JPS59197465A - 新規なジスアゾ化合物 - Google Patents
新規なジスアゾ化合物Info
- Publication number
- JPS59197465A JPS59197465A JP7317783A JP7317783A JPS59197465A JP S59197465 A JPS59197465 A JP S59197465A JP 7317783 A JP7317783 A JP 7317783A JP 7317783 A JP7317783 A JP 7317783A JP S59197465 A JPS59197465 A JP S59197465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- disazo
- novel
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、新規なテトラゾニウム塩化合物、新規なジス
アゾ化合物およびそめ製造方法に関する。
アゾ化合物およびそめ製造方法に関する。
従来技術
従来から、ある株のジスアゾ化合物が、電子写真用感光
体の一つの形態である積層型感光体の、電荷発生層に用
いられる電荷発生顔料として、有効であることが知られ
ている。ここでい5績)f、Im感光体とは、導電性支
持体上に、光によって、電荷担体を生成する能力を有す
る電荷発生顔料を、適切な方法、例えば真壁蒸着、顔料
溶液の塗布あるいは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散し
た分散液の室部などによりN一層としてv電荷発生層を
形成せしめ、その上に電荷発生層で生成した電荷担体を
効率よく注入され得て、しかもその移動を行うところの
電荷搬送層(通常この電荷搬送層は、電荷搬送物質と、
結着樹脂とからなる。)を形成せしめた感光体である。
体の一つの形態である積層型感光体の、電荷発生層に用
いられる電荷発生顔料として、有効であることが知られ
ている。ここでい5績)f、Im感光体とは、導電性支
持体上に、光によって、電荷担体を生成する能力を有す
る電荷発生顔料を、適切な方法、例えば真壁蒸着、顔料
溶液の塗布あるいは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散し
た分散液の室部などによりN一層としてv電荷発生層を
形成せしめ、その上に電荷発生層で生成した電荷担体を
効率よく注入され得て、しかもその移動を行うところの
電荷搬送層(通常この電荷搬送層は、電荷搬送物質と、
結着樹脂とからなる。)を形成せしめた感光体である。
従来、この柚の感光体に使用されるジスアゾ化合物とし
て、例えば、特開昭47−37543号公報、及び、特
開flE(52−55643号公報などに記載されてい
るベンジジン系ジスアゾ化合物、あるいは特開昭52−
8832号公報に記載されているスチルベン系ジスアゾ
化合物などが知られている。しかしながら、従来のジス
アゾ化合物を用いた槓1(を型の感光体は一般に感度が
低く、′また、可視域の感光波長域がおよそ450〜7
00nmに亘っており、この−光波長特性から云って赤
色原4尚の画像再fA性が悪かった。そのため、この感
光体を実装する場合は、赤色光をカットするフィルター
を用いる必要があるなどの理由から複写機設糖上の不利
があった。
て、例えば、特開昭47−37543号公報、及び、特
開flE(52−55643号公報などに記載されてい
るベンジジン系ジスアゾ化合物、あるいは特開昭52−
8832号公報に記載されているスチルベン系ジスアゾ
化合物などが知られている。しかしながら、従来のジス
アゾ化合物を用いた槓1(を型の感光体は一般に感度が
低く、′また、可視域の感光波長域がおよそ450〜7
00nmに亘っており、この−光波長特性から云って赤
色原4尚の画像再fA性が悪かった。そのため、この感
光体を実装する場合は、赤色光をカットするフィルター
を用いる必要があるなどの理由から複写機設糖上の不利
があった。
目 的
本発明の目的は、′岨、子写真感光体において有効な、
特に先に述べたat 〕向型のh光体において有効な広
汎なジスアゾ化合物を得ることのできる新規なテトラゾ
ニウム塩化合物を提供するこ本発明の他の目的は゛、電
子写真感光体において有効な、特に先に述べた積層型の
感光体において有効な新規なジスアゾ化合物を提供する
ことにあり、本発明のジスアゾ化合物を用いた積層型の
感光体は、従来のジスアゾ化合物を用いた感光体と比べ
その感度が^く、また、その感光波長域が可視域の短波
長fill (およそ450〜600nm)にしかない
ため、赤色原稿の複写画像外現性も優れたものである。
特に先に述べたat 〕向型のh光体において有効な広
汎なジスアゾ化合物を得ることのできる新規なテトラゾ
ニウム塩化合物を提供するこ本発明の他の目的は゛、電
子写真感光体において有効な、特に先に述べた積層型の
感光体において有効な新規なジスアゾ化合物を提供する
ことにあり、本発明のジスアゾ化合物を用いた積層型の
感光体は、従来のジスアゾ化合物を用いた感光体と比べ
その感度が^く、また、その感光波長域が可視域の短波
長fill (およそ450〜600nm)にしかない
ため、赤色原稿の複写画像外現性も優れたものである。
また、本発明のさらに他の目的は、上記ジスアゾ化合物
の製造方法を提供することにある。
の製造方法を提供することにある。
構成
すなわち、本発明の1つは下記一般式(1)で表わされ
る新規なテトラゾニウム塩化合物である。
る新規なテトラゾニウム塩化合物である。
(式中、Xはアニオン官能基を表わす。ンまた、本発明
の他の1つは、一般式(n)で表わされる新規なジスア
ゾ化合物である。
の他の1つは、一般式(n)で表わされる新規なジスア
ゾ化合物である。
を表わしく但し、Rはメチル、エチル、プロピル、ブチ
ルなどのアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲ
ン、シアノ基またはノ19.ロメテ・ル基を示し、nは
0,1,2または3の整数であって、nが2または3の
整数である場合にはRは同一または異なった基のいずれ
でもよい。)を茨わす。〕 また、本発明のさらに他の1つは式(ffi)で表わさ
れるジアミノ化合物をジアゾ化して一散式(1) (式中、Xはアニオン官能基を表わす。)で六わされる
テトラゾニウム塩とし、ついでこのテトラゾニウム塩と
、二股式(IV) 、 (V) 、 (VDまたは(■
) で表わされる化合物(以下、カップ2−゛とよぷ)とを
反応させることを特徴とする一般式(損(Rおよびnは
前述の通り。)を表わす。〕で表わされる新規なジスア
ゾ化合物の製造方法である。
ルなどのアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲ
ン、シアノ基またはノ19.ロメテ・ル基を示し、nは
0,1,2または3の整数であって、nが2または3の
整数である場合にはRは同一または異なった基のいずれ
でもよい。)を茨わす。〕 また、本発明のさらに他の1つは式(ffi)で表わさ
れるジアミノ化合物をジアゾ化して一散式(1) (式中、Xはアニオン官能基を表わす。)で六わされる
テトラゾニウム塩とし、ついでこのテトラゾニウム塩と
、二股式(IV) 、 (V) 、 (VDまたは(■
) で表わされる化合物(以下、カップ2−゛とよぷ)とを
反応させることを特徴とする一般式(損(Rおよびnは
前述の通り。)を表わす。〕で表わされる新規なジスア
ゾ化合物の製造方法である。
式(1)で表わしたテトラゾニウム塩化合物は、ジスア
ゾ化合物の有用な中間体であり、適当なカッシラーと組
み合わせることにより、キサントン骨格を有し、その2
位および7位にアゾ基を有する床机なジスアゾ化合物を
合成することができる。そして、このジスアゾ化合物は
電子写真感光体の光導電拐料、特に電荷りら生月料とし
ての用途が期待される。
ゾ化合物の有用な中間体であり、適当なカッシラーと組
み合わせることにより、キサントン骨格を有し、その2
位および7位にアゾ基を有する床机なジスアゾ化合物を
合成することができる。そして、このジスアゾ化合物は
電子写真感光体の光導電拐料、特に電荷りら生月料とし
ての用途が期待される。
一般式(1)のテトラゾニウム塩化合物におけるe
e e アニオン官能基の代表例としてはCI、Br、I。
e e アニオン官能基の代表例としてはCI、Br、I。
AsF6 、 SbF? が挙げられ、好ましくは、
BF?である。
BF?である。
本発明の式(損で奴わされるジスアゾ化合物は前述のよ
うに積Ifimの電子写真感光体の′電荷発生物質とし
て有用であるが、さらに、樹脂中に電荷発生物質と電荷
搬送物質とを分散させた単層型の感光層を有する電子写
真感光体における電荷発生物質として、また、樹脂中に
光導電性物質を分散させた感光層を有する電子写真感光
体における光導電性物質としても有用である。
うに積Ifimの電子写真感光体の′電荷発生物質とし
て有用であるが、さらに、樹脂中に電荷発生物質と電荷
搬送物質とを分散させた単層型の感光層を有する電子写
真感光体における電荷発生物質として、また、樹脂中に
光導電性物質を分散させた感光層を有する電子写真感光
体における光導電性物質としても有用である。
本発明の一般式(I)で表わされるテトラゾニウム塩は
、たとえば、2,7−シニトロキサントンを還元し、つ
いで、ジアゾ化することにより得ることができる。2,
7−シニトロキサントンおよび2,7−ジアミツキサン
)ンの製造は、たとえば、A、A、Goldberg
and H*A、Walker。
、たとえば、2,7−シニトロキサントンを還元し、つ
いで、ジアゾ化することにより得ることができる。2,
7−シニトロキサントンおよび2,7−ジアミツキサン
)ンの製造は、たとえば、A、A、Goldberg
and H*A、Walker。
Journal of Chemical 5ocie
ty、 1953 、1348(1953)に記載され
るように、キサントンを発煙硝酸中でニトロ化して2,
7−シニトロキサントンとし、これを塩酸中で塩化第1
スズなどの堀元剤を用いて還元することにより2,7−
ジアミツキサントンが得られる。この還元反応は95〜
100℃の温度で約3時間で完結する。
ty、 1953 、1348(1953)に記載され
るように、キサントンを発煙硝酸中でニトロ化して2,
7−シニトロキサントンとし、これを塩酸中で塩化第1
スズなどの堀元剤を用いて還元することにより2,7−
ジアミツキサントンが得られる。この還元反応は95〜
100℃の温度で約3時間で完結する。
2.7−ジア°ミノアントラキノンのジアゾ化は、これ
を例えば塩酸あるいは硫敏のような無機酸中で亜硝酸ナ
トリウムを一10℃ないし20℃にて添加することによ
り行なわれる。このジアゾ化反応は、およそ30分間か
ら3時間で完結する。さらにこのジアゾ化反応液に、例
えばホウフッ化水系敵あるいは、ホウフッ化ナトリウム
水浴7色などを加えることによりテトラゾニウム塩が得
られる。
を例えば塩酸あるいは硫敏のような無機酸中で亜硝酸ナ
トリウムを一10℃ないし20℃にて添加することによ
り行なわれる。このジアゾ化反応は、およそ30分間か
ら3時間で完結する。さらにこのジアゾ化反応液に、例
えばホウフッ化水系敵あるいは、ホウフッ化ナトリウム
水浴7色などを加えることによりテトラゾニウム塩が得
られる。
前記一般式(II)のジスアゾ化合物の製造は、上記の
ジアゾ化反応液を、そのままカップラーに作用せしめる
ことによっても行なうことができるし、また、ジアゾ化
反応液に、例えばホウフッ化水素ばあるいはホウフッ化
ナトリウム水溶液などを加えて一般式(I)のテトラゾ
ニウム塩として沈澱させることによって、テトラゾニウ
ム塩を単離してから、これとカッシラーを反応せしめる
ことによっても得ることができる。実際には、この反応
は、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF )や、ジ
メチルスルホキシド(DMSO)などの上様溶媒にテト
ラゾニウム塩およびカッシラーを混合浴解しておぎ、こ
れを約−10℃ないし40°Cにて酢敏ナトリウム水溶
液などのアルカリ水溶液を滴下することにより行なわれ
る。この反応はおよそ5分間ないし3時間で完結する。
ジアゾ化反応液を、そのままカップラーに作用せしめる
ことによっても行なうことができるし、また、ジアゾ化
反応液に、例えばホウフッ化水素ばあるいはホウフッ化
ナトリウム水溶液などを加えて一般式(I)のテトラゾ
ニウム塩として沈澱させることによって、テトラゾニウ
ム塩を単離してから、これとカッシラーを反応せしめる
ことによっても得ることができる。実際には、この反応
は、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF )や、ジ
メチルスルホキシド(DMSO)などの上様溶媒にテト
ラゾニウム塩およびカッシラーを混合浴解しておぎ、こ
れを約−10℃ないし40°Cにて酢敏ナトリウム水溶
液などのアルカリ水溶液を滴下することにより行なわれ
る。この反応はおよそ5分間ないし3時間で完結する。
反応終了後、析出している結晶を沢取し適切な方法によ
り精製(例えば、水あるいは/および有機溶剤による洗
浄、再結晶法など)することにより上記ジスアゾ化合物
の製造は完了する。
り精製(例えば、水あるいは/および有機溶剤による洗
浄、再結晶法など)することにより上記ジスアゾ化合物
の製造は完了する。
本発明の新規なジスアゾ化合物は常温において有色の結
晶であり、その具体例を融点、元累分析値、赤外線吸収
スペクトルデータと共に下記表1に示した。
晶であり、その具体例を融点、元累分析値、赤外線吸収
スペクトルデータと共に下記表1に示した。
(以下余白)
実施例 1(テトラゾニウム垣の装造)水224罰と製
塩1恢224 rnlとより成る塩酸中へ2,7−ジア
ミツキサントン29.1flを加え、約60’Qに加熱
して1時間加熱した後、−3℃まで冷却し、次いで、こ
れに亜硝酸す士すウム18.7 、pを水9011Ll
に溶解した浴液を一3℃〜0℃の温度で50分間にわた
り揃下した。その後同温度で30分攪拌した後、この反
応液中に42チ硼弗化水素鍍150m1を添加し、析出
した結晶をc別、水洗、戦法して47.13,1it(
収率sax%)のテトラゾニウムジフルオロポレートの
淡黄色結晶を得た。分解点145℃以上、赤外線吸収ス
ペクトル(KBr錠剤法)は−1e 第1囚に示す通りであり、228 O儒 にN2に基
づく吸収帯が、1685crn−’に、>C=Oに基づ
(吸収帯が認められた。
塩1恢224 rnlとより成る塩酸中へ2,7−ジア
ミツキサントン29.1flを加え、約60’Qに加熱
して1時間加熱した後、−3℃まで冷却し、次いで、こ
れに亜硝酸す士すウム18.7 、pを水9011Ll
に溶解した浴液を一3℃〜0℃の温度で50分間にわた
り揃下した。その後同温度で30分攪拌した後、この反
応液中に42チ硼弗化水素鍍150m1を添加し、析出
した結晶をc別、水洗、戦法して47.13,1it(
収率sax%)のテトラゾニウムジフルオロポレートの
淡黄色結晶を得た。分解点145℃以上、赤外線吸収ス
ペクトル(KBr錠剤法)は−1e 第1囚に示す通りであり、228 O儒 にN2に基
づく吸収帯が、1685crn−’に、>C=Oに基づ
(吸収帯が認められた。
実施例 2 (ジスアゾ化合物A1の製造)実施例1で
得たテトラゾニウム塩5. Q l/とカップリング成
分として2−ヒドロキシ−3−す7トエ敵アニリド6、
25 & (テトラゾニウム塩02倍モル)とを、冷却
したN、N−ジメチルホルムアミド700nk中に#解
し、これに酢酸ナトリウム4.0.9および水35罰か
らなる浴液を5〜10℃の温度で20分間にわたつ′C
両下し、冷却を中止した後、さらに室温で3時間攪拌し
た。その後、生成した沈澱をf取し、80℃に加熱した
N、N−ジメチルホルムアミド700 mlで3回洗浄
し、次に水700ゴで2回洗浄し、80℃で2 Wj!
nHgの減圧下に乾燥して、表1の化合物mlのジスア
ゾ化合物8.2.9 (収率90.0%)を得た。この
ジスアゾ化合物の外観は赤色の粉末をあり、赤外線吸収
スペクトル(KBr錠剤法)は第2図に示した。
得たテトラゾニウム塩5. Q l/とカップリング成
分として2−ヒドロキシ−3−す7トエ敵アニリド6、
25 & (テトラゾニウム塩02倍モル)とを、冷却
したN、N−ジメチルホルムアミド700nk中に#解
し、これに酢酸ナトリウム4.0.9および水35罰か
らなる浴液を5〜10℃の温度で20分間にわたつ′C
両下し、冷却を中止した後、さらに室温で3時間攪拌し
た。その後、生成した沈澱をf取し、80℃に加熱した
N、N−ジメチルホルムアミド700 mlで3回洗浄
し、次に水700ゴで2回洗浄し、80℃で2 Wj!
nHgの減圧下に乾燥して、表1の化合物mlのジスア
ゾ化合物8.2.9 (収率90.0%)を得た。この
ジスアゾ化合物の外観は赤色の粉末をあり、赤外線吸収
スペクトル(KBr錠剤法)は第2図に示した。
実施例 3〜40(ジスアゾ化合物点2〜39の製造)
実施例2の化合物Alのジスアゾ化合物の製造において
、カップリング成分として下記表2の化合物を用いた他
は実施例1と同じ方法で衣lに示した化合物A2〜39
のジスアゾ化合物を装造した。
実施例2の化合物Alのジスアゾ化合物の製造において
、カップリング成分として下記表2の化合物を用いた他
は実施例1と同じ方法で衣lに示した化合物A2〜39
のジスアゾ化合物を装造した。
また、本発明のジスアゾ化合物の5ち、代表的なものに
ついては赤外線吸収スペクトルを第3〜9図に示した。
ついては赤外線吸収スペクトルを第3〜9図に示した。
第3図・・・化合物A13 第4図・・・化合物A
16第5図・・・化合物A31 第6図・・・化合物
点32第7図・・・化合物A 33 第8図・・・化
合物A 34第9図・・・化合物A35 (以下余白) 表 2 効 果 本発明のジスアゾ化合物は、前述の通り、電子写真感光
体の感光材料として、特に積層温感光体の電荷発生材料
として有効であり、その点を明らかにするために、以下
に具体的な用途例を示す。また、本発明の進歩性を明ら
かにするために、従来のジスアゾ化合物との比較も同様
に示す。
16第5図・・・化合物A31 第6図・・・化合物
点32第7図・・・化合物A 33 第8図・・・化
合物A 34第9図・・・化合物A35 (以下余白) 表 2 効 果 本発明のジスアゾ化合物は、前述の通り、電子写真感光
体の感光材料として、特に積層温感光体の電荷発生材料
として有効であり、その点を明らかにするために、以下
に具体的な用途例を示す。また、本発明の進歩性を明ら
かにするために、従来のジスアゾ化合物との比較も同様
に示す。
用途例
本発明のジスアゾ化合物&13を76重量部、ポリエス
テル樹脂(バイロン200株式会社東洋紡績製)のテト
ラヒドロフラン溶液(固形分6度2L%)1260重量
部、およびテトラヒドロフラン3700:fit部をゾ
ールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウ
ム蒸漸したポリエステルベース(導電性支持体)のアル
ミ面上にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥し
て、厚さ約1μmの電荷発生層を形成した。一方、9−
エチルカルバソール−3−アルデヒド 1−メチル−1
−フエニルヒドラゾフ2重量部、ポリカーボネート樹脂
()ぐンライトに1300、帝人化成株式会社製)2重
量部およびテトラヒドロフラン16重電部を混合溶解し
て溶液としたのち、これを前記電荷発生層上にドクター
ブレードで塗布し80℃で2分間次いで100℃で5分
間乾燥して厚さ約20μmの戒荷搬送層を形成せしめ、
第10に示した積層型の感光体(A)を作成した。
テル樹脂(バイロン200株式会社東洋紡績製)のテト
ラヒドロフラン溶液(固形分6度2L%)1260重量
部、およびテトラヒドロフラン3700:fit部をゾ
ールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウ
ム蒸漸したポリエステルベース(導電性支持体)のアル
ミ面上にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥し
て、厚さ約1μmの電荷発生層を形成した。一方、9−
エチルカルバソール−3−アルデヒド 1−メチル−1
−フエニルヒドラゾフ2重量部、ポリカーボネート樹脂
()ぐンライトに1300、帝人化成株式会社製)2重
量部およびテトラヒドロフラン16重電部を混合溶解し
て溶液としたのち、これを前記電荷発生層上にドクター
ブレードで塗布し80℃で2分間次いで100℃で5分
間乾燥して厚さ約20μmの戒荷搬送層を形成せしめ、
第10に示した積層型の感光体(A)を作成した。
また、比較のために、上記感光体の作成手順に従い、本
発明のジスアゾ化合物の代りに■ 前述した特開昭45
−37543号公報および特開昭52−55643号公
報にし;J示されているベンジジン系ジスアゾ化合物で
ある4、4’−ビス(2−ヒドロキシ−3−フェニルカ
ルバモイル−1−ナフチルアゾ) −3、3’−ジクロ
ルジフェニルおよび、 ■ 特開昭52−8832号公報に記載されているスチ
ルベン系ジスアゾ化合物である4、4′−ビス(2−ヒ
ドロキシ−3−フェニルカルバモイル−1−ナフチルア
ゾ)スチルベンを用いた以外は全く同様にして、それぞ
れ感光体(B)および感光体(C)を作成した。
発明のジスアゾ化合物の代りに■ 前述した特開昭45
−37543号公報および特開昭52−55643号公
報にし;J示されているベンジジン系ジスアゾ化合物で
ある4、4’−ビス(2−ヒドロキシ−3−フェニルカ
ルバモイル−1−ナフチルアゾ) −3、3’−ジクロ
ルジフェニルおよび、 ■ 特開昭52−8832号公報に記載されているスチ
ルベン系ジスアゾ化合物である4、4′−ビス(2−ヒ
ドロキシ−3−フェニルカルバモイル−1−ナフチルア
ゾ)スチルベンを用いた以外は全く同様にして、それぞ
れ感光体(B)および感光体(C)を作成した。
このようにし【作成した感光体(A) t (B)およ
び(C)について、市販の静電複写紙試験装置(川口電
機製作断裂、5P−428型)を用いて、その静電特性
を測定した。すなわち、まず感光体に一6KVのコロナ
放電を20秒間行なって、負帯電させ、その時の表面電
位を測定して、Vd。
び(C)について、市販の静電複写紙試験装置(川口電
機製作断裂、5P−428型)を用いて、その静電特性
を測定した。すなわち、まず感光体に一6KVのコロナ
放電を20秒間行なって、負帯電させ、その時の表面電
位を測定して、Vd。
(ボルト)を求め、そのまま20秒間暗所で、暗減衰さ
せて、その時の表面電位を測定してVpo(ボルト)と
した。ついで、タングステンランプから、その表面が照
度20ルツクスになるよう感光層に光照射を施し、その
表面′電位がVpoの%になる迄の時間(秒)を求めて
、露光量E3A(ルックス・秒)とした。同様に、Vp
oの115及び1/lOになる迄時間(秒)を求めて、
露光量E115(ルックス0秒)及びEl/10(ルッ
クス・秒)を求めた。この結果を我3に示した。
せて、その時の表面電位を測定してVpo(ボルト)と
した。ついで、タングステンランプから、その表面が照
度20ルツクスになるよう感光層に光照射を施し、その
表面′電位がVpoの%になる迄の時間(秒)を求めて
、露光量E3A(ルックス・秒)とした。同様に、Vp
oの115及び1/lOになる迄時間(秒)を求めて、
露光量E115(ルックス0秒)及びEl/10(ルッ
クス・秒)を求めた。この結果を我3に示した。
また、本発明にかかわる感光体(A)の感光波長域を調
べるために、次の測定手順によって分光感度の測定を行
なった。
べるために、次の測定手順によって分光感度の測定を行
なった。
まず、感光体を暗所でコ四す放電によりその表面電位を
−800ボルト以上に帯電し、その表@電位か一800
ボルトになるまで暗減衰させ、表面電位が一80071
?ルトになったときにモノクロメータ−を用いて分光し
た1μW/dの単色光を感光体に照射した。そして、そ
の表面電位が一400vに減衰するまでの時間(秒)を
求め、半減露光量(μW−sec/di)を算出した。
−800ボルト以上に帯電し、その表@電位か一800
ボルトになるまで暗減衰させ、表面電位が一80071
?ルトになったときにモノクロメータ−を用いて分光し
た1μW/dの単色光を感光体に照射した。そして、そ
の表面電位が一400vに減衰するまでの時間(秒)を
求め、半減露光量(μW−sec/di)を算出した。
一方、露光によって得られる見掛は上の電位差400ゼ
ルトから暗減衰による電位の減衰分を差引いた露光によ
り実際に得られている電位差を求め、この電位差と上記
の半減露光量とから光減衰速度(Vo 1 t −ad
* aW−’ e 5ec−’ )を算出し、感度と
した。この分光感度曲線を第11図に示した。
ルトから暗減衰による電位の減衰分を差引いた露光によ
り実際に得られている電位差を求め、この電位差と上記
の半減露光量とから光減衰速度(Vo 1 t −ad
* aW−’ e 5ec−’ )を算出し、感度と
した。この分光感度曲線を第11図に示した。
衣3の結果から明らかなように1本発明のジスアゾ化合
物を用いた感光体(A)は従来のジスアゾ化合物を用い
た感光体(B)および(C)と比較してきわめて感度が
高いことが判る。
物を用いた感光体(A)は従来のジスアゾ化合物を用い
た感光体(B)および(C)と比較してきわめて感度が
高いことが判る。
また、第11図から、本発明のジスアゾ化合物χ用いた
感光体(A)は、その感光波長域がおよそ450〜60
0nm であることが判り、このことより、赤色原稿
の画像再現性のよいことが理解できる。
感光体(A)は、その感光波長域がおよそ450〜60
0nm であることが判り、このことより、赤色原稿
の画像再現性のよいことが理解できる。
第1図は実施例のテトラゾニウム塩化合物の原外線吸収
スペクトル図(KBr51ii剤法)である。 第2図〜第9図は、本発明の代衣的なジスアゾ化合物の
赤外想吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。 第10図は本発明にかかわる゛1子写真115元体の拡
太断回図で、11はポリエステルペース、22はアルミ
ニウム熱着膜、33は電荷発生ノ會、44は電荷ル°設
送層を表わす。 gxt図は本発明にかかわる電子写真感光体の分光感度
曲線である。 図面のj →→υu 5りりυ zauu zuす(J
16すυ lbυ0争吉(内容に変更なし) %2図 特許庁長官若杉和夫殿 1.事件の表示 昭和58年 特 許 願第73177 号事件との関係
特許出願人 東京都太田区中馬込1丁目3誉6号 (674)株式会社 リ コ − 代表者 浜 1) 広 4、代理 人 5、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」のに・−】\6、補正の
内容 (1) 明細書第14頁11行に「1953Jとある
のをj1953Jに補正する。 (2) 同頁下から3行に「2,7−ジアミツアント
ラキノン」とあるのを「2,7−ジアミツキサントン」
に補正する。 (3) 第36頁6行に「100℃」とあるのを「1
05℃」に補正する。 (4) 第37頁下から3行に「・・・・・・なる迄
時間」とあるのを、「・・・・・・なる迄の時間」に補
正する。 以上 6゜ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 7゜1
、 事件の表示 旨8゜ 新規なテトラゾニウム塩化合物、 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法3、 補正を
する者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社リコー 代表者 浜 1) 広 4、代理人 5、 補正指令の日付 補正の対象 図面の第2〜9図 補正の内容 説明文字を削除した適正な図面第2〜9図を別添の通り
提出する。 添付書類の目録
スペクトル図(KBr51ii剤法)である。 第2図〜第9図は、本発明の代衣的なジスアゾ化合物の
赤外想吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。 第10図は本発明にかかわる゛1子写真115元体の拡
太断回図で、11はポリエステルペース、22はアルミ
ニウム熱着膜、33は電荷発生ノ會、44は電荷ル°設
送層を表わす。 gxt図は本発明にかかわる電子写真感光体の分光感度
曲線である。 図面のj →→υu 5りりυ zauu zuす(J
16すυ lbυ0争吉(内容に変更なし) %2図 特許庁長官若杉和夫殿 1.事件の表示 昭和58年 特 許 願第73177 号事件との関係
特許出願人 東京都太田区中馬込1丁目3誉6号 (674)株式会社 リ コ − 代表者 浜 1) 広 4、代理 人 5、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」のに・−】\6、補正の
内容 (1) 明細書第14頁11行に「1953Jとある
のをj1953Jに補正する。 (2) 同頁下から3行に「2,7−ジアミツアント
ラキノン」とあるのを「2,7−ジアミツキサントン」
に補正する。 (3) 第36頁6行に「100℃」とあるのを「1
05℃」に補正する。 (4) 第37頁下から3行に「・・・・・・なる迄
時間」とあるのを、「・・・・・・なる迄の時間」に補
正する。 以上 6゜ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 7゜1
、 事件の表示 旨8゜ 新規なテトラゾニウム塩化合物、 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法3、 補正を
する者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社リコー 代表者 浜 1) 広 4、代理人 5、 補正指令の日付 補正の対象 図面の第2〜9図 補正の内容 説明文字を削除した適正な図面第2〜9図を別添の通り
提出する。 添付書類の目録
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式(I) (式中、Xはアニオン官能基を表わす。)で表わされる
テトラゾニウム塩化合物。 2一般式(If) を表わしく但し、Rはアルキル基、アルコキシ基、ニト
ロ基、ハロゲン、シアノ基またはハロメチル基を示し、
nは0,1,2または3の差数であって、nが2または
3の整数である場合には、Rは同一または異なった基の
いずれでもよい。)を表わす。〕 で表わされる新規なジスアゾ化合物。 & 一般式(Ill) で表わされるジアミノ化合物をジアゾ化して一般式(1
) (式中、Xはアニオンm 7712 Mを表わす。)で
衣わされるテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム
塩と、一般式([V) 、 (V) 、 (Vllまた
は<S’fl) (式中、Rはアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハ
ロゲン、シアノ基またはハルメチル基を表わし、nはO
、1,、2または3の整数であって、nが2または3の
整数である場合には、Rは同一または異なった基のいず
れでもよい。) で表わされる化合物とを反応させることを特徴とする一
般式(It) (Rおよびnは前述の通り。)を衣わす。〕で表わされ
る新規なジスアゾ化合物の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7317783A JPS59197465A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 新規なジスアゾ化合物 |
US06/597,991 US4540643A (en) | 1983-04-26 | 1984-04-09 | Tetrazonium salt compounds, novel disazo compounds, method for the production thereof and disazo compound-containing electrophotographic elements |
GB08410722A GB2147894B (en) | 1983-04-26 | 1984-04-26 | Tetrazonium salts, disazo compounds, and electrophotographic elements containing disazo compounds |
DE19843415608 DE3415608A1 (de) | 1983-04-26 | 1984-04-26 | Neue tetrazoniumsalzverbindungen, neue disazoverbindungen, verfahren zu deren herstellung und eine disazoverbindung enthaltende elektrophotographische elemente |
DE3448011A DE3448011C2 (ja) | 1983-04-26 | 1984-04-26 | |
US06/753,281 US4716220A (en) | 1983-04-26 | 1985-07-09 | Disazo compounds with xanthone nucleus for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7317783A JPS59197465A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 新規なジスアゾ化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59197465A true JPS59197465A (ja) | 1984-11-09 |
JPH0466905B2 JPH0466905B2 (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=13510593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7317783A Granted JPS59197465A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 新規なジスアゾ化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59197465A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6422969A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Ricoh Kk | Azo compound and production thereof |
JPH0624781U (ja) * | 1992-09-04 | 1994-04-05 | 有限会社松阪精電舎 | 製品洗浄装置 |
JPH1048858A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Canon Inc | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102549188B (zh) | 2009-09-30 | 2014-02-19 | 杰富意钢铁株式会社 | 具有低屈服比、高强度以及高均匀伸长率的钢板及其制造方法 |
WO2011040624A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Jfeスチール株式会社 | 低降伏比、高強度および高靭性を有した鋼板及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5139728A (ja) * | 1974-07-23 | 1976-04-02 | Ciba Geigy | Jisuazoganryonoseizohoho |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP7317783A patent/JPS59197465A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5139728A (ja) * | 1974-07-23 | 1976-04-02 | Ciba Geigy | Jisuazoganryonoseizohoho |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6422969A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Ricoh Kk | Azo compound and production thereof |
JPH0624781U (ja) * | 1992-09-04 | 1994-04-05 | 有限会社松阪精電舎 | 製品洗浄装置 |
JPH1048858A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Canon Inc | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0466905B2 (ja) | 1992-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59197465A (ja) | 新規なジスアゾ化合物 | |
JPH0158182B2 (ja) | ||
JPS62267363A (ja) | 新規なビスアゾ化合物及びその製造方法 | |
JP2906149B2 (ja) | ビスアゾ化合物及びその製造法 | |
JPS5935935B2 (ja) | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPS6151063A (ja) | ジスアゾ化合物 | |
JP2612301B2 (ja) | ビスアゾ化合物及びその製造法 | |
JPS61231054A (ja) | ジスアゾ化合物 | |
JPS62267256A (ja) | 新規なテトラゾニウム塩化合物及びその製造方法 | |
JPS614765A (ja) | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JP2504989B2 (ja) | 1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法 | |
JPS6397667A (ja) | 新規なジスアゾ化合物およびその製造法 | |
JPH0368070B2 (ja) | ||
JPS6178876A (ja) | ジスアゾ化合物 | |
JPS62298574A (ja) | 2−ヒドロキシ−3−カルバモイルベンゾ〔a〕カルバゾ−ル誘導体及びその製造方法 | |
JP2000086921A (ja) | ビスアゾ化合物およびその製造法 | |
JPS60151644A (ja) | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPS63142063A (ja) | 新規なビスアゾ化合物及びその製造方法 | |
JPS6143662A (ja) | ジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPS6162563A (ja) | ジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPS5936654A (ja) | 新規なジアミノ化合物、新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPH082841B2 (ja) | 1,10−ビス(4−ニトロフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法 | |
JPS6226352B2 (ja) | ||
JPH01230573A (ja) | 新規なオクタゾニウム塩化合物、テトラキスアゾ化合物およびその製造法 | |
JPH0825978B2 (ja) | ビス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法 |