JPS58222092A - 3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法 - Google Patents
3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法Info
- Publication number
- JPS58222092A JPS58222092A JP10570482A JP10570482A JPS58222092A JP S58222092 A JPS58222092 A JP S58222092A JP 10570482 A JP10570482 A JP 10570482A JP 10570482 A JP10570482 A JP 10570482A JP S58222092 A JPS58222092 A JP S58222092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ester
- mixture
- acid
- ammonium
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は3−メチレンセファム化合物またはその塩類
の製造法に関する。さらに詳しくは、この発明は抗菌活
性を有する3−セフェム化合物、例えばヨーロッパ特許
公開第9671号に開示されたような、7−(2−(2
−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミド〕−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)またはその塩類の製造中間体として有用な3−
メチレンセファム化合物の新規製造法に関する。
の製造法に関する。さらに詳しくは、この発明は抗菌活
性を有する3−セフェム化合物、例えばヨーロッパ特許
公開第9671号に開示されたような、7−(2−(2
−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミド〕−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)またはその塩類の製造中間体として有用な3−
メチレンセファム化合物の新規製造法に関する。
この発明によれば、一般式
1式中 R1はアミノ捷たは保護されたアミン基、R2
はカルボキシまだは保護されたカルボキシ基を意味する
1で示される3−メチレンセファム化合物またはその塩
類は、一般式 R3はノ・ロゲン捷だは適当な置換基によって置換され
ていてもよい複素環チオ基を意味する]で示される化合
物捷たはその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組
合わせによって還元することにより製造することができ
る。
はカルボキシまだは保護されたカルボキシ基を意味する
1で示される3−メチレンセファム化合物またはその塩
類は、一般式 R3はノ・ロゲン捷だは適当な置換基によって置換され
ていてもよい複素環チオ基を意味する]で示される化合
物捷たはその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組
合わせによって還元することにより製造することができ
る。
電解還元法(特公昭51−5396’j3;以下「先行
技術A」と呼ぶ)、または、接触還元捷たけ金属と酸と
の組合わせを用いる化学的還元(特開昭47−2018
8号;以下[先行技術B jと呼ふ)、または金属と酸
との組合わせを用いる化学的還元(特開昭50−105
6.82号:以下「先行技術C」と呼ぶ)によって、化
合物[111から化合物[I]を製造することは公知で
ある。
技術A」と呼ぶ)、または、接触還元捷たけ金属と酸と
の組合わせを用いる化学的還元(特開昭47−2018
8号;以下[先行技術B jと呼ふ)、または金属と酸
との組合わせを用いる化学的還元(特開昭50−105
6.82号:以下「先行技術C」と呼ぶ)によって、化
合物[111から化合物[I]を製造することは公知で
ある。
しかしながら、これらの公知の製造法の場合、収率が低
く[先行技術Aの実施例1oでは、7−(LH−テトラ
ゾール−1−イルアセトアミド)−3−(5−メチル−
1,3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸のナトリウム塩から7−
(1,H−テトラゾ−#−1−1/L=7−tF7E
)’)−3−だl/ > (! 、 l+、、
jファム−4−カルボン酸のナトリウム塩が約lO%の
収率で得られ、先行技術Bの実施例11および12では
7−(2−チェニルアセトアミド)−3−(1−メチル
−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸のナトリウム塩から7−(2−
チェニルアセドアいる]、多量の3−メチル−3−セフ
ェム化合物が目的化合物[I]の純度を低下させる副生
成物として生成している。
く[先行技術Aの実施例1oでは、7−(LH−テトラ
ゾール−1−イルアセトアミド)−3−(5−メチル−
1,3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸のナトリウム塩から7−
(1,H−テトラゾ−#−1−1/L=7−tF7E
)’)−3−だl/ > (! 、 l+、、
jファム−4−カルボン酸のナトリウム塩が約lO%の
収率で得られ、先行技術Bの実施例11および12では
7−(2−チェニルアセトアミド)−3−(1−メチル
−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸のナトリウム塩から7−(2−
チェニルアセドアいる]、多量の3−メチル−3−セフ
ェム化合物が目的化合物[I]の純度を低下させる副生
成物として生成している。
従って、目的化合物[I]を高収率、かつ高純度で製造
する方法が提供されることは極めて望ましいことであり
、この発明によってその目的が達成された。
する方法が提供されることは極めて望ましいことであり
、この発明によってその目的が達成された。
目的化合物[11および原料化合物間の好ましい塩類は
慣用の無毒性塩であり、例えば、ナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩および例えば、カルシウム塩、
マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩のような金属塩
;アンモニウム塩;例えば、トリメチルアミン塩、トリ
エチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘ
キシルアミン塩、N、N’−ジベンジルエチレンジアミ
ン塩等の有機塩基塩;例えば、酢酸塩、マレイン酸塩、
酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ケイ皮酸塩、P−クロ
ロケイ皮酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエ
ンスルホン酸塩等の有機酸塩;例えは、塩酸塩、臭化水
素酸塩、ヨク化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸
塩;アミノ酸(例えば、アルギニン、アスパラギン酸、
グルタミン酸等)との塩等があげられる。
慣用の無毒性塩であり、例えば、ナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩および例えば、カルシウム塩、
マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩のような金属塩
;アンモニウム塩;例えば、トリメチルアミン塩、トリ
エチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘ
キシルアミン塩、N、N’−ジベンジルエチレンジアミ
ン塩等の有機塩基塩;例えば、酢酸塩、マレイン酸塩、
酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ケイ皮酸塩、P−クロ
ロケイ皮酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエ
ンスルホン酸塩等の有機酸塩;例えは、塩酸塩、臭化水
素酸塩、ヨク化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸
塩;アミノ酸(例えば、アルギニン、アスパラギン酸、
グルタミン酸等)との塩等があげられる。
この明細書の前記記載および以下の記載におけるこの発
明の種々の定義の適当な例と説明とを以下詳細に述べる
。
明の種々の定義の適当な例と説明とを以下詳細に述べる
。
この明細書では特に指示がなければ、「低級」とは炭素
原子1〜6個を有する基を意味し、[−高級」とは伏素
原子7〜18個を有する基を意味する。
原子1〜6個を有する基を意味し、[−高級」とは伏素
原子7〜18個を有する基を意味する。
適当な「保護されたアミノ基」には、セファロスポリン
化合物およびペニシリン化合物で7位または6位のアミ
7基の保護基として使用される慣用の適当な保護基によ
って置換されたアミノ基が含まれ、好ましい[保護され
たアミ7基、10例としてはアシルアミノ;ベンジルア
ミノ、トリチルアミノ等のフェニル(低級)アルキルア
ミノ等が挙けられる。
化合物およびペニシリン化合物で7位または6位のアミ
7基の保護基として使用される慣用の適当な保護基によ
って置換されたアミノ基が含まれ、好ましい[保護され
たアミ7基、10例としてはアシルアミノ;ベンジルア
ミノ、トリチルアミノ等のフェニル(低級)アルキルア
ミノ等が挙けられる。
[アジルア、ミノ」の適当な「アシル部分」としては脂
肪族アシル基、および芳香族環を含むアシル基すなわち
芳香族アシル基まだは複素環を含むアシル基すなわち複
素環アシル基が挙げられる。
肪族アシル基、および芳香族環を含むアシル基すなわち
芳香族アシル基まだは複素環を含むアシル基すなわち複
素環アシル基が挙げられる。
nfj記アシアシル捷しい例を次に例示する。
例L (rf 、ホルミル、アセチル、プロピオニル、
ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、ス
テアロイル等の低級捷だは高級アルカノイル、例工ば、
メトキシカルボニル ボニル、t−ブトキシカルボニル、t−ペンチルオキシ
カルボニル、ヘプチルオキシカルボニル等の低級または
高級アルコキシカルボニル;例えば、メクンスルポニル
、エクンスルホニル等の低級または高級アルカンスルホ
ニル等のような脂肪族アシル。
ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、ス
テアロイル等の低級捷だは高級アルカノイル、例工ば、
メトキシカルボニル ボニル、t−ブトキシカルボニル、t−ペンチルオキシ
カルボニル、ヘプチルオキシカルボニル等の低級または
高級アルコキシカルボニル;例えば、メクンスルポニル
、エクンスルホニル等の低級または高級アルカンスルホ
ニル等のような脂肪族アシル。
例エバ、ヘンジイル、トルオイル、ナフトイル等のアロ
イル;例えば、フェニルアセチル、フェニルプロピオニ
ル等のフェニル([1.)アルカノイルのよりなアル(
低級)アルヵノイ・ ;例えば、フェノキシカルボニル ニルアセチル、フェノキシプロピオニル等のフェノキシ
(低級)アルカノイルのようなアリールオキシ(低1f
&)アルカノイル;例えば、フェニルグリオキシロイノ
ペナフチルグリオキシロイル等のアリールグリオキシロ
イル;例えば、ベンゼンスルホニル、p−トルエンスル
ホニル等のアレーンスルホニル等のような芳香族アシル
。
イル;例えば、フェニルアセチル、フェニルプロピオニ
ル等のフェニル([1.)アルカノイルのよりなアル(
低級)アルヵノイ・ ;例えば、フェノキシカルボニル ニルアセチル、フェノキシプロピオニル等のフェノキシ
(低級)アルカノイルのようなアリールオキシ(低1f
&)アルカノイル;例えば、フェニルグリオキシロイノ
ペナフチルグリオキシロイル等のアリールグリオキシロ
イル;例えば、ベンゼンスルホニル、p−トルエンスル
ホニル等のアレーンスルホニル等のような芳香族アシル
。
例工ば、テノイル、フロイル、ニコチノイル等の複素環
カルボニル;例えば、チェニルアセチル、チアゾリルア
セチル、テトラゾリルアセチル等の複素環(低級)アル
カノイル;例えば、チアゾリルグリオキシロイル、チェ
ニルグリオキシ。イ/l/等の複素環グリオキシロイル
等のような複素環アシル;この場合前記「複素環カルボ
ニル」、[複 ′亨素環(低級)アルカノ
イル−1および「複素環グリオキシロイル」の複素環部
分は、さらに詳しくは、酸素原子、イオウ原子、窒素原
子等のようなヘテロ原子を少なくとも1個含む飽和また
は不飽和、単環式または多環式複素環基を意味する。
カルボニル;例えば、チェニルアセチル、チアゾリルア
セチル、テトラゾリルアセチル等の複素環(低級)アル
カノイル;例えば、チアゾリルグリオキシロイル、チェ
ニルグリオキシ。イ/l/等の複素環グリオキシロイル
等のような複素環アシル;この場合前記「複素環カルボ
ニル」、[複 ′亨素環(低級)アルカノ
イル−1および「複素環グリオキシロイル」の複素環部
分は、さらに詳しくは、酸素原子、イオウ原子、窒素原
子等のようなヘテロ原子を少なくとも1個含む飽和また
は不飽和、単環式または多環式複素環基を意味する。
1−2中、とくに好ましい複素環基としては、例えば、
ピロリル、ピロリニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピ
リジルおよびそのN−オキシド、ジヒドロピリジル、ピ
リミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、トリアゾリル
(例えば、jH−1.2。
ピロリル、ピロリニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピ
リジルおよびそのN−オキシド、ジヒドロピリジル、ピ
リミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、トリアゾリル
(例えば、jH−1.2。
4−トリアゾリル、IH−1.2.3−トリアゾリル、
2H−1.2.3−トリアゾリル等)、テトラゾリル(
例えば、lH〜テトラゾリノへ 2H−テトラゾリル等
)等の窒素原子1〜4個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好捷しくは5捷たは6員環)の単環式複素環基;例え
ば、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピ
ペラジニル等の窒素原子1〜4個を含む飽和3〜8員環
(さらに好ましくは5″!.たは6員環)の単環式複素
環基;例えば、インドリノベインインドリル、イントリ
ジニル、ペンズイミグゾリル、キノリル、イソキノリル
、イミダゾリル、ベンゾトリアゾリル等の窒素原子1〜
4個を含む不飽和縮合複素環基;例えば、オキサシリル
、イソオキサシリル、オキサジアゾリル(例えば、1,
2. 4−オキサジアゾリル、1, 3. 4−オキ
サジアゾリル、1,2.5−オキサジアゾリル等)等の
酸素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和
3〜8員環(さらに好ましくは5捷たけ6員環)の単環
式複素環基;例えば、モルホリニル、シトノニル等の酸
素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜
8員環(さらに好ましくは5または6員環)の単環式複
素環基;例えば、ベンズオキサシリル、ベンズオキサジ
アゾリル等の酸素原子1〜2個および窒素原子1〜3個
を含む不飽和縮合複素環基;例えば、チアゾリル、イン
チアゾリル、チアジアゾリル(例えば、1, 2. 3
−チアジアゾリル、1,2.4−チアジアゾリル、l,
3. 4−チアジアゾリル、l, 2. 5−チアジ
アゾリル等)、ジヒドロチアジニル等のイオウ原子1〜
2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3〜8員環(
さらに好ましくは5または6員環)の単環式複素環基;
例えば、チアゾリジニル等のイオウ原子1〜2個および
窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8員環(さらに好捷し
くけ5捷だは6員環)の単環式複素環基;例えば、チェ
ニル、ジヒドロジチイニル等のイオウ原子1〜2個を含
む不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5″if、たは
6損環)の中履式複素環基;例えば、ベンゾチアゾリル
、ベンゾチアジアゾリル等のイオウ原子1〜2個および
窒素原子1〜3個を含む不飽和縮合複素環基:例えば、
フリル等の酸素原子1個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好ましくは5または6員環)の中履式複素環基;例え
ば、ジヒドロオキサチイニル等の酸素原子1個およびイ
オウ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員環(さらに好ま
しくは5まだは6例環)の単環式複素環基;例えば、ベ
ンゾチェニル、ペンゾジチイニル等のイオウ原子1〜2
個を含む不飽和縮合複素環基;例えばベンゾオキサチイ
ニル等の酸素原子1個およびイオウ原子1〜2個を含む
不飽和縮合複素環基等のような複素環基か挙げられる。
2H−1.2.3−トリアゾリル等)、テトラゾリル(
例えば、lH〜テトラゾリノへ 2H−テトラゾリル等
)等の窒素原子1〜4個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好捷しくは5捷たは6員環)の単環式複素環基;例え
ば、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピ
ペラジニル等の窒素原子1〜4個を含む飽和3〜8員環
(さらに好ましくは5″!.たは6員環)の単環式複素
環基;例えば、インドリノベインインドリル、イントリ
ジニル、ペンズイミグゾリル、キノリル、イソキノリル
、イミダゾリル、ベンゾトリアゾリル等の窒素原子1〜
4個を含む不飽和縮合複素環基;例えば、オキサシリル
、イソオキサシリル、オキサジアゾリル(例えば、1,
2. 4−オキサジアゾリル、1, 3. 4−オキ
サジアゾリル、1,2.5−オキサジアゾリル等)等の
酸素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和
3〜8員環(さらに好ましくは5捷たけ6員環)の単環
式複素環基;例えば、モルホリニル、シトノニル等の酸
素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜
8員環(さらに好ましくは5または6員環)の単環式複
素環基;例えば、ベンズオキサシリル、ベンズオキサジ
アゾリル等の酸素原子1〜2個および窒素原子1〜3個
を含む不飽和縮合複素環基;例えば、チアゾリル、イン
チアゾリル、チアジアゾリル(例えば、1, 2. 3
−チアジアゾリル、1,2.4−チアジアゾリル、l,
3. 4−チアジアゾリル、l, 2. 5−チアジ
アゾリル等)、ジヒドロチアジニル等のイオウ原子1〜
2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3〜8員環(
さらに好ましくは5または6員環)の単環式複素環基;
例えば、チアゾリジニル等のイオウ原子1〜2個および
窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8員環(さらに好捷し
くけ5捷だは6員環)の単環式複素環基;例えば、チェ
ニル、ジヒドロジチイニル等のイオウ原子1〜2個を含
む不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5″if、たは
6損環)の中履式複素環基;例えば、ベンゾチアゾリル
、ベンゾチアジアゾリル等のイオウ原子1〜2個および
窒素原子1〜3個を含む不飽和縮合複素環基:例えば、
フリル等の酸素原子1個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好ましくは5または6員環)の中履式複素環基;例え
ば、ジヒドロオキサチイニル等の酸素原子1個およびイ
オウ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員環(さらに好ま
しくは5まだは6例環)の単環式複素環基;例えば、ベ
ンゾチェニル、ペンゾジチイニル等のイオウ原子1〜2
個を含む不飽和縮合複素環基;例えばベンゾオキサチイ
ニル等の酸素原子1個およびイオウ原子1〜2個を含む
不飽和縮合複素環基等のような複素環基か挙げられる。
前記定義のアシル部分は1〜10個の、同一または異な
る適当な置換基によって置換さねていてもよく、置換基
の例としては、例え1/J′、メチル、エチル等の低級
アルキル:例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等
の低級アルコキシ、例えば、メチルチオ、エチルチオ等
の低級アルギルチオ;例えば、メヂルアミ7等の低級ア
ルギルアミ/;例tff、シクロペンチル、シクロへキ
シル等のシクロ(低級)アルギル;例えば、シクロへギ
ルニル、シクロへキサジェニル等のシクロ(低級)アル
ケニル;ヒドロキシ、例tば、クロロ、ブロモ等のハロ
ゲン;アミノ;前述の保護されたアミノ:シアノ;二1
・ロ;カルボキシ;後に述へる保護されたカルボキシ:
スルホ ミノ;オキソ;例えば、アミンメチル、アミノエチル等
のアミン(低級)アルキル等が好捷しい置換基として挙
げられる。
る適当な置換基によって置換さねていてもよく、置換基
の例としては、例え1/J′、メチル、エチル等の低級
アルキル:例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等
の低級アルコキシ、例えば、メチルチオ、エチルチオ等
の低級アルギルチオ;例えば、メヂルアミ7等の低級ア
ルギルアミ/;例tff、シクロペンチル、シクロへキ
シル等のシクロ(低級)アルギル;例えば、シクロへギ
ルニル、シクロへキサジェニル等のシクロ(低級)アル
ケニル;ヒドロキシ、例tば、クロロ、ブロモ等のハロ
ゲン;アミノ;前述の保護されたアミノ:シアノ;二1
・ロ;カルボキシ;後に述へる保護されたカルボキシ:
スルホ ミノ;オキソ;例えば、アミンメチル、アミノエチル等
のアミン(低級)アルキル等が好捷しい置換基として挙
げられる。
適当な「保護されたカルボキシ基」には、セファロスポ
リン化合物およびペニシリン化合物の場合に4位また/
i.3位のカルボキシ基のカルボキシ保護基として通常
使用される慣用の保護基によって置換されたカルボキシ
基が含まれ、例えば、エステル化されたカルボキシ基が
挙げられる。
リン化合物およびペニシリン化合物の場合に4位また/
i.3位のカルボキシ基のカルボキシ保護基として通常
使用される慣用の保護基によって置換されたカルボキシ
基が含まれ、例えば、エステル化されたカルボキシ基が
挙げられる。
前記エステルの好捷しい例は、例えば、メチルエステル
、エチルエステル、フロビルエステル、イソプロピルエ
ステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、t−ブ
チルエステル、ペンチルエステル、t−ペンチルエステ
ル、ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル;例え
ば、1−シフ1 ロプロピルエチルエステ
ル等の低級シクロアルキル(4J[)アルキルエステル
、例tばビニルエステル、アリルエステル等の低級アル
クニルエステル;例tば、エチニルエステル、プロピニ
ルエステル等の低級アルキニルエステル;例えば、メト
キシメチルエステル、エトキシメチルエステル、イソプ
ロポキシメチルエステル、1−メトキシエチルエステル
、l−エトキシエチルエステル等の低級アルコキシ(低
級)アルキルエステル;例えば、メチルチオメチルエス
テル、エチルチオメチルエステル、エチルチオエチルエ
ステル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級アル
キルチオ(低級)アルキルエステル;例えば、2=ヨー
化エチルエステル、2,2.2 − トIJ クロロエ
チルエステル等のモノ(またけジまたはトリ)ハロ(低
級)アルキルエステル;例えば、アセトキシメチルエス
テル、プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオ
キシメチルエステル、バレリルオキシメチルエステル、
ピパロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシ
メチルエステル、2−アセトキシエチルエステル、2−
−10ピオニルオキシエチルエステル等の低級アルカノ
イルオキシ(低級)アルキルエステル;例えば、メシル
メチルエステル、2−メシルエチルエステル等の低級ア
ルカンスルホニル(低級)アルキルエステル;例えば、
ニトロ、ヒドロキシ、低級アルコキシ等のような適当な
置換基によって任意に置換されていてもよいモノ(捷た
はジまたはトリ)フェニル(低級)アルキルエステル〔
例えば、ベンジルエステル、4−メトキシベンジルエス
テル、4−ニトロベンジルエステル、フロビルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキジフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−シーt
−ブチルベンジルエステル等]のようなアル(KR)ア
ルキルエステル;例えば、フェニルエステル、トリルエ
ステル、t−ブチルフェニルエステル、キシリルエステ
ル、メシチルエステル、クメニルエステル、4−タロロ
フェニルエステル、4−メトキシフェニルエステル等の
、ハロゲン、アルキル、低級アルコキシ等の適当な置換
基によって任意に置換されていてもよいフェニルエステ
ルのようなアリールエステル;シリルエステル[例えば
、トリ(低級)アルキルシリルエステル等]等のような
エステルである。
、エチルエステル、フロビルエステル、イソプロピルエ
ステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、t−ブ
チルエステル、ペンチルエステル、t−ペンチルエステ
ル、ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル;例え
ば、1−シフ1 ロプロピルエチルエステ
ル等の低級シクロアルキル(4J[)アルキルエステル
、例tばビニルエステル、アリルエステル等の低級アル
クニルエステル;例tば、エチニルエステル、プロピニ
ルエステル等の低級アルキニルエステル;例えば、メト
キシメチルエステル、エトキシメチルエステル、イソプ
ロポキシメチルエステル、1−メトキシエチルエステル
、l−エトキシエチルエステル等の低級アルコキシ(低
級)アルキルエステル;例えば、メチルチオメチルエス
テル、エチルチオメチルエステル、エチルチオエチルエ
ステル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級アル
キルチオ(低級)アルキルエステル;例えば、2=ヨー
化エチルエステル、2,2.2 − トIJ クロロエ
チルエステル等のモノ(またけジまたはトリ)ハロ(低
級)アルキルエステル;例えば、アセトキシメチルエス
テル、プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオ
キシメチルエステル、バレリルオキシメチルエステル、
ピパロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシ
メチルエステル、2−アセトキシエチルエステル、2−
−10ピオニルオキシエチルエステル等の低級アルカノ
イルオキシ(低級)アルキルエステル;例えば、メシル
メチルエステル、2−メシルエチルエステル等の低級ア
ルカンスルホニル(低級)アルキルエステル;例えば、
ニトロ、ヒドロキシ、低級アルコキシ等のような適当な
置換基によって任意に置換されていてもよいモノ(捷た
はジまたはトリ)フェニル(低級)アルキルエステル〔
例えば、ベンジルエステル、4−メトキシベンジルエス
テル、4−ニトロベンジルエステル、フロビルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキジフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−シーt
−ブチルベンジルエステル等]のようなアル(KR)ア
ルキルエステル;例えば、フェニルエステル、トリルエ
ステル、t−ブチルフェニルエステル、キシリルエステ
ル、メシチルエステル、クメニルエステル、4−タロロ
フェニルエステル、4−メトキシフェニルエステル等の
、ハロゲン、アルキル、低級アルコキシ等の適当な置換
基によって任意に置換されていてもよいフェニルエステ
ルのようなアリールエステル;シリルエステル[例えば
、トリ(低級)アルキルシリルエステル等]等のような
エステルである。
適当な「ハロゲン」には塩素、臭素、ヨク素等が含捷れ
る。
る。
[−複素環チオ基−1の適当な「複素環1部分は、酸素
原子、イオウ原子、窒素原子等のようなペテロ原子を少
なくとも1個含む飽和または不飽和、中環式捷たは多環
式複素環基を意味する。とくに好捷しいゆ素環基として
は、窒素原子1・〜4個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好ましくは5または6員環)の単環式複素環基、例え
ば、ピ(ml IJル、ピロリニル、イミダゾリル、ピ
ラゾリル、ピリジルおよびそのN−オキシド、ジヒドロ
ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、
トリアゾリル、(例えば、4H−1,2,4−トリアゾ
リル、LH−1,2,3−トリアジニルへ 2 H−1
,2,3−トリアゾリル等)、テトラゾリル(例えば、
■H−テトラゾリル、2H−テトラゾリル等)、トリア
ジニル(例えば、2,5−ジヒドロ−1,2,4−トリ
アジニル、1,2.4−トリアジニル等)等;窒素原子
1〜4個を含む飽和3〜8員環(さらに好ましくは5捷
たは6員環)の単環式複素環基、例えば、ピロリジニル
、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル等;窒
素原子1〜4個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、イ
ンドIJ 、υ、イソインドリル、イントリジニル、ベ
ンズイミダゾリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾ
リル、べ ′l)ンゾトリアゾリル等;酸
素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3
〜8員環(さらに好捷しくは5捷だは6員環)の単環式
複素環基、例えば、オキサシリル、インオキサシリル、
オキサジアゾリル(例えば、1,2.4−オキサジアゾ
リル、1,3.4−オキサジアゾリル、l、 2.5−
オキサジアゾリル等)等;酸素原子1〜2個および窒素
原子1〜3個を含む飽和3〜8員環(さらに好ましくは
5〜6員環)の単環式複素環基、例えば、モルホリニル
、シトノニル等;酸素M子1〜2個および窒素原子】〜
3個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンズオキサ
シリル、ベンズオキサジアゾリル等;イオウ原子1〜2
個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3〜8員環(さ
らに好ましくは5捷たは6員環)の単環式複素環基、例
えば、チアゾリル、インチアゾリル、チアジアゾリル(
例えば]、 2.3−チアジアゾリル、1.2.4−チ
アジアゾリル、]、 3.4−チアジアゾリル、1.2
.5−チアジアゾリル等ジヒドロチアジニル等;イオウ
原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8
員環(さらに好ましくは5または6員環)のQi環式少
素環基、例えば、チアゾリジニル等;イオウ原子1〜2
個を含む不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5または
6員環)の単環式複素環基、伝えば、チェニル、ジヒド
ロジチイニル等;イオク原子1〜2個および窒素原子1
〜3個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンゾチア
ゾリル、ベンゾチアジアゾリル等;酸素原子1個を含む
不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5または6員環)
の単環式複素環基、例えば、フリル等;酸素原子1個お
よびイオウ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好捷しくは5まだは6員環)の単環式複素環基、例え
ば、ジヒドロオキサチイニル等;イオク原子1〜2個を
含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンゾチェニル、ペ
ンゾジチイニル等;酸素原子1個およびイオウ原子1〜
2個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンズオキサ
チイニル等のような複素環基が例として挙げられる。
原子、イオウ原子、窒素原子等のようなペテロ原子を少
なくとも1個含む飽和または不飽和、中環式捷たは多環
式複素環基を意味する。とくに好捷しいゆ素環基として
は、窒素原子1・〜4個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好ましくは5または6員環)の単環式複素環基、例え
ば、ピ(ml IJル、ピロリニル、イミダゾリル、ピ
ラゾリル、ピリジルおよびそのN−オキシド、ジヒドロ
ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、
トリアゾリル、(例えば、4H−1,2,4−トリアゾ
リル、LH−1,2,3−トリアジニルへ 2 H−1
,2,3−トリアゾリル等)、テトラゾリル(例えば、
■H−テトラゾリル、2H−テトラゾリル等)、トリア
ジニル(例えば、2,5−ジヒドロ−1,2,4−トリ
アジニル、1,2.4−トリアジニル等)等;窒素原子
1〜4個を含む飽和3〜8員環(さらに好ましくは5捷
たは6員環)の単環式複素環基、例えば、ピロリジニル
、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル等;窒
素原子1〜4個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、イ
ンドIJ 、υ、イソインドリル、イントリジニル、ベ
ンズイミダゾリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾ
リル、べ ′l)ンゾトリアゾリル等;酸
素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3
〜8員環(さらに好捷しくは5捷だは6員環)の単環式
複素環基、例えば、オキサシリル、インオキサシリル、
オキサジアゾリル(例えば、1,2.4−オキサジアゾ
リル、1,3.4−オキサジアゾリル、l、 2.5−
オキサジアゾリル等)等;酸素原子1〜2個および窒素
原子1〜3個を含む飽和3〜8員環(さらに好ましくは
5〜6員環)の単環式複素環基、例えば、モルホリニル
、シトノニル等;酸素M子1〜2個および窒素原子】〜
3個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンズオキサ
シリル、ベンズオキサジアゾリル等;イオウ原子1〜2
個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3〜8員環(さ
らに好ましくは5捷たは6員環)の単環式複素環基、例
えば、チアゾリル、インチアゾリル、チアジアゾリル(
例えば]、 2.3−チアジアゾリル、1.2.4−チ
アジアゾリル、]、 3.4−チアジアゾリル、1.2
.5−チアジアゾリル等ジヒドロチアジニル等;イオウ
原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8
員環(さらに好ましくは5または6員環)のQi環式少
素環基、例えば、チアゾリジニル等;イオウ原子1〜2
個を含む不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5または
6員環)の単環式複素環基、伝えば、チェニル、ジヒド
ロジチイニル等;イオク原子1〜2個および窒素原子1
〜3個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンゾチア
ゾリル、ベンゾチアジアゾリル等;酸素原子1個を含む
不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5または6員環)
の単環式複素環基、例えば、フリル等;酸素原子1個お
よびイオウ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好捷しくは5まだは6員環)の単環式複素環基、例え
ば、ジヒドロオキサチイニル等;イオク原子1〜2個を
含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンゾチェニル、ペ
ンゾジチイニル等;酸素原子1個およびイオウ原子1〜
2個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンズオキサ
チイニル等のような複素環基が例として挙げられる。
上記複素環基は任意に1個以上の適当な置換基を有して
いてもよく、置換基としては、例えば、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、プチル、イソブチル、ペン
チル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル等の
低級アルキル;例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロ
ピルチオ等の低級アルキルチオ;例えば、ビニル、アリ
ル、ブテニル等の低級アルケニル;カルボキシ;例えば
、カルボキシメチル シプロピル等のカルボキシ(低級)アルキル;例えば、
ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロ
ピル等のヒドロキシ(低級)アルキル:例えば、アミノ
メチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル
等のアミノ(低級)アルキル:例えば、アシルアミノメ
チル、アシルアミノエチル、アシルアミノプロピル、ア
シルアミノブチル(これらの基のアシル部分は前と同じ
意味)等の保護されたアミ7G低級)アルキル等のよう
な置換基が好ましい例として挙げられる。
いてもよく、置換基としては、例えば、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、プチル、イソブチル、ペン
チル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル等の
低級アルキル;例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロ
ピルチオ等の低級アルキルチオ;例えば、ビニル、アリ
ル、ブテニル等の低級アルケニル;カルボキシ;例えば
、カルボキシメチル シプロピル等のカルボキシ(低級)アルキル;例えば、
ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロ
ピル等のヒドロキシ(低級)アルキル:例えば、アミノ
メチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル
等のアミノ(低級)アルキル:例えば、アシルアミノメ
チル、アシルアミノエチル、アシルアミノプロピル、ア
シルアミノブチル(これらの基のアシル部分は前と同じ
意味)等の保護されたアミ7G低級)アルキル等のよう
な置換基が好ましい例として挙げられる。
この発明の目的化合物[I]の製造法を以下詳細に説明
する。
する。
製造法
目的化合物+11またはその塩類は、化合物[11]ま
たけその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組合わ
せにより還元することによって製造するこ吉ができる。
たけその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組合わ
せにより還元することによって製造するこ吉ができる。
好捷しい金属としては亜鉛、スズ、鉄等が挙げられる。
好寸しい酸のアンモニウム塩としては、例えば、塩化ア
ンモニウム、臭化アンモニウム等ノハロゲン化アンモニ
クム、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム等が挙げら
れる。
ンモニウム、臭化アンモニウム等ノハロゲン化アンモニ
クム、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム等が挙げら
れる。
この反応は通常、反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒
、例えば、N,N−ジメチルポルムアミド、水、クロロ
ホルム、アセトニトリル、ジオキサン、N,N−ジメチ
ルアセトアミド等のような溶媒中で行なわれる。これら
の溶媒は混合して使用してもよい。上記溶媒中、とくに
好ましい溶媒はN,N −ジメチルホルムアミドである
。この反応はチオ尿素の存在下に行なうとしばしば好都
合である。
、例えば、N,N−ジメチルポルムアミド、水、クロロ
ホルム、アセトニトリル、ジオキサン、N,N−ジメチ
ルアセトアミド等のような溶媒中で行なわれる。これら
の溶媒は混合して使用してもよい。上記溶媒中、とくに
好ましい溶媒はN,N −ジメチルホルムアミドである
。この反応はチオ尿素の存在下に行なうとしばしば好都
合である。
。、、)ヮよおい、1□1.イ,。[□]ヵ、ヤニ。イ
”“。
”“。
で使用される場合、原料化合物[nlの遊離カルボキシ
基をこの還元反応前に保護しておくことが望捷しく、例
えは、原料化合物[■]を例えば、ビス(トリメチルシ
リル)アセトアミド、トリメチルシリルアセトアミド、
N,N’−ビス(トリメチルシリル)尿素等のシリル化
合物のようなエステル化剤によってこの反応前に処理し
ておくと好都合である。
基をこの還元反応前に保護しておくことが望捷しく、例
えは、原料化合物[■]を例えば、ビス(トリメチルシ
リル)アセトアミド、トリメチルシリルアセトアミド、
N,N’−ビス(トリメチルシリル)尿素等のシリル化
合物のようなエステル化剤によってこの反応前に処理し
ておくと好都合である。
反応温度は特に限定されず、反応は好ましくは冷却下な
いしは室温で行なわれる。
いしは室温で行なわれる。
この発明を実施例および参考例に従って以下に説明する
。
。
実施例1
7−アミノ−3−(′1ーメチルーIHーテトラゾール
−5−イル)チオメチル−3− セフェム−4−カルボ
ン酸(6.56y;純度88.9%)およびトリメチル
シリルアセトアミド(10.8gI)をN,N−ジメチ
ルホルムアミド(26me)に室温で溶解し、溶液を氷
水で冷却した。塩化アンモニウム(16.1y)および
亜鉛末(10.8P)を加えた後、混合物を水冷下に4
0分間撹拌した。
−5−イル)チオメチル−3− セフェム−4−カルボ
ン酸(6.56y;純度88.9%)およびトリメチル
シリルアセトアミド(10.8gI)をN,N−ジメチ
ルホルムアミド(26me)に室温で溶解し、溶液を氷
水で冷却した。塩化アンモニウム(16.1y)および
亜鉛末(10.8P)を加えた後、混合物を水冷下に4
0分間撹拌した。
反応混合物を濾過し、残留物をN,N−ジメチルホルム
アミド(15+++e)で洗浄した。P液と洗液と.を
合わせて、ジイソプロピルエーテル(50n+e)、酢
酸(1+++flりおよびn−ヘキサン(7n+e)と
混合し、水冷下に放置して2層に分離さ亡た6+.層を
除き、残った層に水(30m/)を加え、次いて濃塩酸
によりpH3.7に調整した。沈殿物をP収して冷水(
3m+?)で洗浄し、減圧下に乾燥して、7−アミノ−
3−メチレンセファム−4−カルボン酸(純度ニア9.
8%)を85.5%の収率で得た。
アミド(15+++e)で洗浄した。P液と洗液と.を
合わせて、ジイソプロピルエーテル(50n+e)、酢
酸(1+++flりおよびn−ヘキサン(7n+e)と
混合し、水冷下に放置して2層に分離さ亡た6+.層を
除き、残った層に水(30m/)を加え、次いて濃塩酸
によりpH3.7に調整した。沈殿物をP収して冷水(
3m+?)で洗浄し、減圧下に乾燥して、7−アミノ−
3−メチレンセファム−4−カルボン酸(純度ニア9.
8%)を85.5%の収率で得た。
1、 R. ( ヌジョール): 3200 200
0, 1770. 1620(ショルダー)、
1540(ショルダー)、 1460。
0, 1770. 1620(ショルダー)、
1540(ショルダー)、 1460。
1220、 1140crn−1
N.M.R. (NaHCO3+D,、O,δ) :
3.37, 3.72(d, d。
3.37, 3.72(d, d。
2H, J=14Hz)、 5.00(LH, s)
、 5.28(IH, s)。
、 5.28(IH, s)。
5、33(IH,d,J=3Hz)、 5.35(I
H,s)。
H,s)。
5、 42( IH, d, J−3Hz )実施例2
7−アミノ−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
の代りに、7−アミノ−3−(5−メチル−1. 3.
4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸を使用し、トリメチルシリルア
セトアミドの代りに、N、N′−ビス(トリメチルシリ
ル)尿素を使用し、実施例1と同様に処理して 7−ア
ミノ−3−メチレンセファム−4−カルボン酸ヲ得だ。
5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
の代りに、7−アミノ−3−(5−メチル−1. 3.
4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸を使用し、トリメチルシリルア
セトアミドの代りに、N、N′−ビス(トリメチルシリ
ル)尿素を使用し、実施例1と同様に処理して 7−ア
ミノ−3−メチレンセファム−4−カルボン酸ヲ得だ。
実施例3
7−アミノ−3−クロロメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンス゛ヒドリルエステルOy)をN,N−ジ
メチルホルムアミド(60+++(りに溶解した。混合
物を=lO°Cに冷却して、これに亜鉛末(2.29,
p)を加え、塩化アンモニウム(3.22P)の水(1
0+++(り溶液を−10〜−3°Cで撹拌下に滴下し
、さらに同じ温度で30分間撹拌した。反応混合物を水
(200ml?)と酢酸エチル(200+ne)との混
合物中に注ぎ、不溶物を戸別した。有機層を分離し、塩
化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで
乾燥した後、減圧濃縮した。残渣にp−トルエンスルホ
ン酸(5、0y)の酢酸エチル(200m(り溶液を加
えた。
ルボン酸ベンス゛ヒドリルエステルOy)をN,N−ジ
メチルホルムアミド(60+++(りに溶解した。混合
物を=lO°Cに冷却して、これに亜鉛末(2.29,
p)を加え、塩化アンモニウム(3.22P)の水(1
0+++(り溶液を−10〜−3°Cで撹拌下に滴下し
、さらに同じ温度で30分間撹拌した。反応混合物を水
(200ml?)と酢酸エチル(200+ne)との混
合物中に注ぎ、不溶物を戸別した。有機層を分離し、塩
化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで
乾燥した後、減圧濃縮した。残渣にp−トルエンスルホ
ン酸(5、0y)の酢酸エチル(200m(り溶液を加
えた。
混合物を水冷下に撹拌し、析出した沈殿を戸数して酢酸
エチルで洗浄した後乾燥して、7−アミノ−3−メチレ
ンセファム−4−カルシボン酸ベンス゛ヒドリルエステ
ルのp−トルエンスルホン酸塩(■2.7y)を得だ。
エチルで洗浄した後乾燥して、7−アミノ−3−メチレ
ンセファム−4−カルシボン酸ベンス゛ヒドリルエステ
ルのp−トルエンスルホン酸塩(■2.7y)を得だ。
実施例4
N,N−ジメチルホルムアミド(15+++f?)にチ
オ尿素(0、7 3 fil−)および塩化アンモニウ
ム(051y)の水(1+++e)溶液を加え、混合物
を5°Cで撹拌した。
オ尿素(0、7 3 fil−)および塩化アンモニウ
ム(051y)の水(1+++e)溶液を加え、混合物
を5°Cで撹拌した。
この混合物に、7−ア三ノー3−り四ロメチルー3ーセ
フェムー4ーカルボン酸ベンズヒドリルエステル(2.
01を加えた。混合物を一10°Cに冷却して、亜鉛末
(0.6y)を加えた。混合物をーlO〜−8°Cで3
0分間撹拌した後、酢酸エチル(200me)と塩化ナ
トリクム水溶液(100me )との混合物中に注き、
不溶物を戸別した。有機層を分離し、塩化ナトリウム飽
和水溶液で洗浄した後、濃縮し、残渣を酢酸エチル(8
0+++llりに ゛・芒溶解した。この
溶液にp− トルエンスルホン酸(1、0y)の酢酸エ
チル( 1 5 me )溶液を加えた。
フェムー4ーカルボン酸ベンズヒドリルエステル(2.
01を加えた。混合物を一10°Cに冷却して、亜鉛末
(0.6y)を加えた。混合物をーlO〜−8°Cで3
0分間撹拌した後、酢酸エチル(200me)と塩化ナ
トリクム水溶液(100me )との混合物中に注き、
不溶物を戸別した。有機層を分離し、塩化ナトリウム飽
和水溶液で洗浄した後、濃縮し、残渣を酢酸エチル(8
0+++llりに ゛・芒溶解した。この
溶液にp− トルエンスルホン酸(1、0y)の酢酸エ
チル( 1 5 me )溶液を加えた。
混合物を水冷下に撹拌した。析出しだ沈殿を許収し、酢
酸エチルで洗浄した後、乾燥して、7−−yミノ−3−
メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テルのp−)ルエンスルホン酸塩(2.2y)を得た。
酸エチルで洗浄した後、乾燥して、7−−yミノ−3−
メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テルのp−)ルエンスルホン酸塩(2.2y)を得た。
融点161〜163°C01、R.(ヌジョール):
1780. 1740砿−1N.M.R.(DMS
O−d6,δ): 2.28(3H,s)、 3.5
0(2H,ABq.、J−14Hz)、 5.02(
LH,d,J=5Hz)。
1780. 1740砿−1N.M.R.(DMS
O−d6,δ): 2.28(3H,s)、 3.5
0(2H,ABq.、J−14Hz)、 5.02(
LH,d,J=5Hz)。
a 5.32(IH, d, J=
5Hz)、 5.40(2H, s)、 5.58
(IH,s)、 6.88(LH,s)、 7.3
8(IOH,m)。
5Hz)、 5.40(2H, s)、 5.58
(IH,s)、 6.88(LH,s)、 7.3
8(IOH,m)。
8、8 (2H, m)
実施例5
7−アミノ−3−(5−メチル−1. 3. 4−チア
ジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4
−カルシボン酸ベンス゛ヒドリルエステルOy)のN,
N−ジメチルホルムアミド(10me)溶液に塩化アン
モニウム(1.0y)およびチオ尿素(0.5y)を加
え、次いで混合物を5°Cに冷却した。
ジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4
−カルシボン酸ベンス゛ヒドリルエステルOy)のN,
N−ジメチルホルムアミド(10me)溶液に塩化アン
モニウム(1.0y)およびチオ尿素(0.5y)を加
え、次いで混合物を5°Cに冷却した。
この混合物に亜鉛末(1.31を加え、混合物を5℃で
1時間撹拌した。反′応混合物を酢酸エチル(160m
l?)と塩化ナトリウムの飽和水溶液(100miりと
の混合物中−に注き、不溶物を戸別した。有機層を分離
し、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、15meまで濃縮した。残渣にp
−)ルエンスルホン酸(0.6y)の酢酸エチル(10
y+f?)溶液を加えた。
1時間撹拌した。反′応混合物を酢酸エチル(160m
l?)と塩化ナトリウムの飽和水溶液(100miりと
の混合物中−に注き、不溶物を戸別した。有機層を分離
し、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、15meまで濃縮した。残渣にp
−)ルエンスルホン酸(0.6y)の酢酸エチル(10
y+f?)溶液を加えた。
析出した沈殿をP収し、乾燥して7−アミノ−3−メチ
レンセファム−4−カルボン酸ベンス゛ヒドリルエステ
ルのp−トルエンスルホン酸塩(1.Oy)を得だ。
レンセファム−4−カルボン酸ベンス゛ヒドリルエステ
ルのp−トルエンスルホン酸塩(1.Oy)を得だ。
実施例6
N,N−ジメチルホルムアミド(20mfりに、チオ尿
素(0.76y)、亜鉛末(0.51および塩化アンモ
ニウム(0.67y)の水( 3 me )溶液を加え
た。この混合物に7−7エニルアセトアミドー3−クロ
ロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル( 2. 6 7 9 >ヲ−15°Cに冷
却しながら撹拌下に加え、混合物をー15〜−10℃で
1時間撹拌した後、濾過しだ。p液に酢酸エチル(10
0m()および水(100me)を加乏−1有機層を分
離して取った。有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾
燥した後、減圧濃縮した。残ン〆tをジイソプロピルエ
ーテル中で粉砕シて、7−7エニルアセトアミドー3−
メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル2、2.!/)を得た。
素(0.76y)、亜鉛末(0.51および塩化アンモ
ニウム(0.67y)の水( 3 me )溶液を加え
た。この混合物に7−7エニルアセトアミドー3−クロ
ロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル( 2. 6 7 9 >ヲ−15°Cに冷
却しながら撹拌下に加え、混合物をー15〜−10℃で
1時間撹拌した後、濾過しだ。p液に酢酸エチル(10
0m()および水(100me)を加乏−1有機層を分
離して取った。有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾
燥した後、減圧濃縮した。残ン〆tをジイソプロピルエ
ーテル中で粉砕シて、7−7エニルアセトアミドー3−
メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル2、2.!/)を得た。
1、 R. ( ヌジョール): 3300, 1
760, 1720, 1640。
760, 1720, 1640。
1505cm’
N. M. R. (DMSO−d6,δ): 3.3
−3.7(4H,m)。
−3.7(4H,m)。
5、18−s7(sH+m)+ 6.85(LH,s
)、 9.07( I H,d + J−8 H z
)実施例7 7−(5−ベンズアミド−5−ベンズヒドリルオキシカ
ルボニルパレルア”、ド)−3−ヒドロキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
8. 1 p )の塩化メチレン(50me )溶液
に、五塩化リンを−2 0 ’Cに冷却しながら加え、
これに同じ温度で撹拌下にピリジン(0、95p)を滴
下した。
)、 9.07( I H,d + J−8 H z
)実施例7 7−(5−ベンズアミド−5−ベンズヒドリルオキシカ
ルボニルパレルア”、ド)−3−ヒドロキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
8. 1 p )の塩化メチレン(50me )溶液
に、五塩化リンを−2 0 ’Cに冷却しながら加え、
これに同じ温度で撹拌下にピリジン(0、95p)を滴
下した。
混合物を−20〜−lOoCで30分間撹拌し、次いて
水( 5 0 me )を加えた。有機層を分1111
fL、炭酸水素ナトリウム水溶液でpH6.0に調整し
た。
水( 5 0 me )を加えた。有機層を分1111
fL、炭酸水素ナトリウム水溶液でpH6.0に調整し
た。
さらに有機層を分離し、塩化ナトリウム飽和水溶液で洗
浄した後、減圧濃縮して、7−(5−ペンス゛アミドー
5ーベンス゛ヒドリルオギシ力ルボニルパレルアミI’
) −3−クロロメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンス゛ヒドリルエステルヲtj%た。このようにし
て得られた化合物をN,N−ジメチルホルムアミド(3
0+++e)に溶解し、−10℃に冷却した。この混合
物に塩化アシモニクム(1、4p)の水( 3 me
)溶液、チオ尿素(1.9y)および亜鉛末(1.6y
)を加え、混合物を−15〜−10°Cで1時間撹拌し
た。反応混合物を酢酸エチル(200me)と塩化ナト
リウム飽和水溶液(200m+’)との混合物中に注ぎ
、混合物を濾過した。F液から有機層を分離し、塩化ナ
トリクム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後 ”LIJ減圧濃縮した。残渣をアセトン
(30me)に溶解し、このようにして得られた溶液を
ジイソプロピルエーテル(250ml?)に加えた。析
出しだ沈殿を1収し、乾燥して、?−(5−ベンズアミ
ド−5−ベンス゛ヒドリルオキシカルボニルバレルアミ
)’ ) −3−メチレンセファム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステル(6.7y−)t[*。
浄した後、減圧濃縮して、7−(5−ペンス゛アミドー
5ーベンス゛ヒドリルオギシ力ルボニルパレルアミI’
) −3−クロロメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンス゛ヒドリルエステルヲtj%た。このようにし
て得られた化合物をN,N−ジメチルホルムアミド(3
0+++e)に溶解し、−10℃に冷却した。この混合
物に塩化アシモニクム(1、4p)の水( 3 me
)溶液、チオ尿素(1.9y)および亜鉛末(1.6y
)を加え、混合物を−15〜−10°Cで1時間撹拌し
た。反応混合物を酢酸エチル(200me)と塩化ナト
リウム飽和水溶液(200m+’)との混合物中に注ぎ
、混合物を濾過した。F液から有機層を分離し、塩化ナ
トリクム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後 ”LIJ減圧濃縮した。残渣をアセトン
(30me)に溶解し、このようにして得られた溶液を
ジイソプロピルエーテル(250ml?)に加えた。析
出しだ沈殿を1収し、乾燥して、?−(5−ベンズアミ
ド−5−ベンス゛ヒドリルオキシカルボニルバレルアミ
)’ ) −3−メチレンセファム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステル(6.7y−)t[*。
1、 R. (ヌジョール):3270, 1?75
, 1730. 1645cm’N. M. R.
( DMSO − a6,δ): 1.3−2.6
(6H, m)+3、、18(2H, m)、 4.
63(坤, m)+ 4. 9−5. 7(5H。
, 1730. 1645cm’N. M. R.
( DMSO − a6,δ): 1.3−2.6
(6H, m)+3、、18(2H, m)、 4.
63(坤, m)+ 4. 9−5. 7(5H。
’: m)、 6.83(IH,
s)、 6.88(IHI8)、 7.4(23H
。
s)、 6.88(IHI8)、 7.4(23H
。
m)+7.93(2H,m)、 8.83(2H,m
)実施例8 N,N−ジメチルホルムアミド(600me)にチオ尿
素< 29. 4 y>および塩化アンモニタ・ム(2
5、8y)の水(64me)溶液を加え、混合物を0℃
に冷却した。この混合物に亜鉛末(18.3y)を加え
た。混合物をー15℃に冷却してこれに、7−ア三ノー
3−タロロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル(SO.Oy;純度95.5%)を
加え、次いで混合物を−15〜−10℃で1時間撹拌し
た後、酢酸エチル(3.5e)と塩化ナトリウム水溶M
(2iとの混合物中に注いだ。不溶物を戸別した。有機
層を分離し、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、
約7 0 0 me捷で濃縮した。濃縮液にp− ト
ルエンスルホン酸( 4 0. 4 y)の酢酸エチル
( 300me )溶液を加えた。混合物を冷蔵庫中に
放置して、7−アミノ−3−メチレンセファム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステルのp−トルエンスルホ
ン酸塩(105.084;’)(純度:83.3ヂ・)
を86、0%の収率で得た。
)実施例8 N,N−ジメチルホルムアミド(600me)にチオ尿
素< 29. 4 y>および塩化アンモニタ・ム(2
5、8y)の水(64me)溶液を加え、混合物を0℃
に冷却した。この混合物に亜鉛末(18.3y)を加え
た。混合物をー15℃に冷却してこれに、7−ア三ノー
3−タロロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル(SO.Oy;純度95.5%)を
加え、次いで混合物を−15〜−10℃で1時間撹拌し
た後、酢酸エチル(3.5e)と塩化ナトリウム水溶M
(2iとの混合物中に注いだ。不溶物を戸別した。有機
層を分離し、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、
約7 0 0 me捷で濃縮した。濃縮液にp− ト
ルエンスルホン酸( 4 0. 4 y)の酢酸エチル
( 300me )溶液を加えた。混合物を冷蔵庫中に
放置して、7−アミノ−3−メチレンセファム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステルのp−トルエンスルホ
ン酸塩(105.084;’)(純度:83.3ヂ・)
を86、0%の収率で得た。
参考例1
五塩化リン(1y)を塩化メチレン(20m/)中に懸
濁し、−5℃に冷却した。この懸濁液,にピリジン(
0. 3 1 me )を滴下し、混合物を水冷下に2
0分間撹拌した。反応混合物を一30°Cに冷却し、こ
れに7−フェニルアセトアミド−3−メチレンセファム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(2y)を加
えた。この混合物を−20〜−10°Cで1時間撹拌し
た。混合物にメタノール(5me)を−30°Cで加え
、〜10℃で1時間撹打した。反応混合物に冷水(30
mlりを加えた。
濁し、−5℃に冷却した。この懸濁液,にピリジン(
0. 3 1 me )を滴下し、混合物を水冷下に2
0分間撹拌した。反応混合物を一30°Cに冷却し、こ
れに7−フェニルアセトアミド−3−メチレンセファム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(2y)を加
えた。この混合物を−20〜−10°Cで1時間撹拌し
た。混合物にメタノール(5me)を−30°Cで加え
、〜10℃で1時間撹打した。反応混合物に冷水(30
mlりを加えた。
有機層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液およ0・塩
化ナトリクム水〆液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、蒸発乾固した。残渣を酢酸エチル(50me )に
溶解した。この溶液にp−)ルエンスルホン酸(o、7
y)の酢酸エチル溶液を加えた。
化ナトリクム水〆液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、蒸発乾固した。残渣を酢酸エチル(50me )に
溶解した。この溶液にp−)ルエンスルホン酸(o、7
y)の酢酸エチル溶液を加えた。
析出しだ沈殿をP収し、酢酸エチルで洗浄した後、乾燥
して、7−アミノ−3−メチレンセファム−4−カルシ
ボン酸ベンス゛ヒドリルエステルルエンスルホン酸!(
1.3y)を4だ。
して、7−アミノ−3−メチレンセファム−4−カルシ
ボン酸ベンス゛ヒドリルエステルルエンスルホン酸!(
1.3y)を4だ。
参考例2
五塩化リン(3.0y)を塩化メチレン(50mL)に
懸濁し、これにピリジン(1.2y)を水冷下に撹拌し
ながら滴下し、さらに−5℃で20分間撹拌した。混合
物を一30℃に冷却してこれに、7−(5−ベンズアミ
ド−5−ベンズヒドリルオキシカルボニルバレルアミド
)−3−メチレンセファム−4−カルシボン酸ベンス゛
ヒドリルエステル50y)を加えた。混合物を−20〜
−10℃で1時間撹拌した後、−30°Cに冷却した。
懸濁し、これにピリジン(1.2y)を水冷下に撹拌し
ながら滴下し、さらに−5℃で20分間撹拌した。混合
物を一30℃に冷却してこれに、7−(5−ベンズアミ
ド−5−ベンズヒドリルオキシカルボニルバレルアミド
)−3−メチレンセファム−4−カルシボン酸ベンス゛
ヒドリルエステル50y)を加えた。混合物を−20〜
−10℃で1時間撹拌した後、−30°Cに冷却した。
この混合物にメタノール( 1 0 tne )を−挙
に加オー、混合物を−20〜−lOoCで1時間撹拌し
た。反応混合物に水( 5 0 me )を加えた。有
機層を分離してこれに塩化ナトリウム水溶液( 5 0
me )を加えた。
に加オー、混合物を−20〜−lOoCで1時間撹拌し
た。反応混合物に水( 5 0 me )を加えた。有
機層を分離してこれに塩化ナトリウム水溶液( 5 0
me )を加えた。
混合溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液でpH6.5に調
整した。有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧濃縮した。残渣を酢酸エチル(20me )に溶解
し、この溶液にp−トルエンスルホン酸(1.5P)の
酢酸エチル(20me)溶液を加えた。析出した沈殿を
fp収し、酢酸エチルで洗浄後、乾燥シて、7−アミノ
−3−メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステルのp−トルエンスルホン酸塩( 1. 5
9 ) ヲ得り。
整した。有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧濃縮した。残渣を酢酸エチル(20me )に溶解
し、この溶液にp−トルエンスルホン酸(1.5P)の
酢酸エチル(20me)溶液を加えた。析出した沈殿を
fp収し、酢酸エチルで洗浄後、乾燥シて、7−アミノ
−3−メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステルのp−トルエンスルホン酸塩( 1. 5
9 ) ヲ得り。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)一般式 [式中 R1はアミンまたは保護されたアミノ基、R2
はカルボキシまたは保護されたカルボキシ基、R3はハ
ロゲンまたは適当な置換基によって置換されていてもよ
い゛複素環チオ基をそれぞれ意味する]で示される化合
物またはその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組
合わせによって還元することを特徴とする、一般式 〔式中 R1およびR2はそれぞれ前と同じ意味〕で示
される3−メチレンセファム化合物捷たはその塩類の製
造法。 2)金属が亜鉛である特許請求の範囲第1項記載の製造
法。 3)酸のアンモニウム塩がハロゲン化アンモニウムであ
る特許請求の範囲第2項記載の製造法。 4)ハロゲン化アンモニウムカ塩化アンモニウムである
特許請求の範囲第3項記載の製造法。 5)反応をN、N−ジメチルホルムアミドの存在下に行
なう特許請求の範囲第4項記載の製造法。 6)反応をチオ尿素の存在下に行なう特許請求の範囲第
5項記載の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10570482A JPS58222092A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10570482A JPS58222092A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58222092A true JPS58222092A (ja) | 1983-12-23 |
JPH0239518B2 JPH0239518B2 (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=14414742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10570482A Granted JPS58222092A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58222092A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4958018A (en) * | 1988-05-11 | 1990-09-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Method for production of 3-exomethylenecepham derivatives |
EP0605836A1 (en) | 1992-12-18 | 1994-07-13 | Meiji Seika Kaisha Ltd. | Cephalosporin derivatives |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50105682A (ja) * | 1974-01-16 | 1975-08-20 |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP10570482A patent/JPS58222092A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50105682A (ja) * | 1974-01-16 | 1975-08-20 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4958018A (en) * | 1988-05-11 | 1990-09-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Method for production of 3-exomethylenecepham derivatives |
EP0605836A1 (en) | 1992-12-18 | 1994-07-13 | Meiji Seika Kaisha Ltd. | Cephalosporin derivatives |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0239518B2 (ja) | 1990-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0043546B1 (en) | 7-oxo-cephalosporins and 6-oxo-penicillins, their analogues and process for their preparation | |
JPS5857386A (ja) | セフアロスポリン・イソキノリニウム・ベタイン類 | |
JPS6027677B2 (ja) | 7−置換又は非置換アミノ−3−置換チオメチルセフエムカルボン酸類の新規製造法 | |
CA1092095A (en) | 3-acyloxymethyl-cephem compounds | |
CH645384A5 (de) | 3-phosphonocephalosporansaeure-derivate, verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltende pharmazeutische mittel. | |
US4354022A (en) | Process for preparing 3-methylenecepham compounds or a salt thereof | |
JPH0369354B2 (ja) | ||
US4497738A (en) | Analogous compounds of cephalosporins, processes for the preparation thereof and pharmaceutical composition comprising the same | |
JPS58222092A (ja) | 3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法 | |
AU619201B2 (en) | Process for the preparation of 3-exomethylene cepham derivatives | |
EP0272827A2 (en) | 3-Heterocyclicthiomethyl cephalosphorins | |
US4224441A (en) | Derivatives of 7-aminocephalosporanic acid | |
JPS6133190A (ja) | 新規セフエム化合物,その製造法およびその用途 | |
JPS62164687A (ja) | セフアロスポリン誘導体 | |
US4166178A (en) | 3-acyloxymethyl-cephem compounds | |
US4323676A (en) | Process for preparing cephalosporins | |
JPS5951555B2 (ja) | セフアロスポリン化合物の製造法 | |
KR800001265B1 (ko) | 세팔로스포리의 화합물의 제조법 | |
KR810000493B1 (ko) | 세팔로스포린 화합물의 제조법 | |
US4308381A (en) | Cephem compounds | |
KR810000760B1 (ko) | 세팔로스포린 화합물의 제조법 | |
KR810000761B1 (ko) | 세팔로스포린 화합물의 제조법 | |
KR810000117B1 (ko) | 세팔로스포린 화합물의 제조법 | |
JPS60120889A (ja) | 新規セファロスポリン化合物及びその製造法 | |
JPS6153289A (ja) | 3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法 |