JPS5829533B2 - オンドホシヨウカイロ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は温度変化により出力電圧が変動するのを防止し
た定電流型の温度補償回路に関するものである。

第１図はダイオードを用いた従来の温度補償回路で、出
力端から見て温度係数が負の場合の例である。

即ち一対のＮＰＮ型トランジスタＱ１．Ｑ２を有した差
動増巾回路において、伺らかの原因で温度が上昇してト
ランジスタＱ２のコレクタ電流が増大した場合トランジ
スタＱ２の出力端ａ１点の電位が下がる。

しかしｎ個のダイオードＤ１〜Ｄｎの順方向電圧Ｖｆは
温度によって変化し、温度が上がるとＶｆが下がるので
、トランジスタＱ３のベース電圧は一定化され、従って
出力電圧Ｖｏも一定化されるものである。

第２図は同じ〈従来の温度補償回路で、出力端から見て
温度係数が正の場合の例である。

即ち一対のトランジスタＱ１．Ｑ２を有した差動増巾回
路において、伺らかの原因で温度が上昇してトランジス
タＱ２の負荷電流が減少した場合、トランジスタＱ２の
出力端ａ１点の電位が上がる。

するとトランジスタＱ１４のエミッタのｂ１点の電位も
上がるが、ｎ個のＰＮＰＮＰＮランジスタｎのベース・
エミッタ間電圧ＶＢＥが小になるので、トランジスタｎ
のベース電圧は一定化され、従って出力電圧Ｖｏも一定
化されるものである。

しかしながら第１図、第２図のような従来回路では、挿
入した温度補償回路を信号が通過していくので、回路特
性が悪くなり、特に周波数特性が悪くなったり、波形歪
が生じたりする。

また複数個のダイオードまたはトランジスタのＶｆの温
度依存性を利用して温度補償を行なっているので、段階
的にしか温度係数を選ぶことができない。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、上記欠点を一掃した定電流型の温度補償
回路を提供することにある。

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第３図は出力端から見て温度係数が負の場合の実施例で
ある。

図中Ｑ３１ 、Ｑ３□は差動増巾回路３１が有した一対
のトランジスタで、トランジスタＱ３１のベースは抵抗
Ｒ１を介して入力端子３２に接続され、トランジスタＱ
３□のベースは抵抗Ｒ２を介して入力端子３２に接続さ
れると共にコンデンサＣを介してアースされている。

トランジスタＱ３１．Ｑ３□のエミッタは共通に接続さ
れると共に抵抗Ｒ３を介してアースされている。

トランジスタＱ３１のコレクタは電源電圧Ｖｃが供給さ
れる電源端子３３に接続され、トランジスタＱ３２のコ
レクタはこのトランジスタＱ３□により駆動される負荷
抵抗ＲＡを介して電源端子３３に接続されると共にトラ
ンジスタＱ３４のベースに接続されている。

トランジスタＱ３４のコレクタは電源端子３３に接続さ
れ、トランジスタＱ３４のエミッタは出力端子３４に接
続されると共に抵抗Ｒ４を介してアースされている。

点線で囲まれた部分の回路は温度補償回路であり、この
温度補償回路３５のＮＰＮ型トランジスタＱ３３のコレ
クタは負荷抵抗ＲＡの駆動用トランジスタＱ３２の出力
端即ちａａｔ点に接続され、トランジスタＱ３３のエミ
ッタは抵抗ＲＢを介してアースされ、トランジスタＱ３
３のベースは抵抗Ｒｃを介して電源端子３３に接続され
ると共にｎ個のダイオードＤ３１〜Ｄ３ｏを順方向直列
に介してアースされている。

上記の如く構成された回路において、伺らかの原因で温
度が上昇してトランジスタＱ３２のコレクタ電流が増大
した場合を考えると、上記温度上昇によりダイオードＤ
３１〜Ｄ３ｎの各順方向電圧Ｖｆも減少するので、トラ
ンジスタＱ３３のベース電位が下がる。

するとトランジスタＱ３３のコレクタ・エミッタ間に流
れる電流も減少するので、負荷抵抗ＲＡに流れる電流を
一定化でき、８３３点の電位を一定化できるため出力端
子３４の出力電圧■。

の温度による変動を防止できるものである。

第４図は本発明の他の実施例で、第３図の場合とは逆に
温度係数が正の場合の例である。

この回路の構成については、第３図のダイオードＤ３１
〜Ｄ３ｎをバイアス抵抗Ｒｏで置き換え、ダイオードＤ
３１〜Ｄ３ｎをトランジスタＱ３３のエミッタと抵抗Ｒ
Ｂとの間に介挿したもので、温度補償回路４１の一部が
相異するだけであり、他は第３図と同様であるから対応
する個所には同一符号を付して説明を省略する。

この回路の動作は、伺らかの原因で温度が上昇してトラ
ンジスタＱ３２のコレクタ電流が減少すると、上記温度
上昇によりダイオードＤ３］〜Ｉ）ａｎの各順方向電圧
Ｖｆも減少するので、トランジスタＱ３３のコレクタ・
エミッタ間に流れる電流が増大し、従って負荷抵抗ＲＡ
に流れる電流を一定化できるため、出力端子３４の出力
電圧■。

の温度による変動を防止できるものである。

第３図及び第４図に示す回路において、トランジスタＱ
３３のコレクタから見たインピーダンスは非常に高い（
定電流型）ので、温度補償回路はトランジスタＱ３２の
負荷にはほとんど影響をおよぼさない。

また信号はトランジスタＱ３２のコレクタからトランジ
スタＱ３４のベースへ直接通過するので、温度補償回路
には信号が通ることはなく、従って回路特性が良好に保
持される。

また、第４図の３３１点の電圧は、温度補償回路を挿入
した場合ＪＶだけ変化し、温度に対する変化は となり、抵抗ＲＡ ｔ ＲＢの比を変えることにより任
意の温度係数を得ることができる。

従って２３１点で電圧がＪＶだけ変動した場合、温度補
償回路でＪＶだけ温度補償することが可能である。

第５図は第３図及び第４図の回路の温度Ｔ−ＪＶ関係図
である。

負荷抵抗駆動用素子の出力端とその出力信号が入力され
るトランジスタのベースとの間にコレクタ側が接続され
たＮＰＮ型トランジスタと、このトランジスタのエミッ
タと接地端子との間に設けられた抵抗と、電源端子と接
地端子との間にインピーダンス素子とダイオードとを直
列接続しこれらインピーダンス素子とダイオードとの間
を前記トランジスタのベースに接続するバイアス回路と
を具備したことを特徴とし、また負荷抵抗駆動用素子の
出力端とその出力信号が入力されるトランジスタのベー
スとの間にコレクタ側が接続されたＮＰＮ型トランジス
タと、このトランジスタのエミッタと接地端子との間に
直列接続されたダイオード及び抵抗と、前記トランジス
タのベースに接続されたバイアス回路とを具備したこと
を特徴とするものであるから、回路特性が良好でかつ任
意の温度係数が得られる。

従って、勿論出力電圧■ｏの温度係数を零にすることも
できるし、例えば出力■ｏの次段に、成る温度係数を有
する回路が接続された場合にも、その回路の温度係数を
考慮して出力電圧ＶＯの温度係数を任意に調整できるな
どの利点を有した温度補償回路が提供できるものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の温度補償回路図、第３図は本
発明の一実施例の回路図、第４図は本発明の他の実施例
の回路図、第５図はＴ−、ＪＶ関係図である。 ＲＡ 、Ｒｎ・・・・・・抵抗、Ｑ３３・・・・・・ト
ランジスタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 負荷抵抗駆動用素子の出力端とその出力信号が入力
   されるトランジスタのベースとの間にコレクタ側が接続
   されたＮＰＮ型トランジスタと、このトランジスタのエ
   ミッタと接地端子との間に設けられた抵抗と、電源端子
   と接地端子との間にインピーダンス素子とダイオードと
   を直列接続しこれらインピーダンス素子とダイオードと
   の間を前記トランジスタのベースに接続するバイアス回
   路とを具備したことを特徴とする定電流型の温度補償回
   路。 ２ 負荷抵抗駆動用素子の出力端とその出力信号が入力
   されるトランジスタのベースとの間にコレクタ側が接続
   されたＮＰＮ型トランジスタと、このトランジスタのエ
   ミッタと接地端子との間に直列接続されたダイオード及
   び抵抗と、前記トランジスタのベースに接続されたバイ
   アス回路とを具備したことを特徴とする定電流型の温度
   補償回路。