JPS59162709A - ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部 - Google Patents
ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部Info
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- JPS59162709A JPS59162709A JP3697783A JP3697783A JPS59162709A JP S59162709 A JPS59162709 A JP S59162709A JP 3697783 A JP3697783 A JP 3697783A JP 3697783 A JP3697783 A JP 3697783A JP S59162709 A JPS59162709 A JP S59162709A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に新規な縁切り構造をもったゴム、プラス
チック絶縁ケーブルの絶縁接続部に関するものである。
チック絶縁ケーブルの絶縁接続部に関するものである。
長尺の単心ケーブルでは、導体電流の電磁誘導によって
シースに電位が誘起されるが、いわゆるクロスボンド方
式により、こうした電位を減少できる。こうしたクロス
ボンド方式には、ケーブル中間接続部として絶縁接続部
が使用される。絶縁接続部は絶縁遮蔽層を何等かの手段
を使用して電気的に絶縁したものである。
シースに電位が誘起されるが、いわゆるクロスボンド方
式により、こうした電位を減少できる。こうしたクロス
ボンド方式には、ケーブル中間接続部として絶縁接続部
が使用される。絶縁接続部は絶縁遮蔽層を何等かの手段
を使用して電気的に絶縁したものである。
従来、この種のゴム、プラスチック絶縁ケーブルの絶縁
接続部の縁切り構造は、その−例を第１図に示すように
、接続した２個の導体１，１′を中心としこの上に設け
た補強絶縁層上に、接続部絶縁遮蔽層５を同軸的に設け
てスリット８を形成し、上下方向に絶縁遮蔽層を縁切っ
たものが知られている。このような架橋ポリエチレン絶
縁ケーブルの絶縁接続部は次のように製造される。
接続部の縁切り構造は、その−例を第１図に示すように
、接続した２個の導体１，１′を中心としこの上に設け
た補強絶縁層上に、接続部絶縁遮蔽層５を同軸的に設け
てスリット８を形成し、上下方向に絶縁遮蔽層を縁切っ
たものが知られている。このような架橋ポリエチレン絶
縁ケーブルの絶縁接続部は次のように製造される。
まず、接続すべき２本のケーブルの端部の絶縁体層４３
をそれぞれ図にもみられるように鉛筆状に削り、圧縮ス
リーブ等で導体ｆｌｌ ｆｌ）’を接続した後、その上
に半導電性テープあるいは半導電性熱収縮チューブによ
り内部半導電層２を形成する。次いでこの内部半導電層
２上にケープ段絶縁体層４３に亘って自己融着性絶縁テ
ープなどのゴムまたはプラスチック絶縁テープを巻回し
た後、これを加圧加熱し一体に融着する。
をそれぞれ図にもみられるように鉛筆状に削り、圧縮ス
リーブ等で導体ｆｌｌ ｆｌ）’を接続した後、その上
に半導電性テープあるいは半導電性熱収縮チューブによ
り内部半導電層２を形成する。次いでこの内部半導電層
２上にケープ段絶縁体層４３に亘って自己融着性絶縁テ
ープなどのゴムまたはプラスチック絶縁テープを巻回し
た後、これを加圧加熱し一体に融着する。
あるいは内部半導電層２の周囲に所望の金型（図示せず
）を設け、そこに溶融樹脂を射出し成形した後、適当な
手段により加熱融着させることにより接続部補強絶縁体
層４を形成する。
）を設け、そこに溶融樹脂を射出し成形した後、適当な
手段により加熱融着させることにより接続部補強絶縁体
層４を形成する。
さらにこの接続部補強絶縁体層４の外周に同軸的にスリ
ット部８を設けた外部半導電層５を設けて接続部が完成
する。
ット部８を設けた外部半導電層５を設けて接続部が完成
する。
しかしながら、このような従来のゴム、プラスチック絶
縁ケーブルの絶縁接続部には多くの欠点が存在した。す
なわち、 （イ）補強絶縁体層４を形成するためのテープ巻回層な
どを加熱し、一体に融着する際にスリット８を形成する
半導電層５の先端が変形してしまう。このため先端の電
界が大きくなるため、形成された接続部はこの先端から
破壊し易くなる。
縁ケーブルの絶縁接続部には多くの欠点が存在した。す
なわち、 （イ）補強絶縁体層４を形成するためのテープ巻回層な
どを加熱し、一体に融着する際にスリット８を形成する
半導電層５の先端が変形してしまう。このため先端の電
界が大きくなるため、形成された接続部はこの先端から
破壊し易くなる。
（ロ）半導電層５でスリット８を作成する際、同軸的に
同心円上にすることが困難であり、そのため電界の乱れ
が生じ易い。
同心円上にすることが困難であり、そのため電界の乱れ
が生じ易い。
こうした欠点に鑑み第１図のようなスリット８を必要と
しない第２図にみられるよ５・なゴム、プラスチック絶
縁型カケープルのケーブル導体接続部上を覆う絶縁補強
層４の外周上に、交流での体積固有抵抗率１０６〜１０
１２Ω・儒、比誘電率６〜１００を有する高誘電率かつ
高抵抗層７を介して絶縁遮蔽層６を設け、絶縁遮蔽層６
を縁切る高誘電率、高抵抗型絶縁接続部が提案された。
しない第２図にみられるよ５・なゴム、プラスチック絶
縁型カケープルのケーブル導体接続部上を覆う絶縁補強
層４の外周上に、交流での体積固有抵抗率１０６〜１０
１２Ω・儒、比誘電率６〜１００を有する高誘電率かつ
高抵抗層７を介して絶縁遮蔽層６を設け、絶縁遮蔽層６
を縁切る高誘電率、高抵抗型絶縁接続部が提案された。
ここで、この高誘電率・、高抵抗層の数値の根拠は、体
積抵抗率１０６Ω・儂以下、比誘電率１００Ｊｕ上では
、ケーブル線路に侵入してくるインパルス電圧で閃絡し
てしまい、一方体積固有抵抗率１０１２Ω・１以上、比
誘率６以下では本接続部に課電した場合、第２図絶縁遮
蔽層６と高誘電率、高抵抗層７の際に電界が集中し、容
易に破壊してしまうためである。
積抵抗率１０６Ω・儂以下、比誘電率１００Ｊｕ上では
、ケーブル線路に侵入してくるインパルス電圧で閃絡し
てしまい、一方体積固有抵抗率１０１２Ω・１以上、比
誘率６以下では本接続部に課電した場合、第２図絶縁遮
蔽層６と高誘電率、高抵抗層７の際に電界が集中し、容
易に破壊してしまうためである。
従来このような高誘電率で高抵抗型縁切り部としてはカ
ーボン含有儀を適当に調整することにより、上記抵抗範
囲の高抵抗層を絶縁体円周上に設ける方法があるが、こ
の方法ではカーボンのみ含有した高抵抗層がヒートサイ
クル等の熱履歴により抵抗値が変動し易いという問題点
があった。
ーボン含有儀を適当に調整することにより、上記抵抗範
囲の高抵抗層を絶縁体円周上に設ける方法があるが、こ
の方法ではカーボンのみ含有した高抵抗層がヒートサイ
クル等の熱履歴により抵抗値が変動し易いという問題点
があった。
本発明は高誘電率、高抵抗型絶縁接続部における上述の
如き欠点を除去し、安定にして簡易な絶縁接続部を提供
することにある。
如き欠点を除去し、安定にして簡易な絶縁接続部を提供
することにある。
すなわち、第２図の高誘電率、高抵抗層（縁切り部）７
としては基体樹脂１００重量部に対して、炭化硅素５０
〜７００重量部及びカーボン２〜６０重量部を混和配合
した組成物を使用したことを特徴とした絶縁接続部であ
る。基体樹脂としては低密度ポリエチレン、中密度ポリ
エチレン、高密度ポリエチレン、エチレン−プロピレン
共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−αオレフィン
−ポリエン三元共！ 合体く例えば三井石油化学製エラ
ストマー（エチレン・ｌ−ブテン會５−エチリデンー２
−ノルボルネン三元共重合体））、これらの材料の単独
又は二種以上のブレンド物又はこれらの架橋体が適当で
ある。
としては基体樹脂１００重量部に対して、炭化硅素５０
〜７００重量部及びカーボン２〜６０重量部を混和配合
した組成物を使用したことを特徴とした絶縁接続部であ
る。基体樹脂としては低密度ポリエチレン、中密度ポリ
エチレン、高密度ポリエチレン、エチレン−プロピレン
共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−αオレフィン
−ポリエン三元共！ 合体く例えば三井石油化学製エラ
ストマー（エチレン・ｌ−ブテン會５−エチリデンー２
−ノルボルネン三元共重合体））、これらの材料の単独
又は二種以上のブレンド物又はこれらの架橋体が適当で
ある。
次に本発明における数量限定の理由を簡単に述べると、
基体樹脂１００重量部に対して炭化硅素の配合量が５０
重量部未満では、熱履歴によって電気抵抗が変化するの
で、不可である。
基体樹脂１００重量部に対して炭化硅素の配合量が５０
重量部未満では、熱履歴によって電気抵抗が変化するの
で、不可である。
又７００重量部を越えると、組成物が非常に硬くなり、
加工しに、くいので不可である。又、カーボンが２重量
部未満では、所望の誘電率抵抗が得られないので、不可
であり、逆に６０重量部を越えると、組成物が硬くなり
、加工しにくいので不可である。
加工しに、くいので不可である。又、カーボンが２重量
部未満では、所望の誘電率抵抗が得られないので、不可
であり、逆に６０重量部を越えると、組成物が硬くなり
、加工しにくいので不可である。
かかる発明の構造による効果、特徴は、カーボンブラッ
クのみ含有の高誘電率、高抵抗層に比して、炭化硅素を
配合したことにより熱履歴を受けてもカーボンブラック
の移動が生じに（くなり、抵抗率の変化がほとんど見ら
れないという特徴を有する。
クのみ含有の高誘電率、高抵抗層に比して、炭化硅素を
配合したことにより熱履歴を受けてもカーボンブラック
の移動が生じに（くなり、抵抗率の変化がほとんど見ら
れないという特徴を有する。
縁切り部の形成法は次の如くにする。すなゎち、
（１）前記配合組成テープを接続部補強絶縁体層４上に
巻回する。場合によっては本テープを巻回した後、接続
部補強絶縁体層４にこれを加熱融着させる。
巻回する。場合によっては本テープを巻回した後、接続
部補強絶縁体層４にこれを加熱融着させる。
（２）予め前記配合組成物からなるチューブを、設計し
た接続部補強絶縁体層４の外径に合わせて作成し、補強
絶縁体層４を成形後、この補強絶縁体層４−ヒに該チュ
ーブを挿入被覆し加熱融着する。
た接続部補強絶縁体層４の外径に合わせて作成し、補強
絶縁体層４を成形後、この補強絶縁体層４−ヒに該チュ
ーブを挿入被覆し加熱融着する。
（３） 補強絶縁層成形後、この絶縁層上に金型を置
き、縁切り部の設計に合わせて、前記の配合組成物を射
出あるいは押出成形する。さらに絶縁層に加熱融着させ
る。
き、縁切り部の設計に合わせて、前記の配合組成物を射
出あるいは押出成形する。さらに絶縁層に加熱融着させ
る。
ここで該高誘電率かつ高抵抗層の厚さ及び長さについて
は、定格電圧縁によって異なるが、例えば６６ＫＶ級の
ケーブルで、厚さは１〜３ ｔｎｍ絶縁遮蔽層間の離隔
距離は５０〜１００＋ｍが好ましい。
は、定格電圧縁によって異なるが、例えば６６ＫＶ級の
ケーブルで、厚さは１〜３ ｔｎｍ絶縁遮蔽層間の離隔
距離は５０〜１００＋ｍが好ましい。
実施例１
６００ｍ＋＋ｔ１５４ＫＶ 架橋ポリエチレン絶縁ケー
ブルの絶縁体重３を、鉛筆削りした後、圧縮スリーブ（
図示せず）で導体Ｌ ＩＩを接続後、半導電性テープ（
日本ユニカー株式会社製商品名ＤＦＤ、ＪＯ５８０をテ
ープ化したもの）を、導体接続部上に巻回した後、温度
１５０℃で４時間加熱成形した。その後、形成した導電
層２の周囲に金型（図示せず）を取付け、３０闘押出機
から架橋剤入りポリエチレン組成物（ＨＦＤＪ４２０１
（日本五二カー株式会社製商品名）〕を金型内に押出し
成形した。この押出機（図示せず）の設定温度は１２０
℃であった。次に冷却後前記金型を取外し、形成した接
続部補強絶縁体層４の第２図に示す高誘電率かつ高抵抗
層には次の第１表に示す組成物のテープを３朋厚さで、
縁切り部距離１００耶その他の個所には上記の半導電性
テープをそれぞれ巻いた。而して得た接続部を加硫管（
図示せず）中に入れ、窒素ガス８ ｋｇ／ ｃｒ／Ｉ雰
囲気で温度２１０ ”Ｃにて６時間加熱した後、ガス加
圧下にて冷却した。尚、ジヨイント補強絶縁体層４の厚
さは２５朋であったＪ 接続部成形後、高誘電率かつ高抵抗層の交流での体積固
有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを実施した後、導
体温度９０°（７になるように２００日間毎日８時間通
電した。ヒートサイクルテスト実施後、高誘電率かつ高
抵抗層の交流での体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧
テストをおこなった。得られた結果を第１表に併記した
。
ブルの絶縁体重３を、鉛筆削りした後、圧縮スリーブ（
図示せず）で導体Ｌ ＩＩを接続後、半導電性テープ（
日本ユニカー株式会社製商品名ＤＦＤ、ＪＯ５８０をテ
ープ化したもの）を、導体接続部上に巻回した後、温度
１５０℃で４時間加熱成形した。その後、形成した導電
層２の周囲に金型（図示せず）を取付け、３０闘押出機
から架橋剤入りポリエチレン組成物（ＨＦＤＪ４２０１
（日本五二カー株式会社製商品名）〕を金型内に押出し
成形した。この押出機（図示せず）の設定温度は１２０
℃であった。次に冷却後前記金型を取外し、形成した接
続部補強絶縁体層４の第２図に示す高誘電率かつ高抵抗
層には次の第１表に示す組成物のテープを３朋厚さで、
縁切り部距離１００耶その他の個所には上記の半導電性
テープをそれぞれ巻いた。而して得た接続部を加硫管（
図示せず）中に入れ、窒素ガス８ ｋｇ／ ｃｒ／Ｉ雰
囲気で温度２１０ ”Ｃにて６時間加熱した後、ガス加
圧下にて冷却した。尚、ジヨイント補強絶縁体層４の厚
さは２５朋であったＪ 接続部成形後、高誘電率かつ高抵抗層の交流での体積固
有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを実施した後、導
体温度９０°（７になるように２００日間毎日８時間通
電した。ヒートサイクルテスト実施後、高誘電率かつ高
抵抗層の交流での体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧
テストをおこなった。得られた結果を第１表に併記した
。
第１表から明らかなように本実施例による絶縁接続部は
何れも従来のものに比して、ヒートサイクル熱履歴後の
縁切り部の特性が比較例に比べ非常に安定している。
何れも従来のものに比して、ヒートサイクル熱履歴後の
縁切り部の特性が比較例に比べ非常に安定している。
実施例２
２５０ｍｍ６６ＫＶ架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの絶
縁体λ３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブ（図示せず）
で露出させた導体１，１２を接続後半導電性テープ（日
本ユニカー株式会社製ＤＦＤＪ、０５８０をテープ化し
たもの）を、導体接続部上に巻回した後、温度１５０℃
で３時間加熱成形した。その後形成した導電層２の周囲
に金型（図示せず）を取付け、３０朋押出機から架橋可
能なポリエチレン組成物（日本ユニカー製ＨＦＤＪ ４
２０１）を絶縁厚１２Ｍｌ１１になるように金型内に押
出し成形した。この押出機（図示せず）の設定は１２０
℃であった。次に冷却後、前記金型を取外し、形成した
接続部補強絶縁体層４の第２図に示す高誘電率かつ高抵
抗層には次の第２表に示す組成物のテープを２朋厚さで
、縁切り部距離７０闘、第２図の６の個所には上記の半
導電テープを巻いた。本接続部を加硫管（図示せず）中
に入れ、窒素ガス８ｋｇ／Ｃｒ！、雰囲気温度２１０°
Ｃにて４時間加熱し、ガス加圧下にて冷却し接続部を成
形した。
縁体λ３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブ（図示せず）
で露出させた導体１，１２を接続後半導電性テープ（日
本ユニカー株式会社製ＤＦＤＪ、０５８０をテープ化し
たもの）を、導体接続部上に巻回した後、温度１５０℃
で３時間加熱成形した。その後形成した導電層２の周囲
に金型（図示せず）を取付け、３０朋押出機から架橋可
能なポリエチレン組成物（日本ユニカー製ＨＦＤＪ ４
２０１）を絶縁厚１２Ｍｌ１１になるように金型内に押
出し成形した。この押出機（図示せず）の設定は１２０
℃であった。次に冷却後、前記金型を取外し、形成した
接続部補強絶縁体層４の第２図に示す高誘電率かつ高抵
抗層には次の第２表に示す組成物のテープを２朋厚さで
、縁切り部距離７０闘、第２図の６の個所には上記の半
導電テープを巻いた。本接続部を加硫管（図示せず）中
に入れ、窒素ガス８ｋｇ／Ｃｒ！、雰囲気温度２１０°
Ｃにて４時間加熱し、ガス加圧下にて冷却し接続部を成
形した。
接続部成形後、高誘電率かつ高抵抗層の交流での体積固
有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを実施した後、導
体温度９０℃になるように２００日間毎日８時間通電し
た。ヒートサイクルテスト実施後、高誘電率、高抵抗層
の交流での体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テスト
をおこなった。得られた結果を第２表に併記した。
有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テストを実施した後、導
体温度９０℃になるように２００日間毎日８時間通電し
た。ヒートサイクルテスト実施後、高誘電率、高抵抗層
の交流での体積固有抵抗率、インパルス閃絡耐圧テスト
をおこなった。得られた結果を第２表に併記した。
第２表から明らかなように本実施例による絶縁接続部は
何れも従来のものに比して、ヒートサイクル熱履歴後の
縁切り部の特性が比較例に比べ非常に安定していること
がわかる。
何れも従来のものに比して、ヒートサイクル熱履歴後の
縁切り部の特性が比較例に比べ非常に安定していること
がわかる。
実施例３
２５０＋ｕ６６ＫＶエチレン−プロピレンラバー絶縁ケ
ーブルの絶縁体屑入３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブ
（図示せず′）で露出させた導体】。
ーブルの絶縁体屑入３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブ
（図示せず′）で露出させた導体】。
］’／／接続後、半導電テープ（日本ユニカー製ＤＦＤ
Ｊ ０５８０をテープ化したもの）を導体接続 □部上
に巻回した後、温度１５０℃で３時間加熱成形した。そ
の後形成した半導電層２上にエチレン−プロピレン共重
合体テープ（ｄｕ ｐｏｎｔ 社製ノーデル２７２２を
テープ化したもの）を、絶縁厚が２０藺になるように巻
回し、さらに絶縁体４上に第２図に示す縁切り部７を作
成するため、第２表１の組成物で作ったテープを２問厚
さで、縁切り部距離７０ＩＩＩ＋１１、第２図６の箇所
には半導電テープを巻いた。本接続部を加硫管（図示せ
ず）中に入れ、窒素ガス８に９／ｃｄ、雰囲気温度２１
’０℃にて４時間加熱しガス加圧下にて冷却し接続部を
作成した。
Ｊ ０５８０をテープ化したもの）を導体接続 □部上
に巻回した後、温度１５０℃で３時間加熱成形した。そ
の後形成した半導電層２上にエチレン−プロピレン共重
合体テープ（ｄｕ ｐｏｎｔ 社製ノーデル２７２２を
テープ化したもの）を、絶縁厚が２０藺になるように巻
回し、さらに絶縁体４上に第２図に示す縁切り部７を作
成するため、第２表１の組成物で作ったテープを２問厚
さで、縁切り部距離７０ＩＩＩ＋１１、第２図６の箇所
には半導電テープを巻いた。本接続部を加硫管（図示せ
ず）中に入れ、窒素ガス８に９／ｃｄ、雰囲気温度２１
’０℃にて４時間加熱しガス加圧下にて冷却し接続部を
作成した。
接続部作成後、縁切り部の交流での体積固有抵抗率は２
×１０Ω・ａ１インパルス閃絡電圧は１４０ ＫＶであ
った。
×１０Ω・ａ１インパルス閃絡電圧は１４０ ＫＶであ
った。
本接続部を導体温度９０℃８時間通電、１６時間通電停
止の条件でヒートサイクルを２００サイクル行った後、
上記の試験を行ったか特性に変化はなかった。
止の条件でヒートサイクルを２００サイクル行った後、
上記の試験を行ったか特性に変化はなかった。
実施例４
６００＋ｎ４１５４ＫＶ架橋ポリエチレン絶縁ケーブル
の絶縁体洩３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで露出さ
せた導体１，１′を接続後、この導体接続部上に半導電
性テープ（古河電工社製商品名導電性Ｃテープ）を、巻
回し、更にこの半導電層２上にエチレンプロピレンゴム
を基体にした絶縁テープ（古河電工社製商品名工フコ３
１号）を絶縁厚５０ｍｍとなるまで巻回し、接続部補強
絶縁体層４を形成した。この補強絶縁層４上の第２図に
示した縁切り部７には、前記第１表の１と同一組成物の
テープを他の個所には上記半導電層２に用いたと同一の
半導電性テープをそれぞれ巻いた絶縁接続部を作った。
の絶縁体洩３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで露出さ
せた導体１，１′を接続後、この導体接続部上に半導電
性テープ（古河電工社製商品名導電性Ｃテープ）を、巻
回し、更にこの半導電層２上にエチレンプロピレンゴム
を基体にした絶縁テープ（古河電工社製商品名工フコ３
１号）を絶縁厚５０ｍｍとなるまで巻回し、接続部補強
絶縁体層４を形成した。この補強絶縁層４上の第２図に
示した縁切り部７には、前記第１表の１と同一組成物の
テープを他の個所には上記半導電層２に用いたと同一の
半導電性テープをそれぞれ巻いた絶縁接続部を作った。
接続部作成後、縁切り部の交流での体積固有抵抗率は２
Ｘ１０”Ω・α、インパルス閃絡電圧は１２０ＫＶであ
った。
Ｘ１０”Ω・α、インパルス閃絡電圧は１２０ＫＶであ
った。
本接続部を導体温度が９０℃になるように２００日間毎
日８時間通電するヒートサイクルテストを行ったが、縁
切り部の特性は変化していなかった。
日８時間通電するヒートサイクルテストを行ったが、縁
切り部の特性は変化していなかった。
実施例５
６６ＫＶ２５０−ポリエチレン絶縁ケーブルの絶縁体３
，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで露出させた導体
１，１′を接続後、この導体接続部上に半導電テープ（
ポリエチレン（ＮＵＣ９０２５）１００部ニカーボンブ
ラック（Ｖｕｌｃａｎ ＸＣ７２）７０部を混合したｃ
ｏｍｐｏｕｎｄをテープ化したもの）を導体接続部上に
巻回し、温度１２０℃で１時間加熱成形して半導電層２
を形成した。ついで絶縁テープ（ポリエチレン（ＮＵＣ
９０２５）をテープ化したもの）を絶縁厚が１２ｍｒｎ
になるように巻回し、さらに第２図に示す縁切り部７を
作成するため実施例２０組成４で作ったテープを２關厚
さで巻いた。次にこの接続部を窒素ガスｓ ｋｙ ／
ｄ、雰囲気温度１３０℃で２時間加熱し絶縁接続部を形
成した。
，３を鉛筆削りした後、圧縮スリーブで露出させた導体
１，１′を接続後、この導体接続部上に半導電テープ（
ポリエチレン（ＮＵＣ９０２５）１００部ニカーボンブ
ラック（Ｖｕｌｃａｎ ＸＣ７２）７０部を混合したｃ
ｏｍｐｏｕｎｄをテープ化したもの）を導体接続部上に
巻回し、温度１２０℃で１時間加熱成形して半導電層２
を形成した。ついで絶縁テープ（ポリエチレン（ＮＵＣ
９０２５）をテープ化したもの）を絶縁厚が１２ｍｒｎ
になるように巻回し、さらに第２図に示す縁切り部７を
作成するため実施例２０組成４で作ったテープを２關厚
さで巻いた。次にこの接続部を窒素ガスｓ ｋｙ ／
ｄ、雰囲気温度１３０℃で２時間加熱し絶縁接続部を形
成した。
接続部作成後、縁切り部の交流での体積固有抵抗率は２
×ｊＯΩ・儂、インパルス閃絡電圧は］ ］ ＯＫＶ
であった。
×ｊＯΩ・儂、インパルス閃絡電圧は］ ］ ＯＫＶ
であった。
本接続部について実施例１と同様のヒートサイクル試験
を実施したが、縁切り部の特性は何等変化がなかった。
を実施したが、縁切り部の特性は何等変化がなかった。
第１図はゴム、プラスチック絶縁ケーブルの従来の絶縁
接続部の一例を示ず部分縦断面略図、第２図は本発明の
絶縁接続部の一実施例を示す部分縦断面略図である。 １、ＩＩ・・導体、２・・内部半導電層、３・ケーブル
絶縁体層、４・・接続部補強絶縁体層、５・接続部外部
半導電層、６・・接続部外部半導電層。 ７・・高誘電率、高抵抗層、８・・スリット部（縁切り
部）。
接続部の一例を示ず部分縦断面略図、第２図は本発明の
絶縁接続部の一実施例を示す部分縦断面略図である。 １、ＩＩ・・導体、２・・内部半導電層、３・ケーブル
絶縁体層、４・・接続部補強絶縁体層、５・接続部外部
半導電層、６・・接続部外部半導電層。 ７・・高誘電率、高抵抗層、８・・スリット部（縁切り
部）。
Claims (1)
- １ ケーブル導体接続部を覆った絶縁補強層の外周に絶
縁遮蔽層を設けてなるゴムまたはプラスチック絶縁型カ
ケープルの接続部において、前記絶縁遮蔽層を、プラス
チックを基体とし、その１００重量部に対して炭化硅素
５０〜７００重量部およびカーボンブラック２〜６０重
量部を配合してなる混和物からなる高誘電率、高抵抗層
を介して長手方向に左右対向した状態に設けたことを特
徴とするゴム、プラスチック絶縁型カケープルの絶縁接
続部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3697783A JPS59162709A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3697783A JPS59162709A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162709A true JPS59162709A (ja) | 1984-09-13 |
| JPH0132731B2 JPH0132731B2 (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=12484811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3697783A Granted JPS59162709A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの絶縁接続部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162709A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164211A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-06-28 | Standard Teleph Og Kabelfab As | ケーブル設置方法 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP3697783A patent/JPS59162709A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164211A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-06-28 | Standard Teleph Og Kabelfab As | ケーブル設置方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0132731B2 (ja) | 1989-07-10 |
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