JPH1046368A - はんだ剥離液 - Google Patents
はんだ剥離液Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造廃液を利用でき全体的な廃液を少
なくでき、また、はんだの溶解に伴うスラッジの発生が
少なく装置のメンテナンスを簡素化できるはんだ剥離液
を提供する。 【解決手段】 フッ化アンモニウムを含む半導体製造廃
液に、フッ化水素、過酸化水素、硝酸、スルフォン酸、
アゾールおよび塩化ナトリウムを配合してはんだ剥離液
を構成し、銅上のはんだのみを選択的に、かつ、スラッ
ジを生じること無く溶解、剥離でき、また、半導体製造
とプリント回路基板製造とを含む全体としての廃液の量
を少なくできるようにした。
なくでき、また、はんだの溶解に伴うスラッジの発生が
少なく装置のメンテナンスを簡素化できるはんだ剥離液
を提供する。 【解決手段】 フッ化アンモニウムを含む半導体製造廃
液に、フッ化水素、過酸化水素、硝酸、スルフォン酸、
アゾールおよび塩化ナトリウムを配合してはんだ剥離液
を構成し、銅上のはんだのみを選択的に、かつ、スラッ
ジを生じること無く溶解、剥離でき、また、半導体製造
とプリント回路基板製造とを含む全体としての廃液の量
を少なくできるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、はんだ剥離法を
採用するプリント回路基板の製造等に用いるはんだ剥離
液、詳しくは、フッ化鉛等の水に不溶性のスラッジの発
生が少なく、また、半導体製造に際して廃出される半導
体製造廃液を利用することができるはんだ剥離液に関す
る。
採用するプリント回路基板の製造等に用いるはんだ剥離
液、詳しくは、フッ化鉛等の水に不溶性のスラッジの発
生が少なく、また、半導体製造に際して廃出される半導
体製造廃液を利用することができるはんだ剥離液に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、はんだ剥離法を採用するプリント
回路基板の製造に際しては、二フッ化水素アンモニウム
（ＮＨ4 Ｆ・ＨＦ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を混合し
たはんだ剥離液を用い、エッチングレジストとなったは
んだめっきを剥離している。
回路基板の製造に際しては、二フッ化水素アンモニウム
（ＮＨ4 Ｆ・ＨＦ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を混合し
たはんだ剥離液を用い、エッチングレジストとなったは
んだめっきを剥離している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たはんだ剥離液にあっては、はんだの溶解力が約５０ｇ
／ｌと小さいため、はんだの剥離に際して多量の液が必
要で、産業廃液の量も多くなり環境汚染の防止のための
負担が大きいという問題があった。また、上述したはん
だ剥離液は、はんだ中の鉛の溶解に伴いフッ化鉛（Ｐｂ
Ｆ2 ）等の水に不溶のスラッジが発生するため、装置に
頻繁なメンテナンスが求められるという問題もあった。
この発明は、上記問題に鑑みなされたもので、半導体製
造廃液を利用でき全体的な廃液を少なくでき、また、は
んだの溶解に伴うスラッジの発生が少ないはんだ剥離液
を提供することを目的とする。
たはんだ剥離液にあっては、はんだの溶解力が約５０ｇ
／ｌと小さいため、はんだの剥離に際して多量の液が必
要で、産業廃液の量も多くなり環境汚染の防止のための
負担が大きいという問題があった。また、上述したはん
だ剥離液は、はんだ中の鉛の溶解に伴いフッ化鉛（Ｐｂ
Ｆ2 ）等の水に不溶のスラッジが発生するため、装置に
頻繁なメンテナンスが求められるという問題もあった。
この発明は、上記問題に鑑みなされたもので、半導体製
造廃液を利用でき全体的な廃液を少なくでき、また、は
んだの溶解に伴うスラッジの発生が少ないはんだ剥離液
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明にかかるはんだ剥離液は、フ
ッ化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）と、フッ化水素（ＨＦ）
または二フッ化水素アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ・ＨＦ）の
少なくとも一方と、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）と、硝酸
（ＨＮＯ3 ）と、スルフォン酸群の中から選ばれた少な
くとも１つのスルフォン酸若しくは誘導体あるいはこれ
らの塩（例えば、ＨＯＳＯ2 ＣＨ3 、以下、スルフォン
酸で代表する）と、を含んで構成される。
め、請求項１に記載の発明にかかるはんだ剥離液は、フ
ッ化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）と、フッ化水素（ＨＦ）
または二フッ化水素アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ・ＨＦ）の
少なくとも一方と、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）と、硝酸
（ＨＮＯ3 ）と、スルフォン酸群の中から選ばれた少な
くとも１つのスルフォン酸若しくは誘導体あるいはこれ
らの塩（例えば、ＨＯＳＯ2 ＣＨ3 、以下、スルフォン
酸で代表する）と、を含んで構成される。
【０００５】また、請求項２に記載の発明にかかるはん
だ剥離液は、フッ化アンモニウムを含む半導体製造廃液
に、フッ化水素または二フッ化水素アンモニウムの少な
くとも一方と、過酸化水素と、硝酸と、スルフォン酸群
の中から選ばれた少なくとも１つのスルフォン酸若しく
は誘導体あるいはこれらの塩（以下、スルフォン酸で代
表する）とを配合して構成される。
だ剥離液は、フッ化アンモニウムを含む半導体製造廃液
に、フッ化水素または二フッ化水素アンモニウムの少な
くとも一方と、過酸化水素と、硝酸と、スルフォン酸群
の中から選ばれた少なくとも１つのスルフォン酸若しく
は誘導体あるいはこれらの塩（以下、スルフォン酸で代
表する）とを配合して構成される。
【０００６】そして、この発明にかかるはんだ剥離液
は、アゾール群の中から選ばれた少なくとも１つのアゾ
ール若しくはその誘導体（以下、アゾールで代表する）
と、少なくとも１種の塩化物を加えた態様（請求項３）
に構成でき、また、ポリアミン群の中から選ばれた少な
くとも１つのポリアミン若しくはその誘導体（以下、ポ
リアミンで代表する）を加えた態様（請求項３）に構成
することができる。
は、アゾール群の中から選ばれた少なくとも１つのアゾ
ール若しくはその誘導体（以下、アゾールで代表する）
と、少なくとも１種の塩化物を加えた態様（請求項３）
に構成でき、また、ポリアミン群の中から選ばれた少な
くとも１つのポリアミン若しくはその誘導体（以下、ポ
リアミンで代表する）を加えた態様（請求項３）に構成
することができる。
【０００７】半導体製造廃液は、ウェハのエッチング液
や洗浄液等であって、下記の表１に示すようなフッ化ア
ンモニウムを含む組成のものが用いられる。
や洗浄液等であって、下記の表１に示すようなフッ化ア
ンモニウムを含む組成のものが用いられる。
【表１】
【０００８】フッ化水素と二フッ化水素アンモニウム
は、いずれか一方あるいは適当な比率で双方を配合し、
いずれを配合するかの選択と双方を配合する場合の比率
がフッ化アンモニウムの含有量に応じて決定される。過
酸化水素はフッ化アンモニウム等の含有量に応じてその
配合量が決定される。硝酸とスルフォン酸は組み合わせ
て配合される。スルフォン酸としてはメタンスルフォン
酸（ＨＯＳＯ2 ＣＨ3 ）等が用いられる。
は、いずれか一方あるいは適当な比率で双方を配合し、
いずれを配合するかの選択と双方を配合する場合の比率
がフッ化アンモニウムの含有量に応じて決定される。過
酸化水素はフッ化アンモニウム等の含有量に応じてその
配合量が決定される。硝酸とスルフォン酸は組み合わせ
て配合される。スルフォン酸としてはメタンスルフォン
酸（ＨＯＳＯ2 ＣＨ3 ）等が用いられる。
【０００９】請求項３と請求項４に記載のはんだ剥離液
は、銅面上のはんだのみを選択的に剥離する場合に使用
する。アゾールと塩化物は組み合わせて配合され、ま
た、ポリアミンは塩化ナトリウムを含む誘導体として、
若しくは、塩化ナトリウム等の塩化物と組み合わせて配
合される。アゾールとしてはベンゾトリアゾールまたは
その誘導体が好ましく、また、ポリアミンとしては塩化
ナトリウムを含む誘導体が好ましい。
は、銅面上のはんだのみを選択的に剥離する場合に使用
する。アゾールと塩化物は組み合わせて配合され、ま
た、ポリアミンは塩化ナトリウムを含む誘導体として、
若しくは、塩化ナトリウム等の塩化物と組み合わせて配
合される。アゾールとしてはベンゾトリアゾールまたは
その誘導体が好ましく、また、ポリアミンとしては塩化
ナトリウムを含む誘導体が好ましい。
【００１０】
【作用】この発明にかかるはんだ剥離液は、はんだ中の
すずＳｎを水溶性のフッ化すずＳｎＦ2 として、また、
鉛Ｐｂをフッ化鉛ＰｂＦ2 とした後に水溶性の硝酸鉛Ｐ
ｂ（ＮＯ3 ）として剥離（溶解）させるため、液中にス
ラッジが堆積することがなく、装置のメンテナンス負担
が軽減される。特に、請求項２に記載のはんだ剥離液
は、半導体製造廃液を利用するため、全体として廃出さ
れる廃液を少なくでき、環境汚染を防止するための負担
が軽減される。
すずＳｎを水溶性のフッ化すずＳｎＦ2 として、また、
鉛Ｐｂをフッ化鉛ＰｂＦ2 とした後に水溶性の硝酸鉛Ｐ
ｂ（ＮＯ3 ）として剥離（溶解）させるため、液中にス
ラッジが堆積することがなく、装置のメンテナンス負担
が軽減される。特に、請求項２に記載のはんだ剥離液
は、半導体製造廃液を利用するため、全体として廃出さ
れる廃液を少なくでき、環境汚染を防止するための負担
が軽減される。
【００１１】そして、請求項３に記載のはんだ剥離液は
アゾールと塩化物を配合するため、また、請求項４に記
載のはんだ剥離液はポリアミンを配合するため、これら
により銅表面に保護膜を形成して銅表面上のはんだのみ
を選択的に剥離できる。
アゾールと塩化物を配合するため、また、請求項４に記
載のはんだ剥離液はポリアミンを配合するため、これら
により銅表面に保護膜を形成して銅表面上のはんだのみ
を選択的に剥離できる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。 ・実施例１ 前述した表１の半導体製造廃液を用いて表２に示すはん
だ剥離液を作成した。そして、エポキシ樹脂銅張積層板
の銅表面に約８μｍの厚さではんだめっきを施した試験
片を作成し、この試験片を２５°Ｃに保持した上記はん
だ剥離液で３０秒間処理した。この後、この試験片を処
理後に水洗、乾燥して表面を観察したところ、試験片の
処理部分ははんだめっきのみが選択的に除去剥離された
ことが確認された。
だ剥離液を作成した。そして、エポキシ樹脂銅張積層板
の銅表面に約８μｍの厚さではんだめっきを施した試験
片を作成し、この試験片を２５°Ｃに保持した上記はん
だ剥離液で３０秒間処理した。この後、この試験片を処
理後に水洗、乾燥して表面を観察したところ、試験片の
処理部分ははんだめっきのみが選択的に除去剥離された
ことが確認された。
【００１３】
【表２】
【００１４】・実施例２ 前述した表１の半導体製造廃液を用いて表３に示すはん
だ剥離液を作成した。また、銅厚が５０μｍのエポキシ
樹脂銅張積層板の銅表面に約８μｍの厚さではんだめっ
きを施した試験片を作成した。そして、はんだ剥離液を
４５°Ｃに保持して試験片の表面を１２分間処理した。
この後、試験片を水洗、乾燥して表面を観察したとこ
ろ、試験片は処理部分の銅とはんだめっきがともに剥離
されていることが確認された。
だ剥離液を作成した。また、銅厚が５０μｍのエポキシ
樹脂銅張積層板の銅表面に約８μｍの厚さではんだめっ
きを施した試験片を作成した。そして、はんだ剥離液を
４５°Ｃに保持して試験片の表面を１２分間処理した。
この後、試験片を水洗、乾燥して表面を観察したとこ
ろ、試験片は処理部分の銅とはんだめっきがともに剥離
されていることが確認された。
【００１５】
【表３】
【００１６】なお、上述した実施例１にかかるはんだ剥
離液は、アゾールと塩化ナトリウムを加えるが、これら
に代えてポリアミンの誘導体あるいはポリアミンと塩化
ナトリウムを加えることも可能である。
離液は、アゾールと塩化ナトリウムを加えるが、これら
に代えてポリアミンの誘導体あるいはポリアミンと塩化
ナトリウムを加えることも可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明にかかるはんだ剥離液によれば、フッ化アンモニウ
ム、フッ化水素（二フッ化水素アンモニウム）、過酸化
水素、硝酸、スルフォン酸を含むため、スラッジの発生
量を極めて少なくでき、装置のメンテナンスの簡素化を
図れる。特に、請求項２に記載の発明にかかるはんだ剥
離液は、半導体製造廃液を用い、この半導体製造廃液か
らフッ化アンモニウムを得るため、半導体製造と基板の
製造とを含めた全体としての廃液量を少なくでき、環境
汚染防止のための負担を軽減できる。
発明にかかるはんだ剥離液によれば、フッ化アンモニウ
ム、フッ化水素（二フッ化水素アンモニウム）、過酸化
水素、硝酸、スルフォン酸を含むため、スラッジの発生
量を極めて少なくでき、装置のメンテナンスの簡素化を
図れる。特に、請求項２に記載の発明にかかるはんだ剥
離液は、半導体製造廃液を用い、この半導体製造廃液か
らフッ化アンモニウムを得るため、半導体製造と基板の
製造とを含めた全体としての廃液量を少なくでき、環境
汚染防止のための負担を軽減できる。
【００１８】また、請求項３に記載の発明にかかるはん
だ剥離液はアゾールと塩化物を配合するため、請求項４
に記載の発明にかかるはんだ剥離液はポリアミンを配合
するため、銅上のはんだを銅を溶解することなく選択的
に溶解、剥離できる。
だ剥離液はアゾールと塩化物を配合するため、請求項４
に記載の発明にかかるはんだ剥離液はポリアミンを配合
するため、銅上のはんだを銅を溶解することなく選択的
に溶解、剥離できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ 21/306 21/306 Ｚ
Claims (4)
- 【請求項１】 フッ化アンモニウムと、フッ化水素また
は二フッ化水素アンモニウムの少なくとも一方と、過酸
化水素と、硝酸と、スルフォン酸群の中から選ばれた少
なくとも１つのスルフォン酸若しくは誘導体あるいはこ
れらの塩と、を含むことを特徴とするはんだ剥離液。 - 【請求項２】 フッ化アンモニウムを含む半導体製造廃
液に、フッ化水素または二フッ化水素アンモニウムの少
なくとも一方と、過酸化水素と、硝酸と、スルフォン酸
群の中から選ばれた少なくとも１つのスルフォン酸若し
くは誘導体あるいはこれらの塩と、を配合してなること
を特徴とするはんだ剥離液。 - 【請求項３】 アゾール群の中から選ばれた少なくとも
１つのアゾール若しくはその誘導体と、少なくとも１種
の塩化物を加えた請求項１または請求項２に記載のはん
だ剥離液。 - 【請求項４】 ポリアミン群の中から選ばれた少なくと
も１つのポリアミン若しくはその誘導体を加えた請求項
１または請求項２に記載のはんだ剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21689296A JPH1046368A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | はんだ剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21689296A JPH1046368A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | はんだ剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1046368A true JPH1046368A (ja) | 1998-02-17 |
Family
ID=16695558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21689296A Pending JPH1046368A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | はんだ剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1046368A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066533A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Kanto Chem Co Inc | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物、並びにそれを用いた残渣除去方法 |
| CN103934536A (zh) * | 2014-05-12 | 2014-07-23 | 上海第二工业大学 | 一种对废弃印刷电路板焊接元器件进行拆解的方法 |
| CN104625286A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-05-20 | 上海第二工业大学 | 一种废弃印刷电路板湿式拆解方法 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP21689296A patent/JPH1046368A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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