JPH1036995A - 錫−銀合金めっき浴 - Google Patents
錫−銀合金めっき浴Info
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- JPH1036995A JPH1036995A JP20768396A JP20768396A JPH1036995A JP H1036995 A JPH1036995 A JP H1036995A JP 20768396 A JP20768396 A JP 20768396A JP 20768396 A JP20768396 A JP 20768396A JP H1036995 A JPH1036995 A JP H1036995A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 錫−鉛はんだを代替する新規な非シアン錫−
銀合金めっき浴。 【解決手段】 ２価の錫イオン及び１価の銀イオンに加
えて、ピロリン酸イオン、グルコン酸イオン及びクエン
酸イオンから選ばれたイオンの１種又は２種以上を２価
の錫イオンの錯化剤とし、ヨウ素イオンを１価の銀イオ
ンの錯化剤として含有する溶液に、さらに、硝酸イオン
及び／又はアミンアルコール類及び（又は）下記一般式
（II） ［Ｒ1 はフェニル基、ピリジル基、スチリル基、アルキ
ル基、アシル基又は−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨを表し、該
フェニル基、ピリジル基及びスチリル基の水素はヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アルデヒド基、メトキシ基
又はニトロ基で置換されていてもよい。Ｒ2 は水素、ア
ルキル基又はφ−Ｃ（ＯＨ）Ｈ−（φはフェニル基）を
表す。Ｘはヒドロキシル基又はスルホン酸基を表す。］
で表わされるオキシム若しくはスルファミン酸類から選
ばれた化合物を添加する。
銀合金めっき浴。 【解決手段】 ２価の錫イオン及び１価の銀イオンに加
えて、ピロリン酸イオン、グルコン酸イオン及びクエン
酸イオンから選ばれたイオンの１種又は２種以上を２価
の錫イオンの錯化剤とし、ヨウ素イオンを１価の銀イオ
ンの錯化剤として含有する溶液に、さらに、硝酸イオン
及び／又はアミンアルコール類及び（又は）下記一般式
（II） ［Ｒ1 はフェニル基、ピリジル基、スチリル基、アルキ
ル基、アシル基又は−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨを表し、該
フェニル基、ピリジル基及びスチリル基の水素はヒドロ
キシル基、カルボキシル基、アルデヒド基、メトキシ基
又はニトロ基で置換されていてもよい。Ｒ2 は水素、ア
ルキル基又はφ−Ｃ（ＯＨ）Ｈ−（φはフェニル基）を
表す。Ｘはヒドロキシル基又はスルホン酸基を表す。］
で表わされるオキシム若しくはスルファミン酸類から選
ばれた化合物を添加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、錫−銀合金電気め
っき浴に関し、特に、非シアン系の錯化剤によって安定
化させた浴から平滑で緻密な電着物を得るために、硝酸
イオン及び／又はアミンアルコール類及び（又は）オキ
シム若しくはスルファミン酸類を添加してなる錫−銀合
金電気めっき浴に関する。
っき浴に関し、特に、非シアン系の錯化剤によって安定
化させた浴から平滑で緻密な電着物を得るために、硝酸
イオン及び／又はアミンアルコール類及び（又は）オキ
シム若しくはスルファミン酸類を添加してなる錫−銀合
金電気めっき浴に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子工業において錫−鉛を基本組成とす
るはんだによる接合は不可欠の技術として広く行われて
いる。はんだ付けを迅速かつ確実に行うために、はんだ
付けしようとする部品に予めはんだ付け性の良好な皮膜
を施しておくことが行われるが、このはんだ付け性皮膜
として錫−鉛合金めっき皮膜が一般に利用されている。
しかしながら、近年、鉛の健康・環境への影響が懸念さ
れ、有害な鉛を含む錫−鉛はんだを規制しようとする考
えが急速に広まりつつある。工業的な生産条件並びに使
用条件という観点から勘案すると、錫−鉛はんだに代替
できる特性を有するような鉛を含まないはんだはいまの
ところなく、日欧米を中心として研究開発が行われてい
るところであり、錫−鉛はんだの代替として錫と銀、ビ
スマス、銅、インジウム、アンチモン、亜鉛などの二元
或いは多元合金が候補として挙げられており、錫−銀合
金も、はんだの有力な代替合金の一つである。代替はん
だに対応して、はんだ付け用のめっき皮膜もまた鉛を含
まないものに変更していく必要がある。これに対して、
錫−銀合金めっき皮膜を得るためのめっき浴は、銀を主
成分とするものは古くからあるが、錫を主成分とする非
シアン錫−銀合金めっき浴は工業的に行われていない。
銀単独のめっき浴としては、古くからシアン浴が用いら
れてきた。公害防止上好ましくないシアン浴に代わっ
て、硝酸銀浴、スルファミン酸浴、塩化銀浴、チオシア
ン酸浴、チオ硫酸浴などが検討されてきたが、シアン以
外の銀の錯化剤は安定度定数が小さいので、シアン浴に
比べて析出物の結晶が粗く工業的な応用を満足する性能
を有しなかった。最近、これらに比べて微細な粒子の析
出物が得られる浴として、有機スルホン酸の銀塩とヨウ
化カリウムを含むめっき浴にスルファニル酸の誘導体を
添加した浴が特開平２−２９０９９３号に、コハク酸イ
ミド又はその誘導体を錯化剤とする浴が特開平７−１６
６３９１号に記載されているが、錫との合金めっきの可
能性については記載されていない。
るはんだによる接合は不可欠の技術として広く行われて
いる。はんだ付けを迅速かつ確実に行うために、はんだ
付けしようとする部品に予めはんだ付け性の良好な皮膜
を施しておくことが行われるが、このはんだ付け性皮膜
として錫−鉛合金めっき皮膜が一般に利用されている。
しかしながら、近年、鉛の健康・環境への影響が懸念さ
れ、有害な鉛を含む錫−鉛はんだを規制しようとする考
えが急速に広まりつつある。工業的な生産条件並びに使
用条件という観点から勘案すると、錫−鉛はんだに代替
できる特性を有するような鉛を含まないはんだはいまの
ところなく、日欧米を中心として研究開発が行われてい
るところであり、錫−鉛はんだの代替として錫と銀、ビ
スマス、銅、インジウム、アンチモン、亜鉛などの二元
或いは多元合金が候補として挙げられており、錫−銀合
金も、はんだの有力な代替合金の一つである。代替はん
だに対応して、はんだ付け用のめっき皮膜もまた鉛を含
まないものに変更していく必要がある。これに対して、
錫−銀合金めっき皮膜を得るためのめっき浴は、銀を主
成分とするものは古くからあるが、錫を主成分とする非
シアン錫−銀合金めっき浴は工業的に行われていない。
銀単独のめっき浴としては、古くからシアン浴が用いら
れてきた。公害防止上好ましくないシアン浴に代わっ
て、硝酸銀浴、スルファミン酸浴、塩化銀浴、チオシア
ン酸浴、チオ硫酸浴などが検討されてきたが、シアン以
外の銀の錯化剤は安定度定数が小さいので、シアン浴に
比べて析出物の結晶が粗く工業的な応用を満足する性能
を有しなかった。最近、これらに比べて微細な粒子の析
出物が得られる浴として、有機スルホン酸の銀塩とヨウ
化カリウムを含むめっき浴にスルファニル酸の誘導体を
添加した浴が特開平２−２９０９９３号に、コハク酸イ
ミド又はその誘導体を錯化剤とする浴が特開平７−１６
６３９１号に記載されているが、錫との合金めっきの可
能性については記載されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】錫−銀合金が電気めっ
きによって得られること自体は、古くから知られてお
り、シアン浴から得られているが、シアンを用いること
もまた環境衛生・公害・毒劇物管理の観点から好ましく
ない。シアン浴以外の錫−銀合金めっき浴としては、１
９７１年に松下はシアン−ピロリン酸混合浴（金属表面
技術 ２２，６０（１９７１））から、また、１９８３
年に久保田らは非シアン浴としてピロリン酸浴（金属表
面技術 ３４，３７（１９８３））から、錫−銀合金皮
膜を得ている。しかし、これらは、銀めっきの代替もし
くは銀めっきの性能向上を主たる目的に開発研究された
ものであり、銀を主成分とした銀−錫合金電気めっき皮
膜を得るための浴であり、錫が主成分となった場合に、
平滑で緻密なめっきが得られるものではなかった。錫−
鉛はんだの代替としての錫−銀合金めっき皮膜は、ウィ
スカーの発生を抑制できるに十分な比率で銀が含まれて
さえいれば、コスト上の観点からできるだけ銀含有率は
低い方が望ましく、おおむね２０％以下の含有率のも
の、特に、Ｓｎ−３．５％Ａｇの共晶組成を中心とした
組成が使用されるようになると考えられる。
きによって得られること自体は、古くから知られてお
り、シアン浴から得られているが、シアンを用いること
もまた環境衛生・公害・毒劇物管理の観点から好ましく
ない。シアン浴以外の錫−銀合金めっき浴としては、１
９７１年に松下はシアン−ピロリン酸混合浴（金属表面
技術 ２２，６０（１９７１））から、また、１９８３
年に久保田らは非シアン浴としてピロリン酸浴（金属表
面技術 ３４，３７（１９８３））から、錫−銀合金皮
膜を得ている。しかし、これらは、銀めっきの代替もし
くは銀めっきの性能向上を主たる目的に開発研究された
ものであり、銀を主成分とした銀−錫合金電気めっき皮
膜を得るための浴であり、錫が主成分となった場合に、
平滑で緻密なめっきが得られるものではなかった。錫−
鉛はんだの代替としての錫−銀合金めっき皮膜は、ウィ
スカーの発生を抑制できるに十分な比率で銀が含まれて
さえいれば、コスト上の観点からできるだけ銀含有率は
低い方が望ましく、おおむね２０％以下の含有率のも
の、特に、Ｓｎ−３．５％Ａｇの共晶組成を中心とした
組成が使用されるようになると考えられる。
【０００４】このような組成の錫−銀合金めっき皮膜を
得るための浴として、最近、伊勢らによって錫酸カリ−
硝酸銀浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 ２０
５（１９９６））、また、新井らによってピロリン酸−
ヨウ化物浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 １
９５（１９９６））が報告されている。しかしながら、
前者は錯化剤を含まないために銀が優先的に析出し易
く、数％の含有率の錫−銀めっき皮膜を得るためには、
めっき液中の銀比率を極端に低くしなければならず、工
業的操業には管理上の困難を伴うものである。また、後
者は、銀イオンに対する錯化剤の観点から、銀の優先析
出を抑制しようとした点で前者よりも進歩した浴と考え
られるが、電極表面近傍で電析反応に関与して金属の析
出を抑制するとともに電析合金結晶を微細化させるよう
な添加剤を含んでいないものであるが故に、電着物中の
合金比率の電流密度依存性が大きく、この点に問題点を
残しているとともに、工業上利用できるに十分微細な結
晶を有した平滑で緻密なめっき皮膜ではない。
得るための浴として、最近、伊勢らによって錫酸カリ−
硝酸銀浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 ２０
５（１９９６））、また、新井らによってピロリン酸−
ヨウ化物浴（表面技術協会第９３回講演大会予講集 １
９５（１９９６））が報告されている。しかしながら、
前者は錯化剤を含まないために銀が優先的に析出し易
く、数％の含有率の錫−銀めっき皮膜を得るためには、
めっき液中の銀比率を極端に低くしなければならず、工
業的操業には管理上の困難を伴うものである。また、後
者は、銀イオンに対する錯化剤の観点から、銀の優先析
出を抑制しようとした点で前者よりも進歩した浴と考え
られるが、電極表面近傍で電析反応に関与して金属の析
出を抑制するとともに電析合金結晶を微細化させるよう
な添加剤を含んでいないものであるが故に、電着物中の
合金比率の電流密度依存性が大きく、この点に問題点を
残しているとともに、工業上利用できるに十分微細な結
晶を有した平滑で緻密なめっき皮膜ではない。
【０００５】発明者らは、該問題を解決するために良好
なめっき皮膜を得るための界面活性剤、添加剤を見出
し、すでに特許出願を行っている（特願平８−１４３４
８１号）が、複雑な形状の対象物にめっきした際に、対
象物のエッジ部分において若干平滑性に欠ける問題点を
残していた。
なめっき皮膜を得るための界面活性剤、添加剤を見出
し、すでに特許出願を行っている（特願平８−１４３４
８１号）が、複雑な形状の対象物にめっきした際に、対
象物のエッジ部分において若干平滑性に欠ける問題点を
残していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者は、２価
の錫イオンと１価の銀イオンを含み、さらに２価の錫イ
オンを浴中に安定に溶解保持させるための錯化剤として
ピロリン酸イオン、グルコン酸イオン、クエン酸イオン
の１種又は２種以上を、また１価の銀イオンを浴中に安
定に溶解させるための錯化剤としてヨウ素イオンを含む
溶液に、さらに、硝酸イオン及び／又はアミンアルコー
ル類及び（又は）オキシム若しくはスルファミン酸類か
ら選ばれた化合物の１種又は２種以上を添加することに
よって、めっき皮膜の平滑性、特に、めっき対象物のエ
ッジ部分の平滑性を向上させることができることを見出
し、環境・衛生・公害上問題のある錫−鉛はんだを代替
する非シアンの錫−銀合金めっきの実用化を可能とし、
代替はんだ問題を解決するに至った。
の錫イオンと１価の銀イオンを含み、さらに２価の錫イ
オンを浴中に安定に溶解保持させるための錯化剤として
ピロリン酸イオン、グルコン酸イオン、クエン酸イオン
の１種又は２種以上を、また１価の銀イオンを浴中に安
定に溶解させるための錯化剤としてヨウ素イオンを含む
溶液に、さらに、硝酸イオン及び／又はアミンアルコー
ル類及び（又は）オキシム若しくはスルファミン酸類か
ら選ばれた化合物の１種又は２種以上を添加することに
よって、めっき皮膜の平滑性、特に、めっき対象物のエ
ッジ部分の平滑性を向上させることができることを見出
し、環境・衛生・公害上問題のある錫−鉛はんだを代替
する非シアンの錫−銀合金めっきの実用化を可能とし、
代替はんだ問題を解決するに至った。
【０００７】発明の概要 すなわち、本発明は、２価の錫イオン及び１価の銀イオ
ンを含有し、さらにピロリン酸イオン、グルコン酸イオ
ン、クエン酸イオンの１種又は２種以上を２価の錫イオ
ンの錯化剤とし、ヨウ素イオンを１価の銀イオンの錯化
剤とする溶液に、さらに、硝酸イオン及び／又は下記一
般式（Ｉ）
ンを含有し、さらにピロリン酸イオン、グルコン酸イオ
ン、クエン酸イオンの１種又は２種以上を２価の錫イオ
ンの錯化剤とし、ヨウ素イオンを１価の銀イオンの錯化
剤とする溶液に、さらに、硝酸イオン及び／又は下記一
般式（Ｉ）
【化３】 ［ここで、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に、水
素、メチル基、エチル基又は（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ
4 ）（ＯＨ）を表し、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 のうち少なく
とも一つは（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ4 ）（ＯＨ）であ
る。Ｒ4 は水素又はメチル基を表し、ｎは１又は２の整
数を表す。］で表わされるアミンアルコール類及び（又
は）下記一般式（II）
素、メチル基、エチル基又は（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ
4 ）（ＯＨ）を表し、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 のうち少なく
とも一つは（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ4 ）（ＯＨ）であ
る。Ｒ4 は水素又はメチル基を表し、ｎは１又は２の整
数を表す。］で表わされるアミンアルコール類及び（又
は）下記一般式（II）
【化４】 ［ここで、Ｒ1 はフェニル基、ピリジル基、スチリル
基、アルキル基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）、アシル基（Ｃ1 〜Ｃ
5 ）又は−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨを表し、該フェニル
基、ピリジル基及びスチリル基の水素はヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルデヒド基、メトキシ基又はニ
トロ基で置換されていてもよい。Ｒ2 は水素、アルキル
基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）又はφ−Ｃ（ＯＨ）Ｈ−（ここで、φ
はフェニル基である）を表す。Ｘはヒドロキシル基又は
スルホン酸基を表す。］で表わされるオキシム若しくは
スルファミン酸類から選ばれた化合物の１種又は２種以
上を添加してなる非シアン錫−銀合金めっき浴を提供す
るものである。
基、アルキル基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）、アシル基（Ｃ1 〜Ｃ
5 ）又は−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨを表し、該フェニル
基、ピリジル基及びスチリル基の水素はヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルデヒド基、メトキシ基又はニ
トロ基で置換されていてもよい。Ｒ2 は水素、アルキル
基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）又はφ−Ｃ（ＯＨ）Ｈ−（ここで、φ
はフェニル基である）を表す。Ｘはヒドロキシル基又は
スルホン酸基を表す。］で表わされるオキシム若しくは
スルファミン酸類から選ばれた化合物の１種又は２種以
上を添加してなる非シアン錫−銀合金めっき浴を提供す
るものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の非シアン系錫−銀合金電
気めっき浴において、２価の錫化合物としては、公知の
ものがいずれも使用でき、例えば、酸化錫、硫酸錫、塩
化錫、ホウフッ化錫、ケイフッ化錫、スルファミン酸
錫、シュウ酸錫、酒石酸錫、グルコン酸錫、スルホコハ
ク酸錫、ピロリン酸錫、１−ヒドロキシエタン−１，１
−ビスホスホン酸錫、トリポリリン酸錫又は、一般式
（ｉ）及び（ii）で表される脂肪族スルホン酸の錫塩、
例えばメタンスルホン酸錫、メタンジスルホン酸錫、メ
タントリスルホン酸錫、トリフルオロメタンスルホン酸
錫、或いは一般式（iii)で表される芳香族スルホン酸の
錫塩、例えばフェノールスルホン酸錫、スルホ安息香酸
錫などを単独又は適宜混合して使用できる。
気めっき浴において、２価の錫化合物としては、公知の
ものがいずれも使用でき、例えば、酸化錫、硫酸錫、塩
化錫、ホウフッ化錫、ケイフッ化錫、スルファミン酸
錫、シュウ酸錫、酒石酸錫、グルコン酸錫、スルホコハ
ク酸錫、ピロリン酸錫、１−ヒドロキシエタン−１，１
−ビスホスホン酸錫、トリポリリン酸錫又は、一般式
（ｉ）及び（ii）で表される脂肪族スルホン酸の錫塩、
例えばメタンスルホン酸錫、メタンジスルホン酸錫、メ
タントリスルホン酸錫、トリフルオロメタンスルホン酸
錫、或いは一般式（iii)で表される芳香族スルホン酸の
錫塩、例えばフェノールスルホン酸錫、スルホ安息香酸
錫などを単独又は適宜混合して使用できる。
【０００９】・一般式（ｉ）
【化５】 ［ここで、ＲはＣ1 〜Ｃ5 のアルキル基を表し、Ｘは水
素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そして
アルキル基の任意の位置にあってよく、ｎは０〜３の整
数である。］ ・一般式（ii）
素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そして
アルキル基の任意の位置にあってよく、ｎは０〜３の整
数である。］ ・一般式（ii）
【化６】 ［ここで、Ｒ1 はＣ1 〜Ｃ3 のアルキル基を表し、Ｒ2
はＣ1 〜Ｃ3 のアルキレン基を表し、水酸基はアルキレ
ン基の任意の位置にあってよく、Ｘは塩素及びフッ素の
ハロゲンを表し、アルキル基及びアルキレン基の水素と
置換された塩素又はフッ素の置換数は１からアルキル基
又はアルキレン基に配位したすべての水素が飽和置換さ
れたものまでを表し、置換されたハロゲン種は１種類又
は２種類であり、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置
にあってよい。Ｙは水素又はスルホン酸基を表し、Ｙで
表されるスルホン酸基の置換数は０〜２の範囲にあ
る。］ ・一般式（iii)
はＣ1 〜Ｃ3 のアルキレン基を表し、水酸基はアルキレ
ン基の任意の位置にあってよく、Ｘは塩素及びフッ素の
ハロゲンを表し、アルキル基及びアルキレン基の水素と
置換された塩素又はフッ素の置換数は１からアルキル基
又はアルキレン基に配位したすべての水素が飽和置換さ
れたものまでを表し、置換されたハロゲン種は１種類又
は２種類であり、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置
にあってよい。Ｙは水素又はスルホン酸基を表し、Ｙで
表されるスルホン酸基の置換数は０〜２の範囲にあ
る。］ ・一般式（iii)
【化７】 ［ここで、Ｘは水酸基、アルキル基、アリール基、アル
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは２個のＸはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、ｍは０〜３の整数である。］。
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは２個のＸはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、ｍは０〜３の整数である。］。
【００１０】錫化合物の使用量は、錫分として５〜５０
ｇ／ｌ程度が適当であり、好ましくは１０〜３０ｇ／ｌ
程度とする。
ｇ／ｌ程度が適当であり、好ましくは１０〜３０ｇ／ｌ
程度とする。
【００１１】１価の銀化合物としては、公知のものがい
ずれも使用でき、例えば、酸化銀、硝酸銀、硫酸銀、塩
化銀、臭化銀、ヨウ化銀、安息香酸銀、スルファミン酸
銀、クエン酸銀、乳酸銀、メルカプトコハク酸銀、リン
酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピロリン酸銀、１−ヒドロ
キシエタン−１，１−ビスホスホン酸銀、又は一般式
（ｉ）及び（ii）で表される脂肪族スルホン酸の銀塩、
例えばメタンスルホン酸銀、スルホコハク酸銀、トリフ
ルオロメタンスルホン酸銀、或いは一般式（iii)で表さ
れる芳香族スルホン酸の銀塩、例えばｐ−トルエンスル
ホン酸銀、スルホ安息香酸銀などを単独又は適宜混合し
て使用できる。
ずれも使用でき、例えば、酸化銀、硝酸銀、硫酸銀、塩
化銀、臭化銀、ヨウ化銀、安息香酸銀、スルファミン酸
銀、クエン酸銀、乳酸銀、メルカプトコハク酸銀、リン
酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピロリン酸銀、１−ヒドロ
キシエタン−１，１−ビスホスホン酸銀、又は一般式
（ｉ）及び（ii）で表される脂肪族スルホン酸の銀塩、
例えばメタンスルホン酸銀、スルホコハク酸銀、トリフ
ルオロメタンスルホン酸銀、或いは一般式（iii)で表さ
れる芳香族スルホン酸の銀塩、例えばｐ−トルエンスル
ホン酸銀、スルホ安息香酸銀などを単独又は適宜混合し
て使用できる。
【００１２】・一般式（ｉ）
【化８】 ［ここで、ＲはＣ1 〜Ｃ5 のアルキル基を表し、Ｘは水
素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そして
アルキル基の任意の位置にあってよく、ｎは０〜３の整
数である。］ ・一般式（ii）
素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そして
アルキル基の任意の位置にあってよく、ｎは０〜３の整
数である。］ ・一般式（ii）
【化９】 ［ここで、Ｒ1 はＣ1 〜Ｃ3 のアルキル基を表し、Ｒ2
はＣ1 〜Ｃ3 のアルキレン基を表し、水酸基はアルキレ
ン基の任意の位置にあってよく、Ｘは塩素及びフッ素の
ハロゲンを表し、アルキル基及びアルキレン基の水素と
置換された塩素又はフッ素の置換数は１からアルキル基
又はアルキレン基に配位したすべての水素が飽和置換さ
れたものまでを表し、置換されたハロゲン種は１種類又
は２種類であり、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置
にあってよい。Ｙは水素又はスルホン酸基を表し、Ｙで
表されるスルホン酸基の置換数は０から２の範囲にあ
る。］ ・一般式（iii)
はＣ1 〜Ｃ3 のアルキレン基を表し、水酸基はアルキレ
ン基の任意の位置にあってよく、Ｘは塩素及びフッ素の
ハロゲンを表し、アルキル基及びアルキレン基の水素と
置換された塩素又はフッ素の置換数は１からアルキル基
又はアルキレン基に配位したすべての水素が飽和置換さ
れたものまでを表し、置換されたハロゲン種は１種類又
は２種類であり、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置
にあってよい。Ｙは水素又はスルホン酸基を表し、Ｙで
表されるスルホン酸基の置換数は０から２の範囲にあ
る。］ ・一般式（iii)
【化１０】 ［ここで、Ｘは水酸基、アルキル基、アリール基、アル
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは２個のＸはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、ｍは０〜３の整数である。］。
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは２個のＸはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、ｍは０〜３の整数である。］。
【００１３】銀化合物の使用量は、銀分として０．０５
〜１０ｇ／１程度が適当であり、好ましくは０．１〜５
ｇ／ｌ程度とする。ただし、銀含有量の多い錫−銀合金
めっき皮膜を得ようとする場合には、これに限定される
ものではなく、概ね５０ｇ／ｌ程度の銀濃度とすること
ができる。
〜１０ｇ／１程度が適当であり、好ましくは０．１〜５
ｇ／ｌ程度とする。ただし、銀含有量の多い錫−銀合金
めっき皮膜を得ようとする場合には、これに限定される
ものではなく、概ね５０ｇ／ｌ程度の銀濃度とすること
ができる。
【００１４】２価の錫イオンの錯化剤としては、ピロリ
ン酸イオン、グルコン酸イオン、クエン酸イオンの１種
又は２種以上が単独又は適宜混合して使用できる。ま
た、１価の銀イオンの錯化剤としてヨウ素イオンが使用
される。錫イオンに対する錯化剤であるピロリン酸イオ
ン、グルコン酸イオン又はクエン酸イオンの供給は、公
知のものがいずれも使用でき、酸、アルカリ金属塩、ア
ンモニウム塩或いは錫又は銀塩などを単独又は適宜混合
して添加することができる。それらの使用量は、錯化剤
の種類に応じて適宜選択されるが、浴中の錫分１モルに
対して１〜２０モル程度が適当であり、好ましくは２〜
１５モル程度である。また、銀イオンに対する錯化剤で
あるヨウ素イオンの供給は、公知のものがいずれも使用
でき、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、錫塩、或いは
銀塩或いはヨウ化水素酸などを単独又は適宜混合して添
加することができる。その使用量は、銀イオンの５〜１
０００倍を使用し、好ましくは１０〜６００倍を使用す
る。
ン酸イオン、グルコン酸イオン、クエン酸イオンの１種
又は２種以上が単独又は適宜混合して使用できる。ま
た、１価の銀イオンの錯化剤としてヨウ素イオンが使用
される。錫イオンに対する錯化剤であるピロリン酸イオ
ン、グルコン酸イオン又はクエン酸イオンの供給は、公
知のものがいずれも使用でき、酸、アルカリ金属塩、ア
ンモニウム塩或いは錫又は銀塩などを単独又は適宜混合
して添加することができる。それらの使用量は、錯化剤
の種類に応じて適宜選択されるが、浴中の錫分１モルに
対して１〜２０モル程度が適当であり、好ましくは２〜
１５モル程度である。また、銀イオンに対する錯化剤で
あるヨウ素イオンの供給は、公知のものがいずれも使用
でき、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、錫塩、或いは
銀塩或いはヨウ化水素酸などを単独又は適宜混合して添
加することができる。その使用量は、銀イオンの５〜１
０００倍を使用し、好ましくは１０〜６００倍を使用す
る。
【００１５】本発明の電気めっき浴は、上述の溶液に、
さらに、硝酸イオン及び／又は下記一般式（Ｉ）
さらに、硝酸イオン及び／又は下記一般式（Ｉ）
【化１１】 ［ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、及びＲ3 はそれぞれ独立に、水
素、メチル基、エチル基又は（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ
4 ）（ＯＨ）を表し、Ｒ1 、Ｒ2 、及びＲ3 の内、少な
くとも一つは（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ4 ）（ＯＨ）であ
る。Ｒ4 は、水素又はメチル基を表し、ｎは１又は２の
整数を表す。］で表わされるアミンアルコール類及び
（又は）下記一般式（II）
素、メチル基、エチル基又は（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ
4 ）（ＯＨ）を表し、Ｒ1 、Ｒ2 、及びＲ3 の内、少な
くとも一つは（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ4 ）（ＯＨ）であ
る。Ｒ4 は、水素又はメチル基を表し、ｎは１又は２の
整数を表す。］で表わされるアミンアルコール類及び
（又は）下記一般式（II）
【化１２】 ［ここで、Ｒ1 はフェニル基、ピリジル基、スチリル
基、アルキル基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）、アシル基（Ｃ1 〜Ｃ
5 ）又は−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨを表し、該フェニル
基、ピリジル基及びスチリル基の水素はヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルデヒド基、メトキシ基又はニ
トロ基で置換されていてもよい。Ｒ2 は水素、アルキル
基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）又はφ−Ｃ（ＯＨ）Ｈ−（ここで、φ
はフェニル基である）を表す。Ｘはヒドロキシル基又は
スルホン酸基を表す。］で表わされるオキシム若しくは
スルファミン酸類から選ばれた化合物の１種又は２種以
上を添加することを特徴とする非シアン錫−銀合金めっ
き浴である。
基、アルキル基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）、アシル基（Ｃ1 〜Ｃ
5 ）又は−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨを表し、該フェニル
基、ピリジル基及びスチリル基の水素はヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルデヒド基、メトキシ基又はニ
トロ基で置換されていてもよい。Ｒ2 は水素、アルキル
基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）又はφ−Ｃ（ＯＨ）Ｈ−（ここで、φ
はフェニル基である）を表す。Ｘはヒドロキシル基又は
スルホン酸基を表す。］で表わされるオキシム若しくは
スルファミン酸類から選ばれた化合物の１種又は２種以
上を添加することを特徴とする非シアン錫−銀合金めっ
き浴である。
【００１６】硝酸イオンの供給は、公知のものがいずれ
も使用でき、硝酸、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、
銀塩などを単独又は適宜混合して添加することができ
る。その使用量は、硝酸イオンとして１ｇ／１〜２００
ｇ／ｌを使用し、好ましくは、３ｇ／１〜１００ｇ／１
を使用する。また、アミンアルコール類は、上記（Ｉ）
で表したものが使用でき、具体的には、Ｎ−メチルエタ
ノールアミン、２−ジエチルアミノエタノール、３−ジ
エチルアミノ−１−プロパノール、１−（ジメチルアミ
ノ）−２−プロパノール、３−（ジメチルアミノ）−２
−プロパノール、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン、トリエタノールアミンなどを単独又は適宜混合
して添加することができる。その使用量は、銀イオンに
対して、１０〜１０００倍を使用し、好ましくは、３０
〜６００倍を使用する。硝酸イオン及びアミンアルコー
ルはともに、該範囲を越える過剰の添加は析出物外観を
黒っぽくし、一方、不足の場合にはエッジ部の析出物を
平滑化、緻密化するという所期の目的を達成しない。ま
た、硝酸イオンについては、該範囲を越える過剰の使用
は銅系素地を腐食するという新たな問題を生じる可能性
がある。さらに、オキシム又はスルファミン酸類は、上
記の式（II）で表したものが使用でき、具体的には、ベ
ンズアルデヒドオキシム、アセトフェノンオキシム、サ
リチルアルデヒドオキシム、ベンゾイン−α−オキシ
ム、２−ピリジンカルバアルデヒドオキシム、アセトア
ルデヒドオキシム、プロピオンアルデヒドオキシム、ア
セトキシム、ピルバルデヒド−１−オキシム、ジメチル
グリオキシム、ベンズアルデヒドとスルファミン酸との
反応生成物、桂皮アルデヒドとスルファミン酸との反応
生成物などを単独又は適宜混合して添加することができ
る。その使用量は、０．００５〜５ｇ／ｌで、さらに好
ましくは０．０１〜３ｇ／ｌを使用する。過剰の添加は
コゲ状の外観となり、一方、添加の不足はエッジ部の析
出物を平滑化、緻密化するという所期の目的を達成しな
い。
も使用でき、硝酸、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、
銀塩などを単独又は適宜混合して添加することができ
る。その使用量は、硝酸イオンとして１ｇ／１〜２００
ｇ／ｌを使用し、好ましくは、３ｇ／１〜１００ｇ／１
を使用する。また、アミンアルコール類は、上記（Ｉ）
で表したものが使用でき、具体的には、Ｎ−メチルエタ
ノールアミン、２−ジエチルアミノエタノール、３−ジ
エチルアミノ−１−プロパノール、１−（ジメチルアミ
ノ）−２−プロパノール、３−（ジメチルアミノ）−２
−プロパノール、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン、トリエタノールアミンなどを単独又は適宜混合
して添加することができる。その使用量は、銀イオンに
対して、１０〜１０００倍を使用し、好ましくは、３０
〜６００倍を使用する。硝酸イオン及びアミンアルコー
ルはともに、該範囲を越える過剰の添加は析出物外観を
黒っぽくし、一方、不足の場合にはエッジ部の析出物を
平滑化、緻密化するという所期の目的を達成しない。ま
た、硝酸イオンについては、該範囲を越える過剰の使用
は銅系素地を腐食するという新たな問題を生じる可能性
がある。さらに、オキシム又はスルファミン酸類は、上
記の式（II）で表したものが使用でき、具体的には、ベ
ンズアルデヒドオキシム、アセトフェノンオキシム、サ
リチルアルデヒドオキシム、ベンゾイン−α−オキシ
ム、２−ピリジンカルバアルデヒドオキシム、アセトア
ルデヒドオキシム、プロピオンアルデヒドオキシム、ア
セトキシム、ピルバルデヒド−１−オキシム、ジメチル
グリオキシム、ベンズアルデヒドとスルファミン酸との
反応生成物、桂皮アルデヒドとスルファミン酸との反応
生成物などを単独又は適宜混合して添加することができ
る。その使用量は、０．００５〜５ｇ／ｌで、さらに好
ましくは０．０１〜３ｇ／ｌを使用する。過剰の添加は
コゲ状の外観となり、一方、添加の不足はエッジ部の析
出物を平滑化、緻密化するという所期の目的を達成しな
い。
【００１７】また、本発明のめっき浴では、めっき液の
電気伝導度を向上し、浴電圧を低くするために、電導塩
を添加することができる。電導塩には、公知のものが使
用でき、例えば、塩化カリウム、塩化アンモニウムなど
を単独又は適宜混合して使用できる。電導塩の使用量
は、５〜５０ｇ／ｌ程度が適当であり、好ましくは１０
〜２０ｇ／ｌ程度添加される。
電気伝導度を向上し、浴電圧を低くするために、電導塩
を添加することができる。電導塩には、公知のものが使
用でき、例えば、塩化カリウム、塩化アンモニウムなど
を単独又は適宜混合して使用できる。電導塩の使用量
は、５〜５０ｇ／ｌ程度が適当であり、好ましくは１０
〜２０ｇ／ｌ程度添加される。
【００１８】さらに、本発明のめっき浴では、浴のｐＨ
変動を少なくするために、ｐＨ緩衝剤を添加することが
できる。緩衝剤には、公知のものが使用でき、例えば、
リン酸、酢酸、硼酸、酒石酸のそれぞれナトリウム、カ
リウムおよびアンモニウムの塩さらには多塩基酸の場合
には、水素イオンを含む酸性塩などを単独又は適宜混合
して使用できる。ｐＨ緩衝剤の使用量は、５〜５０ｇ／
ｌ程度が適当であり、好ましくは１０〜２０ｇ／ｌ程度
添加される。ｐＨ緩衝剤は当然電解質であるので、ｐＨ
緩衝剤の添加をもって電導塩としての役割を担わせても
よい。
変動を少なくするために、ｐＨ緩衝剤を添加することが
できる。緩衝剤には、公知のものが使用でき、例えば、
リン酸、酢酸、硼酸、酒石酸のそれぞれナトリウム、カ
リウムおよびアンモニウムの塩さらには多塩基酸の場合
には、水素イオンを含む酸性塩などを単独又は適宜混合
して使用できる。ｐＨ緩衝剤の使用量は、５〜５０ｇ／
ｌ程度が適当であり、好ましくは１０〜２０ｇ／ｌ程度
添加される。ｐＨ緩衝剤は当然電解質であるので、ｐＨ
緩衝剤の添加をもって電導塩としての役割を担わせても
よい。
【００１９】本発明のめっき浴では、２価の錫イオンの
自然酸化を抑制するために、酸化防止剤を添加すること
ができる。酸化防止剤には、公知のものが使用でき、例
えば、レゾールシノール、ピロカテコール、ハイドロキ
ノン、フロログリシノール、ピロガロール、ヒドラジ
ン、アスコルビン酸などを単独又は適宜混合して使用で
きる。酸化防止剤の使用量は、０．０５〜５０ｇ／ｌ程
度が適当であり、好ましくは０．１〜１０ｇ／ｌ添加さ
れる。本発明のめっき浴の各成分濃度は、バレルめっ
き、ラックめっき、連続めっき等に対応して、前記の範
囲内にて任意に選択することができる。
自然酸化を抑制するために、酸化防止剤を添加すること
ができる。酸化防止剤には、公知のものが使用でき、例
えば、レゾールシノール、ピロカテコール、ハイドロキ
ノン、フロログリシノール、ピロガロール、ヒドラジ
ン、アスコルビン酸などを単独又は適宜混合して使用で
きる。酸化防止剤の使用量は、０．０５〜５０ｇ／ｌ程
度が適当であり、好ましくは０．１〜１０ｇ／ｌ添加さ
れる。本発明のめっき浴の各成分濃度は、バレルめっ
き、ラックめっき、連続めっき等に対応して、前記の範
囲内にて任意に選択することができる。
【００２０】
【実施例】次に実施例によって、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれら数例によって限定されるも
のではなく、前述した目的に沿ってめっき浴の組成及び
めっき条件は適宜、任意に変更することができる。比較
例としてアミンアルコール又は硝酸イオンを含まない下
記組成を有する錫−銀合金めっき浴を調製した。得られ
た浴を用いて、電流密度２．０Ａ／ｄｍ2 、めっき時間
５分、温度２５℃でめっきした。試料は、０．３×３０
×２５ｍｍの銅板とし、バフ研磨→ベンジン脱脂→電解
脱脂→水洗→５％硫酸浸漬→水洗→錫−銀合金めっき→
水洗→乾燥の工程でめっきを行い、めっき外観を評価し
た。
説明するが、本発明はこれら数例によって限定されるも
のではなく、前述した目的に沿ってめっき浴の組成及び
めっき条件は適宜、任意に変更することができる。比較
例としてアミンアルコール又は硝酸イオンを含まない下
記組成を有する錫−銀合金めっき浴を調製した。得られ
た浴を用いて、電流密度２．０Ａ／ｄｍ2 、めっき時間
５分、温度２５℃でめっきした。試料は、０．３×３０
×２５ｍｍの銅板とし、バフ研磨→ベンジン脱脂→電解
脱脂→水洗→５％硫酸浸漬→水洗→錫−銀合金めっき→
水洗→乾燥の工程でめっきを行い、めっき外観を評価し
た。
【００２１】比較例１ 塩化第一錫 ０．１９５ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化銀 ０．００５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．５５ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム ２．０ ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ９比較例２ 塩化第一錫 ０．１８ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化銀 ０．０２ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．５５ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム ２．０ ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ９比較例３ メタンスルホン酸錫 ０．１９５ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化銀 ０．００５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．６ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム ２．０ ｍｏｌ／ｌ 界面活性剤（ジメチルヤシ油アルキルベタイン） １０ ｇ／ｌ ｐＨ ５
【００２２】実施例としてアミンアルコール又は／及び
硝酸イオンを含む下記組成を有する錫−銀合金めっき浴
を調製した。めっき条件及び工程は比較例と同様として
めっきを施した後、めっき外観を評価した。
硝酸イオンを含む下記組成を有する錫−銀合金めっき浴
を調製した。めっき条件及び工程は比較例と同様として
めっきを施した後、めっき外観を評価した。
【００２３】実施例１ メタンスルホン酸錫 ０．１９５ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化銀 ０．００５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．６ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム ２．０ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．４ ｍｏｌ／ｌ ｐＨ ５
【００２４】実施例２ 硫酸錫 ０．２０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銀 ０．０２ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．４ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム １．５ ｍｏｌ／ｌ 硝酸カリウム ２０ ｇ／ｌ ｐＨ ４．５
【００２５】実施例３ 塩化錫 ０．１５ ｍｏｌ／ｌ 塩化銀 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ グルコン酸ナトリウム ０．９ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム １．５ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．１５ ｍｏｌ／ｌ 硝酸 １００ ｇ／ｌ ｐＨ ４．５
【００２６】実施例４ メタンスルホン酸錫 ０．１９５ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化銀 ０．００５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．６ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム ２．０ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．３９ ｍｏｌ／ｌ 硝酸アンモニウム １ ｇ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ０．０１ ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．０５ ｇ／ｌ ｐＨ ５
【００２７】実施例５ ピロリン酸錫 ０．３０ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸銀 ０．００５ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム ０．３０ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム ２．０ ｍｏｌ／ｌ Ｎ−メチルエタノールアミン ０．３ ｍｏｌ／ｌ 硝酸カリウム １０ ｇ／ｌ サリチルアルデヒドオキシム ３ ｇ／ｌ アスコルビン酸 １０ ｇ／ｌ ｐＨ ５
【００２８】実施例６ メタンスルホン酸錫 ０．１５ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．００５ ｍｏｌ／ｌ クエン酸カリウム ０．６ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム １．０ ｍｏｌ／ｌ ２−ジエチルアミノエタノール ０．１５ ｍｏｌ／ｌ 硝酸カリウム １０ ｇ／ｌ 塩化カリウム ２０ ｇ／ｌ ｐＨ ５
【００２９】実施例７ メタンスルホン酸錫 ０．１０ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸銀 ０．００１ ｍｏｌ／ｌ ピロリン酸カリウム １．０ ｍｏｌ／ｌ ヨウ化カリウム ０．８ ｍｏｌ／ｌ トリエタノールアミン ０．６ ｍｏｌ／ｌ 硝酸ナトリウム １ ｇ／ｌ リン酸２水素１ナトリウム １０ ｇ／ｌ ｐＨ ５
【００３０】上記比較例及び実施例の各めっき浴から得
られためっき皮膜の外観は下記の通りであった。比較例
１及び２においては、試料中央部は外観が灰白色のめっ
き皮膜が得られたが、エッジ部には瘤状又は針状の析出
物が認められた。比較例３においては、界面活性剤の添
加によって、試料中央部の外観は比較例１及び２よりも
均一性に優れていたが、エッジ部には比較例１及び２と
同様、瘤状又は針状の析出物が認められた。これらに対
して、実施例１〜６に示した浴を用いてめっきを施した
試料には、エッジ部においても瘤状又は針状の析出物が
認められず、めっき対象物の全面を良好なめっき皮膜で
被覆することができた。
られためっき皮膜の外観は下記の通りであった。比較例
１及び２においては、試料中央部は外観が灰白色のめっ
き皮膜が得られたが、エッジ部には瘤状又は針状の析出
物が認められた。比較例３においては、界面活性剤の添
加によって、試料中央部の外観は比較例１及び２よりも
均一性に優れていたが、エッジ部には比較例１及び２と
同様、瘤状又は針状の析出物が認められた。これらに対
して、実施例１〜６に示した浴を用いてめっきを施した
試料には、エッジ部においても瘤状又は針状の析出物が
認められず、めっき対象物の全面を良好なめっき皮膜で
被覆することができた。
【００３１】
【発明の効果】この発明に係る錫−銀合金めっき浴は、
従来の浴に比べて、めっき対象物のエッジ部を含む全面
にわたって、平滑で緻密な錫−銀合金めっき皮膜が非シ
アンの浴から得られるものであり、錫−鉛はんだに代替
する錫−銀はんだに対応可能な表面処理を提供するもの
である。
従来の浴に比べて、めっき対象物のエッジ部を含む全面
にわたって、平滑で緻密な錫−銀合金めっき皮膜が非シ
アンの浴から得られるものであり、錫−鉛はんだに代替
する錫−銀はんだに対応可能な表面処理を提供するもの
である。
Claims (4)
- 【請求項１】 ２価の錫イオン及び１価の銀イオンを含
み、さらにピロリン酸イオン、グルコン酸イオン及びク
エン酸イオンから選ばれたイオンの１種又は２種以上を
２価の錫イオンの錯化剤とし、ヨウ素イオンを１価の銀
イオンの錯化剤として含む溶液に、さらに、硝酸イオン
及び／又は下記一般式（Ｉ） 【化１】 ［ここで、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に、水
素、メチル基、エチル基又は（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ
4 ）（ＯＨ）を表し、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 のうち少なく
とも一つは（ＣＨ2 ）n −ＣＨ（Ｒ4 ）（ＯＨ）であ
る。Ｒ4 は水素又はメチル基を表し、ｎは１又は２の整
数を表す。］で表わされるアミンアルコール類及び（又
は）下記一般式（II） 【化２】 ［ここで、Ｒ1 はフェニル基、ピリジル基、スチリル
基、アルキル基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）、アシル基（Ｃ1 〜Ｃ
5 ）又は−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨを表し、該フェニル
基、ピリジル基及びスチリル基の水素はヒドロキシル
基、カルボキシル基、アルデヒド基、メトキシ基又はニ
トロ基で置換されていてもよい。Ｒ2 は水素、アルキル
基（Ｃ1 〜Ｃ5 ）又はφ−Ｃ（ＯＨ）Ｈ−（ここで、φ
はフェニル基である）を表す。Ｘはヒドロキシル基又は
スルホン酸基を表す。］で表わされるオキシム若しくは
スルファミン酸類から選ばれた化合物の１種又は２種以
上を添加してなる非シアン錫−銀合金めっき浴。 - 【請求項２】 さらに電導塩を添加してなる請求項１記
載の非シアン錫−銀合金めっき浴。 - 【請求項３】 さらにｐＨ緩衝剤を添加してなる請求項
１又は２記載の非シアン錫−銀合金めっき浴。 - 【請求項４】 さらに酸化防止剤を添加してなる請求項
１〜３のいずれかに記載の非シアン錫−銀合金めっき
浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768396A JP3466824B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 錫−銀合金めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768396A JP3466824B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 錫−銀合金めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036995A true JPH1036995A (ja) | 1998-02-10 |
| JP3466824B2 JP3466824B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=16543854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20768396A Expired - Fee Related JP3466824B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 錫−銀合金めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3466824B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265046B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-09-04 | Neomax Material Co., Ltd. | Method of making a solder ball |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7095867B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-07-05 | 国立大学法人京都大学 | 金属または金属塩の溶解用溶液およびその利用 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP20768396A patent/JP3466824B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265046B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-09-04 | Neomax Material Co., Ltd. | Method of making a solder ball |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3466824B2 (ja) | 2003-11-17 |
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