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JPH11346021A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

発光装置およびその製造方法

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Publication number
JPH11346021A
JPH11346021A JP11095547A JP9554799A JPH11346021A JP H11346021 A JPH11346021 A JP H11346021A JP 11095547 A JP11095547 A JP 11095547A JP 9554799 A JP9554799 A JP 9554799A JP H11346021 A JPH11346021 A JP H11346021A
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JP
Japan
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light
emitting device
laser
substrate
light emitting
Prior art date
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Application number
JP11095547A
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English (en)
Inventor
Yasuhisa Kaneko
泰久 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
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Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Priority to JP11095547A priority Critical patent/JPH11346021A/ja
Priority to US09/285,872 priority patent/US6239901B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型、堅牢、かつ低製造コストのレーザ装置
に関し、種々の波長の光を簡単な構成で生成することが
できる前記発光装置を提供する。 【解決手段】 発光装置（固体レーザ装置）は、結晶基
板１１上に半導体からなる光源が形成されてなり、前記
基板１１が前記光源からの光を入射し、この入射光を波
長変換して出射することを特徴とする。ここで、基板１
１は、１種または２種以上の賦活体（Ｃｒ3+，Ｔｉ
3+等）がドープされてなる蛍光体である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、小型、堅牢、かつ
低製造コストのレーザ装置に関し、種々の波長の光を簡
単な構成で生成することができる前記発光装置およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【技術背景】従来、図１２に示すように、固体レーザを
動作させる装置（すなわち、「固体レーザ装置」）２０
０は、励起光源部２０１と、固体レーザ部（レーザ共振
器）２０２を組み合わせたハイブリッドに構成となって
いる。励起光源部２０１は、フラッシュ光（自然放出
光）源であることもあるし、レーザ光源であることもあ
る。固体レーザ部２０２は、入力ミラー２０３、出力ミ
ラー２０４、およびレーザ結晶２０５からなる。レーザ
結晶２０５には賦活体がドープされることがある。たと
えば、Ａｌ2Ｏ3からなるレーザ結晶２０５に、賦活体と
してＣｒ3+をドープしたものはルビーレーザと呼ばれ、
また賦活体としてＴｉ3+をドープしたものはチタンサフ
ァイアレーザと呼ばれている。図１２において、励起光
源部２０１からの光ＬAは、レーザ結晶２０５に注入さ
れてポンピングを行い、出力ミラー２０３から、レーザ
光ＬBが出射される。なお、固体レーザに関する従来技
術については、「光エレクトロニクスの基礎（原書３
版）」（ＡＭＮＯＮ ＹＡＲＩＶ著：多田邦雄，神谷武
志共訳、昭和６３年１１月２５日発行、丸善株式会社
刊）〔Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ／Ｏｐｔｉｃａ
ｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，３ｒｄ ｅｄｉｔｉｏ
ｎ，１９８５，１９７６，１９７１ ｂｙ Ｈｏｌｔ，
Ｒｉｎｅｈａｒｔ ａｎｄ Ｗｉｎｓｔｏｒｎ，Ｉｎ
ｃ．〕を参照されたい。
【０００３】図１２に示した固体レーザ装置２００では
以下のような問題がある。 （１）励起光源部２０１と、固体レーザ部２０２とは互
いに正確な位置関係で配置されなくてはならないが、こ
れらは全く別々に作成される。このため、励起光源部２
０１と固体レーザ部２０２との位置合わせが容易ではな
く、装置の製造工程が複雑化し、かつ装置の小型化がで
きない。 （２）固体レーザ装置２００が振動を受けると、励起光
源部２０１と固体レーザ部２０２とを正しい位置関係に
保つことができなくなる。このため、固体レーザ装置２
００を設置するための除振台が必要となることもある。
すなわち、装置に付帯する設備が必要となり、装置の全
体構造が複雑化、大型化する。 （３）上記（１），（２）に起因して固体レーザ装置２
００の製造コストを低減することが容易ではない。
【０００４】一方、半導体レーザの大きさは小さいの
で、励起光源部２０１として高出力の半導体レーザを使
用すれば、励起光源部分の大きさは小さくなる。しか
し、固体レーザ装置２００自体は、ハイブリッド構成で
あることには変わりがないため、上記（１）〜（３）の
問題は十分には解決されない。
【０００５】また、レーザ光源からの光を、非線形光学
結晶を通すことにより、第２高調波光等の光を発生させ
る装置（第２高調波発生用レーザ装置）も知られてい
る。この第２高調波発生用レーザ装置も、上述した固体
レーザ装置と同様、（１）装置の製造工程が複雑化し、
かつ装置の小型化ができない、（２）装置に付帯する設
備が必要となり、装置の全体構造が複雑化、大型化す
る、（３）装置の製造コストを低減することが容易では
ない、といった問題がある。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、小型、堅牢でかつ低製
造コストの固体レーザ装置、第２高調波発生装置等の発
光装置およびその製造方法を提供することである。ま
た、本発明の他の目的は、一体型とすることも可能な固
体レーザ装置、第２高調波発生装置等の発光装置および
その製造方法を提供することである。
【０００７】
【発明の概要】本発明の発光装置は、結晶基板（レーザ
光透過特性を有する結晶基板、以下「光学結晶基板」と
いう）上に、半導体から光源が形成されてなり、前記基
板が前記光源からの光を入射し、この入射光を波長変換
して出射することを特徴とする。なお、所望により、前
記光源の出射光をも本発明の発光装置の出射光として用
いることができる。
【０００８】本発明において、前記光源は、典型的に
は、発光ダイオード（ＬＥＤ）または半導体レーザであ
る。光学結晶基板に賦活体をドープする場合、当該基板
の結晶として、Ａｌ2Ｏ3、ＧａＡｓ、ＢｅＡｌ2Ｏ4、Ｍ
ｇＦ2、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ等が使用できる。ま
た、この場合の賦活体として、Ｃｒ3+，Ｔｉ3+，Ｅ
ｒ3+，Ｖ2+，Ｃｏ2+，Ｎｄ3+等が使用できる。本発明の
発光装置では、結晶が成長する過程で賦活体をドープす
ることにより製造された光学結晶基板（この場合には、
通常、賦活体は光学結晶基板内に均一にドープされてい
る）を用いることもできる。また、ノンドープの光学結
晶に賦活体を均一または不均一にドープしたものを光学
結晶基板として用いることもできる。光学結晶基板に
は、上記の賦活体の１種のみをドープすることもできる
し、２種以上をドープすることもできる。
【０００９】光学結晶基板がＡｌ2Ｏ3結晶からなる場
合、光源としてＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるもの
を使用することができる。なお、Ａｌ2Ｏ3結晶基板は、
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を成長するための基板として
用いられるが、これらの格子不整合は１３．８％もある
にもかかわらず、良好な特性の半導体素子（ＬＥＤや半
導体レーザ）が形成できることがわかっている（Ｓ．Ｎ
ａｋａｍｕｒａ ｅｔａｌ．，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ ３６（１９７７）Ｌ１０５９等）。また、光
学結晶基板がＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰまたはＳｉ結晶
からなる場合、賦活体としてＥｒ3+，Ｎｄ3+等の希土類
イオンが採用される。
【００１０】このときの、Ｃｒ3+やＴｉ3+のＡｌ2Ｏ3結
晶基板中濃度は、１０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲にあ
るようにすることが好ましい。また、光学結晶基板がＧ
ａＡｓ結晶からなる場合には希土類イオンの結晶基板中
濃度は、１０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲にあるように
することが好ましい。
【００１１】本発明の発光装置では、前記基板が、前記
光源（ＬＥＤや半導体レーザ）を励起光源とする固体レ
ーザ構造を持つように構成することができる。この発光
装置では、励起光源と固体レーザ部とがハイブリッド構
造とはなっていない。すなわち、本発明の発光装置で
は、光学結晶基板を、半導体からなる光源を形成するた
めの基板として使用するとともに、固体レーザの共振器
のレーザ結晶としても使用するようにしているので装置
が、小型かつ堅牢となり、しかもその製造が容易とな
る。
【００１２】また、本発明の発光装置は、前記基板が、
非線形光学結晶からなる波長変換構造を持つように構成
することができる。前記光源からの光が、非線形光学結
晶を通過することにより、第２高調波光等が生成され
る。この場合、基板の非線形光学結晶として、Ｓｒ2Ｂ
ｅ2ＢＯ7（ＳＢＢＯ）、ＫＴｉＯＰＯ4（ＫＴＰ）、Ｌ
ｉＢ3Ｏ5（ＬＢＯ）、ＢａＢ2Ｏ4（ＢＢＯ）、ＮＨ4Ｈ2
ＰＯ4（ＡＤＰ）、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3等が使用
できる。光学結晶基板がこれらの結晶からなる場合、光
源として、特にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるもの
を使用することができる。この発光装置では、励起光源
と非線形光学結晶からなる波長変換構造部分とがハイブ
リッド構造とはなっていない。すなわち、光学結晶基板
を、半導体からなる光源を形成するための基板として使
用するとともに、非線形光学結晶からなる波長変換構造
を形成するためにも使用している。したがって、装置が
小型かつ堅牢となり、しかもその製造が容易となる。
【００１３】本発明の発光装置では、その構成を、ボト
ム・エミッティング型とすることもできるし、エッジ・
エミッティング型とすることもでき、光通信分野、ディ
スプレイ分野等の種々の光学技術分野の応用が期待され
る。さらに、本発明の発光装置では、光学結晶基板に適
宜の賦活体をドープした場合には、白色光を含む種々の
波長の光を生成することができる。また、本発明の発光
装置では、励起光源の出射光と、光学結晶基板からの波
長変換された出射光を同時に外部装置で利用できるよう
にすることもできる。
【００１４】本発明では、前記基板が固体レーザ構造を
持つ発光装置と、前記基板が非線形光学結晶からなる波
長変換構造を持つ発光装置をと組み合わせて、１つの発
光装置とすることもできる。本発明の発光装置の製造方
法は、（１）１種または２種以上の賦活体を、賦活体ノ
ンドープ結晶からなる基板の一方の面からドープし、こ
の後、前記基板の前記賦活体をドープした側の面に、半
導体からなる光源を形成すること、（２）賦活体ノンド
ープ結晶からなる基板の一方の面に、半導体からなる光
源を形成し、この後、１種または２種以上の賦活体を、
前記光源を形成した側とは反対側の面からドープするこ
と、（３）賦活体ドープ結晶と賦活体ノンドープ結晶と
を積層して蛍光体基板を形成し、この後、前記蛍光体基
板の賦活体ノンドープ結晶側に、半導体からなる光源を
形成すること、を特徴とする。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、以
下の実施例では、レーザ装置を模式的に図示すものであ
り、各図における寸法、形状等は、実際のものとは異な
っている。 〔実施例１〕図１は、エッジ・エミッティング型の固体
レーザ装置１を示しており、全体が固体レーザ部９１１
とＬＥＤ発光部９１２とからなる。固体レーザ部９１１
は、Ａｌ2Ｏ3光学結晶基板１１と、その両端面に対向す
るように平行に形成された端面ミラー１２１，１２２
（端面ミラー１２１は出力ミラーである）、およびその
下面に形成された底面ミラー１２３とにより形成されて
いる。本実施例では、固体レーザ部９１１はルビーレー
ザであり、光学結晶基板１１には、Ｃｒ3+ が、濃度１
０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲でドープされている。光
学結晶基板１１は、上記のように、固体レーザのレーザ
結晶としての役割をなす一方、次に述べるように、ＬＥ
Ｄ発光部９１２を形成するための基板としての役割をも
なす。
【００１６】ＬＥＤ発光部９１２は、光学結晶基板１１
上に形成した光源であり、ＡｌＧａＮクラッド層１３１
と、ＧａＩｎＮ発光層１３２と、ＡｌＧａＮクラッド層
１３３とからなる。発光層１３２と、クラッド層１３３
とは、クラッド層１３１が形成された領域の一部に形成
され、クラッド層１３３上の前面には第１電極１４１が
形成されている。クラッド層１３１が形成された領域の
うち、発光層１３２とクラッド層１３３とが形成されて
いない部分には第２電極１４２が形成されている。図１
では、クラッド層１３１、発光層１３２、クラッド層１
３３および第１電極１４１が積層された部分は長方形状
に形成され、その長手側端部に端面ミラー１２１および
１２２が位置している。もちろん、次に述べる作用を奏
することができれば、固体レーザ装置１の構成は、図１
には限定されない。
【００１７】固体レーザ装置１では、ＬＥＤ発光部９１
１が発光層１３２において、波長４００ｎｍのＬＥＤ光
Ｌ11を生成する。このＬＥＤ光Ｌ11は、固体レーザ部９
１１のポンピングを行いレーザ結晶（Ａｌ2Ｏ3）中の賦
活体Ｃｒ3+を励起する。図１の固体レーザ装置１では、
ＬＥＤ発光部９１１が生成するＬＥＤ光11の波長は４０
０ｎｍである。図２のスペクトラムに示すように、Ｃｒ
3+は波長４００ｎｍ付近に吸収のピークを持ち、波長６
９０ｎｍ付近に蛍光のピークを持つので、賦活体Ｃｒ3+
の励起は効率よく行われ、端面ミラー１２１からは、波
長６９０ｎｍのレーザ光Ｌ12が出力される。
【００１８】以下に、固体レーザ部９１１の発振しきい
値について説明する。なお、後述する第２および第３実
施例における固体レーザ部９２１，９３１についも、以
下の考察がそのままあてはまる。ＬＥＤ（図１ではＬＥ
Ｄ発光部９１２）は、４０５〜５５０ｎｍの波長の光を
出力できる。たとえば４０５ｎｍの波長の光を出力する
ＬＥＤでは、最大出力が１２ｍＷである（たとえば、
Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６７（１９９５）１８６８
参照）。その出力光をエネルギー密度に換算すると、２
７Ｗ／ｃｍ2となる。固体レーザ部９１１の発振しきい
値Ｐthは、次式で表すことができる。
【００１９】
【数１】 Ｐth＝｛ｈ×νp×（Ｔ＋Ｍ）｝ ／（２×ηa×ηp×ηq×ηo×σ×τ） ［Ｗ／ｃｍ2］・・・（１）
【００２０】Ｔ：出力反射鏡（ミラー１２１）の透過率 Ｍ：媒質（Ａｌ2Ｏ3）中の光損失を含めた共振器（固体
レーザ部９１１）の往復残留損失 ｈ：プランク定数（＝６．６２６×１０-34Ｊｓ） νp：励起光（Ｌ11）の周波数 ηa：励起光（Ｌ11）の吸収効率（ηa＝１−ｅｘｐ（−
α×Ｌ））（Ｌは共振器長、αは吸収率） ηq：励起光（Ｌ11）とレーザ光（Ｌ12）の周波数比
（原子量子効率＝νo／νp） ηp：励起光（Ｌ11）により原子が上準位に有効に励起
される割合（励起量子効率） ηo：媒質（Ａｌ2Ｏ3）中での励起光（Ｌ11）とレーザ
光（Ｌ12）の重なり度合いを示すモードマッチング効率 σ：レーザ上準位の誘導放出断面積 τ：光学寿命 である。
【００２１】ここで、νp＝ｃ／λp＝７．２１×１０14
（だだし、λp（励起光波長）＝０．４１６μｍ、ｃ
（光速）＝３．０×１０8ｍ／ｓ），Ｔ＝８％，Ｍ＝２
％，Ｌ＝１ｍｍ、また、λo＝０．６９μｍ，νo＝ｃ／
λo＝４．３５×１０14，α＝７ｃｍ-1（λp＝０．４２
μｍ），ηa＝０．５９，ηq＝０．６０，σ＝４×１０
-19ｃｍ2，τ＝３×１０-3ｓとすると、しきい値パワー
Ｐthは、６６Ｗ／ｃｍ2となる。励起光の最適化（たと
えば、エミッティング層の構造の最適化、クラッド層の
ドーピング濃度の最適化）を行うことで、固体レーザ部
９１１（ルビーレーザ）は、ＬＥＤ発光部９１２を励起
することができる。
【００２２】なお、ルビーレーザのしきい値パワーは、
後述するチタンサファイアレーザと比べて大幅に小さい
が、その理由は、ルビーレーザの蛍光寿命はチタンサフ
ァイアレーザの蛍光寿命に比べて長く、また励起光波長
がルビーの吸収ピークと一致しているからである。透明
電極を通して外部に光を出射する構造の従来のＬＥＤの
光出力は、せいぜい３０Ｗ／ｃｍ2であると考えられ
る。これに対し、本実施例では、図１に示したように、
第１電極や第２電極（特に、第２電極に比べて面積が大
きい第１電極）は、反射ミラーとしての役割をなすの
で、ＬＥＤ構造の最適化等により上記のしきい値パワー
を得ることが可能となる。なお、上記の電極形成のため
の技術については、本願出願人により出願された、近藤
雄等の発明にかかる日本国特許出願（特願平９−３４５
５８４号）を応用することができる。上記の実施例で
は、ルビー（Ｃｒ3+がドープされたＡｌ2Ｏ3光学結晶基
板）上に形成する光源としてＬＥＤを用いたが、このＬ
ＥＤに代えて垂直空洞面発光レーザを用いることもでき
る。なお、所望により、ＬＥＤ発光部９１２の出射光を
ＬＥＤ発光部９１２の端面や、わずかに透過性を有する
ように構成した端面ミラー１２１−１２３のいずれかか
らとりだし、固体レーザ装置１の動作の表示や監視、あ
るいは外部装置での利用に供することもできる。
【００２３】〔実施例２〕図３は、ボトム・エミッティ
ング型の固体レーザ装置２を示しており、全体が固体レ
ーザ部９２１とＬＥＤ発光部９２２とからなる。固体レ
ーザ部９２１は、Ａｌ2Ｏ3光学結晶基板２１と、その上
下面に形成された入力ミラー２２１，出力ミラー２２２
とにより形成されている。本実施例でも、固体レーザ部
９２１はルビーレーザであり、光学結晶基板２１には、
Ｃｒ3+が、濃度１０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲でドー
プされており、また光学結晶基板２１は、固体レーザの
レーザ結晶としての役割をなす一方、ＬＥＤ発光部９２
２を形成するための基板としての役割をもなす。
【００２４】ＬＥＤ発光部９２２は、ミラー２２２上に
形成した光源であり、その構成は実施例１のＬＥＤ発光
部９１２と実質上同じである。すなわち、ＬＥＤ発光部
９２２は、ＡｌＧａＮクラッド層２３１と、ＧａＩｎＮ
発光層２３２と、ＡｌＧａＮクラッド層２３３とからな
り、クラッド層２３３上には第１電極２４１が形成さ
れ、クラッド層２３１が露出した部分には第２電極２４
２が形成されている。図３でも、クラッド層２３１、発
光層２３２、クラッド層２３３および第１電極２４１が
積層された部分は長方形状に形成されている。もちろ
ん、次に述べる作用を奏することができれば、固体レー
ザ装置２の構成は、図３には限定されない。
【００２５】固体レーザ装置２でも、ＬＥＤ発光部９２
１が波長４００ｎｍのＬＥＤ光Ｌ21を生成し、ＬＥＤ光
Ｌ21がレーザ結晶（Ａｌ2Ｏ3）を励起するとともに、賦
活体Ｃｒ3+を励起し、出力ミラー２２１からは、波長６
９０ｎｍのレーザ光Ｌ22が出射される。固体レーザ装置
２でも、所望により、ＬＥＤ発光部９２２の出射光をＬ
ＥＤ発光部９２２の端面や、わずかに透過性を有するよ
うに構成した端面ミラー２２１あるいは固体レーザ部９
２１の側面のいずれかからとりだし、固体レーザ装置２
の動作の表示や監視、あるいは外部装置での利用に供す
ることもできる。特に、出力ミラー２２１を調整して、
ＬＥＤ光Ｌ21の一部を、出力ミラー２２１からレーザ光
Ｌ22と混合して容易に同一方向に出射できる。
【００２６】〔実施例３〕図１の固体レーザ装置１や図
３の固体レーザ装置２では、固体レーザ部９１１とＬＥ
Ｄ発光部９１２との間や、固体レーザ部９２１とＬＥＤ
発光部９２２との間に、凸レンズを設けることができ
る。図４では、図１に示した固体レーザ部９１１と同様
の構成の固体レーザ部９３１の上面を凸状に形成し（こ
の凸レンズ部分を符号３５で示す）、この凸レンズ３５
上に図１に示したＬＥＤ発光部９１２と同様の構成のＬ
ＥＤ発光部９３２を形成した場合を示している。ＬＥＤ
発光部９３２からのＬＥＤ光Ｌ31は凸レンズ３５により
集光されて固体レーザ部９３１のポンピングを行い、固
体レーザ部９３２の出力ミラーから波長６９０ｎｍのレ
ーザ光Ｌ32が出力される。
【００２７】〔実施例４〕図５は、ボトム・エミッティ
ング型の固体レーザ装置４を示しており、全体が固体レ
ーザ部９４１とレーザ発光部９４２とからなる。固体レ
ーザ部９４１はＡｌ2Ｏ3光学結晶基板４１と、その上下
面に形成された入力ミラー４２２，出力ミラー４２１と
により形成されている。本実施例では、固体レーザ部９
４１はチタンサファイアレーザであり、光学結晶基板４
１にはＴｉ3+が、濃度１０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲
でドープされている。 光学結晶基板４１は、固体レー
ザのレーザ結晶としての役割をなす一方、次に述べるよ
うに、レーザ発光部９４２を形成するための基板として
の役割をもなす。レーザ発光部９４２は、光学結晶基板
４１の入力ミラー４２２上に成長形成した光源であり、
ミラー４３１と、ＧａＩｎＮ発光層４３２と、ミラー４
３３とからなる垂直空洞面発光レーザである。固体レー
ザ装置４では、レーザ発光部９４２が、波長４２０ｎｍ
のレーザ光Ｌ41を生成する。このレーザ光Ｌ41は、固体
レーザ部９４１のポンピングを行い、賦活体Ｔｉ3+を励
起する。図５の固体レーザ装置４では、レーザ発光部９
４２が生成するレーザ光Ｌ41の波長は４２０ｎｍであ
る。図２のスペクトラムに示すように、Ｔｉ3+は波長５
００ｎｍ付近に吸収のピークを持ち、波長７５０ｎｍ付
近を中心にして広い範囲に蛍光のピークを持つので、賦
活体Ｔｉ3+の励起が可能であり、ミラー４２１からは、
波長８００ｎｍの固体レーザ光Ｌ42が出力される。
【００２８】以下に、固体レーザ部９４１の発振しきい
値について説明する。なお、後述する第５および第６実
施形態における固体レーザ部９５１，９６１についも、
以下の考察がそのままあてはまる。レーザ発光部９４２
のような半導体レーザは、現在、発振波長４１６ｎｍ
で、２００ｍＷの出力を得ることができる（Ｓ．Ｎａｋ
ａｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．３５（１９９６）Ｌ７４参照）．その
出力光をエネルギー密度に換算すると、３．３ＭＷ／ｃ
ｍ2である。
【００２９】前述の式（１）により、固体レーザ部９４
１の発振しきい値Ｐthを求める。νp＝ｃ／λp＝７．２
１×１０14（だだし、λp（励起光波長）＝０．４１６
μｍ、ｃ（光速）＝３．０×１０8ｍ／ｓ），Ｔ＝８
％，Ｍ＝２％，Ｌ＝１ｍｍ、また、λｏ＝０．８μｍ，
νo＝ｃ／λo＝３．７５×１０14，α＝０．０７ｃｍ-1
（λp＝０．４２μｍ），ηa＝０．００７，ηq＝０．
５２，σ＝２×１０-19ｃｍ2，τ＝３．２×１０-6ｓ、
とすると、しきい値パワーＰthは、１０．３ＭＷ／ｃｍ
2となる。本実施例において基板に使用したＩＩＩ−Ｖ
族窒化物は、融点が高く、かつ硬度が高い。したがって
ミラー等が熱等による劣化することはほとんどないの
で、上記しきい値パワーＰthを得ることは容易である。
【００３０】固体レーザ装置４では、所望により、レー
ザ発光部９４２の出射光を透過性を制御した出力ミラー
４２１からとりだし、固体レーザ装置４の動作の表示や
監視、あるいは外部装置での利用に供することもでき
る。特に、出力ミラー４２１を調整して、レーザ光Ｌ41
の一部を、出力ミラー４２１からレーザ光Ｌ42と混合し
て容易に同一方向に出射できる。
【００３１】〔実施例５〕図６は、ボトム・エミッティ
ング型の固体レーザ装置５を示しており、全体が固体レ
ーザ部９５１とレーザ発光部９５２とからなる。固体レ
ーザ部９５１は、実施例４の固体レーザ部９４１と同様
に構成されており、Ａｌ2Ｏ3光学結晶基板５１と、その
上下面に形成された入力ミラー５２２，出力ミラー５２
１とにより形成されている。本実施例でも、固体レーザ
部９５１はチタンサファイアレーザであり、光学結晶基
板５１にはＴｉ3+が、濃度１０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の
範囲でドープされており、また光学結晶基板５１は、固
体レーザのレーザ結晶としての役割をなす一方、レーザ
発光部９５２を形成するための基板としての役割をもな
す。
【００３２】レーザ発光部９５２は、光学結晶基板５１
のミラー５２２上に形成したレーザ光源であり、ミラー
５３１と、ＧａＩｎＮ発光層５３と、ミラー５３３とか
らなる水平共振器型面発光レーザである。ミラー５３２
はは光学結晶基板５１側に約４５°の角度で傾斜して形
成され、ミラー５３１と５３３との間にはＧａＩｎＮ発
光層５３が形成されている。この発光層５３は、ｎ−ク
ラッド層５３２１と、活性層５３２２と、ｐ−クラッド
層５３２３とから構成されている。
【００３３】固体レーザ装置５でも、実施例４と同様、
レーザ発光部９５２が、波長４２０ｎｍのレーザ光Ｌ51
を生成し、このレーザ光Ｌ51が、レーザ結晶（Ａｌ
2Ｏ3）を励起するとともに、賦活体Ｔｉ3+を励起し、ミ
ラー５２１からは、波長８００ｎｍのレーザ光Ｌ52が出
力される。同様に、所望により、レーザ発光部９５２の
出射光を透過性を制御した出力ミラー５２１からとりだ
し、固体レーザ装置４の動作の表示や監視、あるいは外
部装置での利用に供することもできる。特に、出力ミラ
ー５２１を調整して、レーザ光Ｌ51の一部を、出力ミラ
ー５２１からレーザ光Ｌ52と混合して容易に同一方向に
出射できる。
【００３４】〔実施例６〕図７（Ａ）は、エッジ・エミ
ッティング型の固体レーザ装置６を示しており、全体が
固体レーザ部９６１とレーザ発光部９６２とからなる。
固体レーザ部９６１はＡｌ2Ｏ3光学結晶基板６１の上面
側部分と、出力ミラー６２１，入力ミラー６２２とによ
り形成されている。光学結晶基板６１の上面には、溝Ｇ
が形成され、この溝Ｇは、水平な底面ＢＳと、この底面
ＢＳに垂直に切り立った壁面ＷＳとを有しており、壁面
ＷＳにミラー６２２が形成されている。また、ミラー６
２２の、溝Ｇとは反対側の光学結晶基板６１の端面に
は、ミラー６２２に平行に、ミラー６２１が形成されて
おり、ミラー６２１とミラー６２２との間のＡｌ2Ｏ3結
晶部分が、固体レーザのレーザ結晶としての役割をな
す。この部分には、Ｔｉ3+が、濃度１０17〜１０21〔ｃ
ｍ-3〕の範囲でドープされている。
【００３５】レーザ発光部９６２は、溝Ｇ内に形成され
ており、Ａｌ2Ｏ3光学結晶基板６１は、レーザ発光部９
６２を形成するための基板としての役割をもなしてい
る。レーザ発光部９６２は、ミラー６３１と、ＧａＩｎ
Ｎ発光層６３２と、ミラー６３３とからなる（ここで
は、ミラー６３１が出力ミラーである）水平共振器型端
面発光レーザである。ミラー６３１はミラー６２２に隣
接して形成されており、ミラー６３１は、ミラー６３３
に対向するように形成され、発光層６３２は、ミラー６
３１とミラー６３３との間に形成されている。この発光
層６３２は、ｎ−クラッド層６３２１と、活性層６３２
２と、ｐ−クラッド層６３２３とから構成されている。
【００３６】固体レーザ装置６では、レーザ発光部９６
２が、波長４２０ｎｍのレーザ光Ｌ61を生成し、このレ
ーザ光Ｌ61が、レーザ結晶（Ａｌ2Ｏ3）中の賦活体Ｔｉ
3+を励起し、ミラー６２１からは、波長８００ｎｍのレ
ーザ光Ｌ62が出力される。
【００３７】図７（Ｂ）の固体レーザ装置６０は、アク
チュエータ（ピエゾ素子）６９１１によりミラー６２２
とミラー６２１との距離（共振器長）Ｌを調整できるよ
うに構成されている。上記共振器長Ｌを調整することに
より、固体レーザ部９６２が生成するレーザ光Ｌ62の波
長を可変とすることができる。また、固体レーザ装置
６，６０では所望により、レーザ発光部９６２の出射光
を透過性を制御した出力ミラー６２１からとりだし、固
体レーザ装置６，６０の動作の表示や監視、あるいは外
部装置での利用に供することもできる。特に、出力ミラ
ー６２１を調整して、レーザ光Ｌ61の一部を、出力ミラ
ー６２１からレーザ光Ｌ62と混合して容易に同一方向に
出射できる。
【００３８】上記の実施例１〜６、６０では、Ｃｒ3+や
Ｔｉ3+をドープしたＡｌ2Ｏ3結晶基板上にＩＩＩ−Ｖ族
窒化物半導体からなる光源を形成した場合を説明した。
格子定数、融点、励起波長（４００ｎｍ付近）を考慮し
て、Ａｌ2Ｏ3と同等の格子定数を持つ、所定の賦活体を
ドープした結晶を、光学結晶基板として使用することも
できる。
【００３９】たとえば、賦活体としてＣｒ3+をドープし
たＢｅＡｌ2Ｏ4（アレキサンドライト、ａ＝０．９４０
４ｎｍ，ｂ＝０．５４７６ｎｍ，ｃ＝０．４４２７ｎ
ｍ，吸収スペクトルの波長３５０〜４７５ｎｍ，５００
〜７００ｎｍ，蛍光スペクトルの波長７００〜８３０ｎ
ｍ）、賦活体としてＴｉ3+をドープしたＢｅＡｌ2Ｏ
4（チタンクリソベル（格子定数はアレキサンドライト
と同じ）、吸収スペクトルの波長４００〜６５０ｎｍ，
蛍光スペクトルの波長７３０〜９５０ｎｍ）、賦活体と
してＶ2+をドープしたＭｇＦ2（ａ＝０．４６２３ｎ
ｍ，ｂ＝０．３０５２ｎｍ、吸収スペクトルの波長５０
０〜７００ｎｍ，８００〜１０００ｎｍ，蛍光スペクト
ルの波長１０５０〜１３００ｎｍ）等が、光学結晶基板
として使用される。
【００４０】また、前述したように、光源がＩＩＩ−Ｖ
族半導体の場合、光学結晶としてＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｇ
ａＰ、Ｓｉ等が使用でき、この場合賦活体として希土類
イオンを前記光学結晶にドープしてもよい。たとえば、
ＧａＡｓ結晶に希土類イオンＥｒ3+をドープした場合に
は、当該結晶は９８０、８０７、６５５ｎｍに吸収帯を
もち、１５３５、１５２２ｎｍに蛍光準位をもつ。Ｇａ
Ａｓは８３０ｎｍよりも短波では光吸収が大きくなるの
で、それよりは長波長、すなわち９８０ｎｍで吸収させ
る必要がある。したがって、レーザ発光部は、発光層が
９８０ｎｍで発光するＩｎＧａＡｓ層からなり、クラッ
ド層がＡｌＧａＡｓ層からなる構造とされる。
【００４１】〔実施例７〕図８は、端面発光型の第２高
調波発生用レーザ装置７を示しており、全体が発振部９
７１とレーザ発光部９７２とからなる。発振部９７１は
Ｓｒ2Ｂｅ2ＢＯ7光学結晶基板７１の上側部分に形成さ
れている。この発振部９７１は、屈折率が高い領域７５
１を、屈折率が低い領域７５２，７５３が挟むように形
成されている。これらの領域は、後述するレーザ発光部
９７２からのレーザ光Ｌ71の導波路となる。この発振部
９７１は、分極領域Ｐ1とＰ2とが、導波方向に垂直に交
互に形成されている。分極領域Ｐ1とＰ2は、分極方向が
相互に逆向きで、かつ導波方向に垂直となるように分極
されている。光学結晶基板７１の上面には、溝Ｇが形成
されている。
【００４２】レーザ発光部９７２は、上記図７（Ａ）の
溝Ｇと同様な溝内に形成されている。本実施例のレーザ
発光部９７２は、図７（Ａ）のレーザ発光部９６２と同
様の構成をしており、図８の光学結晶基板７１、ミラー
７３１、ミラー７３３、発光層７３２、ｎ−クラッド層
７３２１、活性層７３２２、ｐ−クラッド層７３２３
は、図７（Ａ）の光学結晶基板６１、ミラー６３１、ミ
ラー６３３、発光層６３２、ｎ−クラッド層６３２１、
活性層６３２２、ｐ−クラッド層６３２３にそれぞれ対
応している。なお、図８では、ｐ−クラッド層７３２３
上に形成した電極７６０も図示してある。
【００４３】第２高調波発生用レーザ装置７では、レー
ザ発光部９７２が、波長４２０ｎｍのレーザ光Ｌ71を生
成し、このレーザ光Ｌ71が、発振部９７１を通過するこ
とで、発振部９７１の光学結晶基板６１の端面からは、
波長２１０ｎｍのレーザ光Ｌ72が出力される。また、固
体レーザ装置７では、レーザ発光部９７２の出射光を発
振部９７１を透過させて出力させることができる。レー
ザ光Ｌ71の一部を、発振部９７１から第２高調波レーザ
光Ｌ72と混合して容易に同一方向に出射できる。
【００４４】本発明の発光装置は、従来周知のＬＥＤ製
造プロセスや、半導体レーザ製造プロセスにより製造す
ることができる。すなわち、従来のＬＥＤや半導体レー
ザの製造技術に携わる技術者であれば、本明細書の記述
から上記各実施例で述べた固体レーザ装置を製造するこ
とができる。
【００４５】図６に示したような固体レーザ装置の製造
方法を図９により説明する。まず、Ａｌ2Ｏ3光学結晶基
板（ＬＡ０）に、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（ＬＡ
１）、ＩｎＧａＮエミッティング層（ＬＡ２）、ｐ−Ａ
ｌＧａＮクラッド層（ＬＡ３）をこの順で形成する（図
９（ａ））。次に、クラッド層（ＬＡ３）の一部領域に
エッチングマスク（ＭＡ１）を形成し（図９（ｂ））、
非等方的にエッチング可能なエッチング法（ここでは、
イオンビーム・アシスト・エッチング法）により、斜め
方向からクラッド層（ＬＡ１）、エミッティング層（Ｌ
Ａ２）およびクラッド層（ＬＡ３）をエッチングして傾
斜面（ＳＡ１）を形成す（図９（ｃ））。そして、エッ
チングマスク（ＭＡ１）を除去し、蒸着用マスク（ＭＡ
２）を傾斜面（ＳＡ１）を除く部分に形成し、傾斜面
（ＳＡ１）にミラー（ＭＲＡ１）を蒸着する（図９
（ｄ））。この後、クラッド層（ＬＡ３）の上面に電極
（ＥＰＡ）を形成し、上記傾斜面（ＳＡ１）の反対側の
光学結晶基板（ＬＡ０）、クラッド層（ＬＡ１）、エミ
ッティング層（ＬＡ２）およびクラッド層（ＬＡ３）の
積層部端面（ＳＡ２）にミラー（ＭＲＡ２）を形成する
とともに、光学結晶基板（ＬＡ０）の底面に出力ミラー
（ＭＲＡ３）を形成する（図９（ｅ））。以上のように
して形成された図９（ｅ）に示す固体レーザ装置は、図
６に示した固体レーザ装置５とは構成がやや異なるが、
当該固体レーザ装置５と動作上の差異はない。なお、図
９（ｅ）では、ミラー（ＭＲＡ１）が、図６に示した出
力ミラー５３１の役割りを果たし、ミラー（ＭＲＡ２）
がミラー５３２の役割を果たしている。
【００４６】図７（ａ）に示したような固体レーザ装置
の製造方法を図１０により説明する。まず、Ａｌ2Ｏ3光
学結晶基板（ＬＢ０）表面の一部領域に、エッチング用
マスク（ＭＢ１）を形成し（図１０（ａ））、溝Ｇを形
成する（図１０（ｂ））。次に、エッチング用マスク
（ＭＢ１）を除去し、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層（ＬＢ
１）、ＩｎＧａＮエミッティング層（ＬＢ２）、ｐ−Ａ
ｌＧａＮクラッド層（ＬＢ３）をこの順で形成する（図
１０（ｃ））。そして、溝Ｇ内のクラッド層（ＬＢ３）
の表面の一部領域にエッチング用マスク（ＭＢ２）を形
成し（図１０（ｄ））、溝Ｇの壁面との間に空隙（Ｓ
Ｐ）が生じるようにエッチングを行う。ここでは、反応
性イオンエッチングによりエッチングを行った。これに
より、クラッド層（ＬＢ１）、エミッティング層（ＬＢ
２）、クラッド層（ＬＢ３）の積層部の両側面は平滑と
なり、この平滑面がミラー（ＭＲＢ１，ＭＲＢ２）とな
る（図１０（ｅ））。
【００４７】さらに、エッチング用マスク（ＭＢ２）を
除去し、新たにエッチング用マスク（ＭＢ３）を形成
し、光学結晶基板（ＬＢ０）のエッチングを行う。この
とき、光学結晶基板（ＬＢ０）表面の溝Ｇが形成されて
いない部分で、空隙（ＳＰ）の近傍に、溝Ｇの壁面に平
行に複数の帯状のマスクの無い部分を形成しておく（図
１０（ｆ））。この帯状の複数の非マスク部分により、
また帯状の複数のマスク部分が形成されるが、非マスク
部分の幅およびマスク部分の幅は、それぞれ固体レーザ
の発振波長λの１／４の大きさに設定しておく。この状
態で光学結晶基板（ＬＢ０）のエッチングを行うこと
で、複数の深い細溝からなるミラー（ＭＲＢ３）が形成
される。この後、エッチング用マスク（ＭＢ３）を除去
し、クラッド層（ＬＢ３）上に電極（ＥＰＢ）を形成す
るとともに、光学結晶基板（ＬＢ０）の溝Ｇが形成され
ていな側の端面にミラー（ＭＲＢ４）を形成する。この
ミラー（ＭＲＢ４）は、ミラー（ＭＲＢ３）を形成した
方法と同様の方法で形成してもよいが、本実施例では、
蒸着により形成している（図１０（ｇ））。以上のよう
にして形成された図１０（ｇ）に示す固体レーザ装置
は、図７（ａ）に示した固体レーザ装置５とは構成がや
や異なるが、当該固体レーザ装置６と動作上の差異はな
い。
【００４８】図８に示したような第２高調波発生用レー
ザ装置の製造方法を図１１により説明する。なお、レー
ザ発光部９７２の形成方法については図１０（ａ）〜
（ｅ）とほぼ同様であるので説明を省略する。発振部９
７１を形成するには、まず光学結晶基板（ＬＣ０）上
に、前記溝の壁面と平行にＳｉＯ2の周期的なパターン
Ｐ１を形成する。その周期は、基本波（レーザ光）と第
２高調波光の波長における屈折率から決まり、約１μｍ
周期である。この後、図１１（ａ）に示すようにドーパ
ントを蒸着し所定温度（Ｔ1）で熱処理しパターンＰ１
と残余ドーパントを除去する。図１１（ｂ）に示すよう
にドーピング領域の分極は反転される。次に、前記溝の
壁面と垂直にＳｉＯ2のパターンＰ２を形成し、図１１
（ｃ）に示すように、上記と同様にドーパントを蒸着す
る。このとき、導波路Ｐを形成するために、熱処理の温
度（Ｔ2）は、図１１（ａ）の処理における温度（Ｔ1）
よりも低くしてある。
【００４９】以上に開示した実施例にはさらに種々の変
形を施すことができる。図１３はその一例であるエッジ
・エミッティング型の固体レーザ装置１３００を示し、
全体が固体レーザ部９１３１とレーザ発光部９１３２と
からなる。固体レーザ部９１３１は、少なくともレーザ
発光部９１３２に隣接する発振部１３０２に賦活体がド
ープされたる光学結晶基板１３０１と端面ミラー１３２
１，１３２２（端面ミラー１３２１は出力ミラーであ
る）より形成されている。一例ではＡｌ2Ｏ3光学結晶基
板１３０１の発振部１３０２には、Ｃｒ3+ が、濃度１
０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲でドープされている。一
方レーザ発光部９１３２は光学結晶基板１３０１上に成
長積層させたクラッド層１３３１，１３３３とその間の
発光層１３３２と電極１３４１、電極１３４２（図示せ
ず）を有する。それら各層の端面は、端面ミラー１３２
１，１３２２（端面ミラー１３２１は出力ミラーであ
る）に接続している。レーザ発光部９１３２の一例で
は、その構成と動作が前記実施例６の発光部９６２と同
様でその出射光Ｌ131は波長が４２０nmである。レーザ
発光部９１３２のレーザ光は結合導波路構造をなすクラ
ッド層１３３１を透って下部の発振部１３０２において
賦活体を励起する。その結果、発振部１３０２からは出
力ミラー１３２１を透して、波長６９０ｎｍの出射Ｌ
132が出射される。なお、端面ミラー１３２１，１３２
２は、固体レーザ部９１３１とレーザ発光部９１３２と
に共通な誘電体多層ミラーが好ましい。固体レーザ部９
１３１とレーザ発光部９１３が所定のレーザ発振を行い
外部への出射光Ｌ131、Ｌ132を出射できるように層構成
を選ぶことは当業者に周知のことである。勿論、発振波
長隔たりが大きかったり、各レーザ発振と出力とを最適
化したい場合などは、追加の工程を経て固体レーザ部９
１３１とレーザ発光部９１３２とが別々の端面ミラーを
備えるようにしてもよい。
【００５０】この固体レーザ装置１３００からは波長が
異なる互いに平行なレーザ光Ｌ131、Ｌ132を同時に得る
ことができる。レーザ発光部９１３２が窒化物系半導体
レーザであるときは薄いクラッド層１３３１は結晶のク
ラック低減に効果があり、またより多くの発振レーザ光
を発振部１３０２へ送る結合導波路構造を容易に構成で
きるのでこの変形実施例の動作に好都合である。
【００５１】
【発明の効果】（１）小型かつ堅牢となり、しかも製造
が容易で、さらにボトム・エミッティング型、エッジ・
エミッティング型の何れの構成にもできる固体レーザ装
置や第２高調波発生用レーザ装置を提供できる。 （２）光学結晶基板に適宜の賦活体をドープした場合に
は、白色光を含む種々の波長の光を生成することができ
る。 （３）励起光源の出射光と固体レーザ部の出射光の双方
を各々独立にあるいは混合して用いることにより、多様
な応用の要求に応えることができる。それらの応用とし
て、例えば、基本波と高調波を用いるヘテロダイン干渉
計用のレーザ装置や多色光源がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光部がＬＥＤである、エッジ・エミッティン
グ型固体レーザ装置の実施例を示す図である。
【図２】Ｃｒ3+およびＴｉ3+の吸収特性および蛍光特性
を示すスペクトラム図である。
【図３】発光部がＬＥＤである、ボトム・エミッティン
グ型固体レーザ装置の実施例を示す図である。
【図４】固体レーザ部とＬＥＤ発光部との間に凸レンズ
を設けたエッジ・エミッティング型固体レーザ装置の実
施例を示す図である。
【図５】発光部が半導体レーザである、ボトム・エミッ
ティング型固体レーザ装置の実施例を示す図である。
【図６】発光部が半導体レーザである、ボトム・エミッ
ティング型の固体レーザ装置の他の実施例を示す図であ
る。
【図７】発光部が半導体レーザである、エッジ・エミッ
ティング型の固体レーザ装置の実施例を示す図であり、
（Ａ）は固体レーザ部の共振器長が可変でない場合、
（Ｂ）は固体レーザ部の共振器長が可変の場合を示す図
である。
【図８】発光部が半導体レーザである、エッジ・エミッ
ティング型の第２高調波発生用レーザ装置の実施例を示
す図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、図６に示したような固体レ
ーザ装置の製造工程を示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｇ）は、図７（ａ）に示したよう
な固体レーザ装置の製造工程を示す図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、図８に示したような第２
高調波発生用レーザ装置の発振部の形成工程を示す図で
ある。
【図１２】従来の固体レーザ装置を示す図である。
【図１３】発光部が半導体レーザである、端面発光型の
二波長出力用レーザ装置の実施例を示す図である。
【符号の説明】
１〜６ 固体レーザ装置 ７ 第２高調波発生用レーザ １１，２１，３１，４１，５１，６１，７１ 光学結晶
基板 １２１，１２２，１２３，２２１，２２２，４２１，４
２２，５２１，５２２，６２１，６２２ 固体レーザ部
のミラー １３１，１３３，２３１，２３３ クラッド層 １３２，２３２ 発光層 １４１ 第１電極 １４２ 第２電極 ３５ 凸レンズ ４３１，４３３，５３１，５３３，６３１，６３３，７
３１，７３３ レーザ発光部のミラー ４３２，５３２，６３２，７３２ レーザ発光部の発光
層 ７５１ 屈折率が高い領域 ７５２，７５３ 屈折率が低い領域 ９１１，９２１，９３１，９４１，９５１，９６１ 固
体レーザ部 ９７１ 発振部 ９１２，９２２，９３２，９４２，９５２，９６２，９
７２ 発光部 Ｌ11，Ｌ21，Ｌ31，Ｌ41，Ｌ51，Ｌ61，Ｌ71 発光部か
らの光 Ｌ12，Ｌ22，Ｌ32，Ｌ42，Ｌ52，Ｌ62 固体レ
ーザ部が生成する光 Ｌ72 発振部が生成する光

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶基板上に半導体からなる光源が形成
    されてなる、レーザ光を出射するための発光装置であっ
    て、 前記基板が前記光源からの光を入射し、この入射光を波
    長変換して出射することを特徴とする発光装置。
  2. 【請求項２】 前記基板が、１種または２種以上の賦活
    体がドープされてなる蛍光体であることを特徴とする発
    光請求項１に記載の発光装置。
  3. 【請求項３】 前記基板がＡｌ2Ｏ3結晶からなり、前記
    光源がＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなることを特徴と
    する請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 【請求項４】 前記賦活体がＣｒ3+またはＴｉ3+であ
    り、これらの賦活体のＡｌ2Ｏ3結晶基板中濃度が、１０
    17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲にあることを特徴とする請
    求項３に記載の発光装置。
  5. 【請求項５】 前記基板がＢｅＡｌ2Ｏ4からなり、前記
    光源がＩＩＩ−Ｖ族半導体からなることを特徴とする請
    求項１または２に記載の発光装置。
  6. 【請求項６】 前記賦活体がＣｒ3+またはＴｉ3+であ
    り、これらの賦活体のＢｅＡｌ2Ｏ4結晶基板中濃度が、
    １０17〜１０21〔ｃｍ-3〕の範囲にあることを特徴とす
    る請求項５に記載の発光装置。
  7. 【請求項７】 前記基板がＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰま
    たはＳｉ結晶からなり、前記光源がＩＩＩ−Ｖ族半導体
    からなることを特徴とする請求項１または２に記載の発
    光装置。
  8. 【請求項８】 前記賦活体が希土類イオンであり、この
    賦活体の前記結晶基板中濃度が、１０17〜１０21〔ｃｍ
    -3〕の範囲にあることを特徴とする請求項７に記載の発
    光装置。
  9. 【請求項９】 前記基板がＳｒ2Ｂｅ2ＢＯ7、ＫＴｉＯ
    ＰＯ4、ＬｉＢ3Ｏ5、ＢａＢ2Ｏ4、ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4、Ｌｉ
    ＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3結晶からなり、前記光源がＩ
    ＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなることを特徴とする請求
    項１または２に記載の発光装置。
  10. 【請求項１０】 前記基板が前記光源を励起光源とする
    固体レーザ構造を持つことを特徴とする請求項１に記載
    の発光装置。
  11. 【請求項１１】 前記基板中にドープされた賦活体を前
    記光源からの光で励起させる固体レーザ構造を持つこと
    を特徴とする請求項２，４，６，８の何れかに記載の発
    光装置。
  12. 【請求項１２】 前記基板が、非線形光学結晶からなる
    波長変換構造を持つことを特徴とする請求項１〜１１の
    何れかに記載の発光装置。
  13. 【請求項１３】 前記非線形光学結晶からなる波長変換
    構造が、第２高調波光を生成することを特徴とする請求
    項１２に記載の発光装置。
  14. 【請求項１４】 前記基板に賦活体がドープされてな
    り、前記光源からの光が前記賦活体を励起して、当該賦
    活体が第２高調波光に変換され、または前記光源からの
    光が第２高調波光に変換され、当該第２高調波光が前記
    賦活体を励起することを特徴とする請求項１３に記載の
    発光装置。
  15. 【請求項１５】 請求項２に記載の発光装置を製造する
    ために用いる方法であって、 １種または２種以上の賦活体を、賦活体ノンドープ結晶
    からなる基板の一方の面からドープし、この後、前記基
    板の前記賦活体をドープした側の面に、半導体からなる
    光源を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項２に記載の発光装置を製造する
    ために用いる方法であって、 賦活体ノンドープ結晶からなる基板の一方の面に、半導
    体からなる光源を形成し、この後、１種または２種以上
    の賦活体を、前記光源を形成した側とは反対側の面から
    ドープすることを特徴とする発光装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項２に記載の発光装置を製造する
    ために用いる方法であって、 賦活体ドープ結晶と賦活体ノンドープ結晶とを積層して
    蛍光体基板を形成し、この後、前記蛍光体基板の賦活体
    ノンドープ結晶側に、半導体からなる光源を形成するこ
    とを特徴とする発光装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】前記入射光の一部も出射されるようにし
    た請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の発光装置。
  19. 【請求項１９】前記光源が第１のレーザ光を出射する第
    １のレーザであり、前記基板の少なくとも一部が第２の
    レーザ光を出射する第２のレーザであり、前記第１のレ
    ーザの発生するレーザ光の一部が前記第２のレーザを励
    起するように構成した請求項１〜請求項２のいずれかに
    記載の発光装置。
  20. 【請求項２０】前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ
    光の波長が異なり且つ実質的に平行に出射されることを
    特徴とする請求項１９に記載の発光装置。
  21. 【請求項２１】前記第１のレーザが窒化物系の半導体レ
    ーザで前記第２のレーザに結合導波路構造を介して結合
    するようにした請求項１９〜請求項２０の何れかに記載
    の発光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1204182A2 (en) 2000-11-02 2002-05-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser pumped solid state laser
JP2005531772A (ja) * 2002-06-28 2005-10-20 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 高透過光学検査ツール
JP2010541195A (ja) * 2007-09-24 2010-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスコンポーネント

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US7202506B1 (en) * 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
US8829546B2 (en) * 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
US6671297B2 (en) * 2001-04-26 2003-12-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wavelength conversion device
US6714574B2 (en) * 2001-07-31 2004-03-30 Bookham Technology, Plc Monolithically integrated optically-pumped edge-emitting semiconductor laser
US7489865B2 (en) * 2002-02-01 2009-02-10 Cubic Corporation Integrated optical communication and range finding system and applications thereof
JP4387982B2 (ja) * 2005-05-24 2009-12-24 富士通株式会社 光照射素子および情報記録再生装置
US7635874B2 (en) * 2005-09-26 2009-12-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Edge-emitting LED assembly
KR100800664B1 (ko) * 2006-04-04 2008-02-01 삼성전자주식회사 레이저 광 모듈
US7949031B2 (en) * 2006-06-16 2011-05-24 Pbc Lasers Gmbh Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, bars and stacks of semicondutor diode lasers
US7421001B2 (en) * 2006-06-16 2008-09-02 Pbc Lasers Gmbh External cavity optoelectronic device
DE102006036948A1 (de) 2006-08-06 2008-02-07 Akdis, Mustafa, Dipl.-Ing. Blutpumpe
US9018619B2 (en) * 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
US8051597B1 (en) 2007-06-14 2011-11-08 Cubic Corporation Scout sniper observation scope
WO2010060998A2 (en) * 2008-11-28 2010-06-03 Pbc Lasers Gmbh Method for improvement of beam quality and wavelength stabilized operation of a semiconductor diode laser with an extended waveguide
US9068798B2 (en) 2010-07-19 2015-06-30 Cubic Corporation Integrated multifunction scope for optical combat identification and other uses
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
KR102181323B1 (ko) * 2016-04-06 2020-11-23 한국전자통신연구원 레이저 장치 및 이의 제조방법
US10020635B1 (en) 2016-04-15 2018-07-10 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Spectrometer device with stabilized laser and related devices and methods
US10355449B2 (en) 2016-08-15 2019-07-16 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Quantum cascade laser with angled active region and related methods
DE102017111938B4 (de) * 2017-05-31 2022-09-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optisch gepumpte Halbleiterlaserdiode

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4528464A (en) * 1983-02-28 1985-07-09 At&T Bell Laboratories Degenerate four-wave mixer using multiple quantum well structures
JPH0514538Y2 (ja) * 1986-10-08 1993-04-19
US4951293A (en) * 1988-05-26 1990-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Frequency doubled laser apparatus
JPH02179626A (ja) * 1988-12-29 1990-07-12 Sharp Corp 光波長変換装置
JPH04206791A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置
US5290730A (en) * 1992-09-10 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Wavelength conversion waveguide and fabrication method
US5321718A (en) * 1993-01-28 1994-06-14 Sdl, Inc. Frequency converted laser diode and lens system therefor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1204182A2 (en) 2000-11-02 2002-05-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser pumped solid state laser
EP1204182A3 (en) * 2000-11-02 2005-01-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser pumped solid state laser
JP2005531772A (ja) * 2002-06-28 2005-10-20 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 高透過光学検査ツール
JP2012027039A (ja) * 2002-06-28 2012-02-09 Kla-Encor Corp 高透過光学検査ツール
JP2010541195A (ja) * 2007-09-24 2010-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスコンポーネント

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US6239901B1 (en) 2001-05-29

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