JPH11144478A - 不揮発性半導体メモリの情報記憶方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 不揮発性半導体メモリの書き換え回数を実効
的に増大させることが可能な不揮発性半導体メモリの情
報記憶方法を提供する。 【解決手段】 複数の記憶エリアを設けた不揮発性半導
体メモリを備える電子機器における不揮発性半導体メモ
リの情報記憶方法において、制御カウンタを設け、前記
制御カウンタのカウント値に基づいて、前記不揮発性半
導体メモリの記憶エリアを選択し、当該選択された記憶
エリアに情報を記憶し、また、前記不揮発性半導体メモ
リの記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御カウン
タのカウント値をカウントアップする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性半導体メ
モリの情報記憶方法および電子機器に係わり、特に、Ｍ
Ｓ−ＤＯＳ ＦＡＴフォーマット形式で情報が記憶され
るフラッシュメモリの情報記憶方法、および当該フラッ
シュメモリを備える電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理装置、あるいは情報を記憶／再
生可能な情報記憶再生装置等の電子機器において、電源
をＯＦＦにした時点での情報（データ）を記憶する記憶
装置として、不揮発性半導体メモリが使用される。例え
ば、静止画の画像データ（以下、単に、静止画と称す
る。）を記憶するデジタル・スチール・カメラにおいて
は、その静止画を記憶する不揮発性半導体メモリとし
て、フラッシュメモリが使用される。

【０００３】このデジタル・スチール・カメラでは、撮
影・記憶動作を行う場合、まず静止画を取り込み、取り
込んだ静止画をファイルとして取り込める形に変換し、
得られたデータを、フラッシュメモリに恒久データとし
て記憶する。

【０００４】この記憶されるデータは、内部フォーマッ
ト、例えば、ＭＳ−ＤＯＳ ＦＡＴフォーマット形式に
したがって記憶される。図３に、ＭＳ−ＤＯＳ ＦＡＴ
フォーマット形式のファイルフォーマットを示す。同図
において、２０は実際のデータが記憶されるデータ情報
部、２１はファイル名称、時刻等を管理するディレクト
リ部、２２はデータ情報部２０の使用状況を管理するＦ
ＡＴ（File Allocation Table ）部である。

【０００５】ここで、ＦＡＴ部２２およびディレクトリ
部２１のサイズの全体に対する割合は、データ情報部２
０の大きさによって決定される。このＦＡＴ部２２に
は、ファイルの大きさ、データ情報部２０に記憶された
ファイルへのポインタ等が記憶される。このＦＡＴ部２
２は、データ情報部２０の使用可否に関わるため、安全
上２カ所の領域を持ち常に同一の情報で更新を行ってい
る。したがって、内容更新の際は、ＦＡＴ部２２の双方
の領域を同一のタイミングで更新することが必要であ
る。このように、ＦＡＴ部２２は、データ情報部２０と
密接な関係があるため、データ情報部２０への書き込み
等、その空き情報が変更させる場合には常に更新され
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】通常、フラッシュメモ
リの場合、読み出し／書き込みを行う単位は、セクタと
呼ばれるある程度まとまったバイト単位で分けられる。
しかし、各セクタへ書き込みを行うためには、事前に書
き込みを行う部分のセクタがひとまとめにされたブロッ
クと呼ばれる部分の消去処理が必要である。一般に、こ
のセクタ／ブロックの割合は、ブロック１に対しセクタ
１〜８程度である。

【０００７】デジタル・スチール・カメラにおいて、Ｍ
Ｓ−ＤＯＳ ＦＡＴフォーマット形式で、静止画のデー
タをフラッシュメモリに記憶する場合には、複数のセク
タを１ブロックとして、ブロック単位での書き込み／読
み出しを行う必要がある。したがって、フラッシュメモ
リのある１セクタのデータを書き換えようとした場合、
当該セクタが属するブロック全体の消去処理を行い、当
該セクタへの書き込み情報を含むブロック情報で再度書
き込みを行うことが必要となる。このため、同一ブロッ
ク中に存在する個々のセクタの内容を任意に書き換えよ
うとした場合、複数回の消去処理が必要となる。

【０００８】また、フラッシュメモリのメモリ部に使用
されるＥＥＰＲＯＭの情報書換え回数には限度があり、
１万回程度である。したがって、同じフラッシュメモリ
内で書き込みが煩雑に発生するブロックが存在した場合
は、フラッシュメモリ全体の寿命が、そのブロックで決
まってしまうという欠点があった。ＭＳ−ＤＯＳ ＦＡ
Ｔ形式でデータをフラッシュメモリに情報を記憶する場
合には、ＦＡＴ部２２が記憶される記憶エリアへの書き
込みが集中するため、フラッシュメモリの各ブロックの
寿命が均等でなく、フラッシュメモリ全体の寿命は、Ｆ
ＡＴ部２２の寿命で決まってしまうという問題点があっ
た。

【０００９】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、不揮発
性半導体メモリの情報記憶方法および電子機器におい
て、不揮発性半導体メモリの書き換え回数を実効的に増
大させることが可能となる技術を提供することにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。

【００１２】複数の記憶エリアを設けた不揮発性半導体
メモリを備える電子機器における不揮発性半導体メモリ
の情報記憶方法において、制御カウンタを設け、前記制
御カウンタのカウント値に基づいて、前記不揮発性半導
体メモリの記憶エリアを選択し、当該選択された記憶エ
リアに情報を記憶し、また、前記不揮発性半導体メモリ
の記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御カウンタ
のカウント値をカウントアップすることを特徴とする。

【００１３】制御装置と、複数の記憶エリアを設けた不
揮発性半導体メモリとを備える電子機器において、その
カウント値に基づいて前記不揮発性半導体メモリの複数
の記憶エリアの中から、前記制御装置が情報を記憶する
記憶エリアを選択し、また、前記不揮発性半導体メモリ
の記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御装置によ
りカウントアップされる制御カウンタを備えることを特
徴とする。

【００１４】前記不揮発性半導体メモリの複数の記憶エ
リアに記憶される情報は、前記不揮発性半導体メモリの
前記複数の記憶エリア以外の記憶エリアに記憶される情
報の管理情報であることを特徴とする。

【００１５】前記不揮発性半導体メモリは、フラッシュ
メモリであることを特徴とする。

【００１６】前記電子機器は、デジタル・スチール・カ
メラであることを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明をデジタル・スチー
ル・カメラに適用した実施の形態を図面を参照して詳細
に説明する。

【００１８】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。

【００１９】図１は、本発明の実施の形態のデジタル・
スチール・カメラにおける不揮発性半導体メモリへの記
憶回路系の概略構成を示すブロック図である。同図にお
いて、１０はデータの制御を含め装置全体を制御する制
御部（ＭＰＵ）、１１は静止画を入力する映像入力部、
１２は静止画をファイルとして取り込む情報に変換する
データ変換部、１３はデータ変換部１２で画像圧縮処理
等のさまざまな処理を行う際に使用されるバッファメモ
リ、１４はファイルデータを恒久的に記憶・保持する不
揮発性半導体メモリ、１５はバスライン、３１はカウン
タである。この不揮発性半導体メモリはフラッシュメモ
リで構成される。

【００２０】このデジタル・スチール・カメラにおい
て、撮影・記憶動作を行う場合、まず映像入力部１１で
静止画を取り込み、データ変換部１２で取り込んだ静止
画をファイルとして取り込める形に変換し、変換された
データをフラッシュメモリ１４に恒久データとして記憶
する。この場合に、記憶されるデータは、ＭＳ−ＤＯＳ
ＦＡＴフォーマット形式にしたがって記憶される。

【００２１】また、カウンタ３１は、Ｊ−Ｑフリップ・
フロップ回路を組み合わせたものを使用し、割り当てた
ＦＡＴ部２２の数（本実施の形態では８個）だけカウン
トした後に、初期値に戻るようにされている。なお、こ
のカウンタ３１は、常時内部電源（図示せず）により、
電源が供給されている。また、このカウンタ３１は、割
り当てたＦＡＴ部２２の数だけカウントでき、カウント
した値を保持できるものであれば、どのようなものでも
かまわない。

【００２２】図２は、本実施の形態のフラッシュメモリ
のＦＡＴ部が記憶される領域を示す図である。同図にお
いて、２２はＦＡＴ部、４０はフラッシュメモリ１４の
ＦＡＴ部２２が記憶される記憶エリア、４１は制御カウ
ンタ３１のカウント値である。

【００２３】次に、本実施の形態の不揮発性半導体メモ
リの書き込み方法について、図１、図２を用いて説明す
る。図１において、バッファメモリ１３には、ＦＡＴ部
２２と同様のＦＡＴ記憶エリアが用意される。カメラ動
作中には、通常、ＦＡＴ部２２への書き込み回数を低減
するため、バッファメモリ１３のＦＡＴ記憶エリアが使
用される。また、フラッシュメモリ１４内の記憶エリア
４０としては、複数個のＦＡＴ部２２が記憶される大き
さの領域（ＦＡＴ部２２の必要セクタ分×相互使用数分
のエリア）が用意される。本実施の形態では、図２の記
憶エリア４０に示すように、ブロック０からブロック７
の８個のＦＡＴ部２２が用意される。

【００２４】また、前記「従来の技術」で説明したよう
に、ＦＡＴ部２２は通常２つの領域が設けられるが、本
実施の形態のデジタル・スチール・カメラでは、フラッ
シュメモリ１４の容量から１ＦＡＴ部２２当たり２セク
タの使用で済み、また、内部フォーマット形式を、８セ
クタ／ブロックとしたため、１ブロック内に２ＦＡＴ部
を収納することができた。これにより、交代用の記憶エ
リアはブロック単位で用意することができ、したがっ
て、交代用に８ブロックの記憶エリアを用意し、各ブロ
ックが順次変更して使用される。収まらない場合には、
フォーマットおよび管理方法を工夫する必要があるが、
本発明の内容から外れるため、ここでは省略する。

【００２５】新規動作時は、制御カウンタ４１のカウン
タ値は０とされ、最初に使用するＦＡＴ部２２を記憶領
域４０のブロック０とする。制御部１０は、予め、各ブ
ロックと制御カウンタ３１のカウント値４１との関連
を、テーブル等を使用して対応づけておく。図２では、
便宜上、制御カウンタ３１のカウンタ値４１が０の時
に、記憶領域のブロック０を、また、カウンタ値４１が
１の時に、記憶領域のブロック１を、以下同様に、カウ
ンタ値４１が７の時に、記憶領域のブロック７を割り当
てるようにしたが、この組み合わせは、管理できるもの
であれば、どのような形でもよい。

【００２６】外部からＦＡＴ部２２への書き込み命令、
またはバッファメモリ１３内のＦＡＴ記憶エリアへの書
き込み処理が終了した場合、制御部１０は、制御カウン
タ３１の値を１カウントアップする。その後、制御部１
０は、制御カウンタ３１のカウント値４１を読み込み、
フラッシュメモリ１４の記憶領域４０における、当該カ
ウント値４１に対応するブロックに、バッファメモリ１
３のＦＡＴ記憶エリアの情報を書き込む処理を実行す
る。

【００２７】本実施の形態の場合、制御カウンタ３１の
初期値を０と定めたため、カウントアップした場合１が
セットされる。したがって、制御部１０は、ブロック１
を新しいＦＡＴ部２２として使用し、以後、新規のＦＡ
Ｔ部２２への書き込み処理が発生するまで、このブロッ
クを現在のＦＡＴ部２２として使用する。この場合に、
現在のＦＡＴ部２２へのアクセスは、アクセスの度に、
制御カウンタ３１のカウント値４１を読み込み、当該カ
ウント値４１に対応するアドレスを求めることにより行
われる。また、電源がオフとなった場合でも、この制御
カウンタ３１は内部電池によりバックアップされている
ため、制御カウンタ３１の内容は保証される。そのた
め、次回の電源投入時でも確実に参照することができ
る。また、本実施の形態では、８ブロックをＦＡＴ部２
２に割り当てたため、制御カウンタ３１は、８カウント
目で最初の状態に戻る。

【００２８】本実施の形態以外に、例えば、フラッシュ
メモリ１４の記憶エリア４０の各ブロック内に、当該ブ
ロックを使用した使用回数（ＦＡＴ部２２が記憶された
回数）を記憶しておき、制御部１０が、当該各ブロック
内に記憶された使用回数を読み出し、使用回数の少ない
ブロックへ情報を書き込む情報記憶方法も考えられる。
しかしながら、この方法では、制御部１０は、フラッシ
ュメモリ１４の記憶エリア４０へＦＡＴ部２２の書き込
み処理を実行する前に、各ブロックから使用回数を読み
出す必要があり、また、記憶エリア４０内の現在使用中
のブロックを記憶する必要があり、制御部１０の処理が
複雑化するという欠点がある。

【００２９】しかしながら、本実施の形態では、制御カ
ウンタ３１を設け、この制御カウンタ３１のカウント値
４１に基づいて、ＦＡＴ部２２を記憶するブロック（フ
ラッシュメモリ１４の記憶エリア４０内の８個のブロッ
クの中の１つ）を選択すればよく、また、現在のＦＡＴ
部２２の情報を読み出す場合は、この制御カウンタ３１
のカウント値４１に基づいて、そのカウント値４１に対
応するアドレスでアクセスするだけよい。このように、
本実施の形態では、制御部１０は、制御カウンタ３１の
カウントアップだけを意識すればよく、その他の制御を
行う必要がないので、制御部１０の処理を簡単化するこ
とが可能となる。なお、前記説明では、制御部１０は、
制御カウンタ３１の値を１カウントアップした後、制御
カウンタ３１のカウント値４１を読み込み、当該カウン
ト値４１に対応するブロックに、情報を書き込むように
したが、これに限定されるものではなく、制御部１０
は、制御カウンタ３１のカウント値４１を読み込み、当
該カウント値４１に対応するブロックに、情報を書き込
んだ後、制御カウンタ３１の値を１カウントアップする
ようにしてもよい。但し、この場合は、現在のＦＡＴ部
２２の情報を読み出す場合に、制御カウンタ３１のカウ
ント値４１から１を引いたカウント値に対応するアドレ
スでアクセスする必要がある。

【００３０】以上説明したように、本実施の形態では、
ＦＡＴ部２２へ書き込み回数（データ更新処理の回数）
は、従来例と比して、１／８に低減することができる。
即ち、本実施の形態では、ＦＡＴ部２２へ書き込み回数
を、従来例と比して実効的に８倍増大させることがで
き、これにより、ＦＡＴ部２２の寿命を、実効的に８倍
増大させることが可能となる。また、フラッシュメモリ
１４の各ブロック毎の寿命を均等化することができ、フ
ラッシュメモリ１４全体の寿命も増大（延命）すること
が可能となる。

【００３１】また、本実施の形態では、ＦＡＴ部２２の
割り当ては、２セクタのみであるため、同一ブロックの
管理によりＦＡＴ部２２間の寿命のばらつきはないが、
ＦＡＴ部２２の領域が複数のブロックにまたがる場合、
ＦＡＴ部２２内で寿命のばらつきが生じる場合がある。
このような場合でも、本実施の形態を、複数回適用する
ことにより、より細かな単位での調整が可能となる。但
し、フラッシュメモリ１４の予備領域（記憶エリア４
０）を確保するためには、その分データ情報領域２０を
減らす必要があるため、使用環境の兼ね合いにより、ど
の程度の記憶エリア４０を確保するかを決定することが
必要である。

【００３２】なお、前記実施の形態では、本発明をデジ
タル・スチール・カメラに適用した場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく、例えば、静止画
を記憶する同等の機能を持ち、フラッシュメモリを備え
る情報記憶再生装置等の電子機器一般に適用可能である
ことは言うまでもない。

【００３３】いずれにしても、本実施の形態は、ＦＡＴ
部２２を複数の領域に記憶し、この複数の領域を順次変
更して使用することで、フラッシュメモリ１４に記憶さ
れるＦＡＴ部２２の更新回数を分散させる方法であり、
記憶エリア４０の確保数およびフォーマット構成等は、
各電子機器の構成条件および使用するフラッシュメモリ
のサイズにより、実現できる範囲で本実施の形態を適用
すれば良く、その内容は問わない。

【００３４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。

【００３５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【００３６】（１）本発明によれば、不揮発性半導体メ
モリに記憶エリアを複数個設け、不揮発性半導体メモリ
に情報を記憶する際に、前記複数個の記憶エリアを順次
変更して使用するようにしたので、不揮発性半導体メモ
リの記憶回数を実効的に増大させることが可能となり、
不揮発性半導体メモリの寿命を増大させることが可能と
なる。

【００３７】（２）本発明によれば、各記憶エリアに情
報を記憶する毎にカウントアップされる制御カウンタを
設け、当該制御カウンタのカウント値に基づいて記憶エ
リアを選択し、また、現在使用中の記憶エリアをアクセ
スするようにしたので、制御部の処理を簡単化すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態のデジタル・スチール・カ
メラにおける不揮発性半導体メモリへの記憶回路系の概
略構成を示すブロック図である。

【図２】本実施の形態のフラッシュメモリのＦＡＴ部が
記憶される領域を示す図である。

【図３】ＭＳ−ＤＯＳ ＦＡＴフォーマット形式のファ
イルフォーマットを示す図である。

【符号の説明】

１０…制御部（ＭＰＵ）、１１…映像入力部、１２…デ
ータ変換部、１３…バッファメモリ、１４…不揮発性半
導体メモリ（フラッシュメモリ）、１５…バスライン、
２０…データ情報部、２１…ディレクトリ部、２２…Ｆ
ＡＴ部、３１…カウンタ、４０…記憶エリア、４１…制
御カウンタ３１のカウント値。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の記憶エリアを設けた不揮発性半導
   体メモリを備える電子機器における不揮発性半導体メモ
   リの情報記憶方法において、 制御カウンタを設け、前記制御カウンタのカウント値に
   基づいて、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアを選
   択し、当該選択された記憶エリアに情報を記憶し、 また、前記不揮発性半導体メモリの記憶エリアに情報を
   記憶する毎に、前記制御カウンタのカウント値をカウン
   トアップすることを特徴とする不揮発性半導体メモリの
   情報記憶方法。
2. 【請求項２】 前記不揮発性半導体メモリの複数の記憶
   エリアに記憶される情報は、前記不揮発性半導体メモリ
   の前記複数の記憶エリア以外の記憶エリアに記憶される
   情報の管理情報であることを特徴とする請求項１に記載
   された不揮発性半導体メモリの情報記憶方法。
3. 【請求項３】 前記不揮発性半導体メモリは、フラッシ
   ュメモリであることを特徴とする請求項１または請求項
   ２に記載された不揮発性半導体メモリの情報記憶方法。
4. 【請求項４】 前記電子機器は、デジタル・スチール・
   カメラであることを特徴とする請求項１ないし請求項３
   のいずれか１項に記載された不揮発性半導体メモリの情
   報記憶方法。
5. 【請求項５】 制御装置と、複数の記憶エリアを設けた
   不揮発性半導体メモリとを備える電子機器において、 そのカウント値に基づいて前記不揮発性半導体メモリの
   複数の記憶エリアの中から、前記制御装置が情報を記憶
   する記憶エリアを選択し、また、前記不揮発性半導体メ
   モリの記憶エリアに情報を記憶する毎に、前記制御装置
   によりカウントアップされる制御カウンタを備えること
   を特徴とする電子機器。
6. 【請求項６】 前記不揮発性半導体メモリの複数の記憶
   エリアに記憶される情報は、前記不揮発性半導体メモリ
   の前記複数の記憶エリア以外の記憶エリアに記憶される
   情報の管理情報であることを特徴とする請求項５に記載
   された電子機器。
7. 【請求項７】 前記不揮発性半導体メモリは、フラッシ
   ュメモリであることを特徴とする請求項５または請求項
   ６に記載された電子機器。
8. 【請求項８】 前記電子機器は、デジタル・スチール・
   カメラであることを特徴とする請求項５ないし請求項７
   のいずれか１項に記載された電子機器。