JP2828673B2

JP2828673B2 - 薄膜磁気ヘッド

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Publication number: JP2828673B2
Application number: JP1199377A
Authority: JP
Inventors: 孝佳大津; 政幸高木; 寛児川上; 翼生斉藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-08-02
Filing date: 1989-08-02
Publication date: 1998-11-25
Anticipated expiration: 2013-11-25
Also published as: JPH0363912A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、磁気記録再生装置における薄膜磁気ヘツド
およびその製造方法に係り、特に、磁性膜の膜厚でトラ
ツク幅が決まる薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法に関
する。

［従来の技術］一般に、薄膜磁気ヘツドとしては、磁性膜の膜厚によ
り磁気記録媒体対接面のトラツク長手方向に沿う磁路長
が決まる形式（以下「従来例１」という）と、磁性膜の
膜厚によりトラツク幅が決まる形式（以下「従来例２」
という）とが知られている。従来例１の形式について
は、例えば特開昭62-9514号公報，特開昭62-71016号公
報等に示されており、また、従来例２の形式について
は、例えば、特開昭62-86521号公報や、「アイ・イー・
イー，トランザクシヨンオンマグネチツクス，エム
エージー23,5,1987」第2503頁〜第2505頁（“IEEE
Trans.Magnetics MAG23,5,1987"pp2503-2505）に示され
ている。最近の狭小トラツク幅化により高密度記録再生
を行なう磁気記録再生装置では、トラツク幅を高精度に
作る必要があるが、従来例２の膜厚によりトラツク幅を
決定する形式は、膜厚を調整することで容易にトラツク
幅の精度を高めることができる点で有利である。

［発明が解決しようとする課題］上記従来例２の技術、すなわち、磁性膜の膜厚により
トラツク幅を決める形式の薄膜磁気ヘツドでは、第１
に、記録される磁化パターン上で、磁極面（磁気記録媒
体に対する対向面）がトラツクの長手方向に沿つて所定
の長さを有しているために、その磁極から洩れる磁界に
よつて、記録した信号が弱められるという現象（記録減
磁作用）が生じてしまう、第２に、磁気ギヤツプと磁極
の他端が平行であるために、記録密度を上げて行くと、
その磁極の形状寸法に応じたうねり（形状効果）が生じ
てしまう、という問題があつた。

以下、この問題を、第２図（ａ），（ｂ）および、
（ｅ），（ｆ）により詳しく説明する。

第２図（ａ），（ｂ）は、従来例２による薄膜磁気ヘ
ツドの磁気記録媒体対向面からみた概略図で、11は第１
の磁性薄膜、12は磁気ギヤツプ、13は第２の磁性薄膜、
TWは磁気記録トラツク幅である。第２図（ａ）では、磁
性薄膜11,13の膜厚方向がトラツク幅TWの方向に一致し
ており、膜厚がそのままトラツク幅TWを与えるものであ
るが、磁極面（媒体対向面）のトラツク長手方向端部11
a,13aが磁気ギヤツプ12と平行になつているため、第２
図（ｅ）の記録密度対規格化出力特性図中、曲線で示
すように、再生特性に波打ち現象（うねり現象、形状効
果）が発生してしまう。

この対策として、第２図（ｂ）に示すように、磁極面
（媒体対向面）の媒体移動方向（トラツク長手方向）両
端部11a,13aを磁気ギヤツプ部12に対して非平行とする
ものがあり、これによれば、第２図（ｅ）中、曲線で
示すように波打ち現象がなくなるが、第２図（ｆ）の記
録電流対規格化出力特性図中、曲線で示すように、記
録電流を増加して行くと規格化出力が減少して行くとい
う現象（これは、第２図（ａ）のヘツドでも現われる）
を回避することはできない。この理由は、第２図（ａ）
または（ｂ）のヘツドでは、磁極面（媒体対接面）の長
さ（磁気ギヤツプ12から端部11aまたは13a、特に端部13
aまでの距離）が相当に長いために、高密度記録用とし
ての高保磁力記録媒体に十分な記録を行なおうとして大
きな電流を流したとき、この対接面から洩れる磁界によ
つて、記録した信号が弱められる作用（記録減磁作用）
を生じるからである。

従つて、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解
消し、記録減磁作用がなく、形状効果がなく、か
つ、高精度の狭トラツク幅を磁性薄膜の膜厚により決
める機能を維持できる薄膜磁気ヘツドとその製造方法を
提供することにある。

本発明の他の目的は、高保磁力の磁気記録媒体に対
応した強い記録磁界を発生することができ、アジマス
記録再生ができ、録再分離型の複合磁気ヘツドとする
ことも可能な、薄膜磁気ヘツドとその製造方法を提供す
ることにある。

［課題を解決するための手段］上記，、およびの目的を達成するため、本発明
の薄膜磁気ヘツドは、磁気ギヤツプ形成面（第１および
第２の磁性薄膜が磁気ギヤツプにおいて対向する面）を
少なくとも第１および第２の磁性薄膜の一方（片側の磁
性薄膜）の薄膜形成面（膜面、すなわち膜厚と垂直な
面）に対して所定の角度（θ°）で傾斜させると共に、
該薄膜形成面を磁気記録媒体のトラツク長手方向（トラ
ツク幅TWと垂直な方向、相対的な磁気記録媒体移動方
向）に対して非平行とし、前記少なくとも一方の磁性薄
膜（前記片側の磁性薄膜）の膜厚に基づいてトラツク幅
を決定するように構成する。

また、上記の目的を達成するため、片側の磁極（記
録媒体移動方向に対し流入側の磁性薄膜により形成され
る媒体対向面）の厚み（該媒体移動方向の長さ）を厚く
し（面積を大きくし）、他側の磁極の厚み（媒体移動方
向に対し流出側の磁性薄膜により形成される媒体対向面
の媒体移動方向長）を薄くする（面積を小さくする）よ
うに構成する。

さらに、上記の目的を達成するため、第1,第２の磁
性薄膜，磁気ギヤツプ、および電気コイルで構成される
磁気回路を複数個設け、各磁気回路の磁気ギヤツプをト
ラツク幅に対して各々異なつた角度として記録または再
生を行なうように構成し、上記の目的を達成するた
め、同じアジマス角をもつヘツド素子を所定間隔で２個
設け、その一方を記録用、他方を再生用とするように構
成する。

なお、１つのヘツド素子を記録，再生に用いる場合、
記録はインダクテイブ型、再生はMR型とすることもでき
る。

複数のヘツド素子は、スライダーの両翼レール部流出
端に設けることができる。

また、本発明の薄膜磁気ヘツドの製造方法は、基板上
に第１の磁性薄膜を形成する工程と、該第１の磁性薄膜
を（機械加工，イオンミリング，エツチング等により）
所定の傾斜角をもつて一部除去する工程と、該一部除去
した第１の磁性薄膜上に順に磁気ギヤツプ膜および第２
の磁性薄膜を形成する工程とを含み、第１および第２の
磁性薄膜の少なくとも一方の磁性薄膜の薄膜形成面に対
してトラツク長手方向を非平行とすることにより、少な
くとも一方の磁性薄膜の厚みのトラツク幅方向成分をト
ラツク幅とするように構成する。

また、上記薄膜磁気ヘツドの製造方法において、上記
の基板上に第１の磁性薄膜を形成する工程に先立つて、
基板上に（機械加工，イオンミリング，エツチング等に
より）所定の角度で溝を設け、該溝に第１の磁性薄膜を
形成するようにしてもよい。

これらの製造方法において、第１の磁性膜の一部を除
去して出来た溝に、非磁性材を充填してもよい。

［作用］上記構成に基づく作用を説明する。

本発明によれば、磁性薄膜の薄膜形成面とトラツク長
方向（媒体移動方向）とは非平行であり（典型的には直
角であり）、それによつて、該薄膜形成面の少なくとも
１つが媒体移動方向における磁極（媒体対向面）の前端
縁または後端縁を構成することになる。この結果、磁気
ギヤツプから該前端縁または後端縁までの距離（磁極
長）は必要最小限度の短い寸法となり、前述の記録減磁
作用を抑えることができる。また、このように、実質的
に磁極の前端縁または後端縁として機能する薄膜形成面
に対して、磁気ギヤツプ形成面が所定の角度（θ）傾斜
しているので、形状効果の発生が防止される。また、磁
気ギヤツプ形成面が所定の膜厚の磁性薄膜に対し所定の
角度傾斜していることにより、磁気ギヤツプ長（媒体対
向面に現われる磁気ギヤツプ線の長さ）が決まり、該磁
気ギヤツプ長に基づいて、薄膜形成面と非平行に延びる
磁気トラツクのトラツク幅が決まる（その詳細は、第２
図により後述）。

また、片側（例えば流入側）の磁極を厚くすることに
より、高保磁力媒体に対応した強い記録磁界を発生で
き、複数ヘツド素子の磁気ギヤツプのトラツク幅に対す
る傾斜角を異ならしめることにより、アジマス記録また
は再生を可能とし、同じアジマス角のヘツド素子を所定
間隔で２個設けて、一方の記録用、他方を再生用とする
ことにより、録再分離型の複合磁気ヘツドを得ることが
できる。

［実施例］以下に、本発明の実施例を図面により説明する。

まず、本発明の基本構想を、第２図（ｃ）〜（ｆ）に
より説明する。

前述した第２図（ａ）のように、第1,第２磁性薄膜1
1,13の膜面すなわち薄膜形成面（図の上面と下面）が媒
体移動方向（トラツク長方向、すなわち、トラツク幅TW
とは垂直な方向）と平行で、磁気ギヤツプ12の形成面な
らびに磁極の前端縁11aと後端縁13a（磁性薄膜11,13の
媒体対向面の前端縁と後端縁）が共に媒体移動方向に対
して垂直なヘツドでは、形状効果（第２図（ｅ））およ
び記録減磁作用（第２図（ｆ））が現われる。第２図
（ｂ）のように、前端縁11a,後端縁13aを磁気空隙12に
対して非平行とすれば、形状効果は抑止されるが記録減
磁作用は抑止できない（第２図（ｅ），（ｆ））。

これに対し、本発明では、第２図（ｃ）に示すよう
に、磁気ギヤツプ12が磁性薄膜11および12の膜面（薄膜
形成面、図中左右の面）に対して所定角度（θ）傾斜し
て形成されると共に、トラツク長手方向（媒体移動方
向）と膜面とが非平行に（本実施例では相互に垂直とな
るように）なるように形成される。これによつて磁性薄
膜11および13の膜面11aおよび13a自体が磁極の前端縁お
よび後端縁を構成することになる。その結果、図から明
らかなように、磁気ギヤツプ12と前端縁11aまたは13aと
の平均距離（磁極長）は短縮され、記録減磁作用を軽減
できる（同図（ｆ）の）。また、磁気ギヤツプ12と前
端縁11aまたは13aとは非平行であるので、うねり（形状
効果）が発生しない（同図（ｅ）の）。

第２図（ｃ）では、トラツク長方向と膜面とが相互に
垂直とされており、この場合磁極の前端縁11aと後端縁1
3aの間の距離（磁極長）は薄厚に等しい最も短い寸法と
なるが、トラツク長手方向と膜面とを垂直以外の任意の
角度で交わらせる（トラツク長手方向と膜面とを非平行
とする）ようにした場合でも、磁極長を十分短くでき
る。磁気ギヤツプ12が膜面となす角をθ、トラツク長手
方向が膜面となす角度をα、膜厚をｄとすると、トラツ
ク幅TWは、 TW＝|d×sin（α−θ）/sinθ｜として決定される。また、いわゆるアジマス角は｛90
°−（α−θ）｝で表わされる。第２図（ｃ）の場合、
α＝90°であるから、TW＝dcotθとして決まる。このと
き、アジマス角はθである。同図で磁性薄膜11,12の媒
体対向面のうち、トラツク幅TWからはずれる部分は、記
録媒体面に接触しないように、媒体から遠ざかる方向に
向かつて斜めに削り取つた形状とすることができる。

上記の形状効果（波打ち現象）を除去する他の解決案
として、磁極長を極く短くすることにより、特性曲線上
で波打ちの生じる位置をより高周波側（高密度側）へ移
動させ、使用記録密度（周波数）帯域の外へ出してしま
う方法がある。しかし、高保磁力媒体を使用した場合、
磁極が薄いために磁気飽和が生じてしまい、十分な書き
込みができない。第２図（ｄ）は、その対策として考え
られた実施例で、片側の磁性薄膜11による磁極（媒体移
動方向に対し流入側端）を厚くし、他の側の磁性薄膜13
による磁極（媒体移動方向に対し流出端側）を薄くする
ことにより、両磁極が共に薄い場合よりも強い磁界を発
生することができる。なお、第２図（ｄ）で、11a,11
a′は磁性薄膜11の膜形成面であり、他方の磁性薄膜13
の膜形成面は磁気ギヤツプ12と平行となつている。同図
では、流入端側の磁極の前端縁（形成面11a）がトラツ
ク幅TW内で磁気ギヤツプ12と平行になる所がないこと
と、流出側の磁極（磁性薄膜13）の厚み（磁極長）が極
めて短いことによつて、形状効果が生じない。同図では
更に、記録された磁化パターン上にかかる磁極（特に、
記録減磁作用に与える影響の大きい側である流出端側の
磁極）が短いために、記録減磁がない。

次に、第１図により、本発明の一実施例を説明する。
同図（ａ）において、支持バネ１の先にスライダー２が
取付けられている。スライダー２は、矢印３で示す媒体
移動方向に回転するような磁気デイスク記録媒体（図示
せず）の上を、空気流によつて狭小なすきま（例えば0.
2μｍ）で浮上している。スライダー２の両側にはレー
ル2a,2bが設けられ、レール2a,2bの流入端側は僅かに
（0.6〜0.7°程度）反つている。このスライダー２の流
出端側には、薄膜ヘツド（素子）４が形成されている。

素子４の形状は第１図（ｂ）に示すように、２つの磁
気回路5,5′でなつている。磁気回路５は磁性薄膜11,13
により、磁気回路５′は磁性薄膜11′,13により構成さ
れる。各々の磁気回路には、書込用コイル6,6′と、再
生用MR素子（磁気抵抗効果型素子）7,7′が形成されて
いる。また、２つの磁気回路間の干渉をなくすために、
干渉防止用溝８が形成されている。

２つの素子の浮上面（媒体対向面）から見た磁極形状
を第１図（ｃ）に示す。各々のギヤツプ12,12′はそれ
ぞれ異なつた角度θ，θ′で形成されている。また、ト
ラツク幅は、TW,TW′のようになつており、第２図
（ｃ）で示したヘツド素子が２個複合され、磁気ギヤツ
プ角度θとθ′の異なる２つの磁気回路によつて、アジ
マス記録が可能となつている。

このような磁極形状の磁気ヘツドの製造方法につい
て、第３図を用いて説明する。

まず、素子を形成する基板９（例えば、アルミナ，チ
タン，カーバイト等）の上に、ベース膜10（例えばアル
ミナ等）をスパツタリング等により形成する（第３図
（ａ），（ｂ））。その上に、パーマロイ等の第１の磁
性膜11をスパツタリング法，メツキ法等により形成し
（同図（ｃ））、その磁性膜11にイオンミリング，エツ
チング，機械加工等を施すことによつて、所定の角度を
もつた溝11sを設けて一部除去し（同図（ｄ））、ギヤ
ツプ膜12（例えば、アルミナ，SiO₂等を0.3μｍ程度の
厚みで）と、パーマロイ等の第２の磁性膜13を形成する
（同図（ｅ））。その後、第２の磁性膜13の一部をイオ
ンミリング等で平坦化し、アルミナ等の保護膜14を形成
する（同図（ｆ））。第１または第２の磁性膜の厚み方
向からの傾き成分（前述のように、dcotθまたはdcot
θ′）がトラツク幅TW′を与える。本実施例では、θ′
＝180°−θ、すなわちTW＝TW′として、アジマス記録
再生を行なうようになつている。

第４図は、第１図の磁極形状の磁気ヘツドの他の製造
方法を示す。基板９上（ベース膜10があつてもよい）
に、イオンミリング，エツチング，機械加工等により、
所定の溝10sを設け（同図（ａ），（ｂ），（ｃ））、
該溝10sに磁性膜11を形成し（同図（ｄ））、更にその
磁性膜11に対しイオンミリング，エツチング，機械加工
等を施すことにより、所定の角度でもつて該磁性膜11の
一部を除去して溝11sを形成し（同図（ｅ），
（ｆ））、該溝11sに順次ギヤツプ膜12,第２の磁性膜13
を形成し（同図（ｇ））、その後、第２磁性膜13の一部
をイオンミリング等で平坦化し、アルミナ等の保護膜14
を形成する。本実施例でも、第３図と同様に、第１また
は第２の磁性膜の厚みの傾き成分がトラツク幅を与え
る。

第５図は、他の形状構造の磁気ヘツド素子の実施例の
概略の外観図である。図中、第１図と同一名称部分には
同一符号を付し、説明を省略する。第５図（ａ）は（第
１図の複合素子に代えて）、単一の素子とした場合を示
す。本実施例で、再生磁束をMR素子７にできるだけ多く
導くため、素子７よりも後方（コイル６側）の磁路５部
分に、非磁性ギヤツプを設けることができる。同図
（ｂ）は（同図（ａ）のMR素子を磁気回路5,5′外に設
けたものに代えて）、MR素子７を磁気回路５中に入れた
場合を示す。同図（ｃ）は、磁気回路５に２個のMR素子
7,7′を設け、これらのMR素子の出力を差動的に取り出
すように配置した例を示す。同図（ｄ）は、MR素子を用
いず、記録・再生共にコイル６を用いてインダクテイブ
型としたものである。

再生用にMR素子を用いることにより、コイルは書込み
専用となり、少ない巻数でよいから、より小型化，高効
率化が可能となる。また、記録用素子と再生用素子とを
それぞれ専用化してもよい。更に、１つのスライダー２
の両側に形成された２個のレール2a,2b（第１図（ａ）
参照）にそれぞれ異なるアジマス角のヘツド素子を取付
けることにより、アジマス記録・再生を行なつてもよ
い。

第６図は、ヘツド素子の形成方法・取付け方法に関す
る他の実施例について、スライダー面（媒体対向面）か
ら見た状態を示す。

第６図（ａ）は、スライダーの両側のレール2a,2bに
それぞれ取付けた２つの磁気ヘツド素子の磁気ギヤツプ
12aと12bの傾斜角θ_１とθ_２が等しい（θ_１＝θ_２）場
合であり、録・再分離用（一方のギヤツプを記録用、他
方のギヤツプを再生用）である。同図（ｂ）および
（ｃ）はθ_１≠θ_２の場合であり、アジマス記録用（そ
れぞれのギヤツプで、媒体の隣接トラツクに信号を記録
し、または再生する）である。同図（ｄ），（ｅ），
（ｆ）は、レール2aと2dにそれぞれ２個のギヤツプ12a,
12a′（または12b,12b′）を有する複合ヘツド素子を取
付け、都合、４個のギヤツプを形成した場合で、ギヤツ
プ12aと12a′とは異なるアジマスを有するが、ギヤツプ
12aと12bは同一アジマス、ギヤツプ12a′と12b′は同一
アジマスとされており、必要に応じて、録・再分離用と
したり、アジマス記録・再生用とすることができる。

次に、第７図および第８図により、本発明の他の実施
例の磁気ヘツドの構造およびその製造方法を説明する。

第７図は他の実施例の磁気ヘツド素子を取付けたスラ
イダーの外観図である。磁気ヘツド素子４は、スライダ
ー２の流出端のレール2a寄りに形成されている。11は第
１の磁性膜、６はコイル、13は第２の磁性膜である。

第８図により、第７図のヘツドの製造方法を説明す
る。スライダー２を構成する基板９（ベース膜10があつ
てもよい）に、イオンミリング，エツチング，機械加工
等により、所定の溝16を形成する（第８図（ａ），
（ｂ））。溝16内に、第１磁性膜11を、スパツタリング
法，メツキ法等により形成する（同図（ｃ））。その
後、溝内に、非磁性材17（例えばガラス等）を充填し
（同図（ｄ））、磁性膜厚の傾き成分が露出するよう
に、ラツピング等により平坦に仕上げる（同図
（ｅ））。その後、ギヤツプ膜12を形成すると共に、該
ギヤツプ膜およびレジスト等を絶縁材およびマスク材と
してコイル６を形成した後に、第２の磁性膜13を形成す
る（同図（ｇ））。得られた磁気ヘツド素子の磁極の媒
体対向面の形状は、ほぼ第２図（ｄ）に示した構造とな
り、磁気トラツク長方向は、ギヤツプ面12に垂直な方向
（第８図（ｇ）で上下方向）である。本実施例によれ
ば、記録特性に与える影響の大きい流出端側の磁極（第
２磁性膜13）が薄くできるので、記録減磁がなく良好な
特性が得られる。

第９図は、スライダー２に種々の形状構造の磁性膜を
形成する方法の実施例を、スライダーの媒体対向面の外
観図により示したものである。同図（ａ）は、第７図〜
第８図のようなヘツド素子を左右のレール2a,2bにそれ
ぞれ（磁性膜11a,13aによるヘツド素子と、磁性膜11b,1
3bによるヘツド素子）形成した場合である。第９図
（ｂ）は、第１磁性膜11を両ヘツド素子に共通とし、第
２磁性膜13a,13bは別々とした場合である。第９図
（ｃ）は、両ヘツド素子間の干渉を防止するため、第１
磁性膜11を分離した場合である。第９図（ｄ）は第１磁
性膜11をスライダー流出端の角部に形成した場合であ
る。また、第１磁性膜11は、ギヤツプ面と非平行であれ
ばよく、例えば第９図（ｅ）のような曲面でもよい。

第10図は、他の実施例による磁気ヘツドの外観図で、
本実施例は、第９図（ｄ）の実施例で、更に、スライダ
ー２の側面にMR素子７を形成し、記録はインダクテイブ
型、再生はMR型とした場合である。なお、11は第１磁性
膜、13は第２磁性膜である。このMR素子７は、図中の非
磁性材18中に埋め込まれるように形成してもよい。

第９図の実施例でも、各々の素子を記録用と再生用と
に専用化することもできる。

また、各実施例中の金属磁性膜は、Crや、アルミナ，
SiO₂等を中間膜として多層化することにより、高性能化
することができる。特に、絶縁中間膜を用いた場合は、
各金属磁性膜が相互に絶縁され、それによつて渦流損失
を低下し特性を向上することができる。

また、ヘツド素子は、チツプ状に形成して、これをス
ライダーの流出端や側面に接着等により取付けてもよ
い。あるいは、ヘツド素子をスライダーの一部に埋め込
むこともできる。

また、上記第１図（ｃ）の実施例で、TW＝TW′となる
ようにθ，θ′を設定すると共に、トラツク幅TW（＝T
W′）とトラツク間スペース（TWとTW′の間の距離）と
を等しくする。すなわち、トラツクピツチをトラツク幅
TW（＝TW′）の２倍に設定する。そして、磁気デイスク
記録媒体が１回転する毎に両ヘツド素子（ギヤツプ12と
12′）が１トラツクずつ移動して行くが、この１回転毎
に両ヘツドを交互に切換えて動作（記録または再生）さ
せる。かくするときは、隣接トラツクが密接した（ガー
ドバンドのない）磁気デイスク媒体に対して、＃1,3,5,
……のトラツクは例えばヘツド（ギヤツプ）12により、
＃2,4,6,……のトラツクはヘツド（ギヤツプ）12′によ
り、交互に記録再生が行なわれ、アジマス記録または再
生を行なうことができる。一般的には、両ヘツド素子
（12,12′）の間隔をトラツク幅（TW＝TW′）の偶数倍
とすることにより、同様な記録・再生を行なうことがで
きる。

上記実施例で、磁性薄膜材としては、パーマロイ，セ
ンダスト，コバルトアモルフアス等を用いることができ
る。この場合、上記実施例では、第１磁性薄膜11と第２
磁性薄膜13を同一磁性材料で作製したが、第２図（ｄ）
の実施例等では、磁極の薄い方の磁性薄膜13を、磁極の
厚い方の磁性薄膜11に比べて飽和しにくい材料を用いる
ことにより、両磁性薄膜をバランスさせ、強い磁界を発
生するヘツドを得ることができる。

また、上記２つ以上のヘツド素子を有する磁気ヘツド
を同時に動作させて、並列に記録・再生を行なうことも
できる。

［発明の効果］以上詳しく説明したように、本発明によれば、磁気ギ
ヤツプ形成面を磁性薄膜の膜形成面に対して傾斜させる
と共に、トラツク長方向を膜形成面と交わらせ、磁性薄
膜の膜厚に基づいてトラツク幅を決定したので、狭トラ
ツク幅を磁性薄膜の膜厚により高精度で決めることがで
きると共に、形状効果（うねり）および記録減磁作用を
防止することができる。

また、流入側磁性薄膜の磁極長を流出側に比べて長く
することにより、高保磁力記録媒体に適した高飽和磁束
密度が得られ、複数の磁気ヘツド素子の各磁気ギヤツプ
の傾斜角をトラツク幅に対して異ならしめることによ
り、アジマス記録再生が可能となり、同一アジマス角の
少なくとも２個の磁気ヘツド素子を所定間隔で配列する
ことにより録・再分離が可能となる。

また、スライダーの一方のレールにダブルアジマスヘ
ッドを設け、中央部のコアに２つの磁気回路の干渉防止
用の溝を形成することによって、２つの磁気ヘッド間の
磁気抵抗が増大し、隣接ヘッド間の干渉が生じないよう
になる。

同様に、角度の異なるヘッドをスライダーの２つのレ
ールに分離して設置することにより、隣接ヘッド間の干
渉が生じないようになる。

したがつて、単位トラツク長当りの記録密度および、
単位幅当りのトラツク密度を高め、高密度の記録・再生
が可能となる等、優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘツドの外観図、
第２図は本発明の薄膜磁気ヘツドの原理の説明図、第３
図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘツドの製造方法の説
明図、第４図は本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘツドの
製造方法の説明図、第５図，第６図、および、第７図は
いずれも本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘツドの外観
図、第８図は本発明の更に他の実施例の薄膜磁気ヘツド
の製造方法の説明図、第９図および第10図はいずれも本
発明の更に他の実施例の薄膜磁気ヘツドの外観図であ
る。２……スライダー、３……磁気記録媒体移動方向、４…
…磁気ヘツド素子、5,5′……磁気回路、6,6′……コイ
ル、7,7′……再生用MR素子、９……基板、10……ベー
ス膜、11,11′……第１磁性（薄）膜、12,12′……磁気
ギヤツプ、13……第２磁性（薄）膜、14……保護膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉藤翼生神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献特開昭63−234406（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−141619（ＪＰ，Ａ) 特開平３−22208（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の磁性薄膜と、先端部で磁気ギャップ
を介して前記第１の磁性薄膜の先端部と接続され且つ後
端部で前記第１の磁性薄膜の後端部と接続される第２の
磁性薄膜と、前記第１および第２の磁性薄膜ならびに前
記磁気ギャップにより構成される磁気回路と鎖交する電
気コイルと、を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気ギャップを形成する形成面を前記第１および第
２の磁性薄膜の少なくとも一方の磁性薄膜の薄膜形成面
に対して所定角度傾斜して形成させ、前記薄膜形成面を記録媒体移動方向であるトラック長手
方向に対して非平行とし、前記少なくとも一方の磁性薄膜の膜厚に基づいてトラッ
ク幅を決めるように構成し、前記第１の磁性薄膜の前記先端部において前記第１の磁
性薄膜の前端縁が磁極の前端縁を形成するとともに、前
記第２の磁性薄膜の前記先端部において前記第２の磁性
薄膜の後端縁が磁極の後端縁を形成し、記録媒体移動方向流入側の第１の磁性薄膜により形成さ
れる磁極の前記記録媒体移動方向に沿う厚みを、前記記
録媒体移動方向流出側の第２の磁性薄膜により形成され
る磁極の前記記録媒体移動方向に沿う厚みよりも厚くし
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】第１の磁性薄膜と、先端部で磁気ギャップ
を介して前記第１の磁性薄膜の先端部と接続され且つ後
端部で前記第１の磁性薄膜の後端部と接続される第２の
磁性薄膜と、前記第１および第２の磁性薄膜ならびに前
記磁気ギャップにより構成される磁気回路と鎖交する電
気コイルと、を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気ギャップを形成する形成面を前記第１および第
２の磁性薄膜の少なくとも一方の磁性薄膜の薄膜形成面
に対して所定角度傾斜して形成させ、前記薄膜形成面を記録媒体移動方向であるトラック長手
方向に対して非平行とし、前記少なくとも一方の磁性薄膜の膜厚に基づいてトラッ
ク幅を決めるように構成し、前記第１の磁性薄膜の前記先端部において前記第１の磁
性薄膜の前端縁が磁極の前端縁を形成するとともに、前
記第２の磁性薄膜の前記先端部において前記第２の磁性
薄膜の後端縁が磁極の後端縁を形成し、前記薄膜磁気ヘッドを搭載するスライダーのレールに、
各々異なった角度をもつ磁気ギャップを形成して、ダブ
ルアジマス記録を行うように構成し、前記角度の異なった磁気ギャップを形成した各磁気ヘッ
ドにおける中央部のコアに、それぞれの磁気ヘッドの磁
気回路間の干渉をなくするための干渉防止用溝を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】第１の磁性薄膜と、先端部で磁気ギャップ
を介して前記第１の磁性薄膜の先端部と接続され且つ後
端部で前記第１の磁性薄膜の後端部と接続される第２の
磁性薄膜と、前記第１および第２の磁性薄膜ならびに前
記磁気ギャップにより構成される磁気回路と鎖交する電
気コイルと、を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気ギャップを形成する形成面を前記第１および第
２の磁性薄膜の少なくとも一方の磁性薄膜の薄膜形成面
に対して所定角度傾斜して形成させ、前記薄膜形成面を記録媒体移動方向であるトラック長手
方向に対して非平行とし、前記少なくとも一方の磁性薄膜の膜厚に基づいてトラッ
ク幅を決めるように構成し、前記第１の磁性薄膜の前記先端部において前記第１の磁
性薄膜の前端縁が磁極の前端縁を形成するとともに、前
記第２の磁性薄膜の前記先端部において前記第２の磁性
薄膜の後端縁が磁極の後端縁を形成し、前記薄膜磁気ヘッドを搭載するスライダーの両側のレー
ルに、互いに異なった角度をもつ磁気ギャップを形成し
て、角度の異なる磁気ギャップを両側のレールに分離
し、前記磁気ギャップでダブルアジマス記録または再生
を行うように構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。