JPH11312639A - 照明光学装置及び投影露光装置 - Google Patents
照明光学装置及び投影露光装置Info
- Publication number
- JPH11312639A JPH11312639A JP11002731A JP273199A JPH11312639A JP H11312639 A JPH11312639 A JP H11312639A JP 11002731 A JP11002731 A JP 11002731A JP 273199 A JP273199 A JP 273199A JP H11312639 A JPH11312639 A JP H11312639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- secondary light
- optical
- illumination
- illuminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 164
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 241001460678 Napo <wasp> Species 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被照射面上において照度の均一性と照明開口
数の均一性の双方を同時に高めること。 【解決手段】 光源１からの光束を用いて２次光源を形
成するフライアイレンズ５と、２次光源からの光束を用
いて被照射面（レチクル９やウエハ１１）を照明するコ
ンデンサー光学系６とを有する照明光学装置であって、
被照射面上の各点から見た２次光源の開口数が実質的に
等しくなるようコンデンサー光学系を構成すると共に、
被照射面上の照度を均一にするためのＮＤフィルター５
１を備える。
数の均一性の双方を同時に高めること。 【解決手段】 光源１からの光束を用いて２次光源を形
成するフライアイレンズ５と、２次光源からの光束を用
いて被照射面（レチクル９やウエハ１１）を照明するコ
ンデンサー光学系６とを有する照明光学装置であって、
被照射面上の各点から見た２次光源の開口数が実質的に
等しくなるようコンデンサー光学系を構成すると共に、
被照射面上の照度を均一にするためのＮＤフィルター５
１を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は照明光学装置に関
し、特に半導体素子等の製造に用いられる投影露光装置
の照明光学系に好適に用いられる照明光学装置に関する
ものである。
し、特に半導体素子等の製造に用いられる投影露光装置
の照明光学系に好適に用いられる照明光学装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造用の投影露光装置では、
レチクル（マスク）上に形成された回路パターンを投影
光学系を介して、ウエハ等の半導体基板上に投影露光し
ている。
レチクル（マスク）上に形成された回路パターンを投影
光学系を介して、ウエハ等の半導体基板上に投影露光し
ている。
【０００３】従来の投影露光装置は、所定の輝度分布を
有する光源または光源像からの光をフライアイレンズに
入射させ、フライアイレンズの出射面近傍に形成された
２次光源からの光で、コンデンサー光学系により回路パ
ターンが形成されたレチクルを照明し、被照射面（レチ
クルやウエハ）に対する均一な照明を図っている。
有する光源または光源像からの光をフライアイレンズに
入射させ、フライアイレンズの出射面近傍に形成された
２次光源からの光で、コンデンサー光学系により回路パ
ターンが形成されたレチクルを照明し、被照射面（レチ
クルやウエハ）に対する均一な照明を図っている。
【０００４】ところで、コンデンサー光学系による射影
では照明光学系の被照射面における開口数を均一化する
ための条件として、フライアイレンズが正弦条件を満足
せねばならないことが知られている。フライアイレンズ
における正弦条件は、フライアイレンズを構成する微小
レンズ要素の焦点距離をＦ、各微小レンズ要素の光軸に
平行な照明光学系の最大入射高をｈ、最大入射高ｈで入
射して射出される光線が前記光軸と成す角度をθとする
とき、 ｈ ＝ Ｆ・ｓｉｎθ で表せる。
では照明光学系の被照射面における開口数を均一化する
ための条件として、フライアイレンズが正弦条件を満足
せねばならないことが知られている。フライアイレンズ
における正弦条件は、フライアイレンズを構成する微小
レンズ要素の焦点距離をＦ、各微小レンズ要素の光軸に
平行な照明光学系の最大入射高をｈ、最大入射高ｈで入
射して射出される光線が前記光軸と成す角度をθとする
とき、 ｈ ＝ Ｆ・ｓｉｎθ で表せる。
【０００５】一般にフライアイレンズは、両凸球面のロ
ッド状の微小レンズ要素を２次元的に配列したものであ
るが、このようなフライアイレンズでは上述の正弦条件
を十分満足することができないため、正弦条件不満足量
により被照射面で中心から周辺に行くにつれて照度が低
下する傾向を有している。
ッド状の微小レンズ要素を２次元的に配列したものであ
るが、このようなフライアイレンズでは上述の正弦条件
を十分満足することができないため、正弦条件不満足量
により被照射面で中心から周辺に行くにつれて照度が低
下する傾向を有している。
【０００６】また、レンズに用いられる反射防止膜は光
線入射角が大きいほど光を反射する特性を持つが、一般
にレンズ周辺を透過する光線の方が大きな入射角を持つ
ため、やはり被照射面において、中心から周辺に行くに
つれて照度が低下する傾向となっている。
線入射角が大きいほど光を反射する特性を持つが、一般
にレンズ周辺を透過する光線の方が大きな入射角を持つ
ため、やはり被照射面において、中心から周辺に行くに
つれて照度が低下する傾向となっている。
【０００７】以上のような理由により、従来の投影露光
装置では、被照射面の中心に比べて周辺の照度が低くな
る照度ムラを防ぎ、被照射面上における照度の均一化を
図るため、コンデンサー光学系によって、図１５（ａ）
のような歪曲収差を意図的に発生させ、周辺に到達する
光の光量が低下しないようにしている。
装置では、被照射面の中心に比べて周辺の照度が低くな
る照度ムラを防ぎ、被照射面上における照度の均一化を
図るため、コンデンサー光学系によって、図１５（ａ）
のような歪曲収差を意図的に発生させ、周辺に到達する
光の光量が低下しないようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１５（ａ）に示した
歪曲収差を与えるコンデンサー光学系を用いると、Ｈｅ
ｌｍｈｏｌｚ−Ｌａｇｒａｎｇｅの不変量により、図１
５（ｂ）のように被照射面の各点から観察される２次光
源の大きさが、軸上と軸外の各点において異なることに
なる。例えば図１５（ｂ）において、各点で観察される
２次光源の形状は、画面内のどの点においてもほぼ同一
であるが、最大の光強度を１００としたとき、光強度２
０の等高線の径を比較すると、軸上より軸外の径の方が
大きくなってしまっている。すなわち、従来の投影露光
装置においては、コンデンサー光学系で意図的に歪曲収
差を与えるようにしているので、被照射面上の軸上と軸
外において観察される２次光源の大きさ（σ値）が異な
ってしまっていた。
歪曲収差を与えるコンデンサー光学系を用いると、Ｈｅ
ｌｍｈｏｌｚ−Ｌａｇｒａｎｇｅの不変量により、図１
５（ｂ）のように被照射面の各点から観察される２次光
源の大きさが、軸上と軸外の各点において異なることに
なる。例えば図１５（ｂ）において、各点で観察される
２次光源の形状は、画面内のどの点においてもほぼ同一
であるが、最大の光強度を１００としたとき、光強度２
０の等高線の径を比較すると、軸上より軸外の径の方が
大きくなってしまっている。すなわち、従来の投影露光
装置においては、コンデンサー光学系で意図的に歪曲収
差を与えるようにしているので、被照射面上の軸上と軸
外において観察される２次光源の大きさ（σ値）が異な
ってしまっていた。
【０００９】近年の半導体素子製造用の投影露光装置で
は、超ＬＳＩの高集積化に伴い、これまで以上に被照射
面全面での像均一性が要求されている。このため、照明
光学系としては、被照射面における照度の均一性と共
に、被照射面上の各点から観察される２次光源の大きさ
の被照射面全面における均一性も要求されてきている。
は、超ＬＳＩの高集積化に伴い、これまで以上に被照射
面全面での像均一性が要求されている。このため、照明
光学系としては、被照射面における照度の均一性と共
に、被照射面上の各点から観察される２次光源の大きさ
の被照射面全面における均一性も要求されてきている。
【００１０】今、照明光学系の開口数をＮＡｉｌ、投影
光学系の開口数をＮＡｐｏとしたとき、２次光源（有効
光源）は、σ＝ＮＡｉｌ／ＮＡｐｏの値でも表現され
る。例えば、波長２４８ｎｍ、像側開口数ＮＡ０．６の
投影露光装置の実験では、σが０．１異なると０．３μ
ｍ線幅の孤立線の線幅が約２０ｎｍ異なるという実験結
果が得られている。現在要求されている画面内線幅均一
性から、被照射面内における２次光源（σ）差による線
幅への影響は５ｎｍ程度以内に抑える必要があるとされ
ている。それには被照射面の各点で観察される２次光源
の同一強度比と見なせる領域の径が最大のものをσｍａ
ｘ、最小のものをσｍｉｎとしたとき、σｍａｘとσｍ
ｉｎのバランス差が最大でも３％以内であることが望ま
しい。
光学系の開口数をＮＡｐｏとしたとき、２次光源（有効
光源）は、σ＝ＮＡｉｌ／ＮＡｐｏの値でも表現され
る。例えば、波長２４８ｎｍ、像側開口数ＮＡ０．６の
投影露光装置の実験では、σが０．１異なると０．３μ
ｍ線幅の孤立線の線幅が約２０ｎｍ異なるという実験結
果が得られている。現在要求されている画面内線幅均一
性から、被照射面内における２次光源（σ）差による線
幅への影響は５ｎｍ程度以内に抑える必要があるとされ
ている。それには被照射面の各点で観察される２次光源
の同一強度比と見なせる領域の径が最大のものをσｍａ
ｘ、最小のものをσｍｉｎとしたとき、σｍａｘとσｍ
ｉｎのバランス差が最大でも３％以内であることが望ま
しい。
【００１１】しかしながら、このように従来の投影露光
装置に用いられていた照明光学系では、被照射面上にお
ける照度の均一性と照明開口数の均一性の双方を同時に
満足させることはできなかった。
装置に用いられていた照明光学系では、被照射面上にお
ける照度の均一性と照明開口数の均一性の双方を同時に
満足させることはできなかった。
【００１２】本発明は、被照射面上において照度の均一
性と照明開口数の均一性の双方を同時に高めることので
きる照明光学装置及び投影露光装置を提供することを目
的とする。
性と照明開口数の均一性の双方を同時に高めることので
きる照明光学装置及び投影露光装置を提供することを目
的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願第１発明の照明光学装置は、光源からの光束を
用いて２次光源を形成する２次光源形成手段と、前記２
次光源からの光束を用いて被照射面を照明する光学手段
とを有する照明光学装置であって、前記被照射面上の各
点から見た前記２次光源の開口数が実質的に等しくなる
ようにすると共に、前記被照射面上の照度を均一にする
ことを特徴としている。
め、本願第１発明の照明光学装置は、光源からの光束を
用いて２次光源を形成する２次光源形成手段と、前記２
次光源からの光束を用いて被照射面を照明する光学手段
とを有する照明光学装置であって、前記被照射面上の各
点から見た前記２次光源の開口数が実質的に等しくなる
ようにすると共に、前記被照射面上の照度を均一にする
ことを特徴としている。
【００１４】本願第２発明の照明光学装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段とを有する照明光学装置であって、前記被照
射面上の各点から見た前記２次光源の開口数が実質的に
等しくなるよう前記光学手段を構成すると共に、前記被
照射面上の照度を均一にするための照度均一化手段を備
えることを特徴としている。
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段とを有する照明光学装置であって、前記被照
射面上の各点から見た前記２次光源の開口数が実質的に
等しくなるよう前記光学手段を構成すると共に、前記被
照射面上の照度を均一にするための照度均一化手段を備
えることを特徴としている。
【００１５】本願第３発明の照明光学装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズ
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段とを有する照明光学装置であって、前記フラ
イアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素が非球面
レンズによって構成されることを特徴としている。
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズ
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段とを有する照明光学装置であって、前記フラ
イアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素が非球面
レンズによって構成されることを特徴としている。
【００１６】本願第４発明の照明光学装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズ
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段とを有する照明光学装置であって、前記フラ
イアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素が回折光
学素子によって構成されることを特徴としている。
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズ
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段とを有する照明光学装置であって、前記フラ
イアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素が回折光
学素子によって構成されることを特徴としている。
【００１７】本願第５発明の照明光学装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段と、前記被照射面を走査させる走査手段を有
し、該走査手段により前記被照射面を走査させながら照
明する照明光学装置であって、前記被照射面上の各点か
ら見た前記２次光源の開口数が実質的に等しくなるよう
前記光学手段を構成すると共に、前記被照射面と光学的
に共役な面の近傍に前記被照射面上の照明領域の走査方
向の幅を変える可変スリットを備え、前記照明領域の照
度分布に応じて前記可変スリットにより照明領域の走査
方向の幅を変えることを特徴としている。
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と、前記２次光源からの光束を用いて被照射面を照明す
る光学手段と、前記被照射面を走査させる走査手段を有
し、該走査手段により前記被照射面を走査させながら照
明する照明光学装置であって、前記被照射面上の各点か
ら見た前記２次光源の開口数が実質的に等しくなるよう
前記光学手段を構成すると共に、前記被照射面と光学的
に共役な面の近傍に前記被照射面上の照明領域の走査方
向の幅を変える可変スリットを備え、前記照明領域の照
度分布に応じて前記可変スリットにより照明領域の走査
方向の幅を変えることを特徴としている。
【００１８】本願第６発明の照明光学装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と、前記２次光源の形状を制限する絞りと、前記２次光
源からの光束を用いて被照射面を照明する光学手段と、
前記被照射面を走査させる走査手段を有し、該走査手段
により前記被照射面を走査させながら照明する照明光学
装置であって、前記被照射面と光学的に共役な面の近傍
に前記被照射面上の照明領域の走査方向の幅を変える可
変スリットを備え、前記２次光源の形状の変化に応じて
前記可変スリットにより照明領域の走査方向の幅を変え
ることを特徴としている。
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と、前記２次光源の形状を制限する絞りと、前記２次光
源からの光束を用いて被照射面を照明する光学手段と、
前記被照射面を走査させる走査手段を有し、該走査手段
により前記被照射面を走査させながら照明する照明光学
装置であって、前記被照射面と光学的に共役な面の近傍
に前記被照射面上の照明領域の走査方向の幅を変える可
変スリットを備え、前記２次光源の形状の変化に応じて
前記可変スリットにより照明領域の走査方向の幅を変え
ることを特徴としている。
【００１９】本願第７発明の投影露光装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段と
前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手段
とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上に
投影する投影光学系とを有する投影露光装置において、
前記照明光学系は、被照射面上の各点から見た前記２次
光源の開口数が実質的に等しくなるよう前記光学手段を
構成すると共に、前記被照射面上の照度を均一にするた
めの照度均一化手段を備えることを特徴としている。
の光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段と
前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手段
とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上に
投影する投影光学系とを有する投影露光装置において、
前記照明光学系は、被照射面上の各点から見た前記２次
光源の開口数が実質的に等しくなるよう前記光学手段を
構成すると共に、前記被照射面上の照度を均一にするた
めの照度均一化手段を備えることを特徴としている。
【００２０】本願第８発明の投影露光装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズと
前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手段
とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上に
投影する投影光学系とを有する投影露光装置において、
前記フライアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素
が非球面レンズによって構成されることを特徴としてい
る。
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズと
前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手段
とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上に
投影する投影光学系とを有する投影露光装置において、
前記フライアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素
が非球面レンズによって構成されることを特徴としてい
る。
【００２１】本願第９発明の投影露光装置は、光源から
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズと
前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手段
とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上に
投影する投影光学系とを有する投影露光装置において、
前記フライアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素
が回折光学素子によって構成されることを特徴としてい
る。
の光束を用いて２次光源を形成するフライアイレンズと
前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手段
とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上に
投影する投影光学系とを有する投影露光装置において、
前記フライアイレンズを構成する複数の微小レンズ要素
が回折光学素子によって構成されることを特徴としてい
る。
【００２２】本願第１０発明の投影露光装置は、光源か
らの光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手
段とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上
に投影する投影光学系と、前記レチクルと前記ウエハを
互いに同期して走査させる走査手段とを有し、該走査手
段により前記レチクルと前記ウエハを走査させながら前
記パターンをウエハに露光転写する投影露光装置であっ
て、被照射面上の各点から見た前記２次光源の開口数が
実質的に等しくなるよう前記光学手段を構成すると共
に、前記被照射面と光学的に共役な面の近傍に前記被照
射面上の照明領域の走査方向の幅を変える可変スリット
を備え、前記照明領域の照度分布に応じて前記可変スリ
ットにより前記照明領域の走査方向の幅を変えることを
特徴としている。
らの光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と前記２次光源からの光束をレチクルに導光する光学手
段とを備える照明光学系と、前記パターンをウエハ面上
に投影する投影光学系と、前記レチクルと前記ウエハを
互いに同期して走査させる走査手段とを有し、該走査手
段により前記レチクルと前記ウエハを走査させながら前
記パターンをウエハに露光転写する投影露光装置であっ
て、被照射面上の各点から見た前記２次光源の開口数が
実質的に等しくなるよう前記光学手段を構成すると共
に、前記被照射面と光学的に共役な面の近傍に前記被照
射面上の照明領域の走査方向の幅を変える可変スリット
を備え、前記照明領域の照度分布に応じて前記可変スリ
ットにより前記照明領域の走査方向の幅を変えることを
特徴としている。
【００２３】本願第１１発明の投影露光装置は、光源か
らの光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と前記２次光源の形状を制限する絞りと前記２次光源か
らの光束をレチクルに導光する光学手段とを備える照明
光学系と、前記パターンをウエハ面上に投影する投影光
学系と、前記レチクルと前記ウエハを互いに同期して走
査させる走査手段とを有し、該走査手段により前記レチ
クルと前記ウエハを走査させながら前記パターンをウエ
ハに露光転写する投影露光装置であって、被照射面と光
学的に共役な面の近傍に前記被照射面上の照明領域の走
査方向の幅を変える可変スリットを備え、前記２次光源
の形状の変化に応じて前記可変スリットにより照明領域
の走査方向の幅を変えることを特徴としている。
らの光束を用いて２次光源を形成する２次光源形成手段
と前記２次光源の形状を制限する絞りと前記２次光源か
らの光束をレチクルに導光する光学手段とを備える照明
光学系と、前記パターンをウエハ面上に投影する投影光
学系と、前記レチクルと前記ウエハを互いに同期して走
査させる走査手段とを有し、該走査手段により前記レチ
クルと前記ウエハを走査させながら前記パターンをウエ
ハに露光転写する投影露光装置であって、被照射面と光
学的に共役な面の近傍に前記被照射面上の照明領域の走
査方向の幅を変える可変スリットを備え、前記２次光源
の形状の変化に応じて前記可変スリットにより照明領域
の走査方向の幅を変えることを特徴としている。
【００２４】本願第１２発明のデバイスの製造方法は、
本願第７乃至第１１発明の投影露光装置を用いてレチク
ルに形成されたパターンをウエハに露光転写する工程
と、ウエハに露光転写されたパターンを現像する工程を
有することを特徴としている。
本願第７乃至第１１発明の投影露光装置を用いてレチク
ルに形成されたパターンをウエハに露光転写する工程
と、ウエハに露光転写されたパターンを現像する工程を
有することを特徴としている。
【００２５】本願第１３発明のフライアイレンズは、複
数の微小レンズ要素からなるフライアイレンズであっ
て、各微小レンズ要素の少なくとも１つのレンズ面が非
球面であることを特徴としている。
数の微小レンズ要素からなるフライアイレンズであっ
て、各微小レンズ要素の少なくとも１つのレンズ面が非
球面であることを特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１は、本発明の
第１の実施形態の照明光学系（照明光学装置）を備えた
投影露光装置の概略構成図である。
第１の実施形態の照明光学系（照明光学装置）を備えた
投影露光装置の概略構成図である。
【００２７】１は水銀ランプ等の光源であり、光源１か
らの光束は楕円ミラー２の第２焦点３に結像される。４
は光学系であり、コンデンサーレンズやコリメータレン
ズそしてズームレンズなどから成り、第２焦点３近傍に
形成された光源１の発光部像をコリメートしてフライア
イレンズ５の入射面に入射させている。フライアイレン
ズ５は断面が４角形状の複数の微小レンズを２次元的に
所定のピッチで配列して構成しており、その射出面近傍
に２次光源が形成される。６はコンデンサー光学系であ
り、コンデンサーレンズやコリメータレンズそしてズー
ムレンズなどから構成されている。
らの光束は楕円ミラー２の第２焦点３に結像される。４
は光学系であり、コンデンサーレンズやコリメータレン
ズそしてズームレンズなどから成り、第２焦点３近傍に
形成された光源１の発光部像をコリメートしてフライア
イレンズ５の入射面に入射させている。フライアイレン
ズ５は断面が４角形状の複数の微小レンズを２次元的に
所定のピッチで配列して構成しており、その射出面近傍
に２次光源が形成される。６はコンデンサー光学系であ
り、コンデンサーレンズやコリメータレンズそしてズー
ムレンズなどから構成されている。
【００２８】７はマスキングブレードで複数の可動遮光
板よりなり、任意の開口形状の形成を可能にしている。
８は電子回路パターンが描かれているレチクル９を照射
するレンズ系、１０はレチクル９を縮小投影する投影光
学系（投影レンズ）、１１はレチクル９上の回路パター
ンが投影転写されるウエハ（基板）である。
板よりなり、任意の開口形状の形成を可能にしている。
８は電子回路パターンが描かれているレチクル９を照射
するレンズ系、１０はレチクル９を縮小投影する投影光
学系（投影レンズ）、１１はレチクル９上の回路パター
ンが投影転写されるウエハ（基板）である。
【００２９】本実施形態の照明光学系においては、コン
デンサー光学系６の歪曲収差を十分に小さくすること
で、被照射面各点において観察される２次光源の大きさ
（開口数）のアンバランスを解消している。具体的には
被照射面内の各点で観察される２次光源の大きさのバラ
ツキを３％以内に抑え、実質的に２次光源の大きさが被
照射面内で均一とみなせるようにした。この際、フライ
アイレンズ５の正弦条件不満足量及び各レンズに用いら
れる反射防止膜の光線入射角に依存した透過特性により
発生する周辺照度が低い照度ムラを補正するため、照度
均一化手段を照明光学系中に備えている。
デンサー光学系６の歪曲収差を十分に小さくすること
で、被照射面各点において観察される２次光源の大きさ
（開口数）のアンバランスを解消している。具体的には
被照射面内の各点で観察される２次光源の大きさのバラ
ツキを３％以内に抑え、実質的に２次光源の大きさが被
照射面内で均一とみなせるようにした。この際、フライ
アイレンズ５の正弦条件不満足量及び各レンズに用いら
れる反射防止膜の光線入射角に依存した透過特性により
発生する周辺照度が低い照度ムラを補正するため、照度
均一化手段を照明光学系中に備えている。
【００３０】ここで、図２（ａ），（ｂ）に示すような
光軸に関して対称で周辺照度が低い照度ムラを補正する
場合を考える。被照射面を重畳して照明するための微小
レンズ要素を有するフライアイレンズ５の入射面５ａは
被照射面とほぼ共役である。フライアイレンズ５の微小
レンズ要素のうち、少なくとも１つに入射する光量を調
整する光量制御手段、例えば図２（ｃ）に示すような円
形のＣｒ等のパターンが配置されたＮＤフィルター５１
を構成し、フライアイレンズ５の微小レンズ要素の光入
射側５ａからの距離を図２（ｄ）のごとく適切に配置す
る。このような構成により、被照射面において軸上の照
度が低下するため、図２（ｅ）のような照度分布変化が
発生し、図２（ｂ）のような周辺照度が低い照度ムラを
補正し、被照射面上の照度の均一性を向上させることが
できる。
光軸に関して対称で周辺照度が低い照度ムラを補正する
場合を考える。被照射面を重畳して照明するための微小
レンズ要素を有するフライアイレンズ５の入射面５ａは
被照射面とほぼ共役である。フライアイレンズ５の微小
レンズ要素のうち、少なくとも１つに入射する光量を調
整する光量制御手段、例えば図２（ｃ）に示すような円
形のＣｒ等のパターンが配置されたＮＤフィルター５１
を構成し、フライアイレンズ５の微小レンズ要素の光入
射側５ａからの距離を図２（ｄ）のごとく適切に配置す
る。このような構成により、被照射面において軸上の照
度が低下するため、図２（ｅ）のような照度分布変化が
発生し、図２（ｂ）のような周辺照度が低い照度ムラを
補正し、被照射面上の照度の均一性を向上させることが
できる。
【００３１】上述のフィルター以外にも周辺照度が低く
なっている照度ムラを補正するＮＤフィルターとして、
図３（ａ）に示すように大きさの異なる円形の光量調整
部を配置するとともに、フライアイレンズ５の微小レン
ズの光入射側５ａからの距離を適切にすることで、各部
分に図３（ｂ）及び（ｃ）のような効果を持たせ、これ
らの効果の総和として図３（ｄ）のように補正するタイ
プも考えられる。この方法を用いれば、各円形光量調整
部の径や透過率を適宜調整する（図３（ｂ）および
（ｃ）に示す各々の効果範囲や補正量を変える）こと
で、被照射面中心部と最周辺部の照度分布補正だけでな
く、被照射面中心部から最周辺部への間を含めた被照射
面全域での補正効果をより最適化させることが可能にな
る。
なっている照度ムラを補正するＮＤフィルターとして、
図３（ａ）に示すように大きさの異なる円形の光量調整
部を配置するとともに、フライアイレンズ５の微小レン
ズの光入射側５ａからの距離を適切にすることで、各部
分に図３（ｂ）及び（ｃ）のような効果を持たせ、これ
らの効果の総和として図３（ｄ）のように補正するタイ
プも考えられる。この方法を用いれば、各円形光量調整
部の径や透過率を適宜調整する（図３（ｂ）および
（ｃ）に示す各々の効果範囲や補正量を変える）こと
で、被照射面中心部と最周辺部の照度分布補正だけでな
く、被照射面中心部から最周辺部への間を含めた被照射
面全域での補正効果をより最適化させることが可能にな
る。
【００３２】この光学フィルターはＮＤ部分を適切なパ
ターン形状、透過率、配置とすることで、フライアイレ
ンズの正弦条件不満足量および反射防止膜の影響以外で
発生した照度ムラの補正も効果的に行える。
ターン形状、透過率、配置とすることで、フライアイレ
ンズの正弦条件不満足量および反射防止膜の影響以外で
発生した照度ムラの補正も効果的に行える。
【００３３】また本実施形態において、ＮＤフィルター
５１を光軸と垂直な方向に２次元的に駆動可能とすれ
ば、図４（ａ），（ｂ）に示したような光軸に関して非
対称に傾斜した照度ムラを補正することも可能になる。
具体的には、図４（ａ），（ｂ）に示したような照度ム
ラに対して、図４（ｃ）に示したような補正を加えるべ
く、図４（ｄ）のごとくＮＤフィルター５１を光軸と垂
直な方向に移動させればよい。
５１を光軸と垂直な方向に２次元的に駆動可能とすれ
ば、図４（ａ），（ｂ）に示したような光軸に関して非
対称に傾斜した照度ムラを補正することも可能になる。
具体的には、図４（ａ），（ｂ）に示したような照度ム
ラに対して、図４（ｃ）に示したような補正を加えるべ
く、図４（ｄ）のごとくＮＤフィルター５１を光軸と垂
直な方向に移動させればよい。
【００３４】（実施形態２）図５は、本発明の第２の実
施形態の照明光学系を備えた投影露光装置の概略構成図
である。本実施形態において、図１に示した第１の実施
形態の投影露光装置と同符号の部材は同一の機能を有す
るので説明を省略する。
施形態の照明光学系を備えた投影露光装置の概略構成図
である。本実施形態において、図１に示した第１の実施
形態の投影露光装置と同符号の部材は同一の機能を有す
るので説明を省略する。
【００３５】第１の実施形態が照度均一化手段としてＮ
Ｄフィルター５１を用いていたのに対して、本実施形態
では、図６（ａ）に示すような、光の入射角により透過
率の異なる特性を有する光学フィルター５２を、フライ
アイレンズ５と被照射面との間の光路中の被照射面の１
点に到達する光が実質的に平行となる箇所に配置する点
が最も大きな差異である。
Ｄフィルター５１を用いていたのに対して、本実施形態
では、図６（ａ）に示すような、光の入射角により透過
率の異なる特性を有する光学フィルター５２を、フライ
アイレンズ５と被照射面との間の光路中の被照射面の１
点に到達する光が実質的に平行となる箇所に配置する点
が最も大きな差異である。
【００３６】光学フィルター５２は、光の入射角が増大
するにつれて透過率が増加する特性を有しているため、
被照射面においては軸外に行くにつれて到達する光量が
図６（ｂ）に示すように増加する。よって、周辺照度が
低い照度ムラを補正することができる。
するにつれて透過率が増加する特性を有しているため、
被照射面においては軸外に行くにつれて到達する光量が
図６（ｂ）に示すように増加する。よって、周辺照度が
低い照度ムラを補正することができる。
【００３７】また本実施形態において、光学フィルター
５２を傾斜させることによって、光軸に関して非対称な
傾斜した照度ムラを補正することも可能になる。
５２を傾斜させることによって、光軸に関して非対称な
傾斜した照度ムラを補正することも可能になる。
【００３８】（実施形態３）図７は、本発明の第３の実
施形態の照明光学系を備えた投影露光装置の概略構成図
である。本実施形態において、図１に示した第１の実施
形態の投影露光装置と同符号の部材は同一の機能を有す
るので説明を省略する。
施形態の照明光学系を備えた投影露光装置の概略構成図
である。本実施形態において、図１に示した第１の実施
形態の投影露光装置と同符号の部材は同一の機能を有す
るので説明を省略する。
【００３９】第１及び第２の実施形態の投影露光装置と
本実施形態の投影露光装置の差異は、図８（ａ）に示す
ような、軸上では透過率が低く、軸外に行くにつれて透
過率が上昇するような光学フィルター５３をレチクル面
近傍に配置した点である。このような構成により、被照
射面においては軸上の照度が図８（ｂ）に示すように低
下するため、周辺照度が低い照度ムラを補正することが
できる。
本実施形態の投影露光装置の差異は、図８（ａ）に示す
ような、軸上では透過率が低く、軸外に行くにつれて透
過率が上昇するような光学フィルター５３をレチクル面
近傍に配置した点である。このような構成により、被照
射面においては軸上の照度が図８（ｂ）に示すように低
下するため、周辺照度が低い照度ムラを補正することが
できる。
【００４０】（実施形態４）前述したように、一般にコ
ンデンサー光学系６の歪曲収差を十分に小さくすること
で、被照射面各点において観察される２次光源像の大き
さのアンバランスを解消すると、フライアイレンズ５の
正弦条件不満足量により周辺照度が低下する。これを解
消するためには、フライアイレンズの正弦条件不満足量
を小さくして、実質的にｈ＝Ｆ・ｓｉｎθの条件を満た
すようフライアイレンズを構成すればよい。
ンデンサー光学系６の歪曲収差を十分に小さくすること
で、被照射面各点において観察される２次光源像の大き
さのアンバランスを解消すると、フライアイレンズ５の
正弦条件不満足量により周辺照度が低下する。これを解
消するためには、フライアイレンズの正弦条件不満足量
を小さくして、実質的にｈ＝Ｆ・ｓｉｎθの条件を満た
すようフライアイレンズを構成すればよい。
【００４１】被照射面上の各点における２次光源の開口
数のバラツキを３％以内に抑え、実質的に２次光源開口
数が被照射面内で均一と見なせるようにするためには、
フライアイレンズの正弦条件不満足量ＯＳＣを、 ＯＳＣ＝ｈ／ｓｉｎθ−Ｆ と定義したとき、特開平８−２６２３６７号公報に記載
されているように、正弦条件不満足量ＯＳＣが焦点距離
の１％以下でなければならない。
数のバラツキを３％以内に抑え、実質的に２次光源開口
数が被照射面内で均一と見なせるようにするためには、
フライアイレンズの正弦条件不満足量ＯＳＣを、 ＯＳＣ＝ｈ／ｓｉｎθ−Ｆ と定義したとき、特開平８−２６２３６７号公報に記載
されているように、正弦条件不満足量ＯＳＣが焦点距離
の１％以下でなければならない。
【００４２】すなわちＯＳＣ／Ｆ＜１／１００より本実
施形態のフライアイレンズは、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）│＜１／１００ なる条件を満足しなければならない。
施形態のフライアイレンズは、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）│＜１／１００ なる条件を満足しなければならない。
【００４３】いわゆる３次収差の議論では正弦条件を満
たすために、非球面レンズを使用すれば良いことが知ら
れている。本実施形態ではフライアイレンズを構成する
各微小レンズ要素のレンズ面を、図９に示すごとく非球
面にして上記の条件式を満足させ、フライアイレンズ正
弦条件を実質的に満足させている。
たすために、非球面レンズを使用すれば良いことが知ら
れている。本実施形態ではフライアイレンズを構成する
各微小レンズ要素のレンズ面を、図９に示すごとく非球
面にして上記の条件式を満足させ、フライアイレンズ正
弦条件を実質的に満足させている。
【００４４】（実施形態５）本実施形態では、フライア
イレンズの正弦条件不満足量を小さくするために、フラ
イアイレンズを、図１０（ａ），（ｂ）に示すごとく、
回折光学素子により構成としている。本実施形態におい
て、回折光学素子は、フレネルレンズやグレーティン
グ、バイナリオプティックス素子等を含んで表現してい
る。
イレンズの正弦条件不満足量を小さくするために、フラ
イアイレンズを、図１０（ａ），（ｂ）に示すごとく、
回折光学素子により構成としている。本実施形態におい
て、回折光学素子は、フレネルレンズやグレーティン
グ、バイナリオプティックス素子等を含んで表現してい
る。
【００４５】本実施形態の場合も被照射面上の各点にお
ける２次光源の開口数のバラツキを３％以内に抑え、実
質的に２次光源の開口数を被照射面上の各点で均一と見
なせるようにするため、フライアイレンズを、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）│＜１／１００ なる条件を満足するよう構成している。
ける２次光源の開口数のバラツキを３％以内に抑え、実
質的に２次光源の開口数を被照射面上の各点で均一と見
なせるようにするため、フライアイレンズを、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）│＜１／１００ なる条件を満足するよう構成している。
【００４６】（実施形態６）上述してきた実施形態１〜
５に示した２次光源開口数及び照度の均一化の方法は、
ステップアンドリピート型の投影露光装置とステップア
ンドスキャン型の投影露光装置の双方に対して適用でき
るものである。
５に示した２次光源開口数及び照度の均一化の方法は、
ステップアンドリピート型の投影露光装置とステップア
ンドスキャン型の投影露光装置の双方に対して適用でき
るものである。
【００４７】本実施形態に示す方法は、ステップアンド
スキャン型の投影露光装置固有の方法で、本発明の目的
を達成する実施形態である。
スキャン型の投影露光装置固有の方法で、本発明の目的
を達成する実施形態である。
【００４８】フライアイレンズが正弦条件を満足しない
ことにより、周辺に行くにつれて照度が低下するのはス
テップアンドスキャン型の露光装置でも同様であるが、
走査しながら露光を行うため、被照射面においては走査
方向に対し垂直方向断面に積算した露光ムラが発生する
ことになる。
ことにより、周辺に行くにつれて照度が低下するのはス
テップアンドスキャン型の露光装置でも同様であるが、
走査しながら露光を行うため、被照射面においては走査
方向に対し垂直方向断面に積算した露光ムラが発生する
ことになる。
【００４９】本実施形態においては、上記のような露光
ムラの発生を効果的に防止するため、照射領域の走査方
向の幅を所望の幅に変えられるような構成になってい
る。具体的には、図１１に示すように、被照射面と光学
的に共役な位置近傍に設けられている可変スリット２０
の走査方向の幅が所望の幅に変えられるような構成にな
っている。なお、図１１において、図１に示した第１の
実施形態の投影露光装置と同符号の部材は同一の機能を
有するので説明を省略する。
ムラの発生を効果的に防止するため、照射領域の走査方
向の幅を所望の幅に変えられるような構成になってい
る。具体的には、図１１に示すように、被照射面と光学
的に共役な位置近傍に設けられている可変スリット２０
の走査方向の幅が所望の幅に変えられるような構成にな
っている。なお、図１１において、図１に示した第１の
実施形態の投影露光装置と同符号の部材は同一の機能を
有するので説明を省略する。
【００５０】今、図１２に示すように、軸上Ｘ０でのス
キャン方向に積算した光量がＩ０、ある像高Ｘ１でのス
キャン方向に積算した光量がＩ１であるとき、スリット
部分の幅を軸上でＤ０、対応する像高でＤ１とし、Ｉ０
×Ｄ０＝Ｉ１×Ｄ１となるようにスリット２０の幅を変
化させてスキャンすれば、スキャン露光したときの積算
光量がスリット全ての像高で均一化できる。
キャン方向に積算した光量がＩ０、ある像高Ｘ１でのス
キャン方向に積算した光量がＩ１であるとき、スリット
部分の幅を軸上でＤ０、対応する像高でＤ１とし、Ｉ０
×Ｄ０＝Ｉ１×Ｄ１となるようにスリット２０の幅を変
化させてスキャンすれば、スキャン露光したときの積算
光量がスリット全ての像高で均一化できる。
【００５１】なお、この方法は任意にスリットを可変と
することで、フライアイレンズの正弦条件不満足量およ
び反射防止膜の影響以外で発生した露光ムラの補正も効
果的に行える。
することで、フライアイレンズの正弦条件不満足量およ
び反射防止膜の影響以外で発生した露光ムラの補正も効
果的に行える。
【００５２】ところで、照明条件を変更した場合（例え
ば２次光源の形状を円形の均一開口から環状の開口に変
えた場合等）、照度分布が変化し被照射面上の照度均一
性が保てなくなることがある。このような場合でも、本
実施形態に示したステップアンドスキャン型の投影露光
装置では、可変スリット２０の走査方向の幅を変えるこ
とで、被照射面上の照度の均一化を図ることもできる。
なお、所定の特性を持った光学フィルターを実施形態１
〜３に示したように光学系中に挿入することで照度の均
一化を図ってももちろん構わない。
ば２次光源の形状を円形の均一開口から環状の開口に変
えた場合等）、照度分布が変化し被照射面上の照度均一
性が保てなくなることがある。このような場合でも、本
実施形態に示したステップアンドスキャン型の投影露光
装置では、可変スリット２０の走査方向の幅を変えるこ
とで、被照射面上の照度の均一化を図ることもできる。
なお、所定の特性を持った光学フィルターを実施形態１
〜３に示したように光学系中に挿入することで照度の均
一化を図ってももちろん構わない。
【００５３】実施形態１〜６では光源１の一例として水
銀ランプを示したが、レーザー等によって有効光源を形
成しても何ら機構的に異なるものではない。
銀ランプを示したが、レーザー等によって有効光源を形
成しても何ら機構的に異なるものではない。
【００５４】また、実施形態１〜６においては、光源１
の発光部像からの光を光学系４によりコリメートしてフ
ライアイレンズ５の入射面に入射させているが、図１６
に示すごとく、光源１の発光部像がフライアイレンズ５
の入射面近傍で再結像するように光学系４を構成しても
よい。なお、図１６では、フライアイレンズ５以降の部
材については省略している。
の発光部像からの光を光学系４によりコリメートしてフ
ライアイレンズ５の入射面に入射させているが、図１６
に示すごとく、光源１の発光部像がフライアイレンズ５
の入射面近傍で再結像するように光学系４を構成しても
よい。なお、図１６では、フライアイレンズ５以降の部
材については省略している。
【００５５】（実施形態７）次に上述した実施形態１〜
６の投影露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法
の実施例を説明する。
６の投影露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法
の実施例を説明する。
【００５６】図１３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを
示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回
路設計を行う。ステップ２（マスク制作）では設計した
回路パターンを形成したマスク（レチクル９）を制作す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハ（ウエハ１１）を製造する。ステッ
プ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意し
たマスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。
の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを
示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回
路設計を行う。ステップ２（マスク制作）では設計した
回路パターンを形成したマスク（レチクル９）を制作す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハ（ウエハ１１）を製造する。ステッ
プ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意し
たマスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。
【００５７】図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハ１
１）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では
ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジ
スト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上
記露光装置によってマスク（レチクル９）の回路パター
ンの像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では
露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステ
ップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返
し行うことによりウエハ上に回路パターンが形成され
る。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（ウエハ１
１）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では
ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジ
スト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上
記露光装置によってマスク（レチクル９）の回路パター
ンの像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では
露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステ
ップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要
となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返
し行うことによりウエハ上に回路パターンが形成され
る。
【００５８】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが
可能になる。
難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが
可能になる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被照射面上において照度の均一性と照明開口数の均一性
の双方を同時に高めることのできる照明光学装置及び投
影露光装置が実現できる。
被照射面上において照度の均一性と照明開口数の均一性
の双方を同時に高めることのできる照明光学装置及び投
影露光装置が実現できる。
【図１】第１の実施形態の投影露光装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】第１の実施形態において、照度ムラを補正する
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態において、照度ムラを補正する
他の方法を説明するための図である。
他の方法を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態において、傾斜した照度ムラを
補正する方法を説明するための図である。
補正する方法を説明するための図である。
【図５】第２の実施形態の投影露光装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図６】第２の実施形態において、照度ムラを補正する
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図７】第３の実施形態の投影露光装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図８】第３の実施形態において、照度ムラを補正する
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図９】非球面を有するフライアイレンズを示す図であ
る。
る。
【図１０】回折光学面を有するフライアイレンズを示す
図である。
図である。
【図１１】第６の実施形態の投影露光装置の概略構成図
である。
である。
【図１２】第６の実施形態において、走査方向に積算し
た光量ムラを補正する方法を説明するための図である。
た光量ムラを補正する方法を説明するための図である。
【図１３】半導体デバイスの製造工程を示す図である。
【図１４】図１３の工程中のウエハプロセスの詳細を示
す図である。
す図である。
【図１５】従来の照明光学系を説明するための図であ
る。
る。
【図１６】実施形態１〜６における照明光学系の他の例
を示す図である。
を示す図である。
１ 光源 ２ 楕円ミラー ３ 楕円ミラー２の第２焦点 ４ 光学系 ５ フライアイレンズ ６ コンデンサー光学系 ７ マスキングブレード ８ レンズ系 ９ レチクル １０ 投影光学系 １１ ウエハ ５１ ＮＤフィルター ５２ 光の入射角によって透過率が異なる光学フィルタ
ー ５３ 光の入射位置によって透過率が異なる光学フィル
ター
ー ５３ 光の入射位置によって透過率が異なる光学フィル
ター
Claims (29)
- 【請求項１】 光源からの光束を用いて２次光源を形成
する２次光源形成手段と、前記２次光源からの光束を用
いて被照射面を照明する光学手段とを有する照明光学装
置であって、前記被照射面上の各点から見た前記２次光
源の開口数が実質的に等しくなるようにすると共に、前
記被照射面上の照度を均一にすることを特徴とする照明
光学装置。 - 【請求項２】 光源からの光束を用いて２次光源を形成
する２次光源形成手段と、前記２次光源からの光束を用
いて被照射面を照明する光学手段とを有する照明光学装
置であって、前記被照射面上の各点から見た前記２次光
源の開口数が実質的に等しくなるよう前記光学手段を構
成すると共に、前記被照射面上の照度を均一にするため
の照度均一化手段を備えることを特徴とする照明光学装
置。 - 【請求項３】 前記被照射面上の各点から見た前記２次
光源の同一の光強度とみなせる領域であって、最大の径
をσｍａｘ、最小の径をσｍｉｎとしたとき、 σｍａｘ／σｍｉｎ＜１．０３ なる条件を満足するよう、前記光学手段を構成すること
を特徴とする請求項２記載の照明光学装置。 - 【請求項４】 前記２次光源形成手段は、複数の微小レ
ンズ要素からなるフライアイレンズであって、前記照度
均一化手段は、前記フライアイレンズの入射側で、所望
の微小レンズ要素に入射する光量を制限する手段である
ことを特徴とする請求項２記載の照明光学装置。 - 【請求項５】 前記照度均一化手段は、光の入射角によ
り透過率の異なる光学フィルターであって、前記２次光
源形成手段と前記被照射面との間の光路中の前記被照射
面の１点に到達する光が実質的に平行となる箇所に配置
されていることを特徴とする請求項２記載の照明光学装
置。 - 【請求項６】 前記光学フィルターは、光の入射角が増
大するにつれて透過率が増加する特性を有していること
を特徴とする請求項５記載の照明光学装置。 - 【請求項７】 前記照度均一化手段は、光の入射位置に
より透過率が異なる光学フィルターであって、前記被照
射面近傍に配置されていることを特徴とする請求項２記
載の照明光学装置。 - 【請求項８】 前記光学フィルターは、光軸から離れる
につれて透過率が増加する特性を有していることを特徴
とする請求項７記載の照明光学装置。 - 【請求項９】 光源からの光束を用いて２次光源を形成
するフライアイレンズと、前記２次光源からの光束を用
いて被照射面を照明する光学手段とを有する照明光学装
置であって、前記フライアイレンズを構成する複数の微
小レンズ要素が非球面レンズによって構成されることを
特徴とする照明光学装置。 - 【請求項１０】 各微小レンズ要素の焦点距離をＦ、各
レンズ要素の光軸に平行な光線の最大入射高をｈ、最大
入射高ｈで入射して射出される光線が前記光軸となす角
度をθとするとき、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）｜ ＜ １／１００ なる条件を満足することを特徴とする請求項９記載の照
明光学装置。 - 【請求項１１】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成するフライアイレンズと、前記２次光源からの光束を
用いて被照射面を照明する光学手段とを有する照明光学
装置であって、前記フライアイレンズを構成する複数の
微小レンズ要素が回折光学素子によって構成されること
を特徴とする照明光学装置。 - 【請求項１２】 各微小レンズ要素の焦点距離をＦ、各
レンズ要素の光軸に平行な光線の最大入射高をｈ、最大
入射高ｈで入射して射出される光線が前記光軸となす角
度をθとするとき、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）｜ ＜ １／１００ なる条件を満足することを特徴とする請求項１１記載の
照明光学装置。 - 【請求項１３】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成する２次光源形成手段と、前記２次光源からの光束を
用いて被照射面を照明する光学手段と、前記被照射面を
走査させる走査手段を有し、該走査手段により前記被照
射面を走査させながら照明する照明光学装置であって、
前記被照射面上の各点から見た前記２次光源の開口数が
実質的に等しくなるよう前記光学手段を構成すると共
に、前記被照射面と光学的に共役な面の近傍に前記被照
射面上の照明領域の走査方向の幅を変える可変スリット
を備え、前記照明領域の照度分布に応じて前記可変スリ
ットにより照明領域の走査方向の幅を変えることを特徴
とする照明光学装置。 - 【請求項１４】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成する２次光源形成手段と、前記２次光源の形状を制限
する絞りと、前記２次光源からの光束を用いて被照射面
を照明する光学手段と、前記被照射面を走査させる走査
手段を有し、該走査手段により前記被照射面を走査させ
ながら照明する照明光学装置であって、前記被照射面と
光学的に共役な面の近傍に前記被照射面上の照明領域の
走査方向の幅を変える可変スリットを備え、前記２次光
源の形状の変化に応じて前記可変スリットにより照明領
域の走査方向の幅を変えることを特徴とする照明光学装
置。 - 【請求項１５】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成する２次光源形成手段と前記２次光源からの光束をレ
チクルに導光する光学手段とを備える照明光学系と、前
記パターンをウエハ面上に投影する投影光学系とを有す
る投影露光装置において、前記照明光学系は、被照射面
上の各点から見た前記２次光源の開口数が実質的に等し
くなるよう前記光学手段を構成すると共に、前記被照射
面上の照度を均一にするための照度均一化手段を備える
ことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１６】 前記被照射面上の各点から見た前記２
次光源の同一の光強度とみなせる領域であって、最大の
径をσｍａｘ、最小の径をσｍｉｎとしたとき、 σｍａｘ／σｍｉｎ＜１．０３ なる条件を満足するよう、前記光学手段を構成すること
を特徴とする請求項１５記載の投影露光装置。 - 【請求項１７】 前記２次光源形成手段は、複数の微小
レンズ要素からなるフライアイレンズであって、前記照
度均一化手段は、前記フライアイレンズの入射側で、所
望の微小レンズ要素に入射する光量を制限する手段であ
ることを特徴とする請求項１５記載の投影露光装置。 - 【請求項１８】 前記照度均一化手段は、光の入射角に
より透過率の異なる光学フィルターであって、前記２次
光源形成手段と前記被照射面との間の光路中の前記被照
射面の１点に到達する光が実質的に平行となる箇所に配
置されていることを特徴とする請求項１５記載の投影露
光装置。 - 【請求項１９】 前記光学フィルターは、光の入射角が
増大するにつれて透過率が増加する特性を有しているこ
とを特徴とする請求項１８記載の投影露光装置。 - 【請求項２０】 前記照度均一化手段は、光の入射位置
により透過率が異なる光学フィルターであって、前記被
照射面近傍に配置されていることを特徴とする請求項１
５記載の投影露光装置。 - 【請求項２１】 前記光学フィルターは、光軸から離れ
るにつれて透過率が増加する特性を有していることを特
徴とする請求項２０記載の投影露光装置。 - 【請求項２２】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成するフライアイレンズと前記２次光源からの光束をレ
チクルに導光する光学手段とを備える照明光学系と、前
記パターンをウエハ面上に投影する投影光学系とを有す
る投影露光装置において、前記フライアイレンズを構成
する複数の微小レンズ要素が非球面レンズによって構成
されることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２３】 各微小レンズ要素の焦点距離をＦ、各
レンズ要素の光軸に平行な光線の最大入射高をｈ、最大
入射高ｈで入射して射出される光線が光軸となす角度を
θとするとき、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）｜ ＜ １／１００ なる条件を満足することを特徴とする請求項２２記載の
投影露光装置。 - 【請求項２４】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成するフライアイレンズと前記２次光源からの光束をレ
チクルに導光する光学手段とを備える照明光学系と、前
記パターンをウエハ面上に投影する投影光学系とを有す
る投影露光装置において、前記フライアイレンズを構成
する複数の微小レンズ要素が回折光学素子によって構成
されることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２５】 各微小レンズ要素の焦点距離をＦ、各
レンズ要素の光軸に平行な光線の最大入射高をｈ、最大
入射高ｈで入射して射出される光線が前記光軸となす角
度をθとするとき、 │１−ｈ／（Ｆ・ｓｉｎθ）｜ ＜ １／１００ なる条件を満足することを特徴とする請求項２４記載の
投影露光装置。 - 【請求項２６】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成する２次光源形成手段と前記２次光源からの光束をレ
チクルに導光する光学手段とを備える照明光学系と、前
記パターンをウエハ面上に投影する投影光学系と、前記
レチクルと前記ウエハを互いに同期して走査させる走査
手段とを有し、該走査手段により前記レチクルと前記ウ
エハを走査させながら前記パターンをウエハに露光転写
する投影露光装置であって、被照射面上の各点から見た
前記２次光源の開口数が実質的に等しくなるよう前記光
学手段を構成すると共に、前記被照射面と光学的に共役
な面の近傍に前記被照射面上の照明領域の走査方向の幅
を変える可変スリットを備え、前記照明領域の照度分布
に応じて前記可変スリットにより前記照明領域の走査方
向の幅を変えることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２７】 光源からの光束を用いて２次光源を形
成する２次光源形成手段と前記２次光源の形状を制限す
る絞りと前記２次光源からの光束をレチクルに導光する
光学手段とを備える照明光学系と、前記パターンをウエ
ハ面上に投影する投影光学系と、前記レチクルと前記ウ
エハを互いに同期して走査させる走査手段とを有し、該
走査手段により前記レチクルと前記ウエハを走査させな
がら前記パターンをウエハに露光転写する投影露光装置
であって、被照射面と光学的に共役な面の近傍に前記被
照射面上の照明領域の走査方向の幅を変える可変スリッ
トを備え、前記２次光源の形状の変化に応じて前記可変
スリットにより照明領域の走査方向の幅を変えることを
特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２８】 請求項１５乃至２７記載の投影露光装
置を用いてレチクルに形成されたパターンをウエハに露
光転写する工程と、ウエハに露光転写されたパターンを
現像する工程を有することを特徴とするデバイスの製造
方法。 - 【請求項２９】 複数の微小レンズ要素からなるフライ
アイレンズであって、各微小レンズ要素の少なくとも１
つのレンズ面が非球面であることを特徴とするフライア
イレンズ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002731A JP3101613B2 (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-08 | 照明光学装置及び投影露光装置 |
| US09/238,509 US6665052B2 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-27 | Illumination optical system and projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1892998 | 1998-01-30 | ||
| JP10-18929 | 1998-01-30 | ||
| JP11002731A JP3101613B2 (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-08 | 照明光学装置及び投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312639A true JPH11312639A (ja) | 1999-11-09 |
| JP3101613B2 JP3101613B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=26336193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002731A Expired - Fee Related JP3101613B2 (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-08 | 照明光学装置及び投影露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6665052B2 (ja) |
| JP (1) | JP3101613B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09127418A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Nikon Corp | 照明光学系 |
| JP2003092253A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
| EP1357430A2 (en) * | 2002-04-23 | 2003-10-29 | ASML US, Inc. | Linewidth control using an angular distribution of radiation depending on position in the illumination field |
| JP2007500432A (ja) * | 2003-07-30 | 2007-01-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィの照明システム |
| US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
| JP2012531055A (ja) * | 2009-06-24 | 2012-12-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野に結像するための結像光学系及び物体視野を照明するための照明光学系 |
| CN105549339A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光机及用于曝光机的光学过滤器 |
| US9594240B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting apparatus, and optical inspection apparatus and optical microscope using the lighting apparatus |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7133119B1 (en) * | 2002-12-17 | 2006-11-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for simulating high NA and polarization effects in aerial images |
| JP4366098B2 (ja) * | 2003-03-04 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 |
| US7423730B2 (en) * | 2003-05-28 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| JP3984950B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及びそれを有する露光装置 |
| JP4599936B2 (ja) † | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
| JP2007201642A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Kyocera Mita Corp | 画像読取装置およびそれを備える画像形成装置 |
| JP2009032747A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TW200944946A (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-01 | Nanya Technology Corp | Exposure system |
| JP5633977B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-12-03 | コーニング インコーポレイテッド | マスクレスリソグラフィのための集束スポットの最適化 |
| JP5473350B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| DE102013212613B4 (de) | 2013-06-28 | 2015-07-23 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5251068A (en) * | 1990-04-27 | 1993-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Objective lens having a filter |
| US5673102A (en) * | 1991-02-22 | 1997-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity |
| JP3200244B2 (ja) | 1993-07-16 | 2001-08-20 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置 |
| JPH07306304A (ja) | 1994-05-11 | 1995-11-21 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | オプチカル・ホモジナイザー |
| JP3608580B2 (ja) | 1995-03-22 | 2005-01-12 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、露光方法、及びフライアイレンズ |
| JPH0922869A (ja) | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP3811923B2 (ja) | 1995-10-27 | 2006-08-23 | 株式会社ニコン | 照明光学系 |
| JP3232473B2 (ja) | 1996-01-10 | 2001-11-26 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH09223661A (ja) | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
| KR980005334A (ko) * | 1996-06-04 | 1998-03-30 | 고노 시게오 | 노광 방법 및 노광 장치 |
| JPH1041225A (ja) | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| JPH1092722A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
| US5822125A (en) * | 1996-12-20 | 1998-10-13 | Eastman Kodak Company | Lenslet array system |
| JPH10199800A (ja) * | 1997-01-09 | 1998-07-31 | Nikon Corp | オプティカルインテグレータを備える照明光学装置 |
| JP4329177B2 (ja) | 1999-08-18 | 2009-09-09 | 株式会社ニコン | Ｘ線発生装置及びこれを備えた投影露光装置及び露光方法 |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP11002731A patent/JP3101613B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-27 US US09/238,509 patent/US6665052B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09127418A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Nikon Corp | 照明光学系 |
| JP2003092253A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
| EP1357430A2 (en) * | 2002-04-23 | 2003-10-29 | ASML US, Inc. | Linewidth control using an angular distribution of radiation depending on position in the illumination field |
| EP1357430A3 (en) * | 2002-04-23 | 2005-09-07 | ASML US, Inc. | Linewidth control using an angular distribution of radiation depending on position in the illumination field |
| KR100733547B1 (ko) * | 2002-04-23 | 2007-06-28 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 조명기에서의 광의 각 분포를 필드 위치 함수로서변경함으로써 리소그래피 장치의 선 폭 제어를 개선하는시스템 및 방법 |
| US7911584B2 (en) | 2003-07-30 | 2011-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for microlithography |
| JP2007500432A (ja) * | 2003-07-30 | 2007-01-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィの照明システム |
| US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
| US7884922B2 (en) | 2004-07-09 | 2011-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
| US8792082B2 (en) | 2004-07-09 | 2014-07-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for microlithography |
| JP2012531055A (ja) * | 2009-06-24 | 2012-12-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野に結像するための結像光学系及び物体視野を照明するための照明光学系 |
| JP2014059584A (ja) * | 2009-06-24 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 物体視野を像視野に結像するための結像光学系及び物体視野を照明するための照明光学系 |
| US9182578B2 (en) | 2009-06-24 | 2015-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and illumination optical system |
| US9594240B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting apparatus, and optical inspection apparatus and optical microscope using the lighting apparatus |
| CN105549339A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光机及用于曝光机的光学过滤器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3101613B2 (ja) | 2000-10-23 |
| US20020154284A1 (en) | 2002-10-24 |
| US6665052B2 (en) | 2003-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3101613B2 (ja) | 照明光学装置及び投影露光装置 | |
| US7468781B2 (en) | Exposure apparatus | |
| JP3817365B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3599629B2 (ja) | 照明光学系及び前記照明光学系を用いた露光装置 | |
| KR100276797B1 (ko) | 조명장치, 노광장치 및 디바이스제조방법 | |
| JPH09219358A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3200244B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| KR20010062343A (ko) | 투영노광장치 및 이 투영노광장치를 사용한 디바이스의제조방법 | |
| JP2002217085A (ja) | 照明装置及びこれを用いる投影露光装置 | |
| JP3065017B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2006120675A (ja) | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
| JP2004055856A (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2002050564A (ja) | 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP2004335575A (ja) | 露光装置 | |
| JP3008744B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP2005301054A (ja) | 照明光学系及びそれを用いた露光装置 | |
| JP4235410B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP2009267390A (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP3376043B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP2002217083A (ja) | 照明装置及び露光装置 | |
| JPH09213618A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH0936026A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH11307443A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3571945B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP2008071791A (ja) | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000718 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070818 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080818 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080818 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130818 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |