JPH11161920A

JPH11161920A - 記録再生ヘッド及びそれを用いたヘッド・ディスク・アセンブリと磁気ディスク装置

Info

Publication number: JPH11161920A
Application number: JP27461798A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Nakamoto; 一広中本; Takashi Kawabe; 隆川辺; Tetsuo Kobayashi; 哲夫小林; Shunichi Narumi; 俊一鳴海; Shinji Narushige; 真治成重; Takao Imagawa; 尊雄今川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-09-29
Filing date: 1998-09-29
Publication date: 1999-06-18

Abstract

(57)【要約】【課題】記録再生動作の繰り返しによって起こる再生波
形の変動や、記録動作直後に再生波形に現われるノイズ
を抑制する記録再生ヘッド及びそれを用いたヘッド・デ
ィスク・アセンブリと磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】本発明は、上部磁気コアと、下部磁気コア
を兼ねた上部シールド１１と、下部シールドと、上部シ
ールドと下部シールドとの間に配置した磁気抵抗効果膜
とを有し、上部シールドは異方性磁界の大きさが５〜３
０Ｏｅの軟磁性膜を含み、もしくは高飽和磁束密度膜と
負磁歪膜との多層膜であり、下部シールドは異方性磁界
の大きさが５〜３０Ｏｅの軟磁性膜を含む記録再生ヘッ
ドにある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録装置に用
いられる磁気抵抗効果型の記録再生ヘッドに関し、特
に、一対のシールドの間に磁気抵抗効果膜を配置した磁
気抵抗効果型再生素子を含む記録再生ヘッド及びそれを
用いたヘッド・ディスク・アセンブリと磁気ディスク装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録装置は、情報を磁気的に記録す
る媒体と、情報を媒体に記録するための記録素子と、情
報が記録された媒体から漏洩する磁界の変化を電気信号
に変換するための再生素子とからなる記録再生ヘッド
と、入出力信号を制御する回路と、媒体を回転または移
動させる機構と、記録再生ヘッドの媒体に対する位置を
決定する位置決め機構等を備えている。記録素子は、磁
束を発生させるコイルと、磁束を集める一対の磁気コア
と、磁界を発生させるため一対の磁気コアの間に配置さ
れた記録ギャップとを備えている。記録動作は、前記コ
イルにパルス状の記録電流を流すことで作られる磁界
を、媒体に印加することで行われる。再生素子は、軟磁
性膜からなる一対のシールドと、一対のシールドの間に
あって各シールドから一定の距離を隔てて配置された磁
気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一
対の電極とを備えている。磁気抵抗効果膜は、異方性磁
気抵抗効果を利用したＡＭＲ膜と、巨大磁気抵抗効果を
利用したＧＭＲ膜とに大別できる。ＡＭＲ膜としては、
例えば厚さ５から３０ｎｍ程度のパーマロイ(Ｎｉ−Ｆ
ｅ）膜が用いられている。ＡＭＲ膜は、その磁化方向と
印加される電流の方向とのなす角度で電気抵抗が変化す
る。しかし印加磁界と電気抵抗とは必ずしも比例関係に
ない。そこで印加磁界と出力信号との線形性を高めるた
めに、ＡＭＲ膜の付近にバイアス膜を積層して配置する
ことが多い。ＧＭＲ膜は、媒体から漏洩する磁界により
磁化方向が変化する、厚さが２から１０ｎｍ程度の第一
の強磁性膜と、磁化方向がおおむね固定された、厚さが
１から５ｎｍ程度の第二の強磁性膜と、第一の強磁性膜
と第二の強磁性膜との間に挿入された、厚さが１から４
ｎｍ程度の非磁性導体膜とを有し、第二の強磁性膜とそ
の磁化を固定する反強磁性膜を直接積層した構成をとる
ことが多い。ＧＭＲ膜は第一の強磁性膜の磁化方向と第
二の強磁性膜の磁化方向とのなす角度の変化に応じて電
気抵抗が変化する。印加磁界と出力信号との線形性を高
めるために、第二の強磁性膜の磁化方向は、媒体対向面
にほぼ垂直になるように設定することが多い。ＧＭＲ膜
はＡＭＲ膜に比べて小さな磁界でも高い出力が得られ
る、つまり高感度なため、磁気記録装置の高記録密度化
に有利である。磁気記録装置では、これらＡＭＲ膜，Ｇ
ＭＲ膜の電気抵抗の変化を出力信号として検出する。一
対のシールドは、媒体から漏洩する磁界の変化を高分解
能で検出するために存在する。一対のシールドの間隔を
狭くするほど分解能を高くできるため、今後の高記録密
度化に対応して、シールド間隔は一層狭くしていく傾向
にある。基板側のシールド（下部シールド）にはパーマ
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）膜，センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ）膜，Ｃｏベースの非晶質膜等が一般的に用いられて
いる。センダスト膜は膜面の凹凸が大きいが、膜が硬い
ため、媒体対向面の研磨行程で膜の一部がはがれて他の
部分に付着することが少ない。非晶質膜は膜面が平坦な
ため、シールド間隔が狭い場合や、下地の凹凸の影響を
極めて受けやすいＧＭＲ膜を用いる場合に有利である。
もう一方の上部シールドにはパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）
膜が用いられることが多い。上記記録再生ヘッドにおい
て、記録ギャップ位置と再生用の磁気抵抗効果膜の位置
とのずれ幅を少なくするため、記録素子の一対の磁気コ
アのうち再生素子に近い側の下部コアと、再生素子の上
部シールドとは兼用していることが多い。

【０００３】磁気記録装置の高記録密度化には、磁気抵
抗効果型の記録再生ヘッドを使いこなすことが必須であ
る。しかし磁気抵抗効果型の記録再生ヘッドは、記録再
生動作を繰り返すことによって、再生波形が変動して磁
気記録装置の誤動作を引き起こすことがある。再生波形
が変動する一つの原因は、記録動作の度にシールドの磁
区構造が変動するというシールドの不安定性にある。シ
ールドの磁区構造が変動すると、その影響で磁気抵抗効
果膜の磁化状態が変動し、再生波形が変動する。これを
抑制する一つの方法として、例えば米国特許５，５１
５，２２１号には、シールドを構成する軟磁性膜に反
強磁性膜を積層し、軟磁性膜にトラック幅方向（媒体対
向面内で膜厚に垂直な方向）の一方向異方性を付加する
ことが提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記米国特許5,515,22
1 号に開示してある手段では、軟磁性膜と反強磁性膜と
を積層するために、製造行程が従来より複雑である。ま
た軟磁性膜に一方向異方性を付加するには３２０℃程度
の高温で１０時間程度の熱処理が必要である。この積層
膜を、特に一対のシールドのうち記録ギャップに近い側
のシールド（上部シールド）に適用すると、上記熱処理
の過程で磁気抵抗効果膜の特性が劣化してしまい、ヘッ
ドとして正常に動作しないことが多い。また特に、上記
積層膜を上部シールドに適用したＧＭＲヘッドでは、Ｇ
ＭＲ膜を構成する第二の強磁性膜の磁化方向（反強磁性
膜によって媒体対向面に垂直の方向に向けられている）
と、シールドの磁化方向（反強磁性膜によってトラック
幅方向に向けられている）とが互いにほぼ直交関係にあ
る。よって、後から行われるシールドの磁化方向の固定
の過程（ある程度の高温で磁界を印加する）で、先に固
定された第二の強磁性膜の磁化方向が曲げられることが
あり、ヘッドの特性が劣化することがある。このように
違った方向にそれぞれの磁化を固定することは容易では
ない。

【０００５】また、基板側に近いシールドを非晶質膜を
含む構成とした場合、記録動作の直後から１００μＳ程
度の間に、いわゆる記録後ノイズもしくはポップコーン
ノイズと呼ばれるノイズが発生することがある。非晶質
膜は膜面が平坦なため、シールド間隔が狭い場合や、下
地の凹凸の影響を極めて受けやすいＧＭＲ膜を用いる場
合に有利である。しかし記録後ノイズが発生すると、記
録動作直後に磁気記録装置が誤動作することがあるた
め、これを抑制することが求められる。

【０００６】本発明の目的は、反強磁性体を用いること
なく、シールドの磁区構造を安定化させ、波形変動を抑
制した記録再生ヘッド及びそれを用いたヘッド・ディス
ク・アセンブリと磁気ディスク装置を提供することにあ
る。

【０００７】本発明のもう一つの目的は、記録後ノイズ
を抑制した記録再生ヘッド及びそれを用いたヘッド・デ
ィスク・アセンブリと磁気ディスク装置を提供すること
にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁束を発生さ
せるコイルと、前記磁束を集める一対の上部磁気コア及
び下部磁気コアと、磁界を発生させるため前記一対の磁
気コアの間に配置された記録ギャップとを備えた誘導型
記録素子と、軟磁性膜からなる下部シールドと、前記下
部シールドと前記下部磁気コアとの間にあって各シール
ドから一定の距離を隔てて配置された磁気抵抗効果膜
と、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極
とを備えた磁気抵抗効果型再生素子とを備えた記録再生
ヘッドにおいて、前記下部磁気コアと下部シールドの一
方または双方を構成する軟磁性膜の、異方性磁界の大き
さを５〜３０Ｏｅ以下としたものである。特に、これを
記録ギャップに近い側のシールドに適用したものであ
る。

【０００９】さらに、前記下部磁気コアと下部シールド
の一方または双方を、異方性磁界の大きさが５〜３０Ｏ
ｅ以下である軟磁性膜を含む多層膜で構成したものであ
る。この多層膜は、シールドの最も記録ギャップに近い
側、もしくは最も記録ギャップに遠い側、もしくはそれ
ら両方に配置することができる。特に、これらを記録ギ
ャップに近い側のシールドに適用することが有効であ
る。また特に、これを基板に近い側で非晶質材料を含む
シールドに適用することが有効である。

【００１０】前記異方性磁界の大きさが５〜３０Ｏｅで
ある軟磁性膜は、例えば、原子比で、８０〜９０％Ｎｉ
と１０〜２０％Ｆｅに対し１〜２５％Ｃｏを含むＮｉ−
Ｆｅ−Ｃｏをベースとした合金や、原子比で、９０〜９
５％Ｃｏと５〜１０％Ｆｅに対し１〜３０％Ｎｉ含むＣ
ｏ−Ｆｅ−Ｎｉをベースとした合金や、Ｃｏ３０〜７０
％，Ｎｉ１０〜４０％，Ｆｅ５〜２５％及びＰｄ５〜１
５％としたＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄをベースとした合金
等で得ることができる。

【００１１】また上記目的を達成するため、前記一対の
シールドの一方または双方を、磁歪が正と負の軟磁性膜
を積層した多層膜を含む構成としたものである。この多
層膜には以下の要素を付加することができる。

【００１２】（１）多層膜の磁歪を負の値で１０^-7台と
すること。

【００１３】（２）多層膜を構成する軟磁性膜のうち、
少なくとも一つの軟磁性膜の異方性磁界の大きさを５〜
３０Ｏｅとすること。

【００１４】（３）多層膜をＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏをベース
とした合金を含む構成とし、多層膜全体にわたる平均的
な割合を、原子比で８０〜９０％Ｎｉと１０〜２０％Ｆ
ｅに対し１〜２５％Ｃｏを含む合金、もしくは多層膜を
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉをベースとした合金を含む構成とし、
多層膜全体にわたる平均的な割合を、原子比で９０〜９
５％Ｃｏと５〜１０％Ｆｅに対し１〜３０％Ｎｉを含む
合金、もしくは多層膜をＮｉ−Ｆｅベースとした合金を
含む構成とし、多層膜厚全体にわたる平均的な割合を原
子比で８０〜９０％Ｎｉ及び１０〜２０％Ｆｅとするこ
と。

【００１５】（４）これらの多層膜を記録ギャップに近
い側のシールド、もしくは基板に近い側で非晶質材料を
含むシールドに適用すること。

【００１６】（５）多層膜の最も記録ギャップに近い層
をＦｅ−Ｎｉをベースとした合金で構成し、その割合を
原子比で４５〜６５％Ｆｅ及び３５〜５５％Ｎｉとする
こと、もしくは多層膜の最も記録ギャップに近い層をＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅをベースとした合金で構成し、その割合
を原子比でＣｏ２０〜８０％，Ｎｉ１０〜４０％及びＦ
ｅ１０〜４０％とすること、もしくは多層膜の最も記録
ギャップに近い層をＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄをベースと
した合金で構成し、その割合を原子比でＣｏ３０〜７０
％，Ｎｉ１０〜４０％，Ｆｅ５〜２５％，Ｐｄ５〜１５
％とすること。

【００１７】（６）多層膜は、前記Ｆｅ−Ｎｉをベース
とした合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅをベースと
した合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄをベー
スとした合金と、Ｎｉ−Ｆｅをベースとした合金でその
割合を原子比で８３〜９３％Ｎｉ，７〜１７％Ｆｅとし
た合金とを積層すること。

【００１８】（７）多層膜は、前記Ｆｅ−Ｎｉをベース
とした合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅをベースと
した合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄをベー
スとした合金と、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏをベースとした合金
でその割合を原子比で８３〜９３％Ｎｉと７〜１７％Ｆ
ｅに対し１〜２５％Ｃｏを含む合金とを積層すること。

【００１９】また上記目的を達成するため、一対のシー
ルドのうち記録ギャップに近い側のシールドが、一対の
磁気コアのうち再生素子に近い側のコアを兼ねており、
このシールドの最も記録ギャップに近い層は飽和磁束密
度が１.２テスラ以上の軟磁性膜で形成した記録再生ヘ
ッドにおいて、記録ギャップに近い側のシールドを、磁
歪が正と負の軟磁性膜を積層した多層膜としたものであ
る。

【００２０】また上記目的を達成するため、再生素子を
構成する磁気抵抗効果膜を、媒体から漏洩する磁界によ
り磁化方向が変化する第一の強磁性膜と、磁化方向がお
おむね固定された第二の強磁性膜と、第一の強磁性膜と
第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜とを有
し、第二の強磁性膜とその磁化を固定する反強磁性膜を
直接積層した構成の多層膜とした記録再生ヘッドにおい
て、上記シールドを適用したものである。

【００２１】前記した手段によれば、反強磁性体を用い
ることなく、シールドの磁区構造を安定化させることが
できるため、作製しやすく安価であり、かつ記録再生動
作を繰り返すことによって起こる再生波形変動や記録後
ノイズを抑制できる記録再生ヘッドを提供でき、磁気記
録装置の誤動作を抑制することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】〔実施例１〕図１は、本発明の一
実施例である記録再生ヘッドの媒体対向面を示す図であ
る。本記録再生ヘッドは、素板上に再生素子１０と記録
素子２０とを順次積層して作製したものである。

【００２３】再生素子１０は、上部磁気コア２１の直下
の部分を他の部分より厚くしたもので、その厚さが３μ
ｍで記録素子２０の下部磁気コア２２を兼用したＮｉ₇₄
Ｆｅ₁₆Ｃｏ₁₀からなる上部シールド１１と、厚さ２μｍ
のパーマロイ（Ｎｉ₈₂Ｆｅ₁₈）からなる下部シールド１
２とが、厚さ０.１８μｍのＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂からな
る再生ギャップ１３を介して対向するように配置されて
いる。上部シールド１１のうち上部磁気コア２１に対向
しない上面は、エッチングによって厚さ０.５μｍ程度
を取り除いている。これは記録の際、トラック幅方向の
書きにじみを少なくするためである。また、上部シール
ド１１及び下部シールド１２に使用する膜には、トラッ
ク幅方向に磁気異方性を持たせてあり、その異方性磁界
大きさは、上部シールド１１が１０Ｏｅ，下部シールド
１２が４Ｏｅであり、上部シールドの方が下部シールド
より大きくしている。再生ギャップ１３のほぼ中央に
は、磁気抵抗効果膜１４と、これに接合する一対の電極
（図示されていない）とが配置されている。

【００２４】記録素子２０は、厚さ３μｍのパーマロイ
からなる上部磁気コア２１と、前記上部シールド１１と
兼用の下部磁気コア２２とが、厚さ０.３μｍのＡｌ₂
Ｏ₃やＳｉＯ₂からなる記録ギャップ２３を介して対向
するように配置されている。

【００２５】磁気抵抗効果膜１４には、ＡＭＲ膜とＧＭ
Ｒ膜とがあり、それぞれの膜を用いて素子を形成した例
を次に示す。図２(ａ)，(ｂ)は、それぞれＡＭＲ膜，Ｇ
ＭＲ膜を用いた再生素子における、媒体対向面の磁気抵
抗効果膜１４付近を拡大した図である。なお上下シール
ドは図示されていない。ＡＭＲ素子は、厚さが１５ｎｍ
のパーマロイ膜からなるＡＭＲ膜３１と、厚さが５ｎｍ
のＴａからなる分離膜３２と、厚さが１５ｎｍのＮｉ−
Ｆｅ−Ｃｒ膜からなるＳＡＬ３３との積層膜を、所定の
幅になるように一括して両サイドを切り落として作製し
た。この両側に、ＡＭＲ膜３１を磁区制御するため、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜とＣｒ下地膜とからなる磁区制御層１
５を配置した。ＡＭＲ膜３１と電気的に接合するための
電極１６は、磁区制御層１５の上に積層した。ＧＭＲ素
子は、厚さが５ｎｍのパーマロイ膜と厚さが１ｎｍのＣ
ｏ膜とを積層した第一の強磁性膜４１と、厚さが２ｎｍ
のＣｕからなる非磁性導体膜４２と、厚さが３ｎｍのＣ
ｏからなる第二の強磁性膜４３と、第二の強磁性膜４３
の磁化方向を固定するための厚さが１０ｎｍのＦｅ−Ｍ
ｎからなる反強磁性膜４４との積層膜を、所定の幅にな
るように一括して両サイドを切り落として作製した。第
二の強磁性膜４３の磁化方向は、媒体対向面（紙面）を
指すように、反強磁性膜４４によって一方向の磁気異方
性が付加されている。またＡＭＲ素子同様に、磁区制御
層１５と電極１６とを両隣に配置した。本発明において
は、ＡＭＲ素子，ＧＭＲ素子のいずれも適用可能である
が、以後ＧＭＲ素子を用いた例のみを示す。ＧＭＲ素子
は高感度なため今後利用が広がって行くと考えられてい
るが、一方で高感度であるがゆえに、シールドの不安定
性の影響を大きく受けてしまうからである。

【００２６】図３は、本発明の一実施例である記録再生
ヘッドの斜視断面図である。記録動作は、コイル２４に
記録電流を流すことで作られる磁束を、上部磁気コア２
１と上部シールド１１（兼下部コア２２）で集め、記録
ギャップ２３から発生する磁界を媒体に印加することで
行われる。このとき上部磁気コア２１と上部シールド１
１の磁化は、多量の磁束を運ぶため大きく変化し、膜の
異方性磁界の値が低い場合には、記録動作の前後で磁区
構造が変化することがある。また特に、上部シールド１
１の上には、形状の複雑な上部磁気コア２１やコイル２
４等が積層されているため、上部シールド１１には複雑
な応力が印加されている。よって、磁歪の大きな膜を用
いた場合には、応力誘起の磁気異方性が膜の持つ本来の
磁気異方性よりも大きくなり、複雑な磁区構造をとるこ
とがある。よって、上部シールド１１にパーマロイを用
いていた従来の記録再生ヘッドでは、特にシールド間隔
（再生ギャップ１３の厚さ）を０.２μｍより狭くする
と急激に波形変動が大きくなる（例えば、出力の標準偏
差を平均出力で規格化した出力変動率は５から１０％程
度になる）ことがあった。

【００２７】これを避けるには、１）膜の持つ本来の磁
気異方性を大きくする、２）磁歪の低い膜を用いる、こ
とが有効である。ただし、膜の持つ本来の磁気異方性を
大きくし過ぎると透磁率が低下し、軟磁性膜としての機
能が低下する。飽和磁束密度／異方性磁界で定義した透
磁率は５００以上要求されるので、飽和磁束密度が１テ
スラでは異方性磁界は２０Ｏｅ以下であることが、また
飽和磁束密度が１.５テスラでは異方性磁界は３０Ｏｅ
以下であることが望ましい。本実施例では、上部シール
ド１１をＮｉ₇₄Ｆｅ₁₆Ｃｏ₁₀膜で構成したため、異方性
磁界は１０Ｏｅで従来のパーマロイ(３〜４Ｏｅ程度)に
比べて数倍と大きくでき、磁歪も１０^-7台と十分低いの
で、出力の変動率は常に数％程度と、実用上問題ないレ
ベルにまで低くすることができた。

【００２８】〔実施例２〕実施例１では上部シールド１
１を一つの膜で構成したが、図４に示すように、上部シ
ールド１１を異方性磁界の大きさが５から３０Ｏｅの高
異方性磁界軟磁性膜５１を含む多層膜で構成することも
できる。磁歪の低い膜が望ましいことは実施例１と同様
である。しかし本実施例の場合、一層あたりの高異方性
磁界軟磁性膜５１の厚さを薄くすることが可能なので、
適用できる膜の選択が広がる。一般的に、Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ系の合金はＣｏ量を増すと異方性磁界と保磁力が大
きくなるが、厚さが薄い場合には保磁力の増加の程度は
低いことが知られている。よって前記実施例よりもＣｏ
量が多く、異方性磁界の高い膜を利用できる。ここでは
一実施例として、厚さ０.５μｍのＮｉ₆₆Ｆｅ₁₄Ｃｏ₂₀
膜を上部シールド１１の最上層と最下層に適用した。中
間層はパーマロイとした。このヘッドを用いた場合に
も、出力の変動率は常に数％程度と、実用上問題ないレ
ベルにまで低くすることができた。同様に、厚い場合に
保磁力が大きくなり易いＣｏ₉₀Ｆｅ₁₀膜や、Ｃｏ₄₆Ｎｉ
₂₇Ｆｅ₁₆Ｐｄ₁₁膜等も、高異方性磁界軟磁性膜５１とし
て使用することができる。高異方性磁界軟磁性膜５１の
一層あたりの膜厚は、０.１μｍから１μｍ程度がよ
い。この膜厚が薄い場合には、図５のように何層にも積
層することが有効である。また逆に厚くできる場合に
は、プロセス簡略化のため、高異方性磁界軟磁性膜５１
を上部シールド１１の最上層または最下層にのみ適用す
ることも可能である。本実施例に適用可能な高異方性磁
界軟磁性膜５１は、例えば原子比で、８０〜９０％Ｎｉ
と１０〜２０％Ｆｅに対し１〜２５％Ｃｏを含むＮｉ−
Ｆｅ−Ｃｏをベースとした膜や、９０〜９５Ｃｏと５〜
１０％Ｆｅに対し１〜３０％Ｎｉを含むＣｏ−Ｆｅ−Ｎ
ｉをベースとした膜や、Ｃｏ＝３０〜７０％，Ｎｉ＝１
０〜４０％，Ｆｅ＝５〜２５％，Ｐｄ＝５〜２０％好ま
しくは５〜１５％としたＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄをベー
スとした膜等が挙げられる。

【００２９】〔実施例３〕本実施例では、下部シールド
１２を、厚さ２.７μｍのセンダスト膜と、厚さ０.３
μｍの上記高異方性磁界軟磁性膜５１であるＣｏ₄₆Ｎ
ｉ₂₇Ｆｅ₁₆Ｐｄ₁₁膜とを積層して形成した。図６に示す
ように、高異方性磁界軟磁性膜５１は下部シールド１２
の最下層に配置した。なお、高異方性磁界軟磁性膜５１
は最下層だけでなく、最上層、もしくはそれら両方に配
置してもよい。センダスト膜は、膜が硬いため、媒体対
向面の研磨行程で膜の一部がはがれて他の部分に付着す
ることが少ないという特徴を持つが、異方性磁界が数Ｏ
ｅと、パーマロイに比べても半分以下と低い。よって応
力の影響等をより受けやすく、磁区構造が不安定であ
る。従ってセンダスト膜を下部シールド１２に適用した
ヘッドでは、波形変動を起こすことがある。しかし本実
施例では、センダスト膜と高異方性磁界軟磁性膜５１と
の積層膜で下部シールド１２を形成したため、出力の変
動率は数％程度と、実用上問題ないレベルにまで低くす
ることができた。また、上部シールド起因の波形変動も
同時に抑制するために、図７に示したように、双方のシ
ールドとも高異方性磁界軟磁性膜５１で安定化させるこ
とが有効である。ここで高異方性磁界軟磁性膜５１は、
同じ膜を使ってもよく、別な膜を使ってもよい。

【００３０】〔実施例４〕前述の実施例では、下部シー
ルド１２を結晶質材料で構成していたが、ＧＭＲ素子の
特性を向上させるには、膜面がより平坦な非晶質膜を適
用することが望ましい。しかしながら、この場合は記録
後ノイズが発生することがあった。そこで本実施例で
は、図６に示すように、上記高異方性磁界軟磁性膜５１
であるＣｏ₄₆Ｎｉ₂₇Ｆｅ₁₆Ｐｄ₁₁膜を０.３μｍの厚さ
で下部シールド１２の最下層に適用した。下部シールド
１２のほかの部分は非晶質のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜で、全
体の厚さを３μｍとした。本実施例では、記録後ノイズ
の発生確率が従来の１／１００のレベルにまで減少し
た。よって、波形変動と記録後ノイズの双方を抑制する
ためには、図７に示したように、双方のシールドとも高
異方性磁界軟磁性膜５１で安定化させることが有効であ
る。ここで高異方性磁界軟磁性膜５１は、同じ膜を使っ
てもよく、別な膜を使ってもよい。

【００３１】〔実施例５〕前述の実施例では、上部磁気
コア２１はパーマロイであった。記録性能を高めるに
は、図８に示すように、上部磁気コア２１の全部または
記録ギャップ２３側の一部を高飽和磁束密度膜５２で構
成することが有効である。またさらなる記録性能の向上
を必要とする場合には、上部シールド１１の全部または
記録ギャップ２３側の一部を同様に高飽和磁束密度膜５
２で構成することが有効である。しかしながら、一般的
に知られている飽和磁束密度が１.２テスラ程度以上の
高飽和磁束密度膜は、磁歪が正で１０^-6台とかなり大き
く、記録性能向上と波形変動の抑制との両立が困難であ
った。これらの条件を満足するには、高飽和磁束密度膜
の厚さを必要最小限にとどめることが重要である。しか
しながら、膜厚０.５μｍで飽和磁束密度が１．７テス
ラ程度のＦｅ₅₅Ｎｉ₄₅からなる高飽和磁束密度膜５２
と、膜厚２.５μｍで磁歪が１０^-7台のパーマロイとを
積層した上部シールド１１を持つ記録再生ヘッドの変動
特性は、出力の変動率が５％程度とあまりよくなかっ
た。

【００３２】そこで上部シールド１１を形成している多
層膜の膜全体での磁歪の符号を負にするため、パーマロ
イ膜の代わりにＮｉ₉₀Ｆｅ₁₀等の単膜で負の磁歪を持つ
膜５３を採用した。これによって出力の変動率が数％程
度と、実用上問題ないレベルにまで低くすることができ
た。本実施例に適用可能な高飽和磁束密度膜５２には、
例えば、原子比で４５〜６５％Ｆｅ：３５〜５５％Ｎｉ
としたＦｅ−Ｎｉをベースとした膜、もしくはＣｏ＝２
０〜８０％，Ｎｉ＝１０〜４０％，Ｆｅ＝１０〜４０％
としたＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅをベースとした膜、もしくはＣ
ｏ＝３０〜７０％，Ｎｉ＝１０〜４０％，Ｆｅ＝５〜２
５％，Ｐｄ＝５〜２０％としたＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄ
をベースとした膜等が挙げられる。本実施例に適用可能
な負磁歪の膜５３には、例えば、原子比で８３〜９３％
Ｎｉ：７〜１７％ＦｅとしたＮｉ−Ｆｅをベースとした
膜、もしくは原子比で８３〜９３％Ｎｉと７〜１７％Ｆ
ｅに対し１〜２５％Ｃｏを含むＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏをベー
スとした膜等が挙げられる。高飽和磁束密度膜５２の異
方性磁界の大きさが１０Ｏｅ以上と大きい場合には、負
磁歪の膜５３は異方性磁界の大きなＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏを
ベースとした膜を適用したほうがよいことがある。

【００３３】上部シールド１１を形成する多層膜の組成
や膜厚を選定するに当たっては、記録ギャップ２３直下
にある多層膜の磁歪の符号を負とし、その大きさを１０
^-7台とするとよい。これを満足する一つの方法は、前記
多層膜の組成の膜厚方向にわたる平均的な値を、原子比
で８０〜９０％Ｎｉと１０〜２０％Ｆｅに対し１〜２５
％Ｃｏを含む合金もしくは９０〜９５％Ｃｏと５〜１０
％Ｆｅに対し１〜３０％Ｎｉを含む合金とすること、も
しくは８０〜９０％Ｎｉ：１０〜２０％Ｆｅとすること
である。また、応力誘起の異方性の影響をできるだけ少
なくするため、上記多層膜は、異方性磁界の大きさを５
Ｏｅ以上３０Ｏｅ以下とした軟磁性膜を含むことが望ま
しい。高飽和磁束密度膜５２は上部シールド１１の幅方
向全体にわたって存在する必要はなく、図９に示すよう
に、記録ギャップ２３直下の突起部のみを高飽和磁束密
度膜５２で構成してもよい。また図８，図９の下部シー
ルド１２は、記録後ノイズ抑制のため、前記高異方性磁
界軟磁性膜５１であるＣｏ₄₆Ｎｉ₂₇Ｆｅ₁₆Ｐｄ₁₁膜と非
晶質のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜とからなる多層膜で構成し
た。

【００３４】（実施例６）図１０は実施例１〜５に記載
の記録再生ヘッドを用いたハードディスク装置の概略図
である。本装置はディスク回転軸１６４とこれを高速で
回転させるスピンドルモータ１６５を持っており、ディ
スク回転軸１６４には一枚ないし複数枚（本実施例では
二枚）のディスク１６７が所定の間隔で取り付けられて
いる。よって各ディスク１６７はディスク回転軸１６４
とともに一体となって回転する。ディスク１６７は所定
の半径と厚みを持った円板で、両面に永久磁石膜が形成
されており情報の記録面となっている。本装置はまた、
ディスク１６７の外側にヘッドの位置決め用回転軸１６
２とこれを駆動させるボイスコイルモータ１６３を持っ
ており、ヘッドの位置決め用回転軸１６２には複数個の
アクセスアーム161が取り付けられており、各アクセス
アーム１６１の先端には記録再生用ヘッド（以後ヘッド
と記す）１６０が取り付けられている。よって各ヘッド
１６０は、ヘッドの位置決め用回転軸１６２が所定角度
だけ回転することによって各ディスク１６７上を半径方
向に移動し、所定の場所に位置決めされる。また各ヘッ
ド１６０は、ディスク１６７が高速で回転する時に生じ
る浮力と、アクセスアーム１６１の一部を構成する弾性
体であるジンバルの押し付け力とのバランスによって、
ディスク１６７表面から数十ｎｍ程度の距離に保持され
ている。スピンドルモータ１６５とボイスコイルモータ
１６３とはハードディスクコントローラ166にそれぞれ
接続されており、ハードディスクコントローラ１６６に
よりディスク１６７の回転速度やヘッド１６０の位置が
制御されている。

【００３５】図１１は本発明のハードディスク装置に用
いたインダクティブ型の記録ヘッド断面図であるが、こ
の薄膜ヘッドは磁性膜からなる下部磁性膜１８４及び上
部磁性膜１８５からなる。非磁性絶縁体１８９がこれら
の磁性膜の間に付着されている。絶縁体の一部が磁気ギ
ャップ１８８を規定する。支持体はエア・ベアリング表
面（ＡＢＳ）を有するスライダの形になっており、これ
はディスク・ファイル動作中に回転するディスクの媒体
に近接し浮上する関係にある。

【００３６】薄膜磁気ヘッドは上部磁性膜１８５，下部
磁性膜１８４により出来るバック・ギャップ１９０を有
する。バック・ギャップ１９０は介在するコイル１８７
により磁気ギャップから隔てられている。

【００３７】連続しているコイル１８７は例えばめっき
により下部磁性膜１８４の上に作った層になっており、
これらの電磁結合する。コイル１８７は非磁性絶縁体１
８９で埋められてあるコイルの中央には電気接点があ
り、同じくコイルの外端部終止点には電気接点として更
に大きい区域がある。接点は外部電線及び読み取り書き
込み信号処理ヘッド回路（図示略）に接続されている。

【００３８】本発明においては、単一の層で作られたコ
イル１８７が、やや歪みだ楕円形をしており、その断面
積の小さい部分が磁気ギャップに最も近く配置され、磁
気ギャップからの距離が大きくなるにつれ、断面積が徐
々に大きくなる。

【００３９】しかし楕円コイルはバック・ギャップ１９
０と磁気ギャップ１８８との間で比較的密度に多数本入
っており、コイルの幅乃至断面直径はこの区域では小さ
い。更に、磁気ギャップから最も遠い部分での大きな断
面減少は電気抵抗の減少をもたらす。更に、楕円（長
円）形コイルは角や鋭い隅や端部を持たず。電流への抵
抗が少ない。又、楕円形状は矩形や円形（環状）コイル
に比べ導電体の全長が少なくて済む。これらの利点の結
果、コイルの全抵抗は比較的少なく、発熱は少なく、適
度の放熱性が得られる。熱を相当量減らすので、薄膜層
の層崩れ，伸長，膨張は防止され、ＡＢＳでのボール・
チップ突出の原因が徐かれる。

【００４０】幅の変化がほぼ均一に進む楕円形コイル形
状は、スパッタリングや蒸着等より安価な従来のめっき
技術で付着できる。他の形状特に角のある形のコイルで
はめっき付着が不均一な幅の構造になり易い。角や鋭い
端縁部の除去は出来上ったコイルにより少ない機械的ス
トレスしか与えない。

【００４１】本実施例では多数巻回したコイルがほぼ楕
円形状で磁気コア間に形成され、コイル断面径は磁気ギ
ャップからバック・ギャップに向けて徐々に拡がってお
り、信号出力は増加し、発熱が減少される。

【００４２】図１２は本発明の一例である磁気ディスク
装置の全体斜視図を示す。本磁気ディスク装置の構成
は、情報を記録するための磁気ディスク、これを回転す
る手段のＤＣモータ（図面省略），情報を書き込み，読
み取りするための磁気ヘッド、これを支持して磁気ディ
スクに対して位置を変える手段の位置決め装置、即ち、
アクチュエータとボイスコイルモータなどからなる。こ
れらの図では、同一の回転軸に５枚の磁気ディスクを取
り付け、合計の記憶容量を大きくした例を示している。

【００４３】本実施例によれば高保磁力媒体に対して
も、高周波領域でも十分に記録可能であり、メディア転
送速度１５ＭＢ／秒以上，記録周波数４５ＭＨｚ以上，
磁気ディスク４０００rpm 以上のデータの高速転送，ア
クセス時間の短縮，記録容量の増大など優れたＭＲ効果
を有する高感度のＭＲセンサが得られることから面記録
密度として３Ｇｂ／ｉｎ²以上との磁気ディスク装置が
得られるものである。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
異方性磁界の比較的大きな軟磁性膜でシールドを構成し
たため、もしくは磁歪が正と負の軟磁性膜を積層してシ
ールドを構成したため、反強磁性体を用いることなく、
シールドの磁区構造を安定化させることができるので、
再生波形変動や記録後ノイズを抑制した記録再生ヘッド
を比較的容易に提供でき、磁気記録装置の誤動作を抑制
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の磁気抵抗効果型記録再生ヘ
ッドの媒体対向面図である。

【図２】本発明の一実施例の磁気抵抗効果型記録再生ヘ
ッドの媒体対向面のうち磁気抵抗効果膜付近を拡大して
示した図である。

【図３】本発明の一実施例の磁気抵抗効果型記録再生ヘ
ッドの斜視図である。

【図４】本発明の実施例２の磁気抵抗効果型記録再生ヘ
ッドの媒体対向面図である。

【図５】本発明の実施例２の他の磁気抵抗効果型記録再
生ヘッドの媒体対向面図である。

【図６】本発明の実施例３，４の磁気抵抗効果型記録再
生ヘッドの媒体対向面図である。

【図７】本発明の別な実施例３，４の他の磁気抵抗効果
型記録再生ヘッドの媒体対向面図である。

【図８】本発明の実施例５の磁気抵抗効果型記録再生ヘ
ッドの媒体対向面図である。

【図９】本発明の実施例５の他の磁気抵抗効果型記録再
生ヘッドの媒体対向面図である。

【図１０】本発明の実施例６の磁気ディスク装置の断面
図である。

【図１１】本発明の実施例６の誘導型記録ヘッドの断面
図である。

【図１２】本発明の実施例６の磁気ディスク装置の斜視
図である。

【符号の説明】

１０…再生素子、１１…上部シールド、１２…下部シー
ルド、１３…再生ギャップ、１４…磁気抵抗効果膜、２
０…記録素子、２１…上部磁気コア、２２…下部磁気コ
ア、２３…記録ギャップ、５１…高異方性磁界軟磁性
膜、５２…高飽和磁束密度膜、５３…負磁歪膜、１６０
…記録再生ヘッド、１６１…アクセスアーム、１６２…
ヘッドの位置決め用回転軸、１６３…ボイスコイルモー
タ、１６４…ディスク回転軸、１６５…スピンドルモー
タ、１６６…ハードディスクコントローラ、１６７…デ
ィスク、１８４…下部磁性膜、１８５…上部磁性膜、１
８７…コイル、１８８…磁気ギャップ、１８９…非磁性
絶縁体、１９０…バック・ギャップ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鳴海俊一東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者成重真治神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者今川尊雄神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁束を発生させるコイルと、前記磁束を集
める一対の上部磁気コア及び下部磁気コアと、磁界を発
生させるため前記一対の磁気コアの間に配置された記録
ギャップとを備え、情報を媒体に磁気的に記録する誘導
型記録素子と、軟磁性膜からなる下部シールドと、該下部シールドと前
記下部磁気コアとの間に配置された磁気抵抗効果膜と、
該磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極とを備
え、前記記録された情報を媒体から漏洩する磁界の変化
による電気信号の変化によって再生する磁気抵抗効果型
再生素子とを同一基板上に形成した記録再生ヘッドにお
いて、前記下部磁気コアと下部シールドの一方または双方はそ
の異方性磁界の大きさが５〜３０Ｏｅである軟磁性膜か
らなることを特徴とする記録再生ヘッド。
【請求項２】前記下部磁気コアと下部シールドの一方ま
たは双方は、その異方性磁界の大きさが５〜３０Ｏｅで
ある軟磁性膜を含む多層膜で構成する請求項１に記載の
記録再生ヘッド。
【請求項３】前記多層膜を最も前記記録ギャップに近い
側、もしくは最も前記記録ギャップに遠い側、もしくは
それら両方に配置した請求項２記載の記録再生ヘッド。
【請求項４】前記多層膜を前記基板に近い側のシールド
に配置し、前記多層膜が非晶質材料を含む請求項３記載
の記録再生ヘッド。
【請求項５】磁束を発生させるコイルと、前記磁束を集
める上部磁気コア及び下部磁気コアと、磁界を発生させ
るため前記一対の磁気コアの間に配置された記録ギャッ
プとを備えた誘導型記録素子と、軟磁性膜からなる下部シールドと、前記下部シールドと
前記下部磁気コアとの間に配置された磁気抵抗効果膜
と、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極
とを備えた磁気抵抗効果型再生素子とを同一基板上に形
成した記録再生ヘッドにおいて、前記下部磁気コア及び下部シールドの一方または双方
は、原子比で８０〜９０％Ｎｉと１０〜２０％Ｆｅに対
し１〜２５％Ｃｏをベースとした合金；原子比で、９０
〜９５％Ｃｏと５〜１０％Ｆｅに対し１〜３０％Ｎｉを
ベースとした合金；又は原子比でＣｏ３０〜７０％，Ｎ
ｉ１０〜４０％及びＦｅ５〜２５％をベースとした合金
を有することを特徴とする記録再生ヘッド。
【請求項６】磁束を発生させるコイルと、前記磁束を集
める上部磁気コアと下部磁気コアからなる一対の磁気コ
アと、磁界を発生させるため前記一対の磁気コアの間に
配置された記録ギャップとを備えた誘導型記録素子と、軟磁性膜からなる下部シールドと、前記下部シールドと
前記下部磁気コアとの間に配置された磁気抵抗効果膜
と、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極
とを備えた磁気抵抗効果型再生素子とを同一基板上に形
成した記録再生ヘッドにおいて；該下部磁気コアは前記
上部磁気コアと対向する部分で最も厚さが大きいことを
特徴とする記録再生ヘッド。
【請求項７】前記下部磁気コアが前記Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ
ベースの合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉベースの
合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄベースの合
金を含む構成とした請求項５記載の記録再生ヘッド。
【請求項８】前記下部シールドが前記Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ
ベースの合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉベースの
合金、もしくは前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄベースの合
金と、非晶質材料とを含む構成とした請求項５記載の記
録再生ヘッド。
【請求項９】磁束を発生させるコイルと、前記磁束を集
める一対の上部磁気コア及び下部磁気コアと、磁界を発
生させるため前記一対の磁気コアの間に配置された記録
ギャップとを備え、情報を媒体に磁気的に記録する誘導
型記録素子と、軟磁性膜からなる下部シールドと、前記下部シールドと
前記下部磁気コアとの間に配置された磁気抵抗効果膜
と、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極
とを備えた磁気抵抗効果型再生素子とを同一基板上に形
成した記録再生ヘッドであり、前記下部磁気コアと下部シールドの一方または双方は、
磁歪が正と負の軟磁性膜を積層した多層膜を含む構成と
したことを特徴とする記録再生ヘッド。
【請求項１０】磁歪が正と負の軟磁性膜を積層した前記
多層膜を、該多層膜の膜厚方向全体にわたる平均的な割
合で、原子比で、８０〜９０％Ｎｉと１０〜２０％Ｆｅ
に対し１〜２５％ＣｏであるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏをベース
とした合金、又は原子比で、９０〜９５％Ｃｏと５〜１
０％Ｆｅに対し１〜３０％ＮｉであるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
をベースとした合金、又は原子比で、８０〜９０％Ｎｉ
及び１０〜２０％ＦｅであるＮｉ−Ｆｅをベースとした
合金を含む請求項９記載の記録再生ヘッド。
【請求項１１】前記一対のシールドのうち、前記記録ギ
ャップに近い側のシールドが、磁歪が正と負の軟磁性膜
を積層した前記多層膜であり、前記多層膜の最も前記記
録ギャップに近い層を原子比で４５〜６５％Ｆｅ及び３
５〜５５％ＮｉであるＦｅ−Ｎｉをベースとした合金、
又は原子比でＣｏ２０〜８０％，Ｎｉ１０〜４０％及び
Ｆｅ１０〜４０％からなるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅをベースと
した合金、又は原子比でＣｏ３０〜７０％，Ｎｉ１０〜
４０％，Ｆｅ５〜２５％及びＰｄ５〜１５％からなるＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄをベースとした請求項９記載の記
録再生ヘッド。
【請求項１２】磁歪が正と負の軟磁性膜を積層した前記
多層膜からなる、前記記録ギャップに近い側の前記シー
ルドが、前記Ｆｅ−Ｎｉをベースとした合金、もしくは
前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅをベースとした合金、もしくは前
記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐｄをベースとした合金と、原子
比で、８３〜９３％Ｎｉ及び１０〜１７％ＦｅであるＮ
ｉ−Ｆｅをベースとした合金又は原子比で８３〜９３％
Ｎｉ，７〜１７％Ｆｅ及び１〜２５％ＣｏであるＮｉ−
Ｆｅ−Ｃｏをベースとした合金とを積層した構成とした
請求項１１記載の再生ヘッド。
【請求項１３】情報を媒体に磁気的に記録するため、磁
束を発生させるコイルと、前記磁束を集める一対の上部
磁気コア及び下部磁気コアと、磁界を発生させるため前
記一対の磁気コアの間に配置された記録ギャップとを備
え、情報を媒体に磁気的に記録する誘導型記録素子と、軟磁性膜からなる下部シールドと、前記下部シールドと
前記下部磁気コアとの間に配置された磁気抵抗効果膜
と、該磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極と
を備えた磁気抵抗効果型再生素子とを同一基板上に形成
した記録再生ヘッドにおいて、前記下部磁気コアの最も記録ギャップに近い層を飽和磁
束密度が１.２テスラ以上及び磁歪が正と負の軟磁性膜
を積層した多層膜によって形成したことを特徴とする記
録再生ヘッド。
【請求項１４】前記磁気抵抗効果膜は、前記媒体から漏
洩する磁界により磁化方向が変化する第一の強磁性膜
と、磁化方向がおおむね固定された第二の強磁性膜と、
第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された非
磁性導体膜とを有し、第二の強磁性膜とその磁化を固定
する反強磁性膜を直接積層した多層膜とした請求項１〜
１３のいずれかに記載の記録再生ヘッド。
【請求項１５】情報を記録する磁気ディスクと、該磁気
ディスクに前記情報の書き込みを行う誘導型記録ヘッド
及び前記磁気ディスクに書き込まれた情報を再生する磁
気抵抗効果型再生ヘッドが一体に形成された記録再生分
離型薄膜磁気ヘットど、前記ディスクを回転させる駆動
手段とを備えたヘッド・ディスク・アセンブリにおい
て、前記記録再生ヘッドは請求項１〜１４のいずれかに
記載のものであり、３Gbit／ｉｎ²以上の記録密度を有
することを特徴とするヘッド・ディスク・アセンブリ。
【請求項１６】情報を記録する磁気ディスクと、該磁気
ディスクに前記情報の書き込みを行う誘導型記録ヘッド
及び前記磁気ディスクに書き込まれた情報を再生する磁
気抵抗効果型再生ヘッドが一体に形成された記録再生分
離型薄膜磁気ヘットど、前記ディスクを回転させる駆動
手段とを備えたヘッド・ディスク・アセンブリを複数個
有する磁気ディスク装置において、請求項１５に記載の
ヘッド・ディスク・アセンブリからなることを特徴とす
る磁気ディスク装置。