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JPS58222092A - 3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法 - Google Patents

3−メチレンセフアム化合物またはその塩類の製造法

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Publication number
JPS58222092A
JPS58222092A JP10570482A JP10570482A JPS58222092A JP S58222092 A JPS58222092 A JP S58222092A JP 10570482 A JP10570482 A JP 10570482A JP 10570482 A JP10570482 A JP 10570482A JP S58222092 A JPS58222092 A JP S58222092A
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JP
Japan
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ester
mixture
acid
ammonium
added
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Granted
Application number
JP10570482A
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English (en)
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JPH0239518B2 (ja
Inventor
Takao Takatani
高谷 隆男
Takashi Masugi
馬杉 峻
Toshiyuki Chiba
敏行 千葉
Akiteru Yoshioka
吉岡 明昭
Ikuo Ueda
育男 植田
Masakazu Kobayashi
正和 小林
Masayuki Kato
加藤 眞行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd filed Critical Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
Priority to JP10570482A priority Critical patent/JPS58222092A/ja
Publication of JPS58222092A publication Critical patent/JPS58222092A/ja
Publication of JPH0239518B2 publication Critical patent/JPH0239518B2/ja
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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は3−メチレンセファム化合物またはその塩類
の製造法に関する。さらに詳しくは、この発明は抗菌活
性を有する3−セフェム化合物、例えばヨーロッパ特許
公開第9671号に開示されたような、7−(2−(2
−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミド〕−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)またはその塩類の製造中間体として有用な3−
メチレンセファム化合物の新規製造法に関する。
この発明によれば、一般式 1式中 R1はアミノ捷たは保護されたアミン基、R2
はカルボキシまだは保護されたカルボキシ基を意味する
1で示される3−メチレンセファム化合物またはその塩
類は、一般式 R3はノ・ロゲン捷だは適当な置換基によって置換され
ていてもよい複素環チオ基を意味する]で示される化合
物捷たはその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組
合わせによって還元することにより製造することができ
る。
電解還元法(特公昭51−5396’j3;以下「先行
技術A」と呼ぶ)、または、接触還元捷たけ金属と酸と
の組合わせを用いる化学的還元(特開昭47−2018
8号;以下[先行技術B jと呼ふ)、または金属と酸
との組合わせを用いる化学的還元(特開昭50−105
6.82号:以下「先行技術C」と呼ぶ)によって、化
合物[111から化合物[I]を製造することは公知で
ある。
しかしながら、これらの公知の製造法の場合、収率が低
く[先行技術Aの実施例1oでは、7−(LH−テトラ
ゾール−1−イルアセトアミド)−3−(5−メチル−
1,3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸のナトリウム塩から7−
(1,H−テトラゾ−#−1−1/L=7−tF7E 
)’)−3−だl/ > (!     、 l+、、
jファム−4−カルボン酸のナトリウム塩が約lO%の
収率で得られ、先行技術Bの実施例11および12では
7−(2−チェニルアセトアミド)−3−(1−メチル
−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸のナトリウム塩から7−(2−
チェニルアセドアいる]、多量の3−メチル−3−セフ
ェム化合物が目的化合物[I]の純度を低下させる副生
成物として生成している。
従って、目的化合物[I]を高収率、かつ高純度で製造
する方法が提供されることは極めて望ましいことであり
、この発明によってその目的が達成された。
目的化合物[11および原料化合物間の好ましい塩類は
慣用の無毒性塩であり、例えば、ナトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩および例えば、カルシウム塩、
マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩のような金属塩
;アンモニウム塩;例えば、トリメチルアミン塩、トリ
エチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘ
キシルアミン塩、N、N’−ジベンジルエチレンジアミ
ン塩等の有機塩基塩;例えば、酢酸塩、マレイン酸塩、
酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ケイ皮酸塩、P−クロ
ロケイ皮酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエ
ンスルホン酸塩等の有機酸塩;例えは、塩酸塩、臭化水
素酸塩、ヨク化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸
塩;アミノ酸(例えば、アルギニン、アスパラギン酸、
グルタミン酸等)との塩等があげられる。
この明細書の前記記載および以下の記載におけるこの発
明の種々の定義の適当な例と説明とを以下詳細に述べる
この明細書では特に指示がなければ、「低級」とは炭素
原子1〜6個を有する基を意味し、[−高級」とは伏素
原子7〜18個を有する基を意味する。
適当な「保護されたアミノ基」には、セファロスポリン
化合物およびペニシリン化合物で7位または6位のアミ
7基の保護基として使用される慣用の適当な保護基によ
って置換されたアミノ基が含まれ、好ましい[保護され
たアミ7基、10例としてはアシルアミノ;ベンジルア
ミノ、トリチルアミノ等のフェニル(低級)アルキルア
ミノ等が挙けられる。
[アジルア、ミノ」の適当な「アシル部分」としては脂
肪族アシル基、および芳香族環を含むアシル基すなわち
芳香族アシル基まだは複素環を含むアシル基すなわち複
素環アシル基が挙げられる。
nfj記アシアシル捷しい例を次に例示する。
例L (rf 、ホルミル、アセチル、プロピオニル、
ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、ス
テアロイル等の低級捷だは高級アルカノイル、例工ば、
メトキシカルボニル ボニル、t−ブトキシカルボニル、t−ペンチルオキシ
カルボニル、ヘプチルオキシカルボニル等の低級または
高級アルコキシカルボニル;例えば、メクンスルポニル
、エクンスルホニル等の低級または高級アルカンスルホ
ニル等のような脂肪族アシル。
例エバ、ヘンジイル、トルオイル、ナフトイル等のアロ
イル;例えば、フェニルアセチル、フェニルプロピオニ
ル等のフェニル([1.)アルカノイルのよりなアル(
低級)アルヵノイ・ ;例えば、フェノキシカルボニル ニルアセチル、フェノキシプロピオニル等のフェノキシ
(低級)アルカノイルのようなアリールオキシ(低1f
&)アルカノイル;例えば、フェニルグリオキシロイノ
ペナフチルグリオキシロイル等のアリールグリオキシロ
イル;例えば、ベンゼンスルホニル、p−トルエンスル
ホニル等のアレーンスルホニル等のような芳香族アシル
例工ば、テノイル、フロイル、ニコチノイル等の複素環
カルボニル;例えば、チェニルアセチル、チアゾリルア
セチル、テトラゾリルアセチル等の複素環(低級)アル
カノイル;例えば、チアゾリルグリオキシロイル、チェ
ニルグリオキシ。イ/l/等の複素環グリオキシロイル
等のような複素環アシル;この場合前記「複素環カルボ
ニル」、[複       ′亨素環(低級)アルカノ
イル−1および「複素環グリオキシロイル」の複素環部
分は、さらに詳しくは、酸素原子、イオウ原子、窒素原
子等のようなヘテロ原子を少なくとも1個含む飽和また
は不飽和、単環式または多環式複素環基を意味する。
1−2中、とくに好ましい複素環基としては、例えば、
ピロリル、ピロリニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピ
リジルおよびそのN−オキシド、ジヒドロピリジル、ピ
リミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、トリアゾリル
(例えば、jH−1.2。
4−トリアゾリル、IH−1.2.3−トリアゾリル、
2H−1.2.3−トリアゾリル等)、テトラゾリル(
例えば、lH〜テトラゾリノへ 2H−テトラゾリル等
)等の窒素原子1〜4個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好捷しくは5捷たは6員環)の単環式複素環基;例え
ば、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピ
ペラジニル等の窒素原子1〜4個を含む飽和3〜8員環
(さらに好ましくは5″!.たは6員環)の単環式複素
環基;例えば、インドリノベインインドリル、イントリ
ジニル、ペンズイミグゾリル、キノリル、イソキノリル
、イミダゾリル、ベンゾトリアゾリル等の窒素原子1〜
4個を含む不飽和縮合複素環基;例えば、オキサシリル
、イソオキサシリル、オキサジアゾリル(例えば、1,
 2. 4−オキサジアゾリル、1, 3. 4−オキ
サジアゾリル、1,2.5−オキサジアゾリル等)等の
酸素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和
3〜8員環(さらに好ましくは5捷たけ6員環)の単環
式複素環基;例えば、モルホリニル、シトノニル等の酸
素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜
8員環(さらに好ましくは5または6員環)の単環式複
素環基;例えば、ベンズオキサシリル、ベンズオキサジ
アゾリル等の酸素原子1〜2個および窒素原子1〜3個
を含む不飽和縮合複素環基;例えば、チアゾリル、イン
チアゾリル、チアジアゾリル(例えば、1, 2. 3
−チアジアゾリル、1,2.4−チアジアゾリル、l,
 3. 4−チアジアゾリル、l, 2. 5−チアジ
アゾリル等)、ジヒドロチアジニル等のイオウ原子1〜
2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3〜8員環(
さらに好ましくは5または6員環)の単環式複素環基;
例えば、チアゾリジニル等のイオウ原子1〜2個および
窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8員環(さらに好捷し
くけ5捷だは6員環)の単環式複素環基;例えば、チェ
ニル、ジヒドロジチイニル等のイオウ原子1〜2個を含
む不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5″if、たは
6損環)の中履式複素環基;例えば、ベンゾチアゾリル
、ベンゾチアジアゾリル等のイオウ原子1〜2個および
窒素原子1〜3個を含む不飽和縮合複素環基:例えば、
フリル等の酸素原子1個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好ましくは5または6員環)の中履式複素環基;例え
ば、ジヒドロオキサチイニル等の酸素原子1個およびイ
オウ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員環(さらに好ま
しくは5まだは6例環)の単環式複素環基;例えば、ベ
ンゾチェニル、ペンゾジチイニル等のイオウ原子1〜2
個を含む不飽和縮合複素環基;例えばベンゾオキサチイ
ニル等の酸素原子1個およびイオウ原子1〜2個を含む
不飽和縮合複素環基等のような複素環基か挙げられる。
前記定義のアシル部分は1〜10個の、同一または異な
る適当な置換基によって置換さねていてもよく、置換基
の例としては、例え1/J′、メチル、エチル等の低級
アルキル:例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等
の低級アルコキシ、例えば、メチルチオ、エチルチオ等
の低級アルギルチオ;例えば、メヂルアミ7等の低級ア
ルギルアミ/;例tff、シクロペンチル、シクロへキ
シル等のシクロ(低級)アルギル;例えば、シクロへギ
ルニル、シクロへキサジェニル等のシクロ(低級)アル
ケニル;ヒドロキシ、例tば、クロロ、ブロモ等のハロ
ゲン;アミノ;前述の保護されたアミノ:シアノ;二1
・ロ;カルボキシ;後に述へる保護されたカルボキシ:
スルホ ミノ;オキソ;例えば、アミンメチル、アミノエチル等
のアミン(低級)アルキル等が好捷しい置換基として挙
げられる。
適当な「保護されたカルボキシ基」には、セファロスポ
リン化合物およびペニシリン化合物の場合に4位また/
i.3位のカルボキシ基のカルボキシ保護基として通常
使用される慣用の保護基によって置換されたカルボキシ
基が含まれ、例えば、エステル化されたカルボキシ基が
挙げられる。
前記エステルの好捷しい例は、例えば、メチルエステル
、エチルエステル、フロビルエステル、イソプロピルエ
ステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、t−ブ
チルエステル、ペンチルエステル、t−ペンチルエステ
ル、ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル;例え
ば、1−シフ1       ロプロピルエチルエステ
ル等の低級シクロアルキル(4J[)アルキルエステル
、例tばビニルエステル、アリルエステル等の低級アル
クニルエステル;例tば、エチニルエステル、プロピニ
ルエステル等の低級アルキニルエステル;例えば、メト
キシメチルエステル、エトキシメチルエステル、イソプ
ロポキシメチルエステル、1−メトキシエチルエステル
、l−エトキシエチルエステル等の低級アルコキシ(低
級)アルキルエステル;例えば、メチルチオメチルエス
テル、エチルチオメチルエステル、エチルチオエチルエ
ステル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級アル
キルチオ(低級)アルキルエステル;例えば、2=ヨー
化エチルエステル、2,2.2 − トIJ クロロエ
チルエステル等のモノ(またけジまたはトリ)ハロ(低
級)アルキルエステル;例えば、アセトキシメチルエス
テル、プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオ
キシメチルエステル、バレリルオキシメチルエステル、
ピパロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシ
メチルエステル、2−アセトキシエチルエステル、2−
−10ピオニルオキシエチルエステル等の低級アルカノ
イルオキシ(低級)アルキルエステル;例えば、メシル
メチルエステル、2−メシルエチルエステル等の低級ア
ルカンスルホニル(低級)アルキルエステル;例えば、
ニトロ、ヒドロキシ、低級アルコキシ等のような適当な
置換基によって任意に置換されていてもよいモノ(捷た
はジまたはトリ)フェニル(低級)アルキルエステル〔
例えば、ベンジルエステル、4−メトキシベンジルエス
テル、4−ニトロベンジルエステル、フロビルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキジフェニル)メチルエステル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−シーt
−ブチルベンジルエステル等]のようなアル(KR)ア
ルキルエステル;例えば、フェニルエステル、トリルエ
ステル、t−ブチルフェニルエステル、キシリルエステ
ル、メシチルエステル、クメニルエステル、4−タロロ
フェニルエステル、4−メトキシフェニルエステル等の
、ハロゲン、アルキル、低級アルコキシ等の適当な置換
基によって任意に置換されていてもよいフェニルエステ
ルのようなアリールエステル;シリルエステル[例えば
、トリ(低級)アルキルシリルエステル等]等のような
エステルである。
適当な「ハロゲン」には塩素、臭素、ヨク素等が含捷れ
る。
[−複素環チオ基−1の適当な「複素環1部分は、酸素
原子、イオウ原子、窒素原子等のようなペテロ原子を少
なくとも1個含む飽和または不飽和、中環式捷たは多環
式複素環基を意味する。とくに好捷しいゆ素環基として
は、窒素原子1・〜4個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好ましくは5または6員環)の単環式複素環基、例え
ば、ピ(ml IJル、ピロリニル、イミダゾリル、ピ
ラゾリル、ピリジルおよびそのN−オキシド、ジヒドロ
ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、
トリアゾリル、(例えば、4H−1,2,4−トリアゾ
リル、LH−1,2,3−トリアジニルへ 2 H−1
,2,3−トリアゾリル等)、テトラゾリル(例えば、
■H−テトラゾリル、2H−テトラゾリル等)、トリア
ジニル(例えば、2,5−ジヒドロ−1,2,4−トリ
アジニル、1,2.4−トリアジニル等)等;窒素原子
1〜4個を含む飽和3〜8員環(さらに好ましくは5捷
たは6員環)の単環式複素環基、例えば、ピロリジニル
、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル等;窒
素原子1〜4個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、イ
ンドIJ 、υ、イソインドリル、イントリジニル、ベ
ンズイミダゾリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾ
リル、べ       ′l)ンゾトリアゾリル等;酸
素原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3
〜8員環(さらに好捷しくは5捷だは6員環)の単環式
複素環基、例えば、オキサシリル、インオキサシリル、
オキサジアゾリル(例えば、1,2.4−オキサジアゾ
リル、1,3.4−オキサジアゾリル、l、 2.5−
オキサジアゾリル等)等;酸素原子1〜2個および窒素
原子1〜3個を含む飽和3〜8員環(さらに好ましくは
5〜6員環)の単環式複素環基、例えば、モルホリニル
、シトノニル等;酸素M子1〜2個および窒素原子】〜
3個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンズオキサ
シリル、ベンズオキサジアゾリル等;イオウ原子1〜2
個および窒素原子1〜3個を含む不飽和3〜8員環(さ
らに好ましくは5捷たは6員環)の単環式複素環基、例
えば、チアゾリル、インチアゾリル、チアジアゾリル(
例えば]、 2.3−チアジアゾリル、1.2.4−チ
アジアゾリル、]、 3.4−チアジアゾリル、1.2
.5−チアジアゾリル等ジヒドロチアジニル等;イオウ
原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8
員環(さらに好ましくは5または6員環)のQi環式少
素環基、例えば、チアゾリジニル等;イオウ原子1〜2
個を含む不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5または
6員環)の単環式複素環基、伝えば、チェニル、ジヒド
ロジチイニル等;イオク原子1〜2個および窒素原子1
〜3個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンゾチア
ゾリル、ベンゾチアジアゾリル等;酸素原子1個を含む
不飽和3〜8員環(さらに好ましくは5または6員環)
の単環式複素環基、例えば、フリル等;酸素原子1個お
よびイオウ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員環(さら
に好捷しくは5まだは6員環)の単環式複素環基、例え
ば、ジヒドロオキサチイニル等;イオク原子1〜2個を
含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンゾチェニル、ペ
ンゾジチイニル等;酸素原子1個およびイオウ原子1〜
2個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、ベンズオキサ
チイニル等のような複素環基が例として挙げられる。
上記複素環基は任意に1個以上の適当な置換基を有して
いてもよく、置換基としては、例えば、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、プチル、イソブチル、ペン
チル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル等の
低級アルキル;例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロ
ピルチオ等の低級アルキルチオ;例えば、ビニル、アリ
ル、ブテニル等の低級アルケニル;カルボキシ;例えば
、カルボキシメチル シプロピル等のカルボキシ(低級)アルキル;例えば、
ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロ
ピル等のヒドロキシ(低級)アルキル:例えば、アミノ
メチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル
等のアミノ(低級)アルキル:例えば、アシルアミノメ
チル、アシルアミノエチル、アシルアミノプロピル、ア
シルアミノブチル(これらの基のアシル部分は前と同じ
意味)等の保護されたアミ7G低級)アルキル等のよう
な置換基が好ましい例として挙げられる。
この発明の目的化合物[I]の製造法を以下詳細に説明
する。
製造法 目的化合物+11またはその塩類は、化合物[11]ま
たけその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組合わ
せにより還元することによって製造するこ吉ができる。
好捷しい金属としては亜鉛、スズ、鉄等が挙げられる。
好寸しい酸のアンモニウム塩としては、例えば、塩化ア
ンモニウム、臭化アンモニウム等ノハロゲン化アンモニ
クム、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム等が挙げら
れる。
この反応は通常、反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒
、例えば、N,N−ジメチルポルムアミド、水、クロロ
ホルム、アセトニトリル、ジオキサン、N,N−ジメチ
ルアセトアミド等のような溶媒中で行なわれる。これら
の溶媒は混合して使用してもよい。上記溶媒中、とくに
好ましい溶媒はN,N −ジメチルホルムアミドである
。この反応はチオ尿素の存在下に行なうとしばしば好都
合である。
。、、)ヮよおい、1□1.イ,。[□]ヵ、ヤニ。イ
    ”“。
で使用される場合、原料化合物[nlの遊離カルボキシ
基をこの還元反応前に保護しておくことが望捷しく、例
えは、原料化合物[■]を例えば、ビス(トリメチルシ
リル)アセトアミド、トリメチルシリルアセトアミド、
N,N’−ビス(トリメチルシリル)尿素等のシリル化
合物のようなエステル化剤によってこの反応前に処理し
ておくと好都合である。
反応温度は特に限定されず、反応は好ましくは冷却下な
いしは室温で行なわれる。
この発明を実施例および参考例に従って以下に説明する
実施例1 7−アミノ−3−(′1ーメチルーIHーテトラゾール
−5−イル)チオメチル−3− セフェム−4−カルボ
ン酸(6.56y;純度88.9%)およびトリメチル
シリルアセトアミド(10.8gI)をN,N−ジメチ
ルホルムアミド(26me)に室温で溶解し、溶液を氷
水で冷却した。塩化アンモニウム(16.1y)および
亜鉛末(10.8P)を加えた後、混合物を水冷下に4
0分間撹拌した。
反応混合物を濾過し、残留物をN,N−ジメチルホルム
アミド(15+++e)で洗浄した。P液と洗液と.を
合わせて、ジイソプロピルエーテル(50n+e)、酢
酸(1+++flりおよびn−ヘキサン(7n+e)と
混合し、水冷下に放置して2層に分離さ亡た6+.層を
除き、残った層に水(30m/)を加え、次いて濃塩酸
によりpH3.7に調整した。沈殿物をP収して冷水(
3m+?)で洗浄し、減圧下に乾燥して、7−アミノ−
3−メチレンセファム−4−カルボン酸(純度ニア9.
8%)を85.5%の収率で得た。
1、 R. ( ヌジョール): 3200  200
0,  1770.  1620(ショルダー)、  
1540(ショルダー)、  1460。
1220、  1140crn−1 N.M.R. (NaHCO3+D,、O,δ) : 
3.37,  3.72(d, d。
2H, J=14Hz)、  5.00(LH, s)
、  5.28(IH, s)。
5、33(IH,d,J=3Hz)、  5.35(I
H,s)。
5、 42( IH, d, J−3Hz )実施例2 7−アミノ−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
の代りに、7−アミノ−3−(5−メチル−1. 3.
 4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸を使用し、トリメチルシリルア
セトアミドの代りに、N、N′−ビス(トリメチルシリ
ル)尿素を使用し、実施例1と同様に処理して 7−ア
ミノ−3−メチレンセファム−4−カルボン酸ヲ得だ。
実施例3 7−アミノ−3−クロロメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンス゛ヒドリルエステルOy)をN,N−ジ
メチルホルムアミド(60+++(りに溶解した。混合
物を=lO°Cに冷却して、これに亜鉛末(2.29,
p)を加え、塩化アンモニウム(3.22P)の水(1
0+++(り溶液を−10〜−3°Cで撹拌下に滴下し
、さらに同じ温度で30分間撹拌した。反応混合物を水
(200ml?)と酢酸エチル(200+ne)との混
合物中に注ぎ、不溶物を戸別した。有機層を分離し、塩
化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで
乾燥した後、減圧濃縮した。残渣にp−トルエンスルホ
ン酸(5、0y)の酢酸エチル(200m(り溶液を加
えた。
混合物を水冷下に撹拌し、析出した沈殿を戸数して酢酸
エチルで洗浄した後乾燥して、7−アミノ−3−メチレ
ンセファム−4−カルシボン酸ベンス゛ヒドリルエステ
ルのp−トルエンスルホン酸塩(■2.7y)を得だ。
実施例4 N,N−ジメチルホルムアミド(15+++f?)にチ
オ尿素(0、7 3 fil−)および塩化アンモニウ
ム(051y)の水(1+++e)溶液を加え、混合物
を5°Cで撹拌した。
この混合物に、7−ア三ノー3−り四ロメチルー3ーセ
フェムー4ーカルボン酸ベンズヒドリルエステル(2.
01を加えた。混合物を一10°Cに冷却して、亜鉛末
(0.6y)を加えた。混合物をーlO〜−8°Cで3
0分間撹拌した後、酢酸エチル(200me)と塩化ナ
トリクム水溶液(100me )との混合物中に注き、
不溶物を戸別した。有機層を分離し、塩化ナトリウム飽
和水溶液で洗浄した後、濃縮し、残渣を酢酸エチル(8
0+++llりに       ゛・芒溶解した。この
溶液にp− トルエンスルホン酸(1、0y)の酢酸エ
チル( 1 5 me )溶液を加えた。
混合物を水冷下に撹拌した。析出しだ沈殿を許収し、酢
酸エチルで洗浄した後、乾燥して、7−−yミノ−3−
メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テルのp−)ルエンスルホン酸塩(2.2y)を得た。
融点161〜163°C01、R.(ヌジョール): 
 1780.  1740砿−1N.M.R.(DMS
O−d6,δ): 2.28(3H,s)、  3.5
0(2H,ABq.、J−14Hz)、  5.02(
LH,d,J=5Hz)。
a          5.32(IH, d, J=
5Hz)、  5.40(2H, s)、  5.58
(IH,s)、  6.88(LH,s)、  7.3
8(IOH,m)。
8、8 (2H, m) 実施例5 7−アミノ−3−(5−メチル−1. 3. 4−チア
ジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セフェム−4
−カルシボン酸ベンス゛ヒドリルエステルOy)のN,
N−ジメチルホルムアミド(10me)溶液に塩化アン
モニウム(1.0y)およびチオ尿素(0.5y)を加
え、次いで混合物を5°Cに冷却した。
この混合物に亜鉛末(1.31を加え、混合物を5℃で
1時間撹拌した。反′応混合物を酢酸エチル(160m
l?)と塩化ナトリウムの飽和水溶液(100miりと
の混合物中−に注き、不溶物を戸別した。有機層を分離
し、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、15meまで濃縮した。残渣にp
−)ルエンスルホン酸(0.6y)の酢酸エチル(10
y+f?)溶液を加えた。
析出した沈殿をP収し、乾燥して7−アミノ−3−メチ
レンセファム−4−カルボン酸ベンス゛ヒドリルエステ
ルのp−トルエンスルホン酸塩(1.Oy)を得だ。
実施例6 N,N−ジメチルホルムアミド(20mfりに、チオ尿
素(0.76y)、亜鉛末(0.51および塩化アンモ
ニウム(0.67y)の水( 3 me )溶液を加え
た。この混合物に7−7エニルアセトアミドー3−クロ
ロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル( 2. 6 7 9 >ヲ−15°Cに冷
却しながら撹拌下に加え、混合物をー15〜−10℃で
1時間撹拌した後、濾過しだ。p液に酢酸エチル(10
0m()および水(100me)を加乏−1有機層を分
離して取った。有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾
燥した後、減圧濃縮した。残ン〆tをジイソプロピルエ
ーテル中で粉砕シて、7−7エニルアセトアミドー3−
メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル2、2.!/)を得た。
1、 R. ( ヌジョール):  3300,  1
760,  1720,  1640。
1505cm’ N. M. R. (DMSO−d6,δ): 3.3
−3.7(4H,m)。
5、18−s7(sH+m)+  6.85(LH,s
)、  9.07( I H,d + J−8 H z
 )実施例7 7−(5−ベンズアミド−5−ベンズヒドリルオキシカ
ルボニルパレルア”、ド)−3−ヒドロキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
 8. 1 p )の塩化メチレン(50me )溶液
に、五塩化リンを−2 0 ’Cに冷却しながら加え、
これに同じ温度で撹拌下にピリジン(0、95p)を滴
下した。
混合物を−20〜−lOoCで30分間撹拌し、次いて
水( 5 0 me )を加えた。有機層を分1111
fL、炭酸水素ナトリウム水溶液でpH6.0に調整し
た。
さらに有機層を分離し、塩化ナトリウム飽和水溶液で洗
浄した後、減圧濃縮して、7−(5−ペンス゛アミドー
5ーベンス゛ヒドリルオギシ力ルボニルパレルアミI’
) −3−クロロメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンス゛ヒドリルエステルヲtj%た。このようにし
て得られた化合物をN,N−ジメチルホルムアミド(3
0+++e)に溶解し、−10℃に冷却した。この混合
物に塩化アシモニクム(1、4p)の水( 3 me 
)溶液、チオ尿素(1.9y)および亜鉛末(1.6y
)を加え、混合物を−15〜−10°Cで1時間撹拌し
た。反応混合物を酢酸エチル(200me)と塩化ナト
リウム飽和水溶液(200m+’)との混合物中に注ぎ
、混合物を濾過した。F液から有機層を分離し、塩化ナ
トリクム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後      ”LIJ減圧濃縮した。残渣をアセトン
(30me)に溶解し、このようにして得られた溶液を
ジイソプロピルエーテル(250ml?)に加えた。析
出しだ沈殿を1収し、乾燥して、?−(5−ベンズアミ
ド−5−ベンス゛ヒドリルオキシカルボニルバレルアミ
)’ ) −3−メチレンセファム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステル(6.7y−)t[*。
1、 R. (ヌジョール):3270,  1?75
,  1730.  1645cm’N. M. R.
 ( DMSO − a6,δ): 1.3−2.6 
(6H, m)+3、、18(2H, m)、  4.
63(坤, m)+  4. 9−5. 7(5H。
’:          m)、  6.83(IH,
s)、  6.88(IHI8)、  7.4(23H
m)+7.93(2H,m)、  8.83(2H,m
)実施例8 N,N−ジメチルホルムアミド(600me)にチオ尿
素< 29. 4 y>および塩化アンモニタ・ム(2
5、8y)の水(64me)溶液を加え、混合物を0℃
に冷却した。この混合物に亜鉛末(18.3y)を加え
た。混合物をー15℃に冷却してこれに、7−ア三ノー
3−タロロメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル(SO.Oy;純度95.5%)を
加え、次いで混合物を−15〜−10℃で1時間撹拌し
た後、酢酸エチル(3.5e)と塩化ナトリウム水溶M
(2iとの混合物中に注いだ。不溶物を戸別した。有機
層を分離し、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、
約7 0 0 me捷で濃縮した。濃縮液にp−  ト
ルエンスルホン酸( 4 0. 4 y)の酢酸エチル
( 300me )溶液を加えた。混合物を冷蔵庫中に
放置して、7−アミノ−3−メチレンセファム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステルのp−トルエンスルホ
ン酸塩(105.084;’)(純度:83.3ヂ・)
を86、0%の収率で得た。
参考例1 五塩化リン(1y)を塩化メチレン(20m/)中に懸
濁し、−5℃に冷却した。この懸濁液,にピリジン( 
0. 3 1 me )を滴下し、混合物を水冷下に2
0分間撹拌した。反応混合物を一30°Cに冷却し、こ
れに7−フェニルアセトアミド−3−メチレンセファム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(2y)を加
えた。この混合物を−20〜−10°Cで1時間撹拌し
た。混合物にメタノール(5me)を−30°Cで加え
、〜10℃で1時間撹打した。反応混合物に冷水(30
mlりを加えた。
有機層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液およ0・塩
化ナトリクム水〆液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、蒸発乾固した。残渣を酢酸エチル(50me )に
溶解した。この溶液にp−)ルエンスルホン酸(o、7
y)の酢酸エチル溶液を加えた。
析出しだ沈殿をP収し、酢酸エチルで洗浄した後、乾燥
して、7−アミノ−3−メチレンセファム−4−カルシ
ボン酸ベンス゛ヒドリルエステルルエンスルホン酸!(
 1.3y)を4だ。
参考例2 五塩化リン(3.0y)を塩化メチレン(50mL)に
懸濁し、これにピリジン(1.2y)を水冷下に撹拌し
ながら滴下し、さらに−5℃で20分間撹拌した。混合
物を一30℃に冷却してこれに、7−(5−ベンズアミ
ド−5−ベンズヒドリルオキシカルボニルバレルアミド
)−3−メチレンセファム−4−カルシボン酸ベンス゛
ヒドリルエステル50y)を加えた。混合物を−20〜
−10℃で1時間撹拌した後、−30°Cに冷却した。
この混合物にメタノール( 1 0 tne )を−挙
に加オー、混合物を−20〜−lOoCで1時間撹拌し
た。反応混合物に水( 5 0 me )を加えた。有
機層を分離してこれに塩化ナトリウム水溶液( 5 0
 me )を加えた。
混合溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液でpH6.5に調
整した。有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧濃縮した。残渣を酢酸エチル(20me )に溶解
し、この溶液にp−トルエンスルホン酸(1.5P)の
酢酸エチル(20me)溶液を加えた。析出した沈殿を
fp収し、酢酸エチルで洗浄後、乾燥シて、7−アミノ
−3−メチレンセファム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステルのp−トルエンスルホン酸塩( 1. 5 
9 ) ヲ得り。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 l)一般式 [式中 R1はアミンまたは保護されたアミノ基、R2
    はカルボキシまたは保護されたカルボキシ基、R3はハ
    ロゲンまたは適当な置換基によって置換されていてもよ
    い゛複素環チオ基をそれぞれ意味する]で示される化合
    物またはその塩類を、金属と酸のアンモニウム塩との組
    合わせによって還元することを特徴とする、一般式 〔式中 R1およびR2はそれぞれ前と同じ意味〕で示
    される3−メチレンセファム化合物捷たはその塩類の製
    造法。 2)金属が亜鉛である特許請求の範囲第1項記載の製造
    法。 3)酸のアンモニウム塩がハロゲン化アンモニウムであ
    る特許請求の範囲第2項記載の製造法。 4)ハロゲン化アンモニウムカ塩化アンモニウムである
    特許請求の範囲第3項記載の製造法。 5)反応をN、N−ジメチルホルムアミドの存在下に行
    なう特許請求の範囲第4項記載の製造法。 6)反応をチオ尿素の存在下に行なう特許請求の範囲第
    5項記載の製造法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4958018A (en) * 1988-05-11 1990-09-18 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Method for production of 3-exomethylenecepham derivatives
EP0605836A1 (en) 1992-12-18 1994-07-13 Meiji Seika Kaisha Ltd. Cephalosporin derivatives

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50105682A (ja) * 1974-01-16 1975-08-20

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