JPH11329743A - Electroluminescent device and method of manufacturing the same - Google Patents
Electroluminescent device and method of manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JPH11329743A JPH11329743A JP10153948A JP15394898A JPH11329743A JP H11329743 A JPH11329743 A JP H11329743A JP 10153948 A JP10153948 A JP 10153948A JP 15394898 A JP15394898 A JP 15394898A JP H11329743 A JPH11329743 A JP H11329743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- electrode
- electrode layer
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のマスク蒸着によるドットマトリクスE
L素子の製造方法では、基本的に微細化が難しく精細な
表示を得ることができない。工程が煩雑などの問題点が
ある。
【解決手段】 基板上にストライプ状の第1絶縁層およ
び電極を形成し該電極上の表示画素以外の領域に第2絶
縁性材料層を形成した基板、または基板上にストライプ
状の第1電極層を形成し該電極層上の表示画素領域に絶
縁性材料層および第2電極層を順次形成し第1電極層と
第2電極層を電気的に接続した基板を用い、該基板上に
有機物発光層および陰極電極を順次積層形成する。その
際、前記基板には絶縁性材料層を形成しているので段差
が生じており、該段差により各表示画素ドット分離形成
された有機EL素子が形成される。また、別基板に形成
したストライプ状電極と前記表示画素とを対向させて接
続してドットマトリクス型EL素子を得ることができ
る。
[Problem] Dot matrix E by conventional mask evaporation
In the manufacturing method of the L element, it is basically difficult to miniaturize and a fine display cannot be obtained. There are problems such as complicated processes. SOLUTION: A substrate in which a stripe-shaped first insulating layer and an electrode are formed on a substrate and a second insulating material layer is formed in a region other than a display pixel on the electrode, or a stripe-shaped first electrode is formed on the substrate. A substrate in which an insulating material layer and a second electrode layer are sequentially formed in a display pixel region on the electrode layer, and the first electrode layer and the second electrode layer are electrically connected to each other. A light emitting layer and a cathode electrode are sequentially formed. At this time, since an insulating material layer is formed on the substrate, a step is formed, and the step forms an organic EL element formed by separating each display pixel dot. In addition, a dot matrix EL element can be obtained by connecting a stripe-shaped electrode formed on another substrate and the display pixel so as to face each other.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は発光層を有する電界発光
素子、特に有機物発光層を用いた有機EL素子とこの有
機EL素子を得るための製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent device having a light emitting layer, and more particularly to an organic EL device using an organic light emitting layer and a method for producing the organic EL device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、表示装置などの発光表示部として
実施されている電界発光素子として、エレクトロルミネ
センス素子(以下EL素子という)が利用されている。
近年、このようなEL素子として、特に有機物材料を用
いたものが検討されており、有機物材料を用いたEL素
子(以下有機EL素子という)を用いたドットマトリク
ス型の表示装置も知られている。例えば、図15に記し
たような断面構造の表示画素を有するものが知られてい
る。ガラス基板1上にITO等の透明電極からなり、図
面左右方向に伸びるストライプ状の陽極2を形成し、そ
の上に発光機能を有する有機物発光層3を形成し、さら
にこの有機物発光層3の上に陰極となる金属電極4を前
記陽極2と直交するストライプ状のものとして設けたド
ットマトリクス構造としている。2. Description of the Related Art Conventionally, an electroluminescent element (hereinafter, referred to as an EL element) has been used as an electroluminescent element implemented as a light emitting display section of a display device or the like.
In recent years, as such an EL element, an element using an organic material has been particularly studied, and a dot matrix type display device using an EL element using an organic material (hereinafter referred to as an organic EL element) is also known. . For example, one having a display pixel having a sectional structure as shown in FIG. 15 is known. A transparent electrode made of ITO or the like is formed on a glass substrate 1, and a striped anode 2 extending in the horizontal direction of the drawing is formed. An organic light emitting layer 3 having a light emitting function is formed thereon. A dot matrix structure is provided in which a metal electrode 4 serving as a cathode is provided in a stripe shape orthogonal to the anode 2.
【0003】このような構造の電界発光素子を用いて所
望のパターン表示を行なうには発光部のパターン化が必
要であるが、有機物発光層3は有機溶剤に溶けやすいた
め、フォトレジストを用いたエッチング加工が困難であ
る。そこで、ドットマトリクス表示を行なうためには、
透明基板1上の透明電極2をストライプ状のパターンに
形成し、その上に四角形状の表示部開口を有する蒸着マ
スクを用いて有機物発光層3を蒸着法により形成し、さ
らに所定のストライプ状の開口を有した蒸着マスクを介
して蒸着法により透明電極2と直交するようにストライ
プ状の金属電極4を形成して陰極を設けるという少なく
とも2種類の蒸着マスクを用いたパターン化が一般的な
方法として実施されている。In order to display a desired pattern using an electroluminescent device having such a structure, it is necessary to pattern a light emitting portion. However, since the organic light emitting layer 3 is easily dissolved in an organic solvent, a photoresist is used. Etching is difficult. Therefore, in order to perform dot matrix display,
A transparent electrode 2 on a transparent substrate 1 is formed in a stripe pattern, and an organic light emitting layer 3 is formed thereon by an evaporation method using an evaporation mask having a rectangular display section opening. A patterning method using at least two kinds of vapor deposition masks, in which a striped metal electrode 4 is formed so as to be orthogonal to the transparent electrode 2 by a vapor deposition method through a vapor deposition mask having an opening and a cathode is provided. It has been implemented as.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では有機物発光層3および金属電極4を形成す
る際に少なくとも2回の蒸着マスク合わせが必要のた
め、基本的に微細化が難しく精細な表示を得ることがで
きず、、その製造工程も煩雑で表示部に傷をつけるなど
の不良が多かった。また、有機物発光層を形成するため
の蒸着マスクを用いずに透明基板の全面に亘って有機物
発光層を形成するものとし、陰極層の形成のみを蒸着マ
スクにて実施するものもあるが、その場合には本来必要
のない部分、例えば透明電極膜をパターン化した場合に
おける透明電極の存在しない表示画素以外の上にも有機
物発光層を形成してしまうこととなり、無駄であるばか
りか、場合によっては有機物発光層を流れることにより
生じる漏れ電流の影響等にドットマトリクス表示を行っ
た場合にクロストークを発生させることがあるなど信頼
性を損ねる問題がある。However, in such a method, at least two deposition mask alignments are required when the organic light emitting layer 3 and the metal electrode 4 are formed. The display could not be obtained, and the manufacturing process was complicated, resulting in many defects such as scratching the display portion. Further, it is assumed that the organic light emitting layer is formed over the entire surface of the transparent substrate without using the vapor deposition mask for forming the organic light emitting layer, and only the formation of the cathode layer is performed using the vapor deposition mask. In such a case, an organic light emitting layer is formed also on a part that is not originally required, for example, on a display pixel other than a display pixel where a transparent electrode is not formed when the transparent electrode film is patterned. However, there is a problem that reliability is impaired, for example, crosstalk may occur when dot matrix display is performed due to the influence of leakage current generated by flowing through the organic light emitting layer.
【0005】本発明は前記した課題を解決し、微細な表
示パターン化が可能で、かつ信頼性の高い電界発光素子
を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a highly reliable electroluminescent device capable of forming a fine display pattern.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明により、基板上に
仕事関数の異なる一対の電極間に挟まれた有機物発光層
を有する電界発光素子の前記基板上には、有機物発光層
と第2電極層との合計厚み以上の厚さを有する第1絶縁
性材料層と、該絶縁性材料層上に形成された第1電極層
とを有し、両層は所定パターンに形成され、前記第1電
極層上の表示画素となる領域以外の箇所には、有機物発
光層と第2電極層との合計厚み以上の厚さを有する第2
絶縁性材料層が形成され、前記第1電極層上の表示画素
となる領域には、有機物発光層および第1電極層と仕事
関数の異なる第2電極層が順に積層されている電界発光
素子。According to the present invention, there is provided an electroluminescent device having an organic light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes having different work functions on a substrate. A first insulating material layer having a thickness equal to or greater than the total thickness of the first and second layers; and a first electrode layer formed on the insulating material layer. A second portion having a thickness equal to or more than the total thickness of the organic light emitting layer and the second electrode layer is provided on a portion of the electrode layer other than the region serving as a display pixel.
An electroluminescent device in which an insulating material layer is formed, and an organic light emitting layer and a second electrode layer having a different work function from the first electrode layer are sequentially stacked in a region to be a display pixel on the first electrode layer.
【0007】または、基板上に仕事関数の異なる一対の
電極間に挟まれた有機物発光層を有する電界発光素子の
前記基板上には、所定パターンとした第1電極層が形成
され、該第1電極層の上の表示画素となる領域には、有
機物発光層と第3電極層との合計厚み以上の厚さを有す
る絶縁材料層が形成されており、少なくも前記絶縁性材
料層表面及び絶縁性材料層の側面もしくは絶縁性材料層
に必要に応じ設けた貫通孔内面には、第2電極層が形成
されて、第1電極層と第2電極層が絶縁性材料層を挟む
ようにして電気的に接続されており、前記絶縁性材料層
の上に形成した第2電極層上には有機物発光層および第
2電極層と仕事関数の異なる第3電極層が順に積層され
ている電界発光素子が提供される。Alternatively, a first electrode layer having a predetermined pattern is formed on the substrate of the electroluminescent device having an organic light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes having different work functions on the substrate. An insulating material layer having a thickness equal to or greater than the total thickness of the organic light emitting layer and the third electrode layer is formed in a region serving as a display pixel above the electrode layer. A second electrode layer is formed on the side surface of the insulating material layer or on the inner surface of the through-hole provided as necessary in the insulating material layer, and the first electrode layer and the second electrode layer are electrically connected to each other so as to sandwich the insulating material layer. And an electroluminescent element in which an organic light emitting layer and a third electrode layer having a different work function from the second electrode layer are sequentially stacked on the second electrode layer formed on the insulating material layer. Provided.
【0008】さらに、前記電界発光素子を形成した基板
と所定パターンの電極層を有する外部接続基板とを対向
配設し、電界発光素子を形成した基板の表示画素となる
領域表面の電極層と前記外部電極基板の電極とが電気的
に接続するように相対向させて電界発光素子基板と外部
電極基板とを接着することでドットマトリクス型の電界
発光素子が提供される。Further, the substrate on which the electroluminescent element is formed and an external connection substrate having an electrode layer of a predetermined pattern are disposed so as to face each other, and the electrode layer on the surface of the substrate on which the electroluminescent element is to be formed as a display pixel is provided. A dot matrix type electroluminescent device is provided by bonding the electroluminescent device substrate and the external electrode substrate so that the electrodes of the external electrode substrate face each other so as to be electrically connected to each other.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、本発明の電界発光素子としてドットマトリ
クス型の有機物発光層を用いたEL素子について、その
製造方法に沿って説明する。図1(a)は仕事関数の異
なる一対の電極間に挟まれた有機物発光層を有する有機
EL素子20を透光性基板上に形成した例を模式的に示
す斜視図である。EL素子基板21上には、所定のスト
ライプパターンに形成された透光性の第1絶縁性材料層
22と該第1絶縁性材料層22上に形成された第1電極
層となる透明電極層23とを有し、透明電極層23表面
の一部には第2絶縁性材料層24が形成され、これらの
表面には有機物発光層25および第2電極層となる陰極
層26が基板面内方向において連続した層とならないよ
うにほぼ基板全表面に形成されている。これにより、基
板上には島状に各表示画素領域27が形成され、その発
光層25及び陰極層26は各表示画素領域毎に独立した
ものとされている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. First, an EL device using a dot matrix type organic substance light emitting layer as an electroluminescent device of the present invention will be described along a manufacturing method thereof. FIG. 1A is a perspective view schematically showing an example in which an organic EL element 20 having an organic light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes having different work functions is formed on a light transmitting substrate. A light-transmitting first insulating material layer 22 formed in a predetermined stripe pattern and a transparent electrode layer serving as a first electrode layer formed on the first insulating material layer 22 are formed on the EL element substrate 21. 23, a second insulating material layer 24 is formed on a part of the surface of the transparent electrode layer 23, and an organic light emitting layer 25 and a cathode layer 26 serving as the second electrode layer are formed on the surface of the substrate. It is formed on almost the entire surface of the substrate so as not to become a continuous layer in the direction. Thus, each display pixel region 27 is formed in an island shape on the substrate, and the light emitting layer 25 and the cathode layer 26 are independent for each display pixel region.
【0010】図2から図4は図1(a)のEL素子の製
造工程を説明する断面図で図2(a)、図3(a)、図
4(a)は図1(a)のA−A部の断面を、図2
(b)、図3(b)、図4(b)は図1(a)のB−B
部の断面を夫々示している。ガラス基板などのEL素子
基板21の上に透光性の第1絶縁性材料層22及びIT
O等の透明電極層23を図2のようにストライプ状に形
成する。更にストライプ状に形成した透明電極層23上
の後に表示画素27となる領域以外の箇所に第2絶縁性
材料層24を図3(b)のように形成する。なお、ここ
までの工程においては、有機発光層を形成していないの
で、公知のフォトリソグラフィ技術などを用いて微細な
エッチング加工を施すなどにより比較的容易に微細なパ
ターンを形成することができる。FIGS. 2 to 4 are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the EL element shown in FIG. 1A. FIGS. 2A, 3A and 4A are sectional views of FIG. 1A. FIG. 2 shows a cross section taken along the line AA.
(B), FIG. 3 (b), and FIG. 4 (b) are BB of FIG. 1 (a).
The cross section of each part is shown. A light-transmitting first insulating material layer 22 and an IT
A transparent electrode layer 23 of O or the like is formed in a stripe shape as shown in FIG. Further, a second insulating material layer 24 is formed on the transparent electrode layer 23 formed in a stripe shape in a portion other than a region to become a display pixel 27 later as shown in FIG. 3B. Since the organic light emitting layer is not formed in the steps up to here, a fine pattern can be formed relatively easily by performing a fine etching process using a known photolithography technique or the like.
【0011】続いて図3のようなパターンを形成したE
L素子基板1上に有機物発光層25及び陰極層26を形
成する(図4 (a),(b)参照)。これらの層は蒸着
法、スパッタ法などの手段によりEL素子基板21上の
表示部領域全面に蒸着膜を連続して形成することができ
る。図3に示したようにストライプ状の透明電極23は
ストライプ状の第1絶縁性材料層22の上に形成されて
いるため、このストライプ間に蒸着された有機物発光層
25a、陰極層26aは第1絶縁性材料層22間に挟ま
れるものとなる。それ故、表示画素27のストライプ状
電極23と直交する方向においては、その段差において
切断されたものとなる。特に第1絶縁性材料層22及び
第2絶縁性材料層24は、有機物発光層25と陰極層2
6の合計厚み以上の厚さとして形成しているので、これ
により有機物発光層25、陰極層26の各層は面方向に
おいて不連続な膜となり、ストライプ状電極23上に形
成されている有機物発光層25及び陰極層26の各層は
隣接するストライプ状電極23上の有機物発光層25及
び陰極層26の各層と確実に分離したものとすることが
できる。Subsequently, E having a pattern as shown in FIG.
An organic light emitting layer 25 and a cathode layer 26 are formed on the L element substrate 1 (see FIGS. 4A and 4B). For these layers, a vapor deposition film can be continuously formed over the entire display region on the EL element substrate 21 by a method such as a vapor deposition method or a sputtering method. As shown in FIG. 3, since the striped transparent electrode 23 is formed on the striped first insulating material layer 22, the organic light emitting layer 25a and the cathode layer 26a deposited between the stripes are It is sandwiched between one insulating material layers 22. Therefore, in the direction orthogonal to the stripe-shaped electrode 23 of the display pixel 27, the pixel is cut at the step. In particular, the first insulating material layer 22 and the second insulating material layer 24 include the organic light emitting layer 25 and the cathode layer 2.
6, the thickness of each of the organic light emitting layer 25 and the cathode layer 26 becomes a discontinuous film in the plane direction, and the organic light emitting layer formed on the stripe-shaped electrode 23 is formed. Each of the layers 25 and the cathode layer 26 can be reliably separated from the respective layers of the organic light emitting layer 25 and the cathode layer 26 on the adjacent stripe electrode 23.
【0012】こうして図1(a)の示したように各表示
画素27が島状に点在するものとなる。また、ストライ
プ状電極23上の各表示画素27の隣には、第2絶縁性
材料層24が形成されている。したがって、ストライプ
と平行な方向においてもストライプ状電極23上の有機
物発光層25及び陰極層26の各層は第2絶縁性材料層
24の段差により切断されたものとなり、ストライプ状
電極23と直交する方向と同様に島状に点在するものと
なる。従って、各表示画素27は隣接した表示画素27
と独立別個に発光させることができる。Thus, as shown in FIG. 1A, each display pixel 27 is scattered in an island shape. A second insulating material layer 24 is formed next to each display pixel 27 on the striped electrode 23. Therefore, even in the direction parallel to the stripe, the respective layers of the organic light emitting layer 25 and the cathode layer 26 on the stripe electrode 23 are cut by the step of the second insulating material layer 24, and the direction orthogonal to the stripe electrode 23. It will be scattered like an island. Therefore, each display pixel 27 is adjacent to the display pixel 27.
And can be independently emitted.
【0013】次に、図1(b)のようなストライプ状の
陰極接続用電極33を有する外部基板30を、そのスト
ライプ状の陰極接続用電極33がEL素子20のストラ
イプ状電極層23と直交し、かつストライプ状電極層2
3上の第2絶縁性材料層24が存在しない部分、即ち、
表示画素27の陰極層26と接続するように対向配設す
る。外部基板30は、外部電極基板31上の絶縁性材料
層32およびその上の陰極接続用電極33を公知のフォ
トリソグラフィ法などによりストライプ状にパターン化
したものとしている。なお、ストライプ状の絶縁性材料
層32及び陰極接続用電極33は、EL素子20の第2
絶縁性材料層24と同程度以上の厚さを有するものとし
ている。これは、ストライプの間隙34にEL素子20
の第2絶縁性材料層24が形成され凸形状となっている
部分が位置するようにして、EL素子20と外部電極基
板30とを重ね合わせる際に、陰極接続用電極33とE
L素子20の表示画素27部分の陰極層26とが電気的
に接続し易くしているものである。Next, as shown in FIG. 1B, the external substrate 30 having the stripe-shaped cathode connection electrodes 33 is formed such that the stripe-shaped cathode connection electrodes 33 are orthogonal to the stripe-shaped electrode layers 23 of the EL element 20. And a striped electrode layer 2
3 where the second insulating material layer 24 does not exist, that is,
It is disposed so as to be connected to the cathode layer 26 of the display pixel 27. The external substrate 30 is formed by patterning the insulating material layer 32 on the external electrode substrate 31 and the cathode connection electrode 33 thereon in a stripe shape by a known photolithography method or the like. Note that the stripe-shaped insulating material layer 32 and the cathode connection electrode 33 are
It has a thickness equal to or greater than that of the insulating material layer 24. This is because the EL element 20
When the EL element 20 and the external electrode substrate 30 are overlapped with each other so that the portion where the second insulating material layer 24 is formed and has a convex shape is located, the cathode connection electrodes 33 and E
This facilitates electrical connection with the cathode layer 26 in the display pixel 27 of the L element 20.
【0014】EL素子20の表示画素27部分の陰極層
26と外部基板30の陰極接続用電極33とは、両電極
を同一材料もしくは同一材料を含む合金または異なる金
属材料により形成し、両電極表面が密着圧接した状態が
維持されるようにしてEL素子基板21と基板30を接
着するものとしたり、陰極層26と陰極接続用電極32
とを導電性ペーストなどにより接続することによって、
外部電源からの信号を各表示画素27に供給するドット
マトリクス型のEL発光素子71とすることができる。The cathode layer 26 of the display pixel 27 portion of the EL element 20 and the cathode connection electrode 33 of the external substrate 30 are made of the same material, an alloy containing the same material, or a different metal material. The EL element substrate 21 and the substrate 30 are adhered so as to maintain the state in which they are in close contact with each other, or the cathode layer 26 and the cathode connection electrode 32
Is connected by conductive paste etc.
A dot matrix EL light emitting element 71 that supplies a signal from an external power supply to each display pixel 27 can be provided.
【0015】図5は両電極基板が密着圧接した状態が維
持されるようにEL素子基板21と外部基板30を基板
の表示画素周辺部にてエポキシ接着剤80により封止し
たドットマトリクス型のEL発光素子71の概略断面図
を示す。エポキシ接着剤80中には、両基板間隔を前記
陰極層26と陰極接続用電極33とが密着圧接する厚み
となるような所定の厚みの厚み制御部材81が混入され
ている。厚み制御部材81は、両基板を所定の過重を加
えて対向配設した際の基板間隔と同一もしくはその間隔
よりも少し大きな径を有するもので、プラスチックボー
ル、ガラス球等や円柱状等のセラミック部材等により形
成されている。これによりドットマトリクス型のEL発
光素子71の全面をほぼ均一な厚み、荷重にて封止する
ものとしている。なお、封止する際には窒素、アルゴン
等の不活性ガス雰囲気下にて実施することが好ましい。FIG. 5 shows a dot matrix type EL in which the EL element substrate 21 and the external substrate 30 are sealed with an epoxy adhesive 80 around display pixels of the substrate so that the two electrode substrates are kept in close contact with each other. FIG. 2 shows a schematic sectional view of a light emitting element 71. A thickness control member 81 having a predetermined thickness is mixed in the epoxy adhesive 80 so that the distance between the two substrates is such that the cathode layer 26 and the cathode connection electrode 33 are brought into close contact with each other. The thickness control member 81 has a diameter equal to or slightly larger than the distance between the substrates when the two substrates are disposed opposite to each other with a predetermined load, and is formed of a ceramic ball such as a plastic ball, a glass ball, or the like. It is formed of members and the like. Thus, the entire surface of the dot matrix type EL light emitting element 71 is sealed with a substantially uniform thickness and load. Note that the sealing is preferably performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon.
【0016】透明電極層23および陰極接続用電極33
に所定に信号を流すことにより有機物発光層25からの
発光が透光性の透明電極層23、第1絶縁材料22、E
L素子基板21を通って外部に放射される。陽極となる
透明電極層23としてはITOなどの透光性の材料を用
い、陰極層26としてはインジウム、銀、錫、アルミニ
ウム、マグネシウム、カルシウム、などの金属単体やこ
れらの合金、金属間化合物で透明電極層23よりも仕事
関数の低いもの、またはn型Si表面をSiO2でカバ
ーしたものやAl表面をAl2O3でカバーしたトンネ
ル注入電極などの電子注入性電極が用いられる。発光層
を挟持する一対の電極のうち陰極層を上記のような電子
注入性電極により形成しているので、陰極から有機物発
光層へ注入される電子の注入効率を高めることができ、
これにより陰極から有機物発光層へ注入された電子と陽
極から有機物発光層へ注入された正孔とが発光層内で再
結合して発光する効率を向上させるものとしている。Transparent electrode layer 23 and cathode connection electrode 33
The light from the organic light emitting layer 25 is transmitted by transmitting a predetermined signal to the transparent electrode layer 23, the first insulating material 22,
The light is radiated outside through the L element substrate 21. A transparent material such as ITO is used for the transparent electrode layer 23 serving as an anode, and a single metal such as indium, silver, tin, aluminum, magnesium, calcium, or an alloy thereof, or an intermetallic compound is used for the cathode layer 26. An electron injecting electrode having a work function lower than that of the transparent electrode layer 23, an n-type Si surface covered with SiO2, or a tunnel injection electrode having an Al surface covered with Al2O3 is used. Since the cathode layer of the pair of electrodes sandwiching the light emitting layer is formed by the electron injecting electrode as described above, the injection efficiency of electrons injected from the cathode to the organic light emitting layer can be increased,
Thereby, the electrons injected from the cathode into the organic light emitting layer and the holes injected from the anode into the organic light emitting layer are recombined in the light emitting layer to improve light emission efficiency.
【0017】従来のマトリクス型発光素子においては図
15に記したように、1枚の基板上にストライプ状の陽
極およびこれと直交するストライプ状の陰極の双方を形
成するものとしていたが、本発明においては基板側の電
極層23のみをストライプ状のものとし、基板表面側の
陰極層26を蒸着マスクを用いてパターン化することな
く表示画素27上に別個に独立して存在する電極とし、
他の基板に形成したストライプ状電極33と接続するこ
とで、ドットマトリクス型のEL素子を得るものとして
いる。それ故、発光層に電子または正孔を注入する一対
の電極の双方を電子または正孔の注入性に優れた材料と
し、発光層表面側の電極26と接続する外部基板電極3
3を低抵抗の電極材料とすることで、優れた発光効率と
EL発光素子全体の抵抗低減の両立を図ることができ
る。In the conventional matrix type light-emitting device, as shown in FIG. 15, both a striped anode and a striped cathode orthogonal to this are formed on one substrate. In the above, only the electrode layer 23 on the substrate side is made into a stripe shape, and the cathode layer 26 on the substrate surface side is an electrode which exists independently and independently on the display pixel 27 without being patterned by using an evaporation mask,
A dot matrix type EL element is obtained by connecting to a stripe electrode 33 formed on another substrate. Therefore, both the pair of electrodes for injecting electrons or holes into the light emitting layer are made of a material having excellent electron or hole injectability, and the external substrate electrode 3 connected to the electrode 26 on the light emitting layer surface side is used.
By using 3 as a low-resistance electrode material, it is possible to achieve both excellent luminous efficiency and reduced resistance of the entire EL light-emitting element.
【0018】本発明のEL素子の製造方法においては、
有機物発光層25および陰極層26を形成する際には各
表示画素に対応する蒸着マスクを一切使用せず、また、
有機物発光層25および陰極層26をフォトレジスト等
を用いてエッチングすることもない。従って、これらの
層を形成する前の工程において透明電極層23等を公知
のフォトリソグラフィ法などにより微細加工し、同様に
外部電極基板30の陰極接続用電極33等もフォトリソ
グラフィ法などにより微細加工を施しておくことで微細
なパターンを容易に形成することができる。また、有機
物発光層25および陰極層26は、これらの層を形成す
る前の工程において段差を有するように形成したEL素
子基板表面に、単に蒸着等を施すのみであって、エッチ
ング加工等を施すこともないので有機物発光層25に何
ら損傷を与えることがなく、容易且つ確実に微細なパタ
ーン化が図られる。In the method of manufacturing an EL device according to the present invention,
When forming the organic light emitting layer 25 and the cathode layer 26, no vapor deposition mask corresponding to each display pixel is used,
The organic light emitting layer 25 and the cathode layer 26 are not etched using a photoresist or the like. Therefore, in a process before forming these layers, the transparent electrode layer 23 and the like are finely processed by a known photolithography method and the like, and similarly, the cathode connection electrode 33 and the like of the external electrode substrate 30 are also finely processed by a photolithography method and the like. , A fine pattern can be easily formed. Further, the organic light emitting layer 25 and the cathode layer 26 are merely subjected to vapor deposition or the like on the surface of the EL element substrate formed so as to have a step in a step before forming these layers, and are subjected to etching or the like. Since it does not occur, the organic light emitting layer 25 is not damaged at all, and a fine pattern can be easily and surely formed.
【0019】また、本発明のEL素子は、EL素子の透
明電極22のストライプ方向において各表示画素27が
透明電極22の上に形成されており、各表示画素27の
有機物発光層25および陰極層26が隣接する他の表示
画素27と面内方向において連続しない膜とされている
ので、透明電極22のストライプ方向と直交する方向と
した外部ストライプ電極を各表示画素27に設けること
で、簡単にドットマトリクス型のEL表示素子が得られ
るものとなる。In the EL device of the present invention, each display pixel 27 is formed on the transparent electrode 22 in the stripe direction of the transparent electrode 22 of the EL device, and the organic light emitting layer 25 and the cathode layer of each display pixel 27 are formed. 26 is a film that is not continuous with the other adjacent display pixels 27 in the in-plane direction. Therefore, by providing an external stripe electrode in a direction orthogonal to the stripe direction of the transparent electrode 22 in each display pixel 27, A dot matrix type EL display element can be obtained.
【0020】続いて他のドットマトリクス型EL素子の
実施形態について、その製造方法に沿って説明する。図
6はEL素子40の斜視図であり、本実施形態において
は表示画素49の発光層下層の電極層が間に絶縁層を挟
む2層構造のものとされている。図7から図9は図6の
EL素子の製造工程を製造順に説明する断面図で図7
(a)、図8(a)、図9(a)は図6のA−A断面
を、図7(b)、図8(b)、図9(b)は図6のB−
B断面を夫々示している。Next, another embodiment of a dot matrix type EL device will be described along a method of manufacturing the same. FIG. 6 is a perspective view of the EL element 40. In the present embodiment, the electrode layer below the light emitting layer of the display pixel 49 has a two-layer structure with an insulating layer interposed therebetween. 7 to 9 are cross-sectional views illustrating the steps of manufacturing the EL element of FIG. 6 in the order of manufacture.
(A), FIG. 8 (a), and FIG. 9 (a) are cross-sectional views taken along the line AA of FIG. 6, and FIG. 7 (b), FIG. 8 (b), and FIG.
Each of the B cross sections is shown.
【0021】ガラスなどのEL素子基板41の上にIT
O等の第1透明電極層42を公知のフォトリソグラフィ
法などによりストライプ状に形成し、その全面にフォト
レジスト48aをスピンナーなどにより塗布する。この
後、表示画素49以外の領域にフォトレジスト48aが
残るようにして、所定の開口を設けたフォトマスクを用
いて露光、現像する。この際、各ストライプ状の第1透
明電極層42の間隙42aで表示画素49の近傍部分の
フォトレジストは残らないようにする。続いて、その上
からEL素子基板41の表示部全面に絶縁性材料層43
を蒸着、塗布等の方法により設けることにより、表示画
素49となる領域においては、ストライプ状のITO第
1電極層42の側面及び上面と、フォトレジスト48a
の表面を絶縁性材料層43が覆うものとなる。On an EL element substrate 41 such as glass, an IT
A first transparent electrode layer 42 of O or the like is formed in a stripe shape by a known photolithography method or the like, and a photoresist 48a is applied to the entire surface by a spinner or the like. Thereafter, exposure and development are performed using a photomask provided with a predetermined opening so that the photoresist 48a remains in a region other than the display pixels 49. At this time, the photoresist in the vicinity of the display pixel 49 is not left in the gap 42a between the stripe-shaped first transparent electrode layers 42. Subsequently, the insulating material layer 43 is formed on the entire display portion of the EL element substrate 41 from above.
Is provided by a method such as vapor deposition or coating, so that the side and top surfaces of the stripe-shaped ITO first electrode layer 42 and the photoresist 48 a
Is covered with the insulating material layer 43.
【0022】続いて全面にフォトレジストを塗布し、各
表示画素49となる部分にフォトレジスト48bが残る
ように露光、現像する。その際、各表示画素49には図
7に示したようにコンタクトホール44形成用の孔を同
時に設けておくものとする。その後、表示画素49とな
る領域以外の箇所、即ちフォトレジスト48aの上面お
よびコンタクトホール44の箇所に形成した絶縁性材料
層43(図7に点線で示す)を除去する。なお、フォト
レジスト48aはEL素子基板41側が広く、基板表面
側が狭い傾斜側面となるように露光条件、熱処理条件を
調整して形成することが好ましい。また、コンタクトホ
ール44は各表示画素49内に少なくとも1つ以上有す
るものとし、また、その直径を50ミクロン程度以下の
ものとすると人の目で観察されにくいものとなり、表示
品位を損なうことはない。Subsequently, a photoresist is applied to the entire surface, and is exposed and developed so that the photoresist 48b remains on the portion to be each display pixel 49. At this time, each display pixel 49 is provided with a hole for forming the contact hole 44 at the same time as shown in FIG. Thereafter, the insulating material layer 43 (indicated by a dotted line in FIG. 7) formed in a portion other than the region to become the display pixel 49, that is, in the upper surface of the photoresist 48a and the contact hole 44 is removed. The photoresist 48a is preferably formed by adjusting the exposure conditions and the heat treatment conditions so that the EL element substrate 41 has a wide inclined side and the substrate surface side has a narrow inclined side surface. In addition, it is assumed that at least one contact hole 44 is provided in each display pixel 49. If the diameter of the contact hole 44 is about 50 μm or less, it becomes difficult for human eyes to observe, and the display quality is not impaired. .
【0023】次にフォトレジスト48aおよび48bを
除去した後に、図8に示したように絶縁性材料層43の
上にITO等からなる第2透明電極層45を蒸着法、ス
パッタ法、塗布法などの公知の方法で形成する。このと
きコンタクトホール44内面を図7(a)(b)に示し
たような傾斜面として第2透明電極層45がコンタクト
ホール44の内部側面にも形成されるものとしている。
これにより各表示画素49に対応する部分においては、
絶縁性材料層43をストライプ状の第1透明電極層42
と第2透明電極層45とでサンドイッチした2層構造の
電極が形成される。コンタクトホール44の内側側面
は、第2透明電極層45を形成されやすくなるようにコ
ンタクトホール44の断面において基板上側の方が広く
なるようなテーパーを設けたコンタクトホール44を形
成している。具体的には、絶縁材料層43のエッチング
をエッチングレートの遅い条件にて処理することにより
基板上側が広く第1透明電極層側を狭く且つ傾斜面を備
えたコンタクトホールとしている。Next, after removing the photoresists 48a and 48b, a second transparent electrode layer 45 made of ITO or the like is formed on the insulating material layer 43 as shown in FIG. In a known manner. At this time, the second transparent electrode layer 45 is also formed on the inner side surface of the contact hole 44, with the inner surface of the contact hole 44 being an inclined surface as shown in FIGS. 7A and 7B.
Thereby, in the portion corresponding to each display pixel 49,
The insulating material layer 43 is formed of a stripe-shaped first transparent electrode layer 42.
And a second transparent electrode layer 45 to form an electrode having a two-layer structure sandwiched therebetween. On the inner side surface of the contact hole 44, a contact hole 44 having a taper so that the upper side of the substrate is wider in a cross section of the contact hole 44 so that the second transparent electrode layer 45 is easily formed. Specifically, the etching of the insulating material layer 43 is performed under the condition that the etching rate is low, so that the contact hole having a wide upper side of the substrate and a narrower side of the first transparent electrode layer and having an inclined surface is formed.
【0024】表示画素領域49における第1透明電極層
42のストライプ方向と直交する方向においては、第1
透明電極層のストライプ側面が絶縁材料層43により覆
われており、また、図7(a)に示したようにストライ
プ間の間隙42aにフォトレジスト48aを形成した後
に絶縁材料層43を形成しているので、第2透明電極層
45は絶縁材料層43の側面に回り込んで形成されな
い。よって、ストライプと直交する方向に隣接する各表
示画素領域49は、絶縁材料層43の側面の段差により
断線したものとなる。また、表示画素領域49の第1透
明電極層のストライプと平行な方向においては、第1透
明電極層上のコンタクトホール以外の絶縁材料層43の
側面部分は絶縁材料層43を形成する前に設けておいた
フォトレジスト48aとの境界部分を側面とするものな
ので、第2透明電極45が第1透明電極42と接続する
ことのないものとしている。なお、テーパーを設ける方
法は上記以外の手段により形成しても何ら問題はなく、
要は第2透明電極45がコンタクトホール44において
第1透明電極42と接続され、第1透明電極42上の絶
縁材料層43側面で断線したものとすれば良い。また、
コンタクトホール44にて接続する2層構造の電極を作
成する工程は、上記実施形態以外の公知のフォトリソグ
ラフィ法を用いた方法であっても良い。In the direction orthogonal to the stripe direction of the first transparent electrode layer 42 in the display pixel region 49, the first
The side surface of the stripe of the transparent electrode layer is covered with the insulating material layer 43. As shown in FIG. 7A, a photoresist 48a is formed in the gap 42a between the stripes, and then the insulating material layer 43 is formed. Therefore, the second transparent electrode layer 45 is not formed around the side surface of the insulating material layer 43. Therefore, each display pixel region 49 adjacent to the direction perpendicular to the stripe is disconnected due to a step on the side surface of the insulating material layer 43. In the direction parallel to the stripes of the first transparent electrode layer in the display pixel region 49, the side surface portions of the insulating material layer 43 other than the contact holes on the first transparent electrode layer are provided before forming the insulating material layer 43. The second transparent electrode 45 is not connected to the first transparent electrode 42 because the side surface is the boundary portion with the photoresist 48a. In addition, the method of providing a taper does not have any problem even if it is formed by means other than the above,
In short, the second transparent electrode 45 may be connected to the first transparent electrode 42 in the contact hole 44 and be disconnected at the side surface of the insulating material layer 43 on the first transparent electrode 42. Also,
The step of forming an electrode having a two-layer structure connected by the contact hole 44 may be a method using a known photolithography method other than the above embodiment.
【0025】上記のようにして準備した2層構造の電極
を形成したEL素子基板41の表示画素領域を覆うよう
に、基板表面のほぼ全面上に有機物発光層46および第
3電極層となる陰極層47を蒸着法などの公知の方法に
より積層する。これにより図6のような有機EL素子4
0が得られる。EL素子40は図9に示すような断面を
有し、EL素子基板41上に第1透明電極層42、絶縁
材料層43、第2透明電極層45、発光層46、陰極層
47が積層された表示画素49が島状に点在するような
状態となる。なお、絶縁性材料層43は発光層46と陰
極層47の合計厚み以上の厚さに形成しているので、発
光層46および陰極層47の各層は面内方向において、
絶縁性材料層の段差によって確実に切断したものとされ
ている。The organic light emitting layer 46 and the cathode serving as the third electrode layer are formed on almost the entire surface of the EL element substrate 41 on which the electrodes of the two-layer structure prepared as described above are formed so as to cover the display pixel area. The layer 47 is laminated by a known method such as a vapor deposition method. Thereby, the organic EL element 4 as shown in FIG.
0 is obtained. The EL element 40 has a cross section as shown in FIG. 9, and a first transparent electrode layer 42, an insulating material layer 43, a second transparent electrode layer 45, a light emitting layer 46, and a cathode layer 47 are laminated on an EL element substrate 41. Display pixels 49 are scattered like islands. Since the insulating material layer 43 is formed to have a thickness equal to or greater than the total thickness of the light emitting layer 46 and the cathode layer 47, each layer of the light emitting layer 46 and the cathode layer 47 has an in-plane direction.
It is supposed to be surely cut by the step of the insulating material layer.
【0026】この有機EL素子40に、先の実施形態に
て説明したようなストライプ状の陰極接続用電極33を
有する外部電極基板30を、EL素子40のストライプ
状の第1透明電極層42と外部電極基板30の陰極接続
用電極33が直交するように対向配置して陰極層47と
陰極接続用電極33を電気的に接続するように配設する
ことでドットマトリクス型のEL発光素子を得ることが
できる。なお、両者の接続は先に説明した実施形態の場
合と同様に密着させたり、導電性ペーストを用いて接続
したりして行なうことができる。但し、本実施形態にお
いてはEL素子40の凸部が表示画素49となるので、
先の実施形態のように凸部を陰極接続用電極33のスト
ライプ間の間隙34に位置するようにして重ね合わせる
必要はない。従って、外部電極基板30の陰極接続用電
極33は絶縁性材料層32を介さずに基板上に直接設け
たものであっても良い。On the organic EL element 40, the external electrode substrate 30 having the stripe-shaped cathode connection electrode 33 as described in the previous embodiment is attached to the stripe-shaped first transparent electrode layer 42 of the EL element 40. A dot matrix type EL light emitting element is obtained by arranging the cathode connection electrodes 33 of the external electrode substrate 30 so as to be orthogonal to each other and electrically connecting the cathode layer 47 and the cathode connection electrode 33. be able to. Note that the connection between them can be made by closely contacting them or by using a conductive paste as in the embodiment described above. However, in the present embodiment, since the projection of the EL element 40 becomes the display pixel 49,
It is not necessary to overlap the projections so that the projections are located in the gaps 34 between the stripes of the cathode connection electrode 33 as in the previous embodiment. Therefore, the cathode connection electrode 33 of the external electrode substrate 30 may be provided directly on the substrate without interposing the insulating material layer 32.
【0027】本実施形態のEL素子40も先の実施形態
にて説明したEL素子20と同様に、陰極層47を電子
注入性の電極材料とし、外部基板電極33を低抵抗な電
極材料とすることで、発光効率に優れ且つドットマトリ
クス型のEL発光素子全体の抵抗を低減することか可能
な電極構造とすることができる。また、本実施形態の製
造方法においても有機物発光層46および陰極層47に
直接エッチング加工を施すことなく微細にパターン化可
能なものとしており、発光層にダメージを与えることな
く微細な表示を得ることができる。また、EL素子40
と接続する外部電極基板30に使用する基板31はガラ
ス等の透光性基板を用いる必要はなく、反射率の高い基
板を用いてEL素子の各表示画素49からの発光をガラ
ス基板41側に反射するものとしたり、黒色等の光吸収
性のものとしてEL発光素子のコントラストを向上させ
ることもできる。In the EL element 40 of this embodiment, similarly to the EL element 20 described in the previous embodiment, the cathode layer 47 is made of an electron injecting electrode material and the external substrate electrode 33 is made of a low resistance electrode material. Thus, an electrode structure having excellent luminous efficiency and capable of reducing the resistance of the entire dot matrix EL light emitting element can be obtained. Also, in the manufacturing method of the present embodiment, the organic light emitting layer 46 and the cathode layer 47 can be finely patterned without directly performing an etching process, and a fine display can be obtained without damaging the light emitting layer. Can be. The EL element 40
It is not necessary to use a light-transmitting substrate such as glass for the substrate 31 used for the external electrode substrate 30 connected to the substrate. A light-emitting substrate is used to emit light from each display pixel 49 of the EL element to the glass substrate 41 using a substrate having a high reflectance. The contrast of the EL light-emitting element can be improved by reflecting the light or by absorbing light such as black.
【0028】更に別の実施形態について、図10から図
14を参照してその製造方法に沿って説明する。図10
は電界発光素子50と外部電極基板60を重ね合わせて
ドットマトリクス型のEL発光素子とする状態を示す概
略斜視図である。本実施形態のEL素子も2層構造のI
TO透明電極を有するが、コンタクトホール以外の部分
により1層目の電極層と2層目の電極層を接続するもの
としている。Still another embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 14 along a manufacturing method thereof. FIG.
FIG. 3 is a schematic perspective view showing a state in which an electroluminescent element 50 and an external electrode substrate 60 are overlaid to form a dot matrix type EL light emitting element. The EL device of the present embodiment also has a two-layered I
Although it has a TO transparent electrode, the first electrode layer and the second electrode layer are connected by a portion other than the contact hole.
【0029】ガラス基板51上に図11に示したような
補助電極52を金属材料により形成する。補助電極52
は電極ライン52aと突出電極部52bを有し、図14
(a)に示したような断面を有する。なお、図14は図
11の電極ライン52aと突出電極部52bのA−B部
の断面図によりEL素子50の製造工程を説明するもの
である。次に図12に示すように、電極ライン52a及
び突出電極部52bの全てを覆う幅のITO等の透明電
極からなる第1電極層53を、補助電極層52を覆うよ
うストライプ状に形成する。An auxiliary electrode 52 as shown in FIG. 11 is formed on a glass substrate 51 using a metal material. Auxiliary electrode 52
14 has an electrode line 52a and a protruding electrode portion 52b.
It has a cross section as shown in FIG. FIG. 14 illustrates a manufacturing process of the EL element 50 with reference to a cross-sectional view taken along a line AB of the electrode line 52a and the protruding electrode portion 52b in FIG. Next, as shown in FIG. 12, a first electrode layer 53 made of a transparent electrode such as ITO having a width covering all of the electrode lines 52a and the protruding electrode portions 52b is formed in a stripe shape so as to cover the auxiliary electrode layer 52.
【0030】突出電極部52bは第1電極53のストラ
イプと平行な方向において隣接する表示画素領域59の
間の部分に位置するように形成している。電極ライン5
2aは、これを形成せず突出電極部52bとストライプ
状の第1電極層53のみを形成するものとしても良い。
しかし、EL素子を大面積で精細な表示を行なうものと
した場合には、各ストライプ状電極は細く、且つ長くな
るので、ストライプ状電極のみではAlなどの低抵抗材
料を用いたとしてもライン抵抗が高くなるという問題が
生じるおそれがある。そこで、本実施形態では第2電極
の側面に位置するストライプ状の電極ライン52aと突
出電極部52bとを有する補助電極52を設けてライン
抵抗の一層の低減を図っている。The protruding electrode portion 52b is formed so as to be located at a portion between the display pixel regions 59 adjacent in the direction parallel to the stripe of the first electrode 53. Electrode line 5
2a may be such that only the protruding electrode portion 52b and the striped first electrode layer 53 are formed without forming this.
However, when an EL element is used to perform a fine display with a large area, each stripe-shaped electrode is thin and long. Therefore, even if a low-resistance material such as Al is used with only the stripe-shaped electrode, the line resistance is low. May be increased. Therefore, in this embodiment, the auxiliary electrode 52 having the stripe-shaped electrode line 52a and the protruding electrode portion 52b located on the side surface of the second electrode is provided to further reduce the line resistance.
【0031】続いて、図13および図14(c)に示す
ように、隣接する表示画素領域間の部分にフォトレジス
ト54を形成する。前記第1電極層53上の表示画素領
域59間の位置に突出電極部52bの一方の側面を跨ぐ
ように第1電極層53上にフォトレジスト54a形成
し、ストライプ状の第1電極層53間の位置には該電極
近傍を除いた箇所に該ストライプと略平行にストライプ
状のフォトレジスト54bを形成する。フォトレジスト
54a,54bを形成する際にはその露光時間、露光方
向、現像条件、熱処理条件等を適宜調整することによ
り、EL素子基板51側が広く、EL素子基板51の表
面側が狭くなるような形状となるように形成することが
好ましい。Subsequently, as shown in FIGS. 13 and 14C, a photoresist 54 is formed in a portion between adjacent display pixel regions. A photoresist 54a is formed on the first electrode layer 53 at a position between the display pixel regions 59 on the first electrode layer 53 so as to straddle one side surface of the protruding electrode portion 52b. A stripe-shaped photoresist 54b is formed substantially in parallel with the stripe except for the vicinity of the electrode. When the photoresists 54a and 54b are formed, the exposure time, the exposure direction, the development conditions, the heat treatment conditions, and the like are appropriately adjusted so that the EL element substrate 51 is wider and the EL element substrate 51 is narrower. It is preferable to form them so that
【0032】次に図14(d)に示すようにEL素子基
板51の表示領域全面に透光性の絶縁性材料層55を形
成する。絶縁性材料層55は光感応性を有するもので、
紫外線等の照射により硬化する光硬化樹脂等が好まし
い。続いて透光性のEL素子基板51の裏面側から紫外
線等の光を基板全面に照射し、現像する。この光照射を
行なうと、遮光性の補助電極層52を形成した以外の領
域、すなわち、ガラス等からなるEL素子基板51上に
直接光硬化樹脂が形成された部分、及びEL素子基板5
1上にITO等からなる第1電極層53が積層され、そ
の上に直接光硬化樹脂が形成された部分の光硬化樹脂が
硬化されて絶縁性材料層55が形成される。補助電極層
52が形成されている領域においては、補助電極層52
が光を透過しない金属層よりなるため光が光硬化樹脂に
到達せず、絶縁性材料層55が形成されないものとな
る。Next, as shown in FIG. 14D, a translucent insulating material layer 55 is formed on the entire display region of the EL element substrate 51. The insulating material layer 55 has photosensitivity,
A photocurable resin or the like that is cured by irradiation with ultraviolet light or the like is preferable. Subsequently, light such as ultraviolet rays is irradiated onto the entire surface of the substrate from the back side of the translucent EL element substrate 51 and developed. When this light irradiation is performed, the region other than the region where the light-shielding auxiliary electrode layer 52 is formed, that is, the portion where the photocurable resin is directly formed on the EL device substrate 51 made of glass or the like, and the EL device substrate 5
A first electrode layer 53 made of ITO or the like is stacked on the first substrate 1, and the photocurable resin in a portion where the photocurable resin is directly formed is cured thereon to form an insulating material layer 55. In the region where the auxiliary electrode layer 52 is formed, the auxiliary electrode layer 52
Is made of a metal layer that does not transmit light, the light does not reach the photocurable resin, and the insulating material layer 55 is not formed.
【0033】また、EL素子基板51側から光を照射す
る際には図14(e)に示したようにフォトレジスト5
4aが跨ぐように形成された突出電極部52a側面の側
から反対側の突出電極部52a側面側に向かって光が進
行するようにEL素子基板51裏面の斜め方向から照射
する。これにより、絶縁性材料層55の突出電極部52
aのフォトレジスト54aを形成しなかった側の側面を
傾斜側面55bとして形成することができる。なお、電
極ライン52aを覆うように設けられた光硬化樹脂にも
突出電極部52aの上方と同じように光が届かないもの
となるが、電極ライン52aを細く形成すると、現実的
には光の回り込み、反射等により図14(e)のように
ある程度の厚みを有する状態で硬化したものとなり、各
ストライプ状の第1電極層53の上に島状に絶縁性材料
層55が形成される。When irradiating light from the EL element substrate 51 side, as shown in FIG.
Irradiation is performed from an oblique direction on the back surface of the EL element substrate 51 such that light travels from the side of the protruding electrode portion 52a formed so as to straddle the 4a toward the opposite side of the protruding electrode portion 52a. Thereby, the protruding electrode portion 52 of the insulating material layer 55 is formed.
The side surface on which the photoresist 54a is not formed can be formed as the inclined side surface 55b. It should be noted that light does not reach the photocurable resin provided so as to cover the electrode lines 52a in the same manner as above the protruding electrode portions 52a. As shown in FIG. 14E, the insulating material layer 55 is cured in a state having a certain thickness due to wraparound, reflection, and the like, and an insulating material layer 55 is formed in an island shape on each stripe-shaped first electrode layer 53.
【0034】この基板上にITO等の透明電極からなる
第2電極層56を蒸着法、スパッタ法、塗布法などの公
知の方法で形成した後に、フォトレジスト54を除去す
る。このとき、表示画素領域59の第1電極層53のス
トライプ方向と平行な方向においてはフォトレジスト5
4aが形成されていた部分の絶縁性断材料層面55aに
おいて第2電極層56が断線したものとなる。また、突
出電極部52a上のフォトレジスト54aが形成されて
いた側面の反対側側面においては絶縁性材料層55の側
面が傾斜側面55bとされているので、絶縁性材料層5
5の表面に形成された第2電極層56は絶縁材料層55
の傾斜側面55b上にも形成されるものとなり、これに
より突出電極部52a上において第1電極層53と絶縁
性材料層55を覆う第2電極層56が接続されたものと
して形成される。After a second electrode layer 56 made of a transparent electrode such as ITO is formed on the substrate by a known method such as an evaporation method, a sputtering method, or a coating method, the photoresist 54 is removed. At this time, in the direction parallel to the stripe direction of the first electrode layer 53 in the display pixel region 59, the photoresist 5
The second electrode layer 56 is broken at the portion of the insulating cut material layer surface 55a where 4a was formed. In addition, on the side surface of the protruding electrode portion 52a opposite to the side surface on which the photoresist 54a is formed, the side surface of the insulating material layer 55 is an inclined side surface 55b.
The second electrode layer 56 formed on the surface of the insulating material layer 55
Is formed also on the inclined side surface 55b of the first electrode layer 53, thereby forming the first electrode layer 53 and the second electrode layer 56 covering the insulating material layer 55 on the protruding electrode portion 52a.
【0035】ストライプと直交する方向においてはフォ
トレジスト54bがストライプ状の第1電極層53の近
傍を除いて形成されていたので、第1電極層53端面が
絶縁性材料層55にて覆われたものとされ、該端面によ
りストライプ状の第1電極層53および第2電極層56
は隣接する第1電極層53および第2電極層56と確実
に絶縁されたものとなる。この一連の工程により島状の
表示画素領域59を有するEL素子基板51が完成す
る。なお、この一連の工程を実施する順序はこの例に限
られるものではなく、例えば前記フォトレジスト54を
除去する工程を第2電極層56形成工程前に実施した
り、第2電極層56を形成した後に再度フォトリソグラ
フィー法によりパターニングするなどの方法とすること
もできる。In the direction orthogonal to the stripes, the photoresist 54b is formed except for the vicinity of the stripe-shaped first electrode layer 53, so that the end surface of the first electrode layer 53 is covered with the insulating material layer 55. The first electrode layer 53 and the second electrode layer 56 having a stripe shape are formed by the end faces.
Are surely insulated from the adjacent first electrode layer 53 and second electrode layer 56. Through this series of steps, the EL element substrate 51 having the island-shaped display pixel region 59 is completed. The order in which this series of steps is performed is not limited to this example. For example, the step of removing the photoresist 54 may be performed before the step of forming the second electrode layer 56, or the step of forming the second electrode layer 56 may be performed. After that, patterning may be performed again by photolithography.
【0036】次に有機物発光層57および陰極層58を
蒸着法などの先の実施形態と同様の工程によりEL素子
基板51の略全面に順次、積層形成して有機EL素子5
0を作製する。第3電極層となる陰極層58は前述した
実施形態にて説明したように、電子注入性にすぐれた材
料により形成している。Next, an organic light emitting layer 57 and a cathode layer 58 are successively formed on substantially the entire surface of the EL element substrate 51 by the same steps as in the previous embodiment such as a vapor deposition method to form an organic EL element 5.
0 is produced. The cathode layer 58 serving as the third electrode layer is formed of a material having an excellent electron injecting property, as described in the above embodiment.
【0037】図10および図14(g)に示したよう
に、第2電極層56表面および表示画素領域59以外の
部分の表面上に有機物発光層57および陰極層58の層
が積層形成される。このとき各表示画素59の有機物発
光層57および陰極層58は、各表示画素領域59の絶
縁性材料層55のフォトレジスト54aが形成されてい
た側面55aおよびフォトレジスト54bが形成されて
いた側面にて断線し、絶縁性材料層55の傾斜側面55
bにてほぼ接続するものとして第2電極層56表面を覆
うように形成される。絶縁材料層55の厚みを有機物発
光層57と陰極層58の合計厚み以上のものとしている
ので、各表示画素領域59は隣接する他の表示画素59
と別個独立して発光制御できるものとなる。As shown in FIGS. 10 and 14 (g), an organic light emitting layer 57 and a cathode layer 58 are formed on the surface of the second electrode layer 56 and the surface of the portion other than the display pixel region 59. . At this time, the organic light emitting layer 57 and the cathode layer 58 of each display pixel 59 are formed on the side surface 55a of the insulating material layer 55 of each display pixel region 59 where the photoresist 54a is formed and the side surface where the photoresist 54b is formed. And the inclined side surface 55 of the insulating material layer 55
The second electrode layer 56 is formed so as to cover the surface of the second electrode layer 56 so as to be substantially connected at b. Since the thickness of the insulating material layer 55 is equal to or greater than the total thickness of the organic light emitting layer 57 and the cathode layer 58, each display pixel area 59 is adjacent to another display pixel 59.
The light emission can be controlled separately and independently.
【0038】なお、隣接する表示画素領域59の間隙部
分にも有機発光層57及び陰極層58が形成されるが、
ストライプ状とした第1電極層53が絶縁性材料層55
により覆われており、また、その側面もフォトレジスト
54bを形成していたので隣接するストライプ間を覆う
層とはなっていない。特にフォトレジスト54はその側
面を基板側が広く、基板表面側が狭いものとした場合に
は、フォトレジスト54と接触していた絶縁性材料層の
側面は図14に示したような傾斜を有する側面となり、
この段差により確実にパターン化がなされるものとな
る。また、絶縁材料層55の厚みを有機物発光層57と
陰極層58の合計厚み以上のものとしている。従って、
たとえ該間隙に有機発光層57及び陰極層58が形成さ
れても、間隙に積層されたこれらの層を介して隣接する
各表示画素59が電気的に接続されるようなことはな
い。The organic light emitting layer 57 and the cathode layer 58 are also formed in the gap between the adjacent display pixel regions 59.
The striped first electrode layer 53 is formed of an insulating material layer 55.
, And the side surface thereof also forms the photoresist 54b, so that it is not a layer that covers between adjacent stripes. In particular, when the side surface of the photoresist 54 is wide on the substrate side and narrow on the substrate surface side, the side surface of the insulating material layer that has been in contact with the photoresist 54 becomes a side surface having a slope as shown in FIG. ,
Patterning is surely performed by this step. Further, the thickness of the insulating material layer 55 is set to be equal to or larger than the total thickness of the organic light emitting layer 57 and the cathode layer 58. Therefore,
Even if the organic light emitting layer 57 and the cathode layer 58 are formed in the gap, the adjacent display pixels 59 are not electrically connected through these layers stacked in the gap.
【0039】このようにして作製した有機EL素子50
に、外部電極基板60をストライプ状の電極層62が第
1電極層53のストライプと直交するように所定位置に
て対向して重ね合わせることで、ドットマトリクス型の
EL発光素子70が完成する。電極層62は低抵抗金属
材料層により形成され、電極層62のストライプが第1
電極層53のストライプと直交し、かつ、表示画素領域
59表面の陰極層58と接続するようにして配置されて
いる。外部電源からの信号をストライプ状の電極層53
及び電極層62に供給することで、ドットマトリクス型
の有機EL素子70は各表示画素領域59の発光層58
が発光し、その光は透光性のEL素子基板51側から外
部に放射され観視される。The organic EL device 50 manufactured as described above
Then, the external electrode substrate 60 is overlapped at a predetermined position so that the stripe-shaped electrode layer 62 is orthogonal to the stripe of the first electrode layer 53, thereby completing the dot matrix type EL light-emitting element 70. The electrode layer 62 is formed of a low-resistance metal material layer, and the stripe of the electrode layer 62 is a first stripe.
It is arranged so as to be orthogonal to the stripe of the electrode layer 53 and to be connected to the cathode layer 58 on the surface of the display pixel region 59. A signal from an external power supply is applied to a striped electrode layer 53.
And to the electrode layer 62, the dot matrix type organic EL element 70 becomes a light emitting layer 58 of each display pixel region 59.
Is emitted, and the light is emitted from the translucent EL element substrate 51 side to the outside and is viewed.
【0040】外部電極基板60は黒色絶縁膜にて表面に
コーティグ等を施した金属基板、ガラス基板などの黒色
絶縁基板61により形成することが好ましく、より好ま
しくは、その表面を梨地状とするなどして反射防止処理
を施すと良い。基板51側から観視した際に各表示画素
領域59間を黒色に観視するようにして、これによりE
L発光素子70が点灯しない際の表示をできるだけ黒色
のものとして表示コントラストを高めることができる。
また、観視側である基板51表面に形成した補助電極層
52を酸化クロム等の黒色の光吸収層として金属反射を
低減した層とCr、Alなどの低抵抗材料層を積層した
積層電極層とするようにしても良い。このようにした場
合には、各表示画素領域間にいわゆるブラックマスクを
形成したようなものとなり、コントラストの向上及び非
表示時の電極反射による表示品位の低下を改善でき、よ
り一層好ましいものとなる。The external electrode substrate 60 is preferably formed of a black insulating substrate 61 such as a metal substrate or a glass substrate, the surface of which is coated with a black insulating film or the like, and more preferably has a matte surface. Then, it is preferable to perform an anti-reflection treatment. When viewed from the substrate 51 side, the space between the respective display pixel regions 59 is viewed in black, so that E
The display contrast can be increased by setting the display when the L light emitting element 70 is not lit to be as black as possible.
The auxiliary electrode layer 52 formed on the surface of the substrate 51 on the viewing side is a laminated electrode layer in which a layer for reducing metal reflection is laminated as a black light absorbing layer such as chromium oxide and a low resistance material layer such as Cr and Al. You may make it. In this case, it is as if a so-called black mask is formed between the respective display pixel areas, and it is possible to improve the contrast and to reduce the deterioration of the display quality due to the electrode reflection during non-display, which is more preferable. .
【0041】また、先の実施形態においては、透光性の
基板上にITO等の透光性の陽極を形成し、その上に有
機物発光層、陰極層を積層した構成にて説明したが、基
板上に陽極を形成し、その上に有機物発光層、陽極を積
層する構成としても良く、光の取出し方向も有機物発光
層を積層する基板側ではなく、有機物発光層等を積層し
た基板表面の電極層に接続するための電極層を形成した
外部電極基板側から光りを取出すものとしたり、双方の
基板から光りを取出すものとしたりすることもできる。In the above embodiment, a light-transmitting anode such as ITO is formed on a light-transmitting substrate, and an organic light-emitting layer and a cathode layer are stacked thereon. An anode may be formed on the substrate, and the organic light emitting layer and the anode may be laminated on the anode.The direction of light extraction may not be on the substrate side on which the organic light emitting layer is laminated, but on the surface of the substrate on which the organic light emitting layer and the like are laminated. Light may be extracted from the external electrode substrate side on which the electrode layer for connecting to the electrode layer is formed, or light may be extracted from both substrates.
【0042】なお、有機EL素子として陰極/発光層/
正孔注入層/陽極、陰極/電子注入層/発光層/陽極、
陰極/電子注入層/発光層/正孔注入層/陰極、陽極/
発光層/電子注入層/陰極等の構成が開発されており、
その一対の電極間に挟持される有機物発光層としては、
単層もしくは電子注入層/発光層/正孔注入層などの多
層構造などの様々な構成のものが使用できる。本明細書
中において有機物発光層とは陰極と陽極に挟持される上
記した様々な構成のものを総称して表現している。Incidentally, the cathode / light-emitting layer /
Hole injection layer / anode, cathode / electron injection layer / emission layer / anode,
Cathode / electron injection layer / emission layer / hole injection layer / cathode, anode /
The structure of the light emitting layer / electron injection layer / cathode has been developed.
As an organic light emitting layer sandwiched between the pair of electrodes,
Various structures such as a single layer or a multilayer structure such as an electron injection layer / a light emitting layer / a hole injection layer can be used. In the present specification, the organic light emitting layer is a generic term for various structures described above sandwiched between a cathode and an anode.
【0043】なお有機物発光層の材料としては、発光層
としてベンゾチアゾール系、ベンゾオキサザール系蛍光
増白剤、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリリ
ン化合物、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、8
−ヒドトキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、
ポリアリレンビニレンおよびその誘導体等を用いること
ができ、正孔輸送材料としてトリアゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミ
ン誘導体、オキサザール誘導体、ヒドラゾン誘導体、ス
チルベン誘導体、ポリシラン系化合物等が、電子注入材
料としてニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノ
ジメタン誘導体などの電子伝達性化合物材料を用いるこ
とができる。As materials for the organic light emitting layer, benzothiazole-based, benzoxazal-based fluorescent whitening agents, styrylbenzene-based compounds, aromatic dimethylylin compounds, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, 8
A metal complex of hydroxyethoxyquinoline or a derivative thereof,
Polyarylene vinylene and derivatives thereof can be used, and as a hole transporting material, a triazole derivative, an imidazole derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazar derivative, a hydrazone derivative, a stilbene derivative, a polysilane-based compound, or the like can be used as an electron injection material. For example, an electron transfer compound material such as a nitro-substituted fluorenone derivative and an anthraquinodimethane derivative can be used.
【0044】また、本説明中においてはドットマトリク
ス型の有機EL発光素子として、直交するストライプ状
の電極層を備えた単純ドットマトリクス表示装置の例に
て説明したが、本発明のEL素子基板と重ね合わせる外
部電極基板として、TFTやMIMなどの能動素子を設
けたアクティブ基板を用いることで、アクティブマトリ
クス型のEL素子とするなどの様々な変更や改良も可能
である。さらに、EL素子基板と外部電極基板との間に
不活性ガス、不活性液体を封入するようにして、EL素
子が外部雰囲気に直接晒されない構造とすることもで
き、しかも、そのための特別な工程を設けることなく外
部電極基板の電極層と接続する工程と同時に行うことが
できる。特に水分含有量、酸素含有量を低減した窒素ガ
ス、アルゴンガス等の付活性ガス雰囲気下にて両基板を
重ねあわせることが好ましい。Further, in this description, a simple dot matrix display device having orthogonal stripe-shaped electrode layers has been described as an example of a dot matrix type organic EL light emitting device. By using an active substrate provided with an active element such as a TFT or MIM as an external electrode substrate to be superposed, various changes and improvements such as an active matrix EL element can be made. Further, by injecting an inert gas or an inert liquid between the EL element substrate and the external electrode substrate, the EL element can be structured not to be directly exposed to the external atmosphere. Can be performed at the same time as the step of connecting to the electrode layer of the external electrode substrate without providing. In particular, it is preferable to stack both substrates under an activated gas atmosphere such as a nitrogen gas or an argon gas in which the water content and the oxygen content are reduced.
【0045】[0045]
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例によりさらに
詳しく説明する。 (実施例1)図1から図5を参照して説明する。洗浄し
たガラス基板21を準備し、その基板上に透光性樹脂を
スピンナーにより塗付し、厚さ0.4ミクロンの第1絶
縁性材料層22を形成した。その上にシート抵抗約60
Ω/cm2のITO透明電極膜を全面にスパッタリング
法により形成した。次いでフォトレジストをその上に被
覆し、ストライプ状の開口を有するフォトマスクを介し
て露光し、CCl4等のガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング法にて0.2ミクロンのITO層および透
光性樹脂層をエッチングして、ストライプ状の透明電極
層23および第1絶縁性材料層22を形成し、残ったレ
ジストを除去した。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. (Embodiment 1) A description will be given with reference to FIGS. A washed glass substrate 21 was prepared, and a light-transmitting resin was applied on the substrate by a spinner to form a first insulating material layer 22 having a thickness of 0.4 μm. A sheet resistance of about 60
An ITO transparent electrode film of Ω / cm 2 was formed on the entire surface by a sputtering method. Next, a photoresist is coated thereon, exposed through a photomask having a stripe-shaped opening, and a 0.2-micron ITO layer and a transparent resin are formed by a reactive ion etching method using a gas such as CCl 4. The layer was etched to form a striped transparent electrode layer 23 and a first insulating material layer 22, and the remaining resist was removed.
【0046】続いてUV硬化樹脂を該基板全面に塗付
し、露光、現像して透明電極層23上の所定位置に厚さ
0.3ミクロンの第2絶縁性材料層24を形成して図3
に示したような基板を得る第1工程を実施した。この基
板を洗浄した後、ホール輸送層としてTPD(トリフェ
ニルアミン誘導体)0.05ミクロン及び発光層として
AlQ3(オキシンのアルミニウム錯体)0.05ミク
ロンを連続して蒸着して有機物発光層25を該基板全面
に形成した。引き続いて、マグネシウムと銀とを体積比
で20:1の割合で共蒸着して0.1ミクロンの陰極層
26を設ける第2工程を実施して図1及び図4に示した
ようなEL素子20を得た。Subsequently, a UV curable resin is applied to the entire surface of the substrate, exposed and developed to form a second insulating material layer 24 having a thickness of 0.3 μm at a predetermined position on the transparent electrode layer 23. 3
A first step of obtaining a substrate as shown in FIG. After washing the substrate, 0.05 micron of TPD (triphenylamine derivative) as a hole transport layer and 0.05 micron of AlQ3 (aluminum complex of oxine) as a light emitting layer are continuously deposited to form an organic light emitting layer 25. It was formed on the entire surface of the substrate. Subsequently, a second step of providing a cathode layer 26 of 0.1 μm by co-evaporating magnesium and silver at a volume ratio of 20: 1 to perform an EL element as shown in FIGS. 1 and 4 20 was obtained.
【0047】また、ガラス基板31上にも公知のフォト
リソグラフィ法を用いて、0.4ミクロンの絶縁性材料
層32及び0.2ミクロンのMg−Agからなる陰極接
続用電極33をストライプ状に形成して図5に示したよ
うな外部電極基板30を形成した。なお、第1絶縁性材
料層22および第2絶縁性材料層24は夫々0.4ミク
ロン、0.3ミクロンであり、有機物発光層25と陰極
層26の合計厚み=0.05+0.05+0.1=0.
2ミクロンよりも厚くして形成している。Also, a 0.4 μm insulating material layer 32 and a 0.2 μm Mg—Ag cathode connection electrode 33 are formed on the glass substrate 31 in a stripe shape by a known photolithography method. The external electrode substrate 30 as shown in FIG. 5 was formed. The first insulating material layer 22 and the second insulating material layer 24 are 0.4 μm and 0.3 μm, respectively, and the total thickness of the organic light emitting layer 25 and the cathode layer 26 = 0.05 + 0.05 + 0.1 = 0.
It is formed thicker than 2 microns.
【0048】その後、窒素雰囲気下にて、外部電極基板
30のストライプ状の陰極接続用電極33と表示画素2
7の陰極層26が圧接するようにして両基板を重ね合わ
せ、表示画素27を形成していない基板周辺部をエポキ
シ接着剤80にて封止した。その際、エポキシ接着剤8
0中には直径約0.7ミクロンのプラスチック、ガラス
等からなる球状または棒状の厚み制御部材81を混入さ
せたものを用いているので、両基板がこれらの部材に当
接することで、一定の荷重以上の力がEL素子に加わら
ないようにした状態を保って両基板を接着固定してい
る。Thereafter, in a nitrogen atmosphere, the stripe-shaped cathode connection electrode 33 of the external electrode substrate 30 and the display pixel 2
The two substrates were overlapped so that the cathode layer 26 of No. 7 was in pressure contact, and the periphery of the substrate where the display pixels 27 were not formed was sealed with an epoxy adhesive 80. At that time, epoxy adhesive 8
In FIG. 0, a ball or rod-shaped thickness control member 81 made of plastic, glass, or the like having a diameter of about 0.7 micron is used. The two substrates are bonded and fixed while maintaining a state in which a force greater than the load is not applied to the EL element.
【0049】(実施例2)図6から図9を参照して説明
する。厚さ0.2ミクロンのITOからなる透明電極膜
が設けられたガラス基板41を用意し、各ストライプの
幅が0.3mm、ストライプ間の間隔が0.03mmと
なるようにフォトリソグラフィー法によりストライプ状
にパターン形成して1層目の第1透明電極層42を形成
した。この基板上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ法により後に表示画素49とならない領域に
フォトレジスト48a形成した。この基板全面にSiO
2膜43をスパッタ法にて0.5ミクロン形成した。(Embodiment 2) A description will be given with reference to FIGS. A glass substrate 41 provided with a transparent electrode film made of ITO having a thickness of 0.2 μm is prepared, and stripes are formed by photolithography so that the width of each stripe is 0.3 mm and the interval between stripes is 0.03 mm. The first transparent electrode layer 42 of the first layer was formed by patterning. A photoresist was applied on this substrate, and a photoresist 48a was formed in a region not to become a display pixel 49 later by a photolithography method. The entire surface of this substrate is SiO
The second film 43 was formed to a thickness of 0.5 μm by a sputtering method.
【0050】次にフォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィ法により表示画素49内に直径が20ミクロン
の円状の開口部を有するフォトレジスト膜48bを形成
し、露出しているSiO2膜をフッ酸にてエッチング除
去した。これにより表示画素49内にコンタクトホール
44が形成された。また、表示画素49以外の領域に形
成されていたSiO2膜43も同時に除去され、図7の
ような断面を有する基板が形成された。フォトレジスト
48a、48bを除去した後、2層目のITO第2電極
層45を蒸着法により0.15ミクロン形成して一連の
第1工程を実施し、パターニングされた一部2層構造の
パターニングされた電極層を有するEL素子基板41を
得た。Next, a photoresist is applied, and a photoresist film 48b having a circular opening having a diameter of 20 μm is formed in the display pixel 49 by a photolithography method, and the exposed SiO 2 film is hydrofluoric acid. And removed by etching. As a result, the contact hole 44 was formed in the display pixel 49. Further, the SiO2 film 43 formed in the region other than the display pixel 49 was also removed at the same time, and a substrate having a cross section as shown in FIG. 7 was formed. After removing the photoresists 48a and 48b, a second ITO second electrode layer 45 is formed to a thickness of 0.15 μm by vapor deposition, and a series of first steps are performed. An EL element substrate 41 having the electrode layer thus obtained was obtained.
【0051】続いて、該基板を洗浄して熱処理を施して
ITO層45の低抵抗化を図った後に、ホール輸送層と
してTPD0.05ミクロン及び発光層としてAlQ3
0.05ミクロンを連続して蒸着して有機物発光層46
を該基板全面に形成した。引き続いて、マグネシウムと
銀とを体積比で20:1の割合で共蒸着して陰極層47
をモニター値で0.1ミクロンの厚みにて形成する第2
工程を実施して、EL素子40を作製した。なお、絶縁
性材料層であるSiO2膜は0.5ミクロンであり、有
機物発光層46と陰極層47の合計厚み0.2ミクロン
よりも厚く形成している。Subsequently, the substrate was washed and subjected to a heat treatment to reduce the resistance of the ITO layer 45. Thereafter, TPD 0.05 μm was used as a hole transport layer and AlQ 3 was used as a light emitting layer.
The organic light emitting layer 46 is formed by continuously depositing 0.05 μm.
Was formed on the entire surface of the substrate. Subsequently, magnesium and silver were co-deposited at a volume ratio of 20: 1 to form a cathode layer 47.
Is formed with a thickness of 0.1 micron as a monitor value.
By performing the steps, the EL element 40 was manufactured. The SiO2 film as the insulating material layer has a thickness of 0.5 micron, and is formed to be thicker than the total thickness of the organic light emitting layer 46 and the cathode layer 47 of 0.2 micron.
【0052】金属板の表面を黒色絶縁塗料にて被覆した
基板31を用意し、その基板上に表示画素49と同じピ
ッチのストライプ状のMg−Ag金属層を形成し、その
上に銀ペーストを塗布し、その金属層のストライプと1
層目のITO電極42のストライプ方向とが直交するよ
うに配設して、Mg−Ag金属層上の銀ペーストと表示
画素49の陰極層47とを接続した。また、基板周囲の
表示部以外の領域に所定の径の厚み制御部材を有するシ
ール用のエポキシ接着剤をディスペンサーにより塗付
し、窒素雰囲気中で基板31と基板21とをEL素子が
密封するようにして接着固定して、封止したドットマト
リクス型のEL発光素子を得た。A substrate 31 in which the surface of a metal plate is coated with a black insulating paint is prepared, a striped Mg-Ag metal layer having the same pitch as the display pixels 49 is formed on the substrate, and a silver paste is applied thereon. Apply the metal layer stripe and 1
The silver paste on the Mg-Ag metal layer and the cathode layer 47 of the display pixel 49 were connected so that the stripe direction of the ITO electrode 42 of the layer was orthogonal to the stripe direction. An epoxy adhesive for sealing having a thickness control member of a predetermined diameter is applied to a region other than the display portion around the substrate by a dispenser so that the EL element seals the substrate 31 and the substrate 21 in a nitrogen atmosphere. To obtain a sealed dot matrix type EL light emitting device.
【0053】(実施例3)図14に示した工程により図
10に示すドットマトリクス型のEL発光素子70を作
製した。ガラス基板の上に酸化クロム、クロム、Alを
順次スパッタ法により積層し、それをフォトリソグラフ
ィ法によりパターン化して厚さ0.08ミクロンの補助
電極層52を形成した。その上にスパッタ法によりIT
O透明電極からなる第1電極層53を0.2ミクロン形
成し、各ストライプ幅が0.3mm、ストライプ間隔が
0.03mmとなるようにフォトリソグラフィ法により
ストライプ状にパターン化した。次にフォトレジストを
塗布し、塗布後に実施するレジストの仮焼成温度を高く
して基板との密着性を高めた後、フォトリソグラフィー
法により図13に示したように突出電極部52bの一方
の側面をまたぐ位置及びストライプ状の第1電極層53
間の位置にフォトレジスト54を形成した。Example 3 A dot matrix type EL device 70 shown in FIG. 10 was manufactured by the steps shown in FIG. Chromium oxide, chromium, and Al were sequentially laminated on a glass substrate by a sputtering method, and were patterned by a photolithography method to form an auxiliary electrode layer 52 having a thickness of 0.08 μm. On top of that, the IT
A first electrode layer 53 composed of an O transparent electrode was formed in a thickness of 0.2 μm, and was patterned into a stripe shape by a photolithography method so that each stripe width was 0.3 mm and a stripe interval was 0.03 mm. Next, a photoresist is applied, and the pre-baking temperature of the resist to be applied after the application is increased to improve the adhesiveness to the substrate. Then, as shown in FIG. And the stripe-shaped first electrode layer 53
A photoresist 54 was formed at a position between them.
【0054】次にフォトレジスト54を形成した基板表
面に紫外線硬化樹脂をスピンナーにより塗布し、紫外線
硬化樹脂を形成した面と反対側のガラス基板面側からフ
ォトマスクを用いることなく全面に紫外線光を照射し
た。紫外線光を照射する際に、ガラス基板51を透過す
る紫外線光が、補助電極52の突出電極部52b上のフ
ォトレジスト54aを形成した側面側からフォトレジス
ト54aを形成していない側面側に向かって進行するよ
うに斜め方向から照射した。これにより基板表面側の裾
野が広がった傾斜面55bを有する紫外線硬化樹脂層5
5を0.8ミクロンの厚さに形成することができた。続
いてマスク等を用いることなく表示領域の全面に2層目
のITO膜をスパッタ法により0.3ミクロン形成し、
フォトレジスト54を除去して第2電極層56を形成し
てストライプ状にパターニングしたEL素子基板51を
得た。Next, an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the substrate on which the photoresist 54 is formed by a spinner, and ultraviolet light is applied to the entire surface of the glass substrate from the side opposite to the surface on which the ultraviolet curable resin is formed without using a photomask. Irradiated. When irradiating the ultraviolet light, the ultraviolet light transmitted through the glass substrate 51 is directed from the side of the auxiliary electrode 52 where the photoresist 54a is formed on the protruding electrode portion 52b to the side of the side where the photoresist 54a is not formed. Irradiation was performed from an oblique direction so as to proceed. Thereby, the ultraviolet curable resin layer 5 having the inclined surface 55b having a widened foot on the substrate surface side
5 could be formed to a thickness of 0.8 microns. Subsequently, a second-layer ITO film is formed to a thickness of 0.3 μm on the entire display region without using a mask or the like by a sputtering method.
The photoresist 54 was removed, a second electrode layer 56 was formed, and an EL element substrate 51 patterned in a stripe shape was obtained.
【0055】次に前記EL素子基板を洗浄し、熱処理を
施した。この基板に表示領域の略全面にホール輸送層と
してTPD0.05ミクロン及び発光層としてAlQ3
0.05ミクロンを連続して蒸着して有機物発光層57
を該基板全面に形成した。引き続いて、マグネシウムと
銀とを体積比で20:1の割合で共蒸着して陰極層58
をモニター値で0.1ミクロンの厚みにて形成する第2
工程を実施して、EL素子50を作製した。なお、絶縁
性材料層である紫外線硬化樹脂層55は0.8ミクロン
であり、有機物発光層46と陰極層47の合計厚み0.
2ミクロンよりも厚く形成している。こうして有機EL
素子50を得た。Next, the EL element substrate was washed and heat-treated. On this substrate, TPD 0.05 micron as a hole transport layer and AlQ 3
The organic light emitting layer 57 is formed by continuously depositing 0.05 μm.
Was formed on the entire surface of the substrate. Subsequently, magnesium and silver were co-deposited at a volume ratio of 20: 1 to form a cathode layer 58.
Is formed with a thickness of 0.1 micron as a monitor value.
By performing the steps, the EL element 50 was manufactured. The ultraviolet curable resin layer 55, which is an insulating material layer, has a thickness of 0.8 μm, and the total thickness of the organic light emitting layer 46 and the cathode layer 47 is 0.1 μm.
It is formed thicker than 2 microns. Thus organic EL
Element 50 was obtained.
【0056】金属板の表面を黒色絶縁塗料にて被覆した
基板61を用意し、その基板上に表示画素59と同じピ
ッチのストライプ状のAl金属層を形成し、その上に銀
ペーストを塗布し、その金属層のストライプと1層目の
ITO第1電極層53のストライプ方向とが直交するよ
うに配設して、Al金属層上の銀ペーストと表示画素5
9の陰極層58とを接続した。また、基板周囲の表示部
以外の領域には、所定の径とした厚み制御部材を有する
シール用のエポキシ接着剤をスクリーン印刷法により塗
付形成し、前記した実施例と同様に外部電極基板60と
EL素子50の基板51とを密封するように接着固定し
て、両基板間隔を所定の均一厚みとして封止したドット
マトリクス型のEL発光素子70を得た。A substrate 61 in which the surface of a metal plate is covered with a black insulating paint is prepared, a stripe-shaped Al metal layer having the same pitch as the display pixels 59 is formed on the substrate, and a silver paste is applied thereon. The stripe of the metal layer and the stripe direction of the first ITO electrode layer 53 of the first layer are arranged so as to be orthogonal to each other.
Nine cathode layers 58 were connected. In a region other than the display portion around the substrate, a sealing epoxy adhesive having a thickness control member having a predetermined diameter is applied by screen printing to form an external electrode substrate 60 in the same manner as in the above-described embodiment. And a substrate 51 of the EL element 50 were adhered and fixed in a sealed manner to obtain a dot matrix type EL light emitting element 70 in which the distance between both substrates was sealed to a predetermined uniform thickness.
【0057】実施例1、2、3にて作製した各EL素子
20、40、50のストライプ状のITO電極層22、
42、53を陽極として、各EL素子の複数の表示画素
27、49、59の陰極層26、48、58にプローブ
針を接触させて、6Vで直流電流を流すと各表示画素毎
に発光が観察された。この際に隣接する表示画素が発光
することはなかった。また、各EL素子20、40、5
0の表示画素27、49、59の陰極層26、48、5
8と外部電極基板30、30、60のストライプ状の陰
極接続用電極33、33、62を夫々接続して形成した
ドットマトリクス型のEL発光素子に、ITO電極を陽
極とし、外部電極基板の陰極接続用電極を陰極として、
ストライプ毎に6Vで直流を流すと、選択したストライ
プに対応する各表示画素27、49、59毎に発光が観
察され、選択しない表示画素は発光しなかった。また、
発光面は均一で、いずれの実施例においても良好なパタ
ーン精度の均一発光が得られた。The stripe-shaped ITO electrode layer 22 of each of the EL elements 20, 40 and 50 produced in Examples 1, 2, and 3
When the probe needle is brought into contact with the cathode layers 26, 48, and 58 of the plurality of display pixels 27, 49, and 59 of each EL element using the anodes 42 and 53 as anodes, and a DC current is applied at 6 V, light is emitted for each display pixel. Was observed. At this time, the adjacent display pixels did not emit light. In addition, each EL element 20, 40, 5
0 display pixels 27, 49, 59 cathode layers 26, 48, 5
A matrix-type EL light-emitting element formed by connecting the stripe-shaped cathode connection electrodes 33, 33, and 62 of the external electrode substrate 30, and the external electrode substrates 30, 30, 60, respectively, to the cathode of the external electrode substrate with an ITO electrode as an anode. Using the connection electrode as the cathode,
When a direct current of 6 V was applied to each stripe, light emission was observed for each of the display pixels 27, 49, and 59 corresponding to the selected stripe, and non-selected display pixels did not emit light. Also,
The light emitting surface was uniform, and uniform light emission with good pattern accuracy was obtained in each of the examples.
【0058】[0058]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のEL素子
は、有機物発光層を形成する前の第1工程で形成してお
いたEL素子基板の絶縁性材料層等の側面段差を利用し
てパターン化することができる。これにより有機物発光
層および有機物発光層を形成した後に、エッチング加工
を施したり、蒸着マスクを介して表示画素をパターン形
成したりするなどの微細化を阻害する工程を用いる必要
がなくなる。また、有機物発光層とその上に形成する電
極層を単に連続して蒸着するなどの工程で形成できるの
で、非常に簡単であると共に、両者の界面が汚染される
ことがなく、ゴミ等の付着による不良も低減することが
できる。特に第1工程で形成したEL素子基板には有機
物発光層等が形成されていないので、該基板を念入りに
洗浄することができ、その洗浄直後の基板に有機物発光
層および電極層を連続して形成しているので、ゴミによ
る不良が著しく低減した。これにより有機EL素子にお
いて問題となっていたダークスポットの発生も減少し
た。As described above, the EL device of the present invention utilizes the side surface step of the insulating material layer of the EL device substrate formed in the first step before the formation of the organic light emitting layer. Can be patterned. This eliminates the need to use a step of inhibiting the miniaturization, such as performing an etching process or forming a pattern on a display pixel via an evaporation mask after forming the organic light emitting layer and the organic light emitting layer. In addition, since the organic light emitting layer and the electrode layer formed thereon can be formed by a process such as simple continuous vapor deposition, the process is very simple, and the interface between the two is not contaminated, and there is no adhesion of dust or the like. Can be reduced. In particular, since the organic light emitting layer and the like are not formed on the EL element substrate formed in the first step, the substrate can be carefully washed, and the organic light emitting layer and the electrode layer are continuously formed on the substrate immediately after the cleaning. Due to the formation, defects due to dust are significantly reduced. As a result, the occurrence of dark spots, which was a problem in the organic EL device, was also reduced.
【0059】また、本発明のEL素子は各表示画素毎に
表面に独立した電極層を有するものとなるので、この電
極層と他に準備した電極とを接続することで簡単にドッ
トマトリクス表示を得ることができる。また、本発明の
EL素子の製造方法によれば、有機物発光層を形成する
前の基板段階の工程でパターン化を実施するものである
から、公知のフォトリソグラフィ法などを用いて微細な
パターンを精度よく作成できる。Further, since the EL element of the present invention has an independent electrode layer on the surface for each display pixel, dot matrix display can be easily performed by connecting this electrode layer to other prepared electrodes. Obtainable. According to the method for manufacturing an EL device of the present invention, since patterning is performed in a step of a substrate stage before forming an organic light emitting layer, a fine pattern is formed by using a known photolithography method or the like. Can be created with high accuracy.
【図1】 本発明の電界発光素子および外部電極基板の
概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of an electroluminescent device and an external electrode substrate of the present invention.
【図2】 図1の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the electroluminescent device of FIG.
【図3】 図1の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the electroluminescent device of FIG.
【図4】 図1の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing the electroluminescent device of FIG.
【図5】 図1のドットマトリクス型の電界発光素子を
説明する概略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view illustrating the dot matrix type electroluminescent device of FIG.
【図6】 本発明の他の電界発光素子を説明する概略斜
視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating another electroluminescent device of the present invention.
【図7】 図6の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing the electroluminescent device of FIG.
【図8】 図6の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a step of manufacturing the electroluminescent device of FIG.
【図9】 図6の電界発光素子の製造工程を説明する断
面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a step of manufacturing the electroluminescent device of FIG.
【図10】 本発明の更に他の電界発光素子を説明する
概略斜視図である。FIG. 10 is a schematic perspective view illustrating still another electroluminescent device of the present invention.
【図11】 図10の電界発光素子の製造工程を説明す
る要部の平面図である。11 is a plan view of a main part for describing a manufacturing process of the electroluminescent device of FIG.
【図12】 図10の電界発光素子の製造工程を説明す
る要部の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a main part for explaining a manufacturing process of the electroluminescent device of FIG. 10;
【図13】 図10の電界発光素子の製造工程を説明す
る要部を拡大して示す平面図である。FIG. 13 is an enlarged plan view showing a main part for explaining a manufacturing process of the electroluminescent device of FIG. 10;
【図14】 図10の電界発光素子の製造工程を説明す
る概略断面図である。FIG. 14 is a schematic sectional view illustrating a manufacturing process of the electroluminescent device of FIG. 10;
【図15】 従来の有機EL発光素子の概略断面図であ
る。FIG. 15 is a schematic sectional view of a conventional organic EL light emitting device.
1 基板 2 透明電極 3 有機物発光層 4 金属電極 20,40,50 EL発光素子 21,31,51 EL素子基板 22 第1絶縁性材料層 23,42,53 第1電極層 24 第2絶縁性材料層 25,46,57 有機物発光層 26,47,58 陰極層 27,49,59 表示画素 30 外部基板 33 陰極接続用電極 43,55 絶縁性材料層 70,71 ドットマトリクスEL素子 80 エポキシ接着剤 81 厚み制御部材 Reference Signs List 1 substrate 2 transparent electrode 3 organic light emitting layer 4 metal electrode 20, 40, 50 EL light emitting element 21, 31, 51 EL element substrate 22 first insulating material layer 23, 42, 53 first electrode layer 24 second insulating material Layers 25, 46, 57 Organic light emitting layers 26, 47, 58 Cathode layer 27, 49, 59 Display pixel 30 External substrate 33 Cathode connection electrode 43, 55 Insulating material layer 70, 71 Dot matrix EL element 80 Epoxy adhesive 81 Thickness control member
Claims (10)
に挟まれた有機物発光層を有する電界発光素子におい
て、 前記基板上には、有機物発光層と第2電極層との合計厚
み以上の厚さを有する第1絶縁性材料層と、該絶縁性材
料層上に形成された第1電極層とを有し、両層は所定パ
ターンに形成され、 前記第1電極層上の表示画素となる領域以外の箇所に
は、有機物発光層と第2電極層との合計厚み以上の厚さ
を有する第2絶縁性材料層が形成され、 前記第1電極層上の表示画素となる領域には、有機物発
光層および第1電極層と仕事関数の異なる第2電極層が
順に積層されている、ことを特徴とする電界発光素子。1. An electroluminescent device having an organic light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes having different work functions on a substrate, wherein the substrate has a total thickness of not less than the total thickness of the organic light emitting layer and the second electrode layer. A first insulating material layer having a thickness, and a first electrode layer formed on the insulating material layer, both layers being formed in a predetermined pattern, and a display pixel on the first electrode layer; A second insulating material layer having a thickness equal to or greater than the total thickness of the organic light emitting layer and the second electrode layer is formed in a region other than the region to be formed. And an organic light emitting layer and a second electrode layer having a different work function from the first electrode layer are sequentially stacked.
に挟まれた有機物発光層を有する電界発光素子におい
て、 前記基板上には、所定パターンとした第1電極層が形成
され、 該第1電極層の上の表示画素となる領域には、有機物発
光層と第3電極層との合計厚み以上の厚さを有する絶縁
材料層が形成されており、少なくとも前記絶縁性材料層
表面及び絶縁性材料層の側面もしくは絶縁性材料層に必
要に応じ設けた貫通孔内面には、第2電極層が形成され
て、第1電極層と第2電極層が絶縁性材料層を挟むよう
にして電気的に接続されており、 前記絶縁性材料層の上に形成した第2電極層上には有機
物発光層および第2電極層と仕事関数の異なる第3電極
層が順に積層されている、ことを特徴とする電界発光素
子。2. An electroluminescent device having an organic light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes having different work functions on a substrate, wherein a first electrode layer having a predetermined pattern is formed on the substrate. An insulating material layer having a thickness equal to or greater than the total thickness of the organic light emitting layer and the third electrode layer is formed in a region to be a display pixel on the one electrode layer. A second electrode layer is formed on the side surface of the insulating material layer or on the inner surface of the through-hole provided as necessary in the insulating material layer, and the first electrode layer and the second electrode layer are electrically connected to each other so as to sandwich the insulating material layer. And an organic light emitting layer and a third electrode layer having a work function different from that of the second electrode layer are sequentially stacked on the second electrode layer formed on the insulating material layer. Electroluminescent element.
発光素子を形成した基板と、所定のパターンに形成した
電極を有する外部電極基板とを対向配設し、 前記電界発光素子を形成した基板の表示画素となる領域
表面の電極層と前記外部電極基板の電極とが電気的に接
続するように相対向させて電界発光素子基板と外部電極
基板とを接着したこと、を特徴とする電界発光素子。3. The electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein a substrate on which the electroluminescent device is formed and an external electrode substrate having electrodes formed in a predetermined pattern are disposed to face each other, thereby forming the electroluminescent device. An electroluminescent element substrate and an external electrode substrate are bonded to each other so that an electrode layer on a surface of a region to be a display pixel of the substrate and an electrode of the external electrode substrate are electrically connected to each other and bonded to each other. Light emitting element.
れている電極層が陰極であること、を特徴とする請求項
1から請求項3のいずれか記載の電界発光素子。4. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the electrode layer formed on the surface of the region serving as the display pixel is a cathode.
って、電界発光素子基板と外部電極基板とを、所定の径
の厚み制御部材を混入した接着剤により接着したこと、
を特徴とする電界発光素子。5. The electroluminescent device according to claim 3, wherein the electroluminescent device substrate and the external electrode substrate are bonded with an adhesive mixed with a thickness control member having a predetermined diameter.
An electroluminescent device characterized by the above-mentioned.
発光素子であって、 前記電界発光素子基板に形成した電極層および外部電極
基板に形成した電極層がストライプ状のパターンに形成
され、且つ両基板に形成したストライプ状の電極層パタ
ーンが直交するように対向して配設されていること、を
特徴とするドットマトリクス電界発光素子。6. The electroluminescent device according to claim 3, wherein an electrode layer formed on the electroluminescent device substrate and an electrode layer formed on an external electrode substrate are formed in a stripe pattern. And a stripe-shaped electrode layer pattern formed on both substrates is disposed to face each other so as to be orthogonal to each other.
の記載の電界発光素子であって、外部電極基板に形成さ
れた電極層が低抵抗金属材料により形成され、 前記電界発光素子を形成した基板の表示画素となる領域
表面の電極層が電子注入性電極により形成されているこ
と、を特徴とする電界発光素子。7. The method according to claim 3, 5 or 6.
The electrode layer formed on an external electrode substrate is formed of a low-resistance metal material, and the electrode layer on the surface of the substrate on which the electroluminescent element is formed as a display pixel has an electron injecting property. An electroluminescent device, comprising an electrode.
の厚さとした第1絶縁性材料層と第1電極層を形成する
工程と、 前記第1電極層上の表示画素となる領域以外の箇所に、
有機物発光層と第2電極層との合計厚み以上の厚さを有
する第2絶縁性材料層を形成する工程と、 前記第1絶縁性材料層、第1電極層および第2絶縁性材
料層を所定のパターンに形成する工程とを有する第1工
程と、 第1工程で所定のパターンを形成した基板表面の略全面
に有機物発光層および第2電極層を順に積層する第2工
程を有すること、を特徴とする電界発光素子の製造方
法。8. A step of preparing an insulative substrate, and forming a first insulative material layer and a first electrode layer having a thickness equal to or greater than the total thickness of the organic light emitting layer and the second electrode layer on the substrate. And a step other than a region to be a display pixel on the first electrode layer,
Forming a second insulating material layer having a thickness equal to or greater than the total thickness of the organic light emitting layer and the second electrode layer; and forming the first insulating material layer, the first electrode layer, and the second insulating material layer. A first step having a step of forming a predetermined pattern, and a second step of sequentially laminating an organic light emitting layer and a second electrode layer over substantially the entire surface of the substrate on which the predetermined pattern has been formed in the first step; A method for manufacturing an electroluminescent device, comprising:
層と第3電極層との合計厚み以上の厚さを有する絶縁性
材料層を形成する工程と、 前記第1電極層および絶縁性材料層を所定のパターンに
形成する工程と、少なくとも前記絶縁性材料層表面及び
絶縁性材料層の側面もしくは絶縁性材料層に必要に応じ
設けた貫通孔内面に第2電極層を形成して、第1電極層
と第2電極層が絶縁性材料層を挟むようにして電気的に
接続する工程とを有する第1工程と、 第1工程で所定のパターンを形成した基板表面の略全面
に有機物発光層および第2電極層を順に積層する第2工
程を有すること、を特徴とする電界発光素子の製造方
法。9. A step of preparing an insulating substrate; a step of forming a first electrode layer on the substrate; and an organic light emitting layer and a third electrode in a region on the first electrode layer which is to be a display pixel. Forming an insulating material layer having a thickness equal to or greater than the total thickness of the first electrode layer and the insulating material layer in a predetermined pattern; The second electrode layer is formed on the side surface of the insulating material layer or on the inner surface of the through hole provided as necessary in the insulating material layer, and the first electrode layer and the second electrode layer are electrically connected so that the insulating material layer is interposed therebetween. And a second step of sequentially laminating an organic light emitting layer and a second electrode layer over substantially the entire surface of the substrate on which the predetermined pattern has been formed in the first step. A method for manufacturing a light-emitting element.
界発光素子を形成した基板を準備する工程と、所定のパ
ターンに形成した電極を有する外部電極基板を準備する
工程と、 前記電界発光素子を形成した基板の表示画素となる領域
表面の電極層と前記外部電極基板の電極とが電気的に接
続するように相対向させる工程と、 両基板を接着する工程を有すること、を特徴とする電界
発光素子の製造方法。10. A step of preparing a substrate on which the electroluminescent device according to claim 1 or 2 is formed; a step of preparing an external electrode substrate having electrodes formed in a predetermined pattern; Forming an electrode layer on the surface of a region serving as a display pixel of the substrate on which the electrodes are formed and electrodes of the external electrode substrate so as to be electrically connected to each other, and bonding the two substrates. A method for manufacturing an electroluminescent device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10153948A JPH11329743A (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Electroluminescent device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10153948A JPH11329743A (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Electroluminescent device and method of manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11329743A true JPH11329743A (en) | 1999-11-30 |
Family
ID=15573583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10153948A Pending JPH11329743A (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Electroluminescent device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11329743A (en) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000048257A (en) * | 1998-12-21 | 2000-07-25 | 로버트 디. 크루그 | Methods of making a full-color organic light-emitting display |
JP2001035663A (en) * | 1999-07-27 | 2001-02-09 | Pioneer Electronic Corp | Organic electroluminescence element display device and its manufacture |
JP2001267088A (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Agilent Technol Inc | OLED display device |
JP2002352963A (en) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Sony Corp | Display device |
WO2003022012A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting element, and display unit and illuminating device using the light emitting element |
JP2003217865A (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | Illumination device, method of manufacturing illumination device, and display device using illumination device |
JP2004134356A (en) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | Electroluminescence display device |
JP2004200167A (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof |
WO2005098802A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
JP2006048946A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic functional device, organic EL device, organic semiconductor device, organic TFT device, and manufacturing method thereof |
JP2006127916A (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic electroluminescent device sealing member and organic electroluminescent device |
JP2007087931A (en) * | 2005-08-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | Electroluminescence device and manufacturing method thereof |
US7663306B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device, method for producing the same, and elecronic apparatus |
US7755279B2 (en) | 2002-02-22 | 2010-07-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and fabricating method thereof |
JP4608105B2 (en) * | 1999-04-02 | 2011-01-05 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof |
WO2013094375A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 昭和電工株式会社 | Method for manufacturing organic light emitting element |
KR101308750B1 (en) * | 2006-12-26 | 2013-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | Fabricating methode of electroluminescent device |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP10153948A patent/JPH11329743A/en active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000048257A (en) * | 1998-12-21 | 2000-07-25 | 로버트 디. 크루그 | Methods of making a full-color organic light-emitting display |
JP2011060785A (en) * | 1999-04-02 | 2011-03-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent display device and method for producing the same |
JP4608105B2 (en) * | 1999-04-02 | 2011-01-05 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof |
JP2001035663A (en) * | 1999-07-27 | 2001-02-09 | Pioneer Electronic Corp | Organic electroluminescence element display device and its manufacture |
JP2001267088A (en) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Agilent Technol Inc | OLED display device |
JP2002352963A (en) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Sony Corp | Display device |
WO2003022012A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting element, and display unit and illuminating device using the light emitting element |
JP2003217865A (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | Illumination device, method of manufacturing illumination device, and display device using illumination device |
US7755279B2 (en) | 2002-02-22 | 2010-07-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and fabricating method thereof |
JP2004134356A (en) * | 2002-05-24 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | Electroluminescence display device |
JP2004200167A (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof |
US7550914B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
WO2005098802A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
JP2006048946A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic functional device, organic EL device, organic semiconductor device, organic TFT device, and manufacturing method thereof |
US7750553B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-07-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic EL element provided with an electrode in a liquid state and method for producing the same |
JP2006127916A (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic electroluminescent device sealing member and organic electroluminescent device |
US7663306B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device, method for producing the same, and elecronic apparatus |
JP2007087931A (en) * | 2005-08-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | Electroluminescence device and manufacturing method thereof |
KR101308750B1 (en) * | 2006-12-26 | 2013-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | Fabricating methode of electroluminescent device |
WO2013094375A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 昭和電工株式会社 | Method for manufacturing organic light emitting element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10249841B2 (en) | Display apparatus | |
JP4385563B2 (en) | ORGANIC EL ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE | |
JP3999837B2 (en) | Organic electroluminescence display device | |
KR100697754B1 (en) | Optical element and manufacturing method thereof | |
JP4144687B2 (en) | Manufacturing method of organic EL device | |
KR100805141B1 (en) | Organic EL Device Manufacturing Method and Organic EL Device | |
JP3948082B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element | |
JP5490745B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JPH11329743A (en) | Electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
KR20050000315A (en) | Method for manufacturing of display unit | |
US6781293B2 (en) | Organic EL device with high contrast ratio and method for manufacturing the same | |
CN111240078A (en) | Substrate for display, preparation method thereof and display device | |
GB2348050A (en) | Organic light emitting display | |
TW201314989A (en) | Organic light-emitting device and method of manufacturing same | |
WO2005106573A1 (en) | Liquid crystal display and process for fabricating the same | |
JP2005183209A (en) | Organic EL display device and manufacturing method thereof | |
CN117241622B (en) | A display panel and a manufacturing method thereof | |
JP2005108678A (en) | Organic EL light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP4748147B2 (en) | Organic EL device | |
JP4788677B2 (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
CN115132789A (en) | Self-luminous panel and manufacturing method of self-luminous panel | |
JP4263474B2 (en) | Method for manufacturing element substrate for display device and transfer body | |
CN100485995C (en) | Electroluminescent display device | |
JPH056318B2 (en) | ||
JP4618497B2 (en) | Display device and manufacturing method of display device |