JPS59232122A - 有機溶媒可溶性の感光性ポリイミド - Google Patents
有機溶媒可溶性の感光性ポリイミドInfo
- Publication number
- JPS59232122A JPS59232122A JP10656183A JP10656183A JPS59232122A JP S59232122 A JPS59232122 A JP S59232122A JP 10656183 A JP10656183 A JP 10656183A JP 10656183 A JP10656183 A JP 10656183A JP S59232122 A JPS59232122 A JP S59232122A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- photosensitive
- organic solvent
- photosensitive polyimide
- present
- Prior art date
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- Pending
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、有殿溶媒に対する溶解性が優れた、高分子主
鎖中に感光基を含有する新規なポリイミド、詳しくは、
耐熱性、電気的及び機械的性質に優れ、半導体工業にお
ける固体素子への絶縁膜やパッシベーション膜の形成材
料、及び半導体の集積回路や多層プリント配線板などの
眉間絶縁材料等として好適な、有機溶媒可溶性の感光性
ポリイミドに関する。
鎖中に感光基を含有する新規なポリイミド、詳しくは、
耐熱性、電気的及び機械的性質に優れ、半導体工業にお
ける固体素子への絶縁膜やパッシベーション膜の形成材
料、及び半導体の集積回路や多層プリント配線板などの
眉間絶縁材料等として好適な、有機溶媒可溶性の感光性
ポリイミドに関する。
半導体工業における固体素子への絶縁膜やパッシベーシ
ョン膜の形成材料、及び半導体集積回路や多層プリント
配線板などの眉間絶縁材料は、耐熱性及び絶縁性に富む
ことが要請される。斯る観点から、上記のパッシベーシ
ョン膜等を、絶縁性と共に耐熱性の高いポリイミドで形
成することが種々提案されている(特開昭49−115
541号公報、特開昭54−116216号公報、特開
昭54−116217号公報及び特開昭56−4591
5号公報等参照)。
ョン膜の形成材料、及び半導体集積回路や多層プリント
配線板などの眉間絶縁材料は、耐熱性及び絶縁性に富む
ことが要請される。斯る観点から、上記のパッシベーシ
ョン膜等を、絶縁性と共に耐熱性の高いポリイミドで形
成することが種々提案されている(特開昭49−115
541号公報、特開昭54−116216号公報、特開
昭54−116217号公報及び特開昭56−4591
5号公報等参照)。
しかし、一般にこれらのうちポリイミドを用いたものは
、溶媒不溶性で感光基を有しておらず、上述の提案にお
いては、感光基を含有するポリマーは、何れもポリイミ
ド前駆体であるボリアミンク酸のカルボン酸をアミド化
、エステル化など変性した形であり、ポリアミック酸を
光硬化時にポリイミドとしたり、光硬化後ポストベーク
してポリイミドとする必要がある。
、溶媒不溶性で感光基を有しておらず、上述の提案にお
いては、感光基を含有するポリマーは、何れもポリイミ
ド前駆体であるボリアミンク酸のカルボン酸をアミド化
、エステル化など変性した形であり、ポリアミック酸を
光硬化時にポリイミドとしたり、光硬化後ポストベーク
してポリイミドとする必要がある。
また、有機溶媒可溶性のポリイミド(感光基を有しない
)に、光硬化性基を有する単量体を混合して光硬化させ
るようにした耐熱性フォトレジスト組成物(特開昭54
−109828号公報等参照)もあるが、このような組
成物は、光硬化性が劣り、しかも光硬化後のポリイミド
の耐熱性も充分ではない。また、耐熱性に優れている芳
香族ポリイミドは、一般に溶媒に対する熔解性が劣るの
で、光硬化後未露光部を有機溶媒に溶解させる工程を含
むレリーフパターンの形成には適さない。
)に、光硬化性基を有する単量体を混合して光硬化させ
るようにした耐熱性フォトレジスト組成物(特開昭54
−109828号公報等参照)もあるが、このような組
成物は、光硬化性が劣り、しかも光硬化後のポリイミド
の耐熱性も充分ではない。また、耐熱性に優れている芳
香族ポリイミドは、一般に溶媒に対する熔解性が劣るの
で、光硬化後未露光部を有機溶媒に溶解させる工程を含
むレリーフパターンの形成には適さない。
また、テトラカルボン酸二無水物と光架橋性不飽和二重
結合を含むジアミン化合物、例えばジアミノカルコンと
を反応させて、感光性及び耐熱性う 等に優れたポリイミドを得ることが提案されている(特
開昭57−131227号公報参照)。しかし、このよ
うにして得られるポリイミドは、感光性に優れているが
、有機溶媒に対する溶解性が劣るため、溶解に長時間を
要し、レリーフパターンを形成する上で実用上の問題が
ある。
結合を含むジアミン化合物、例えばジアミノカルコンと
を反応させて、感光性及び耐熱性う 等に優れたポリイミドを得ることが提案されている(特
開昭57−131227号公報参照)。しかし、このよ
うにして得られるポリイミドは、感光性に優れているが
、有機溶媒に対する溶解性が劣るため、溶解に長時間を
要し、レリーフパターンを形成する上で実用上の問題が
ある。
本発明者等は、上述の現状に鑑み、耐熱性、電気的及び
機械的性質に優れたレリーフパターンを容易に形成し得
る、感光性ポリイミドを提供することを目的として種々
検討した結果、特定の芳香族テトラカルボン酸またはそ
の二無水物と、2つの特定の芳香族ジアミン化合物との
、共重縮合物からなる芳香族ポリイミドが、感光性を有
し且つ有機溶媒可溶性であり、上記目的を達成し得るこ
とを知見した。
機械的性質に優れたレリーフパターンを容易に形成し得
る、感光性ポリイミドを提供することを目的として種々
検討した結果、特定の芳香族テトラカルボン酸またはそ
の二無水物と、2つの特定の芳香族ジアミン化合物との
、共重縮合物からなる芳香族ポリイミドが、感光性を有
し且つ有機溶媒可溶性であり、上記目的を達成し得るこ
とを知見した。
即ち、本発明は、上記知見に基づきなされたもので、ビ
フェニルテトラカルボン酸またはその二無水物と、下記
一般式■及び■で表される2つの芳香族ジアミン化合物
との、共重縮合物からなる、有機溶媒可溶性の感光性ポ
リイミドを提供するものである。
フェニルテトラカルボン酸またはその二無水物と、下記
一般式■及び■で表される2つの芳香族ジアミン化合物
との、共重縮合物からなる、有機溶媒可溶性の感光性ポ
リイミドを提供するものである。
(但し、上式中、Xは、0、C=Oまたは−o +s
or−XXウーo−を示す。)本発明のポリイミドは、
感光性を有し、耐熱性を有する芳香族ポリイミドを使用
しているので、画像形成後にイミド化工程が不要であり
、従来の非感光性ポリイミドのように画像形成用の別の
フォトレジスト(光硬化性物質)を必要とせず、また酸
成分がビフェニルテトラカルボン酸またはその二無水物
で、ジアミン成分が前記一般式■及び■で表される2つ
の芳香族ジアミン化合物である5− から、従来の感光基を有するポリイミドに比して有機溶
媒に対する溶解性に優れているためレリーフパターンの
形成に何等の支障も及ぼさない。
or−XXウーo−を示す。)本発明のポリイミドは、
感光性を有し、耐熱性を有する芳香族ポリイミドを使用
しているので、画像形成後にイミド化工程が不要であり
、従来の非感光性ポリイミドのように画像形成用の別の
フォトレジスト(光硬化性物質)を必要とせず、また酸
成分がビフェニルテトラカルボン酸またはその二無水物
で、ジアミン成分が前記一般式■及び■で表される2つ
の芳香族ジアミン化合物である5− から、従来の感光基を有するポリイミドに比して有機溶
媒に対する溶解性に優れているためレリーフパターンの
形成に何等の支障も及ぼさない。
また、本発明のポリイミドは、感光性ポリアミック酸(
ポリイミド前駆体)のように画像形成後イミド化工程を
必要としないために、工程の簡略化のみならず、素子へ
の熱的影響や収縮による歪や応力を与えることがないな
どの多くの優れた効果がある。
ポリイミド前駆体)のように画像形成後イミド化工程を
必要としないために、工程の簡略化のみならず、素子へ
の熱的影響や収縮による歪や応力を与えることがないな
どの多くの優れた効果がある。
以下に本発明の感光性ポリイミドについてその製造法と
共に詳述する。
共に詳述する。
前記共重縮合物からなる本発明の感光性ポリイミドの典
型的な構造は、略等モルの酸成分とジアミン成分との共
重縮合物からなり、ジアミン成分中、前記一般式■で表
される芳香族ジアミン化合物と前記一般式〇で表される
芳香族ジアミン化合物との割合はモル比で3:1〜1:
3となっている。
型的な構造は、略等モルの酸成分とジアミン成分との共
重縮合物からなり、ジアミン成分中、前記一般式■で表
される芳香族ジアミン化合物と前記一般式〇で表される
芳香族ジアミン化合物との割合はモル比で3:1〜1:
3となっている。
そして、本発明の感光性ポリイミドは、次の如き方法で
製造される。
製造される。
6−
即ち、本発明の感光性ポリイミドは、特定の芳香族テト
ラカルボン酸類であるビフェニルテトラカルボン酸また
はその二無水物と、前記一般式■及び■で表される2つ
の芳香族ジアミン化合物とを共重合してポリアミック酸
となし、更に該ポリアミック酸を脱水閉環する(イミド
化)ことにより前記共重縮合物を合成して得られる。
ラカルボン酸類であるビフェニルテトラカルボン酸また
はその二無水物と、前記一般式■及び■で表される2つ
の芳香族ジアミン化合物とを共重合してポリアミック酸
となし、更に該ポリアミック酸を脱水閉環する(イミド
化)ことにより前記共重縮合物を合成して得られる。
本発明の感光性ポリイミドの製造に用いられる上記ビフ
ェニルテトラカルボン酸、またはその二無水物としては
、具体的には3. 3’ 、 4. 4’−ビフエニ
ルテトラカルボン酸、またはその二無水物、2.2″、
3,3° −ビフェニルテトラカルボン酸、またはその
二無水物及び2,3.3’、4” −ビフェニルテトラ
カルボン酸、またはその二無水物があげられ、上記テト
ラカルボン酸のエステル化物、塩などでもよい。
ェニルテトラカルボン酸、またはその二無水物としては
、具体的には3. 3’ 、 4. 4’−ビフエニ
ルテトラカルボン酸、またはその二無水物、2.2″、
3,3° −ビフェニルテトラカルボン酸、またはその
二無水物及び2,3.3’、4” −ビフェニルテトラ
カルボン酸、またはその二無水物があげられ、上記テト
ラカルボン酸のエステル化物、塩などでもよい。
また、前記一般式■で表される芳香族ジアミン化合物と
しては、具体的には次のものをあげることができるが、
それらに限定されない。
しては、具体的には次のものをあげることができるが、
それらに限定されない。
4.4゛−ジアミノカルコン、3,4゛−ジアミノカル
コン、3’、4−ジアミノカルコン、3.3°−ジアミ
ノカルコン、2.3“−ジアミノカルコンなどがあげら
れる。
コン、3’、4−ジアミノカルコン、3.3°−ジアミ
ノカルコン、2.3“−ジアミノカルコンなどがあげら
れる。
4.4′−ジアミノジベンザルアセトン、3゜4”−ジ
アミノジベンザルアセトン、3.3’−ジアミノジベン
ザルアセトンなどがあげられる。
アミノジベンザルアセトン、3.3’−ジアミノジベン
ザルアセトンなどがあげられる。
また、前記一般式■で表される芳香族ジアミン化合物と
しては、具体的には次のものをあげることができるが、
それらに限定されない。
しては、具体的には次のものをあげることができるが、
それらに限定されない。
(ll XがOの場合の例
4.4°−ジアミノジフェニルエーテル、3゜4゛−ジ
アミノジフェニルエーテルなどが挙げられる。
アミノジフェニルエーテルなどが挙げられる。
(2)XがC=Oの場合の例
4.4“−ジアミノジフェニルケトン、3,4”−ジア
ミノジフェニルケトンなどが挙げられる。
ミノジフェニルケトンなどが挙げられる。
合の例
ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホンなどが
挙げられる。
挙げられる。
本発明の感光性ポリイミドは、ポリイミド0゜5g/N
−メチル−2−ピロリドン100nlの濃度の溶液とし
て30℃において測定した対数粘度が0.1〜1.5特
に0.2〜1.0の範囲内にあるものが好ましい。
−メチル−2−ピロリドン100nlの濃度の溶液とし
て30℃において測定した対数粘度が0.1〜1.5特
に0.2〜1.0の範囲内にあるものが好ましい。
本発明の感光性ポリイミドの製造について更に詳述する
と、前記共重縮合物を合成する際の前記ビフェニルテト
ラカルボン酸またはその二無水物と前記2つの芳香族ジ
アミン化合物との使用割合は略等モルであり、又、前記
一般式ので表される芳香族ジアミン化合物と前記一般式
〇で表される芳香族ジアミン化合物との好ましい使用割
合は、3:1〜1:3である。そして、それらの合成反
応は、比較的低温下に、先ず重合反応を行わせ、次いで
イミド化反応を行わせる二段階反応による9− のが好ましい。
と、前記共重縮合物を合成する際の前記ビフェニルテト
ラカルボン酸またはその二無水物と前記2つの芳香族ジ
アミン化合物との使用割合は略等モルであり、又、前記
一般式ので表される芳香族ジアミン化合物と前記一般式
〇で表される芳香族ジアミン化合物との好ましい使用割
合は、3:1〜1:3である。そして、それらの合成反
応は、比較的低温下に、先ず重合反応を行わせ、次いで
イミド化反応を行わせる二段階反応による9− のが好ましい。
即ち、先ず、有機溶媒中で100℃以下、好ましくは8
0℃以下の反応温度で1〜48時間重合反応を行い、次
いで、この重合反応によって得られるポリアミック酸溶
液を有機溶媒で希釈した後、100℃以下、好ましくは
80℃以下の反応温度で無水酢酸、ピリジン、第3級ア
ミンなどのイミド化剤を加えて0.5〜5時間イミド化
反応を行うのが好ましく、その結果前記共重縮合物が合
成され本発明のポリイミドが得られる。
0℃以下の反応温度で1〜48時間重合反応を行い、次
いで、この重合反応によって得られるポリアミック酸溶
液を有機溶媒で希釈した後、100℃以下、好ましくは
80℃以下の反応温度で無水酢酸、ピリジン、第3級ア
ミンなどのイミド化剤を加えて0.5〜5時間イミド化
反応を行うのが好ましく、その結果前記共重縮合物が合
成され本発明のポリイミドが得られる。
上記重合反応及び上記イミド化反応における有機溶媒と
しては、例えばN、N−ジメチルスルホキシド、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、 N−ジエチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエ
チルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキ
サメチルホスホアミドなどが用いられる。
しては、例えばN、N−ジメチルスルホキシド、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、 N−ジエチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエ
チルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキ
サメチルホスホアミドなどが用いられる。
尚、本発明においては、前記共重縮合物は、前記ビフェ
ニルテトラカルボン酸またはその二無水物と前記芳香族
ジアミン化合物とを有機溶媒中で−1〇二 100℃以上の高温において一段階で重合・イミド化反
応を行うことによっても合成することができるが、前述
の如く、二段階で行うことにより、安定した生成物を得
ることができる。
ニルテトラカルボン酸またはその二無水物と前記芳香族
ジアミン化合物とを有機溶媒中で−1〇二 100℃以上の高温において一段階で重合・イミド化反
応を行うことによっても合成することができるが、前述
の如く、二段階で行うことにより、安定した生成物を得
ることができる。
而して、本発明の感光性ポリイミドは、レリーフパター
ンの形成材料として使用する場合、有機溶媒に溶解され
た溶液として用いられる。この有機溶媒としては、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジエチルホルムア
ミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエチ
ルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホアミドなどをあげ
ることができ、感光性ポリイミド溶液の好ましい濃度は
5〜30%である。
ンの形成材料として使用する場合、有機溶媒に溶解され
た溶液として用いられる。この有機溶媒としては、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジエチルホルムア
ミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエチ
ルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホアミドなどをあげ
ることができ、感光性ポリイミド溶液の好ましい濃度は
5〜30%である。
また、上記の感光性ポリイミド溶液に、必要に応じ、増
感剤及び光重合開始剤やエチレン性不飽和基を有する光
により重合可能な化合物を添加させることができる。
感剤及び光重合開始剤やエチレン性不飽和基を有する光
により重合可能な化合物を添加させることができる。
上記増感剤及び光重合開始剤としては、ミヒラ1−
−ズケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソ
プロピルエーテル、2−t−ブチルアントラキノン、1
.2−ベンゾ−9,10−アントラキノン、4.4”
−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、1.5−アセ
ナフテン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルア
ミンなどをあげることができ、またその添加量は感光性
ポリイミド100重量部に対して0.1〜10重量部が
好ましい。
−ズケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソ
プロピルエーテル、2−t−ブチルアントラキノン、1
.2−ベンゾ−9,10−アントラキノン、4.4”
−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、1.5−アセ
ナフテン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルア
ミンなどをあげることができ、またその添加量は感光性
ポリイミド100重量部に対して0.1〜10重量部が
好ましい。
また、上記エチレン性不飽和基を有する光により重合可
能な化合物としては、エチレングリコールジ(メタ)ア
クリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレ
ート、ボリプロビレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、トルメチロールプロパントリ (メタ)アクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレー
ト、N。
能な化合物としては、エチレングリコールジ(メタ)ア
クリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレ
ート、ボリプロビレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、トルメチロールプロパントリ (メタ)アクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレー
ト、N。
N゛ −メチレンビス(メタ)アクリレート、ジエチル
アミノエチル(メタ)アクリレートなどをあげることが
できる。
アミノエチル(メタ)アクリレートなどをあげることが
できる。
本発明の感光性ポリイミドによれば、上記の如く感光性
ポリイミド溶液を調整することにより次のようにしてレ
リーフパターンを形成することができる。
ポリイミド溶液を調整することにより次のようにしてレ
リーフパターンを形成することができる。
即ち、まず、上記の感光性ポリイミド溶液を基板に塗布
し、これを乾燥して有機溶媒を除去する。
し、これを乾燥して有機溶媒を除去する。
基板への塗布は、例えば回転塗布機で行うことができる
。塗布膜の乾燥は150℃以下、好ましくは100℃以
下で行う。この際減圧はしてもしなくてもよい。乾燥後
、塗布膜にネガ型のフォトマスクチャートを置き、紫外
線、可視光線、電子線、X線などの活性光線を照射する
。次いで未露光の部分を現像液で洗い流すことによりポ
リイミドのレリーフパターンを得る。上記の現像液とし
ては、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−
2−ピロリドン、ヘキサメチルホスホアミドなどの溶剤
又は該溶剤とメタノール、エタノールとの混合系を用い
ることができる。
。塗布膜の乾燥は150℃以下、好ましくは100℃以
下で行う。この際減圧はしてもしなくてもよい。乾燥後
、塗布膜にネガ型のフォトマスクチャートを置き、紫外
線、可視光線、電子線、X線などの活性光線を照射する
。次いで未露光の部分を現像液で洗い流すことによりポ
リイミドのレリーフパターンを得る。上記の現像液とし
ては、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−
2−ピロリドン、ヘキサメチルホスホアミドなどの溶剤
又は該溶剤とメタノール、エタノールとの混合系を用い
ることができる。
上述の如く、本発明の感光性ポリイミドは、ポ13−
リマーの中に感光基(光重合可能な基)を有し、且つ酸
成分がビフェニルテ斗うカルボン酸またはその二無水物
で、ジアミン成分が前記一般式■で表される芳香族ジア
ミン化合物と前記一般式■で表される芳香族ジアミン化
合物である共重縮合物であるから、有機溶媒に対する熔
解性が優れており、そのため、光化学的手段によってレ
リーフパターンを容易に形成することができ、且つレリ
ーフパターンを形成する場合、本発明のポリイミドは、
感光性を有し、ポリイミドの耐熱性を保持するために、
従来の非感光性ポリイミドのように、画像形成用の別の
光硬化性物質を特に必要とせず、また、感光性ポリアミ
ック酸(ポリイミド前駆体)のように画像形成後イミド
化工程を必要としないため、工程の簡略化のみならず、
素子への熱的影響や収縮による歪や応力を与えることが
ないなどの多くの優れた効果がある。しかも、本発明の
感光性ポリイミドにより形成したレリーフパターンは、
耐熱性、電気的及び機械的に優れたものであり、半導体
工業における固体素子の絶縁体膜14− やパッシベーション膜として有効であるばかりでなく、
ハイブリッド回路やプリント回路の多層配線構造の絶縁
膜やソルダーレジストとして用いることができる。
成分がビフェニルテ斗うカルボン酸またはその二無水物
で、ジアミン成分が前記一般式■で表される芳香族ジア
ミン化合物と前記一般式■で表される芳香族ジアミン化
合物である共重縮合物であるから、有機溶媒に対する熔
解性が優れており、そのため、光化学的手段によってレ
リーフパターンを容易に形成することができ、且つレリ
ーフパターンを形成する場合、本発明のポリイミドは、
感光性を有し、ポリイミドの耐熱性を保持するために、
従来の非感光性ポリイミドのように、画像形成用の別の
光硬化性物質を特に必要とせず、また、感光性ポリアミ
ック酸(ポリイミド前駆体)のように画像形成後イミド
化工程を必要としないため、工程の簡略化のみならず、
素子への熱的影響や収縮による歪や応力を与えることが
ないなどの多くの優れた効果がある。しかも、本発明の
感光性ポリイミドにより形成したレリーフパターンは、
耐熱性、電気的及び機械的に優れたものであり、半導体
工業における固体素子の絶縁体膜14− やパッシベーション膜として有効であるばかりでなく、
ハイブリッド回路やプリント回路の多層配線構造の絶縁
膜やソルダーレジストとして用いることができる。
以下に、本発明の感光性ポリイミドの製造を示す実施例
及び本発明の感光性ポリイミドの効果を示す種々の物性
試験及びその結果を、比較例と共に挙げる。
及び本発明の感光性ポリイミドの効果を示す種々の物性
試験及びその結果を、比較例と共に挙げる。
実施例I
N−メチル−2−ピロリドン(NMP) 11.02
m1に2.3.3°、4゛−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物1580mgと3.3′−ジアミノジベンザ
ルアセトン710mgと4.4゛−ジアミノジフェニル
エーテル538mgを加え、30℃で5時間攪拌して反
応させポリアミック酸を得た。
m1に2.3.3°、4゛−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物1580mgと3.3′−ジアミノジベンザ
ルアセトン710mgと4.4゛−ジアミノジフェニル
エーテル538mgを加え、30℃で5時間攪拌して反
応させポリアミック酸を得た。
次に、このポリアミック酸にNMP4.1.3mlを加
え希釈したのち、無水酢酸10.96g、ピリジン4.
24g、ベンゼン8.0ml及びNM P 6.89m
lを加え、50°Cで2時間反応させイミド化物を得1
た。
え希釈したのち、無水酢酸10.96g、ピリジン4.
24g、ベンゼン8.0ml及びNM P 6.89m
lを加え、50°Cで2時間反応させイミド化物を得1
た。
イミド化物溶液中にメタノールを滴下して加え、ポリイ
ミドを析出させ濾別して、黄色のポリイミド粉末(本発
明のポリイミド)を得た。
ミドを析出させ濾別して、黄色のポリイミド粉末(本発
明のポリイミド)を得た。
実施例2
NMPll、8而lに2.3.3’ 、4”−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物1737mgと3゛、4−
ジアミノカルコン702mgと4.4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル591+ngを加え、30℃で5時間攪
拌して反応させポリアミック酸を得た。
ルテトラカルボン酸二無水物1737mgと3゛、4−
ジアミノカルコン702mgと4.4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル591+ngを加え、30℃で5時間攪
拌して反応させポリアミック酸を得た。
次に、このポリアミック酸にNMP44.3mlを加え
希釈したのち、無水酢酸12.06g、ピリジン4.6
7g、ベンゼン8.6ml及びNMP7.38m1を加
え、50℃で2時間反応させイミド化物を得た。
希釈したのち、無水酢酸12.06g、ピリジン4.6
7g、ベンゼン8.6ml及びNMP7.38m1を加
え、50℃で2時間反応させイミド化物を得た。
イミド化物溶液中にメタノールを滴下して加え、ポリイ
ミドを析出させ濾別して、黄色のポリイミド粉末(本発
明のポリイミド)を得た。
ミドを析出させ濾別して、黄色のポリイミド粉末(本発
明のポリイミド)を得た。
実施例3
実施例1で用いた4、4”−ジアミノジフェニルエーテ
ルの代わりに、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)
スルホンを用いて実施例1と同様にして本発明のポリイ
ミドを得た。
ルの代わりに、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)
スルホンを用いて実施例1と同様にして本発明のポリイ
ミドを得た。
物性試験
上記実施例1〜3で得たポリイミドについて下記(11
〜(6)の物性試験を行い下表に示す結果を得た。
〜(6)の物性試験を行い下表に示す結果を得た。
+11ポリイミドの粘度
ポリイミド0.5g NMP 100mlの濃度のポリ
イミド溶液を30℃で対数粘度を測定した。
イミド溶液を30℃で対数粘度を測定した。
(2)ポリイミドの成膜性
厚さ約10μのポリイミドフィルムをガラス板上に作成
し、これを水に浸して剥離し、180゜に折り曲げ、ク
ランクのない場合を○、クラックありを△、製膜時にク
ランクの生じるものを×とした。
し、これを水に浸して剥離し、180゜に折り曲げ、ク
ランクのない場合を○、クラックありを△、製膜時にク
ランクの生じるものを×とした。
(3)ポリイミドのNMPに対する溶解性常温において
NMPに対するポリイミドの溶解度(wt%)を測定し
た。
NMPに対するポリイミドの溶解度(wt%)を測定し
た。
(4)ポリイミドフィルムの熔解性
ポリイミドのNMP 10%溶液から作成した厚17−
さ約10μのポリイミドフィルムを室温でNMP中に浸
漬し攪拌し、該フィルムが溶解するまでの時間で溶解性
を測定した。
漬し攪拌し、該フィルムが溶解するまでの時間で溶解性
を測定した。
(5)熱分解開始温度
理学電気■製差動熱天秤TG−DSCにより、重量減の
開始温度を測定した。
開始温度を測定した。
(6)光硬化特性
ポリイミドのNMP 10%溶液をガラス板上に回転塗
布機(2000〜5000rpm )を用いて塗布し、
圧力1〜2 n++nt1gの減圧下、50℃で5時間
乾燥して数μの厚さく下表参照)の薄膜を作成し、この
薄膜について下記の光感度及び解像力の試験に供した。
布機(2000〜5000rpm )を用いて塗布し、
圧力1〜2 n++nt1gの減圧下、50℃で5時間
乾燥して数μの厚さく下表参照)の薄膜を作成し、この
薄膜について下記の光感度及び解像力の試験に供した。
■光感度
上記薄膜を、超高圧水銀灯(ジェットライト2kW)を
用いて、照度7.2mW /c+ll (350mJJ
)で照射して光硬化させ、光硬化する迄の光照射量(J
/ c艷)を測定した。
用いて、照度7.2mW /c+ll (350mJJ
)で照射して光硬化させ、光硬化する迄の光照射量(J
/ c艷)を測定した。
■解像力
上記薄膜についてテストチャートとして凸版印刷18−
■製ネガ型テストチャート(トソバンテストチャートN
1最小線中0.98±0.25μ)を用いてレリーフパ
ターンを形成し、パターンの良否を判定した。
1最小線中0.98±0.25μ)を用いてレリーフパ
ターンを形成し、パターンの良否を判定した。
比較例I
NMP6.2mlにピロメリット酸二無水物722mg
と3゛、4−ジアミノカルコン788mgを加え、30
℃で5時間攪拌して反応させポリアミック酸を得た。こ
のポリアミック酸の対数粘度は0.52であった。
と3゛、4−ジアミノカルコン788mgを加え、30
℃で5時間攪拌して反応させポリアミック酸を得た。こ
のポリアミック酸の対数粘度は0.52であった。
次に、このポリアミック酸にNMP22mlを加え希釈
したのち、無水酢酸6.7g、ピリジン2.6g1ベン
ゼン4.3ml及びNMP3.7mlを加え、50℃で
反応させたところ、1分後に黄色のポリイミド粉末が析
出した。そのままさらに120分間反応させた。
したのち、無水酢酸6.7g、ピリジン2.6g1ベン
ゼン4.3ml及びNMP3.7mlを加え、50℃で
反応させたところ、1分後に黄色のポリイミド粉末が析
出した。そのままさらに120分間反応させた。
析出した黄色のポリイミド粉末を濾別後、このポリイミ
ド粉末10+ngをNMPlomlに溶解しようとした
ところ溶解しなかった。
ド粉末10+ngをNMPlomlに溶解しようとした
ところ溶解しなかった。
従って、このポリイミドでの光感度、解像力は測定不能
であった。
であった。
特許出願人
宇部興産株式会社
日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ビフェニルテトラカルボン酸またはその二無水物と、下
記一般式■及び■で表される2つの芳香族ジアミン化合
物との、共重縮合物からなる、有機溶媒可溶性の感光性
ポリイミド。 (但し、上式中、Xは、O,C=Oまたは
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10656183A JPS59232122A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 有機溶媒可溶性の感光性ポリイミド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10656183A JPS59232122A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 有機溶媒可溶性の感光性ポリイミド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59232122A true JPS59232122A (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=14436716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10656183A Pending JPS59232122A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 有機溶媒可溶性の感光性ポリイミド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59232122A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0359034A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリイミド系樹脂の製造法 |
US5177181A (en) * | 1991-06-06 | 1993-01-05 | Occidental Chemical Corporation | Diamines and photosensitive polyimides made therefrom |
US5665523A (en) * | 1994-03-29 | 1997-09-09 | Nitto Denko Corporation | Heat-resistant negative photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming negative pattern |
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US6436593B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-08-20 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, process for producing pattern and electronic parts |
JP2008531782A (ja) * | 2005-12-01 | 2008-08-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規なポリイミドおよびその製造方法 |
US7435525B2 (en) | 2004-05-07 | 2008-10-14 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
US7638254B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
CN111675807A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-18 | 东华大学 | 一种可紫外光激发自交联型水溶性3d打印墨水 |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP10656183A patent/JPS59232122A/ja active Pending
Cited By (14)
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EP2469337A1 (en) | 2004-05-07 | 2012-06-27 | Hitachi Chemical DuPont MicroSystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic component |
US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
US8871422B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-10-28 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
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CN111675807A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-18 | 东华大学 | 一种可紫外光激发自交联型水溶性3d打印墨水 |
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