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JPS58124262A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

Info

Publication number
JPS58124262A
JPS58124262A JP57006948A JP694882A JPS58124262A JP S58124262 A JPS58124262 A JP S58124262A JP 57006948 A JP57006948 A JP 57006948A JP 694882 A JP694882 A JP 694882A JP S58124262 A JPS58124262 A JP S58124262A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output buffer
terminal
terminals
chip
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57006948A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0416944B2 (ja
Inventor
Soichi Ito
伊藤 荘一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57006948A priority Critical patent/JPS58124262A/ja
Publication of JPS58124262A publication Critical patent/JPS58124262A/ja
Publication of JPH0416944B2 publication Critical patent/JPH0416944B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/90Masterslice integrated circuits
    • H10D84/998Input and output buffer/driver structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路装置に関する。
従来よシ多数のTTL出力バッ77回路、エミッタフォ
ロア出力回路を有する集積回路チップに於ては、同出力
回路のオン・オフに伴う瞬間大電流による他回路へのノ
イズの影曽を減する為、これらへの電源供給を他回路、
特に内部論理回路と分離するべくチップ端子を別に設け
、同出力回路までの布線を全く別に行うか、或いはチッ
プ端子は共通でも布線は分岐させるという方法がとられ
てきた○しかしながら、集積回路が大規模化されるにつ
れて、1チツプに搭載される出力バッファ回路数も増加
し、この為、伺ビットもの出力回路が同時にオン又はオ
フした時の瞬間電流は非常に大きく、前述の如く出力回
路用に分岐された配線自体にも大きな電位変動が生じて
、静止状態にある他の出力回路の出力電圧に無視できな
い大き々ゆらぎが生じる。これを防止するには、電源配
線の幅を大きくとり、配線抵抗を減するが又は電源端子
を多く設けて電流の方向を分散させれは良いが、この様
にすると前者の場合チップサイズが増大して好ましくな
く、後者の場合、電源端子が増加し、その分信号用端子
が減るのでこれも好ましくないという欠点がめった。
本発明は上記欠点を除去し、出力バッファ回路を含み核
出力バッファ回路用の電源供給配線布線に要する面積を
低減することによりチップ面積を小さくした集積回路装
置を提供するものである。
本発明は、出力バッファ回路と少くとも該出力バッファ
回路に電源を供給する為の布線とを有する集積回路装置
において、前記出力バッファ回路に接続する同電位電源
端子を複数個有し、かつ、前記電源端子の一方とこれに
接続する出力バッファ回路の配線系列は前記電源端子の
他方とこれに接続する出力バッファ回路の配線系列とチ
ップ内部の配線にて相互に接続されていないことを%徴
とする。
本発明の実施例について図面を用いて説明する0第1図
は本発明の一実施例の平面図である。
第1図において、1.2は’I’TL出力バッファ回路
用GNDI端子、3.4は同じ(TTI、出力バッファ
回路用VCCI端子、5.6.7.8  は主に内部論
理回路に用いられるGND2端子、9.10は同じく主
に内部論理回路に用いられるVcc24子、11及びそ
れと同形でチップ周辺に配列されたものは、人、出力端
子、12 、12’ 、 13 、13’は出力バラフ
ッ回路で、チップ左右透失々に於て電源為子1.2.3
.4の位置を除く12から12′までの間、13から1
3′までの間の各人、出力端子に対応する位置全てに配
置されている。但し第1図では、図が複雑になることを
避るため省略しである。一方、14はVCCI端子2と
同電位の第1増配軸、17はVcc 1端子2と同電位
の第21−配線でチップ左辺の出力バッファ回路に接続
する。15は同第1層配線と第2層配線とを接続するた
めの開孔を表わし、別の’Jcc 1端子4についても
これとh様で、特にVcc I M子4はチップ右辺の
出力バッフ7回路に接続する。又、16はC+ND1m
子1と同電位の第2層配線でチップ左辺の出力バッファ
回路に接続し、別のGNDI端子2についてもこれと同
様で特にGND 端子2は、チップ右辺の出力バラフッ
回路に接続する。又、18はGND2端子5.6,7,
8と同電位のGND2配線、191dVCC2端子9.
10と同電位のVCC2配線である。
このように出力パッファ回路12.12’、及び13.
13′とこの出力バッファ回路に電源を供給する為の布
線14.16.17とを有する集積回路装置において、
出力バッファ回路12 、12’ 、 13 、13’
に接続する同電位電源端子、即ちC+ND114子1,
2、!: Vcc 1 i子3 、4 k有し、カッコ
ノ同電位■j5源端子の一方(これをVCCI端子、G
ND端子1とする)とこれに接続する出力バッファ回路
の系列(図で12から12′までの系列)は、他方の電
源端子(VCCI端子4、GND114子2)とこれに
接続する出力バッ7アの系列(図で13から13′まで
の系列)とチップ内部の配線にて相互に接続されてい々
い。
更に1出力ツゝソフア回路12.12’、13.13’
がオンオフする時に生ずる電源ノイズが他の回路、特に
内部論理回路に影響することを避るため、出力バッファ
回路用のVcc1@子3,4、GNDI端子1.2は玉
に内部論理回路に接続するGND2輪子5.6.7.8
及びVCC2端子9.10とチップ内部で互いに接続さ
れていない。
5− このように出力バッファ回路用電源をチップ内部で分離
した結果、それらを相互に接続する為の配線スペースが
全く不要になシ、このためチップサイズが効果的に縮小
できる。特に、チップ左右夫々に分離された電源配線が
互いに接続されている場合、左右辺の出力バッファ回路
の動作状態の偏夛によって同接続線に流れる電流はかな
シ大きく、エレクトロマイグレーションによる配線寿命
を考慮して決定される同接続の為の配線幅はかなシ大き
くなるので、rWJ接続接続子した本発明の効果は非常
に大きい。
一般に、所望数の出力バッファ(ロ)路をそのバッファ
回路用として使用できる電源端子の数以下のグループに
分け、少くともグループ内では、出力バッファ回路を互
いに近い距離に配置し、出力バッファ回路への電源供給
は最低1つのグループの単位で独立に行ないグループ間
のあるものはチップ内部の配線にて相互に接続しないよ
うにする・ことでチップサイズの組手化を計れるという
効果か得られる。
6一 以上詳細に説明したように、本発明によれは、チップ面
積を縮小した集積回路装置が得られるのでその効果は大
きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の平m1図である。 1.2・・・・・・出力バッファ回路用GND 】端子
、3.4・・・・・・出力バッファ回路用VCCI端子
、5.6゜7.8 ・・・・・・内部論理回路用GへD
2端子、9.10・・・・・・内部論理回路用Vccz
y&子、11・・・・・・人、出力用端子、12.12
’、13.13’・・・・・・出力バッファ回路、14
・・・・・・Vcc 1端子2と同電位の第1層配線、
15・・・・・・開孔、16・・・・・・GへD1端子
と同電位の第2層配線、17・・・・・・vcc 1廟
子2と同電位の第2t= fit 線、1g ・−・−
GIVIID配置a、1装9−・・・−Vcc 2 n
t線。 2

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 出力パッ77回路と少くとも該出力バッファ回路に電源
    を供給する為の布線とを有する集積回路装置において、
    前記出力バッファ回路に接続する同電位電源端子を複数
    個有し、かつ、前記電源端子の一方とこれに接続する出
    力バッファ回路配線系列は、前記電源端子の他方とこれ
    に接続する出力バッファ回路の配線系列とチップ内部の
    配線にて相互に接続されていないことを特徴とする集積
    回路装置。
JP57006948A 1982-01-20 1982-01-20 集積回路装置 Granted JPS58124262A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57006948A JPS58124262A (ja) 1982-01-20 1982-01-20 集積回路装置

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JPS58124262A true JPS58124262A (ja) 1983-07-23
JPH0416944B2 JPH0416944B2 (ja) 1992-03-25

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60143647A (ja) * 1983-09-09 1985-07-29 フエアチアイルド カメラ アンド インストルメント コ−ポレ−シヨン 回路のインダクタンスを減少させ且つ制御した電圧勾配を与える集積回路チツプ配線構成
JPS62263654A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
EP0367060A2 (en) * 1988-10-31 1990-05-09 Motorola, Inc. Microprocessor having high current drive
EP0412561A2 (en) * 1989-08-11 1991-02-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device
JPH06140578A (ja) * 1992-10-29 1994-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積装置
EP1179848A3 (en) * 1989-02-14 2005-03-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Supply pin rearrangement for an I.C.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5420680A (en) * 1977-07-18 1979-02-16 Hitachi Ltd Large scale integrated circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5420680A (en) * 1977-07-18 1979-02-16 Hitachi Ltd Large scale integrated circuit

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60143647A (ja) * 1983-09-09 1985-07-29 フエアチアイルド カメラ アンド インストルメント コ−ポレ−シヨン 回路のインダクタンスを減少させ且つ制御した電圧勾配を与える集積回路チツプ配線構成
JPS62263654A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
EP0367060A2 (en) * 1988-10-31 1990-05-09 Motorola, Inc. Microprocessor having high current drive
EP0367060A3 (en) * 1988-10-31 1991-11-21 Motorola, Inc. Microprocessor having high current drive
EP1179848A3 (en) * 1989-02-14 2005-03-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Supply pin rearrangement for an I.C.
EP0412561A2 (en) * 1989-08-11 1991-02-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device
JPH06140578A (ja) * 1992-10-29 1994-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積装置

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JPH0416944B2 (ja) 1992-03-25

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