JPH11223814A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH11223814A JPH11223814A JP2620498A JP2620498A JPH11223814A JP H11223814 A JPH11223814 A JP H11223814A JP 2620498 A JP2620498 A JP 2620498A JP 2620498 A JP2620498 A JP 2620498A JP H11223814 A JPH11223814 A JP H11223814A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
が軸対称状配向した液晶領域を有し、全方位視角特性の
優れた、ざらつきのない高コントラストの液晶表示装置
を提供する。 【解決手段】 一対の基板32と34の間に液晶層40
が挟持されている。一対の基板32と34の液晶層40
に接する側の面には、それぞれITOからなる透明電極
31および33が形成され、その少なくとも一方の透明
電極31の上には、導電性材料からなる凸部36が透明
電極31と接触して形成されている。さらに、その上に
垂直配向層38aおよび38bが形成されている。軸対
称状配向中心軸出し電圧印加時に軸対称状配向を呈する
領域が凸部36によって規定される。したがって、軸対
称状配向中心軸44を中心に、凸部36によって規定さ
れた絵素領域内で、液晶分子42が軸対称状配向する。
Description
し、特に、HDTVなどの高品位テレビやCAD用ディ
スプレイなどへの応用に適した大型の液晶表示装置に関
する。
法として、液晶分子を各絵素ごとに軸対称状に配向した
表示モード(Axially Symmetric A
ligned Microcell Mode:ASM
モード)が、特開平7−120728号公報に開示され
ている。この方式は、液晶材料と光硬化樹脂との混合物
から相分離を利用して液晶分子を軸対称状に配向させる
技術であり、軸対称状配向中心軸出し電圧を印加するこ
とにより、軸対称状に配向した液層分子が基板に対して
垂直に配向するp型の表示モードである。
590において、電極を各々有する一対の基板と、該一
対の基板に挟持された液晶層とを有し、該液晶層の液晶
分子は負の誘電異方性を有し、軸対称状配向中心軸出し
電圧無印加時には、該液晶分子が該一対の基板に対して
垂直に配向しており、軸対称状配向中心軸出し電圧の印
加時には、該液晶分子が複数の絵素領域毎に軸対称状に
配向する液晶表示装置が開示されている。本提案の液晶
表示装置においては、ノーマリーブラックモードで動作
するため、従来のASMモードの液晶表示装置に比べて
高コントラストを得ることができ、また、簡単に製造す
ることができる。
模式図を示す。図9(b)はその平面図、図9(a)は
図9(b)のX−X線による断面図である。
対向配設されたガラス基板101とガラス基板102と
を有し、両基板101、102間には負の誘電率異方性
を有する液晶材料からなる液晶層109が挟持されてい
る。図上側のガラス基板102の内表面には、信号電極
104がストライプ状に形成されており、この上を覆っ
てポリイミド等の垂直配向層105がほぼ全面に形成さ
れている。
には、信号電極103が前記信号電極104と交差する
状態でストライプ状に形成されており、さらにその上に
格子状の区画壁106が設けられ、この区画壁106の
上に選択的に柱状突起107が図上側のガラス基板10
2に達するように設けられている。
を、マスクを介して露光現像することによりパターニン
グ形成されており、柱状突起107も区画壁106と同
様に、例えば感光性樹脂を、マスクを介して露光現像す
ることによりパターニング形成されている。これら信号
電極103、区画壁106及び柱状突起107の上は、
ポリイミド等からなる垂直配向層105が被覆されてい
る。
て液晶領域108の位置および大きさを規定している。
区画壁106によって囲まれた部分が液晶領域108と
なり、両信号電極103、104の間の電圧無印加時に
は、液晶領域108内の液晶分子が一対の基板101、
102に対して略垂直に配向し、電圧印加時には液晶分
子が各液晶領域108毎に軸対称状に配向する。また、
区画壁106と基板102との間に存在する柱状突起1
07は、基板102に接する故に、セル厚を一定に維持
する機能を有する。
の構成および動作原理を説明する。図10(a)及び図
10(b)は、軸対称状配向中心軸出し電圧無印加時
の、図10(c)及び図10(d)は、軸対称状配向中
心軸出し電圧印加時の状態を示し、図10(a)及び図
10(c)は断面図、図10(b)及び図10(d)は
上面をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察した結果を
しめす。
134の間に、誘電異方性が負の液晶分子142からな
る液晶層140が挟持されている。一対の基板132と
134の液晶層140に接する側の面には、それぞれ透
明電極131および133が形成され、さらに、その上
に垂直配向層138aおよび138bが形成されてい
る。また、一対の基板132と134の少なくとも一方
の液晶層140に接する側の面には、凸部136が形成
されている。
電圧印加時に軸対称状配向を呈する領域が凸部136に
よって規定される。したがって、図10(c)に示すよ
うに、軸対称状配向中心軸144を中心に、凸部136
によって規定された絵素領域内で、液晶分子142が軸
対称状配向する。
は、図10(a)に示すように、液晶分子142は、垂
直配向層の配向規制力によって、基板に垂直な方向に配
向している。軸対称状配向中心軸出し電圧無印加状態の
絵素領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察する
と、図10(b)に示したように、暗視野を呈する(ノ
ーマリーブラックモード)。軸対称状配向中心軸出し電
圧を印加すると、負の誘電異方性を有する液晶分子14
2に、液晶分子の長軸を電界の方向に対して垂直に配向
させる力が働くので、図10(c)に示すように基板に
垂直な方向から傾く(中間調表示状態)。この状態の絵
素領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察すると、
図10(d)に示すように、偏光軸に沿った方向に消光
模様が観察される。
曲線を示す。
していき、さらに電圧が上昇していくと透過率は飽和に
至る。透過率が飽和する電圧を飽和電圧(Vst)と呼
ぶ。また、Vst(飽和電圧)における透過率に対して
相対的に透過率が10%になる電圧をVth(しきい値
電圧)と呼ぶ。電圧無印加の状態から電圧を印加してい
くと、液晶分子が基板に垂直な方向から傾いていくが、
倒れる方向が一義的に決まらないため、凸部136によ
って規定される軸対称状配向を呈する液晶領域内に、複
数の軸対称状配向中心軸が形成される。複数の軸対称状
配向中心軸が存在する状態は、不安定な配向状態であり
透過率も安定しない。さらに1/2Vth以上の電圧を
印加し続けると、複数存在している軸対称状配向中心軸
が凸部136によって規定される液晶領域毎に一つにな
る。液晶層140に印加する電圧が、1/2Vthから
Vstまでの間にある場合には、透過率は図11に示し
た動作範囲内を可逆的に変化する。1/2Vth付近の
電圧を印加した状態においては、液晶分子は基板に対し
てほぼ垂直配向しているとともに、1/2Vth以上の
電圧を印加した時の軸対称状配向状態、すなわち軸対称
状配向中心軸に対する対称性を記憶している。しかしな
がら、電圧を無印加にしたり、印加電圧が1/2Vth
よりも低くなると、液晶分子は基板に対してほぼ垂直配
向しており、かつ軸対称状配向状態を記憶していない状
態に戻る。この状態から再度1/2Vth以上の電圧を
印加しても、一旦複数の軸対称状配向中心軸が形成され
る。例えば、液晶セル中に、n型の液晶材料を注入した
段階では、同様の挙動を示す。
無印加時には、液晶分子は基板に垂直な方向に配向して
黒表示となり、電圧印加時には、液晶分子が絵素領域毎
に形成された軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状配向
状態となり白表示となるノーマリーブラックモードで動
作する。しかしながら、電圧印加直後には複数の軸対称
状配向中心軸が形成されるため、電圧無印加状態を黒表
示とすると不安定な動作になる。この液晶表示装置にお
ける表示モードで安定な動作をするには、表示動作をさ
せる前にあらかじめ、絵素領域毎に一つの軸対称状配向
中心軸を形成しておくことが望ましい。
域毎に一つの軸対称状配向中心軸を形成しておくには、
一定の電圧、すなわち1/2Vth以上の電圧を印加す
ればよい。このようにして絵素領域毎に唯一の軸対称状
配向中心軸が形成され、白表示時に安定した軸対称状配
向状態が実現される。しかしながら、一旦電圧無印加状
態にすると、初期の複数の軸対称状配向中心軸が形成さ
れる不安定な状態に戻ってしまうので、表示を始めてか
らは、黒表示においても、電圧無印加状態ではなく、一
定の電圧、すなわち1/2Vth付近の電圧が印加され
ている状態で使用する。この表示モードでは、動作電圧
として安定な軸対称状配向状態が得られる電圧の範囲
(1/2Vth以上でVst以下の電圧)で使用する。
毎の液晶分子を安定に軸対称状配向させるべく、少なく
ともどちらか一方の基板の液晶領域に対応する領域の液
晶層に接する表面に、高分子材料からなる軸対称状配向
固定層を設ける技術を開示している。この軸対称状配向
固定層の形成は、一対の基板間に、すくなくとも液晶材
料と光硬化性材料とからなる前駆体混合物を配置してお
き、該混合物を電圧を印加しながら硬化することによっ
て実現できる。上記印加電圧は、前述した軸対称状配向
が安定化する1/2Vth以上で、Vst以下であれば
よい。
従来の大型表示装置に適用する場合においては、以下の
問題がある。
り、ITOは抵抗率が高く、大画面になるほど、パネル
内での液晶層にかかる印加電圧が不均一になる。
電圧として安定な軸対称状配向状態が得られる電圧の範
囲(1/2Vth以上でVst以下の電圧)で使用して
いる。大画面化にすると、黒表示において印加される電
圧のパネル内で不均一さが大きくなり、1/2Vth以
下の電圧しかかからずに、安定した軸対称状配向状態が
得られない画素が存在し、表示むらとなり、ざらつきの
原因となっていた。表示むらを無くそうとすると、駆動
電圧を高くする必要があった。
も液晶材料と光硬化性材料とからなる前駆体混合物を電
圧を印加しながら硬化することによって、少なくともど
ちらか一方の基板の液晶領域に対応する領域の液晶層に
接する表面に、高分子材料からなる軸対称状配向固定層
を形成している。上記軸対称状配向固定層を形成する工
程において、液層分子が基板の法線方向に対してある角
度(チルト角)でチルトしていることが重要である。液
晶分子を基板の法線方向に対してある角度でチルトさせ
るには、電圧を印加すれば良い。印加電圧は、前述した
表示モード時に軸対称状配向が安定化する1/2Vth
以上で、Vst以下であればよい。上記軸対称状配向固
定層の形成時の印加電圧も、大画面化になると、パネル
内で不均一さが大きくなり、上記軸対称状配向固定層の
形成時に1/2Vth以下の電圧しか印加されない画素
が増え、配向が固定されずに液晶パネルが作製され、表
示の際に、軸対称状配向状態が不安定になり、表示むら
となり、ざらつきの原因となったり、立ち上がり時間が
遅くなるなどの問題があった。
決すべくなされたものであり、大画面でも、均一に絵素
領域ごとに液晶分子が軸対称状配向した液晶領域を有
し、全方位視角特性の優れた、ざらつきのない高コント
ラストの液晶表示装置を提供することを目的とする。
は、一対の基板と該一対の基板に挟持された液晶層とを
有し、該一対の基板上に透明電極が形成されており、該
液晶層は絵素毎に少なくとも一つの絵素領域を有し、該
絵素領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸
対称状に配向する液晶表示装置において、少なくとも一
方の基板の液晶層側の表面に、該透明電極と接するよう
に、該絵素領城を実質的に包囲する凸部が形成されてお
り、かつ、該凸部は導電性材料からなる領域を有してお
り、かつ、該導電性領域は該透明電極と接しており、そ
のことにより上記目的が達成される。
層の液晶分子は負の誘電異方性を有し、電圧無印加時に
は該液晶分子が該一対の基板に対して略垂直に配向し、
電圧印加時には該液晶分子が複数の絵素領域毎に軸対称
状配向中心軸を中心に軸対称状に配向する構成とするこ
とができる。
の基板の少なくとも一方の基板上に形成された透明電極
がストライプ状である構成とすることができる。
の導電性領域が単層の金属薄膜、または多層の金属薄膜
からなる構成であってもよい。
が導電性領域と絶縁層とからなり、該導電性領域の上に
該絶縁層が積層された構成となっていてもよい。
が導電性領域と絶縁層とからなり、該導電性領域を覆う
ように該絶縁層が形成された構成となっていてもよい。
薄膜が、アルミニウム、クロム、ニッケル、モリブデ
ン、チタン、銅、銀もしくは金の単体、またはこれらの
2種以上の合金からなる構成であってもよい。
の幅が5μm以上20μm以下であることが好ましい。
の高さが液晶層厚の20%以上80%以下であることが
好ましい。
電極の膜厚が700オングストローム以上4000オン
グストローム以下の範囲内にあることが好ましい。
の面抵抗率が0.5オーム/□以上2.0オーム/□以
下の範囲内にあることが好ましい。
囲する凸部の存在により、液晶層の絵素領域の位置及び
大きさが規定され、液素領域内の液晶分子が軸対称状配
向中心軸を中心に軸対称状に配向する。このとき、凸部
の導電性領域が透明電極と接するように形成されている
ことにより、その凸部の導電性領域が透明電極の補助電
極として機能し、結果として、電極の低抵抗化が実現で
きる。それにより、動作電圧および、軸対称状配向固定
層形成時の印加電圧の液晶パネル内の不均一性が小さく
なるため、液晶パネル内で均一で安定した軸対称状配向
状態を実現することができ、液晶表示装置の表示品位を
向上させることができる。
形成することにより、安価なウエットエッチングで精度
よく凸部を形成することができる。
で形成することができる。例えば、前記透明電極がIT
Oであり、前記凸部の導電性領域がアルミニウムまたは
アルミニウムの合金であるとき、前記導電性領域の前記
透明電極に接する側にさらに金属薄膜を形成し、ITO
の還元電位とアルミニウムの酸化電位との差よりも、I
TOの還元電位と前記透明電極に接する側に形成した金
属薄膜の酸化電位との差を小さくすることにより、アル
ミニウム薄膜のパターニングのフォトリソグラフィー工
程中の現像工程において、ITOとアルミニウム間で酸
化還元反応が起き腐食する、いわゆる電食反応の発生を
防ぐことができ、凸部の導電性領域をポジレジストでパ
ターニングすることが可能となり、より微細加工が可能
となり、液晶表示装置の高精細化が実現できる。例え
ば、前記透明電極に接する側に形成する金属薄膜とし
て、モリブデンまたはモリブデンの合金の薄膜を使用す
ることができる。
積層した多層構造にすることにより、前記凸部の上に形
成する配向膜との密着性を良くすることができる。ま
た、前記凸部と他方の基板に形成した透明電極との上下
リークを防止することができる。
となく、前記導電性領域をパターニング形成する時に用
いるフォトレジストをエッチング後、剥離せずにそのま
ま用いることにより、工程を簡略化することができる。
絶縁層で被覆することにより、隣接する凸部の導電性領
域間で発生する横電界による液晶分子の配向の乱れを防
止することができる。
の基本構成について、図1に基づいて説明する。
示すように、一対の基板32と34の間に、誘電異方性
が負の液晶分子42からなる液晶層40が挟持されてい
る。一対の基板32と34の液晶層40に接する側の面
には、それぞれITOからなる透明電極31および33
が形成され、その少なくとも一方の透明電極31の上に
は、導電性材料からなる凸部36が透明電極31と接触
して形成されている。さらに、その上に垂直配向層38
aおよび38bが形成されている。
ム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀も
しくは金の単体、またはこれらの2種以上の合金を使用
するのが好ましい。その理由は、ITOより体積抵抗が
小さいからである。
以下とするのは、5μmより小さい場合は、断線等の問
題が発生し易くなり、20μmを超える場合には、開口
率を著しく低下させることとなるからである。
20%以上80%以下とするのは、20%より小さい場
合には、軸対称状配向が形成されなくなり、80%を超
える場合には、上下基板でショートが起こるからであ
る。
ローム以上4000オングストローム以下の範囲内にす
るのは、700オングストロームより小さい場合には、
ガラス基板から透明電極がはがれ易くなり、4000オ
ングストロームを超える場合には、光の透過率を著しく
悪化させることになるからである。
/□以上2.0オーム/□以下の範囲内にするのは、
0.5オーム/□より小さくするためには、不必要に凸
部の幅を広げるか、または、凸部の高さを高くせざるを
得なくなり、開口率が低くなるか、他方の基板に形成し
た透明電極との間で上下リークが発生する原因となり、
2.0オーム/□を超える場合には、低抵抗化を実現し
得ないことになるからである。
称状配向中心軸出し電圧印加時に軸対称状配向を呈する
領域が凸部36によって規定される。したがって、図1
(c)に示すように、軸対称状配向中心軸44を中心
に、凸部36によって規定された絵素領域内で、液晶分
子42が軸対称状配向する。
は、図1(a)に示すように、液晶分子42は、垂直配
向層の配向規制力によって、基板に垂直な方向に配向し
ている。軸対称状配向中心軸出し電圧無印加状態の絵素
領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察すると、図
1(b)に示したように、暗視野を呈する(ノーマリー
ブラックモード)。軸対称状配向中心軸出し電圧を印加
すると、負の誘電異方性を有する液晶分子42に、液晶
分子の長軸を電界の方向に対して垂直に配向させる力が
働くので、図1(c)に示すように基板に垂直な方向か
ら傾く(中間調表示状態)。この状態の絵素領域をクロ
スニコル状態の偏光顕微鏡で観察すると、図1(d)に
示すように偏光軸に沿った方向に消光模様が観察され
る。
は絵素領域を取り囲むように凸部36を有している。こ
の凸部36が無く、液晶層40の厚さ(セルギャップ)
が均一な場合、液晶ドメイン(連続的に配向した領域:
ディスクリネーションラインの発生が無い領域)が形成
される位置または大きさを規定できないので、ランダム
配向状態になってしまい、中間調表示においてざらつい
た表示となる。
より、軸対称状配向を呈する液晶領域の位置および大き
さが規定される。また、凸部36は液晶層40の厚さを
制御しており、絵素領域間の液晶分子の相互作用を弱め
るために形成されている。液層層40の厚さは絵素領域
周辺の液晶層の厚さ(dout)が絵素領域内の(開口
部)の液晶層の厚さ(din)より小さく(din>d
out)なっており、さらに0.2×din≦dout
≦0.8×dinの関係を満足することが好ましい。す
なわち、0.2×din>doutの場合、この凸部3
6が絵素領域間の液晶分子の相互作用を弱める効果が十
分でなく、絵素領域ごとに単一の軸対称状配向領域を形
成することが困難な場合がある。さらに、dout>
0.8dinでは、液晶セルへの液晶材料の注入が困難
になる場合がある。
小単位として定義される。本願明細書において用いられ
る「絵素領域」という用語は、「絵素」に対応する表示
装置の一部の領域をさす。ただし、縦横比が大きい絵素
(長絵素)の場合、一つの長絵素に対して、複数の絵素
領域を形成してもよい。絵素に対応して形成される絵素
領域の数は、軸対称状配向が安定に形成され得る限り、
できるだけ少ない方が好ましい。
円状(タンジェンシャル状)などの配向をいう。
表示装置の模式図を示す。図2(a)は、図2(b)の
X−X線による断面図、図2(b)は平面図を示す。
2、8を有し、間に液晶層16が設けられている。一方
(図上側)のガラス基板2の上には、ITOからなる透
明電極3と垂直配向層22とが、前者を基板2側にして
形成されている。他方(図下側)のガラス基板8の上に
は、ITOからなる透明電極10が形成され、透明電極
10上にはアルミニウムからなる凸部17が形成されて
いる。この凸部17は、図2(b)に示すように、絵素
領域15を囲むように設けられている。また、透明電極
10および凸部17の外表面には、垂直配向層22が形
成されている。
間の絵素領域外には、柱状スペーサ20が形成されてい
る(図2(b)参照)。この柱状スペーサ20は両基板
2、8の間隔を調整するものであり、両基板2、8に達
するように設けられており、この柱状スペーサ20の周
面にも垂直配向層21が形成されている。
に製造される。
らなる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、
JALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに透明電極10上にアルミ
ニウムからなる凸部17を形成する。この凸部17の形
成は、アルミニウム薄膜を厚み3μmに形成し、透明電
極10の両端から幅10μmの領域を残すように、絵素
領域15に対応する箇所をフォトリソグラフィーとエッ
チングにより除去することにより行った。なお、ここで
は、金属薄膜としてアルミニウムを用いたが、本発明は
これに限らず、クロム、ニッケル、モリブデン、チタ
ン、銅、銀もしくは金の単体を用いても、または、アル
ミニウム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、
銅、銀もしくは金の2種以上の合金を用いてもよい。
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.2オーム
/□であった。
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察した結果を示す図である。
いて、液晶パネル全体にわたって、各絵素領域内の液晶
分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に配向し、
かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域のほぼ中心部位
置に形成されているのが観察され、ザラツキや表示むら
のない視角特性の優れた液晶表示装置を得ることができ
た。
7が多層の金属薄膜で形成されていること以外は、実施
形態1と同様に、液晶表示装置を形成する。
なる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、J
ALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに透明電極10上にモリブ
デンとアルミニウムの2層からなる凸部17を形成す
る。この凸部17の形成は以下のように行った。例え
ば、蒸着法でモリブデンを厚み約100nm、続けてア
ルミニウムを厚み約3μm形成し、さらに、ポジ型フォ
トレジスト(TFRB−3;東京応化(株)社製)を厚
み約1μm塗布した後、露光、現像する。このとき、ア
ルミニウム薄膜とITO(透明電極10)との間にモリ
ブデン薄膜が存在することにより、現像時にITOにピ
ンホールが発生することを防ぐことができる。続いて、
アルミニウム薄膜とモリブデン薄膜を同時に、透明電極
10の両端から幅10μmの領域を残すように、絵素領
域15に対応する箇所をエッチングにより除去し、更
に、フォトレジストを剥離することにより凸部17を形
成した。なお、ここでは、金属薄膜としてアルミニウム
とモリブデンを用いたが、本発明はこれに限らず、クロ
ム、ニッケル、チタン、銅、銀もしくは金の単体を用い
ても、または、多層の金属薄膜の各々の層に、アルミニ
ウム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀
もしくは金の2種以上の合金を用いてもよい。
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.5オーム
/□であった。
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察したところ、実施形態1と同様に、
白表示時において、液晶パネル全体にわたって、各絵素
領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称
状に配向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域の
ほぼ中心部位置に形成されているのが観察され、ザラツ
キや表示むらのない視角特性の優れた液晶表示装置を得
ることができた。
7が金属薄膜と絶縁層としての有機樹脂層との多層膜で
形成されていること以外は、実施形態1と同様に、液晶
表示装置を形成する。
なる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、J
ALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに図4に示すように透明電
極10上にアルミニウムからなる導電性領域17aとレ
ジストからなる絶縁層17bの2層からなる凸部17を
形成する。この凸部17の形成は、以下のように行っ
た。例えば、スパッタ法でアルミニウムを厚み約0.5
μm形成し、さらに、ポジ型フォトレジスト(TFRB
−3;東京応化(株)社製)を厚み約2.5μm塗布し
た後、露光、現像し、続いて、アルミニウム薄膜を透明
電極10の両端から幅20μmの領域を残すように、絵
素領域15に対応するアルミニウム薄膜の箇所をエッチ
ングにより除去することにより行った。この実施形態3
の凸部17は、アルミニウム薄膜17aの上に、それと
同一面積でレジスト17bが形成された構成である。金
属薄膜としてアルミニウムを用いたが、本発明はこれに
限らず、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、
銀もしくは金の単体を用いても、または、アルミニウ
ム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀も
しくは金の2種以上の合金を用いてもよい。
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.4オーム
/□であった。
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察したところ、実施形態1と同様に、
白表示時において、液晶パネル全体にわたって、各絵素
領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称
状に配向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域の
ほぼ中心部位置に形成されているのが観察され、ザラツ
キや表示むらのない視角特性の優れた液晶表示装置を得
ることができた。
態3と同様に、凸部17が金属薄膜と絶縁層としての有
機樹脂層との多層膜で形成されていること以外は、実施
形態1と同様に、液晶表示装置を形成する。但し、上述
した実施形態3では金属薄膜の上に、それと同一面積で
絶縁層を形成しているが、本実施形態4は金属薄膜の上
面と側面とを覆うように絶縁層を形成する場合である。
なる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、J
ALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに図5に示すように透明電
極10上にアルミニウムからなる導電性領域17aとレ
ジストからなる絶縁層17bの2層からなる凸部17を
形成する。この凸部17の形成は、以下のように行っ
た。例えば、スパッタ法でアルミニウムを厚み約1μm
形成し、さらに、ポジ型フォトレジスト(TFRB−
3;東京応化(株)社製)を厚み約2μm塗布した後、
露光、現像する。続いて、アルミニウム薄膜を透明電極
10の両端から幅10μmの領域を残すように、絵素領
域15に対応するアルミニウム薄膜の箇所をエッチング
により除去し、その後、フォトレジストを約120℃で
焼成して、アルミニウム薄膜の上にのみ存在するフォト
レジストを軟化させ、アルミニウム薄膜17aの上面と
側面とをフォトレジスト17bで被覆させることによ
り、凸部17を形成した。金属薄膜としてアルミニウム
を用いたが、本発明はこれに限らず、クロム、ニッケ
ル、モリブデン、チタン、銅、銀もしくは金の単体を用
いても、または、アルミニウム、クロム、ニッケル、モ
リブデン、チタン、銅、銀もしくは金の2種以上の合金
を用いてもよい。
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.6オーム
/□であった。
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察したところ、実施形態1と同様に、
白表示時において、液晶パネル全体にわたって、各絵素
領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称
状に配向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域の
ほぼ中心部位置に形成されているのが観察され、ザラツ
キや表示むらのない視角特性の優れた液晶表示装置を得
ることができた。
おいては、金属薄膜で2層とし、または金属薄膜と有機
樹脂層(例えばレジスト)とで2層としているが、本発
明はこれに限らず、同様の材質構成で2層より多い3層
以上の多層構造としてもよいことはもちろんである。ま
た、このことは、後述する実施形態5に、実施形態2〜
実施形態4を適用する場合においても同様である。
ドレス型の液晶表示装置に適用した場合である。
ス型の液晶表示装置の具体的構成を示す模式断面図であ
る。
一方側(図の上側)に透明なガラス等からなる基板58
を有し、他方側(図の下側)に誘電体シートとしての薄
板ガラス53と基板54とが対向配設されたプラズマ発
生基板52を有する。プラズマ基板52の基板54と薄
板ガラス53との間には、ライン状に隔壁57が形成さ
れ、この隔壁57と、基板54と、薄板ガラス53とで
囲まれた空間は、電離用ガスが封入されたライン状のチ
ャンネル55を構成する。各チャンネル55内には、電
離用ガスをイオンするためのアノード電極Aおよびカソ
ード電極Kが設けられている。
ーフィルタ63が設けられており、その上に、データ線
としての透明電極60が、ストライプ状に、かつ、ライ
ン状のチャンネル55に対して交差して、例えば垂直方
向に配線されている。前記液晶層59は、基板58と薄
板ガラス53とに挟持されており、基板58と薄板ガラ
ス53との間のセル厚は、柱状スペーサ67にて一定に
維持されている。なお、基板58および薄板ガラス53
の液晶層59側の表面には、垂直配向膜68が形成され
ている。また、基板58、カラーフィルタ63、透明電
極60および液晶層59からなる部分は表示セル51を
構成する。
側(図上側)に偏光板69aが設けられ、他方側(図下
側)に偏光板69bとバックライト62とが設けられて
いる。
造方法は、図2のガラス基板8の代わりに、図6で示す
プラズマ発生基板52を用いる。このプラズマ発生基板
52の作製は、公知の方法により作製される。
液晶表示装置の表示セル51部分の詳細な模式図を示
す。図7(a)は図7(b)のX−X線による断面図、
図7(b)は平面図を示す。
204(日本合成ゴム社製)をスピンコートし、垂直配
向層68を形成した。
ィルタ63を形成し、その上に、ITOからなる厚み7
00nm、幅160μmの透明電極60をストライプ状
に形成し、さらに透明電極60上にアルミニウムからな
る凸部70を形成する。この凸部70の形成は、アルミ
ニウム薄膜を厚み3μmに形成し、透明電極60の両端
から幅10nmの領域を残すように、絵素領域71に対
応する箇所をフォトリソグラフィーとエッチングにより
除去することにより行った。さらに、透明電極60と透
明電極60の間の絵素領域外に、感光性ポリイミドを用
いて、高さ約5μmの柱状スペーサ67を形成した。さ
らに、透明電極60および凸部70が形成されたガラス
基板58上に、JALS−204(日本合成ゴム社製)
をスピンコートし、垂直配向層68を形成した。この実
施形態でもアルミニウムに限らず、上述したような金属
単体または合金を用いることができる。
ラス53と、表示セル51側のガラス基板58とを貼り
合わせ、さらに、薄板ガラス53とガラス基板58との
間に液晶層59としてn型液晶材料(Δε=−4.0、
Δn=0.08、セルギャップ5μmで90°ツイスト
となるように液晶材料固有のツイスト角を設定)を注入
した。なお、透明電極60および凸部70の2層構造電
極としての面抵抗率は1.2オーム/□であった。
51とが貼り合わせられたものの両側に、図6に示すよ
うに偏光板69a、69bをクロスニコル状態になるよ
うに配置し、更に偏光板69bの外側にバックライト6
2を設け、プラズマアドレス型液晶表示装置を完成し
た。
置を表示状態にし、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコ
ル)を用いて透過モードで観察すると、図3と同様の結
果が得られた。
において、パネル全体にわたって、各絵素領域内の液晶
分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に配向し、
かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域のほぼ中心部位
置に形成されているのが観察され、ザラツキや表示むら
のない視角特性の優れたプラズマアドレス型液晶表示装
置を得ることができた。
表示装置の断面図を示す。
造されている。すなわち、一方のガラス基板102上
に、ITOからなる厚み700nmの透明電極104を
形成し、さらに、JALS−204(日本合成ゴム社
製)をスピンコートして垂直配向層105を形成した。
なる厚み700nmの透明電極103を形成し、さら
に、透明電極103上の絵素領域外に、感光性ポリイミ
ドを用いて、高さ約5μmのスペーサ107を形成し
た。その後、アクリル系ネガ型レジストで、高さ約3μ
mの凸部106を形成した。凸部106で包囲される領
域、すなわち絵素領域の大きさは、190μm×325
μmとした。その上に、JALS−204(日本合成ゴ
ム社製)をスピンコートし、垂直配向層105を形成し
た。
に、基板間に液晶層109としてn型液晶材料(Δε=
−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5μmで90
°ツイストとなるように液晶材料固有のツイスト角を設
定)を注入することにより、液晶セルを完成させた。透
明電極103の面抵抗率は6.0オーム/□であった。
スニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成
した。
圧を印加しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコ
ル)を用いて透過モードで観察した結果を示す。
いて、各絵素領域内の液晶分子が中心軸を中心に軸対称
状に配向しているが、絵素領域によっては軸対称状配向
中心軸が、絵素領域の中心部から大きくずれた位置に形
成されているものが観察され、ザラツキや表示むらのな
い視角特性の優れた液晶表示装置を得ることができなか
った。
ドレス型液晶表示装置に実施形態1を適用した構成であ
るが、本発明はこれに限らず、プラズマアドレス型液晶
表示装置に上述した実施形態2〜実施形態4を適用する
ことができる。その場合でも得られたプラズマアドレス
型液晶表示装置は、実施形態5と同様に、各絵素領域内
の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に配
向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域のほぼ中
心部位置に形成されているのが観察され、ザラツキや表
示むらのない視角特性の優れたものになることはもちろ
んである。
は、絵素領域を実質的に包囲する凸部の存在により、液
晶層の絵素領域の位置及び大きさが規定され、液素領域
内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に
配向し、このとき、凸部の導電性領域が透明電極と接す
るように形成されているので、その凸部の導電性領域が
透明電極の補助電極として機能し、結果として、電極の
低抵抗化が実現でき、それにより、動作電圧および、軸
対称状配向固定層形成時の印加電圧の液晶パネル内の不
均一性が小さくなるため、液晶パネル内で均一で安定し
た軸対称状配向状態を実現することができ、液晶表示装
置の表示品位を向上させることができる。
形成することにより、安価なウエットエッチングで精度
よく凸部を形成することができる。また、前記凸部の導
電性領域を、多層の金属薄膜で形成する場合、電食反応
の発生を防ぐことができ、凸部の導電性領域をポジレジ
ストでパターニングすることが可能となり、より微細加
工が可能となり、液晶表示装置の高精細化が実現でき
る。
した多層構造にする場合は、凸部の上に形成する配向膜
との密着性を良くすることができ、また、凸部と他方の
基板に形成した透明電極との上下リークを防止すること
ができる。また、記絶縁層として、新たに膜を形成する
ことなく、導電性領域をパターニング形成する時に用い
るフォトレジストをエッチング後、剥離せずにそのまま
用いることにより、工程を簡略化することができる。ま
た、凸部の導電性領域の上面および側面を絶縁層で被覆
する場合は、隣接する凸部の導電性領域間で発生する横
電界による液晶分子の配向の乱れを防止することができ
る。
の液晶分子が軸対称状に配向した視角特性の優れた高コ
ントラストの液晶表示装置が提供される。得られた本発
明の液晶表示装置は、特に、HDTVなどの高品位テレ
ビやCAD用ディスプレイなどへの応用に適した大型の
液晶表示装置に好適に用いられる。
る為の図であり、(a)及び(b)は軸対称状配向中心
軸出し電圧無印加時の、(c)及び(d)は軸対称状配
向中心軸出し電圧印加時の状態を示し、(a)及び
(c)は断面図、(b)および(d)は上面をクロスニ
コル状態の偏光顕微鏡で観察した結果を示す。
あり、(a)は断面図、(b)は平面図を示す。
て、軸対称状配向中心軸の位置と表示品質との関係を説
明するための図である。
断面図である。
断面図である。
表示装置を示す断面図である。
表示装置の表示セル部分を示す図であり、(a)は断面
図、(b)は平面図を示す。
との関係を説明するための図である。
断面図、(b)は平面図を示す。
理を説明する図であり、(a)及び(b)は軸対称状配
向中心軸出し電圧無印加時の、(c)及び(d)は軸対
称状配向中心軸出し電圧印加時の状態を示し、(a)及
び(c)は断面図、(b)および(d)は上面をクロス
ニコル状態の偏光顕微鏡で観察した結果を示す。
る。
Claims (11)
- 【請求項1】 一対の基板と該一対の基板に挟持された
液晶層とを有し、該一対の基板上に透明電極が形成され
ており、該液晶層は絵素毎に少なくとも一つの絵素領域
を有し、該絵素領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸
を中心に軸対称状に配向する液晶表示装置において、 少なくとも一方の基板の液晶層側の表面に、該透明電極
と接するように、該絵素領城を実質的に包囲する凸部が
形成されており、かつ、該凸部は導電性材料からなる領
域を有しており、かつ、該導電性領域は該透明電極と接
していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記液晶層の液晶分子は負の誘電異方性
を有し、電圧無印加時には該液晶分子が該一対の基板に
対して略垂直に配向し、電圧印加時には該液晶分子が複
数の絵素領域毎に軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状
に配向する請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記一対の基板の少なくとも一方の基板
上に形成された透明電極がストライプ状であることを特
徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記凸部の導電性領域が単層の金属薄
膜、または多層の金属薄膜からなる請求項1ないし3の
いずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記凸部が導電性領域と絶縁層とからな
り、該導電性領域の上に該絶縁層が積層された構成とな
っている請求項1ないし4のいずれかに記載の液晶表示
装置。 - 【請求項6】 前記凸部が導電性領域と絶縁層とからな
り、該導電性領域を覆うように該絶縁層が形成された構
成となっている請求項1ないし4のいずれかに記載の液
晶表示装置。 - 【請求項7】 前記金属薄膜が、アルミニウム、クロ
ム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀もしくは金
の単体、またはこれらの2種以上の合金からなることを
特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。 - 【請求項8】 前記凸部の幅が5μm以上20μm以下
であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに
記載の液晶表示装置。 - 【請求項9】 前記凸部の高さが液晶層厚の20%以上
80%以下であることを特徴とする請求項1ないし4の
いずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項10】 前記透明電極の膜厚が700オングス
トローム以上4000オングストローム以下の範囲内に
あることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記
載の液晶表示装置。 - 【請求項11】 前記凸部の面抵抗率が0.5オーム/
□以上2.0オーム/□以下の範囲内にあることを特徴
とする請求項1ないし4のいずれかに記載の液晶表示装
置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2620498A JP3408134B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2620498A JP3408134B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11223814A true JPH11223814A (ja) | 1999-08-17 |
JP3408134B2 JP3408134B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=12186945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2620498A Expired - Lifetime JP3408134B2 (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3408134B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6977704B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-12-20 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display |
US7151582B2 (en) | 2001-04-04 | 2006-12-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with negative retardation of retardation plates being approximately zero. |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP2620498A patent/JP3408134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6977704B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-12-20 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display |
US7499132B2 (en) | 2001-03-30 | 2009-03-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
US7872719B2 (en) | 2001-03-30 | 2011-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
US8531634B2 (en) | 2001-03-30 | 2013-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
US8797485B2 (en) | 2001-03-30 | 2014-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
US7151582B2 (en) | 2001-04-04 | 2006-12-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with negative retardation of retardation plates being approximately zero. |
US7450205B2 (en) | 2001-04-04 | 2008-11-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with retardation plates |
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