JPH1131311A

JPH1131311A - シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH1131311A
Application number: JP19943597A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shoji; 茂庄司; Atsushi Toyoda; 篤志豊田
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 1997-07-09
Filing date: 1997-07-09
Publication date: 1999-02-02

Abstract

(57)【要約】【課題】オーバライト特性の改善とサーボ特性の改善
を両立させる。【解決手段】下シールド１８と上シールド２２の間の
再生ギャップ２０内の記録媒体対向面１６を臨む位置に
ＭＲ素子２４を配置して再生用ヘッド２６を構成する。
上シールド２２を下コアとして兼用して下コア２２と上
コア３２との間にコイル２８を配置し、記録媒体対向面
１６を臨む位置で上コア３２の先端の上ポール３２ａと
下コア２２の先端の下ポール２２ａとの間に書込ギャッ
プ３４を形成して記録用ヘッド３６を構成する。上シー
ルド兼下コア２２は、記録媒体対向面１６を臨む位置で
薄い平板状に形成された薄板部２２ｂと、この薄板部２
２ｂに続き記録媒体対向面１６から奥まった位置で厚い
平板状に形成された厚板部２２ｃで構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ハードディスク
装置等に用いられるシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッド（通常のＭＲ素子を用いたもののほかにＧＭＲ素子
等各種磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを含む。以
下「シールド型ＭＲヘッド」という。）に関し、磁気記
録媒体に対する書込特性および再書込（オーバライト）
特性を改善するとともに、サーボエラーを生じにくくし
たものである。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置に用いられているシ
ールド型ＭＲヘッドは、下シールドと上シールドの間の
再生ギャップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子
を配置した再生用ヘッドと、上シールドを下コアとして
兼用して下コアと上コアとの間にコイルを配置しかつ上
コアと下コアとの間の記録媒体対向面を臨む位置に書込
ギャップを形成した記録用ヘッドとを積層配置したＭＲ
型・誘導型複合磁気ヘッドとして構成される。

【０００３】ハードディスク用の従来のシールド型ＭＲ
ヘッドの中心の断面図を図２に示す。スライダを構成す
る基板１２の上には非磁性絶縁層１４が被覆されてい
る。非磁性絶縁層１４の上部の記録媒体対向面１６を臨
む位置には、下シールド１８が埋め込まれている。下シ
ールド１８の上には再生ギャップ２０を挟んで一定厚の
上シールド２２が対向して配置されている。再生ギャッ
プ２０内の記録媒体対向面１６を臨む位置にはＭＲ素子
２４が埋め込まれている。ＭＲ素子２４の左右両端部に
は、このＭＲ素子２４にセンス電流を流すためのリード
（図示せず）が接続されている。以上で再生用ヘッド２
１（ＭＲ型ヘッド）が構成される。

【０００４】上シールド２２は書込下コアを兼用し、そ
の上にコイル２８が絶縁層３０内に埋め込まれた状態で
配置されている。絶縁層３０の上には上コア３２が配置
されている。上シールド兼下コア２２の先端の下ポール
２２ａと上コア３２の先端の上ポール３２ａとは、記録
媒体対向面１６に臨む位置で書込ギャップ３４を挟んで
対向している。以上で記録用ヘッド３６（誘導型ヘッ
ド）が構成される。そして、全体に保護膜３８が被せら
れてシールド型ＭＲヘッド１０全体が構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】シールド型ＭＲヘッド
においては、トラック位置のサーボをかけるために、書
込んだ信号をその位置が変化しないうちに即座に読み込
むことが必要である。そのためには、書込ギャップ３４
と再生ギャップ２０の間隔Ｓrwを短くする必要がある。
すなわち、間隔Ｓrwが長くなると、サーボエラーが出や
すくなる。特に、高速のアクセスが可能なヘッド、磁気
記録媒体間の相対速度が大きな場合ほど、サーボエラー
は出やすくなる。この点についてもう少し詳しく説明す
る。

【０００６】いま、シールド型ＭＲヘッド１０をロータ
リ型ヘッドポジショナに搭載してディスク径方向に移動
させるハードディスク装置において、記録用ヘッド３６
で書込まれた信号を次の周回で再生用ヘッド２１で再生
する場合を考える。記録用ヘッド３６と再生用ヘッド２
１が同一トラック上をトレースしているとすると、１周
の書込みを終えたあと、直ぐに再生用ヘッド２１でこの
信号を拾うことができる。ところが、記録用ヘッド３６
と再生用ヘッド２１のトレース位置がずれていると、書
込まれたサーボ信号をすぐに読めないことがある。

【０００７】すなわち、ロータリ型ヘッドボジショナで
シールド型ＭＲヘッド１０を位置決めする場合、ディス
ク最内周側または最外周側で大きなスキュー角（トラッ
ク接線方向に対するシールド型ＭＲヘッド１０の中心線
方向の角度ずれ）が生じていると、記録用ヘッド３６と
再生用ヘッド２１のトレース位置がずれてくる。そし
て、同一のスキュー角では、記録用ヘッド３６と再生用
ヘッド２１の間隔Ｓrwが離れているほど、トレース位置
のずれ量は大きくなる。ずれ量が僅かであれば、サーボ
の補正がすぐに掛かるため、たかだか１トラック分の移
動をした後サーボが掛かる。しかし、１トラック分以上
ずれているときは、サーボ信号を１本ずつ捜す動作に移
行する。その探索動作が、目的とするトラック位置と反
対の方向に捜しに行くとすると、シールド型ＭＲヘッド
１０がディスク内周側あるいは外周側の外れまで移動
し、再び戻って来るまで捜し続ける。このような動作
は、書込み、読み出しのアクセス速度を著しく遅くす
る。特に、ディスクの回転速度を速くしてアクセス速度
を上げようとする機種において致命的な応答遅れとな
る。

【０００８】したがって、１周書込み後直ぐにその信号
を拾えるような位置に再生用ヘッド２１があることは、
アクセス速度を速くするために最も大切なことである。
つまり、記録用ヘッド３６と再生用ヘッド２１の間隔Ｓ
rwが短いほど高速アクセスの性能がよくなる。間隔Ｓrw
は上シールド兼下コア２２の厚さによって決まるので、
間隔Ｓrwを短くするには、上シールド兼下コア２２を薄
く形成する必要がある。

【０００９】一方、シールド型ＭＲヘッドで高密度記録
を行うには、磁気記録媒体の保持力（Ｈｃ）を大きくす
る必要がある。しかし、磁気記録媒体の保持力が大きく
なると、磁気記録媒体に信号を書き込むために、書込ギ
ャップ３４からの大きな漏れ磁束が必要である（もし、
漏れ磁束の量が十分でないときは、オーバライト特性が
低下し、エラー発生の原因となる。）。シールド型ＭＲ
ヘッドの記録用ヘッド３６においては、書込時に上下コ
ア３２，２２間で漏洩磁束が生じる。この漏洩磁束はコ
ア厚が薄くなればなるほどコアの磁気抵抗が増大するた
め多くなり、その分書込ギャップ３４からの漏れ磁束が
弱くなる（図３参照）。したがって、オーバライト特性
を良好にするには、コア厚を厚くする必要がある。この
場合、上コア３２はコア層を重ねることで容易に厚くす
ることができるが、下コア２２は上シールドを兼ねてお
り、これを厚くすると、前述のように書込ギャップ３４
と再生ギャップ２０の間隔Ｓrwが長くなり、サーボ特性
が悪化する。

【００１０】このように、従来のシールド型ＭＲヘッド
においては、オーバライト特性の改善とサーボ特性の改
善を両立させることができなかった。

【００１１】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、オーバライト特性の改善とサーボ特性の
改善を両立させたシールド型ＭＲヘッドおよびその製造
方法を提供しようとするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明のシールド型Ｍ
Ｒヘッドは、上シールド兼下コアの厚さを、記録媒体対
向面を臨む位置で薄く形成し、記録媒体対向面から奥ま
った位置で厚く形成したものである。これによれば、上
シールド兼書込下コアの厚さを、記録媒体対向面を臨む
位置で薄く形成したので、書込ギャップと再生ギャップ
との間隔を短くすることができ、これによりサーボエラ
ーが出にくくなってサーボ特性が改善される。また上シ
ールド兼下コアの厚さを、記録媒体対向面から奥まった
位置で厚く形成したので、コアの磁気抵抗の増大を抑え
て上下コア間の漏洩磁束を少なくすることができ、これ
により書込ギャップからの漏れ磁束を強くすることがで
き、オーバライト特性が改善される。

【００１３】この発明のシールド型ＭＲヘッドの上シー
ルド兼下コアは、例えば記録媒体対向面に露出する部分
に薄い平板状の薄板部を形成し、記録媒体対向面から奥
まった部分に、薄板部に続き厚い平板状の厚板部を形成
して構成することができる。この場合、薄板部と、厚板
部との境界を構成する段差が記録媒体対向面から近い位
置にあると、書込磁界により上シールド兼下コアは形状
異方性による異方性エネルギが減少して磁区分割を生じ
るため、記録モードから再生モードに転じた特に、再生
波形にノイズ（バルクハウゼンノイズ）が生じる。そこ
で、段差を記録媒体対向面から１０μｍ以上離したとこ
ろに形成することにより磁区分割をほぼ防止して、記録
モードから再生モードに転じた時のノイズの発生を防止
することができる。

【００１４】また、薄板部のトラック幅方向を上シール
ド兼下コアの全幅のうち中央部に限定して形成し、薄板
部を取り囲むように厚板部を形成することにより、上シ
ールド兼下コアの全面積のうち厚板部の面積の割合を大
きくすることができ、コアの磁気抵抗の増大をより抑制
して、上下コア間の漏洩磁束をより減少させることがで
き、これにより書込ギャップからの漏れ磁束をより強く
してオーバライト特性をより改善することができる。

【００１５】この発明のシールド型ＭＲヘッドの上シー
ルド兼上コアの薄板部と厚板部は、例えば薄板部の厚さ
で平板状の下層部を形成する第１の工程と、当該下層部
上の厚板部を形成する位置に薄板部と厚板部の厚さの差
に相当する厚さで平板状の上層部を積層して当該厚板部
を形成する第２の工程とで作ることができる。あるい
は、厚板部を形成する位置に薄板部と厚板部の厚さの差
に相当する厚さで平板状の下層部を形成する第１の工程
と、薄板部と厚板部を形成する位置全体にわたり薄板部
の厚さで上層部を積層する第２の工程とで作ることがで
きる。あるいは、板部と厚板部を形成する位置全体にわ
たり厚板部の厚さで平板状の層を形成する第１の工程
と、この層の薄板部を形成する位置を薄板部と厚板部の
厚さの差に相当する厚さ分掘り込んで薄板部を形成する
第２の工程とで作ることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を以下説明
する。図１はこの発明によるハードディスク用シールド
型ＭＲヘッド４０の中心断面図を示すものである。前記
図２の従来のシールド型ＭＲヘッド１０と共通する部分
には、同一の符号を用いる。

【００１７】スライダを構成する基板１２の上には非磁
性絶縁層１４が被覆されている。非磁性絶縁層１４の上
部の記録媒体対向面１６を臨む位置には、下シールド１
８が埋め込まれている。下シールド１８の上には再生ギ
ャップ２０を挟んで一定厚の上シールド２２が対向して
配置されている。再生ギャップ２０内の記録媒体対向面
１６を臨む位置にはＭＲ素子２４が埋め込まれている。
ＭＲ素子２４の左右両端部には、このＭＲ素子２４にセ
ンス電流を流すためのリード（図示せず）が接続されて
いる。以上で再生用ヘッド２１（ＭＲ型ヘッド）が構成
される。

【００１８】上シールド２２は書込下コアを兼用し、そ
の上にコイル２８が絶縁層３０内に埋め込まれた状態で
配置されている。絶縁層３０の上には上コア３２が配置
されている。上シールド兼下コア２２の先端の下ポール
２２ａと上コア３２の先端の上ポール３２ａとは、記録
媒体対向面１６に臨む位置で書込ギャップ３４を挟んで
対向している。以上で記録用ヘッド３６（誘導型ヘッ
ド）が構成される。そして、全体に保護膜３８が被せら
れてシールド型ＭＲヘッド１０全体が構成されている。

【００１９】上シールド兼下コア２２は、記録媒体対向
面１６を臨む位置で薄い平板状に形成された薄板部２２
ｂと、この薄板部２２ｂに続き記録媒体対向面１６から
奥まった位置で厚い平板状に形成された厚板部２２ｃを
有している。上シールド兼下コア２２の上面には薄板部
２２ｂと厚板部２２ｃの境界に段部２２ｄが構成されて
いる。上シールド兼下コア２２の下面は平坦である。記
録媒体対向面１６から段部２２ｄまでの距離（すなわち
薄板部２２ｂの奥行方向の長さ）は１０μｍ以上に設定
され、これにより書込磁界による上シールド兼下コア２
２の磁区分割設定をほぼ防止することができる。

【００２０】このような上シールド兼下コア２２の構造
によれば、記録媒体対向面１６を臨む位置に薄板部２２
ｂを構成したので、書込ギャップ３４と再生ギャップ２
０の間隔Ｓrwを短くすることができ、サーボエラーを少
くすることができる。また、記録媒体対向面１６から奥
まった位置に厚板部２２ｃを構成したので、上シールド
兼下コア２２の磁気抵抗を減少させて、上下コア３２，
２２間の漏洩磁束を少なくすることができ、これにより
書込ギャップ３４からの漏れ磁束が強くなってオーバラ
イト特性を良好にすることができる。

【００２１】ここで、図２の従来のシールド型ＭＲヘッ
ド１０と図１のこの発明によるシールド型ＭＲヘッド４
０のオーバライト特性について比較する。図４は従来の
シールド型ＭＲヘッド１０におけるオーバライト特性の
上シールド兼下コア２２の厚さ依存性の測定結果を示し
たものである。測定に用いたシールド型ＭＲヘッド１０
の各部の寸法を図５に示す。図６はこの発明によるシー
ルド型ＭＲヘッド４０におけるオーバライト特性の上シ
ールド兼下コア２２の厚さ依存性の測定結果を示したも
のである。測定に用いたシールド型ＭＲヘッド４０の各
部の寸法を図７に示す。図７における上シールド兼下コ
ア２２の薄板部２２ｂと厚板部２２ｃの厚さの差（段部
２２ｄの高さ）は０．２μｍ、薄板部２２ｂの奥行方向
の長さ（記録媒体対向面１６から段部２２ｄまでの長
さ）は２０μｍ、ＭＲ素子２４の奥行方向の長さは１〜
２μｍである。また、書込ギャップ３４と再生ギャップ
２０の間隔Ｓrwは、Ｓrw＝薄板部２２ｂの厚さ＋（書込ギャップ長＋再生ギ
ャップ長）／２である。

【００２２】図４、図６によれば、この発明によるシー
ルド型ＭＲヘッド４０の上シールド兼下コア２２は厚板
部２２ｃが形成されて磁気抵抗が減少しているので、書
込ギャップ３４と再生ギャップ２０の間隔が従来のシー
ルド型ＭＲヘッド１０と同じであるにもかかわらず、上
下コア３２，２２間の漏洩磁束は少なく、小さな書込電
流で書込ギャップ３４に大きな漏れ磁束が有効に発生す
るので、オーバライト特性の改善が著しい。

【００２３】図８は、図５の従来のシールド型ＭＲヘッ
ド１０におけるオーバライト特性の書込電流依存性の測
定結果を示したものである。また、図９は、図７のこの
発明によるシールド型ＭＲヘッド４０におけるオーバラ
イト特性の書込電流依存性の測定結果を示したものであ
る。書込ギャップ３４と再生ギャップ２０の間隔Ｓrwは
両ヘッド１０，４０で等しく設定している。これによれ
ば、従来のシールド型ＭＲヘッド１０の場合、磁気ディ
スクの保持力Ｈｃが２０００Ｏｅでは書込電流が３０ｍ
Ａでオーバライト特性は飽和しているが、Ｈｃ＝２５０
０Ｏｅでは５０ｍＡでも飽和していない。また、書込電
流３０ｍＡでのオーバライト値は３０ｄＢ前後と低い。
これに対し、図１のこの発明によるシールド型ＭＲヘッ
ド４０では、Ｈｃ＝２５００Ｏｅでも約３０ｍＡで飽和
している。また、オーバライト値は３９ｄＢ前後と高
い。

【００２４】このように、上シールド兼下コア２２のポ
ールの先端の厚さ（下ポール長）を変えずに奥行方向後
部の厚さを厚くすることにより、書込ギャップ３４と再
生ギャップ２０の間隔Ｓrwを大きくすることなくオーバ
ライト特性を大幅に改善することができる。また、下ポ
ール長が少しぐらい短くなってもオーバライト値が大幅
に低下することもないので、下ポール長のばらつきによ
る歩留りの低下も少ない。さらに、高記録密度用の高い
保持力Ｈｃの磁気記録媒体に対しても優れた書込能力を
有するので、高記録密度のハードディスク装置を実現す
ることができる。

【００２５】なお、図１のシールド型ＭＲヘッド４０の
薄板部２２ｂは上シールド兼下コア２２のトラック幅方
向全体に延在させることもできるが、トラック幅方向の
一部にのみ形成することもできる。トラック幅方向の一
部にのみ形成した場合の上下コア３２，２２の平面形状
および上下ポール３２ａ，２２ａの端面形状の一例を図
１０（ａ），（ｂ）にそれぞれ示す。薄板部２２ｂのト
ラック幅方向は上シールド兼下コア２２の全幅のうち中
央部に限定して形成され、厚板部２２ｃは薄板部２２ｂ
を三方から取り囲むように形成されている（段部２２ｄ
も薄板部２２ｂを三方から取り囲むように形成されてい
る。）。したがって、薄板部２２ｂはポール端面から見
ると、図１０（ｂ）に示すように、上方に開口した凹所
４２を構成している。凹所４２内には、そのトラック幅
方向の中央部に上ポール３２ａが収容配置されている。

【００２６】図１０のような上シールド兼下コア２２の
構造によれば、厚板部２２ｃの面積を広く確保すること
ができるので、上シールド兼下コア２２の磁気抵抗の増
大をより抑えて、上下コア３２，２２間の漏洩磁束をよ
り減少させることができ、これにより書込ギャップ３４
からの漏れ磁束をより強くして、オーバライト特性をよ
り良好にすることができる。なお、薄板部２２ｂのトラ
ック幅方向の長さを上ポール３２ａのトラック幅方向の
長さの２０倍以上に形成することにより、書込磁界によ
る段部２２ｄでの上シールド兼下コア２２の磁区分割を
ほぼ防止することができる。

【００２７】次に、図１のシールド型ＭＲヘッド４０の
製造方法について説明する。図１１は、上シールド兼下
コア２２を作る各種方法を示したものである。図１１
（ａ）は、薄板部２２ｂの厚さで平板状の下層部２２−
１を形成し、下層部２２−１上の厚板部２２ｃを形成す
る位置に薄板部２２ｂと厚板部２２ｃの厚さの差に相当
する厚さ（２μｍ等）で平板状の上層部２２−２を積層
嵩上げして厚板部２２ｃを形成したものである。

【００２８】図１１（ｂ）は、厚板部２２ｃを形成する
位置に薄板部２２ｂと厚板部２２ｃの厚さの差に相当す
る厚さ（２μｍ等）で平板状の下層部２２−１１を形成
し、薄板部２２ｂと厚板部２２ｃを形成する位置全体に
わたり薄板部２２ｂの厚さで上層部２２−１２を積層し
たものである。

【００２９】図１１（ｃ）は、薄板部２２ｂと厚板部２
２ｃを形成する位置全体にわたり厚板部２２ｃの厚さで
平板状の層２２′を形成し、この層２２′の薄板部２２
ｂを形成する位置を薄板部２２ｂと厚板部２２ｃの厚さ
の差に相当する厚さ分（２μｍ等）掘り込んで（掘り込
み４４）薄板部２２ｂを形成したものである。

【００３０】〔図１１（ａ）の構造の製造工程〕図１１
（ａ）の構造を有するシールド型ＭＲヘッド４０の製造
工程の一例を図１２〜図１５に工程（１）〜（１４）で
示す。各工程について説明する。（１）Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ（アルチック）等で作られ
た基板１２上にＡｌ₂Ｏ₃（アルミナ）等の非磁性絶縁
層１４を形成し、その上にＮｉＦｅ等の軟磁性体でめっ
き下地膜４６を形成する。めっき下地膜４６の上に、下
シールド１８を形成するためのフレーム４８をレジスト
で形成する。（２）めっき下地膜４６の上に下シールド１８を形成
するためにＮｉＦｅ等の軟磁性体を電気めっきして、め
っき膜５０を形成する。めっき膜５０を形成後フレーム
レジスト４８を除去する。フレームレジスト４８を除去
した部分に凹部５２が形成される。

【００３１】（３）全体をイオンミリングして、凹部
５２の底部に露出しているめっき下地膜４６を除去す
る。（４）めっき膜５０のうち、下シールド１８として残
す部分を保護レジスト５６で覆う。（５）めっき膜５０のうち露出している部分をエッチ
ング除去する。エッチング後保護レジスト５６を除去す
る。（６）スパッタ等でＡｌ₂Ｏ₃等の保護膜５８を全面
に堆積させる。（７）表面を研磨して平坦化する。研磨はめっき膜５
０が下シールド１８の規定の厚さになるまで行われる。
これで下シールド１８が完成する。

【００３２】（８）再生ギャップ２０を構成するため
にＡｌ₂Ｏ₃等を再生ギャップ層６０の規定の厚さの半
分堆積し、その上にリード膜を積層して所定のリードの
パターンにカットする。さらにＭＲ素子膜を積層して所
定のＭＲ素子のパターンにカットして、ＭＲ素子２４を
形成する。その上に再生ギャップ層６０の残り半分を堆
積して、ＭＲ素子２４およびリードを中間に挟み込んだ
再生ギャップ層６０が完成する。

【００３３】（９）ＮｉＦｅ等の軟磁性体でめっき下
地層を上シールド兼下コア２２の全体のパターンに形成
し、その上にＮｉＦｅ等の軟磁性体を上シールド兼下コ
ア２２の薄板部２２ｂの厚さに電気めっきして下層部２
２−１を形成する。（10）薄板部２２ｂを形成する部分をフレームレジス
トで覆い、ＮｉＦｅ等の軟磁性体を薄板部２２ｂと厚板
部２２ｃとの厚さの差に相当する分電気めっきして、上
層部２２−２を形成する。これで上シールド兼下コア２
２が完成する。

【００３４】（11）書込ギャップ３４を構成するため
にＡｌ₂Ｏ₃等の書込ギャップ層６２を堆積する。（12）書込ギャップ層６２の後部をカット後、コイル
層と絶縁層を交互に積層してコイル２８を絶縁層３０中
に形成する。（13）ＮｉＦｅ等の軟磁性体でめっき下地層を上コア
３２のパターンに形成し、その上にＮｉＦｅ等の軟磁性
体を電気めっきして、上コア３２を形成する。

【００３５】（14）最後にＡｌ₂Ｏ₃等の保護膜３８
を被せて完成する。

【００３６】〔図１１（ｂ）の構造の製造工程〕図１１
（ｂ）の構造を有するシールド型ＭＲヘッド４０の製造
工程の一例を図１６〜図１７に工程（９）〜（14）で示
す。なお、工程（１）〜（８）は図１２〜図１３の工程
（１）〜（８）と同じであるので省略する。工程（９）
〜（14）について説明する。

【００３７】（９）再生ギャップ層６０の上に上シー
ルド兼下コア２２の全体のパターンのうち薄板部２２ｂ
を除くパターンで、ＮｉＦｅ等の軟磁性体を、薄板部２
２ｂと厚板部２２ｃの厚さの差に相当する厚さに電気め
っきして、下層部２２−１１を形成する。

【００３８】（10）上シールド兼下コア２２の全体の
パターンで、ＮｉＦｅ等の軟磁性体を、薄板部２２ｂの
厚さで電気めっきして、上層部２２−１２を形成して、
上シールド兼下コア２２を完成する。

【００３９】（11）書込ギャップ３４を構成するため
にＡｌ₂Ｏ₃等の書込ギャップ層６２を堆積する。（12）書込ギャップ層６２の後部をカット後、コイル
２８を絶縁層３０中に形成する。（13）ＮｉＦｅ等の軟磁性体でめっき下地層を上コア
３２のパターンに形成し、その上にＮｉＦｅ等の軟磁性
体を電気めっきして、上コア３２を形成する。

【００４０】（14）最後にＡｌ₂Ｏ₃等の保護膜３８
を被せて完成する。

【００４１】〔図１１（ｃ）の構造の製造工程〕図１１
（ｃ）の構造を有するシールド型ＭＲヘッド４０の製造
工程の一例を図１８〜図１９に工程（９）〜（16）で示
す。なお、工程（１）〜（８）は図１２〜図１３の工程
（１）〜（８）と同じであるので省略する。工程（９）
〜（16）について説明する。

【００４２】（９）再生ギャップ層６０の上に上シー
ルド兼下コア２２の全体のパターンで、ＮｉＦｅ等の軟
磁性体を、厚板部２２ｃの厚さに電気めっきして、層２
２′を形成する。（10）薄板部２２ｂを形成する位置を残して、掘り込
みのためのレジストパターンを形成する。

【００４３】（11）全体をイオンミリングして、層２
２′の露出している部分を、薄板部２２ｂと厚板部２２
ｃの厚さの差に相当する分掘り込む。（12）掘り込み４４を形成後レジストパターン６４を
除去すると、薄板部２２ｂと厚板部２２ｃが構成された
上シールド兼下コア２２が完成する。

【００４４】（13）書込ギャップ３４を構成するＡｌ
₂Ｏ₃等の書込ギャップ層６２を堆積する。（14）書込ギャップ層６２の後部をカット後、コイル
２８を絶縁層３０中に形成する。（15）ＮｉＦｅ等の軟磁性体でめっき下地層を上コア
３２のパターンに形成し、その上にＮｉＦｅ等の軟磁性
体を電気めっきして、上コア３２を形成する。

【００４５】（16）最後にＡｌ₂Ｏ₃等の保護膜３８
を被せて完成する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態を示すシールド型ＭＲ
ヘッドの中心線に沿った断面図である。

【図２】従来のシールド型ＭＲヘッドの中心線に沿っ
た断面図である。

【図３】従来のシールド型ＭＲヘッドにおいて、上シ
ールド兼下コアの厚さが薄い場合と厚い場合の書込電流
による磁束の違いを示す図である。

【図４】従来のシールド型ＭＲヘッドにおけるオーバ
ライト特性の上シールド兼下コアの厚さ依存性を示す特
性図である。

【図５】図４の特性を測定した従来のシールド型ＭＲ
ヘッドの各部の寸法を示す図である。

【図６】図１のこの発明によるシールド型ＭＲヘッド
におけるオーバライト特性の上シールド兼下コアの厚さ
依存性を示す特性図である。

【図７】図６の特性を測定した図１のシールド型ＭＲ
ヘッドの各部の寸法を示す図である。

【図８】図５の従来のシールド型ＭＲヘッドにおける
オーバライト特性の書込電流依存性を示す特性図であ
る。

【図９】図７のこの発明のシールド型ＭＲヘッドにお
けるオーバライト特性の書込電流依存性を示す特性図で
ある。

【図１０】図１のシールド型ＭＲヘッドにおける上下
コアの平面形状およびポール正面形状の一例を示す図で
ある。

【図１１】図１のシールド型ＭＲヘッドにおける上シ
ールド兼下コアの各種製法による構造の違いを示す図で
ある。

【図１２】図１１（ａ）の構造の製造工程の一例を示
す中心線に沿った断面図である。

【図１３】図１２の続きを示す工程図である。

【図１４】図１３の続きを示す工程図である。

【図１５】図１４の続きを示す工程図である。

【図１６】図１１（ｂ）の構造の製造工程の一例を示
す中心線に沿った断面図で、図１３からの続きを示す工
程図である。

【図１７】図１６の続きを示す工程図である。

【図１８】図１１（ｃ）の構造の製造工程の一例を示
す中心線に沿った断面図で、図１３からの続きを示す工
程図である。

【図１９】図１８の続きを示す工程図である。

【符号の説明】

１６記録媒体対向面１８下シールド２０再生ギャップ２１再生用ヘッド２２上シールド兼下コア２２ａ下ポール２２ｂ薄板部２２ｃ厚板部２２ｄ段部２２−１，２２−１１下層部２２−２，２２−１２上層部２２′ 層２４ＭＲ素子２６再生用ヘッド２８コイル３２上コア３２ａ上ポール３４書込ギャップ３６記録用ヘッド４０シールド型ＭＲヘッド（シールド型磁気抵抗効果
薄膜磁気ヘッド）４４掘り込み

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下シールドと上シールドの間の再生ギャッ
プ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置した
再生用ヘッドと、前記上シールドを下コアとして兼用し
て当該下コアと上コアとの間にコイルを配置しかつ前記
記録媒体対向面を臨む位置で前記上コアの先端の上ポー
ルと前記下コアの先端の下ポールとの間に書込ギャップ
を形成した記録用ヘッドとを積層配置したシールド型磁
気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上シールド兼下コアの厚さを、前記記録媒体対向面
を臨む位置で薄く形成し、当該記録媒体対向面から奥ま
った位置で厚く形成してなるシールド型磁気抵抗効果薄
膜磁気ヘッド。
【請求項２】下シールドと上シールドの間の再生ギャッ
プ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置した
再生用ヘッドと、前記上シールドを下コアとして兼用し
て当該下コアと上コアとの間にコイルを配置しかつ前記
記録媒体対向面を臨む位置で前記上コアの先端の上ポー
ルと前記下コアの先端の下ポールとの間に書込ギャップ
を形成した記録用ヘッドとを積層配置したシールド型磁
気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上シールド兼下コアが、前記記録媒体対向面を臨む
位置で薄い平板状に形成された薄板部と、この薄板部に
続き前記記録媒体対向面から奥まった位置で厚い平板状
に形成された厚板部とを具備してなるシールド型磁気抵
抗効果薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記薄板部と前記厚板部との境界を構成す
る段部を、前記記録媒体対向面から奥行き方向に１０μ
ｍ以上離れた位置に形成してなる請求項２記載のシール
ド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記薄板部のトラック幅方向を、前記上シ
ールド兼下コアの全幅のうち中央部に限定して形成し、
当該薄板部を取り囲むように前記厚板部を形成してなる
請求項２または３記載のシールド型磁気抵抗効果薄膜磁
気ヘッド。
【請求項５】前記薄板部のトラック幅方向の長さを、前
記記録媒体対向面に露出した位置で、前記上ポールのト
ラック幅方向の長さの２０倍以上に形成してなる請求項
４記載のシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記請求項２から５のいずれかに記載のシ
ールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、前記上シールド兼下コアを作る工程が、前記薄板部の厚
さで平板状の下層部を形成する第１の工程と、当該下層
部上の前記厚板部を形成する位置に前記薄板部と前記厚
板部の厚さの差に相当する厚さで平板状の上層部を積層
して当該厚板部を形成する第２の工程とを含んでなるシ
ールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】前記請求項２から５のいずれかに記載のシ
ールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、前記上シールド兼下コアを作る工程が、前記厚板部を形
成する位置に前記薄板部と前記厚板部の厚さの差に相当
する厚さで平板状の下層部を形成する第１の工程と、前
記薄板部と前記厚板部を形成する位置全体にわたり前記
薄板部の厚さで上層部を積層する第２の工程とを含んで
なるシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項８】前記請求項２から５のいずれかに記載のシ
ールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、前記上シールド兼下コアを作る工程が、前記薄板部と前
記厚板部を形成する位置全体にわたり前記厚板部の厚さ
で平板状の層を形成する第１の工程と、この層の前記薄
板部を形成する位置を前記薄板部と前記厚板部の厚さの
差に相当する厚さ分掘り込んで前記薄板部を形成する第
２の工程とを含んでなるシールド型磁気抵抗効果薄膜磁
気ヘッドの製造方法。