JPH10324690A - 光架橋性シラン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】光化学的長期安定性および偏光に露光後の傾斜
角が不足しておらずそして高度に分割された安定な配向
パターンを造ることを可能とする光反応性シラン類の提
供。 【解決手段】 一般式Ｉ の、光反応性単位としての３−アリールアクリル酸誘導
体のカルボニルまたはカルボキシル基に対してスペーサ
ーによって結合されているシラン類。一般式Ｉの化合物
の具体例には（Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステルがある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、３−アリールアクリル
酸エステルおよび３−アリールアクリルアミドを有する
新規の架橋性光活性シラン誘導体およびそれを液晶の配
向層としておよび非構造化−または構造化光学要素およ
び多層システムの製造のために用いることに関する。

【０００２】

【従来技術】配向層は（電気光学的）液晶装置において
特に重要である。このものは分子の長軸が一様に、かつ
問題なく配向することを保証する目的に使用される。液
晶ディスプレー（ＬＣＤｓ）中で液晶分子を配向させる
ために、一軸方向に摩擦されるポリマー配向層、例えば
ポリイミドが一般に使用される。この方法での配向方向
は摩擦方向で決まる。しかしながらこの摩擦の方向は液
晶ディスプレーの光学的品質に多大な影響を及ぼし得る
いくつかの重大な欠点を伴う。例えば摩擦によってディ
スプレーに光学的欠陥を生じさせ得るダストが生じる。
同時にポリマー層は静電気帯電し、これが例えば薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）−ＴＮ−ＬＣＤｓの場合に薄膜ト
ランジスタの下側に破損を発生させ得る。こうした理由
で、ＬＣＤの製造において光学的に満足なディスプレー
の生産は従来には最適なものでなかった。

【０００３】摩擦の他の欠点は、配向方向を摩擦の間に
局所的に変更させることができないので、構造化配向層
を簡単に製造することができないことである。従って摩
擦によっては大きな面積にわたり均一に配向する主な層
は造ることができる。しかしながら構造化された配向層
は多くのディスプレー工業および集積光学（integrated
optics)の多くの分野で非常に興味をもたれている。こ
れによって、例えばツイステッド・ネマチック（ＴＮ）
の視角依存性が改善される。

【０００４】偏光に露光すことによって配向方向を予め
決めることのできる配向層がこの数年の間に知られて来
た。これによって摩擦に伴う問題は解決することができ
る。更に、配向方向を領域毎に別々に予め決めておきそ
して配向層を構造化することも可能である。液晶を構造
配向する一つの方法は、適する波長の偏光に露光すこと
によって有利な方向に光化学的に誘導するために、ある
種の染料分子の異性化性を利用するものである。これ
は、例えば染料を配向ポリマーと混合し、次いで該染料
を偏光に曝すことによって達成される。かゝるゲスト／
ホスト系は例えば米国特許第４、９７４、９４１号明細
書に開示されている。この系の場合には、アゾベンゼン
類をポリイミド配向性相に混入し、次いで偏光に曝す。
この様にして曝された層の表面と接触する液晶はこの好
ましい方向に従って配向される。この配向法は可逆的で
あり、即ち既に得られた配向方向は、その層を第二の偏
光方向を持つ光に更に曝すことによって再旋回させるこ
とができる。この再旋回法は任意に繰り返すことができ
るので、この種の配向層はＬＣＤｓで使用するのにあま
り適していない。

【０００５】液晶層において高度に分画された配向パタ
ーンを製造する別の方法は、Ｊｐａ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．第３１巻（１９９２）、第２１５５頁に開示さ
れている。この方法では、直線状の偏光に曝すことによ
って誘発されるポリマーに結合した光反応性桂皮酸基の
二量体化が液晶の構造配向に利用されている。上記の可
逆的配向法と反対に、異方性ポリマー・ネットワーク
は、Ｊｐａ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．第３１巻（１９
９２）、第２１５５頁に開示されている光構造化可能な
配向層の場合に達成される。これらの光配向ポリマー・
ネットワークは、構造化−または非構造化液晶配向層が
要求されるいかなる分野でも使用できる。ＬＣＤｓの場
合を別にすれば、かゝる配向層は例えばヨーロッパ特許
出願公開（Ａ）第６１１、９８１号明細書、同第６８
９、０８４号明細書および同第６８９、０６５号明細書
およびスイス特許出願番号２０３６／９５明細書で具体
的に実証されている様な、いわゆるハイブリッド層の製
造にも使用することができる。光構造化配向ポリマーと
架橋性の低分子量液晶とより成るこれらのハイブリッド
層にて、光学的要素、例えば非吸収性カラーフィルタ
ー、直線状のおよび環状偏光子、光学的抑制層(optical
retardation layers)等を製造することができる。

【０００６】ヨーロッパ特許出願公開（Ａ）第６１１、
７８６号明細書には、液晶のために、異方性に架橋した
光構造化配向層を製造するのに原則として適している桂
皮酸ポリマーが開示されている。これらの架橋性桂皮酸
誘導体は原則として桂皮酸（フェニルアクリル酸）のカ
ルボキシル基およびスペーサーを介してポリマー主鎖に
結合している。しかしながら従来に使用されて来たこの
種類の感光性重合体は沢山の欠点を有している。例えば
光化学的な競合反応が配向性にマイナスの影響を及ぼ
す。更に公知の桂皮酸ポリマーは光化学的な長期間安定
性が不十分である。例えば前もって製造された配向層を
紫外線に長期間露光すると、始めに存在したいた配向が
崩壊する。予め決められた記録されたパターンを持つて
存在する配向層を再び暴曝して、未露光部分を別の方向
に配向させる多重露光は、予め露光された部分がマスク
で覆われている場合にだけ実施することができる。さも
なければ既に配向した層部分は、光化学的二次反応の結
果としてその構造の全てまたはいくらかを失い得る。

【０００７】従来に使用された桂皮酸ポリマーの別の欠
点は、偏光に単に露光することで生じる、これらの物質
より成る配向表面の場合に傾斜角がない点である。しか
しながら特にＬＣＤｓで使用する場合には、傾斜角は配
向方向の他に配向層によって付与されなければならな
い。上記の一軸方向に摩擦されるポリマー配向層の場合
には、この傾斜角はポリマー表面に摩擦工程で既に発生
する。液晶をかゝる表面に接触させれると、液晶分子は
該表面に対して平行しておらずに、傾斜しており、それ
故にその傾斜角は液晶に伝えられている。傾斜角の大き
さは摩擦パラメータ、例えば送り速度および圧力、とポ
リマーの化学構造との両方によって決まる。液晶ディス
プレーを製造するためには、種類に応じて１°〜１５°
の間の傾斜角が要求される。更に大きな傾斜角も、いわ
ゆる指紋の形成を避けるために、特にスーパーツイステ
ッド・ネマチック（ＳＴＮ）ＬＣＤｓのために必要とさ
れる。ＴＮおよびＴＦＴ−ＴＮ−ＬＣＤｓの場合には旋
回方向および傾斜方向は傾斜角度によって限定される。
それによって“逆捩れ”および“逆傾斜”現象が避けら
れる。スイッチの切れた状態での逆捩れは不適当な旋回
方向の領域をもたらし、これがディスプレーに視角的に
斑な外観で現れ、逆傾斜は場合によっては非常に厄介で
あり、なかでもＬＣＤのスイッチを入れた時に液晶が異
なる方向に傾斜する場合がそうである。逆旋回は適当な
旋回方向のキラルなドーパントを含有する液晶混合物を
微量混入することによって回避することができる。しか
しながら逆傾斜を抑制するためには、傾斜角を持つ配向
層を用いる方法が従来にはなかった。

【０００８】最近、上述の如くポリマー骨格に結合して
いないが、トリアルコキシシランにスペーサーを介して
結合する桂皮酸エステルがＬｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．２０、
１７１（１９９６）で報告されている。ここではトリア
ルコキシシラン基は担体としての基体、例えばガラスに
桂皮酸単位を係留するのに役立っている。桂皮酸エステ
ルにトリアルコキシシラン基を結合させるスペーサーは
桂皮酸エステルの２−位（オルト位）に常に取り付けら
れてる。配向層を製造するには、トリアルコキシシラン
を最初にガラス製担体に溶液状態で適用する。配向は２
５９ｎｍの波長の直線状偏光に露光することによって行
う。液晶を配向させるこの様にして製造される層の能力
は可逆的Ｚ／Ｅ異性化に起因する。一方、桂皮酸分子を
３３０ｎｍに露光した場合には、このものは架橋する。
配向性は架橋度に比例して失われる。

【０００９】この様に製造された配向層は上述の桂皮酸
ポリマーと同じ欠点を有している。このものは、Ｚ／Ｅ
異性化が可逆的でありそしてそれ故に多重露光の時に再
配向を伴う問題が生じるので、光化学的−および熱的安
定性が不十分過ぎる。更にこのものは傾斜角を誘導する
能力も欠けている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】それ故に本発明の課題
は、従来に使用された桂皮酸ポリマーおよびシラン類の
上述の欠点を有さない、即ち光化学的長期安定性および
偏光に露光後の傾斜角が不足しておらずそして高度に分
画された安定な配向パターンを造ることを可能とする光
反応性シラン類を製造することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】驚くべきことに本発明者
は、光反応性単位としての３−アリールアクリル酸誘導
体のカルボニル−またはカルボキシル基に対してスペー
サーによって結合されているシラン類がこの条件を満足
しそして液晶のための配向層として非常に適しているこ
とを見い出した。直線状偏光にてこれらの化合物を架橋
することが、配向層に極めて高い光化学的安定性をもた
らしそして同時に、例えば非常に良好なコントラストに
よって特徴付けられる液晶の優れた配向性をもたらす。
更に傾斜角が直線状偏光に露光された時に生じる。

【００１２】本発明は、一般式Ｉ

【００１３】

【化４】

【００１４】［式中、Ｘ¹ 、Ｘ² およびＸ³ はアルキ
ル、アルコキシまたはハロゲン原子を意味するが、これ
らの残基の少なくとも１つはアルコキシかまたはハロゲ
ン原子であり；Ｓ¹ はスペーサー単位、例えば、場合に
よっては弗素原子、塩素原子またはシアノ基で単−また
は複数置換された直鎖状のまたは枝分かれしたアルキレ
ン基−（ＣＨ₂ ）_r −を意味するかまたは式 −（ＣＨ₂ ）_r −Ｌ−（ＣＨ₂ ）_s − （式中、Ｌは単一結合または連結用官能基、例えばＯ、
ＣＯＯ、ＯＯＣ、ＮＲ¹ 、ＮＲ¹ −ＣＯ−、ＣＯ−ＮＲ
¹ −、ＮＲ¹ −ＣＯＯ、ＯＣＯ−ＮＲ¹ −、ＮＲ¹ −Ｃ
Ｏ−ＮＲ¹ 、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を意味
し、Ｒ¹ は水素原子または低級アルキル基を意味しそし
てｒおよびｓはｒ＋ｓ≦２５という条件のもとで１〜２
０の整数であり、Ａ環は非置換の、または弗素−、塩素
−、シアノ−、アルキル−またはアルコキシ置換された
フェニレン、ピリジン−２、５−ジイル、ピリミジン−
２、５−ジイル、１、３−ジオキサン−２、５−ジイ
ル、シクロヘキサン−１、４−ジイル、ピペリジン−
１、４−ジイルまたはピペラジン−１、４−ジイルを意
味し、ただしそのアルキル−および／またはアルコキシ
置換基は弗素原子で単−または複数置換されていてもよ
く、Ｂ環は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ
−、アルキル−またはアルコキシ置換されたフェニレ
ン、ピリジン−２、５−ジイル、ピリミジン−２、５−
ジイル、１、４−または２、６−ナフタレン、１、３−
ジオキサン−２、５−ジイルまたはシクロヘキサン−
１、４−ジイルを意味し、ただしそのアルキル−および
／またはアルコキシ置換基は弗素原子で単−または複数
置換されていてもよく、Ｋは水素原子、弗素原子、塩素
原子、シアノ基、ニトロ基、または場合によっては弗素
原子、塩素原子、シアノ基またはニトロ基で置換されて
いてもよくそして場合によっては一つのＣＨ₂ 基または
隣接していない複数のＣＨ₂ 基がＯ、ＣＨ＝ＣＨまたは
Ｃ≡Ｃに交換されていてもよい１〜２０の炭素原子を持
つ直鎖状のまたは枝分かれしたアルキル−、アルコキシ
−、アルキル−ＣＯＯ−、アルキル−ＣＯ−ＮＲ² −ま
たはアルキル−ＯＣＯ基であり、ただしＲ² は水素原子
または低級アルキル基を意味し、Ｙ¹ およびＹ² は互い
に無関係に単一共有結合、−（ＣＨ₂ ）_t −、−Ｏ−、
−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＯＣ−、−ＮＲ³ −、
−ＣＯ−ＮＲ³ −、−Ｒ³ Ｎ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ ）_u
−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_u −、−（ＣＨ₂）_u −ＮＲ
³ −または−ＮＲ³ −（ＣＨ₂ ）_u −を意味し、Ｒ³ は
水素原子または低級アルキル基を意味し、ｔは１〜４の
整数を意味し、ｕは１〜３の整数を意味し、ｍおよびｎ
は互いに無関係に０または１を意味し、Ｃ環は非置換
の、または弗素−、塩素−、シアノ−、アルキル−また
はアルコキシ置換されたフェニレン、ピリミジン−２、
５−または−３、５−ジイル、ピリジン−２、５−また
は−２、４−ジイルまたは−２、６−ジイル、２、５−
チオフェニレン、２、５−フラニレン、１、４−または
２、６−ナフタレンを意味し、ただしそのアルキル−お
よび／またはアルコキシ置換基は弗素原子で単−または
複数置換されていてもよく、Ｚは−Ｏ−または−ＮＲ⁴
−を意味しそしてＲ⁴ は水素原子または低級アルキル基
を意味する。］で表されるシランに関する。

【００１５】本発明の式Ｉの光架橋性シラン誘導体は、
単独でもまたは混合状態でも配向層の形成に使用でき
る。適する混合物は、場合によっては式Ｉの１種類以上
の化合物の他に、他の非架橋性シラン誘導体を酸化物含
有無機系表面をシラン化するために通例に使用される如
きものを含有していてもよい。かゝる非架橋性シラン誘
導体には例えば一般式II

【００１６】

【化５】

【００１７】［式中、Ｘ¹ 、Ｘ² 、Ｘ³ およびＳ¹ は式
Ｉのところで基体した意味を有しそしてＭはメソ相基、
低級アルキル基、弗素原子で単−または複数置換された
低級アルキル基、低級アルコキシ基、弗素原子で単−ま
たは複数置換された低級アルコキシ基を意味する。］で
表される化合物である。

【００１８】一般式Ｉの光架橋性シラン誘導体の少なく
とも１種類を含有するかゝる混合物も本発明の対象であ
る。本発明の範囲において、“メソ相基（ｍｅｓｏｇｅ
ｎｉｃ ｒａｄｉｃａｌ）”は一般式III

【００１９】

【化６】

【００２０】（式中、Ａ¹ 、Ａ² およびＡ³ 環は非置換
の、または弗素−、塩素−、シアノ−、アルキル−また
はアルコキシ置換されたフェニレン、ピリジン−２、５
−ジイル、ピリミジン−２、５−ジイル、２、６−ナフ
タレン、１、３−ジオキサン−２、５−ジイルまたはシ
クロヘキサン−１、４−ジイルを意味し、ただしそのア
ルキル−または／またはアルコキシ置換基は弗素原子で
単−または複数置換されていてもよくそしてこれらの環
の最高１つはフェニレンまたはシクロヘキシレンと相違
しており、Ｑは１つ以上の水素原子が弗素原子に交換さ
れていてもよい低級アルキル−またはアルコキシ基であ
るかまたは弗素原子、塩素原子、シアノ基またはニトロ
基を意味し、Ｙ¹ 、Ｙ² 、ｍおよびｎは請求項１に規定
する意味を有しそしてで表されるメソ相基である。）で
表される基を意味する。

【００２１】式IIの化合物中のＭは好ましくは低級アル
キル基または地球アルコキシ基または式III のメソ相基
であり、その際式III 中ｎは０であり、ｍは０または１
でありそしてＡ¹ 、Ａ² およびＡ³ 環はフェニルまたは
シクロヘキシルを意味し、Ｙ ¹ およびＹ² は単一共有結
合、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−Ｏ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ
−ＣＨ₂ −、−ＣＯ−Ｏ−または−Ｏ−ＯＣ−を意味
し、そしてＱは場合によっては弗素置換された低級アル
キルまたは低級アルコキシ基、弗素原子、塩素原子また
はシアノ基である。

【００２２】Ｍが低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たは、ｍおよびｎが０でありそしてＱが場合によっては
弗素置換された低級アルキルまたは低級アルコキシ基で
ある式III の基である式IIの化合物が特に有利である。
式Ｉの構造に相応しない本発明の混合物中のシラン誘導
体の割合は５０％より少ないか等しく、好ましくは３０
％より少ないか等しく、特に好ましくは１５％より少な
いか等しい。

【００２３】本発明は、本発明の式Ｉのシラン誘導体ま
たは式ＩおよびIIのシラン誘導体の混合物を液晶の配向
層の製造におよび光学要素、特にハイブリッド層要素の
製造に用いる方法にも関する。“低級アルキル”とは、
“低級アルコキシ”と同様に、炭素原子数１〜６、好ま
しくは１〜３の直鎖状のまたは枝分かれした飽和の炭化
水素基、例えばメチル、エチル、プロピル、またはイソ
プロピル等のそれぞれ単独またはそれらの組み合わせを
意味する。

【００２４】“アルキル”とは、“アルコキシ”と同様
に、炭素原子数３０までの直鎖状のまたは枝分かれした
飽和の炭化水素基のそれぞれ単独またはそれらの組み合
わせを意味する。本発明の関係において好ましい“スペ
ーサー単位”は、−（ＣＨ₂ ）_r −で表される直鎖状の
または枝分かれしたアルキレン基、ならびに−（Ｃ
Ｈ₂ ）_r −Ｏ−（ＣＨ₂ ）_s −、−（ＣＨ₂ ）_r −ＣＯ
Ｏ−（ＣＨ₂ ）_s −、−（ＣＨ₂ ） _r −ＯＯＣ−（ＣＨ
₂ ）_s −、−（ＣＨ₂ ）_r −ＮＲ¹ −ＣＯ−（ＣＨ₂ ）
_s −または−（ＣＨ₂ ）_r −ＮＲ¹ −ＣＯＯ−（Ｃ
Ｈ₂ ）_s −を意味し、ただしｒおよびｓはｒ＋ｓ≦２
０、好ましくはｒ＋ｓ≦１５という条件のもとでそれぞ
れ１〜２０、特に２〜１２の整数でありそしてＲ¹ は水
素原子または低級アルキルである。

【００２５】有利な“スペーサー単位”の例には１、２
−プロピレン、１、４−ブチレン、１，５−ペンチレ
ン、１，６−ヘキシレン、１，７−ヘプチレン、１，８
−オクチレン、１，９−ノニレン、１，１０−デシレ
ン、１，１１−ウンデシレン、１，１２−ドデシレン、
１，３−ブチレン、３−メチレン−１，３−ブチレン、
３−プロピレンオキシ−６−ヘキシレン、３−プロピレ
ンカルボニルオキシ−６−ヘキシレン、３−プロピレン
オキシカルボニル−６−ヘキシレン、３−プロピレンカ
ルボニルアミノ−６−ヘキシレン、プロピレンカルバモ
イルヘキシレンおよびこれの類似物がある。

【００２６】特に有利な“スペーサー単位”は式−（Ｃ
Ｈ₂ ）_r −で表される直鎖状アルキレン基、ならびに−
（ＣＨ₂ ）_r −ＮＲ¹ −ＣＯ−（ＣＨ₂ ）_s −または−
（ＣＨ₂ ）_r −ＮＲ¹ −ＣＯＯ−（ＣＨ₂ ）_s −を意味
し、ただしｒおよびｓはそれぞれ２〜１２でありそして
ｒ＋ｓの合計は≦１５である。本発明の関係において
“非置換のまたは、場合によっては弗素−、塩素−、シ
アノ−、アルキル−またはアルコキシ置換されたフェニ
レン”には、非置換のまたは弗素原子、塩素原子、シア
ノ基、アルキルまたはアルコキシ基、好ましくは塩素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基または
シアノ基で置換されている１，３−または１，４−フェ
ニレンが含まれる。

【００２７】有利なフェニレン基の例には１，３−およ
び１，４−フェニレン、４−および５−メチル−１，３
−フェニレン、４−および５−メトキシ−１，３−フェ
ニレン、４−および５−エチル−１，３−フェニレン、
４−および５−エトキシ−１，３−フェニレン、２−お
よび３−メチル−１，４−フェニレン、２−および３−
エチル−１，５−フェニレン、２−および３−プロピル
−１，４−フェニレン、２−および３−ブチル−１，４
−フェニレン、２−および３−メトキシ−１，４−フェ
ニレン、２−および３−エトキシ−１，４−フェニレ
ン、２−および３−プロポキシ−１，４−フェニレン、
２−および３−ブトキシ−１，４−フェニレン、２，３
−、２，６−および３，５−ジメチル−１，４−フェニ
レン、２，６−および３，５−ジメトキシ−１，４−フ
ェニレン、２−および３−フルオロ−−１，４−フェニ
レン、２，３−、２，６−および３，５−ジフロロ−
１，４−フェニレン、２−および３−クロロ−１，４−
フェニレン、２，３−、２，６−および３，５−ジクロ
ロ−１，４−フェニレン、２−および３−フルオロ−−
１，４−フェニレン、２−および３−シアノ−１，４−
フェニレン等がある。

【００２８】本発明の関係において、有利な置換基Ｋは
水素原子、弗素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基お
よび、アルキル基、アルコキシ基、アルキル−ＣＯＯ
−、アルキル−ＣＯＮＲ² またはアルキル−ＯＣＯ基で
あり、ただしそれらアルキル基は１〜１５の炭素原子を
持つ直鎖状のまたは枝分かれしそして場合によっては弗
素原子で少なくとも単置換されていてもよくそしてＲ²
は水素原子または低級アルキル基を意味する。

【００２９】式Ｉの有利なシラン誘導体は、Ｘ¹ 、
Ｘ² 、Ｘ³ 、Ｓ¹ 、Ｋ、ｍおよびｎが式Ｉのところで記
載した意味を有しそしてＡ環は非置換のまたは弗素−、
塩素−、シアノ−、アルキル−またはアルコキシ置換さ
れたフェニレン、ピリジン−２、５−ジイル、ピリミジ
ン−２、５−ジイルまたはシクロヘキサン−１、４−ジ
イルを意味し、ただしそのアルキル−または／またはア
ルコキシ置換基は弗素原子で単−または複数置換されて
いてもよく、Ｂ環は非置換のまたは弗素−、塩素−、シ
アノ−、アルキル−またはアルコキシ置換されたフェニ
レン、ピリジン−２、５−ジイル、ピリミジン−２、５
−ジイル、１、４−または２、６−ナフタレンまたはシ
クロヘキサン−１、４−ジイルを意味し、ただしそのア
ルキル−および／またはアルコキシ置換基は弗素原子で
単−または複数置換されていてもよく、Ｙ¹ およびＹ²
は互いに無関係に単一共有結合、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−
Ｏ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ−Ｏ−
または−Ｏ−ＯＣ−を意味し、Ｃ環は非置換のまたは弗
素−、塩素−、シアノ−、アルキル−またはアルコキシ
置換された１、３−または１、４−フェニレン、ピリミ
ジン−２、５−ジイル、ピリジン−２、５−ジイル、
２、５−フランニレンまたは１、４−または２、６−ナ
フタレンを意味し、ただしそのアルキル−および／また
はアルコキシ置換基は弗素原子で単−または複数置換さ
れていてもよく、Ｚは−Ｏ−を意味するものである。

【００３０】特に有利な式Ｉのシラン誘導体は、Ｘ¹ 、
Ｘ² 、Ｘ³ 、Ｓ¹ 、Ｋおよびｍは式Ｉのところに記載し
た意味を有しそしてｎは０を意味し、Ｂ環は非置換のま
たは弗素−、塩素−、シアノ−、アルキル−またはアル
コキシ置換されたフェニレン、ピリジン−２、５−ジイ
ル、ピリミジン−２、５−ジイルまたはシクロヘキサン
−１、４−ジイルを意味し、ただしそのアルキル−およ
び／またはアルコキシ置換基は弗素原子で単−または複
数置換されていてもよく、Ｙ² は単一共役結合、−ＣＯ
−Ｏ−または−ＣＨ₂ −Ｏ−を意味し、Ｃ環は非置換の
または、弗素−、塩素−、シアノ−、アルキル−または
アルコキシ置換された１、３−または１、４−フェニレ
ン、または１、４−または２、６−ナフタレンを意味
し、ただしそのアルキル−および／またはアルコキシ置
換基は弗素原子で単−または複数置換されていてもよ
く、Ｚは−Ｏ−を意味するで表されるものである。

【００３１】式Ｉのシラン誘導体は容易に製造できる事
実に特徴がある。この製造方法は等業者に知られてい
る。例えばスペーサーＳ¹ の末端にシラン基の代わりに
末端二重結合を持つ式Ｉの化合物の前駆体を、式Ｘ¹ Ｘ
² Ｘ³ ＳｉＨで表される市販のシランとヒドロシリル化
反応させることで式Ｉの化合物を得ることができる。別
の製造方法は、式Ｘ¹ Ｘ² Ｘ³ Ｓｉ−（ＣＨ₂ ）_r −Ｎ
＝Ｃ＝Ｏのシランを、水酸基またはアミノ基がスペーサ
ーの所望の結合点に存在するヒドロキシ−またはアミノ
化合物と反応させることを本質としている。これによっ
てスペーサーにＮ−ＣＯ−ＯまたはＮ−ＣＯ−Ｎ基を持
つ式Ｉの同様な化合物が生じる。上記のヒドロキシ−ま
たはアミノ化合物と式Ｘ¹ Ｘ² Ｘ³ Ｓｉ−（ＣＨ₂ ）_r
−Ｂｒのシランとを反応させることによって、スペーサ
ーにエーテル基またはアルキルアミノ基を持つ式Ｉのか
ゝる化合物を製造することが可能である。式Ｘ¹ Ｘ² Ｘ
³ Ｓｉ−（ＣＨ₂ ）_r −ＮＨＲ¹ で表されるシランと酸
クロライドとの反応によって、スペーサーにＮＲ¹ ＣＯ
基を持つ式Ｉのシランを製造することができる。桂皮酸
中有間体の酸クロライドを式Ｘ¹ Ｘ² Ｘ³ Ｓｉ−（ＣＨ
₂ ）_r −ＮＨＲ¹ で表されるシランと反応させることに
よって、相応するアルキレンアミドのヒドロシリル化に
加えて、ＺがＮＲ⁴ でありそしてＳ¹ が−（ＣＨ₂ ）_r
−である式Ｉのシナミド類を製造することも可能であ
る。かゝる製造方法は、米国特許第４、９１８、２００
号明細書および同第４、８６１、９０６号明細書に類似
の例が掲載されている。

【００３２】シラン中間体の殆どの部分が市販されてい
るかまたは市販のシラン構成単位から容易に変性でき
る。いくつかの桂皮酸も同様に市販されており、他のも
のには文献から知られる方法、市販のアルデヒド類から
またはシアノ化合物から例えばクネーフェナーゲル（Kn
oevenagel)−またはビィッティヒ（Wittig) 反応によっ
て、相応するアルデヒドへの従来の還元反応によって得
られる。次に桂皮酸エステルまたは−アミドは公知のエ
ステル化法によって桂皮酸から製造できる。

【００３３】配向層を製造するためには、本発明のシラ
ン誘導体または混合物を最初にキャリヤーに適用しなけ
ればならない。シラン基を次に結合単位としてキャリヤ
ーに結合させそして極めて薄い膜、しばしば単分子膜を
形成する。一般に無機系の異なった酸化物のかゝるシラ
ン化は実地において広く使用されており、等業者にとっ
て全く慣用のことである。公知のキャリヤー物質の例に
は酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化珪素（ガラ
スまたは石英）または混合酸化物、例えばインジウム−
錫酸化物（ＩＴＯ）がある。本発明に従って光学的−ま
たは電気光学的装置のために用いる場合には、ガラスま
たは場合によっては電極で被覆されたキャリヤー（例え
ばインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）で被覆されたガラス
製シート）はキャリヤー物質として特に重要である。シ
ラン誘導体は使用する場合には専ら不活性溶剤に溶解し
た溶液として使用する。シラン基の反応性次第で多量の
種々の溶剤、例えばベンゼン、トルエン、ヘキサン等を
使用してもよいしまたは反応性の低いアルコキシシラン
類の場合には、アルコール類、例えばメタノール、エタ
ノール等を使用してもよい。続く被覆工程は例えば、浄
化したキャリヤーを溶液中に浸漬し、スピン・コーティ
ング（Spin coating) または他のコーティング技術によ
って実施することができる。キャリヤー層から溶剤を蒸
発させた後に、シラン基は反応性次第で一般に含浸キャ
リヤーを加熱することによってキャリヤーに結合され
る。次いで未結合のシランは溶剤で洗去することができ
る。

【００３４】式Ｉのシラン誘導体または式Ｉのシラン誘
導体を含有する混合物からこの方法または類似の方法で
製造される層を、直線状の偏光で露光することによって
二量体化することができる。キャリヤーに結合した式Ｉ
の分子単位を空間的に選択的に照射することによって、
表面の全く特定の領域を配向させることができそして同
時に二量体化によって安定化されている。

【００３５】例えば、選択された領域に配向層を製造す
るためには、配向させるべき領域を、偏光子および場合
によっては構造物を複写するためのマスクを使用して、
例えば高圧水銀ランプ、キセノンランプまたはパルス紫
外線レーザーに露光させる。露光時間は個々のランプに
左右され、数分〜数時間で変更することができる。しか
しながら二量体化は、架橋反応に適する輻射線だけが通
る様なフィルターを用いて均一な層に照射することによ
って行うこともできる。

【００３６】本発明の式Ｉの光架橋性シラン誘導体はを
以下の実施例１〜５によって更に詳細に説明する。光架
橋性層の製造は実施例６で更に詳細に説明する。実施例
７および８は液晶のための配向層の製造を具体的に説明
している。

【００３７】

【実施例】実施例１： （Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−６−（３−トリエ
トキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシル
エステル ０．４５ｇの（Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸−６−
ヒドロキシヘキシルエステル、２０ｍｌのメチレンクロ
ライド、０．３６ｍｌの３−トリエトキシシラニルプロ
ピル−イソシアナートおよび０．００９ｍｌのジブチル
錫ジラウレートよりなる混合物を１９時間還流させる。
その後に反応溶液を蒸発させ、残留物を１５０ｇのシリ
カゲルの上で３：１のトルエン／醋酸エチルを用いてク
ロマトグラフィー精製する。０．４７０ｇの３、４−ジ
メトキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロ
ピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステルが得られる
ｌｍａｘ（ＣＨ₂ Ｃｌ₂ ）：３２２ｎｍ（ｅ＝１９０２
７）。

【００３８】出発原料として使用した（Ｅ）−３，４−
ジメトキシ桂皮酸−６−ヒドロキシヘキシルエステルは
次の用に製造した：（Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸−６−ヒドロキシヘ
キシルエステル ０．７２ｍｌの１、８−ジアザビシクロ［５．４．０］
ウンデセ−７−ン（１．５−５）および５ｍｌのジメチ
ルホルムアミドよりなる溶液を、１０ｍｌのジメチルホ
ルムアミドに１．０ｇの（Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂
皮酸を溶解した溶液に１０分にわたって室温で滴加す
る。次いで反応混合物を８０℃に加熱し、０．１８ｇの
テトラブチルアンモニウム沃化物および０．７１ｍｌの
６−クロロヘキサノールを次いで順次添加し、反応を１
９時間継続する。その後に反応混合物を室温に冷却しそ
してジエチルエーテルと１Ｎの塩酸とに分けそして有機
相を飽和塩化ナトリウム溶液で数回洗浄する。次いで有
機相をＭｇＳＯ₄ で乾燥し、濾過しそして蒸発処理す
る。１５０ｇのシリカゲルの上で３：１のトルエン／醋
酸エチルを用いて残留物のクロマトグラフィー精製して
１．３５ｇの（Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸−６−
ヒドロキシヘキシルエステルが得られる。

【００３９】以下のシランも同様な方法で合成した： （Ｅ）−２−メトキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシ
シラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−３−メトキシ桂皮酸−６−（３−トリエト
キシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエ
ステル、（Ｅ）−３−オクチルオキシ桂皮酸−６−（３
−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）
ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−メトキシ桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−エトキシ桂皮酸−
６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイル
オキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−プロポキシ桂
皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバ
モイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−ブトキ
シ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカ
ルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−ペ
ンチルオキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニル
プロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、
（Ｅ）−４−ヘキシルオキシ桂皮酸−６−（３−トリエ
トキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシル
エステル、（Ｅ）−４−ドデシルオキシ桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−フルオロ桂皮酸−
６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイル
オキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−フルオロ桂皮
酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモ
イルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−クロロ桂
皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバ
モイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−クロロ
桂皮酸−ト６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカ
ルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−ト
リフルオロメトキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシ
ラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−４−アセトアミド桂皮酸−６−（３−トリ
エトキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシ
ルエステル、（Ｅ）−４−ペンタノイルアミノ桂皮酸−
６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイル
オキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−デカノイルア
ミノ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピル
カルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３、
５−ジメトキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニ
ルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、
（Ｅ）−２、５−ジエトキシ桂皮酸−６−（３−トリエ
トキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシル
エステル、（Ｅ）−３−メトキシ−４−プロポキシ桂皮
酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモ
イルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−メトキシ
−４−オクチルオキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシ
シラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−３−デシルオキシ−４−メトキシ桂皮酸−
６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイル
オキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−フルオロ−４
−メトキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプ
ロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）
−３−クロロ−４−メトキシ桂皮酸−６−（３−トリエ
トキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシル
エステル、（Ｅ）−３−プロピル−４−メトキシ桂皮酸
−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイ
ルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３、４、５−ト
リメトキシ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプ
ロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）
−３、４−ジフルオロ桂皮酸−６−（３−トリエトキシ
シラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−２、３−ジフルオロ桂皮酸−６−（３−ト
リエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキ
シルエステル、（Ｅ）−３、４、５−トリフルオロ桂皮
酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモ
イルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−フルオロ
−４−クロロ桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニル
プロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、
（Ｅ）−３−エトキシ−４−アセトアミド桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（４−メトキシベ
ンゾイルオキシ）桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラ
ニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、
（Ｅ）−３−メトキシ−４−（４−メトキシベンゾイル
オキシ）桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロ
ピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−
４−（３、４−ジメトキシベンゾイルオキシ）桂皮酸−
６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイル
オキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−メトキシ−４
−（３、４−ジメトキシベンゾイルオキシ）桂皮酸−６
−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオ
キシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−エトキシ−４−
（３、４−ジメトキシベンゾイルオキシ）桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（４−メトキシフ
ェニル）桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロ
ピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−
４−（３、４−ジメトキシフェニル）桂皮酸−６−（３
−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）
ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（４−エチルフェニ
ル）桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピル
カルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−
（４−ヘキシルフェニル）桂皮酸−６−（３−トリエト
キシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエ
ステル、（Ｅ）−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）桂皮酸−６−（３−トリエトキシシラニルプ
ロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）
−４−（シス−４−ペンチルシクロヘキシル）桂皮酸−
６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイル
オキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）メトキシ］桂皮酸−６
−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオ
キシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［（シス−４−
ペンチルシクロヘキシル）メトキシ］桂皮酸−６−（３
−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）
ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［４−（シス−４
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステル、実施例２ （Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−６−トリエトキシ
シラニルヘキシルエステル ０．５０ｇの３、４−ジメトキシ桂皮酸−ヘキセ−５−
ニルエステル、１．０ｍｌのトルエン、２．９ｍｌのト
リエトキシシランおよび、１０ｍｌのイソプロパノール
に１３４ｍｇのヘキサクロロ（IV) 白金酸６水和物を溶
解した溶液０．０２ｍｌよりなる混合物を、４０℃で１
晩中反応させる。次に反応混合物を室温に冷却し、シリ
カゲル・パッドで濾過しそして濾液を十分に蒸発処理す
る。残留物をシリカゲルでクロマトグラフィー精製し
て、３、４−ジメトキシ桂皮酸−６−トリエトキシシラ
ニルヘキシルエステルを得る。 出発原料として使用し
た３、４−ジメトキシ桂皮酸−ヘキセ−５−ニルエステ
ルは次の様に製造する：３、４−ジメトキシ桂皮酸−ヘキセ−５−ニルエステル ０．７２ｍｌの１、８−ジアザビシクロ［５．４．０］
ウンデセ−７−ン（１．５−５）および５ｍｌのジメチ
ルホルムアミドよりなる溶液を、１．０ｇの３，４−ジ
メトキシ桂皮酸と１０ｍｌのジメチルホルムアミドとの
混合物に１０分にわたって室温で滴加する。この反応混
合物を８０℃に加熱し、５ｍｌのジメチルホルムアミド
に０．７１ｍｌの６−ブロモヘキセンを溶解した溶液を
５０分にわたって滴加しそして反応を８０℃で１時間継
続する。次いで反応混合物を室温に冷却しそしてジエチ
ルエーテルと１Ｎの塩酸とに分けそして有機相を飽和塩
化ナトリウム溶液で数回洗浄する。その後に有機相をＭ
ｇＳＯ₄ で乾燥し、濾過しそして濾液を蒸発処理する。
残留物のシリカゲルによるクロマトグラフィー精製にて
３，４−ジメトキシ桂皮酸−ヘキセ−６−ニルエステル
が得られる。

【００４０】以下のシランも同様な方法で合成した： （Ｅ）−２−メトキシ桂皮酸−６−トリエトキシシラニ
ルヘキシルエステル、（Ｅ）−３−メトキシ桂皮酸−８
−トリエトキシシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３
−オクチルオキシ桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘ
キシルエステル、（Ｅ）−４−メトキシ桂皮酸−８−ト
リエトキシシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−４−エ
トキシ桂皮酸−８−トリエトキシシラニルオクチルエス
テル、（Ｅ）−４−プロピルオキシ桂皮酸−８−トリエ
トキシシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−４−ブチル
オキシ桂皮酸−６−トリエトキシシラニルオクチルエス
テル、（Ｅ）−４−ペンチルオキシ桂皮酸−８−トリエ
トキシシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−４−ヘキシ
ルオキシ桂皮酸−８−トリエトキシシラニルオクチルエ
ステル、（Ｅ）−４−ドデシルオキシ桂皮酸−６−トリ
エトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−３−フル
オロ桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−４−フルオロ桂皮酸−６−トリエトキシシ
ラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−３−クロロ桂皮酸−
６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−
４−クロロ桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシル
エステル、（Ｅ）−４−トリフルオロメトキシ桂皮酸−
８−トリエトキシシラニルオキシルエステル、（Ｅ）−
４−アセトアミド桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘ
キシルエステル、（Ｅ）−４−アセトアミド桂皮酸−８
−トリエトキシシラニルオキシルエステル、（Ｅ）−４
−ペンタノイルアミノ桂皮酸−６−トリエトキシシラニ
ルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−デカノイルアミノ桂
皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−５−トリエトキシ
シラニルペンチルエステル、（Ｅ）−３、４−ジメトキ
シ桂皮酸−７−トリエトキシシラニルヘプチルエステ
ル、（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−８−トリエト
キシシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３、４−ジメ
トキシ桂皮酸−９−トリエトキシシラニルノニルエステ
ル、（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−１０−トリエ
トキシシラニルデシルエステル、（Ｅ）−３、４−ジメ
トキシ桂皮酸−１１−トリエトキシシラニルウンデシル
エステル、（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−１２−
トリエトキシシラニルドデシルエステル、（Ｅ）−３、
５−ジメトキシ桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキ
シルエステル、（Ｅ）−２、５−ジメトキシ桂皮酸−６
−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−３
−メトキシ−４−プロピルオキシ桂皮酸−８−トリエト
キシシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３−メトキシ
−４−プロピルオキシ桂皮酸−６−トリエトキシシラニ
ルヘキシルエステル、（Ｅ）−３−デシルオキシ−４−
メトキシ桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエ
ステル、（Ｅ）−３−フルオロ−４−メトキシ桂皮酸−
６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−
３−クロロ−４−メトキシ桂皮酸−８−トリエトキシシ
ラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３−プロピル−４−
メトキシ桂皮酸−８−トリエトキシシラニルオクチルエ
ステル、（Ｅ）−３、４、５−トリメトキシ桂皮酸−８
−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−
３、４−ジフルオロ桂皮酸−８−トリエトキシシラニル
オクチルエステル、（Ｅ）−２、３−ジフルオロ桂皮酸
−８−トリエトキシシラニルオクチルエステル、（Ｅ）
−３、４、５−トリフルオロ桂皮酸−８−トリエトキシ
シラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３−フルオロ−４
−クロロ桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエ
ステル、（Ｅ）−３−エトキシ−４−アセトアミド桂皮
酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−４−（４−メトキシベンゾイルオキシ）桂皮酸
−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）
−３−メトキシ−４−（４−メトキシベンゾイルオキ
シ）桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−４−（３、４−ジメトキシベンゾイルオキ
シ）桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−３−メトキシ−４−（３、４−ジメトキシ
ベンゾイルオキシ）桂皮酸−６−トリエトキシシラニル
ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−エトキシ−４−（３、
４−ジメトキシベンゾイルオキシ）桂皮酸−６−トリエ
トキシシラニルヘキシルエステル。

【００４１】実施例３ （Ｅ）−４−［（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）メトキシ］桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキ
シルエステル この化合物を、（Ｅ）−［（トランス−４−ヘプチルシ
クロヘキシル）メトキシ］桂皮酸を６−ブロモヘキサン
でエステル化し、次に得られる（Ｅ）−［（トランス−
４−ヘプチルシクロヘキシル）メトキシ］桂皮酸ヘキセ
−５−ニルエステルをトリエトキシシランと反応させる
ことによって実施例２と同様に製造する。

【００４２】出発原料として使用した（Ｅ）−［（トラ
ンス−４−ヘプチルシクロヘキシル）メトキシ］桂皮酸
は次の方法で製造する：４−［（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）メト
キシ］ベンズアルデヒド ３８．５ｍｌのジイソブチルアルミニウムヒドリド溶液
（２０％濃度トルエン溶液）を、１５０ｍｌのトルエン
に１０．４ｇの４−［（トランス−４−ヘプチルシクロ
ヘキシル）メトキシ］ベンゾニトリル───Ｍｏｌ．Ｃ
ｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．５３、１４７（１９７
９）に従って製造───を懸濁させた懸濁物に０℃で１
０分間に滴加する。次に反応混合物をゆっくり室温に加
温し、更に３．５時間反応させる。その後に１Ｎの塩酸
をゆっくり滴加し、攪拌を１時間実施しそして次に反応
混合物を水とメチレンクロライドに分配する。有機相を
次に水で数回洗浄し、ＭｇＳＯ4 で乾燥し、濾過しそし
て蒸発処理する。醋酸エチル／メチレンクロライドで結
晶化させて、４−［（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）メトキシ］ベンズアルデヒドを得る。

【００４３】４−［（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）メトキシ］桂皮酸メチルエステル ２７．６ｍｌの１。６Ｎブチルリチウム溶液を、５０ｍ
ｌの乾燥テトラヒドロフランに６．４ｍｌのホスホノ醋
酸トリメチルエステルを溶解した溶液に０℃で１０分に
わたって滴加する。攪拌を０℃で１．５時間実施し、１
０．３ｇの粗４−［（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）メトキシ］ベンズアルデヒドを５０ｍｌの乾燥
テトラヒドロフランに溶解した溶液を同じ温度で５分間
の間に滴加する。次にこの混合物をゆっくり室温に加温
し、１５時間反応させる。次いで反応混合物をメチレン
クロライドと１Ｎの塩酸に分配し、有機相を飽和重炭酸
ナトリウム溶液および水で洗浄し、ＭｇＳＯ4 で乾燥し
そして蒸発処理する。

【００４４】醋酸エチル／ヘキサン（１：９）を用いて
のシリカゲルでのクロマトグラフィー処理および続くヘ
キサン／醋酸エチルでの繰り返し結晶化によって、４−
［（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）メトキ
シ］桂皮酸メチルエステルが得られる。４−［（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）メト
キシ］桂皮酸 ８ｇの４−［（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）メトキシ］桂皮酸メチルエステルと５０ｍｌの１０
％濃度メタノール性水酸化カリウム溶液との混合物を室
温で１６時間放置する。その後に、連続的に攪拌しなが
ら、かつ冷却しながら１Ｎの水性硫酸を用いて酸性化を
行い、メチレンクロライドで抽出を行いそして有機相を
水で数回洗浄し、ＭｇＳＯ4 で乾燥させそして蒸発処理
する。ヘキサン／醋酸エチルでの結晶化処理で、４−
［（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）メトキ
シ］桂皮酸が得られる。

【００４５】次のシラン誘導体も同様な方法で製造でき
る： （Ｅ）−４−（４−メトキシフェニル）桂皮酸−６−ト
リエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−
（４−トリフルオロメトキシフェニル）桂皮酸−６−ト
リエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−
（４−デシルオキシフェニル）桂皮酸−６−トリエトキ
シシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［４−
（３、３、４、４、５、５、６、６、６−ノナフルオロ
ヘキシル）フェニル］桂皮酸−６−トリエトキシシラニ
ルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（３、４−ジメトキ
シフェニル）桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシ
ルエステル、（Ｅ）−４−（３−メトキシ−４−オクチ
ルオキシフェニル）桂皮酸−６−トリエトキシシラニル
ヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（３−オクチルオキシ
−４−メトキシフェニル）桂皮酸−６−トリエトキシシ
ラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（４−エチルフ
ェニル）桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエ
ステル、（Ｅ）−４−（４−ヘキシルフェニル）桂皮酸
−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）桂皮
酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−４−（シス−４−ペンチルシクロヘキシル）桂
皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−４−［（トランス−４−ヘプチルシクロへキシ
ル）メトキシ］桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキ
シルエステル、（Ｅ）−４−［（シス−４−ヘプチルシ
クロへキシル）メトキシ］桂皮酸−６−トリエトキシシ
ラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロへキシル）フェニル］桂皮酸−
６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−
４−［４−（シス−４−ペンチルシクロへキシル）フェ
ニル］桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエス
テル、（Ｅ）−４−｛４−［（トランス−４−オクチル
シクロへキシル）メトキシ］フェニル｝桂皮酸−６−ト
リエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−
｛４−［（シス−４−ヘプチルシクロへキシル）メトキ
シ］フェニル｝桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキ
シルエステル、（Ｅ）−４−｛トランス−４−［（トラ
ンス−４−ペンチルシクロへキシル）シクロヘキシル］
メトキシ｝桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシル
エステル、（Ｅ）−４−｛シス−４−［（トランス−４
−ペンチルシクロへキシル）シクロヘキシル］メトキ
シ｝桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−４−｛トランス−４−［（シス−４−ペン
チルシクロへキシル）シクロヘキシル］メトキシ｝桂皮
酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル。

【００４６】実施例４： （Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナフタリン−２−イ
ル）アクリル酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロ
ピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル この化合物を、（Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナフ
タリン−２−イル）アクリル酸を６−クロロヘキサノー
ルでエステル化しそして次にそうして得られる（Ｅ）−
３−（６−ヘプチルオキシナフタリン−２−イル）アク
リル酸−６−ヒドロキシヘキシルエステルと３−トリエ
トキシシラニルプロピルイソシアネートと反応させるこ
とによって実施例１と同様に製造する。

【００４７】６−ブロモ−２−ヘプチルオキシナフタレ
ン ０．５ｇの６−ブロモ−２−ナフトール、５０ｍｌのジ
メチルスルホキシド、３．９ｍｌの６−ブロモヘプタ
ン、７．１ｇの沃化カリウム、および粉砕されそして高
減圧下に活性化された７．１ｇの炭酸カリウムよりなる
混合物を６５℃に１６時間加熱する。次いで冷しそして
醋酸エチルと水に分配し、ＭｇＳＯ4 で乾燥し、濾過し
そして蒸発処理する。残留物をトルエンを用いてシリカ
ゲル上でクロマトグラフィー処理し、次いでトルエン／
ヘキサン（８：１）で結晶化処理することにより６−ブ
ロモ−２−ヘプチルオキシナフタレンを得る。

【００４８】（Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナフタ
リン−２−イル）アクリル酸メチルエステル ５．２ｇの６−ブロモ−２−ヘプチルオキシナフタレ
ン、２５ｍｌのトリエチルアミン、４．３ｍｌの醋酸メ
チル、０．０７２ｇの醋酸パラジウムおよび０．３９２
ｇのトリ−ｏ−トルイルホスフィンよりなる混合物を１
６時間還流する。次いでこの反応混合物を冷却し、醋酸
エチルと水に分配し、有機相を水で洗浄し、ＭｇＳＯ4
で乾燥し、濾過しそして蒸発処理する。残留物をトルエ
ン／醋酸エチル（３：１）を用いて２５０ｇのシリカゲ
ル上でクロマトグラフィー処理し、次いでトルエンで結
晶化させる。（Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナフタ
リン−２−イル）アクリル酸メチルエステルが得られ
る。

【００４９】（Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナフタ
リン−２−イル）アクリル酸 ０．８ｇの（Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナフタリ
ン−２−イル）アクリル酸メチルエステルおよび１０ｍ
ｌの１０％濃度の水酸化カリウムのメタノール溶液とよ
りなる混合物を室温で１６時間放置する。その後に、連
続的に攪拌しながら、かつ冷却しながら１Ｎの水性硫酸
を用いて酸性化を行い、メチレンクロライドで抽出を行
いそして有機相を水で数回洗浄し、ＭｇＳＯ4 で乾燥さ
せそして蒸発処理する。ヘキサン／醋酸エチルでの結晶
化処理で、（Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナフタリ
ン−２−イル）アクリル酸が得られる。

【００５０】次のシラン誘導体も同様な方法で製造でき
る： （Ｅ）−３−（６−エトキシナフタリン−２−イル）ア
クリル酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカ
ルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−
（６−プロピルオキシナフタリン−２−イル）アクリル
酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモ
イルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−（６−ブ
チルオキシナフタリン−２−イル）アクリル酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−（６−ペンチルオ
キシナフタリン−２−イル）アクリル酸−６−（３−ト
リエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキ
シルエステル、（Ｅ）−３−（６−ヘキシルオキシナフ
タリン−２−イル）アクリル酸−６−（３−トリエトキ
シシラニルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエス
テル、（Ｅ）−３−（６−オクチルオキシナフタリン−
２−イル）アクリル酸−６−（３−トリエトキシシラニ
ルプロピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、
（Ｅ）−３−（６−ドデシルオキシナフタリン−２−イ
ル）アクリル酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロ
ピルカルバモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−
３−（６−ヘプチルオキシナフタリン−２−イル）アク
リル酸−４−（３−トリエトキシシラニルプロピルカル
バモイルオキシ）ブチルエステル、（Ｅ）−３−（６−
ヘプチルオキシナフタリン−２−イル）アクリル酸−５
−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオ
キシ）ペンチルエステル、（Ｅ）−３−（６−ヘプチル
オキシナフタリン−２−イル）アクリル酸−８−（３−
トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキシ）オ
クチルエステル、（Ｅ）−３−（６−ヘプチルオキシナ
フタリン−２−イル）アクリル酸−６−（２−トリエト
キシシラニルエチルカルバモイルオキシ）ヘキシルエス
テル、（Ｅ）−３−｛６−［（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）メトキシ］ナフタリン−２−イル｝ア
クリル酸−６−（２−トリエトキシシラニルエチルカル
バモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−｛６
−［（シス−４−プロピルシクロヘキシル）メトキシ］
ナフタリン−２−イル｝アクリル酸−６−（２−トリエ
トキシシラニルエチルカルバモイルオキシ）ヘキシルエ
ステル、（Ｅ）−３−｛６−［（トランス−４−デシル
シクロヘキシル）メトキシ］ナフタリン−２−イル｝ア
クリル酸−６−（２−トリエトキシシラニルエチルカル
バモイルオキシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−｛６
−［（シス−４−デシルシクロヘキシル）メトキシ］ナ
フタリン−２−イル｝アクリル酸−６−（２−トリエト
キシシラニルエチルカルバモイルオキシ）ヘキシルエス
テル。

【００５１】実施例５： （Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸（６−トリクロロシ
ラニルヘキシル）エステル ５ｍｌのトリクロロシランを、２０ｍｌの乾燥テトラヒ
ドロフランに０．１ｇのＨ₂ ＰｔＣｌ₆ を溶解した溶液
に攪拌下に添加する。２０ｍｌの乾燥テトラヒドロフラ
ンに溶解した１４．８ｇの（Ｅ）−３，４−ジメトキシ
桂皮酸ヘキセ−５−ニルエステルを溶解した溶液を注意
深くこれに滴加する。その後に室温で５時間攪拌を行
い、次いで５０℃で１６時間攪拌する。反応混合物を水
流ポンプでの減圧下に濃縮し、残留溶液およびトリクロ
ロシランを減圧下に冷却トラップを備えた油圧ポンプ式
減圧機で完全に除く。貯蔵のために乾燥テトラヒドロフ
ランに溶解する粗（Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸６
−トリクロロシラニルヘキシルエステルが得られる。

【００５２】原料として必要とされる（Ｅ）−３，４−
ジメトキシ桂皮酸ヘキセ−５−ニルエステルの製法は実
施例２に記載されている。以下のシラン誘導体も同様な
方法で製造できる： （Ｅ）−２−メトキシ桂皮酸−６−トリクロロシラニル
ヘキシルエステル、（Ｅ）−３−メトキシ桂皮酸−８−
トリクロロシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３−ヘ
キシルオキシ桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシル
エステル、（Ｅ）−４−メトキシ桂皮酸−６−トリクロ
ロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−エトキシ桂
皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−４−プロポキシ桂皮酸−６−トリクロロシラニ
ルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−ブトキシ桂皮酸−８
−トリクロロシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−４−
ペンチルオキシ桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシ
ルエステル、（Ｅ）−４−ヘキシルオキシ桂皮酸−６−
トリクロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−ド
デシルオキシ桂皮酸−８−トリクロロシラニルオクチル
エステル、（Ｅ）−３−フルオロ桂皮酸−８−トリクロ
ロシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−４−フルオロ桂
皮酸−８−トリクロロシラニルオクチルエステル、
（Ｅ）−３−クロロ桂皮酸−８−トリクロロシラニルオ
クチルエステル、（Ｅ）−４−クロロ桂皮酸−８−トリ
クロロシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−４−トリフ
ルオロメトキシ桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシ
ルエステル、（Ｅ）−４−アセトアミド桂皮酸−６−ト
リクロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−アセ
トアミド桂皮酸−８−トリクロロシラニルオクチルエス
テル、（Ｅ）−４−ペンタノイルアミノ桂皮酸−６−ト
リクロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−デカ
ノイルアミノ桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシル
エステル、（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−５−ト
リクロロシラニルペンチルエステル、（Ｅ）−３、４−
ジメトキシ桂皮酸−７−トリクロロシラニルヘプチルエ
ステル、（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−８−トリ
クロロシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３、４−ジ
メトキシ桂皮酸−９−トリクロロシラニルノニルエステ
ル、（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−１０−トリク
ロロシラニルデシルエステル、（Ｅ）−３、４−ジメト
キシ桂皮酸−１１−トリクロロシラニルウンデシルエス
テル、（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−１２−トリ
クロロシラニルドデシルエステル、（Ｅ）−３、５−ジ
メトキシ桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエス
テル、（Ｅ）−２、５−ジメトキシ桂皮酸−６−トリク
ロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−３−メトキシ
−４−プロポキシ桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキ
シルエステル、（Ｅ）−３−メトキシ−４−オクチルオ
キシ桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエステ
ル、（Ｅ）−３−デシルオキシ−４−メトキシ桂皮酸−
６−トリクロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−３
−フルオロ−４−メトキシ桂皮酸−７−トリクロロシラ
ニルヘプチルエステル、（Ｅ）−３−クロロ−４−メト
キシ桂皮酸−８−トリクロロシラニルオクチルエステ
ル、（Ｅ）−３−プロピル−４−メトキシ桂皮酸−６−
トリクロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−３、
４、５−トリメトキシ桂皮酸−８−トリクロロシラニル
オクチルエステル、（Ｅ）−３、４−ジフルオロ桂皮酸
−９−トリクロロシラニルノニルエステル、（Ｅ）−
２、３−ジフルオロ桂皮酸−１０−トリクロロシラニル
デシルエステル、（Ｅ）−３、４、５−トリフルオロ桂
皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−３−フルオロ−４−クロロ桂皮酸−８−トリク
ロロシラニルオクチルエステル、（Ｅ）−３−エトキシ
−４−アセトアミド桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘ
キシルエステル、（Ｅ）−４−（４−メトキシベンジル
オキシ）桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエス
テル、（Ｅ）−３−メトキシ−４−（４−メトキシベン
ジルオキシ）桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシル
エステル、（Ｅ）−４−（３、４−ジメトキシベンジル
オキシ）桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエス
テル、（Ｅ）−３−メトキシ−４−（３、４−ジメトキ
シベンジルオキシ）桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘ
キシルエステル、（Ｅ）−３−エトキシ−４−（３、４
−ジメトキシベンジルオキシ）桂皮酸−８−トリクロロ
シラニルオクチルエステル、（Ｅ）−４−（４−メトキ
シフェニル）桂皮酸−８−トリクロロシラニルオクチル
エステル、（Ｅ）−４−（４−トリフルオロメトキシフ
ェニル）桂皮酸−８−トリクロロシラニルオクチルエス
テル、（Ｅ）−４−（４−デシルオキシフェニル）桂皮
酸−６−トリクロロシラニルヘキシエステル、（Ｅ）−
４−［４−（６，６，６−トリフルオロヘキシルオキ
シ）フェニル］桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシ
ルエステル、（Ｅ）−４−（３、４−ジメトキシフェニ
ル）桂皮酸−８−トリクロロシラニルオクチルエステ
ル、（Ｅ）−４−（３−メトキシ−４−ヘキシルオキシ
フェニル）桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエ
ステル、（Ｅ）−４−（３−ヘキシルオキシ−４−メト
キシフェニル）桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシ
ルエステル、（Ｅ）−４−（４−プロピルフェニル）桂
皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−４−（４−デシルフェニル）桂皮酸−６−トリ
クロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（トラ
ンス−４−ヘキシルシクロヘキシル）桂皮酸−６−トリ
クロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−（シス
−４−ヘプチルシクロヘキシル）桂皮酸−６−トリクロ
ロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［（トラン
ス−４−ヘキシルシクロヘキシル）メトキシ］桂皮酸−
６−トリクロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４
−［（シス−４−ヘキシルシクロヘキシル）メトキシ］
桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシルエステル、
（Ｅ）−４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）フェニル］桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘ
キシルエステル、（Ｅ）−４−［４−（シス−４−ペン
チルシクロヘキシル）フェニル］桂皮酸−６−トリクロ
ロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−｛４−
［（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）メトキ
シ］フェニル｝桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシ
ルエステル、（Ｅ）−４−｛４−［（シス−４−ヘプチ
ルシクロヘキシル）メトキシ］フェニル｝桂皮酸−６−
トリクロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−
｛トランス−４−［（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］メトキシ｝桂皮酸−６−トリ
クロロシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−｛シス
−４−［（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル］メトキシ｝桂皮酸−６−トリクロロシラ
ニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−｛トランス−４−
［（シス−４−ヘプチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］メトキシ｝桂皮酸−６−トリクロロシラニルヘキシ
ルエステル。

【００５３】実施例６： 光架橋性層の製造 ０．０２ｇの（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−６−
（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオキ
シ）ヘキシルエステルを２ｍｌのプロパノールに溶解す
る。この溶液を、浄化したガラス板（１９×２６ｍｍ）
に回転塗り（スピンコーティング法）によって１０００
回転／分で塗布し、次いで１３０℃の温度に３０分加熱
する。

【００５４】この様に処理したガラス板を次いで超音波
浴中で１５分間、メタノールで浄化する。実施例７： 液晶のための配向層の製造 実施例６に記載した被覆されたガラス板を、高圧水銀ラ
ンプの直線状偏光紫外線光に１分間露光する。次いで液
晶層を、被覆されたガラス板に回転塗り法で塗布する。
配向した液晶分子の一軸の複屈折層が偏光顕微鏡下に観
察できる。傾斜補償板によって、配向方向がシラン層を
露光する際に調製される紫外線の偏光方向に一致してい
ることが判った。

【００５５】実施例８： 限定された傾斜角を持つ配向層の製造 実施例６に従って（Ｅ）−３、４−ジメトキシ桂皮酸−
６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイル
オキシ）ヘキシルエステルを塗布した二枚のガラス板
を、直線状の偏光紫外線に３分露光する。その際に光の
入射方向は板の垂直線（ｎｏｒｍａｌ）に対して７０°
傾斜している。光の偏光方向は光の入射方向およびガラ
ス板の垂直線によって限定される面にある。次に二枚の
ガラス板を、塗布された側が内側に向かい会う様に組み
合わせて、２０ｍｍの板状の空間を持つ液晶用セルを得
る。その結果偏光およびこの板状物の露光中の入射光に
よって規定される方向は互いに平行している。次いでこ
のセルにＲＯＬＩＣ ＡＧの液晶混合物３０１０を１０
０℃で充填する。その際に液晶混合物は充填工程の間に
等方性相状態にある。次いでセルを１℃／分の速度で徐
々に室温に冷却する。均一に配向した液晶相が交差偏光
子の間で判った。結晶回転法によって測定されるこの平
行セルの傾斜角は０．２°であった。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式Ｉ 【化１】 ［式中、Ｘ¹ 、Ｘ² およびＸ³ はアルキル、アルコキシ
   またはハロゲン原子を意味するが、これらの残基の少な
   くとも１つはアルコキシかまたはハロゲン原子であり；
   Ｓ¹ はスペーサー単位、例えば、場合によっては弗素原
   子、塩素原子またはシアノ基で単−または複数置換され
   た直鎖状のまたは枝分かれしたアルキレン基−（Ｃ
   Ｈ₂ ）_r −を意味するかまたは式 −（ＣＨ₂ ）_r −Ｌ−（ＣＨ₂ ）_s − （式中、Ｌは単一結合または連結用官能基、例えばＯ、
   ＣＯＯ、ＯＯＣ、ＮＲ¹ 、ＮＲ¹ −ＣＯ−、ＣＯ−ＮＲ
   ¹ −、ＮＲ¹ −ＣＯＯ、ＯＣＯ−ＮＲ¹ −、ＮＲ¹ −Ｃ
   Ｏ−ＮＲ¹ 、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を意味
   し、Ｒ¹ は水素原子または低級アルキル基を意味しそし
   てｒおよびｓはｒ＋ｓ≦２５という条件のもとで１〜２
   ０の整数であり、 Ａ環は非置換のまたは弗素−、塩素−、シアノ−、アル
   キル−またはアルコキシ置換されたフェニレン、ピリジ
   ン−２、５−ジイル、ピリミジン−２、５−ジイル、
   １、３−ジオキサン−２、５−ジイル、シクロヘキサン
   −１、４−ジイル、ピペリジン−１、４−ジイルまたは
   ピペラジン−１、４−ジイルを意味し、ただしそのアル
   キル−および／またはアルコキシ置換基は弗素原子で単
   −または複数置換されていてもよく、 Ｂ環は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ−、ア
   ルキル−またはアルコキシ置換されたフェニレン、ピリ
   ジン−２、５−ジイル、ピリミジン−２、５−ジイル、
   １、４−または２、６−ナフタレン、１、３−ジオキサ
   ン−２、５−ジイルまたはシクロヘキサン−１、４−ジ
   イルを意味し、ただしそのアルキル−および／またはア
   ルコキシ置換基は弗素原子で単−または複数置換されて
   いてもよく、 Ｋは水素原子、弗素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ
   基、または場合によっては弗素原子、塩素原子、シアノ
   基またはニトロ基で置換されていてもよくそして場合に
   よっては一つのＣＨ₂ 基または隣接していない複数のＣ
   Ｈ₂ 基がＯ、ＣＨ＝ＣＨまたはＣ≡Ｃに交換されていて
   もよい１〜２０の炭素原子を持つ直鎖状のまたは枝分か
   れしたアルキル−、アルコキシ−、アルキル−ＣＯＯ
   −、アルキル−ＣＯ−ＮＲ² −またはアルキル−ＯＣＯ
   基であり、ただしＲ² は水素原子または低級アルキル基
   を意味し、 Ｙ¹ およびＹ² は互いに無関係に単一共有結合、−（Ｃ
   Ｈ₂ ）_t −、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−
   ＯＣ−、−ＮＲ³ −、−ＣＯ−ＮＲ³ −、−Ｒ³ Ｎ−Ｃ
   Ｏ−、−（ＣＨ₂ ）_u −Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_u −、
   −（ＣＨ₂）_u −ＮＲ³ −または−ＮＲ³ −（ＣＨ₂ ）
   _u −を意味し、 Ｒ³ は水素原子または低級アルキル基を意味し、 ｔは１〜４の整数を意味し、 ｕは１〜３の整数を意味し、 ｍおよびｎは互いに無関係に０または１を意味し、 Ｃ環は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ−、ア
   ルキル−またはアルコキシ置換されたフェニレン、ピリ
   ミジン−２、５−または−３、５−ジイル、ピリジン−
   ２、５−または−２、４−ジイルまたは−２、６−ジイ
   ル、２、５−チオフェニレン、２、５−フラニレン、
   １、４−または２、６−ナフタレンを意味し、ただしそ
   のアルキル−および／またはアルコキシ置換基は弗素原
   子で単−または複数置換されていてもよく、 Ｚは−Ｏ−または−ＮＲ⁴ −を意味しそしてＲ⁴ は水素
   原子または低級アルキル基を意味する。］で表されるシ
   ラン。
2. 【請求項２】 一般式Ｉ中、Ｘ¹ 、Ｘ² 、Ｘ³ 、Ｓ¹ 、
   Ｋ、ｍおよびｎは請求項１に記載の意味を有しそしてＡ
   環は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ−、アル
   キル−またはアルコキシ置換されたフェニレン、ピリジ
   ン−２、５−ジイル、ピリミジン−２、５−ジイルまた
   はシクロヘキサン−１、４−ジイルを意味し、ただしそ
   のアルキル−または／またはアルコキシ置換基は弗素原
   子で単−または複数置換されていてもよく、 Ｂ環は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ−、ア
   ルキル−またはアルコキシ置換されたフェニレン、ピリ
   ジン−２、５−ジイル、ピリミジン−２、５−ジイル、
   １、４−または２、６−ナフタレンまたはシクロヘキサ
   ン−１、４−ジイルを意味し、ただしそのアルキル−お
   よび／またはアルコキシ置換基は弗素原子で単−または
   複数置換されていてもよく、 Ｙ¹ およびＹ² は互いに無関係に単一共有結合、−ＣＨ
   ₂ ＣＨ₂ −、−Ｏ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ
   ₂ −、−ＣＯ−Ｏ−または−Ｏ−ＯＣ−を意味し、Ｃ環
   は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ−、アルキ
   ル−またはアルコキシ置換された１、３−または１、４
   −フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、ピリジン
   −２、５−ジイル、２、５−フランニレンまたは１、４
   −または２、６−ナフタレンを意味し、ただしそのアル
   キル−および／またはアルコキシ置換基は弗素原子で単
   −または複数置換されていてもよく、 Ｚは−Ｏ−を意味する請求項１に記載のシラン。
3. 【請求項３】 一般式Ｉ中、Ｘ¹ 、Ｘ² 、Ｘ³ 、Ｓ¹ 、
   Ｋおよびｍは請求項１に記載の意味を有しそしてｎは０
   を意味し、 Ｂ環は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ−、ア
   ルキル−またはアルコキシ置換されたフェニレン、ピリ
   ジン−２、５−ジイル、ピリミジン−２、５−ジイルま
   たはシクロヘキサン−１、４−ジイルを意味し、ただし
   そのアルキル−および／またはアルコキシ置換基は弗素
   原子で単−または複数置換されていてもよく、 Ｙ² は単一共有結合、−ＣＯ−Ｏ−または−ＣＨ₂ −Ｏ
   −を意味し、 Ｃ環は非置換の、または弗素−、塩素−、シアノ−、ア
   ルキル−またはアルコキシ置換された１、３−または
   １、４−フェニレン、または１、４−または２、６−ナ
   フタレンを意味し、ただしそのアルキル−および／また
   はアルコキシ置換基は弗素原子で単−または複数置換さ
   れていてもよく、 Ｚは−Ｏ−を意味する請求項１または２に記載のシラ
   ン。
4. 【請求項４】 （Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸−６
   −（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバモイルオ
   キシ）ヘキシルエステル、（Ｅ）−３，４−ジメトキシ
   桂皮酸−６−トリエトキシシラニルヘキシルエステル、
   （Ｅ）−３，４−ジメトキシ桂皮酸−６−トリクロロシ
   シラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−４−［（トランス
   −４−ヘプチルシクロヘキシル）メトキシ］桂皮酸−６
   −トリエトキシシラニルヘキシルエステル、（Ｅ）−３
   −（６−ヘプチルオキシナフタリン−２−イル）アクリ
   ル酸−６−（３−トリエトキシシラニルプロピルカルバ
   モイルオキシ）ヘキシルエステルである請求項３に記載
   のシラン。
5. 【請求項５】 少なくとも２種類の成分を含有してお
   り、その少なくとも１種類が請求項１に規定する式Ｉの
   光架橋性シラン誘導体である、光架橋性混合物。
6. 【請求項６】 請求項１に規定する式Ｉの光架橋性シラ
   ン誘導体１種類以上の他に一般式II 【化２】 ［式中、Ｘ¹ 、Ｘ² 、Ｘ³ およびＳ¹ は請求項１に規定
   する意味を有しそしてＭは低級アルキル基、弗素原子で
   単−または複数置換された低級アルキル基、 低級アルコキシ基、弗素原子で単−または複数置換され
   た低級アルコキシ基、 または一般式III 【化３】 （式中、Ｙ¹ 、Ｙ² 、ｍおよびｎは請求項１に規定する
   意味を有しそしてＡ¹ 、Ａ² およびＡ³ 環は非置換の、
   または弗素−、塩素−、シアノ−、アルキル−またはア
   ルコキシ置換されたフェニレン、ピリジン−２、５−ジ
   イル、ピリミジン−２、５−ジイル、２、６−ナフタレ
   ン、１、３−ジオキサン−２、５−ジイルまたはシクロ
   ヘキサン−１、４−ジイルを意味し、ただしそのアルキ
   ル−または／またはアルコキシ置換基は弗素原子で単−
   または複数置換されていてもよくそしてこれらの環の１
   つ以下はフェニレンまたはシクロヘキシレンと相違して
   おり、 Ｑは１つ以上の水素原子が弗素原子に交換されていても
   よい低級アルキル−またはアルコキシ基であるかまたは
   弗素原子、塩素原子、シアノ基またはニトロ基を意味す
   る。）で表されるメソ相基である。］で表される非環状
   シラン誘導体１種類以上を含有する請求項５に記載の架
   橋性混合物。
7. 【請求項７】 ｎは０を意味し、ｍは０または１を意味
   し、Ａ² およびＡ³ はフェニレンまたはシクロヘキシレ
   ンを意味し、Ｙ¹ およびＹ² は単一共有結合、−ＣＨ₂
   ＣＨ₂ −、−Ｏ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、
   −ＣＯ−Ｏ−または−Ｏ−ＯＣ−を意味し、Ｑは場合に
   よっては弗素置換された低級アルキル−またはアルコキ
   シ基、弗素原子、塩素原子またはシアノ基を意味する請
   求項６に記載の架橋性混合物。
8. 【請求項８】 ｍは０を意味し、Ａ³ はフェニレンまた
   はシクロヘキシレンを意味し、Ｑは場合によっては弗素
   置換された低級アルキル−またはアルコキシ基を意味す
   る請求項７に記載の架橋性混合物。
9. 【請求項９】 請求項１〜４のいずれか一つに記載の光
   架橋性シラン誘導体を、液晶の配向層の製造におよび光
   学要素、特にハイブリッド層要素の製造に用いる方法。
10. 【請求項１０】 請求項５〜８のいずれか一つに記載の
    架橋性混合物を、液晶の配向層の製造におよび光学要
    素、特にハイブリッド層要素の製造に用いる方法。