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JPH11223814A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

Info

Publication number
JPH11223814A
JPH11223814A JP2620498A JP2620498A JPH11223814A JP H11223814 A JPH11223814 A JP H11223814A JP 2620498 A JP2620498 A JP 2620498A JP 2620498 A JP2620498 A JP 2620498A JP H11223814 A JPH11223814 A JP H11223814A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
transparent electrode
layer
Prior art date
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Granted
Application number
JP2620498A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3408134B2 (ja
Inventor
Yasuhito Kume
康仁 久米
Masahiko Kondo
正彦 近藤
Kazuyuki Kishimoto
和之 岸本
Noriaki Nakamura
憲明 中村
Katsuyuki Himeshima
克行 姫島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2620498A priority Critical patent/JP3408134B2/ja
Publication of JPH11223814A publication Critical patent/JPH11223814A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3408134B2 publication Critical patent/JP3408134B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大画面でも、均一に絵素領域ごとに液晶分子
が軸対称状配向した液晶領域を有し、全方位視角特性の
優れた、ざらつきのない高コントラストの液晶表示装置
を提供する。 【解決手段】 一対の基板32と34の間に液晶層40
が挟持されている。一対の基板32と34の液晶層40
に接する側の面には、それぞれITOからなる透明電極
31および33が形成され、その少なくとも一方の透明
電極31の上には、導電性材料からなる凸部36が透明
電極31と接触して形成されている。さらに、その上に
垂直配向層38aおよび38bが形成されている。軸対
称状配向中心軸出し電圧印加時に軸対称状配向を呈する
領域が凸部36によって規定される。したがって、軸対
称状配向中心軸44を中心に、凸部36によって規定さ
れた絵素領域内で、液晶分子42が軸対称状配向する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、HDTVなどの高品位テレビやCAD用ディ
スプレイなどへの応用に適した大型の液晶表示装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の視野角特性を改善する方
法として、液晶分子を各絵素ごとに軸対称状に配向した
表示モード(Axially Symmetric A
ligned Microcell Mode:ASM
モード)が、特開平7−120728号公報に開示され
ている。この方式は、液晶材料と光硬化樹脂との混合物
から相分離を利用して液晶分子を軸対称状に配向させる
技術であり、軸対称状配向中心軸出し電圧を印加するこ
とにより、軸対称状に配向した液層分子が基板に対して
垂直に配向するp型の表示モードである。
【0003】また、他の技術として、特願平8−341
590において、電極を各々有する一対の基板と、該一
対の基板に挟持された液晶層とを有し、該液晶層の液晶
分子は負の誘電異方性を有し、軸対称状配向中心軸出し
電圧無印加時には、該液晶分子が該一対の基板に対して
垂直に配向しており、軸対称状配向中心軸出し電圧の印
加時には、該液晶分子が複数の絵素領域毎に軸対称状に
配向する液晶表示装置が開示されている。本提案の液晶
表示装置においては、ノーマリーブラックモードで動作
するため、従来のASMモードの液晶表示装置に比べて
高コントラストを得ることができ、また、簡単に製造す
ることができる。
【0004】図9に従来のn型ASMの液晶表示装置の
模式図を示す。図9(b)はその平面図、図9(a)は
図9(b)のX−X線による断面図である。
【0005】この液晶表示装置は、所定の間隔をもって
対向配設されたガラス基板101とガラス基板102と
を有し、両基板101、102間には負の誘電率異方性
を有する液晶材料からなる液晶層109が挟持されてい
る。図上側のガラス基板102の内表面には、信号電極
104がストライプ状に形成されており、この上を覆っ
てポリイミド等の垂直配向層105がほぼ全面に形成さ
れている。
【0006】また、図下側のガラス基板101の内表面
には、信号電極103が前記信号電極104と交差する
状態でストライプ状に形成されており、さらにその上に
格子状の区画壁106が設けられ、この区画壁106の
上に選択的に柱状突起107が図上側のガラス基板10
2に達するように設けられている。
【0007】前記区画壁106は、例えば感光性樹脂
を、マスクを介して露光現像することによりパターニン
グ形成されており、柱状突起107も区画壁106と同
様に、例えば感光性樹脂を、マスクを介して露光現像す
ることによりパターニング形成されている。これら信号
電極103、区画壁106及び柱状突起107の上は、
ポリイミド等からなる垂直配向層105が被覆されてい
る。
【0008】この技術においては、区画壁106によっ
て液晶領域108の位置および大きさを規定している。
区画壁106によって囲まれた部分が液晶領域108と
なり、両信号電極103、104の間の電圧無印加時に
は、液晶領域108内の液晶分子が一対の基板101、
102に対して略垂直に配向し、電圧印加時には液晶分
子が各液晶領域108毎に軸対称状に配向する。また、
区画壁106と基板102との間に存在する柱状突起1
07は、基板102に接する故に、セル厚を一定に維持
する機能を有する。
【0009】図10を参照しながら、この液晶表示装置
の構成および動作原理を説明する。図10(a)及び図
10(b)は、軸対称状配向中心軸出し電圧無印加時
の、図10(c)及び図10(d)は、軸対称状配向中
心軸出し電圧印加時の状態を示し、図10(a)及び図
10(c)は断面図、図10(b)及び図10(d)は
上面をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察した結果を
しめす。
【0010】この液晶表示装置は、一対の基板132と
134の間に、誘電異方性が負の液晶分子142からな
る液晶層140が挟持されている。一対の基板132と
134の液晶層140に接する側の面には、それぞれ透
明電極131および133が形成され、さらに、その上
に垂直配向層138aおよび138bが形成されてい
る。また、一対の基板132と134の少なくとも一方
の液晶層140に接する側の面には、凸部136が形成
されている。
【0011】後述するように、軸対称状配向中心軸出し
電圧印加時に軸対称状配向を呈する領域が凸部136に
よって規定される。したがって、図10(c)に示すよ
うに、軸対称状配向中心軸144を中心に、凸部136
によって規定された絵素領域内で、液晶分子142が軸
対称状配向する。
【0012】軸対称状配向中心軸出し電圧無印加時に
は、図10(a)に示すように、液晶分子142は、垂
直配向層の配向規制力によって、基板に垂直な方向に配
向している。軸対称状配向中心軸出し電圧無印加状態の
絵素領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察する
と、図10(b)に示したように、暗視野を呈する(ノ
ーマリーブラックモード)。軸対称状配向中心軸出し電
圧を印加すると、負の誘電異方性を有する液晶分子14
2に、液晶分子の長軸を電界の方向に対して垂直に配向
させる力が働くので、図10(c)に示すように基板に
垂直な方向から傾く(中間調表示状態)。この状態の絵
素領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察すると、
図10(d)に示すように、偏光軸に沿った方向に消光
模様が観察される。
【0013】図11に、上記液晶表示装置の電圧透過率
曲線を示す。
【0014】電圧を印加していくと透過率が徐々に増加
していき、さらに電圧が上昇していくと透過率は飽和に
至る。透過率が飽和する電圧を飽和電圧(Vst)と呼
ぶ。また、Vst(飽和電圧)における透過率に対して
相対的に透過率が10%になる電圧をVth(しきい値
電圧)と呼ぶ。電圧無印加の状態から電圧を印加してい
くと、液晶分子が基板に垂直な方向から傾いていくが、
倒れる方向が一義的に決まらないため、凸部136によ
って規定される軸対称状配向を呈する液晶領域内に、複
数の軸対称状配向中心軸が形成される。複数の軸対称状
配向中心軸が存在する状態は、不安定な配向状態であり
透過率も安定しない。さらに1/2Vth以上の電圧を
印加し続けると、複数存在している軸対称状配向中心軸
が凸部136によって規定される液晶領域毎に一つにな
る。液晶層140に印加する電圧が、1/2Vthから
Vstまでの間にある場合には、透過率は図11に示し
た動作範囲内を可逆的に変化する。1/2Vth付近の
電圧を印加した状態においては、液晶分子は基板に対し
てほぼ垂直配向しているとともに、1/2Vth以上の
電圧を印加した時の軸対称状配向状態、すなわち軸対称
状配向中心軸に対する対称性を記憶している。しかしな
がら、電圧を無印加にしたり、印加電圧が1/2Vth
よりも低くなると、液晶分子は基板に対してほぼ垂直配
向しており、かつ軸対称状配向状態を記憶していない状
態に戻る。この状態から再度1/2Vth以上の電圧を
印加しても、一旦複数の軸対称状配向中心軸が形成され
る。例えば、液晶セル中に、n型の液晶材料を注入した
段階では、同様の挙動を示す。
【0015】上述したように前記液晶表示装置は、電圧
無印加時には、液晶分子は基板に垂直な方向に配向して
黒表示となり、電圧印加時には、液晶分子が絵素領域毎
に形成された軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状配向
状態となり白表示となるノーマリーブラックモードで動
作する。しかしながら、電圧印加直後には複数の軸対称
状配向中心軸が形成されるため、電圧無印加状態を黒表
示とすると不安定な動作になる。この液晶表示装置にお
ける表示モードで安定な動作をするには、表示動作をさ
せる前にあらかじめ、絵素領域毎に一つの軸対称状配向
中心軸を形成しておくことが望ましい。
【0016】表示動作をさせる前にあらかじめ、絵素領
域毎に一つの軸対称状配向中心軸を形成しておくには、
一定の電圧、すなわち1/2Vth以上の電圧を印加す
ればよい。このようにして絵素領域毎に唯一の軸対称状
配向中心軸が形成され、白表示時に安定した軸対称状配
向状態が実現される。しかしながら、一旦電圧無印加状
態にすると、初期の複数の軸対称状配向中心軸が形成さ
れる不安定な状態に戻ってしまうので、表示を始めてか
らは、黒表示においても、電圧無印加状態ではなく、一
定の電圧、すなわち1/2Vth付近の電圧が印加され
ている状態で使用する。この表示モードでは、動作電圧
として安定な軸対称状配向状態が得られる電圧の範囲
(1/2Vth以上でVst以下の電圧)で使用する。
【0017】更には、電圧印加時において、各絵素領域
毎の液晶分子を安定に軸対称状配向させるべく、少なく
ともどちらか一方の基板の液晶領域に対応する領域の液
晶層に接する表面に、高分子材料からなる軸対称状配向
固定層を設ける技術を開示している。この軸対称状配向
固定層の形成は、一対の基板間に、すくなくとも液晶材
料と光硬化性材料とからなる前駆体混合物を配置してお
き、該混合物を電圧を印加しながら硬化することによっ
て実現できる。上記印加電圧は、前述した軸対称状配向
が安定化する1/2Vth以上で、Vst以下であれば
よい。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の大型表示装置に適用する場合においては、以下の
問題がある。
【0019】一般に透明電極にはITOが用いられてお
り、ITOは抵抗率が高く、大画面になるほど、パネル
内での液晶層にかかる印加電圧が不均一になる。
【0020】上記の従来の技術の表示モードでは、動作
電圧として安定な軸対称状配向状態が得られる電圧の範
囲(1/2Vth以上でVst以下の電圧)で使用して
いる。大画面化にすると、黒表示において印加される電
圧のパネル内で不均一さが大きくなり、1/2Vth以
下の電圧しかかからずに、安定した軸対称状配向状態が
得られない画素が存在し、表示むらとなり、ざらつきの
原因となっていた。表示むらを無くそうとすると、駆動
電圧を高くする必要があった。
【0021】また、更なる従来の技術では、すくなくと
も液晶材料と光硬化性材料とからなる前駆体混合物を電
圧を印加しながら硬化することによって、少なくともど
ちらか一方の基板の液晶領域に対応する領域の液晶層に
接する表面に、高分子材料からなる軸対称状配向固定層
を形成している。上記軸対称状配向固定層を形成する工
程において、液層分子が基板の法線方向に対してある角
度(チルト角)でチルトしていることが重要である。液
晶分子を基板の法線方向に対してある角度でチルトさせ
るには、電圧を印加すれば良い。印加電圧は、前述した
表示モード時に軸対称状配向が安定化する1/2Vth
以上で、Vst以下であればよい。上記軸対称状配向固
定層の形成時の印加電圧も、大画面化になると、パネル
内で不均一さが大きくなり、上記軸対称状配向固定層の
形成時に1/2Vth以下の電圧しか印加されない画素
が増え、配向が固定されずに液晶パネルが作製され、表
示の際に、軸対称状配向状態が不安定になり、表示むら
となり、ざらつきの原因となったり、立ち上がり時間が
遅くなるなどの問題があった。
【0022】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、大画面でも、均一に絵素
領域ごとに液晶分子が軸対称状配向した液晶領域を有
し、全方位視角特性の優れた、ざらつきのない高コント
ラストの液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、一対の基板と該一対の基板に挟持された液晶層とを
有し、該一対の基板上に透明電極が形成されており、該
液晶層は絵素毎に少なくとも一つの絵素領域を有し、該
絵素領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸
対称状に配向する液晶表示装置において、少なくとも一
方の基板の液晶層側の表面に、該透明電極と接するよう
に、該絵素領城を実質的に包囲する凸部が形成されてお
り、かつ、該凸部は導電性材料からなる領域を有してお
り、かつ、該導電性領域は該透明電極と接しており、そ
のことにより上記目的が達成される。
【0024】本発明の液晶表示装置において、前記液晶
層の液晶分子は負の誘電異方性を有し、電圧無印加時に
は該液晶分子が該一対の基板に対して略垂直に配向し、
電圧印加時には該液晶分子が複数の絵素領域毎に軸対称
状配向中心軸を中心に軸対称状に配向する構成とするこ
とができる。
【0025】本発明の液晶表示装置において、前記一対
の基板の少なくとも一方の基板上に形成された透明電極
がストライプ状である構成とすることができる。
【0026】本発明の液晶表示装置において、前記凸部
の導電性領域が単層の金属薄膜、または多層の金属薄膜
からなる構成であってもよい。
【0027】本発明の液晶表示装置において、前記凸部
が導電性領域と絶縁層とからなり、該導電性領域の上に
該絶縁層が積層された構成となっていてもよい。
【0028】本発明の液晶表示装置において、前記凸部
が導電性領域と絶縁層とからなり、該導電性領域を覆う
ように該絶縁層が形成された構成となっていてもよい。
【0029】本発明の液晶表示装置において、前記金属
薄膜が、アルミニウム、クロム、ニッケル、モリブデ
ン、チタン、銅、銀もしくは金の単体、またはこれらの
2種以上の合金からなる構成であってもよい。
【0030】本発明の液晶表示装置において、前記凸部
の幅が5μm以上20μm以下であることが好ましい。
【0031】本発明の液晶表示装置において、前記凸部
の高さが液晶層厚の20%以上80%以下であることが
好ましい。
【0032】本発明の液晶表示装置において、前記透明
電極の膜厚が700オングストローム以上4000オン
グストローム以下の範囲内にあることが好ましい。
【0033】本発明の液晶表示装置において、前記凸部
の面抵抗率が0.5オーム/□以上2.0オーム/□以
下の範囲内にあることが好ましい。
【0034】以下、本発明の作用について説明する。
【0035】本発明にあっては、絵素領域を実質的に包
囲する凸部の存在により、液晶層の絵素領域の位置及び
大きさが規定され、液素領域内の液晶分子が軸対称状配
向中心軸を中心に軸対称状に配向する。このとき、凸部
の導電性領域が透明電極と接するように形成されている
ことにより、その凸部の導電性領域が透明電極の補助電
極として機能し、結果として、電極の低抵抗化が実現で
きる。それにより、動作電圧および、軸対称状配向固定
層形成時の印加電圧の液晶パネル内の不均一性が小さく
なるため、液晶パネル内で均一で安定した軸対称状配向
状態を実現することができ、液晶表示装置の表示品位を
向上させることができる。
【0036】また、前記凸部の導電性領域を金属薄膜で
形成することにより、安価なウエットエッチングで精度
よく凸部を形成することができる。
【0037】前記凸部の導電性領域を、多層の金属薄膜
で形成することができる。例えば、前記透明電極がIT
Oであり、前記凸部の導電性領域がアルミニウムまたは
アルミニウムの合金であるとき、前記導電性領域の前記
透明電極に接する側にさらに金属薄膜を形成し、ITO
の還元電位とアルミニウムの酸化電位との差よりも、I
TOの還元電位と前記透明電極に接する側に形成した金
属薄膜の酸化電位との差を小さくすることにより、アル
ミニウム薄膜のパターニングのフォトリソグラフィー工
程中の現像工程において、ITOとアルミニウム間で酸
化還元反応が起き腐食する、いわゆる電食反応の発生を
防ぐことができ、凸部の導電性領域をポジレジストでパ
ターニングすることが可能となり、より微細加工が可能
となり、液晶表示装置の高精細化が実現できる。例え
ば、前記透明電極に接する側に形成する金属薄膜とし
て、モリブデンまたはモリブデンの合金の薄膜を使用す
ることができる。
【0038】前記凸部は、前記導電性領域上に絶縁層を
積層した多層構造にすることにより、前記凸部の上に形
成する配向膜との密着性を良くすることができる。ま
た、前記凸部と他方の基板に形成した透明電極との上下
リークを防止することができる。
【0039】前記絶縁層として、新たに膜を形成するこ
となく、前記導電性領域をパターニング形成する時に用
いるフォトレジストをエッチング後、剥離せずにそのま
ま用いることにより、工程を簡略化することができる。
【0040】前記凸部の導電性領域の上面および側面を
絶縁層で被覆することにより、隣接する凸部の導電性領
域間で発生する横電界による液晶分子の配向の乱れを防
止することができる。
【0041】
【発明の実施の形態】まず、本発明に係る液晶表示装置
の基本構成について、図1に基づいて説明する。
【0042】この液晶表示装置の構成は、図1(a)に
示すように、一対の基板32と34の間に、誘電異方性
が負の液晶分子42からなる液晶層40が挟持されてい
る。一対の基板32と34の液晶層40に接する側の面
には、それぞれITOからなる透明電極31および33
が形成され、その少なくとも一方の透明電極31の上に
は、導電性材料からなる凸部36が透明電極31と接触
して形成されている。さらに、その上に垂直配向層38
aおよび38bが形成されている。
【0043】前記凸部36の材料としては、アルミニウ
ム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀も
しくは金の単体、またはこれらの2種以上の合金を使用
するのが好ましい。その理由は、ITOより体積抵抗が
小さいからである。
【0044】また、凸部36の幅を5μm以上20μm
以下とするのは、5μmより小さい場合は、断線等の問
題が発生し易くなり、20μmを超える場合には、開口
率を著しく低下させることとなるからである。
【0045】また、凸部36の高さを、液晶層の厚みの
20%以上80%以下とするのは、20%より小さい場
合には、軸対称状配向が形成されなくなり、80%を超
える場合には、上下基板でショートが起こるからであ
る。
【0046】また、透明電極の膜厚を700オングスト
ローム以上4000オングストローム以下の範囲内にす
るのは、700オングストロームより小さい場合には、
ガラス基板から透明電極がはがれ易くなり、4000オ
ングストロームを超える場合には、光の透過率を著しく
悪化させることになるからである。
【0047】また、前記凸部の面抵抗率を0.5オーム
/□以上2.0オーム/□以下の範囲内にするのは、
0.5オーム/□より小さくするためには、不必要に凸
部の幅を広げるか、または、凸部の高さを高くせざるを
得なくなり、開口率が低くなるか、他方の基板に形成し
た透明電極との間で上下リークが発生する原因となり、
2.0オーム/□を超える場合には、低抵抗化を実現し
得ないことになるからである。
【0048】この構成の液晶表示装置においては、軸対
称状配向中心軸出し電圧印加時に軸対称状配向を呈する
領域が凸部36によって規定される。したがって、図1
(c)に示すように、軸対称状配向中心軸44を中心
に、凸部36によって規定された絵素領域内で、液晶分
子42が軸対称状配向する。
【0049】軸対称状配向中心軸出し電圧無印加時に
は、図1(a)に示すように、液晶分子42は、垂直配
向層の配向規制力によって、基板に垂直な方向に配向し
ている。軸対称状配向中心軸出し電圧無印加状態の絵素
領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察すると、図
1(b)に示したように、暗視野を呈する(ノーマリー
ブラックモード)。軸対称状配向中心軸出し電圧を印加
すると、負の誘電異方性を有する液晶分子42に、液晶
分子の長軸を電界の方向に対して垂直に配向させる力が
働くので、図1(c)に示すように基板に垂直な方向か
ら傾く(中間調表示状態)。この状態の絵素領域をクロ
スニコル状態の偏光顕微鏡で観察すると、図1(d)に
示すように偏光軸に沿った方向に消光模様が観察され
る。
【0050】上述したように、この構成の液晶表示装置
は絵素領域を取り囲むように凸部36を有している。こ
の凸部36が無く、液晶層40の厚さ(セルギャップ)
が均一な場合、液晶ドメイン(連続的に配向した領域:
ディスクリネーションラインの発生が無い領域)が形成
される位置または大きさを規定できないので、ランダム
配向状態になってしまい、中間調表示においてざらつい
た表示となる。
【0051】本発明のように凸部36を形成することに
より、軸対称状配向を呈する液晶領域の位置および大き
さが規定される。また、凸部36は液晶層40の厚さを
制御しており、絵素領域間の液晶分子の相互作用を弱め
るために形成されている。液層層40の厚さは絵素領域
周辺の液晶層の厚さ(dout)が絵素領域内の(開口
部)の液晶層の厚さ(din)より小さく(din>d
out)なっており、さらに0.2×din≦dout
≦0.8×dinの関係を満足することが好ましい。す
なわち、0.2×din>doutの場合、この凸部3
6が絵素領域間の液晶分子の相互作用を弱める効果が十
分でなく、絵素領域ごとに単一の軸対称状配向領域を形
成することが困難な場合がある。さらに、dout>
0.8dinでは、液晶セルへの液晶材料の注入が困難
になる場合がある。
【0052】なお、「絵素」は、一般に、表示を行う最
小単位として定義される。本願明細書において用いられ
る「絵素領域」という用語は、「絵素」に対応する表示
装置の一部の領域をさす。ただし、縦横比が大きい絵素
(長絵素)の場合、一つの長絵素に対して、複数の絵素
領域を形成してもよい。絵素に対応して形成される絵素
領域の数は、軸対称状配向が安定に形成され得る限り、
できるだけ少ない方が好ましい。
【0053】ここで、軸対称状配向とは、放射状、同心
円状(タンジェンシャル状)などの配向をいう。
【0054】(実施形態1)図2に、実施形態1の液晶
表示装置の模式図を示す。図2(a)は、図2(b)の
X−X線による断面図、図2(b)は平面図を示す。
【0055】この液晶表示装置は、一対のガラス基板
2、8を有し、間に液晶層16が設けられている。一方
(図上側)のガラス基板2の上には、ITOからなる透
明電極3と垂直配向層22とが、前者を基板2側にして
形成されている。他方(図下側)のガラス基板8の上に
は、ITOからなる透明電極10が形成され、透明電極
10上にはアルミニウムからなる凸部17が形成されて
いる。この凸部17は、図2(b)に示すように、絵素
領域15を囲むように設けられている。また、透明電極
10および凸部17の外表面には、垂直配向層22が形
成されている。
【0056】さらに、透明電極10と透明電極10との
間の絵素領域外には、柱状スペーサ20が形成されてい
る(図2(b)参照)。この柱状スペーサ20は両基板
2、8の間隔を調整するものであり、両基板2、8に達
するように設けられており、この柱状スペーサ20の周
面にも垂直配向層21が形成されている。
【0057】かかる構成の液晶表示装置は、以下のよう
に製造される。
【0058】まず、一方のガラス基板2上に、ITOか
らなる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、
JALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
【0059】次に、他方のガラス基板8上に、ITOか
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに透明電極10上にアルミ
ニウムからなる凸部17を形成する。この凸部17の形
成は、アルミニウム薄膜を厚み3μmに形成し、透明電
極10の両端から幅10μmの領域を残すように、絵素
領域15に対応する箇所をフォトリソグラフィーとエッ
チングにより除去することにより行った。なお、ここで
は、金属薄膜としてアルミニウムを用いたが、本発明は
これに限らず、クロム、ニッケル、モリブデン、チタ
ン、銅、銀もしくは金の単体を用いても、または、アル
ミニウム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、
銅、銀もしくは金の2種以上の合金を用いてもよい。
【0060】次に、透明電極10と透明電極10の間の
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
【0061】次に、透明電極10および凸部17が形成
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
【0062】次に、両方の基板2、8を貼り合わせ、さ
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.2オーム
/□であった。
【0063】次に、液晶セルの両側に、偏光板をクロス
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
【0064】図3は、液晶セルに、約4Vの電圧を印加
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察した結果を示す図である。
【0065】図3より理解されるように、白表示時にお
いて、液晶パネル全体にわたって、各絵素領域内の液晶
分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に配向し、
かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域のほぼ中心部位
置に形成されているのが観察され、ザラツキや表示むら
のない視角特性の優れた液晶表示装置を得ることができ
た。
【0066】(実施形態2)本実施形態2では、凸部1
7が多層の金属薄膜で形成されていること以外は、実施
形態1と同様に、液晶表示装置を形成する。
【0067】まず、一方のガラス基板2上にITOから
なる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、J
ALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
【0068】次に、他方のガラス基板8上に、ITOか
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに透明電極10上にモリブ
デンとアルミニウムの2層からなる凸部17を形成す
る。この凸部17の形成は以下のように行った。例え
ば、蒸着法でモリブデンを厚み約100nm、続けてア
ルミニウムを厚み約3μm形成し、さらに、ポジ型フォ
トレジスト(TFRB−3;東京応化(株)社製)を厚
み約1μm塗布した後、露光、現像する。このとき、ア
ルミニウム薄膜とITO(透明電極10)との間にモリ
ブデン薄膜が存在することにより、現像時にITOにピ
ンホールが発生することを防ぐことができる。続いて、
アルミニウム薄膜とモリブデン薄膜を同時に、透明電極
10の両端から幅10μmの領域を残すように、絵素領
域15に対応する箇所をエッチングにより除去し、更
に、フォトレジストを剥離することにより凸部17を形
成した。なお、ここでは、金属薄膜としてアルミニウム
とモリブデンを用いたが、本発明はこれに限らず、クロ
ム、ニッケル、チタン、銅、銀もしくは金の単体を用い
ても、または、多層の金属薄膜の各々の層に、アルミニ
ウム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀
もしくは金の2種以上の合金を用いてもよい。
【0069】次に、透明電極10と透明電極10の間の
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
【0070】次に、透明電極10および凸部17が形成
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
【0071】次に、両方の基板2、8を貼り合わせ、さ
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.5オーム
/□であった。
【0072】次に、液晶セルの両側に、偏光板をクロス
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
【0073】完成した液晶セルに、約4Vの電圧を印加
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察したところ、実施形態1と同様に、
白表示時において、液晶パネル全体にわたって、各絵素
領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称
状に配向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域の
ほぼ中心部位置に形成されているのが観察され、ザラツ
キや表示むらのない視角特性の優れた液晶表示装置を得
ることができた。
【0074】(実施形態3)本実施形態3では、凸部1
7が金属薄膜と絶縁層としての有機樹脂層との多層膜で
形成されていること以外は、実施形態1と同様に、液晶
表示装置を形成する。
【0075】まず、一方のガラス基板2上にITOから
なる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、J
ALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
【0076】次に、他方のガラス基板8上に、ITOか
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに図4に示すように透明電
極10上にアルミニウムからなる導電性領域17aとレ
ジストからなる絶縁層17bの2層からなる凸部17を
形成する。この凸部17の形成は、以下のように行っ
た。例えば、スパッタ法でアルミニウムを厚み約0.5
μm形成し、さらに、ポジ型フォトレジスト(TFRB
−3;東京応化(株)社製)を厚み約2.5μm塗布し
た後、露光、現像し、続いて、アルミニウム薄膜を透明
電極10の両端から幅20μmの領域を残すように、絵
素領域15に対応するアルミニウム薄膜の箇所をエッチ
ングにより除去することにより行った。この実施形態3
の凸部17は、アルミニウム薄膜17aの上に、それと
同一面積でレジスト17bが形成された構成である。金
属薄膜としてアルミニウムを用いたが、本発明はこれに
限らず、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、
銀もしくは金の単体を用いても、または、アルミニウ
ム、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀も
しくは金の2種以上の合金を用いてもよい。
【0077】次に、透明電極10と透明電極10の間の
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
【0078】次に、透明電極10および凸部17が形成
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
【0079】次に、両方の基板2、8を貼り合わせ、さ
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.4オーム
/□であった。
【0080】次に、液晶セルの両側に、偏光板をクロス
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
【0081】完成した液晶セルに、約4Vの電圧を印加
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察したところ、実施形態1と同様に、
白表示時において、液晶パネル全体にわたって、各絵素
領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称
状に配向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域の
ほぼ中心部位置に形成されているのが観察され、ザラツ
キや表示むらのない視角特性の優れた液晶表示装置を得
ることができた。
【0082】(実施形態4)本実施形態4では、実施形
態3と同様に、凸部17が金属薄膜と絶縁層としての有
機樹脂層との多層膜で形成されていること以外は、実施
形態1と同様に、液晶表示装置を形成する。但し、上述
した実施形態3では金属薄膜の上に、それと同一面積で
絶縁層を形成しているが、本実施形態4は金属薄膜の上
面と側面とを覆うように絶縁層を形成する場合である。
【0083】まず、一方のガラス基板2上にITOから
なる厚み700nmの透明電極3を形成し、さらに、J
ALS−204(日本合成ゴム社製)をスピンコート
し、垂直配向層22を形成した。
【0084】次に、他方のガラス基板8上に、ITOか
らなる厚み700nm、幅160μmの透明電極10を
ストライプ状に形成し、さらに図5に示すように透明電
極10上にアルミニウムからなる導電性領域17aとレ
ジストからなる絶縁層17bの2層からなる凸部17を
形成する。この凸部17の形成は、以下のように行っ
た。例えば、スパッタ法でアルミニウムを厚み約1μm
形成し、さらに、ポジ型フォトレジスト(TFRB−
3;東京応化(株)社製)を厚み約2μm塗布した後、
露光、現像する。続いて、アルミニウム薄膜を透明電極
10の両端から幅10μmの領域を残すように、絵素領
域15に対応するアルミニウム薄膜の箇所をエッチング
により除去し、その後、フォトレジストを約120℃で
焼成して、アルミニウム薄膜の上にのみ存在するフォト
レジストを軟化させ、アルミニウム薄膜17aの上面と
側面とをフォトレジスト17bで被覆させることによ
り、凸部17を形成した。金属薄膜としてアルミニウム
を用いたが、本発明はこれに限らず、クロム、ニッケ
ル、モリブデン、チタン、銅、銀もしくは金の単体を用
いても、または、アルミニウム、クロム、ニッケル、モ
リブデン、チタン、銅、銀もしくは金の2種以上の合金
を用いてもよい。
【0085】次に、透明電極10と透明電極10の間の
絵素領域外に、感光性ポリイミドを用いて、高さ約5μ
mの柱状スペーサ20を形成した。
【0086】次に、透明電極10および凸部17が形成
されたガラス基板8上に、JALS−204(日本合成
ゴム社製)をスピンコートし、垂直配向層21を形成し
た。
【0087】次に、両方の基板2、8を貼り合わせ、さ
らに、両基板2と8の間に液晶層16としてn型液晶材
料(Δε=−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5
μmで90°ツイストとなるように液晶材料固有のツイ
スト角を設定)を注入し、液晶セルを完成させた。な
お、完成した液晶セルにおける、透明電極10および凸
部17の2層構造電極としての面抵抗率は1.6オーム
/□であった。
【0088】次に、液晶セルの両側に、偏光板をクロス
ニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成し
た。
【0089】完成した液晶セルに、約4Vの電圧を印加
しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコル)を用い
て透過モードで観察したところ、実施形態1と同様に、
白表示時において、液晶パネル全体にわたって、各絵素
領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称
状に配向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域の
ほぼ中心部位置に形成されているのが観察され、ザラツ
キや表示むらのない視角特性の優れた液晶表示装置を得
ることができた。
【0090】なお、上述した実施形態2〜実施形態4に
おいては、金属薄膜で2層とし、または金属薄膜と有機
樹脂層(例えばレジスト)とで2層としているが、本発
明はこれに限らず、同様の材質構成で2層より多い3層
以上の多層構造としてもよいことはもちろんである。ま
た、このことは、後述する実施形態5に、実施形態2〜
実施形態4を適用する場合においても同様である。
【0091】(実施形態5)実施形態5は、プラズマア
ドレス型の液晶表示装置に適用した場合である。
【0092】図6は、本実施形態に係るプラズマアドレ
ス型の液晶表示装置の具体的構成を示す模式断面図であ
る。
【0093】この液晶表示装置は、液晶層59を挟んで
一方側(図の上側)に透明なガラス等からなる基板58
を有し、他方側(図の下側)に誘電体シートとしての薄
板ガラス53と基板54とが対向配設されたプラズマ発
生基板52を有する。プラズマ基板52の基板54と薄
板ガラス53との間には、ライン状に隔壁57が形成さ
れ、この隔壁57と、基板54と、薄板ガラス53とで
囲まれた空間は、電離用ガスが封入されたライン状のチ
ャンネル55を構成する。各チャンネル55内には、電
離用ガスをイオンするためのアノード電極Aおよびカソ
ード電極Kが設けられている。
【0094】一方、基板58の液晶層59側には、カラ
ーフィルタ63が設けられており、その上に、データ線
としての透明電極60が、ストライプ状に、かつ、ライ
ン状のチャンネル55に対して交差して、例えば垂直方
向に配線されている。前記液晶層59は、基板58と薄
板ガラス53とに挟持されており、基板58と薄板ガラ
ス53との間のセル厚は、柱状スペーサ67にて一定に
維持されている。なお、基板58および薄板ガラス53
の液晶層59側の表面には、垂直配向膜68が形成され
ている。また、基板58、カラーフィルタ63、透明電
極60および液晶層59からなる部分は表示セル51を
構成する。
【0095】このように構成された液晶表示装置の一方
側(図上側)に偏光板69aが設けられ、他方側(図下
側)に偏光板69bとバックライト62とが設けられて
いる。
【0096】このプラズマアドレス型液晶表示装置の製
造方法は、図2のガラス基板8の代わりに、図6で示す
プラズマ発生基板52を用いる。このプラズマ発生基板
52の作製は、公知の方法により作製される。
【0097】図7に、実施形態2のプラズマアドレス型
液晶表示装置の表示セル51部分の詳細な模式図を示
す。図7(a)は図7(b)のX−X線による断面図、
図7(b)は平面図を示す。
【0098】図下側の薄板ガラス53上に、JALS−
204(日本合成ゴム社製)をスピンコートし、垂直配
向層68を形成した。
【0099】図上側のガラス基板58上には、カラーフ
ィルタ63を形成し、その上に、ITOからなる厚み7
00nm、幅160μmの透明電極60をストライプ状
に形成し、さらに透明電極60上にアルミニウムからな
る凸部70を形成する。この凸部70の形成は、アルミ
ニウム薄膜を厚み3μmに形成し、透明電極60の両端
から幅10nmの領域を残すように、絵素領域71に対
応する箇所をフォトリソグラフィーとエッチングにより
除去することにより行った。さらに、透明電極60と透
明電極60の間の絵素領域外に、感光性ポリイミドを用
いて、高さ約5μmの柱状スペーサ67を形成した。さ
らに、透明電極60および凸部70が形成されたガラス
基板58上に、JALS−204(日本合成ゴム社製)
をスピンコートし、垂直配向層68を形成した。この実
施形態でもアルミニウムに限らず、上述したような金属
単体または合金を用いることができる。
【0100】そして、プラズマ発生基板52側の薄板ガ
ラス53と、表示セル51側のガラス基板58とを貼り
合わせ、さらに、薄板ガラス53とガラス基板58との
間に液晶層59としてn型液晶材料(Δε=−4.0、
Δn=0.08、セルギャップ5μmで90°ツイスト
となるように液晶材料固有のツイスト角を設定)を注入
した。なお、透明電極60および凸部70の2層構造電
極としての面抵抗率は1.2オーム/□であった。
【0101】その後、プラズマ発生基板52と表示セル
51とが貼り合わせられたものの両側に、図6に示すよ
うに偏光板69a、69bをクロスニコル状態になるよ
うに配置し、更に偏光板69bの外側にバックライト6
2を設け、プラズマアドレス型液晶表示装置を完成し
た。
【0102】なお、このプラズマアドレス型液晶表示装
置を表示状態にし、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコ
ル)を用いて透過モードで観察すると、図3と同様の結
果が得られた。
【0103】このことより理解されるように、白表示時
において、パネル全体にわたって、各絵素領域内の液晶
分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に配向し、
かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域のほぼ中心部位
置に形成されているのが観察され、ザラツキや表示むら
のない視角特性の優れたプラズマアドレス型液晶表示装
置を得ることができた。
【0104】(比較例1)図9に、従来例で用いた液晶
表示装置の断面図を示す。
【0105】この液晶表示装置は、以下のようにして製
造されている。すなわち、一方のガラス基板102上
に、ITOからなる厚み700nmの透明電極104を
形成し、さらに、JALS−204(日本合成ゴム社
製)をスピンコートして垂直配向層105を形成した。
【0106】他方のガラス基板101上に、ITOから
なる厚み700nmの透明電極103を形成し、さら
に、透明電極103上の絵素領域外に、感光性ポリイミ
ドを用いて、高さ約5μmのスペーサ107を形成し
た。その後、アクリル系ネガ型レジストで、高さ約3μ
mの凸部106を形成した。凸部106で包囲される領
域、すなわち絵素領域の大きさは、190μm×325
μmとした。その上に、JALS−204(日本合成ゴ
ム社製)をスピンコートし、垂直配向層105を形成し
た。
【0107】その後、両方の基板を貼り合わせ、さら
に、基板間に液晶層109としてn型液晶材料(Δε=
−4.0、Δn=0.08、セルギャップ5μmで90
°ツイストとなるように液晶材料固有のツイスト角を設
定)を注入することにより、液晶セルを完成させた。透
明電極103の面抵抗率は6.0オーム/□であった。
【0108】その後、液晶セルの両側に、偏光板をクロ
スニコル状態になるように配置し、液晶表示装置を完成
した。
【0109】図8は、完成した液晶セルに、約4Vの電
圧を印加しながら、各絵素を偏光顕微鏡(クロスニコ
ル)を用いて透過モードで観察した結果を示す。
【0110】図8より理解されるように、白表示時にお
いて、各絵素領域内の液晶分子が中心軸を中心に軸対称
状に配向しているが、絵素領域によっては軸対称状配向
中心軸が、絵素領域の中心部から大きくずれた位置に形
成されているものが観察され、ザラツキや表示むらのな
い視角特性の優れた液晶表示装置を得ることができなか
った。
【0111】なお、上述した実施形態5は、プラズマア
ドレス型液晶表示装置に実施形態1を適用した構成であ
るが、本発明はこれに限らず、プラズマアドレス型液晶
表示装置に上述した実施形態2〜実施形態4を適用する
ことができる。その場合でも得られたプラズマアドレス
型液晶表示装置は、実施形態5と同様に、各絵素領域内
の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に配
向し、かつ、軸対称状配向中心軸が、絵素領域のほぼ中
心部位置に形成されているのが観察され、ザラツキや表
示むらのない視角特性の優れたものになることはもちろ
んである。
【0112】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明にあって
は、絵素領域を実質的に包囲する凸部の存在により、液
晶層の絵素領域の位置及び大きさが規定され、液素領域
内の液晶分子が軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状に
配向し、このとき、凸部の導電性領域が透明電極と接す
るように形成されているので、その凸部の導電性領域が
透明電極の補助電極として機能し、結果として、電極の
低抵抗化が実現でき、それにより、動作電圧および、軸
対称状配向固定層形成時の印加電圧の液晶パネル内の不
均一性が小さくなるため、液晶パネル内で均一で安定し
た軸対称状配向状態を実現することができ、液晶表示装
置の表示品位を向上させることができる。
【0113】また、前記凸部の導電性領域を金属薄膜で
形成することにより、安価なウエットエッチングで精度
よく凸部を形成することができる。また、前記凸部の導
電性領域を、多層の金属薄膜で形成する場合、電食反応
の発生を防ぐことができ、凸部の導電性領域をポジレジ
ストでパターニングすることが可能となり、より微細加
工が可能となり、液晶表示装置の高精細化が実現でき
る。
【0114】また、凸部を導電性領域上に絶縁層を積層
した多層構造にする場合は、凸部の上に形成する配向膜
との密着性を良くすることができ、また、凸部と他方の
基板に形成した透明電極との上下リークを防止すること
ができる。また、記絶縁層として、新たに膜を形成する
ことなく、導電性領域をパターニング形成する時に用い
るフォトレジストをエッチング後、剥離せずにそのまま
用いることにより、工程を簡略化することができる。ま
た、凸部の導電性領域の上面および側面を絶縁層で被覆
する場合は、隣接する凸部の導電性領域間で発生する横
電界による液晶分子の配向の乱れを防止することができ
る。
【0115】また、本発明による場合には、絵素領域毎
の液晶分子が軸対称状に配向した視角特性の優れた高コ
ントラストの液晶表示装置が提供される。得られた本発
明の液晶表示装置は、特に、HDTVなどの高品位テレ
ビやCAD用ディスプレイなどへの応用に適した大型の
液晶表示装置に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶表示装置の基本構成を説明す
る為の図であり、(a)及び(b)は軸対称状配向中心
軸出し電圧無印加時の、(c)及び(d)は軸対称状配
向中心軸出し電圧印加時の状態を示し、(a)及び
(c)は断面図、(b)および(d)は上面をクロスニ
コル状態の偏光顕微鏡で観察した結果を示す。
【図2】本発明の実施形態1の液晶表示装置を示す図で
あり、(a)は断面図、(b)は平面図を示す。
【図3】本発明の実施形態1および実施形態2におい
て、軸対称状配向中心軸の位置と表示品質との関係を説
明するための図である。
【図4】本発明の実施形態3における凸部の構造を示す
断面図である。
【図5】本発明の実施形態4における凸部の構造を示す
断面図である。
【図6】本発明の実施形態2のプラズマアドレス型液晶
表示装置を示す断面図である。
【図7】本発明の実施形態2のプラズマアドレス型液晶
表示装置の表示セル部分を示す図であり、(a)は断面
図、(b)は平面図を示す。
【図8】比較例の軸対称状配向中心軸の位置と表示品質
との関係を説明するための図である。
【図9】従来の液晶表示装置を示す図であり、(a)は
断面図、(b)は平面図を示す。
【図10】他の従来の液晶表示装置の構成および動作原
理を説明する図であり、(a)及び(b)は軸対称状配
向中心軸出し電圧無印加時の、(c)及び(d)は軸対
称状配向中心軸出し電圧印加時の状態を示し、(a)及
び(c)は断面図、(b)および(d)は上面をクロス
ニコル状態の偏光顕微鏡で観察した結果を示す。
【図11】液晶表示装置の電圧透過率曲線を示す図であ
る。
【符号の説明】
2 ガラス基板 3 透明電極 8 ガラス基板 10 透明電極 15 絵素領域 16 液晶層 17 凸部 17a 導電性領域 17b 絶縁層 20 柱状スペーサ 21 垂直配向層 22 垂直配向層 31 透明電極 32 基板 33 透明電極 34 基板 36 凸部 38a、38b 垂直配向層 40 液晶層 42 液晶分子 44 軸対称状配向中心軸 51 表示セル 52 プラズマ発生基板 53 薄板ガラス 54 基板 55 チャンネル 57 隔壁 58 基板 59 液晶層 60 透明電極 A アノード電極 K カソード電極 62 バックライト 63 カラーフィルタ 67 柱状スペーサ 68 垂直配向層 69a、69b 偏光板 70 凸部 71 絵素領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 憲明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 姫島 克行 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の基板と該一対の基板に挟持された
    液晶層とを有し、該一対の基板上に透明電極が形成され
    ており、該液晶層は絵素毎に少なくとも一つの絵素領域
    を有し、該絵素領域内の液晶分子が軸対称状配向中心軸
    を中心に軸対称状に配向する液晶表示装置において、 少なくとも一方の基板の液晶層側の表面に、該透明電極
    と接するように、該絵素領城を実質的に包囲する凸部が
    形成されており、かつ、該凸部は導電性材料からなる領
    域を有しており、かつ、該導電性領域は該透明電極と接
    していることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記液晶層の液晶分子は負の誘電異方性
    を有し、電圧無印加時には該液晶分子が該一対の基板に
    対して略垂直に配向し、電圧印加時には該液晶分子が複
    数の絵素領域毎に軸対称状配向中心軸を中心に軸対称状
    に配向する請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記一対の基板の少なくとも一方の基板
    上に形成された透明電極がストライプ状であることを特
    徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記凸部の導電性領域が単層の金属薄
    膜、または多層の金属薄膜からなる請求項1ないし3の
    いずれかに記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記凸部が導電性領域と絶縁層とからな
    り、該導電性領域の上に該絶縁層が積層された構成とな
    っている請求項1ないし4のいずれかに記載の液晶表示
    装置。
  6. 【請求項6】 前記凸部が導電性領域と絶縁層とからな
    り、該導電性領域を覆うように該絶縁層が形成された構
    成となっている請求項1ないし4のいずれかに記載の液
    晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記金属薄膜が、アルミニウム、クロ
    ム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅、銀もしくは金
    の単体、またはこれらの2種以上の合金からなることを
    特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 前記凸部の幅が5μm以上20μm以下
    であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに
    記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項9】 前記凸部の高さが液晶層厚の20%以上
    80%以下であることを特徴とする請求項1ないし4の
    いずれかに記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項10】 前記透明電極の膜厚が700オングス
    トローム以上4000オングストローム以下の範囲内に
    あることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記
    載の液晶表示装置。
  11. 【請求項11】 前記凸部の面抵抗率が0.5オーム/
    □以上2.0オーム/□以下の範囲内にあることを特徴
    とする請求項1ないし4のいずれかに記載の液晶表示装
    置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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