JPH1152405A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示素子へのＬＳＩ等のベアチップの実
装時および／または実装後にベアチップとガラス基板と
の接続部の観察が可能であり、且つＬＳＩ等のベアチッ
プへの電源や接地および昇圧用などの配線に対して低抵
抗化を図ることができる液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 セル外部にＬＳＩ８を設置して駆動させ
るＣＯＧ型の液晶表示素子において、セル上の配線部を
金属メッキまたは／および蒸着により金属で覆い、且つ
前記ＬＳＩとの電気的接合部に金属メッキまたは／およ
び蒸着を施さないので、ガラス基板との接続部の観察が
可能で、ＬＳＩ８への電源配線と接地配線および昇圧用
配線のみに金属メッキまたは／および蒸着を施すので、
配線に対して低抵抗化ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示素子の
セルの周辺部にＬＳＩを設置して、その配線部を金属メ
ッキまたは／および蒸着により金属で覆われているガラ
ス基板上にＬＳＩチップをフェイスダウンボンディング
で実装する時において、ＬＳＩチップと配線部との確実
な電気的接触を実現する液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示素子において、コスト、
工程数や信頼性等からガラス基板上に液晶駆動用ＬＳＩ
チップを実装するＣＯＧ型（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）の液晶表示素子が多く用いられている。図１に液晶
表示素子の基本的な構成を示す。図１は、上下２枚のガ
ラス基板１の位置合せし、２枚のガラス基板の間にギャ
ップを設けてギャップに液晶４を封入し、周囲に樹脂等
のシール５で封止し、ガラス基板の表面には、ネサ膜や
ＩＴＯ膜等の透明導電膜のパターン２、３を形成してい
る。

【０００３】さらに、液晶表示素子のセルの表面には、
偏光フィルタ７が貼られている。また、液晶駆動用ＬＳ
Ｉ８が外部配線部に設置されており、外部電極６から電
源と表示命令信号を取入れて、液晶表示素子用の信号を
表示部に供給する。なお、パターン３等の形成時に同時
に形成されたセル外部の部分を外部電極、配線部とす
る。

【０００４】図９に従来のＣＯＧ型液晶表示素子のセル
上に設置したＬＳＩ付近の断面図を示す。図９は、ガラ
ス基板１に設置されている外部電極６に施された金属メ
ッキ９は駆動用ＬＳＩ８の直下の接続部まで覆ってい
る。また、外部電極６の全体を電気抵抗を下げる目的
で、例えば特開平４−１７０５２４のように、金属メッ
キ９を施したものもある。

【０００５】さらに、セルの周辺部に設置した駆動用Ｌ
ＳＩ８の外部導通部のバンプ１０と外部電極６との間に
電気導伝性のある導通粒子１１（フィラ）を分散した樹
脂を用いてフェイスダウンで圧着する。

【０００６】次に、導通粒子１１を介した導通を確認す
るために、導通粒子１１が所定の量潰れて、接続が完全
であることを確認するために、駆動用ＬＳＩ８を外部電
極６の金属メッキ９膜上に装着後に、ガラス側から光学
顕微鏡により圧着部の観察をする。また、駆動電源接続
等により表示検査をする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】フェイスダウンで圧着
によって、導通粒子の潰れが不十分で弱く接触している
と、経時的に接触が切れてしまうことがあるために、Ｌ
ＳＩの圧着の条件出し、及び処理された製品の検査のた
めに圧着部を観察する。この時金属メッキ膜があると、
金属メッキ膜に遮られて目視や光学的観察等ができない
ため以下のような課題がある。

【０００８】ガラス基板上のＬＳＩ圧着部にまで金属メ
ッキ膜があると、圧着による導通粒子（フィラ）の潰れ
が所定量であるか、セルのガラス側（裏）から目視や光
学的な観察および検査等ができない課題がある。

【０００９】また、ガラス基板上のＬＳＩ圧着部にまで
金属メッキ膜があると、ガラス基板上のＬＳＩ圧着部に
ＬＳＩのバンプ部が均一な圧力でフィラと圧着されてい
るか、セルのガラス側（裏）から目視や光学的な観察お
よび検査等ができない課題がある。

【００１０】さらに、ガラス基板上のＬＳＩ圧着部にま
で金属メッキ膜があると、ＬＳＩのバンプ部とガラス基
板上のＬＳＩ圧着部との位置ズレを、セルのガラス側
（裏）から目視や光学的な観察および検査等ができない
課題がある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
請求項１に係る液晶表示素子は、セル端部に設けられた
外部電極、液晶密封空間内の表示電極、表示電極に連な
る配線部はいずれも透明導電膜で構成され、かつ、配線
部および外部電極は、それぞれのＬＳＩとの接合部を除
いて、金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われてい
ることを特徴とする。

【００１２】請求項１に係る液晶表示素子は、セル端部
に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電極、表
示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構成さ
れ、かつ、配線部および外部電極は、それぞれのＬＳＩ
との接合部を除いて、金属メッキまたは蒸着による金属
層で覆われているので、セルのガラス側（裏）からＬＳ
Ｉのバンプ部とガラス基板上のＬＳＩ圧着部との位置ズ
レや均一な圧着で導通粒子（フィラ）の潰れが所定量で
あるか無いかの観察および検査が可視的および光学的方
法により行うことができる。

【００１３】また、請求項２に係る液晶表示素子は、セ
ル端部に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電
極、表示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構
成され、かつ、外部電極のうちの電源用、接地配線用お
よび昇圧配線用の電極のみに、ＬＳＩとの接合部を除い
て、金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われている
ことを特徴とする。

【００１４】請求項２に係る液晶表示素子は、セル端部
に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電極、表
示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構成さ
れ、かつ、外部電極のうちの電源用、接地配線用および
昇圧配線用の電極のみに、ＬＳＩとの接合部を除いて、
金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われているの
で、セルのガラス側（裏）からＬＳＩのバンプ部とガラ
ス基板上のＬＳＩ圧着部との位置ズレや均一な圧着で導
通粒子（フィラ）の潰れが所定量であるか無いかの観察
および検査ができるとともに、大きな電流が流せ、リー
ド線等の接続に機械的強度やハンダの濡性の改善を得る
ことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。なお、この発明は、ＣＯＧ
型の液晶表示素子において、セル上の配線部を金属メッ
キまたは／および蒸着により金属で覆い、且つＬＳＩの
圧着部には、金属メッキまたは／および蒸着を施さない
で、セルのガラス側（裏）から圧着部を検査および観測
が可能な液晶表示素子を提供するものである。

【００１６】図２に、この発明に係る液晶表示素子のＬ
ＳＩ装着部の断面図を示す。図２は、ガラス基板１に真
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、化学
蒸着（ＣＶＤ）等と、それに続きエッチング（ウェッ
ト、ドライ）による方法で、酸化錫や酸化インジウムお
よび酸化インジウム錫等の化合物で出来た透明導電膜の
ネサ膜やＩＴＯ膜等からなる表示パターンと外部電極６
を同時に形成し、駆動用ＬＳＩ８のバンプ１０部を圧着
する部分以外を金属メッキ９を施し、バンプ１０と外部
電極６との間に電気導伝性のある導通粒子１１（フィ
ラ）を分散した樹脂を用いてフェイスダウンで圧着する
構成である。

【００１７】ガラス基板１は、ガラス成分としてアルカ
リを含有しないソーダライムガラスを主成分とし、熱的
安定が良く歪点を高く設定し、熱膨張係数も常温から３
５０°Ｃで４６〜４７（×１０^-7／°Ｃ）程度あり、ま
た溶解温度も１６００〜１６５０°Ｃと高いものが用い
られる。さらに平坦度に対し、偏肉、反り、うねり、表
面粗さ等の少ない、また傷、ピット、汚れ等の点で高度
品位なガラスから成り、場合によっては、表面研磨を施
すものもある。

【００１８】表示パターンと外部電極６は、酸化錫や酸
化インジウムを主な成分とし、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）酸化カドミウム錫等からなる化合物を真空蒸着や化
学蒸着で透明導電膜を形成し、その後エッチングを施し
断定形状の透明電極とする。

【００１９】金属メッキ９は、透明導電膜上に選択メッ
キによりニッケルを例えば５００ｎｍ程度の厚さに施
し、さらにその表面に金メッキを例えば厚さ５０ｎｍ程
度施す。また、ベアチップを装着するバンプ１０部は、
金属メッキ９を施さずに、透明導電膜のままである。

【００２０】また、金属メッキ９を施す領域は、基本的
にはＬＳＩ８の導通部となるバンプ１０部に掛からなけ
れが良いが、金属メッキ９が掛からない様に、金属メッ
キ９を施す領域をバンプ１０部から３０μｍ以上から
０．５ｍｍ以下離して所を金属メッキの境界部とする。

【００２１】導通粒子１１（フィラ）は、樹脂に５〜１
５μｍ程度の銀（Ａｇ）の粒子からなる導通粒子を分散
したものである。この導通粒子１１を外部電極６とＬＳ
Ｉ８が対向するバンプ１０部に設置する。

【００２２】さらに、ＬＳＩ８を所定位置のバンプ１０
部に置き、均一な圧力でフェイスダウンにより圧着を行
う。これにより、樹脂中のフィラが潰れて、フィラ同士
が面接触をして、導通性が得られる。

【００２３】次に、導通粒子１１を介した導通を確認す
るために、導通粒子１１が所定の量が潰れているかをガ
ラス側（裏）から圧着部を可視的、光学的方法により検
査観測し、導通粒子の潰れが所定量であるか無いか、さ
らにＬＳＩ８と圧着部とのバンプ部の位置ズレや導通粒
子が均一に潰れているかを確認する構成である。

【００２４】図３に本発明の液晶表示素子の主要処理工
程図を示す。図３のａは、パターニングされたＩＴＯ膜
付き基板の状態を示す。ソーダライムガラス等からなる
厚さ１．１ｍｍ程度のフラットなガラス基板１にエッチ
ング等により酸化スズや酸化インジウム等で表示パター
ン領域と、表示部への配線および外部電極６等のパター
ンを抵抗３０Ω／□程度のＩＴＯ膜３による透明導電膜
を形成する。ただし、バンプ部１０は、これら表示部へ
の配線部および外部電極６のパターンの一部であり、表
示領域には、液晶が密閉された空間が形成される。

【００２５】図３のｂは、フォトレジスト塗布の状態を
示す。また、この状態は、金属メッキ用（ニッケル用）
９−ａマスクパターニングである。金属メッキの必要と
しない部分（液晶表示領域やバンプ部）をフォトレジス
トで覆う（コーティング）ために、ガラス基板１にフォ
トレジストをスピンナ等で２μｍ程度塗布（例えば、こ
こではネガタイプのフォトレジスト）する。

【００２６】さらに、ステッパ等によって紫外線照射
で、金属メッキの必要としない部分のパターンを露光
（例えば、ここでは、積算光量１００ｍＪ／ｃｍ²）
し、露光された部分が不溶化となる。またさらに、フォ
トプロセス洗浄装置等の純水によるシャワーや超音波洗
浄等で汚物を除去し、エアーナイフ方式や熱風乾燥方式
等のエアーブロにより乾燥させて、液晶表示領域やバン
プ部にフォトレジストを残存させる。

【００２７】図３のｃは、金属メッキ（ニッケル）９−
ａを施す状態を示す。図３のｂによってフォトレジスト
が無い液晶表示パターンやバンプ部以外に金属メッキを
施すために、始めに表面の汚れの除去や脱脂等の目的の
ためアルカリ性の溶液でクリーニングを行い、次に塩酸
等の酸でアルカリ性を中和する。

【００２８】さらに、触媒化処理を行う。まず、キャタ
リストとして、塩化第一スズと塩化パラジウム等からな
る金属塩化物、および塩酸を同時に含んだ触媒化処理液
を室温〜４０゜Ｃ程度で２〜３分間程浸漬する。

【００２９】次に、キャタリストによる保護コロイドや
錯イオンを形成している触媒核をアクセレータ溶液で処
理し活性化させる。アクセレータ溶液としては、５〜１
０％程度の塩酸または硫酸等の酸を用いて、３０〜５０
゜Ｃ程度の温度で２〜５分程度で処理をする。

【００３０】さらに、ニッケルイオンを含む塩化ニッケ
ル溶液または硫酸ニッケル溶液のような化学ニッケルメ
ッキ液に室温〜３０゜Ｃ程度の温度で、３〜５分間程度
浸して無電解ニッケルメッキを生成し、下地のニッケル
メッキ層９−ａを形成する。

【００３１】図３のｄは、フォトレジストを剥離した状
態を示す。図３のｃで形成した無電解ニッケルメッキ用
のマスクパターンを洗剤や剥離剤等を用いてロールブラ
シやディスクブラシ等または超音波洗浄等でフォトレジ
ストを除去する。

【００３３】図３のｅは、金属メッキ（金メッキ）９−
ｂをニッケルメッキ９−ａ上に選択的に施した状態を示
す。図３のｃの処理工程と同様に、始めに表面の汚れの
除去や脱脂等のためにアルカリ性の溶液でクリーニング
を行い、次に硫酸等の酸でアルカリ性を中和するととも
に、ニッケル表面を活性化させる。

【００３４】さらに、メッキ層の厚さを５０ｎｍ程度の
薄く形成するフラッシュ金による金メッキを行う。金イ
オンを含む塩化物溶液または硫酸塩溶液のような金属塩
からなる化学金メッキ液に室温程度で浸し、さらに金属
イオンの還元剤としてホルムアルデヒドやロッシェル塩
等で還元して無電解金メッキを生成し、下地のニッケル
メッキ層９−ａ上部に金メッキ層９−ｂを形成する。こ
れら、ニッケルメッキ層９−ａと金メッキ層９−ｂとの
全体で金属メッキ９を形成する。

【００３５】図４および図５に、図３で説明した作成工
程による本発明の請求項１と請求項２に係るセル２０の
ガラス基板１上の透明導電膜パターンと金属メッキパタ
ーン領域図を示す。図４は、本発明の請求項１に係る金
属メッキ９の領域図である。図５は、本発明の請求項２
に係る金属メッキ９の領域図である。

【００３６】図４では、１はガラス基板、７は偏光フィ
ルタ、９は金属メッキ部、１２はＬＳＩのバンプに対応
する領域であり、バンプに対応する領域がＩＴＯ膜等の
透明導電膜であるために、ベアチップであるＬＳＩがＬ
ＳＩ圧着部に対しての位置ズレ、圧着部に均一な圧着力
で導通粒子（フィラ）が均一に潰れているか、さらに導
通粒子（フィラ）の潰れが所定の量に達しているか等を
セルのガラス側（裏）から観察および検査ができる。

【００３７】さらに、図５では、図４における機能とと
もに、１はガラス基板、７は偏光フィルタ、１２はＬＳ
Ｉのバンプに対応する領域、１３は電源線、１４は接地
線からなり、１３と１４のみに金属メッキ９を施して、
大きな電流でも熱を発生せずに電流を流せるとともに、
リード線等の接続に機械的強度が得られ、またハンダの
濡性が良くなる様にした。

【００３８】図６に図３に係るＣＯＧの一実施の形態に
おける要部フローチャート図を示す。状態１は、ガラス
基板１に、エッチングにより酸化インジウムスズで表示
領域と、表示部への配線および外部電極６とのパターン
ＩＴＯ膜３の透明導電膜を形成する。

【００３９】次に、状態２では、金属メッキの下層（地
メッキ）であるニッケルメッキ用９−ａのマスクパター
ンをフォトレジストでマスキングする。金属メッキの必
要としない部分（液晶表示領域やバンプ部）をフォトレ
ジストで覆う（コーティング）。

【００４０】さらに、状態３では、金属メッキの下層
（地メッキ）であるニッケルメッキを外部から電流を流
すことなく、溶液中の金属イオンを還元折出させ被メッ
キ体の表面にメッキ層を析出させる無電解法でニッケル
メッキを施す。フォトレジストがない部分にニッケルメ
ッキが折出する。

【００４１】状態４は、先の状態２で形成した無電解ニ
ッケルメッキ用のマスクパターンを洗剤や剥離剤等を用
いてフォトレジストを剥離除去する。

【００４２】状態５では、状態４でのフォトレジストの
残骸を熱でさらに除去するとともに、ガラス基板１の歪
等を無くし、ニッケルメッキ層の密着度を強固にすため
に２５０゜Ｃの温度で３０分間エージングする。

【００４３】さらに、状態６では、再度、無電解メッキ
法によって金メッキ９−ｂを下地のニッケルメッキ層９
−ａ上に施し、ニッケルメッキ層９−ａと金メッキ層９
−ｂとの全体で金属メッキ９を形成する。

【００４４】状態７は、状態６までのガラス基板１の液
晶表示をするセグメント側表示の透明電極膜３と、これ
に対応するコモン側表示の透明電極膜を形成したガラス
基板２との２枚を位置合せして、その２枚のガラス基板
の間にギャップを設けて周囲に樹脂等のシール５で封止
（但し、液晶を注入する注入口には、未シール）する。

【００４６】また、液晶注入装置等で、ガラス基板をチ
ャンバの中に入れ、真空ポンプにより排気を行い、排気
後に液晶が入った専用の液晶皿にガラス基板を浸けてセ
ルの中に液晶を注入させる。

【００４７】さらに、ガラス基板のセル中に液晶が注入
されると、注入口を樹脂等で封止する。また、セルの上
部に入射光の偏光方向を一方向に限定する（液晶表示方
法によって、光に対して反射型や透過型、また偏光方向
に対する液晶自体のツィスト方法により異なる。）偏光
フィルタを貼りつける。

【００４８】状態８は、出来上がった液晶表示素子のバ
ンプ部に電気導伝性の良い銀粒子（フィラ）からなる導
通粒子１１を分散した樹脂を用いてフェイスダウン圧着
する。

【００４９】この時、ベアチップであるＬＳＩがＬＳＩ
圧着部に対し位置ズレを起こさない様に、ＬＳＩ上部か
らフラットな板状圧着機（例えばボンダ）で導通粒子１
１（フィラ）が一定量潰れる様な均一な一定の圧力を加
える。圧着力や樹脂等によって、冷圧着、熱圧着（室温
１５０゜Ｃ）および加圧力（０．１〜１Ｋｇ）や加圧時
間（０．１〜６０Ｓｅｃ）等ボンディングを色々変える
ことができる。また、同時にガラス基板とＬＳＩとの間
は樹脂により接着される。

【００５０】図７に図６の要部フローチャート中におけ
る無電解ニッケルメッキ部のフローを示す。状態３ａで
は、金属メッキ９を施すために、表面の汚れの除去や脱
脂等のためにアルカリ性の溶液でクリーニングを行う。

【００５１】さらに状態３ｂでは、状態３ａで行った処
理によるアルカリ性を塩酸等の酸で中和する。

【００５２】また状態３ｃは、触媒化処理の第一段階と
して、のキャタリスト処理を塩化第一スズと塩化パラジ
ウム等からなる金属塩化物と塩酸で室温〜４０゜Ｃ程度
の温度で２〜３分間程浸漬す。

【００５３】さらに状態３ｄでは、キャタリスト処理に
よる保護コロイドや錯イオンを形成している触媒核を５
〜１０％程度の塩酸または硫酸等の酸からなるアクセレ
ータ溶液で３０〜５０゜Ｃ程度の温度で２〜５分程度処
理し活性化させる。

【００５４】状態３ｅでは、無電解ニッケルメッキを生
成するために、ニッケルイオンを含む塩化ニッケル溶液
または硫酸ニッケル溶液のような化学ニッケルメッキ液
に室温〜３０゜Ｃ程度の温度で３〜５分間程度浸す。こ
のように、無電解ニッケルメッキによって、金属メッキ
９の下地であるニッケルメッキを形成する。

【００５５】図８に図６の要部フローチャート図中にお
ける無電解金部のフロー図を示す。状態６ａでは、金メ
ッキを施すために、始めにニッケルメッキ等、表面の汚
れの除去や脱脂等のためにアルカリ性の溶液でクリーニ
ングを行う。

【００５６】状態６ｂでは、硫酸等の酸により、状態６
ａでのアルカリ性を中和するとともに、ニッケル表面を
活性化させる。

【００５７】状態６ｃは、金イオンを含む塩化物溶液ま
たは硫酸塩溶液のような金属塩からなる化学金メッキ液
に室温程度で浸し、さらに金属イオンの還元剤としてホ
ルムアルデヒドやロッシェル塩等で還元して無電解金メ
ッキを生成する。

【００５８】このように、無電解金メッキによって、ニ
ッケルメッキの上層を金メッキで形成する。図７で形成
した下地のニッケルメッキ層の上部に図８で形成した金
メッキ層によって、全体として金属メッキ９を形成す
る。

【００５９】このように、本発明の液晶表示素子は、バ
ンプに対応する領域がＩＴＯ膜等の透明導電膜で形成さ
れているのために、ベアチップのバンプ部に対して、位
置ズレや導通粒子（フィラ）が均一に潰れているか、さ
らに導通粒子（フィラ）の潰れが所定の量に達している
か等をセルのガラス側（裏）から観察および検査ができ
る。また、ＬＳＩへの電源配線と接地配線および昇圧用
配線に金属メッキを施したので、発熱せずに大きな電流
を流せ、リード線等の接続に機械的強度を増し、ハンダ
の濡れ性が改善できる。さらに、本発明は、ガラス基板
だけでなく、透明であれば樹脂フイルムを用いても良
い。

【００６０】

【発明の効果】以上のように、請求項１に係る液晶表示
素子は、セル端部に設けられた外部電極、液晶密封空間
内の表示電極、表示電極に連なる配線部はいずれも透明
導電膜で構成され、かつ、配線部および外部電極は、そ
れぞれのＬＳＩとの接合部を除いて、金属メッキまたは
蒸着による金属層で覆われているので、セルのガラス側
（裏）からＬＳＩのバンプ部とガラス基板上のＬＳＩ圧
着部との位置ズレのチェックや、導通粒子の潰れの均一
性や、導通粒子の潰れが所定量であるか無いかの観察お
よび検査をすることができるので、マウント後の不良を
少なく、リペア量とリペア工程とを少なくすることが出
来、コストおよび信頼性の向上が図れる。

【００６１】また、請求項２に係る液晶表示素子は、セ
ル端部に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電
極、表示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構
成され、かつ、外部電極のうちの電源用、接地配線用お
よび昇圧配線用の電極のみに、ＬＳＩとの接合部を除い
て、金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われている
ので、セルのガラス側（裏）からＬＳＩのバンプ部とガ
ラス基板上のＬＳＩ圧着部との位置ズレや均一な圧着で
導通粒子の潰れが所定量であるか無いかの観察および検
査ができるとともに、低抵抗化と電流容量が取れるの
で、発熱せずに大きな電流を流せ、リード線等の接続に
機械的強度を増すことができ、ハンダの濡れ性の改善を
得ることができるので、作業操作性や信頼性の向上が図
れる。

【００６２】よって、液晶表示素子へのＬＳＩ等のベア
チップの実装時および／または実装後にベアチップとガ
ラス基板との接続部の観察が可能であり、且つＬＳＩ等
のベアチップへの電源や接地および昇圧用などの配線に
対して低抵抗化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶表示素子の基本的な構成図

【図２】発明に係る液晶表示素子のＬＳＩ装着部の断面
図

【図３】本発明の液晶表示素子の主要処理工程図

【図４】請求項１に係る金属メッキ９の領域図

【図５】請求項２に係る金属メッキ９の領域図

【図６】図３に係るＣＯＧの一実施の形態おける要部フ
ローチャート図

【図７】図３に係るＣＯＧの一実施の形態おけるニッケ
ルメッキの要部フロー図

【図８】図３に係るＣＯＧの一実施の形態おける金メッ
キの要部フロー図

【図９】従来のＣＯＧ型液晶表示素子のセル上に設置し
たＬＳＩ付近の断面図

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…透明電極膜（コモン側）、３…透
明電極膜（表示側）、４…液晶、５…シール、６…外部
電極、７…偏向フィルタ、８…駆動用ＬＳＩ、９…金属
メッキ、９ａ…ニッケルメッキ（無電解ニッケルメッ
キ）、９ｂ…金メッキ（無電解金メッキ）、１０…バン
プ、１１…導通粒子（銀粒子）、１２…フォトレジス
ト、１３…電源線、１４…接地線、２０…セル。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成９年７月３１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】 明細書

【発明の名称】 液晶表示素子

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示素子の
セルの周辺部にＬＳＩを設置して、その配線部を金属メ
ッキまたは／および蒸着により金属で覆われているガラ
ス基板上にＬＳＩチップをフェイスダウンボンディング
で実装する時において、ＬＳＩチップと配線部との確実
な電気的接触を実現する液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示素子において、コスト、
工程数や信頼性等からガラス基板上に液晶駆動用ＬＳＩ
チップを実装するＣＯＧ型（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）の液晶表示素子が多く用いられている。図１に液晶
表示素子の基本的な構成を示す。図１は、上下２枚のガ
ラス基板１の位置合せし、２枚のガラス基板の間にギャ
ップを設けてギャップに液晶４を封入し、周囲に樹脂等
のシール５で封止し、ガラス基板の表面には、ネサ膜や
ＩＴＯ膜等の透明導電膜のパターン２、３を形成してい
る。

【０００３】さらに、液晶表示素子のセルの表面には、
偏光フィルタ７が貼られている。また、液晶駆動用ＬＳ
Ｉ８が外部配線部に設置されており、外部電極６から電
源と表示命令信号を取入れて、液晶表示素子用の信号を
表示部に供給する。なお、パターン３等の形成時に同時
に形成されたセル外部の部分を外部電極、配線部とす
る。

【０００４】図９に従来のＣＯＧ型液晶表示素子のセル
上に設置したＬＳＩ付近の断面図を示す。図９は、ガラ
ス基板１に設置されている外部電極６に施された金属メ
ッキ９は駆動用ＬＳＩ８の直下の接続部まで覆ってい
る。また、外部電極６の全体を電気抵抗を下げる目的
で、例えば特開平４−１７０５２４のように、金属メッ
キ９を施したものもある。

【０００５】さらに、セルの周辺部に設置した駆動用Ｌ
ＳＩ８の外部導通部のバンプ１０と外部電極６との間に
電気導伝性のある導通粒子１１（フィラ）を分散した樹
脂を用いてフェイスダウンで圧着する。

【０００６】次に、導通粒子１１を介した導通を確認す
るために、導通粒子１１が所定の量潰れて、接続が完全
であることを確認するために、駆動用ＬＳＩ８を外部電
極６の金属メッキ９膜上に装着後に、ガラス側から光学
顕微鏡により圧着部の観察をする。また、駆動電源接続
等により表示検査をする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】フェイスダウンで圧着
によって、導通粒子の潰れが不十分で弱く接触している
と、経時的に接触が切れてしまうことがあるために、Ｌ
ＳＩの圧着の条件出し、及び処理された製品の検査のた
めに圧着部を観察する。この時金属メッキ膜があると、
金属メッキ膜に遮られて目視や光学的観察等ができない
ため以下のような課題がある。

【０００８】ガラス基板上のＬＳＩ圧着部にまで金属メ
ッキ膜があると、圧着による導通粒子（フィラ）の潰れ
が所定量であるか、セルのガラス側（裏）から目視や光
学的な観察および検査等ができない課題がある。

【０００９】また、ガラス基板上のＬＳＩ圧着部にまで
金属メッキ膜があると、ガラス基板上のＬＳＩ圧着部に
ＬＳＩのバンプ部が均一な圧力でフィラと圧着されてい
るか、セルのガラス側（裏）から目視や光学的な観察お
よび検査等ができない課題がある。

【００１０】さらに、ガラス基板上のＬＳＩ圧着部にま
で金属メッキ膜があると、ＬＳＩのバンプ部とガラス基
板上のＬＳＩ圧着部との位置ズレを、セルのガラス側
（裏）から目視や光学的な観察および検査等ができない
課題がある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
請求項１に係る液晶表示素子は、セル端部に設けられた
外部電極、液晶密封空間内の表示電極、表示電極に連な
る配線部はいずれも透明導電膜で構成され、かつ、配線
部および外部電極は、それぞれのＬＳＩとの接合部を除
いて、金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われてい
ることを特徴とする。

【００１２】請求項１に係る液晶表示素子は、セル端部
に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電極、表
示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構成さ
れ、かつ、配線部および外部電極は、それぞれのＬＳＩ
との接合部を除いて、金属メッキまたは蒸着による金属
層で覆われているので、セルのガラス側（裏）からＬＳ
Ｉのバンプ部とガラス基板上のＬＳＩ圧着部との位置ズ
レや均一な圧着で導通粒子（フィラ）の潰れが所定量で
あるか無いかの観察および検査が可視的および光学的方
法により行うことができる。

【００１３】また、請求項２に係る液晶表示素子は、セ
ル端部に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電
極、表示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構
成され、かつ、外部電極のうちの電源用、接地配線用お
よび昇圧配線用の電極のみに、ＬＳＩとの接合部を除い
て、金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われている
ことを特徴とする。

【００１４】請求項２に係る液晶表示素子は、セル端部
に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電極、表
示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構成さ
れ、かつ、外部電極のうちの電源用、接地配線用および
昇圧配線用の電極のみに、ＬＳＩとの接合部を除いて、
金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われているの
で、セルのガラス側（裏）からＬＳＩのバンプ部とガラ
ス基板上のＬＳＩ圧着部との位置ズレや均一な圧着で導
通粒子（フィラ）の潰れが所定量であるか無いかの観察
および検査ができるとともに、大きな電流が流せ、リー
ド線等の接続に機械的強度やハンダの濡性の改善を得る
ことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。なお、この発明は、ＣＯＧ
型の液晶表示素子において、セル上の配線部を金属メッ
キまたは／および蒸着により金属で覆い、且つＬＳＩの
圧着部には、金属メッキまたは／および蒸着を施さない
で、セルのガラス側（裏）から圧着部を検査および観測
が可能な液晶表示素子を提供するものである。

【００１６】図２に、この発明に係る液晶表示素子のＬ
ＳＩ装着部の断面図を示す。図２は、ガラス基板１に真
空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、化学
蒸着（ＣＶＤ）等と、それに続きエッチング（ウェッ
ト、ドライ）による方法で、酸化錫や酸化インジウムお
よび酸化インジウム錫等の化合物で出来た透明導電膜の
ネサ膜やＩＴＯ膜等からなる表示パターンと外部電極６
を同時に形成し、駆動用ＬＳＩ８のバンプ１０部を圧着
する部分以外を金属メッキ９を施し、バンプ１０と外部
電極６との間に電気導伝性のある導通粒子１１（フィ
ラ）を分散した樹脂を用いてフェイスダウンで圧着する
構成である。

【００１７】ガラス基板１は、ガラス成分としてアルカ
リを含有しないソーダライムガラスを主成分とし、熱的
安定が良く歪点を高く設定し、熱膨張係数も常温から３
５０°Ｃで４６〜４７（×１０^-7／°Ｃ）程度あり、ま
た溶解温度も１６００〜１６５０°Ｃと高いものが用い
られる。さらに平坦度に対し、偏肉、反り、うねり、表
面粗さ等の少ない、また傷、ピット、汚れ等の点で高度
品位なガラスから成り、場合によっては、表面研磨を施
すものもある。

【００１８】表示パターンと外部電極６は、酸化錫や酸
化インジウムを主な成分とし、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）酸化カドミウム錫等からなる化合物を真空蒸着や化
学蒸着で透明導電膜を形成し、その後エッチングを施し
断定形状の透明電極とする。

【００１９】金属メッキ９は、透明導電膜上に選択メッ
キによりニッケルを例えば５００ｎｍ程度の厚さに施
し、さらにその表面に金メッキを例えば厚さ５０ｎｍ程
度施す。また、ベアチップを装着するバンプ１０部は、
金属メッキ９を施さずに、透明導電膜のままである。

【００２０】また、金属メッキ９を施す領域は、基本的
にはＬＳＩ８の導通部となるバンプ１０部に掛からなけ
れが良いが、金属メッキ９が掛からない様に、金属メッ
キ９を施す領域をバンプ１０部から３０μｍ以上から
０．５ｍｍ以下離して所を金属メッキの境界部とする。

【００２１】導通粒子１１（フィラ）は、樹脂に５〜１
５μｍ程度の銀（Ａｇ）の粒子からなる導通粒子を分散
したものである。この導通粒子１１を外部電極６とＬＳ
Ｉ８が対向するバンプ１０部に設置する。

【００２２】さらに、ＬＳＩ８を所定位置のバンプ１０
部に置き、均一な圧力でフェイスダウンにより圧着を行
う。これにより、樹脂中のフィラが潰れて、フィラ同士
が面接触をして、導通性が得られる。

【００２３】次に、導通粒子１１を介した導通を確認す
るために、導通粒子１１が所定の量が潰れているかをガ
ラス側（裏）から圧着部を可視的、光学的方法により検
査観測し、導通粒子の潰れが所定量であるか無いか、さ
らにＬＳＩ８と圧着部とのバンプ部の位置ズレや導通粒
子が均一に潰れているかを確認する構成である。

【００２４】図３に本発明の液晶表示素子の主要処理工
程図を示す。図３のａは、パターニングされたＩＴＯ膜
付き基板の状態を示す。ソーダライムガラス等からなる
厚さ１．１ｍｍ程度のフラットなガラス基板１にエッチ
ング等により酸化スズや酸化インジウム等で表示パター
ン領域と、表示部への配線および外部電極６等のパター
ンを抵抗３０Ω／□程度のＩＴＯ膜３による透明導電膜
を形成する。ただし、バンプ部１０は、これら表示部へ
の配線部および外部電極６のパターンの一部であり、表
示領域には、液晶が密閉された空間が形成される。

【００２５】図３のｂは、フォトレジスト塗布の状態を
示す。また、この状態は、金属メッキ用（ニッケル用）
９−ａマスクパターニングである。金属メッキの必要と
しない部分（液晶表示領域やバンプ部）をフォトレジス
トで覆う（コーティング）ために、ガラス基板１にフォ
トレジストをスピンナ等で２μｍ程度塗布（例えば、こ
こではネガタイプのフォトレジスト）する。

【００２６】さらに、ステッパ等によって紫外線照射
で、金属メッキの必要としない部分のパターンを露光
（例えば、ここでは、積算光量１００ｍＪ／ｃｍ²）
し、露光された部分が不溶化となる。またさらに、フォ
トプロセス洗浄装置等の純水によるシャワーや超音波洗
浄等で汚物を除去し、エアーナイフ方式や熱風乾燥方式
等のエアーブロにより乾燥させて、液晶表示領域やバン
プ部にフォトレジストを残存させる。

【００２７】図３のｃは、金属メッキ（ニッケル）９−
ａを施す状態を示す。図３のｂによってフォトレジスト
が無い液晶表示パターンやバンプ部以外に金属メッキを
施すために、始めに表面の汚れの除去や脱脂等の目的の
ためアルカリ性の溶液でクリーニングを行い、次に塩酸
等の酸でアルカリ性を中和する。

【００２８】さらに、触媒化処理を行う。まず、キャタ
リストとして、塩化第一スズと塩化パラジウム等からな
る金属塩化物、および塩酸を同時に含んだ触媒化処理液
を室温〜４０゜Ｃ程度で２〜３分間程浸漬する。

【００２９】次に、キャタリストによる保護コロイドや
錯イオンを形成している触媒核をアクセレータ溶液で処
理し活性化させる。アクセレータ溶液としては、５〜１
０％程度の塩酸または硫酸等の酸を用いて、３０〜５０
゜Ｃ程度の温度で２〜５分程度で処理をする。

【００３０】さらに、ニッケルイオンを含む塩化ニッケ
ル溶液または硫酸ニッケル溶液のような化学ニッケルメ
ッキ液に室温〜３０゜Ｃ程度の温度で、３〜５分間程度
浸して無電解ニッケルメッキを生成し、下地のニッケル
メッキ層９−ａを形成する。

【００３１】図３のｄは、フォトレジストを剥離した状
態を示す。図３のｃで形成した無電解ニッケルメッキ用
のマスクパターンを洗剤や剥離剤等を用いてロールブラ
シやディスクブラシ等または超音波洗浄等でフォトレジ
ストを除去する。

【００３２】図３のｅは、金属メッキ（金メッキ）９−
ｂをニッケルメッキ９−ａ上に選択的に施した状態を示
す。図３のｃの処理工程と同様に、始めに表面の汚れの
除去や脱脂等のためにアルカリ性の溶液でクリーニング
を行い、次に硫酸等の酸でアルカリ性を中和するととも
に、ニッケル表面を活性化させる。

【００３３】さらに、メッキ層の厚さを５０ｎｍ程度の
薄く形成するフラッシュ金による金メッキを行う。金イ
オンを含む塩化物溶液または硫酸塩溶液のような金属塩
からなる化学金メッキ液に室温程度で浸し、さらに金属
イオンの還元剤としてホルムアルデヒドやロッシェル塩
等で還元して無電解金メッキを生成し、下地のニッケル
メッキ層９−ａ上部に金メッキ層９−ｂを形成する。こ
れら、ニッケルメッキ層９−ａと金メッキ層９−ｂとの
全体で金属メッキ９を形成する。

【００３４】図４および図５に、図３で説明した作成工
程による本発明の請求項１と請求項２に係るセル２０の
ガラス基板１上の透明導電膜パターンと金属メッキパタ
ーン領域図を示す。図４は、本発明の請求項１に係る金
属メッキ９の領域図である。図５は、本発明の請求項２
に係る金属メッキ９の領域図である。

【００３５】図４では、１はガラス基板、７は偏光フィ
ルタ、９は金属メッキ部、１２はＬＳＩのバンプに対応
する領域であり、バンプに対応する領域がＩＴＯ膜等の
透明導電膜であるために、ベアチップであるＬＳＩがＬ
ＳＩ圧着部に対しての位置ズレ、圧着部に均一な圧着力
で導通粒子（フィラ）が均一に潰れているか、さらに導
通粒子（フィラ）の潰れが所定の量に達しているか等を
セルのガラス側（裏）から観察および検査ができる。

【００３６】さらに、図５では、図４における機能とと
もに、１はガラス基板、７は偏光フィルタ、１２はＬＳ
Ｉのバンプに対応する領域、１３は電源線、１４は接地
線からなり、１３と１４のみに金属メッキ９を施して、
大きな電流でも熱を発生せずに電流を流せるとともに、
リード線等の接続に機械的強度が得られ、またハンダの
濡性が良くなる様にした。

【００３７】図６に図３に係るＣＯＧの一実施の形態に
おける要部フローチャート図を示す。状態１は、ガラス
基板１に、エッチングにより酸化インジウムスズで表示
領域と、表示部への配線および外部電極６とのパターン
ＩＴＯ膜３の透明導電膜を形成する。

【００３８】次に、状態２では、金属メッキの下層（地
メッキ）であるニッケルメッキ用９−ａのマスクパター
ンをフォトレジストでマスキングする。金属メッキの必
要としない部分（液晶表示領域やバンプ部）をフォトレ
ジストで覆う（コーティング）。

【００３９】さらに、状態３では、金属メッキの下層
（地メッキ）であるニッケルメッキを外部から電流を流
すことなく、溶液中の金属イオンを還元折出させ被メッ
キ体の表面にメッキ層を析出させる無電解法でニッケル
メッキを施す。フォトレジストがない部分にニッケルメ
ッキが折出する。

【００４０】状態４は、先の状態２で形成した無電解ニ
ッケルメッキ用のマスクパターンを洗剤や剥離剤等を用
いてフォトレジストを剥離除去する。

【００４１】状態５では、状態４でのフォトレジストの
残骸を熱でさらに除去するとともに、ガラス基板１の歪
等を無くし、ニッケルメッキ層の密着度を強固にすため
に２５０゜Ｃの温度で３０分間エージングする。

【００４２】さらに、状態６では、再度、無電解メッキ
法によって金メッキ９−ｂを下地のニッケルメッキ層９
−ａ上に施し、ニッケルメッキ層９−ａと金メッキ層９
−ｂとの全体で金属メッキ９を形成する。

【００４３】状態７は、状態６までのガラス基板１の液
晶表示をするセグメント側表示の透明電極膜３と、これ
に対応するコモン側表示の透明電極膜を形成したガラス
基板２との２枚を位置合せして、その２枚のガラス基板
の間にギャップを設けて周囲に樹脂等のシール５で封止
（但し、液晶を注入する注入口には、未シール）する。

【００４４】また、液晶注入装置等で、ガラス基板をチ
ャンバの中に入れ、真空ポンプにより排気を行い、排気
後に液晶が入った専用の液晶皿にガラス基板を浸けてセ
ルの中に液晶を注入させる。

【００４５】さらに、ガラス基板のセル中に液晶が注入
されると、注入口を樹脂等で封止する。また、セルの上
部に入射光の偏光方向を一方向に限定する（液晶表示方
法によって、光に対して反射型や透過型、また偏光方向
に対する液晶自体のツィスト方法により異なる。）偏光
フィルタを貼りつける。

【００４６】状態８は、出来上がった液晶表示素子のバ
ンプ部に電気導伝性の良い銀粒子（フィラ）からなる導
通粒子１１を分散した樹脂を用いてフェイスダウン圧着
する。

【００４７】この時、ベアチップであるＬＳＩがＬＳＩ
圧着部に対し位置ズレを起こさない様に、ＬＳＩ上部か
らフラットな板状圧着機（例えばボンダ）で導通粒子１
１（フィラ）が一定量潰れる様な均一な一定の圧力を加
える。圧着力や樹脂等によって、冷圧着、熱圧着（室温
１５０゜Ｃ）および加圧力（０．１〜１Ｋｇ）や加圧時
間（０．１〜６０Ｓｅｃ）等ボンディングを色々変える
ことができる。また、同時にガラス基板とＬＳＩとの間
は樹脂により接着される。

【００４８】図７に図６の要部フローチャート中におけ
る無電解ニッケルメッキ部のフローを示す。状態３ａで
は、金属メッキ９を施すために、表面の汚れの除去や脱
脂等のためにアルカリ性の溶液でクリーニングを行う。

【００４９】さらに状態３ｂでは、状態３ａで行った処
理によるアルカリ性を塩酸等の酸で中和する。

【００５０】また状態３ｃは、触媒化処理の第一段階と
して、のキャタリスト処理を塩化第一スズと塩化パラジ
ウム等からなる金属塩化物と塩酸で室温〜４０゜Ｃ程度
の温度で２〜３分間程浸漬す。

【００５１】さらに状態３ｄでは、キャタリスト処理に
よる保護コロイドや錯イオンを形成している触媒核を５
〜１０％程度の塩酸または硫酸等の酸からなるアクセレ
ータ溶液で３０〜５０゜Ｃ程度の温度で２〜５分程度処
理し活性化させる。

【００５２】状態３ｅでは、無電解ニッケルメッキを生
成するために、ニッケルイオンを含む塩化ニッケル溶液
または硫酸ニッケル溶液のような化学ニッケルメッキ液
に室温〜３０゜Ｃ程度の温度で３〜５分間程度浸す。こ
のように、無電解ニッケルメッキによって、金属メッキ
９の下地であるニッケルメッキを形成する。

【００５３】図８に図６の要部フローチャート図中にお
ける無電解金部のフロー図を示す。状態６ａでは、金メ
ッキを施すために、始めにニッケルメッキ等、表面の汚
れの除去や脱脂等のためにアルカリ性の溶液でクリーニ
ングを行う。

【００５４】状態６ｂでは、硫酸等の酸により、状態６
ａでのアルカリ性を中和するとともに、ニッケル表面を
活性化させる。

【００５５】状態６ｃは、金イオンを含む塩化物溶液ま
たは硫酸塩溶液のような金属塩からなる化学金メッキ液
に室温程度で浸し、さらに金属イオンの還元剤としてホ
ルムアルデヒドやロッシェル塩等で還元して無電解金メ
ッキを生成する。

【００５６】このように、無電解金メッキによって、ニ
ッケルメッキの上層を金メッキで形成する。図７で形成
した下地のニッケルメッキ層の上部に図８で形成した金
メッキ層によって、全体として金属メッキ９を形成す
る。

【００５７】このように、本発明の液晶表示素子は、バ
ンプに対応する領域がＩＴＯ膜等の透明導電膜で形成さ
れているのために、ベアチップのバンプ部に対して、位
置ズレや導通粒子（フィラ）が均一に潰れているか、さ
らに導通粒子（フィラ）の潰れが所定の量に達している
か等をセルのガラス側（裏）から観察および検査ができ
る。

【００５８】また、ＬＳＩへの電源配線と接地配線およ
び昇圧用配線に金属メッキを施したので、発熱せずに大
きな電流を流せ、リード線等の接続に機械的強度を増
し、ハンダの濡れ性が改善できる。さらに、本発明は、
ガラス基板だけでなく、透明であれば樹脂フイルムを用
いても良い。

【００５９】

【発明の効果】以上のように、請求項１に係る液晶表示
素子は、セル端部に設けられた外部電極、液晶密封空間
内の表示電極、表示電極に連なる配線部はいずれも透明
導電膜で構成され、かつ、配線部および外部電極は、そ
れぞれのＬＳＩとの接合部を除いて、金属メッキまたは
蒸着による金属層で覆われているので、セルのガラス側
（裏）からＬＳＩのバンプ部とガラス基板上のＬＳＩ圧
着部との位置ズレのチェックや、導通粒子の潰れの均一
性や、導通粒子の潰れが所定量であるか無いかの観察お
よび検査をすることができるので、マウント後の不良を
少なく、リペア量とリペア工程とを少なくすることが出
来、コストおよび信頼性の向上が図れる。

【００６０】また、請求項２に係る液晶表示素子は、セ
ル端部に設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電
極、表示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構
成され、かつ、外部電極のうちの電源用、接地配線用お
よび昇圧配線用の電極のみに、ＬＳＩとの接合部を除い
て、金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われている
ので、セルのガラス側（裏）からＬＳＩのバンプ部とガ
ラス基板上のＬＳＩ圧着部との位置ズレや均一な圧着で
導通粒子の潰れが所定量であるか無いかの観察および検
査ができるとともに、低抵抗化と電流容量が取れるの
で、発熱せずに大きな電流を流せ、リード線等の接続に
機械的強度を増すことができ、ハンダの濡れ性の改善を
得ることができるので、作業操作性や信頼性の向上が図
れる。

【００６１】よって、液晶表示素子へのＬＳＩ等のベア
チップの実装時および／または実装後にベアチップとガ
ラス基板との接続部の観察が可能であり、且つＬＳＩ等
のベアチップへの電源や接地および昇圧用などの配線に
対して低抵抗化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶表示素子の基本的な構成図

【図２】発明に係る液晶表示素子のＬＳＩ装着部の断面
図

【図３】本発明の液晶表示素子の主要処理工程図

【図４】請求項１に係る金属メッキ９の領域図

【図５】請求項２に係る金属メッキ９の領域図

【図６】図３に係るＣＯＧの一実施の形態おける要部フ
ローチャート図

【図７】図３に係るＣＯＧの一実施の形態おけるニッケ
ルメッキの要部フロー図

【図８】図３に係るＣＯＧの一実施の形態おける金メッ
キの要部フロー図

【図９】従来のＣＯＧ型液晶表示素子のセル上に設置し
たＬＳＩ付近の断面図

【符号の説明】 １…ガラス基板、２…透明電極膜（コモン側）、３…透
明電極膜（表示側）、４…液晶、５…シール、６…外部
電極、７…偏向フィルタ、８…駆動用ＬＳＩ、９…金属
メッキ、９ａ…ニッケルメッキ（無電解ニッケルメッ
キ）、９ｂ…金メッキ（無電解金メッキ）、１０…バン
プ、１１…導通粒子（銀粒子）、１２…フォトレジス
ト、１３…電源線、１４…接地線、２０…セル。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セルの周辺部にＬＳＩを設置して駆動さ
   せるＣＯＧ型の液晶表示素子において、前記セル端部に
   設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電極、前記
   表示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構成さ
   れ、かつ、前記配線部および外部電極は、それぞれの前
   記ＬＳＩとの接合部を除いて、金属メッキまたは蒸着に
   よる金属層で覆われていることを特徴とする液晶表示素
   子。
2. 【請求項２】 セルの周辺部にＬＳＩを設置して駆動さ
   せるＣＯＧ型の液晶表示素子において、前記セル端部に
   設けられた外部電極、液晶密封空間内の表示電極、前記
   表示電極に連なる配線部はいずれも透明導電膜で構成さ
   れ、かつ、外部電極のうちの電源用、接地配線用および
   昇圧配線用の電極のみに、前記ＬＳＩとの接合部を除い
   て、金属メッキまたは蒸着による金属層で覆われている
   ことを特徴とする液晶表示素子。