JPS59139519A - 反射型光電スイツチ - Google Patents
反射型光電スイツチInfo
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- JPS59139519A JPS59139519A JP58014124A JP1412483A JPS59139519A JP S59139519 A JPS59139519 A JP S59139519A JP 58014124 A JP58014124 A JP 58014124A JP 1412483 A JP1412483 A JP 1412483A JP S59139519 A JPS59139519 A JP S59139519A
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- Electronic Switches (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔イ支術分野 〕
不発明は予め設定き八た検知エリア内に被検知物体が存
在するかどうかと判別して出力回路を制御する反射型光
電スイッチに関・するものである。
在するかどうかと判別して出力回路を制御する反射型光
電スイッチに関・するものである。
第１図および第２図はこの種の反射型光電スイッチの基
本側を示すもので、図中ｉ１１は被検知物体（Ｘ）Ｋ対
してパルス変調光よりなる光ビームψ）を投光する投光
手段であり、投光タイミンジを設定する同期信号を発生
する発振回路（１ｏ）と、ドライブ回路（ＩＩ）と、発
光タイオード、レーザータイオードなどの投光素子（Ｉ
２）と、光ビーム（Ｐ）を形成するコンデシサレンズよ
りなる投光用光学系（１３）とで形成されている。（２
）は投光手段ｆｉ）から所定間隔ｌＯをもって並置さｔ
た受光手段であシ、投、受光手段＋１）（２）は被検知
物体■）に対して三角測量的に配置されている。この受
光手段（２）は被検知物体（Ｘ）による反射光を集光す
るための凸しシズよりなる受光用光学系（３）と、受光
用光学系（３）の集光面に配設式れ、集光スポット（Ｓ
）の位置に対応した位置信号を出力する位置検出手段（
４）とで構成δｎて２９１この位置検出手段（４）は、
受光用光学系（３）の集光面内に配設式れ集光スポツｔ
−（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）に連設芒ｎた２１固の受
光素子（２０ａ） （２０ｂ）にて形成されている。こ
の受光素子（２０ａ） （２０ｂ）としてはホトトラン
ジスタ、ホトタイオード、太陽電池、ＣｄＳなどが用い
らｒしる。（５）は判別制御手段であり、位置検出手段
（４）出力に基いて波検知物体閃が所定の検知エリア（
ＤＥ）内に存在するかどうかを判別して出力画′路（６
）を制御するようになっている。この判別制御手段（５
）は、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）からの出力電流
■いＩＢを信号電圧ＶＡＸＶＢＫ増巾変換する受光回路
（２１ａ）（２１ｂ）と、対数増巾回路（２２ａ） （
２２ｂ）と、対数増巾回路（２２ａ）出力ｌｏｇ ＶＡ
から対ａｍ巾回路（２２ｂ）出力ｌｏｇＶＢを減算する
減算回路１２３）と、減算回路（ｎ５１出力ｌｏｇ Ｖ
Ａ／ ＶＢと検知エリア設定ボリウム（ＶＲ）？でて設
厘された６力作レベルＶｓとを比較して減算回路＋２３
）出力］ｏｇＶＡ／ｖＢが動作しベルＶｓ以下のとキ■
（レベルを出力する比較回路囚）と、投光素子（１２）
からの光ビーム（Ｐ）の投光タイミシク（発振回路（１
０）から出力される同期信号）に同期して比較回路ｇ４
１出力をサシづリンクするととによシ、彼、倹知吻体Ｃ
Ｘ）が＠知エリＰ（ＤＥ）内に存在するかどうかを確実
に判別するようにした信号処理回路１２０とで形成され
、信号処理回路（２５１出力にて負荷制御用のリレー、
負荷制ＸＩ用の半導体スイッチ素子などよりなる出力回
路（６）を制御するようになっている。なお、受光回路
（２１ａ） （２１ｂ）はパルス光信号のみを通し直流
光信号をカットしたり、％足の周波数のみを通すバシド
パスフィルタ回路を含むものである。
本側を示すもので、図中ｉ１１は被検知物体（Ｘ）Ｋ対
してパルス変調光よりなる光ビームψ）を投光する投光
手段であり、投光タイミンジを設定する同期信号を発生
する発振回路（１ｏ）と、ドライブ回路（ＩＩ）と、発
光タイオード、レーザータイオードなどの投光素子（Ｉ
２）と、光ビーム（Ｐ）を形成するコンデシサレンズよ
りなる投光用光学系（１３）とで形成されている。（２
）は投光手段ｆｉ）から所定間隔ｌＯをもって並置さｔ
た受光手段であシ、投、受光手段＋１）（２）は被検知
物体■）に対して三角測量的に配置されている。この受
光手段（２）は被検知物体（Ｘ）による反射光を集光す
るための凸しシズよりなる受光用光学系（３）と、受光
用光学系（３）の集光面に配設式れ、集光スポット（Ｓ
）の位置に対応した位置信号を出力する位置検出手段（
４）とで構成δｎて２９１この位置検出手段（４）は、
受光用光学系（３）の集光面内に配設式れ集光スポツｔ
−（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）に連設芒ｎた２１固の受
光素子（２０ａ） （２０ｂ）にて形成されている。こ
の受光素子（２０ａ） （２０ｂ）としてはホトトラン
ジスタ、ホトタイオード、太陽電池、ＣｄＳなどが用い
らｒしる。（５）は判別制御手段であり、位置検出手段
（４）出力に基いて波検知物体閃が所定の検知エリア（
ＤＥ）内に存在するかどうかを判別して出力画′路（６
）を制御するようになっている。この判別制御手段（５
）は、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）からの出力電流
■いＩＢを信号電圧ＶＡＸＶＢＫ増巾変換する受光回路
（２１ａ）（２１ｂ）と、対数増巾回路（２２ａ） （
２２ｂ）と、対数増巾回路（２２ａ）出力ｌｏｇ ＶＡ
から対ａｍ巾回路（２２ｂ）出力ｌｏｇＶＢを減算する
減算回路１２３）と、減算回路（ｎ５１出力ｌｏｇ Ｖ
Ａ／ ＶＢと検知エリア設定ボリウム（ＶＲ）？でて設
厘された６力作レベルＶｓとを比較して減算回路＋２３
）出力］ｏｇＶＡ／ｖＢが動作しベルＶｓ以下のとキ■
（レベルを出力する比較回路囚）と、投光素子（１２）
からの光ビーム（Ｐ）の投光タイミシク（発振回路（１
０）から出力される同期信号）に同期して比較回路ｇ４
１出力をサシづリンクするととによシ、彼、倹知吻体Ｃ
Ｘ）が＠知エリＰ（ＤＥ）内に存在するかどうかを確実
に判別するようにした信号処理回路１２０とで形成され
、信号処理回路（２５１出力にて負荷制御用のリレー、
負荷制ＸＩ用の半導体スイッチ素子などよりなる出力回
路（６）を制御するようになっている。なお、受光回路
（２１ａ） （２１ｂ）はパルス光信号のみを通し直流
光信号をカットしたり、％足の周波数のみを通すバシド
パスフィルタ回路を含むものである。
いま、被検知物体（イ）が第３図（ａ）に示すように反
射型光重スイッチ（Ｙ）から距離Ｊｌｉａｓ ｌｂ、
ｌｌｃの位置ａ４、ｂ、ｃＫ存在する場合において、集
光面内に配設式れた受光素子（２０ａ） （２０ｂ）に
対する集光スポット（Ｓ）の位置はそれぞれ第３図（ｂ
）のようになり、被検知物体へ）が光ビーム（Ｐ）の投
光方間に移動すると、集光ビーム（Ｓ）が矢印Ｎ１方向
に＃動して受光素子（２０ａ） （２０ｂ）に入射する
光量の比率が変化することになり、受光素子（２０ａ）
（２０ｂ）の出力電流ＩＡ、ＩＢは集光スポット（Ｓ
）の（Ｍ ｉＷに対応した位置信号となる。判別制御手
段（５）では、受光回路（２１ａ） （２１ｂ）にてこ
の電流ＩＡ、ＩＢに比例した重圧ＶＡ、ＶＢを形成し、
対数増巾回路（２２ａ） （２２１）） ＶＣてメ寸故
」胃中した゛重圧ｌｏｇ ＶＡ 、 ｌｏｇＶＢを減Ｓ
回路（割にて減算することにより、減算回路１２３）か
ら受光素子（２０ａ） （２０ｂｌに入射する光量の比
率の対数１直ｌｏｇ ＶＡ／ ＶＢが出力されることに
なる。この減−痺回路（２３）出力１０ｇ ＶＡ ／
ＶＢは被検知物体（３）の移動に応じて変化し、反射型
光電スイッチ（■から被検知物体（イ）までの距離ｌに
対する減算回路（溺出力Ｉｏｇ ＶＡ ／ Ｖｌ＋は第
４図に示すようになる。したがつて、比較回路シ４）の
検知エリア設定ポリウム（ＶＲ）にて動作レベル（Ｖｓ
）を適当に設定することにょシ、正確な検知エリア（Ｄ
Ｅ）が容易に設定でき、減算回路１２３）出力ｌｏｇ
ＶＡ ／ ＶＢが動作レベルｖｓ以上となったとき比較
回路（２４）出力がＨレベルとなり、信号処理回路（ハ
）を介して出力回路（６）が作動される。この場合、判
別制御手段（５）は、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）
出力のレベル比を演算し、そのレベル比が予め設定妊ｎ
た動作レベルＶｓのとき出力回路（６）を作動させるよ
う例なっており、被検知物体１ｌＸ）による反射光（Ｒ
）のレベルと関係なく検知エリア（ＤＥ）が設定さｆる
ようになっているので、倹兄エリア（ＤＥ）の後方に存
在する光反射率の大きい物体による誤動作が防止でさる
とともに、被検知物体００の光反射率に関係なく検知エ
リア（ＤＥ）を設にでさ、さらに投、受光用光学系Ｌ１
３）＋３１の汚れの影響を受σることがないようになっ
ている。
射型光重スイッチ（Ｙ）から距離Ｊｌｉａｓ ｌｂ、
ｌｌｃの位置ａ４、ｂ、ｃＫ存在する場合において、集
光面内に配設式れた受光素子（２０ａ） （２０ｂ）に
対する集光スポット（Ｓ）の位置はそれぞれ第３図（ｂ
）のようになり、被検知物体へ）が光ビーム（Ｐ）の投
光方間に移動すると、集光ビーム（Ｓ）が矢印Ｎ１方向
に＃動して受光素子（２０ａ） （２０ｂ）に入射する
光量の比率が変化することになり、受光素子（２０ａ）
（２０ｂ）の出力電流ＩＡ、ＩＢは集光スポット（Ｓ
）の（Ｍ ｉＷに対応した位置信号となる。判別制御手
段（５）では、受光回路（２１ａ） （２１ｂ）にてこ
の電流ＩＡ、ＩＢに比例した重圧ＶＡ、ＶＢを形成し、
対数増巾回路（２２ａ） （２２１）） ＶＣてメ寸故
」胃中した゛重圧ｌｏｇ ＶＡ 、 ｌｏｇＶＢを減Ｓ
回路（割にて減算することにより、減算回路１２３）か
ら受光素子（２０ａ） （２０ｂｌに入射する光量の比
率の対数１直ｌｏｇ ＶＡ／ ＶＢが出力されることに
なる。この減−痺回路（２３）出力１０ｇ ＶＡ ／
ＶＢは被検知物体（３）の移動に応じて変化し、反射型
光電スイッチ（■から被検知物体（イ）までの距離ｌに
対する減算回路（溺出力Ｉｏｇ ＶＡ ／ Ｖｌ＋は第
４図に示すようになる。したがつて、比較回路シ４）の
検知エリア設定ポリウム（ＶＲ）にて動作レベル（Ｖｓ
）を適当に設定することにょシ、正確な検知エリア（Ｄ
Ｅ）が容易に設定でき、減算回路１２３）出力ｌｏｇ
ＶＡ ／ ＶＢが動作レベルｖｓ以上となったとき比較
回路（２４）出力がＨレベルとなり、信号処理回路（ハ
）を介して出力回路（６）が作動される。この場合、判
別制御手段（５）は、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）
出力のレベル比を演算し、そのレベル比が予め設定妊ｎ
た動作レベルＶｓのとき出力回路（６）を作動させるよ
う例なっており、被検知物体１ｌＸ）による反射光（Ｒ
）のレベルと関係なく検知エリア（ＤＥ）が設定さｆる
ようになっているので、倹兄エリア（ＤＥ）の後方に存
在する光反射率の大きい物体による誤動作が防止でさる
とともに、被検知物体００の光反射率に関係なく検知エ
リア（ＤＥ）を設にでさ、さらに投、受光用光学系Ｌ１
３）＋３１の汚れの影響を受σることがないようになっ
ている。
ところで、このような基本例において、分解能すなわち
検知エリア（ＤＥ）の設定精度が反射型光電スイッチ（
Ｙ）から被検知物体閃までの距離＜ａにょって異なり、
被検知物体（３）が遠くなるほど分解能が悪くなるとい
う問題があった。つま９、集光スポラＩ−（Ｓ）は受光
素子（ｚｏａ） （２０ｂ）上を被検知物体（３）の移
動に応じて矢印Ｍ方向に移動するが、この集光スポット
（Ｓ）の移動距離ＸはＩ＝ ｆｏｄｏ ｋとな９１ 被検知物体■）までの距離ｌに逆比例する。但しｆは受
光用光学系（３）と受光素子（２０ａ） （２０ｂ）と
の間隔であり、ｆ−ｌｏは定数にである。上式から明ら
かなように、集光スポット（Ｓ）の移動距離Ｘは距離４
が大きくなるほど小さくなり、分解能が悪くなるわけで
ある。寸だ、被検知物体（イ）が近い場合と遠い場合と
における受光素子（２０ａ） （２０ｂ）への入射光が
大違に異なり、判別制御手段（５）が誤動作する場合が
あるという問題があった。すなわち、受光素子（２０ａ
） （２０ｂ）へ入射する被検知物体（３）による反射
光只）の受光量は距離での２乗に反比例するので、距離
ｌが３Ｑｙｒｔｙｔｒ〜３ （１０ｍ漕の範囲で震化す
ｎは受光素子（２０ａ） （２０ｂ）への入射光量は１
０２程度変化する。一方、被検知物体（３）の光反射率
を加味すれば、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）への入
射光量の変化範囲は１０５程度となるが、判別制御手段
（５）のダイナミックレシジをあまｐ大きくとることが
できないので、検知エリア（ＤＥ）を近距離から遠距離
壕で広い範囲に亘って設定することができないという問
題があった。
検知エリア（ＤＥ）の設定精度が反射型光電スイッチ（
Ｙ）から被検知物体閃までの距離＜ａにょって異なり、
被検知物体（３）が遠くなるほど分解能が悪くなるとい
う問題があった。つま９、集光スポラＩ−（Ｓ）は受光
素子（ｚｏａ） （２０ｂ）上を被検知物体（３）の移
動に応じて矢印Ｍ方向に移動するが、この集光スポット
（Ｓ）の移動距離ＸはＩ＝ ｆｏｄｏ ｋとな９１ 被検知物体■）までの距離ｌに逆比例する。但しｆは受
光用光学系（３）と受光素子（２０ａ） （２０ｂ）と
の間隔であり、ｆ−ｌｏは定数にである。上式から明ら
かなように、集光スポット（Ｓ）の移動距離Ｘは距離４
が大きくなるほど小さくなり、分解能が悪くなるわけで
ある。寸だ、被検知物体（イ）が近い場合と遠い場合と
における受光素子（２０ａ） （２０ｂ）への入射光が
大違に異なり、判別制御手段（５）が誤動作する場合が
あるという問題があった。すなわち、受光素子（２０ａ
） （２０ｂ）へ入射する被検知物体（３）による反射
光只）の受光量は距離での２乗に反比例するので、距離
ｌが３Ｑｙｒｔｙｔｒ〜３ （１０ｍ漕の範囲で震化す
ｎは受光素子（２０ａ） （２０ｂ）への入射光量は１
０２程度変化する。一方、被検知物体（３）の光反射率
を加味すれば、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）への入
射光量の変化範囲は１０５程度となるが、判別制御手段
（５）のダイナミックレシジをあまｐ大きくとることが
できないので、検知エリア（ＤＥ）を近距離から遠距離
壕で広い範囲に亘って設定することができないという問
題があった。
本発明は上記の点に鑑みて為は牡だものであり、役、受
光手段を被検知物体に対して三角測量的に配置し、受光
用光学系の集光面に配設妊ｎた位置検出手段にて集光ス
ポットの位置に対応した位Ｉｆ １ｇ号に基いて被検知
物体が所定の横加エリア内に存在するかどうがを甲」別
して出力回路を制御するようにした反射型光電スイッチ
において、検知エリアを近距離から遠距離葦での広い範
囲に亘って設定可能（ですることを目的とするものであ
る。
光手段を被検知物体に対して三角測量的に配置し、受光
用光学系の集光面に配設妊ｎた位置検出手段にて集光ス
ポットの位置に対応した位Ｉｆ １ｇ号に基いて被検知
物体が所定の横加エリア内に存在するかどうがを甲」別
して出力回路を制御するようにした反射型光電スイッチ
において、検知エリアを近距離から遠距離葦での広い範
囲に亘って設定可能（ですることを目的とするものであ
る。
（実施例１）
第５図は第１発明の一実施例を示すもので、前記第１図
および第２図に示す基本例における位置検出手段（４）
に代えて、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）を集光スポ
ット（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）と直角方向に連設した
位置検出手段（４ａ）を用いたものであり、受光素子（
２０ａ） （２０ｂ）の硯介線じ）は集光スポット（Ｓ
）の軌跡内に位置し、被検知物体（Ｘ）が移動して集光
スポットＳ）が矢印Ｍ方間に移動した場合における両受
光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光面積差が連続的に
変化するように上１己境介線（Ｅ）を集光スポット（Ｓ
）の移動方向（矢印Ｍ）と直角方向に適当に変位させる
ようにしである。ここに、境介線じ）の変位量は距離ｌ
が変化した場合における集光スポット（Ｓ）の移動距離
Ｘに対する両党光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光面
積比の変化量が略−足になるように設定芒れ、被検知物
体■）が近い（例えば第３図（ａ）の位ｉａ）場合にお
ける両受光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光面積比を
小豆く、遠くなる（で従って（例えは第３図（ａ）の位
置す、ｃ）、両受光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光
面積比が徐々に大きくなるように設定しである。すなわ
ち、集光スポット（Ｓ）の移動距離Ｉは曲述のようにｘ
＝１となり、これをｊラフで示すと第６図のようになる
。ところで、集光スポット（Ｓ）の移動距離Ｘが小ζい
部分での受光素子（２０ａ） （２０ｂ）出力のレベル
比を大さく元素子（２０ａ） （２０ｂ）の面積を変化
筋せれは良いことになる。
および第２図に示す基本例における位置検出手段（４）
に代えて、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）を集光スポ
ット（Ｓ）の移動方向（矢印Ｍ）と直角方向に連設した
位置検出手段（４ａ）を用いたものであり、受光素子（
２０ａ） （２０ｂ）の硯介線じ）は集光スポット（Ｓ
）の軌跡内に位置し、被検知物体（Ｘ）が移動して集光
スポットＳ）が矢印Ｍ方間に移動した場合における両受
光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光面積差が連続的に
変化するように上１己境介線（Ｅ）を集光スポット（Ｓ
）の移動方向（矢印Ｍ）と直角方向に適当に変位させる
ようにしである。ここに、境介線じ）の変位量は距離ｌ
が変化した場合における集光スポット（Ｓ）の移動距離
Ｘに対する両党光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光面
積比の変化量が略−足になるように設定芒れ、被検知物
体■）が近い（例えば第３図（ａ）の位ｉａ）場合にお
ける両受光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光面積比を
小豆く、遠くなる（で従って（例えは第３図（ａ）の位
置す、ｃ）、両受光素子（２０ａ） （２０ｂ）の受光
面積比が徐々に大きくなるように設定しである。すなわ
ち、集光スポット（Ｓ）の移動距離Ｉは曲述のようにｘ
＝１となり、これをｊラフで示すと第６図のようになる
。ところで、集光スポット（Ｓ）の移動距離Ｘが小ζい
部分での受光素子（２０ａ） （２０ｂ）出力のレベル
比を大さく元素子（２０ａ） （２０ｂ）の面積を変化
筋せれは良いことになる。
（第１発明の効果）
以上のように、第１発例は受光用光学系の集光面内に′
配設式れ、被検知物体が光ビームの投光方向に移動した
場合における集光スポットの移動方向と直角方向に連設
された２個の受光素子にて位置検出手段を構成するとと
もに、両受光素子出力のレベル比が予め設定された動作
し′＼ルのとき出力回路をｆｆ：薊させるように＋」別
制御十段を構成し、集光スポットの軌跡内に両受光素子
の境介線位１ｄさせるとともに被検知物体が＄助して集
光スポットが移動した場合に３ける両受光素子の蛍′″
／ｌ、面積が連続的に変化するよう（て上記境介線を集
光スポットの移動方向と直角方向に適当に変位でせるよ
うにしだものでろり、被検知物体までの距離が大きくな
っても分解能が悪くならないよう忙することができ、倹
昶エリアを近距離から遠距離までの広い範囲に亘って正
確に設定でさるという利点を有するものである。
配設式れ、被検知物体が光ビームの投光方向に移動した
場合における集光スポットの移動方向と直角方向に連設
された２個の受光素子にて位置検出手段を構成するとと
もに、両受光素子出力のレベル比が予め設定された動作
し′＼ルのとき出力回路をｆｆ：薊させるように＋」別
制御十段を構成し、集光スポットの軌跡内に両受光素子
の境介線位１ｄさせるとともに被検知物体が＄助して集
光スポットが移動した場合に３ける両受光素子の蛍′″
／ｌ、面積が連続的に変化するよう（て上記境介線を集
光スポットの移動方向と直角方向に適当に変位でせるよ
うにしだものでろり、被検知物体までの距離が大きくな
っても分解能が悪くならないよう忙することができ、倹
昶エリアを近距離から遠距離までの広い範囲に亘って正
確に設定でさるという利点を有するものである。
（実施例２）
第７図は第２発明の一実施例を示すもので、前記第１図
２よび第２図に示す基本例における位置検出手段（４）
と１Ｎ様に、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）を集光ス
ポット（Ｓ）の移Ｗｌ力回（矢印Ｍ）に連設した位置検
出手段（４ｂ）を用いたものであり、被検知物体（幻が
近ずく方向に移動した場合における集光スポット（Ｓ〕
の移動によシ１ＩＩ１１受光累子（２０ａ） （２０ｂ
）の受光面積が小きくなるようにうる受光市ｌＩ限午段
を設けである。第７図（ａ）では受光素子（２０ａ）
（２０ｂ）のべ面にマスク（３０）を被着することによ
り集光スホツ１〜（Ｓ’ｌの移動距離Ｘに対して所定の
受光面績が借られるようにし、第７図（ｂ） （ｃ）で
はそれぞｔ′Ｌ受光累子（２０ａ） （２０ｂ）を端部
が切欠３すされた形状に成形し−ＣＪ−ｙｒｉの受光面
積が得られるようにしだものである。
２よび第２図に示す基本例における位置検出手段（４）
と１Ｎ様に、受光素子（２０ａ） （２０ｂ）を集光ス
ポット（Ｓ）の移Ｗｌ力回（矢印Ｍ）に連設した位置検
出手段（４ｂ）を用いたものであり、被検知物体（幻が
近ずく方向に移動した場合における集光スポット（Ｓ〕
の移動によシ１ＩＩ１１受光累子（２０ａ） （２０ｂ
）の受光面積が小きくなるようにうる受光市ｌＩ限午段
を設けである。第７図（ａ）では受光素子（２０ａ）
（２０ｂ）のべ面にマスク（３０）を被着することによ
り集光スホツ１〜（Ｓ’ｌの移動距離Ｘに対して所定の
受光面績が借られるようにし、第７図（ｂ） （ｃ）で
はそれぞｔ′Ｌ受光累子（２０ａ） （２０ｂ）を端部
が切欠３すされた形状に成形し−ＣＪ−ｙｒｉの受光面
積が得られるようにしだものである。
いま、実施例２にあっては、集光スポット（Ｓ）の＃助
距離Ｘに対する受光面積の変化による受光量の補正は、
被検知物体（Ｘ）が近い場合の集光スポット（Ｓ）に対
する受光面積を小さくするとともに、被検知物体（３）
が遠い場合に訃ける受元面績全犬きくすることにより行
なって′Ｊ？９、距離ｌの変化による受光素子（２０ａ
） （２０ｂ）の受光電光が小きくなるので、判別制御
手取（５）の受光回路（２１ａ） （２１ｂ）、対数増
巾回路（２２ａ） （２２ｂ）などのタイナ三ツクレン
ジが小さい場合にあっても検知エリア（ＤＥ）を近距離
から遠距ｔ４ｔでの広い範囲に亘って設定ｌ８ＩＴ症と
なる。ここに、受光面積の変化は７２の曲線と直線甲を
対称軸として対称な□の曲線に基いて変化させ（Ａ−２
ｍ）２ ｎは、距離βによる受光量の変化ケはぼ＋Ｐシセルでさ
ることＫなる。
距離Ｘに対する受光面積の変化による受光量の補正は、
被検知物体（Ｘ）が近い場合の集光スポット（Ｓ）に対
する受光面積を小さくするとともに、被検知物体（３）
が遠い場合に訃ける受元面績全犬きくすることにより行
なって′Ｊ？９、距離ｌの変化による受光素子（２０ａ
） （２０ｂ）の受光電光が小きくなるので、判別制御
手取（５）の受光回路（２１ａ） （２１ｂ）、対数増
巾回路（２２ａ） （２２ｂ）などのタイナ三ツクレン
ジが小さい場合にあっても検知エリア（ＤＥ）を近距離
から遠距ｔ４ｔでの広い範囲に亘って設定ｌ８ＩＴ症と
なる。ここに、受光面積の変化は７２の曲線と直線甲を
対称軸として対称な□の曲線に基いて変化させ（Ａ−２
ｍ）２ ｎは、距離βによる受光量の変化ケはぼ＋Ｐシセルでさ
ることＫなる。
（第２発明の効果）
以上のように第２発明は、受光用光学系の集光面内に配
設きれ、被検知物体が光じ−６の投光方向に移動した場
合における集光スポットの移動力向に連設された２個の
受光素子にて位置検出手段を構成するとともに、両受光
索子出力のレベル比が予め設定でれた動作レベルのとき
出力回路を作ＵＪ−Ａぜるように判別制御手段を構成し
、被検知物体が近ずく方向に移動した場合における集光
スポットの移動により両受光素子の受光面積が小きくな
るようにする受光制限手段を設けたものでめり、ｅ慣知
物体が近ずくにしたがって受光素子の受光量が少なくな
るようにして被検知物体までの距離４の変化による受光
素子の受光量差が小さくなるので、判別制御手段のタイ
ナミツクし、：７ジが小装い賜せにあっても検知エリア
を近距離から遠距離オでの広い範囲に亘って設定するこ
とができるという利点を有する。
設きれ、被検知物体が光じ−６の投光方向に移動した場
合における集光スポットの移動力向に連設された２個の
受光素子にて位置検出手段を構成するとともに、両受光
索子出力のレベル比が予め設定でれた動作レベルのとき
出力回路を作ＵＪ−Ａぜるように判別制御手段を構成し
、被検知物体が近ずく方向に移動した場合における集光
スポットの移動により両受光素子の受光面積が小きくな
るようにする受光制限手段を設けたものでめり、ｅ慣知
物体が近ずくにしたがって受光素子の受光量が少なくな
るようにして被検知物体までの距離４の変化による受光
素子の受光量差が小さくなるので、判別制御手段のタイ
ナミツクし、：７ジが小装い賜せにあっても検知エリア
を近距離から遠距離オでの広い範囲に亘って設定するこ
とができるという利点を有する。
＄１図、は不発明に係る基本例の構成を示す図、第２図
は同上のづＯツク回路図、第３、図および第４図は同上
の前作説明図、第５図は本発明一実施例の動作および構
成を示す要部上面図、第６図は同上の前作説明図、第７
図（ａ） （ｂ） （Ｃ＞は他の実施例の狭部上面図、
第８図は同上の前作説明図である（１）は投光手段、（
２）は受光手段、＋３）ｉｄ受光用光学系、（４）は位
置検出手段、（５）は判別制御手段、（６）は出力回路
、（２０ａ） （２０ｂ）は受光素子でろる。 代理人 升埋士 石 １）艮 七 第５図 第６図 ｍ １−
は同上のづＯツク回路図、第３、図および第４図は同上
の前作説明図、第５図は本発明一実施例の動作および構
成を示す要部上面図、第６図は同上の前作説明図、第７
図（ａ） （ｂ） （Ｃ＞は他の実施例の狭部上面図、
第８図は同上の前作説明図である（１）は投光手段、（
２）は受光手段、＋３）ｉｄ受光用光学系、（４）は位
置検出手段、（５）は判別制御手段、（６）は出力回路
、（２０ａ） （２０ｂ）は受光素子でろる。 代理人 升埋士 石 １）艮 七 第５図 第６図 ｍ １−
Claims (1)
- （］）被検知物体に対して光ビームを投光する投光手段
と、投光手段から所定間隔をもって配設ぜれ光軸が光ビ
ームと交叉し４＆検検知棒による光ビームの反射光を集
光する受光用光学系と、受光用光学系の集光面に配設さ
れ集光スポットの泣置昏て対応した位置信号を出力する
位置検出手段と、位置検出手段出力に基いて被検知物体
が所足倹知エリア内に存在するかどうかを判別して出力
回路を制御する判別制御手段とをへ備して成る反射型光
電スイッチにおいて、受光用光学系の集光面内に配設す
れ、被検知物体が光ビームの投光方向に移動した場合に
おける集光スポットの移動方向と直角方向に連設でれた
２個の受光素子に−Ｃ位置検出手段を構成するとともＫ
、両受光素子出力のレベ１し比が予め設定された動作レ
ベルのとき出力回路を作動させるように判別制御手段を
構成し、集光スポットの軌跡内に両受光素子の境介線を
位置させるとともに被検知物体が移動して集光スポット
が移動した場合における両受光素子の受光面積が連続的
に変化するように上記境介線を集光スポットの移動方向
と直角方向に適当に変位させるようにして成ることを特
徴とする反射型光電スイッチ（２）被検知物体に対して
光ビームを投光する投光手段と、投光手段から所定間隔
をもって配役さｎ光軸が光ビームと交叉し被検知物体に
よる光ビームの反射光乞集光する受光用光学系と、受光
用光学系の集光面に配設きれ集光スポットの位置に対応
した位置信号を出力する位置検出手段と、位置検出手段
出力に基いて被検知物体が所定検知エリア内に存在する
かどうかを判別して出力回路を制御する判別制御手段と
を具備して成る反射型光電スイッチにおいて、受光用光
学系の集光面内に配設さ７Ｌ、被検５１′Ｉ′Ｉ吻休が
光ビームの投光方向に移動した場合における集光スポッ
トの移動方向に連設された２個の受光素子にて位置検出
手段を構成するとともに、両受光素子出力のレベル比が
予め設定された動作レベルのときｍ力回路を作＃芒せる
ように判別制御手段を構成し、被検知物体が近すく方向
に移動した場合における集光スポットの移動により両受
光素子の受光面積が小でくなるようにする受光制限手段
を設けたことを特徴とする反射型光電スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58014124A JPS59139519A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 反射型光電スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58014124A JPS59139519A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 反射型光電スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139519A true JPS59139519A (ja) | 1984-08-10 |
| JPH0332757B2 JPH0332757B2 (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=11852372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58014124A Granted JPS59139519A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 反射型光電スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61105477A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Nec Corp | レ−ザ光警報装置 |
| JPS61204577A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Hitachi Cable Ltd | 反射型光センサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919810A (ja) * | 1972-04-15 | 1974-02-21 | ||
| JPS57172269A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Limited reflection type photoelectric detector |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP58014124A patent/JPS59139519A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919810A (ja) * | 1972-04-15 | 1974-02-21 | ||
| JPS57172269A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Limited reflection type photoelectric detector |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61105477A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Nec Corp | レ−ザ光警報装置 |
| JPH045352B2 (ja) * | 1984-10-29 | 1992-01-31 | ||
| JPS61204577A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Hitachi Cable Ltd | 反射型光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0332757B2 (ja) | 1991-05-14 |
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