JPH11293421A - 表面粗さの小さい高珪素鋼板およびその製造方法 - Google Patents
表面粗さの小さい高珪素鋼板およびその製造方法Info
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- JPH11293421A JPH11293421A JP11435998A JP11435998A JPH11293421A JP H11293421 A JPH11293421 A JP H11293421A JP 11435998 A JP11435998 A JP 11435998A JP 11435998 A JP11435998 A JP 11435998A JP H11293421 A JPH11293421 A JP H11293421A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 浸珪法によって表面粗さが小さい高珪素鋼板
およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気で
の浸珪処理が施され、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部の
Ｓｉ濃度よりも高い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布を
形成し、鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差が０．７ｗ
ｔ．％以上とすることにより表面粗さの小さい高珪素鋼
板を得る。
およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気で
の浸珪処理が施され、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部の
Ｓｉ濃度よりも高い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布を
形成し、鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差が０．７ｗ
ｔ．％以上とすることにより表面粗さの小さい高珪素鋼
板を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モーター、トラン
ス、リアクトル、変成器（ＣＴ）の鉄心材料として使用
される表面粗さの小さい高珪素鋼板およびその製造方法
に関する。
ス、リアクトル、変成器（ＣＴ）の鉄心材料として使用
される表面粗さの小さい高珪素鋼板およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】高珪素鋼板は、モーター、トランス、リ
アクトル、変成器（ＣＴ）の鉄心材料に使用され、Ｓｉ
の含有量が増すほど鉄損が低減し、Ｓｉ：６．５ｗｔ．
％では磁歪が０となり、最大透磁率のピークとなる等、
優れた磁気特性を示すことが知られている。
アクトル、変成器（ＣＴ）の鉄心材料に使用され、Ｓｉ
の含有量が増すほど鉄損が低減し、Ｓｉ：６．５ｗｔ．
％では磁歪が０となり、最大透磁率のピークとなる等、
優れた磁気特性を示すことが知られている。
【０００３】また、モーター、トランス、リアクトル、
変成器（ＣＴ）の効率の改善のために、鋼板の占積率を
高める必要があり、そのために表面粗度を下げることが
有効であることが知られている。例えば、特開平１０−
２５５５４号公報には、Ｒａ≦０．６μｍとしたインバ
ータ制御コンプレッサモーター用無方向性電磁鋼板が開
示されている。
変成器（ＣＴ）の効率の改善のために、鋼板の占積率を
高める必要があり、そのために表面粗度を下げることが
有効であることが知られている。例えば、特開平１０−
２５５５４号公報には、Ｒａ≦０．６μｍとしたインバ
ータ制御コンプレッサモーター用無方向性電磁鋼板が開
示されている。
【０００４】ところで、従来、高珪素鋼板の製造方法と
して、低珪素鋼を圧延により薄板とした後、鋼板表面か
らＳｉを浸透拡散させる、いわゆる浸珪法が知られてい
る。このように浸珪法を採用することによって、圧延法
では製造が困難であった６．５ｗｔ．％Ｓｉ鋼板の製造
が可能となった。
して、低珪素鋼を圧延により薄板とした後、鋼板表面か
らＳｉを浸透拡散させる、いわゆる浸珪法が知られてい
る。このように浸珪法を採用することによって、圧延法
では製造が困難であった６．５ｗｔ．％Ｓｉ鋼板の製造
が可能となった。
【０００５】しかしながら、浸珪法により６．５ｗｔ．
％Ｓｉ鋼板を製造しようとした場合には、板厚０．３ｍ
ｍの場合、１２００℃の高温で２０分間以上の浸珪・拡
散処理が必要であり、この熱処理によって表面粗さが大
きくなり、占積率が小さくなるという問題点がある。
％Ｓｉ鋼板を製造しようとした場合には、板厚０．３ｍ
ｍの場合、１２００℃の高温で２０分間以上の浸珪・拡
散処理が必要であり、この熱処理によって表面粗さが大
きくなり、占積率が小さくなるという問題点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、浸珪法によって表面粗さ
が小さい高珪素鋼板およびその製造方法を提供すること
目的とする。
鑑みてなされたものであって、浸珪法によって表面粗さ
が小さい高珪素鋼板およびその製造方法を提供すること
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、浸珪法に
より高珪素鋼板を製造する場合に、板厚方向にＳｉの濃
度分布が存在する時点で拡散処理を打ち切り、板厚方向
に、表層Ｓｉ濃度が板厚中心部のＳｉ濃度よりも高い所
定のＳｉ濃度勾配を形成することにより、表面粗さを低
くすることができ、占積率を高めることができることを
見出した。
より高珪素鋼板を製造する場合に、板厚方向にＳｉの濃
度分布が存在する時点で拡散処理を打ち切り、板厚方向
に、表層Ｓｉ濃度が板厚中心部のＳｉ濃度よりも高い所
定のＳｉ濃度勾配を形成することにより、表面粗さを低
くすることができ、占積率を高めることができることを
見出した。
【０００８】本発明は、このような知見に基づいてなさ
れたものであり、Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気
での浸珪処理が施され、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部
のＳｉ濃度よりも高い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布
を有する高珪素鋼板であって、鋼板表層と中心部とのＳ
ｉ濃度差が０．７ｗｔ．％以上であることを特徴とする
表面粗さの小さい高珪素鋼板を提供する。この場合に、
鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差が２．０ｗｔ．％以上
であることが好ましい。
れたものであり、Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気
での浸珪処理が施され、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部
のＳｉ濃度よりも高い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布
を有する高珪素鋼板であって、鋼板表層と中心部とのＳ
ｉ濃度差が０．７ｗｔ．％以上であることを特徴とする
表面粗さの小さい高珪素鋼板を提供する。この場合に、
鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差が２．０ｗｔ．％以上
であることが好ましい。
【０００９】また、本発明は、Ｓｉ化合物を含む無酸化
性ガス雰囲気で浸珪処理を行い、Ｓｉ拡散処理を行っ
て、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部のＳｉ濃度よりも高
い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布を形成し、鋼板表層
と中心部とのＳｉ濃度差を０．７ｗｔ．％以上とするこ
とを特徴とする表面粗さの小さい高珪素鋼板の製造方法
を提供する。この場合に、鋼板表層と中心部とのＳｉ濃
度差が２．０ｗｔ．％以上であることが好ましい。
性ガス雰囲気で浸珪処理を行い、Ｓｉ拡散処理を行っ
て、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部のＳｉ濃度よりも高
い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布を形成し、鋼板表層
と中心部とのＳｉ濃度差を０．７ｗｔ．％以上とするこ
とを特徴とする表面粗さの小さい高珪素鋼板の製造方法
を提供する。この場合に、鋼板表層と中心部とのＳｉ濃
度差が２．０ｗｔ．％以上であることが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明について具体的に説明
する。本発明の高珪素鋼板は、Ｓｉ化合物を含む無酸化
性ガス雰囲気での浸珪処理が施され、表層Ｓｉ濃度が板
厚方向中心部のＳｉ濃度よりも高い板厚方向に不均一な
Ｓｉ濃度分布を有し、鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差
が０．７ｗｔ．％以上である。
する。本発明の高珪素鋼板は、Ｓｉ化合物を含む無酸化
性ガス雰囲気での浸珪処理が施され、表層Ｓｉ濃度が板
厚方向中心部のＳｉ濃度よりも高い板厚方向に不均一な
Ｓｉ濃度分布を有し、鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差
が０．７ｗｔ．％以上である。
【００１１】このように浸珪法を用いて製造される高珪
素鋼板の場合には、高温での浸珪時間、拡散時間および
鋼板表層からの浸珪速度を制御することで、表層のＳｉ
濃度を高くし、板厚中心部のＳｉ濃度を低くして、板厚
方向に所定のＳｉ濃度勾配を形成することができる。そ
して、このような濃度勾配と表面粗度との相関を調査し
た結果、板厚方向のＳｉ濃度差が０．２ｗｔ．％以下の
鋼板の表面粗度Ｒａが２．０〜３．０μｍであったのに
対し、Ｓｉ濃度差を０．７ｗｔ．％以上とすることで鋼
板の表面粗度をＲａ≦２．０μｍにすることができるこ
とが判明した。このように従来よりも表面粗度を小さく
することができることにより、占積率を上昇させること
ができる。
素鋼板の場合には、高温での浸珪時間、拡散時間および
鋼板表層からの浸珪速度を制御することで、表層のＳｉ
濃度を高くし、板厚中心部のＳｉ濃度を低くして、板厚
方向に所定のＳｉ濃度勾配を形成することができる。そ
して、このような濃度勾配と表面粗度との相関を調査し
た結果、板厚方向のＳｉ濃度差が０．２ｗｔ．％以下の
鋼板の表面粗度Ｒａが２．０〜３．０μｍであったのに
対し、Ｓｉ濃度差を０．７ｗｔ．％以上とすることで鋼
板の表面粗度をＲａ≦２．０μｍにすることができるこ
とが判明した。このように従来よりも表面粗度を小さく
することができることにより、占積率を上昇させること
ができる。
【００１２】浸珪処理で均一なＳｉ濃度を得るために
は、板厚０．３ｍｍの場合、１２００℃の高温で２０分
間以上の浸珪・拡散処理を行わなければならないが、本
発明のように板厚方向にＳｉ濃度勾配を形成する場合に
は、この処理時間を１０分間以下まで短縮することがで
きる。したがって、このようにＳｉ濃度勾配が存在する
うちに浸珪処理を終了させることにより、在炉時間短縮
によるクリープの抑止効果が発揮されると考えられる。
また、高温強度の高い低珪素部分を内部に有することで
粒界すべりの防止効果が発揮されると考えられる。つま
り、上述のクリープ抑制効果および粒界すべりの防止効
果により表面粗度が小さくなったものと推定される。
は、板厚０．３ｍｍの場合、１２００℃の高温で２０分
間以上の浸珪・拡散処理を行わなければならないが、本
発明のように板厚方向にＳｉ濃度勾配を形成する場合に
は、この処理時間を１０分間以下まで短縮することがで
きる。したがって、このようにＳｉ濃度勾配が存在する
うちに浸珪処理を終了させることにより、在炉時間短縮
によるクリープの抑止効果が発揮されると考えられる。
また、高温強度の高い低珪素部分を内部に有することで
粒界すべりの防止効果が発揮されると考えられる。つま
り、上述のクリープ抑制効果および粒界すべりの防止効
果により表面粗度が小さくなったものと推定される。
【００１３】表面粗度Ｒａは、このようなＳｉ濃度差が
大きくなるほど小さくなり、Ｓｉ濃度差を２．０ｗｔ．
％以上とするとＲａ≦１．０μｍとなる。したがって、
Ｓｉ濃度差が２．０ｗｔ．％以上が一層好ましい。
大きくなるほど小さくなり、Ｓｉ濃度差を２．０ｗｔ．
％以上とするとＲａ≦１．０μｍとなる。したがって、
Ｓｉ濃度差が２．０ｗｔ．％以上が一層好ましい。
【００１４】本発明に係る高珪素鋼板は、このように表
面粗度が小さくなる結果占積率を大きくすることができ
るので、特に、突入電流防止トランス、高周波トラン
ス、高周波リアクトル、変成器（ＣＴ）、各種モーター
に好適である。
面粗度が小さくなる結果占積率を大きくすることができ
るので、特に、突入電流防止トランス、高周波トラン
ス、高周波リアクトル、変成器（ＣＴ）、各種モーター
に好適である。
【００１５】なお、表層のＳｉ濃度を５〜７ｗｔ．％と
した上で、上述したようなＳｉ濃度勾配を形成すると、
このように表面粗度が小さくなって占積率を向上させる
ことができるといった効果の他に、高周波鉄損の低下、
残留磁束密度の低下という特性上の効果をも得ることが
できる。したがって、この意味からも上記用途に極めて
適したものといえる。
した上で、上述したようなＳｉ濃度勾配を形成すると、
このように表面粗度が小さくなって占積率を向上させる
ことができるといった効果の他に、高周波鉄損の低下、
残留磁束密度の低下という特性上の効果をも得ることが
できる。したがって、この意味からも上記用途に極めて
適したものといえる。
【００１６】本発明においては、上述のような濃度勾配
を浸珪法によって形成する。すなわち、Ｓｉ化合物を含
む無酸化性ガス雰囲気で浸珪処理を行い、Ｓｉ拡散処理
を行って所望のＳｉ濃度勾配を形成する。
を浸珪法によって形成する。すなわち、Ｓｉ化合物を含
む無酸化性ガス雰囲気で浸珪処理を行い、Ｓｉ拡散処理
を行って所望のＳｉ濃度勾配を形成する。
【００１７】具体的には、鋼板をＳｉ系化合物を含む無
酸化性ガス雰囲気で浸珪処理し、次いで、Ｓｉ系化合物
を含まない無酸化性ガス雰囲気でＳｉの拡散処理を行っ
てＳｉの拡散速度を制御し、表層のＳｉ濃度が板厚中心
部のＳｉ濃度よりも高い状態にあるうちに打ち切ること
により、上述のようなＳｉ濃度分布を形成することがで
きる。
酸化性ガス雰囲気で浸珪処理し、次いで、Ｓｉ系化合物
を含まない無酸化性ガス雰囲気でＳｉの拡散処理を行っ
てＳｉの拡散速度を制御し、表層のＳｉ濃度が板厚中心
部のＳｉ濃度よりも高い状態にあるうちに打ち切ること
により、上述のようなＳｉ濃度分布を形成することがで
きる。
【００１８】また、鋼板表面からＳｉを浸透させる浸珪
処理および浸透させたＳｉを鋼板内に拡散させる拡散処
理をＳｉ化合物を含む無酸化性雰囲気で同時的に行って
浸珪および拡散速度を制御し、表層のＳｉ濃度が板厚中
心部のＳｉ濃度よりも高い状態にあるうちに打ち切り、
上述のようなＳｉ濃度分布を形成することもできる。
処理および浸透させたＳｉを鋼板内に拡散させる拡散処
理をＳｉ化合物を含む無酸化性雰囲気で同時的に行って
浸珪および拡散速度を制御し、表層のＳｉ濃度が板厚中
心部のＳｉ濃度よりも高い状態にあるうちに打ち切り、
上述のようなＳｉ濃度分布を形成することもできる。
【００１９】後者の方法によれば、浸珪処理および拡散
処理を同一雰囲気で同時的に行うことにより、炉の構造
を簡略化することができるとともに、従来拡散炉で問題
となっていた鋼板酸化も抑制することができ、また、浸
珪・拡散処理炉における雰囲気調整、Ｓｉ化合物の導入
箇所およびその流量、ならびに鋼板Ｓの移動速度等を調
節することにより、Ｓｉ濃度分布を制御しやすく、極め
て自由度の高い処理を行うことができる。
処理を同一雰囲気で同時的に行うことにより、炉の構造
を簡略化することができるとともに、従来拡散炉で問題
となっていた鋼板酸化も抑制することができ、また、浸
珪・拡散処理炉における雰囲気調整、Ｓｉ化合物の導入
箇所およびその流量、ならびに鋼板Ｓの移動速度等を調
節することにより、Ｓｉ濃度分布を制御しやすく、極め
て自由度の高い処理を行うことができる。
【００２０】ここで、浸珪処理は、Ｓｉ化合物ガスを用
いて行う。処理に用いるＳｉ化合物ガスは、特に限定さ
れるものではなく、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ5、ＳｉＣｌ4等を
用いることができるが、中でもＳｉＣｌ4が好ましい。
処理ガスとしてＳｉＣｌ4を用いる場合には、処理温度
を１０２３〜１２５０℃の範囲にすることが好ましい。
また、浸珪処理（後者の方法の場合には浸珪処理および
拡散処理）の際のＳｉＣｌ4の濃度は０．０２〜３５ｍ
ｏｌ％とすることが好ましい。
いて行う。処理に用いるＳｉ化合物ガスは、特に限定さ
れるものではなく、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ5、ＳｉＣｌ4等を
用いることができるが、中でもＳｉＣｌ4が好ましい。
処理ガスとしてＳｉＣｌ4を用いる場合には、処理温度
を１０２３〜１２５０℃の範囲にすることが好ましい。
また、浸珪処理（後者の方法の場合には浸珪処理および
拡散処理）の際のＳｉＣｌ4の濃度は０．０２〜３５ｍ
ｏｌ％とすることが好ましい。
【００２１】本発明において、Ｓｉ以外の成分は特に限
定されるものではなく、通常この種の鋼板として用いら
れる範囲であればよい。すなわち、Ｃ≦０．０２ｗｔ．
％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦
０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１
ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．
０１ｗｔ．％の範囲が好ましい。
定されるものではなく、通常この種の鋼板として用いら
れる範囲であればよい。すなわち、Ｃ≦０．０２ｗｔ．
％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦
０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１
ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．
０１ｗｔ．％の範囲が好ましい。
【００２２】Ｃは多量に含有されると磁気時効を引き起
こすため、０．０２ｗｔ．％以下とすることが好まし
い。特性上、その下限は特に存在しないが、経済的に除
去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ま
しい。
こすため、０．０２ｗｔ．％以下とすることが好まし
い。特性上、その下限は特に存在しないが、経済的に除
去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ま
しい。
【００２３】Ｍｎは多量に含有されると鋼板が脆くなる
ため、０．５ｗｔ．％以下とすることが好ましい。ま
た、その含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面
キズを誘発するため、０．０５ｗｔ．％以上であること
が好ましい。
ため、０．５ｗｔ．％以下とすることが好ましい。ま
た、その含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面
キズを誘発するため、０．０５ｗｔ．％以上であること
が好ましい。
【００２４】Ｐは磁気特性から見ると好ましい元素であ
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、０．０１ｗｔ．％以下であることが好ましい。特性
上、その下限は特に存在しないが、経済的に除去する観
点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、０．０１ｗｔ．％以下であることが好ましい。特性
上、その下限は特に存在しないが、経済的に除去する観
点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２５】Ｓは加工性を劣化させるため、０．０２ｗ
ｔ．％以下とすることが好ましい。特性上、その下限は
特に存在しないが、経済的に除去する観点からは０．０
０１ｗｔ．％とすることが好ましい。
ｔ．％以下とすることが好ましい。特性上、その下限は
特に存在しないが、経済的に除去する観点からは０．０
０１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２６】ｓｏｌ．Ａｌは同じく加工性を害するた
め、０．０６ｗｔ．％以下とすることが好ましい。一
方、脱酸剤としての必要性からその０．００１ｗｔ．％
以上が好ましい。
め、０．０６ｗｔ．％以下とすることが好ましい。一
方、脱酸剤としての必要性からその０．００１ｗｔ．％
以上が好ましい。
【００２７】Ｎは多量に含有されると窒化物を形成して
磁気特性を劣化させるため、０．０１ｗｔ．％以下であ
ることが好ましい。特性上、その下限は特に存在しない
が、現在の製鋼技術では０．０００１ｗｔ．％が事実上
の下限となる。
磁気特性を劣化させるため、０．０１ｗｔ．％以下であ
ることが好ましい。特性上、その下限は特に存在しない
が、現在の製鋼技術では０．０００１ｗｔ．％が事実上
の下限となる。
【００２８】なお、表層および板厚中心部のＳｉ濃度の
差は、全板厚をＥＰＭＡ（エレクトロンプローブマイク
ロアナライザー）分析して得られるＳｉ濃度プロファイ
ルから決定することができる。また、本発明の効果は鋼
板の板厚によらず得ることができる。
差は、全板厚をＥＰＭＡ（エレクトロンプローブマイク
ロアナライザー）分析して得られるＳｉ濃度プロファイ
ルから決定することができる。また、本発明の効果は鋼
板の板厚によらず得ることができる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。板
厚０．３５ｍｍの３ｗｔ．％珪素鋼板を母材とし、Ｓｉ
Ｃｌ4ガスを反応ガスとして用い、連続浸珪ラインを使
用し、１２００℃の処理温度で、浸珪・拡散条件および
在炉時間（具体的にはライン速度）を種々変化させ、鋼
板表層と中心部とのＳｉ濃度差の異なる材料を作成し
た。この際のライン張力は０．１５ｋｇ／ｍｍ2とし
た。ライン張力をこれより小さくすることにより表面粗
度を小さくすることができるが、蛇行等の問題等が生じ
やすくなる。０．１ｋｇ／ｍｍ2を超えると顕著なクリ
ープ伸びにより表面粗度が大きくなるため、上限と考え
られる０．１５ｋｇ／ｍｍ2で試験を行った。処理温度
は、低いほど表面粗度を小さくすることができるが、反
応速度が遅くなるため長時間を要し、１２５０℃を超え
ると材料表面が溶融してくるため、現在工業的安定製造
の条件である１２００℃を採用した。
厚０．３５ｍｍの３ｗｔ．％珪素鋼板を母材とし、Ｓｉ
Ｃｌ4ガスを反応ガスとして用い、連続浸珪ラインを使
用し、１２００℃の処理温度で、浸珪・拡散条件および
在炉時間（具体的にはライン速度）を種々変化させ、鋼
板表層と中心部とのＳｉ濃度差の異なる材料を作成し
た。この際のライン張力は０．１５ｋｇ／ｍｍ2とし
た。ライン張力をこれより小さくすることにより表面粗
度を小さくすることができるが、蛇行等の問題等が生じ
やすくなる。０．１ｋｇ／ｍｍ2を超えると顕著なクリ
ープ伸びにより表面粗度が大きくなるため、上限と考え
られる０．１５ｋｇ／ｍｍ2で試験を行った。処理温度
は、低いほど表面粗度を小さくすることができるが、反
応速度が遅くなるため長時間を要し、１２５０℃を超え
ると材料表面が溶融してくるため、現在工業的安定製造
の条件である１２００℃を採用した。
【００３０】表１に鋼板表層と板厚中心部のＳｉ濃度差
と表面粗度Ｒａとの相関を調査した結果の一部を示す。
Ｓｉ濃度差はＥＰＭＡにより表層と板厚中心部とを点分
析して求めた。また、表面粗度は、触針式で、測定長８
ｍｍ、カットオフ０．８ｍｍで行った。また図１には、
Ｓｉ濃度差ΔＳｉとＲａとをプロットした結果を示す。
と表面粗度Ｒａとの相関を調査した結果の一部を示す。
Ｓｉ濃度差はＥＰＭＡにより表層と板厚中心部とを点分
析して求めた。また、表面粗度は、触針式で、測定長８
ｍｍ、カットオフ０．８ｍｍで行った。また図１には、
Ｓｉ濃度差ΔＳｉとＲａとをプロットした結果を示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１に示すように、本発明の範囲のＳｉ濃
度差を有するものは表面粗度Ｒａが２．０μｍ以下とな
り、特にＳｉ濃度差が２．０ｗｔ．％以上のものはＲａ
が１．０μｍ以下と極めて良好な表面粗度が得られるこ
とが確認された。また、図１に示すように、Ｓｉ濃度差
が大きくなるほどＲａが小さくなる関係を明確に確認す
ることができた。
度差を有するものは表面粗度Ｒａが２．０μｍ以下とな
り、特にＳｉ濃度差が２．０ｗｔ．％以上のものはＲａ
が１．０μｍ以下と極めて良好な表面粗度が得られるこ
とが確認された。また、図１に示すように、Ｓｉ濃度差
が大きくなるほどＲａが小さくなる関係を明確に確認す
ることができた。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気での浸珪処理によ
り、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部のＳｉ濃度よりも高
い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布を形成して、鋼板表
層と中心部との間に所定のＳｉ濃度差を形成することに
より、Ｒａ≦２．０μｍ以下、さらにはＲａ≦１．０μ
ｍ以下と表面粗さの小さい高珪素鋼板を得ることがで
き、占積率を高めることができる。
Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気での浸珪処理によ
り、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部のＳｉ濃度よりも高
い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布を形成して、鋼板表
層と中心部との間に所定のＳｉ濃度差を形成することに
より、Ｒａ≦２．０μｍ以下、さらにはＲａ≦１．０μ
ｍ以下と表面粗さの小さい高珪素鋼板を得ることがで
き、占積率を高めることができる。
【図１】Ｓｉ濃度差ΔＳｉと表面粗度Ｒａとの関係を示
す図。
す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浪川 操 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 二宮 弘憲 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気で
の浸珪処理が施され、表層Ｓｉ濃度が板厚方向中心部の
Ｓｉ濃度よりも高い板厚方向に不均一なＳｉ濃度分布を
有する高珪素鋼板であって、鋼板表層と中心部とのＳｉ
濃度差が０．７ｗｔ．％以上であることを特徴とする表
面粗さの小さい高珪素鋼板。 - 【請求項２】 鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差が２．
０ｗｔ．％以上であることを特徴とする請求項１に記載
の表面粗さの小さい高珪素鋼板。 - 【請求項３】 Ｓｉ化合物を含む無酸化性ガス雰囲気で
浸珪処理を行い、Ｓｉ拡散処理を行って、表層Ｓｉ濃度
が板厚方向中心部のＳｉ濃度よりも高い板厚方向に不均
一なＳｉ濃度分布を形成し、鋼板表層と中心部とのＳｉ
濃度差を０．７ｗｔ．％以上であることを特徴とする表
面粗さの小さい高珪素鋼板の製造方法。 - 【請求項４】 鋼板表層と中心部とのＳｉ濃度差が２．
０ｗｔ．％以上であることを特徴とする請求項３に記載
の表面粗さの小さい高珪素鋼板の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009197299A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Jfe Steel Corp | 高珪素鋼板の製造方法 |
| WO2013069259A1 (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 極薄電磁鋼板 |
| JP2013122081A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-06-20 | Jfe Steel Corp | 極薄電磁鋼板 |
| CN103930584A (zh) * | 2011-11-09 | 2014-07-16 | 杰富意钢铁株式会社 | 极薄电磁钢板 |
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| JP2013159823A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Jfe Steel Corp | 打ち抜き加工後の鉄損特性に優れるモータコア用鋼板 |
| WO2016031178A1 (ja) * | 2014-08-27 | 2016-03-03 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 無方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
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