2Ｏ3 また
はＳｉ3Ｎ 4 からなる薄膜を、交互に積層するとともに、
積層膜が４層以上、好ましくは１８層以上であることを
特徴とする薄膜誘電体である。
【０００８】
【作用】２つの誘電体材料による積層薄膜誘電体の比誘
電率は、それぞれの材料の比誘電率と構成比により計算
することができる。一方の誘電体材料の比誘電率を
ε1、構成比（膜厚の比）をＡ％、他方の比誘電率を
ε2、構成比を（１００−Ａ）％とすると、積層薄膜誘
電体の比誘電率は次式で表せられる。
電率は、それぞれの材料の比誘電率と構成比により計算
することができる。一方の誘電体材料の比誘電率を
ε1、構成比（膜厚の比）をＡ％、他方の比誘電率を
ε2、構成比を（１００−Ａ）％とすると、積層薄膜誘
電体の比誘電率は次式で表せられる。
【０００９】 １００ε1ε2／〔ε1（１００−Ａ）＋ε2Ａ〕‥‥‥‥‥‥‥（１） 本発明の薄膜誘電体は、Ｔａ 2 Ｏ 5 などの高誘電率誘電体
材料が共存することにより、（式１）で示されるよう
に、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 などの高耐圧・低リーク電
流誘電体材料のみの場合に比べ、比誘電率が高くなる。
そして高誘電率誘電体材料の比誘電率、構成比を大きく
することによって、より高い誘電率の薄膜誘電体を提供
することが出来、ＥＬ素子に応用した場合、輝度アッ
プ、あるいは駆動電圧の低電圧化を図ることができる。
材料が共存することにより、（式１）で示されるよう
に、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 などの高耐圧・低リーク電
流誘電体材料のみの場合に比べ、比誘電率が高くなる。
そして高誘電率誘電体材料の比誘電率、構成比を大きく
することによって、より高い誘電率の薄膜誘電体を提供
することが出来、ＥＬ素子に応用した場合、輝度アッ
プ、あるいは駆動電圧の低電圧化を図ることができる。
【００１０】また、本発明の薄膜誘電体の耐圧及びリー
ク電流は、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 などの高耐圧・低リ
ーク電流誘電体材料層が共存することにより、Ｔａ 2 Ｏ 5
などの高誘電率誘電体材料のみの場合に比べ、改善さ
れ、さらには積層数を増やすことによって、より改善さ
れる。
ク電流は、Ａｌ 2 Ｏ 3 またはＳｉ 3 Ｎ 4 などの高耐圧・低リ
ーク電流誘電体材料層が共存することにより、Ｔａ 2 Ｏ 5
などの高誘電率誘電体材料のみの場合に比べ、改善さ
れ、さらには積層数を増やすことによって、より改善さ
れる。
【００１１】この理由については、薄膜誘電体における
積層の不連続性即ち異種材料の境界面が電子の動きを妨
げることにより、膜中を流れる電流が減少し、リーク電
流の低減、耐圧の向上が実現されるものと考えられる。
積層の不連続性即ち異種材料の境界面が電子の動きを妨
げることにより、膜中を流れる電流が減少し、リーク電
流の低減、耐圧の向上が実現されるものと考えられる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。これによって、本発明が限定されるも
のではない。
詳細に説明する。これによって、本発明が限定されるも
のではない。
【００１３】〔実施例１〕図１は、本発明の薄膜誘電体
の基本特性を測定するために作製した薄膜誘電体の一実
施例の断面図である。本実施例では、高誘電率誘電体材
料としてＴａ2Ｏ5を用い、高耐圧・低リーク電流誘電体
材料としてＡｌ2Ｏ3を用い、交互に積層して薄膜誘電体
を作製した。ガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウムス
ズ酸化物）からなるストライプ状の透明電極２を高周波
スパッタ法により膜厚２０００Åで形成し、この上に高
周波スパッタ法によりＴａ2Ｏ5層３とＡｌ2Ｏ3層４を交
互に繰り返して積層し、一般に電子デバイスとして用い
られる膜厚５００〜１００００Åの薄膜誘電体５を作製
した。作製した薄膜誘電体５の誘電率は、Ｔａ2Ｏ5とＡ
ｌ2Ｏ3の構成比により決められ、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3の
構成比がそれぞれ５０％とした膜の比誘電率の実測値は
１１〜１２であり、（式１）に基づく計算値とほぼ一致
している。最後に、薄膜誘電体５の上に、アルミニウム
による背面電極６を形成した。
の基本特性を測定するために作製した薄膜誘電体の一実
施例の断面図である。本実施例では、高誘電率誘電体材
料としてＴａ2Ｏ5を用い、高耐圧・低リーク電流誘電体
材料としてＡｌ2Ｏ3を用い、交互に積層して薄膜誘電体
を作製した。ガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウムス
ズ酸化物）からなるストライプ状の透明電極２を高周波
スパッタ法により膜厚２０００Åで形成し、この上に高
周波スパッタ法によりＴａ2Ｏ5層３とＡｌ2Ｏ3層４を交
互に繰り返して積層し、一般に電子デバイスとして用い
られる膜厚５００〜１００００Åの薄膜誘電体５を作製
した。作製した薄膜誘電体５の誘電率は、Ｔａ2Ｏ5とＡ
ｌ2Ｏ3の構成比により決められ、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3の
構成比がそれぞれ５０％とした膜の比誘電率の実測値は
１１〜１２であり、（式１）に基づく計算値とほぼ一致
している。最後に、薄膜誘電体５の上に、アルミニウム
による背面電極６を形成した。
【００１４】図２は、本実施例において薄膜誘電体の積
層数を変えて、電界強度とリーク電流の関係を測定した
結果である。図２には、Ｔａ2Ｏ5単層の場合、及び薄膜
誘電体５の積層数が２層（Ｔａ2Ｏ5層とＡｌ2Ｏ3層が各
１層）、６層（Ｔａ2Ｏ5層とＡｌ2Ｏ3層が各３層）、１
８層（Ｔａ2Ｏ5層とＡｌ2Ｏ3層が各９層）で、Ｔａ
2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3の構成比がそれぞれ５０％の場合を示し
ており、薄膜誘電体全体の膜厚は一定である。Ａｌ2Ｏ3
層がＴａ2Ｏ5層の間に存在することで、Ｔａ2Ｏ5単層の
場合に比べてリーク電流が減少し、また同時に積層数を
増やすことによってリーク電流がより減少している。
層数を変えて、電界強度とリーク電流の関係を測定した
結果である。図２には、Ｔａ2Ｏ5単層の場合、及び薄膜
誘電体５の積層数が２層（Ｔａ2Ｏ5層とＡｌ2Ｏ3層が各
１層）、６層（Ｔａ2Ｏ5層とＡｌ2Ｏ3層が各３層）、１
８層（Ｔａ2Ｏ5層とＡｌ2Ｏ3層が各９層）で、Ｔａ
2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3の構成比がそれぞれ５０％の場合を示し
ており、薄膜誘電体全体の膜厚は一定である。Ａｌ2Ｏ3
層がＴａ2Ｏ5層の間に存在することで、Ｔａ2Ｏ5単層の
場合に比べてリーク電流が減少し、また同時に積層数を
増やすことによってリーク電流がより減少している。
【００１５】図３は、本実施例における薄膜誘電体の直
流耐圧と積層数の関係を示すグラフである。白丸は、透
明電極２が正極で背面電極６が負極の場合であり、黒丸
は、透明電極２が負極で背面電極６が正極の場合であ
る。透明電極２と背面電極６の極性の違いにより薄膜誘
電体５の耐圧に差が生じているが、透明電極２を負極
（黒丸で示す）にした場合は、Ｔａ2Ｏ5層のみの場合に
比べ耐圧が全てにおいて向上している。背面電極６を負
極（白丸で示す）にすると、薄膜誘電体５の積層数が２
層と少ない場合は、逆にＴａ2Ｏ5層のみの場合に比べ耐
圧が低下するが、薄膜誘電体の積層数を４層以上に増や
すことにより耐圧がＴａ2Ｏ5層のみの場合（図３に示す
Ｔａ2Ｏ5単層膜の耐圧水準値）より向上する。さらに積
層数を１８層以上にすることにより、高耐圧誘電体材料
であるＡｌ2Ｏ3単層膜の耐圧水準（透明電極２が負極の
ときは８ＭＶ／cm、背面電極６が負極のときは６ＭＶ／
cm）の９０％以上の耐圧値が得られることから、薄膜誘
電体は１８層以上にすることが好ましい。
流耐圧と積層数の関係を示すグラフである。白丸は、透
明電極２が正極で背面電極６が負極の場合であり、黒丸
は、透明電極２が負極で背面電極６が正極の場合であ
る。透明電極２と背面電極６の極性の違いにより薄膜誘
電体５の耐圧に差が生じているが、透明電極２を負極
（黒丸で示す）にした場合は、Ｔａ2Ｏ5層のみの場合に
比べ耐圧が全てにおいて向上している。背面電極６を負
極（白丸で示す）にすると、薄膜誘電体５の積層数が２
層と少ない場合は、逆にＴａ2Ｏ5層のみの場合に比べ耐
圧が低下するが、薄膜誘電体の積層数を４層以上に増や
すことにより耐圧がＴａ2Ｏ5層のみの場合（図３に示す
Ｔａ2Ｏ5単層膜の耐圧水準値）より向上する。さらに積
層数を１８層以上にすることにより、高耐圧誘電体材料
であるＡｌ2Ｏ3単層膜の耐圧水準（透明電極２が負極の
ときは８ＭＶ／cm、背面電極６が負極のときは６ＭＶ／
cm）の９０％以上の耐圧値が得られることから、薄膜誘
電体は１８層以上にすることが好ましい。
【００１６】〔実施例２〕図４は、薄膜ＥＬ素子に応用
した本発明の実施例の多層積層薄膜誘電体の断面図であ
る。本実施例では、高誘電率誘電体材料としてＴａ2Ｏ5
を用い、高耐圧・低リーク電流誘電体材料としてＡｌ2
Ｏ3を用い、交互に積層して薄膜誘電体を作製した。ガ
ラス基板１１の上にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）か
らなるストライプ状の透明電極１２を高周波スパッタ法
により膜厚２０００Åで形成し、この上に高周波スパッ
タ法によりＴａ2Ｏ5層１３とＡｌ2Ｏ3層１４を交互に繰
り返して積層し、一般に薄膜ＥＬ素子に用いられる膜厚
１０００〜３０００Åの薄膜誘電体による第１の絶縁層
１５を作製した。次に第１の絶縁層１５の上に、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ（０．５ｗｔ％）を電子ビーム蒸着法により、
発光層１６を膜厚４５００Åで形成した。次に、第１の
絶縁層１５と同じく、高周波スパッタ法によりＡｌ2Ｏ3
層１７とＴａ2Ｏ5層１８を交互に繰り返して発光層１６
の上に積層した後、Ａｌ2Ｏ3層１９を積層し、一般に薄
膜ＥＬ素子に用いられる膜厚１０００〜３０００Åの薄
膜誘電体による第２の絶縁層２０を作製した。最後に、
第２の絶縁層２０の上に、アルミニウムによる背面電極
２１を膜厚２０００Åで形成し、薄膜ＥＬ素子を作製し
た。
した本発明の実施例の多層積層薄膜誘電体の断面図であ
る。本実施例では、高誘電率誘電体材料としてＴａ2Ｏ5
を用い、高耐圧・低リーク電流誘電体材料としてＡｌ2
Ｏ3を用い、交互に積層して薄膜誘電体を作製した。ガ
ラス基板１１の上にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）か
らなるストライプ状の透明電極１２を高周波スパッタ法
により膜厚２０００Åで形成し、この上に高周波スパッ
タ法によりＴａ2Ｏ5層１３とＡｌ2Ｏ3層１４を交互に繰
り返して積層し、一般に薄膜ＥＬ素子に用いられる膜厚
１０００〜３０００Åの薄膜誘電体による第１の絶縁層
１５を作製した。次に第１の絶縁層１５の上に、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ（０．５ｗｔ％）を電子ビーム蒸着法により、
発光層１６を膜厚４５００Åで形成した。次に、第１の
絶縁層１５と同じく、高周波スパッタ法によりＡｌ2Ｏ3
層１７とＴａ2Ｏ5層１８を交互に繰り返して発光層１６
の上に積層した後、Ａｌ2Ｏ3層１９を積層し、一般に薄
膜ＥＬ素子に用いられる膜厚１０００〜３０００Åの薄
膜誘電体による第２の絶縁層２０を作製した。最後に、
第２の絶縁層２０の上に、アルミニウムによる背面電極
２１を膜厚２０００Åで形成し、薄膜ＥＬ素子を作製し
た。
【００１７】以上のように、本発明の薄膜誘電体は、高
誘電率誘電体材料であるＴａ2Ｏ5と高耐圧・低リーク電
流誘電体材料であるＡｌ2Ｏ3の多層積層膜で形成されて
いるので、誘電率が高くて、耐圧の高い絶縁層を形成す
ることができ、薄膜ＥＬ素子の絶縁層（第１の絶縁層１
５と第２の絶縁層２０）へ応用すると、薄膜ＥＬ素子に
おける輝度をアップさせ、低電圧駆動とともに長寿命化
を図ることが出来る。
誘電率誘電体材料であるＴａ2Ｏ5と高耐圧・低リーク電
流誘電体材料であるＡｌ2Ｏ3の多層積層膜で形成されて
いるので、誘電率が高くて、耐圧の高い絶縁層を形成す
ることができ、薄膜ＥＬ素子の絶縁層（第１の絶縁層１
５と第２の絶縁層２０）へ応用すると、薄膜ＥＬ素子に
おける輝度をアップさせ、低電圧駆動とともに長寿命化
を図ることが出来る。
【００１８】上記実施例２は、薄膜ＥＬ素子への利用に
ついて説明したが、本発明の薄膜誘電体は、薄膜ＥＬ素
子に限るものではなく、液晶ディスプレイ、ＩＣの絶縁
膜にも利用出来るものである。
ついて説明したが、本発明の薄膜誘電体は、薄膜ＥＬ素
子に限るものではなく、液晶ディスプレイ、ＩＣの絶縁
膜にも利用出来るものである。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、高誘電率で、高耐圧、低
リーク電流薄膜誘電体が得られ、長寿命で、低電圧駆動
の高性能の電子デバイスに応用できる。
リーク電流薄膜誘電体が得られ、長寿命で、低電圧駆動
の高性能の電子デバイスに応用できる。
【図１】本発明の一実施例による薄膜誘電体の要部の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の一実施例による薄膜誘電体の積層数を
変えたときの電界強度とリーク電流の関係を示す。
変えたときの電界強度とリーク電流の関係を示す。
【図３】本発明の一実施例による薄膜誘電体の直流耐圧
と積層数の関係を示す。
と積層数の関係を示す。
【図４】本発明を薄膜ＥＬ素子に応用した実施例の要部
断面図である。
断面図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ Ｔａ2Ｏ5層 ４ Ａｌ2Ｏ3層 ５ 薄膜誘電体 ６ 背面電極 １１ ガラス基板 １２ 透明電極 １３ Ｔａ2Ｏ5層 １４ Ａｌ2Ｏ3層 １５ 第１の絶縁層 １６ 発光層 １７ Ａｌ2Ｏ3層 １８ Ｔａ2Ｏ5層 １９ Ａｌ2Ｏ3層 ２０ 第２の絶縁層 ２１ 背面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/316 H01L 21/318 H05B 33/22
Claims (1)
- 【請求項１】 異なる２種類の誘電体材料を交互に積層
することにより形成される薄膜誘電体において、 前記薄膜誘電体が、酸化タンタル（Ｔａ 2 Ｏ 5 ）による膜
と、酸化アルミニウム（Ａｌ 2 Ｏ 3 ）または窒化シリコン
（Ｓｉ 3 Ｎ 4 ）による膜を交互に積層されてなるものであ
り、かつ前記薄膜誘電体が４層以上の多層積層膜である
ことを特徴とする薄膜誘電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3235881A JP2813259B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 薄膜誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3235881A JP2813259B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 薄膜誘電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574760A JPH0574760A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2813259B2 true JP2813259B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=16992628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3235881A Expired - Fee Related JP2813259B2 (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 薄膜誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813259B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852328B2 (ja) * | 1975-12-12 | 1983-11-22 | 三菱電機株式会社 | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP3235881A patent/JP2813259B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574760A (ja) | 1993-03-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |