JPH10312594A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH10312594A JPH10312594A JP9137859A JP13785997A JPH10312594A JP H10312594 A JPH10312594 A JP H10312594A JP 9137859 A JP9137859 A JP 9137859A JP 13785997 A JP13785997 A JP 13785997A JP H10312594 A JPH10312594 A JP H10312594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- recording
- memory
- magnetization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 19
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 101100143815 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RPL3 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 334
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 68
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光強度変調によるダイレクト・オーバーライ
トが可能な光磁気記録媒体において、Ｃ／Ｎを向上さ
せ、かつ記録保持の安定化を図る。 【解決手段】 基体表面側に、読み出し層Ｒ01、メモリ
層Ｍ1、交換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2の４層の磁性
層を含む磁性積層体を有し、Ｍ1、Ｗ2のキュリー温度を
それぞれＴｃM1、ＴｃW2としたとき、ＴｃW2＞ＴｃM1で
あり、Ｒ01の厚さをｔR01、Ｍ1の厚さをｔM1としたと
き、ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）＝０．３〜０．６、ｔR01
＋ｔM1＝２０〜４０nmであり、Ｒ01が、Ｇｄ、Ｆｅおよ
びＣｏを主成分とし、Ｇｄを２３〜２７原子％含有し、
Ｍ1が、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成分とし、Ｔｂを２
１〜２５原子％含有し、Ｃ12が、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏ
を主成分とし、Ｇｄを２３〜３２原子％含有し、厚さ３
０nm以下である光磁気記録媒体。
トが可能な光磁気記録媒体において、Ｃ／Ｎを向上さ
せ、かつ記録保持の安定化を図る。 【解決手段】 基体表面側に、読み出し層Ｒ01、メモリ
層Ｍ1、交換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2の４層の磁性
層を含む磁性積層体を有し、Ｍ1、Ｗ2のキュリー温度を
それぞれＴｃM1、ＴｃW2としたとき、ＴｃW2＞ＴｃM1で
あり、Ｒ01の厚さをｔR01、Ｍ1の厚さをｔM1としたと
き、ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）＝０．３〜０．６、ｔR01
＋ｔM1＝２０〜４０nmであり、Ｒ01が、Ｇｄ、Ｆｅおよ
びＣｏを主成分とし、Ｇｄを２３〜２７原子％含有し、
Ｍ1が、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成分とし、Ｔｂを２
１〜２５原子％含有し、Ｃ12が、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏ
を主成分とし、Ｇｄを２３〜３２原子％含有し、厚さ３
０nm以下である光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調ダイレ
クト・オーバーライトが可能な光磁気記録媒体に関す
る。
クト・オーバーライトが可能な光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体（ＭＯ）は、磁性薄膜を
レーザー光等により局所的に昇温させ、外部磁界によっ
てこの部分の磁化方向を反転させることによって記録を
行い、これらの磁化方向の異なる記録ドメインをカー効
果、ファラデー効果によって読み出す記録媒体である。
レーザー光等により局所的に昇温させ、外部磁界によっ
てこの部分の磁化方向を反転させることによって記録を
行い、これらの磁化方向の異なる記録ドメインをカー効
果、ファラデー効果によって読み出す記録媒体である。
【０００３】光磁気記録媒体は、記録密度を高くでき、
また、大容量磁気記録媒体であるハードディスクと異な
り、媒体交換が容易であるという特長がある。しかし、
通常の光磁気記録媒体では、一般に書き換えの際にオー
バーライトを利用することができず、記録情報を消去し
た後に新しい情報を記録する必要があるため、書き換え
が遅いという欠点があった。
また、大容量磁気記録媒体であるハードディスクと異な
り、媒体交換が容易であるという特長がある。しかし、
通常の光磁気記録媒体では、一般に書き換えの際にオー
バーライトを利用することができず、記録情報を消去し
た後に新しい情報を記録する必要があるため、書き換え
が遅いという欠点があった。
【０００４】これに対し、光強度変調によるダイレクト
・オーバーライト（以下、光変調オーバーライトともい
う）が可能な光磁気記録媒体が、たとえば特開昭６２−
１７５９４８号公報、特公平８−１６９９３号公報、同
８−１６９９６号公報などに記載されている。これらの
光磁気記録媒体は、駆動装置に初期化磁石を設けること
が必要である。一方、初期化磁石を必要とせずに光変調
オーバーライトが可能な光磁気記録媒体が、ＷＯ９０／
０２４００、特許第２５０３７０８、特開平６−１２７
１１号公報などに記載されている。
・オーバーライト（以下、光変調オーバーライトともい
う）が可能な光磁気記録媒体が、たとえば特開昭６２−
１７５９４８号公報、特公平８−１６９９３号公報、同
８−１６９９６号公報などに記載されている。これらの
光磁気記録媒体は、駆動装置に初期化磁石を設けること
が必要である。一方、初期化磁石を必要とせずに光変調
オーバーライトが可能な光磁気記録媒体が、ＷＯ９０／
０２４００、特許第２５０３７０８、特開平６−１２７
１１号公報などに記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光強
度変調によるダイレクト・オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体において、Ｃ／Ｎを向上させ、かつ記録保持
の安定化を図ることである。
度変調によるダイレクト・オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体において、Ｃ／Ｎを向上させ、かつ記録保持
の安定化を図ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（５）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層
体が、基体側から、読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ1、交
換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2の４層の磁性層をこの
順で含み、各磁性層がそれぞれ希土類元素と遷移元素と
を含有し、読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ1および記録層
Ｗ2が室温において垂直磁気異方性を有するものであ
り、隣接する磁性層が互いに交換力で結合されており、
メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録層Ｗ2のキュ
リー温度をＴｃW2としたとき、 ＴｃW2＞ＴｃM1 であり、 読み出し層Ｒ01の厚さをｔR01、メモリ層Ｍ1の厚さをｔ
M1としたとき、 ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）＝０．３〜０．６、 ｔR01＋ｔM1＝２０〜４０nm であり、読み出し層Ｒ01が、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主
成分とし、Ｇｄを２３〜２７原子％含有し、メモリ層Ｍ
1が、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成分とし、Ｔｂを２１
〜２５原子％含有し、交換力制御層Ｃ12が、Ｇｄ、Ｆｅ
およびＣｏを主成分とし、Ｇｄを２３〜３２原子％含有
し、厚さ３０nm以下であり、光強度変調方式によるダイ
レクト・オーバーライトが可能である光磁気記録媒体。 （２） 記録層Ｗ2が、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを主成分
とする上記（１）の光磁気記録媒体。 （３） 磁性積層体の厚さが８０nm以下である上記
（１）または（２）の光磁気記録媒体。 （４） 磁性積層体が、記録層Ｗ2の表面側にスイッチ
ング層Ｓ3と初期化層Ｉ4とをこの順で含み、スイッチン
グ層Ｓ3および初期化層Ｉ4がそれぞれ希土類元素と遷移
元素とを含有し、室温において垂直磁気異方性を有する
磁性層であり、磁性積層体中において隣接する磁性層が
互いに交換力で結合されており、メモリ層Ｍ1のキュリ
ー温度をＴｃM1、記録層Ｗ2のキュリー温度をＴｃW2、
スイッチング層Ｓ3のキュリー温度をＴｃS3、初期化層
Ｉ4のキュリー温度をＴｃI4としたとき、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1かつ ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃS3 である上記（１）または（２）の光磁気記録媒体。 （５） スイッチング層Ｓ3がＴｂおよびＦｅを主成分
とし、初期化層Ｉ4がＴｂおよびＣｏを主成分とする上
記（４）の光磁気記録媒体。
〜（５）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層
体が、基体側から、読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ1、交
換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2の４層の磁性層をこの
順で含み、各磁性層がそれぞれ希土類元素と遷移元素と
を含有し、読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ1および記録層
Ｗ2が室温において垂直磁気異方性を有するものであ
り、隣接する磁性層が互いに交換力で結合されており、
メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録層Ｗ2のキュ
リー温度をＴｃW2としたとき、 ＴｃW2＞ＴｃM1 であり、 読み出し層Ｒ01の厚さをｔR01、メモリ層Ｍ1の厚さをｔ
M1としたとき、 ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）＝０．３〜０．６、 ｔR01＋ｔM1＝２０〜４０nm であり、読み出し層Ｒ01が、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主
成分とし、Ｇｄを２３〜２７原子％含有し、メモリ層Ｍ
1が、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成分とし、Ｔｂを２１
〜２５原子％含有し、交換力制御層Ｃ12が、Ｇｄ、Ｆｅ
およびＣｏを主成分とし、Ｇｄを２３〜３２原子％含有
し、厚さ３０nm以下であり、光強度変調方式によるダイ
レクト・オーバーライトが可能である光磁気記録媒体。 （２） 記録層Ｗ2が、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを主成分
とする上記（１）の光磁気記録媒体。 （３） 磁性積層体の厚さが８０nm以下である上記
（１）または（２）の光磁気記録媒体。 （４） 磁性積層体が、記録層Ｗ2の表面側にスイッチ
ング層Ｓ3と初期化層Ｉ4とをこの順で含み、スイッチン
グ層Ｓ3および初期化層Ｉ4がそれぞれ希土類元素と遷移
元素とを含有し、室温において垂直磁気異方性を有する
磁性層であり、磁性積層体中において隣接する磁性層が
互いに交換力で結合されており、メモリ層Ｍ1のキュリ
ー温度をＴｃM1、記録層Ｗ2のキュリー温度をＴｃW2、
スイッチング層Ｓ3のキュリー温度をＴｃS3、初期化層
Ｉ4のキュリー温度をＴｃI4としたとき、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1かつ ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃS3 である上記（１）または（２）の光磁気記録媒体。 （５） スイッチング層Ｓ3がＴｂおよびＦｅを主成分
とし、初期化層Ｉ4がＴｂおよびＣｏを主成分とする上
記（４）の光磁気記録媒体。
【０００７】
【作用および効果】本発明では、読み出し層Ｒ01のＧｄ
含有量を上記範囲内とすることにより、カー効果を大き
くすることができ、キャリア信号を増大させることがで
きる。
含有量を上記範囲内とすることにより、カー効果を大き
くすることができ、キャリア信号を増大させることがで
きる。
【０００８】また、メモリ層Ｍ1のＴｂ含有量を上記範
囲内とすることにより、メモリ層Ｍ1を高保磁力化でき
るので、記録保持の安定化が実現する。
囲内とすることにより、メモリ層Ｍ1を高保磁力化でき
るので、記録保持の安定化が実現する。
【０００９】また、膜厚比ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）を上
記範囲内とすることにより、読み出し層Ｒ01とメモリ層
Ｍ1とが交換結合により一体化していると考えたときの
保磁力を高く保つことができるので、記録保持の安定化
が実現する。また、上記膜厚比を上記範囲内とすること
により、カー効果を十分に増強できるので、十分に高い
Ｃ／Ｎが得られる。
記範囲内とすることにより、読み出し層Ｒ01とメモリ層
Ｍ1とが交換結合により一体化していると考えたときの
保磁力を高く保つことができるので、記録保持の安定化
が実現する。また、上記膜厚比を上記範囲内とすること
により、カー効果を十分に増強できるので、十分に高い
Ｃ／Ｎが得られる。
【００１０】また、交換力制御層Ｃ12は、読み出し層Ｒ
01およびメモリ層Ｍ1と記録層Ｗ2との間の交換力を制御
するためのものであるが、読み出し層Ｒ01のＧｄ含有量
が上記範囲であり、メモリ層Ｍ1のＴｂ含有量が上記範
囲であり、ｔR01＋ｔM1が上記範囲である場合には、交
換力制御層Ｃ12の主成分をＧｄ、ＦｅおよびＣｏとし、
そのＧｄ含有量を上記範囲内とし、その厚さを上記範囲
内とすることにより、キャリア信号が増大すると共にノ
イズが減少し、結果として高いＣ／Ｎが得られる。
01およびメモリ層Ｍ1と記録層Ｗ2との間の交換力を制御
するためのものであるが、読み出し層Ｒ01のＧｄ含有量
が上記範囲であり、メモリ層Ｍ1のＴｂ含有量が上記範
囲であり、ｔR01＋ｔM1が上記範囲である場合には、交
換力制御層Ｃ12の主成分をＧｄ、ＦｅおよびＣｏとし、
そのＧｄ含有量を上記範囲内とし、その厚さを上記範囲
内とすることにより、キャリア信号が増大すると共にノ
イズが減少し、結果として高いＣ／Ｎが得られる。
【００１１】なお、特開平７−２９２３１号公報には、
再生層、メモリー層、交換結合力調整層およびライティ
ング層の少なくとも４層を含み、光変調オーバーライト
が可能な光磁気記録媒体が記載されている。同公報にお
ける再生層、メモリー層、交換結合力調整層およびライ
ティング層は、それぞれ本発明における読み出し層
Ｒ01、メモリ層Ｍ1、交換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2
に類似する磁性層であるが、同公報には、本発明で限定
する上記条件についての記載はない。
再生層、メモリー層、交換結合力調整層およびライティ
ング層の少なくとも４層を含み、光変調オーバーライト
が可能な光磁気記録媒体が記載されている。同公報にお
ける再生層、メモリー層、交換結合力調整層およびライ
ティング層は、それぞれ本発明における読み出し層
Ｒ01、メモリ層Ｍ1、交換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2
に類似する磁性層であるが、同公報には、本発明で限定
する上記条件についての記載はない。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、以下に説明する構成Ｉ
および構成IIからなる。
および構成IIからなる。
【００１３】構成I（図１、図３、図４） 図１に、構成Ｉの光磁気記録媒体の例を示す。この光磁
気記録媒体では、基体表面側に磁性積層体が設けられて
いる。この磁性積層体は、基体側から、読み出し層
Ｒ01、メモリ層Ｍ1、交換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2
の４層の磁性層をこの順で含む。磁性積層体の裏面側、
すなわち、基体と磁性積層体との間には第１誘電体層が
設けられ、磁性積層体の表面側には第２誘電体層が設け
られ、第２誘電体層の表面側には放熱層が設けられてい
る。
気記録媒体では、基体表面側に磁性積層体が設けられて
いる。この磁性積層体は、基体側から、読み出し層
Ｒ01、メモリ層Ｍ1、交換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2
の４層の磁性層をこの順で含む。磁性積層体の裏面側、
すなわち、基体と磁性積層体との間には第１誘電体層が
設けられ、磁性積層体の表面側には第２誘電体層が設け
られ、第２誘電体層の表面側には放熱層が設けられてい
る。
【００１４】図１に示す磁性積層体を構成する各磁性層
は、希土類元素と遷移元素とを含有する非晶質合金から
構成され、室温において垂直磁気異方性を有し、隣接す
る磁性層は、互いに交換力で結合されている。
は、希土類元素と遷移元素とを含有する非晶質合金から
構成され、室温において垂直磁気異方性を有し、隣接す
る磁性層は、互いに交換力で結合されている。
【００１５】次に説明する光変調オーバーライトを行う
ためには、メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録
層Ｗ2のキュリー温度をＴｃW2としたとき、 ＴｃW2＞ＴｃM1 であることが必要である。
ためには、メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録
層Ｗ2のキュリー温度をＴｃW2としたとき、 ＴｃW2＞ＴｃM1 であることが必要である。
【００１６】光変調オーバーライト 図１の構成を有する光磁気記録媒体を用いた光変調オー
バーライトについて、図３および図４を用いて説明す
る。両図には、説明をわかりやすくするためにメモリ層
Ｍ1および記録層Ｗ2だけを示してある。読み出し層Ｒ01
は、再生信号を増強するための磁性層であり、光変調オ
ーバーライトの作用そのものには影響を与えない。ま
た、交換力制御層Ｃ12は、メモリ層Ｍ1と記録層Ｗ2との
間で磁壁として働くため、やはり光変調オーバーライト
の作用そのものには影響を与えない。
バーライトについて、図３および図４を用いて説明す
る。両図には、説明をわかりやすくするためにメモリ層
Ｍ1および記録層Ｗ2だけを示してある。読み出し層Ｒ01
は、再生信号を増強するための磁性層であり、光変調オ
ーバーライトの作用そのものには影響を与えない。ま
た、交換力制御層Ｃ12は、メモリ層Ｍ1と記録層Ｗ2との
間で磁壁として働くため、やはり光変調オーバーライト
の作用そのものには影響を与えない。
【００１７】なお、両図では、 ＴｃW2＞ＴｃM1 となっている。
【００１８】各図において、記録層Ｍ1に上向きの磁化
をもつ磁区が記録されている状態を記録状態［０］と
し、下向きの磁化をもつ磁区が記録されている状態を記
録状態［１］とする。
をもつ磁区が記録されている状態を記録状態［０］と
し、下向きの磁化をもつ磁区が記録されている状態を記
録状態［１］とする。
【００１９】オーバーライトを行う媒体は、記録状態
［０］または記録状態［１］となっている。これにオー
バーライトを行って、当初の記録状態によらず記録状態
［１］とする場合の説明図が図３であり、当初の記録状
態によらず記録状態［０］とする場合の説明図が図４で
ある。
［０］または記録状態［１］となっている。これにオー
バーライトを行って、当初の記録状態によらず記録状態
［１］とする場合の説明図が図３であり、当初の記録状
態によらず記録状態［０］とする場合の説明図が図４で
ある。
【００２０】なお、各図において、白抜き矢印は磁性層
全体の磁化の向きを表し、黒矢印は磁性層中の遷移元素
副格子の磁化の向きを表す。この構成例では、メモリ層
Ｍ1および記録層Ｗ2のいずれも室温より高い補償温度は
もたないため、全体磁化の向きと遷移元素副格子の磁化
の向きとは常に一致している。
全体の磁化の向きを表し、黒矢印は磁性層中の遷移元素
副格子の磁化の向きを表す。この構成例では、メモリ層
Ｍ1および記録層Ｗ2のいずれも室温より高い補償温度は
もたないため、全体磁化の向きと遷移元素副格子の磁化
の向きとは常に一致している。
【００２１】図３では、まず、図中上向きの初期化磁界
Ｈｉを磁性積層体に印加して、記録層Ｗ2の磁化を図中
上向きとしておく。記録層Ｗ2は、メモリ層Ｍ1に対し室
温で相対的に保磁力が低いため、記録層Ｗ2の磁化の向
きだけが初期化磁界Ｈｉの向きに揃い、メモリ層Ｍ1の
磁化は影響を受けない。
Ｈｉを磁性積層体に印加して、記録層Ｗ2の磁化を図中
上向きとしておく。記録層Ｗ2は、メモリ層Ｍ1に対し室
温で相対的に保磁力が低いため、記録層Ｗ2の磁化の向
きだけが初期化磁界Ｈｉの向きに揃い、メモリ層Ｍ1の
磁化は影響を受けない。
【００２２】次に、レーザービームを照射し、照射領域
の磁性積層体の温度をＴｃW2以上まで上昇させて、メモ
リ層Ｍ1および記録層Ｗ2の磁化を消滅させる。レーザー
ビームが移動するにしたがって磁性積層体の温度は低下
し、温度がＴｃW2未満となると、図中下向きに印加され
ているバイアス磁界Ｈｂによって記録層Ｗ2が下向きに
磁化され、記録層Ｗ2の磁化は下向きとなる。なお、バ
イアス磁界Ｈｂは、オーバーライトの際には常に印加さ
れている。さらに温度が低下してＴｃM1未満となると、
メモリ層Ｍ1の磁化の向きは、記録層Ｗ2との間の交換結
合力によって下向きとなり、記録状態［１］となる。
の磁性積層体の温度をＴｃW2以上まで上昇させて、メモ
リ層Ｍ1および記録層Ｗ2の磁化を消滅させる。レーザー
ビームが移動するにしたがって磁性積層体の温度は低下
し、温度がＴｃW2未満となると、図中下向きに印加され
ているバイアス磁界Ｈｂによって記録層Ｗ2が下向きに
磁化され、記録層Ｗ2の磁化は下向きとなる。なお、バ
イアス磁界Ｈｂは、オーバーライトの際には常に印加さ
れている。さらに温度が低下してＴｃM1未満となると、
メモリ層Ｍ1の磁化の向きは、記録層Ｗ2との間の交換結
合力によって下向きとなり、記録状態［１］となる。
【００２３】図４においても、まず、図中上向きの初期
化磁界Ｈｉを磁性積層体に印加して、記録層Ｗ2の磁化
を図中上向きとしておく。次いで、図３よりも低パワー
のレーザービームを照射し、磁性積層体の温度をＴｃM1
以上ＴｃW2未満まで上昇させて、メモリ層Ｍ1の磁化を
消滅させる。次いで、磁性積層体の温度がＴｃM1未満と
なると、メモリ層Ｍ1の遷移元素副格子の磁化は記録層
Ｗ2との間の交換力によって上向きとなり、記録状態
［０］となる。図４においても図３と同様にバイアス磁
界Ｈｂは常に印加されているが、これはバイアス磁界Ｈ
ｂのオン・オフを避けるためであり、図４のオーバーラ
イト過程ではバイアス磁界Ｈｂは影響しない。
化磁界Ｈｉを磁性積層体に印加して、記録層Ｗ2の磁化
を図中上向きとしておく。次いで、図３よりも低パワー
のレーザービームを照射し、磁性積層体の温度をＴｃM1
以上ＴｃW2未満まで上昇させて、メモリ層Ｍ1の磁化を
消滅させる。次いで、磁性積層体の温度がＴｃM1未満と
なると、メモリ層Ｍ1の遷移元素副格子の磁化は記録層
Ｗ2との間の交換力によって上向きとなり、記録状態
［０］となる。図４においても図３と同様にバイアス磁
界Ｈｂは常に印加されているが、これはバイアス磁界Ｈ
ｂのオン・オフを避けるためであり、図４のオーバーラ
イト過程ではバイアス磁界Ｈｂは影響しない。
【００２４】オーバーライト後の記録層Ｗ2の磁化は、
図３の高パワー記録の場合には図中下向きであり、図４
の低パワー記録の場合には図中上向きであるが、いずれ
の場合でも次にオーバーライトを行う前に初期化磁界Ｈ
ｉを印加し、これにより記録層Ｗ2の遷移元素副格子の
磁化を上向きとするので、オーバーライト直前の記録層
Ｗ2の磁化の向きは、履歴に左右されないことになる。
したがって、初期化後、低パワーまたは高パワーのレー
ザービームを照射することにより、繰り返しオーバーラ
イトが可能となる。すなわち、光変調オーバーライトが
可能となる。
図３の高パワー記録の場合には図中下向きであり、図４
の低パワー記録の場合には図中上向きであるが、いずれ
の場合でも次にオーバーライトを行う前に初期化磁界Ｈ
ｉを印加し、これにより記録層Ｗ2の遷移元素副格子の
磁化を上向きとするので、オーバーライト直前の記録層
Ｗ2の磁化の向きは、履歴に左右されないことになる。
したがって、初期化後、低パワーまたは高パワーのレー
ザービームを照射することにより、繰り返しオーバーラ
イトが可能となる。すなわち、光変調オーバーライトが
可能となる。
【００２５】図３および図４からわかるように、各磁性
層の役割は次のようになる。メモリ層Ｍ1は、カー効果
を利用して再生される情報を保持する磁性層である。記
録層Ｗ2は、交換結合力によりメモリ層Ｍ1を磁化する役
割をもち、メモリ層Ｍ1の磁化方向を決定する磁性層で
ある。
層の役割は次のようになる。メモリ層Ｍ1は、カー効果
を利用して再生される情報を保持する磁性層である。記
録層Ｗ2は、交換結合力によりメモリ層Ｍ1を磁化する役
割をもち、メモリ層Ｍ1の磁化方向を決定する磁性層で
ある。
【００２６】なお、説明を簡単にするために、図３では
ＴｃW2以上まで磁性積層体を昇温させるとしたが、実際
には、記録層Ｗ2がバイアス磁界の方向に揃うことが可
能であれば、到達温度はＴｃW2未満であってよい。ま
た、図４ではＴｃM1以上ＴｃW2未満まで磁性積層体を昇
温させるとしたが、実際には、記録層Ｗ2の磁化がメモ
リ層Ｍ1に転写できれば、到達温度はＴｃM1未満であっ
てよい。
ＴｃW2以上まで磁性積層体を昇温させるとしたが、実際
には、記録層Ｗ2がバイアス磁界の方向に揃うことが可
能であれば、到達温度はＴｃW2未満であってよい。ま
た、図４ではＴｃM1以上ＴｃW2未満まで磁性積層体を昇
温させるとしたが、実際には、記録層Ｗ2の磁化がメモ
リ層Ｍ1に転写できれば、到達温度はＴｃM1未満であっ
てよい。
【００２７】磁性積層体 本発明では、上述した過程による光変調オーバーライト
が可能な光磁気記録媒体において、磁性積層体を以下の
ように構成する。
が可能な光磁気記録媒体において、磁性積層体を以下の
ように構成する。
【００２８】読み出し層Ｒ01 読み出し層Ｒ01は、メモリ層Ｍ1と交換力で結合されて
おり、Ｃ／Ｎを向上するために設けられる。
おり、Ｃ／Ｎを向上するために設けられる。
【００２９】読み出し層Ｒ01は、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏ
を主成分とする非晶質合金から構成される。読み出し層
Ｒ01のＧｄ含有率は、２３〜２７原子％、好ましくは２
４〜２６原子％である。Ｇｄ含有率が低すぎても高すぎ
ても、キュリー温度低下によりＣ／Ｎが低くなってしま
う。読み出し層Ｒ01における原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）］は、好ましくは０．６５〜０．７５、より好まし
くは０．６８〜０．７３である。この原子比が小さすぎ
ても大きすぎても、キュリー温度が低下してカー効果が
減少するため、Ｃ／Ｎが低くなってしまう。
を主成分とする非晶質合金から構成される。読み出し層
Ｒ01のＧｄ含有率は、２３〜２７原子％、好ましくは２
４〜２６原子％である。Ｇｄ含有率が低すぎても高すぎ
ても、キュリー温度低下によりＣ／Ｎが低くなってしま
う。読み出し層Ｒ01における原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）］は、好ましくは０．６５〜０．７５、より好まし
くは０．６８〜０．７３である。この原子比が小さすぎ
ても大きすぎても、キュリー温度が低下してカー効果が
減少するため、Ｃ／Ｎが低くなってしまう。
【００３０】読み出し層Ｒ01の厚さは、以下のようにし
て決定する。読み出し層Ｒ01の厚さをｔR01、メモリ層
Ｍ1の厚さをｔM1とすると、 ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）＝０．３〜０．６、かつ ｔR01＋ｔM1＝２０〜４０nm である。ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）が小さすぎると、カー
効果の減少によりＣ／Ｎが低くなってしまい、ｔR01／
（ｔR01＋ｔM1）が大きすぎると、読み出し層Ｒ01とメ
モリ層Ｍ1とを合わせた全体の保磁力が低くなって、記
録保持が不安定となる。ｔR01＋ｔM1が小さすぎると、
カー効果の減少によりＣ／Ｎが低くなり、ｔR 01＋ｔM1
が大きすぎると、記録層からの転写が不十分となり、オ
ーバーライト後のＣ／Ｎが低くなる。
て決定する。読み出し層Ｒ01の厚さをｔR01、メモリ層
Ｍ1の厚さをｔM1とすると、 ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）＝０．３〜０．６、かつ ｔR01＋ｔM1＝２０〜４０nm である。ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）が小さすぎると、カー
効果の減少によりＣ／Ｎが低くなってしまい、ｔR01／
（ｔR01＋ｔM1）が大きすぎると、読み出し層Ｒ01とメ
モリ層Ｍ1とを合わせた全体の保磁力が低くなって、記
録保持が不安定となる。ｔR01＋ｔM1が小さすぎると、
カー効果の減少によりＣ／Ｎが低くなり、ｔR 01＋ｔM1
が大きすぎると、記録層からの転写が不十分となり、オ
ーバーライト後のＣ／Ｎが低くなる。
【００３１】メモリ層Ｍ1 メモリ層Ｍ1は、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成分とす
る。メモリ層Ｍ1のＴｂ含有率は、２１〜２５原子％、
好ましくは２１〜２３原子％である。Ｔｂ含有率が低す
ぎても高すぎても、保磁力およびキュリー温度が低くな
りすぎる。メモリ層Ｍ1における原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ
＋Ｃｏ）］は、好ましくは０．８５〜０．９５、より好
ましくは０．８８〜０．９２である。この原子比が小さ
すぎるとキュリー温度が高くなりすぎ、この原子比が大
きすぎるとキュリー温度が低くなりすぎる。
る。メモリ層Ｍ1のＴｂ含有率は、２１〜２５原子％、
好ましくは２１〜２３原子％である。Ｔｂ含有率が低す
ぎても高すぎても、保磁力およびキュリー温度が低くな
りすぎる。メモリ層Ｍ1における原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ
＋Ｃｏ）］は、好ましくは０．８５〜０．９５、より好
ましくは０．８８〜０．９２である。この原子比が小さ
すぎるとキュリー温度が高くなりすぎ、この原子比が大
きすぎるとキュリー温度が低くなりすぎる。
【００３２】メモリ層Ｍ1の厚さは、上述したように、
読み出し層Ｒ01の厚さとの関係において決定される。
読み出し層Ｒ01の厚さとの関係において決定される。
【００３３】メモリ層Ｍ1は、非磁性元素を含有するこ
とが好ましい。非磁性元素の添加により出力が向上する
ので、Ｃ／Ｎを向上させることができる。非磁性元素の
種類は特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ａｌ等から選択される少なく
とも１種が好ましいが、耐食性向上とコストの点から、
少なくともＣｒを含むことが好ましく、Ｃｒだけを用い
ることがより好ましい。
とが好ましい。非磁性元素の添加により出力が向上する
ので、Ｃ／Ｎを向上させることができる。非磁性元素の
種類は特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ａｌ等から選択される少なく
とも１種が好ましいが、耐食性向上とコストの点から、
少なくともＣｒを含むことが好ましく、Ｃｒだけを用い
ることがより好ましい。
【００３４】交換力制御層Ｃ12 交換力制御層Ｃ12は、メモリ層Ｍ1と記録層Ｗ2との間の
交換力を制御するために設けられ、この効果をもつもの
であれば構成は特に限定されないが、例えば次に挙げる
ものが好ましい。
交換力を制御するために設けられ、この効果をもつもの
であれば構成は特に限定されないが、例えば次に挙げる
ものが好ましい。
【００３５】（１）Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主成分と
し、室温において磁化容易軸が面内方向を向いており、
１００℃以上かつ交換力制御層Ｃ12のキュリー温度まで
の範囲に、磁化容易軸が垂直を向く温度が存在するも
の、（２）Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主成分とし、磁化容
易軸が面内方向を向いているもの
し、室温において磁化容易軸が面内方向を向いており、
１００℃以上かつ交換力制御層Ｃ12のキュリー温度まで
の範囲に、磁化容易軸が垂直を向く温度が存在するも
の、（２）Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主成分とし、磁化容
易軸が面内方向を向いているもの
【００３６】これらのうちでは、特に（１）が好まし
い。（１）の交換力制御層Ｃ12は、その補償温度付近に
おいて磁化容易軸の向きが変わる。図３および図４にお
いて、記録層Ｗ2からメモリ層Ｍ1に交換力によって磁化
が転写される際には、交換力制御層Ｃ12の磁化容易軸は
垂直方向を向いているため、磁化の転写が容易に行われ
る。一方、記録状態［１］のものに初期化磁界Ｈｉを印
加して記録層Ｗ2の磁化を反転させる作業は室温で行わ
れ、このとき交換力制御層Ｃ12の磁化容易軸は面内方向
を向いているため、メモリ層Ｍ1と記録層Ｗ2との間の交
換力を遮断することができ、初期化磁界Ｈｉの印加に伴
うメモリ層Ｍ1の磁化状態の変化を効果的に防ぐことが
できる。
い。（１）の交換力制御層Ｃ12は、その補償温度付近に
おいて磁化容易軸の向きが変わる。図３および図４にお
いて、記録層Ｗ2からメモリ層Ｍ1に交換力によって磁化
が転写される際には、交換力制御層Ｃ12の磁化容易軸は
垂直方向を向いているため、磁化の転写が容易に行われ
る。一方、記録状態［１］のものに初期化磁界Ｈｉを印
加して記録層Ｗ2の磁化を反転させる作業は室温で行わ
れ、このとき交換力制御層Ｃ12の磁化容易軸は面内方向
を向いているため、メモリ層Ｍ1と記録層Ｗ2との間の交
換力を遮断することができ、初期化磁界Ｈｉの印加に伴
うメモリ層Ｍ1の磁化状態の変化を効果的に防ぐことが
できる。
【００３７】また、上記（２）の交換力制御層Ｃ12は、
基本的に記録層Ｗ2とメモリ層Ｍ1との間の交換力を減少
させる効果をもつ。したがって、このような交換力制御
層Ｃ12を設けることにより、記録層Ｗ2の磁化を反転さ
せる（初期化する）際にメモリ層Ｍ1への影響を防ぐこ
とができる。
基本的に記録層Ｗ2とメモリ層Ｍ1との間の交換力を減少
させる効果をもつ。したがって、このような交換力制御
層Ｃ12を設けることにより、記録層Ｗ2の磁化を反転さ
せる（初期化する）際にメモリ層Ｍ1への影響を防ぐこ
とができる。
【００３８】交換力制御層Ｃ12は、Ｇｄ、ＦｅおよびＣ
ｏを主成分とすることが好ましく、Ｇｄ含有率が、２３
〜３２原子％、特に２４〜３０原子％であることが好ま
しい。Ｇｄ含有率がこの範囲であれば、オーバーライト
を繰り返したときにも高Ｃ／Ｎが得られる。また、上記
（１）の場合においてＧｄ含有率が低すぎると、磁化容
易軸が垂直を向いたときに他の磁性層との間の交換力が
強くなりすぎてオーバーライトが困難になる。一方、上
記（１）の場合にＧｄ含有率が高すぎると、磁化容易軸
が垂直を向いたときに他の磁性層との間の交換力が弱く
なりすぎて好ましくない。また、上記（１）の場合の原
子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］は、好ましくは０．４０
〜０．８０、より好ましくは０．５０〜０．６０であ
る。この原子比が小さすぎると、磁化容易軸が垂直を向
いたときの交換力が低くなりすぎ、この原子比が大きす
ぎると、キュリー温度が低くなりすぎる。
ｏを主成分とすることが好ましく、Ｇｄ含有率が、２３
〜３２原子％、特に２４〜３０原子％であることが好ま
しい。Ｇｄ含有率がこの範囲であれば、オーバーライト
を繰り返したときにも高Ｃ／Ｎが得られる。また、上記
（１）の場合においてＧｄ含有率が低すぎると、磁化容
易軸が垂直を向いたときに他の磁性層との間の交換力が
強くなりすぎてオーバーライトが困難になる。一方、上
記（１）の場合にＧｄ含有率が高すぎると、磁化容易軸
が垂直を向いたときに他の磁性層との間の交換力が弱く
なりすぎて好ましくない。また、上記（１）の場合の原
子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］は、好ましくは０．４０
〜０．８０、より好ましくは０．５０〜０．６０であ
る。この原子比が小さすぎると、磁化容易軸が垂直を向
いたときの交換力が低くなりすぎ、この原子比が大きす
ぎると、キュリー温度が低くなりすぎる。
【００３９】交換力制御層Ｃ12の厚さは、３０nm以下、
好ましくは５〜３０nm、より好ましくは８〜２０nmであ
る。交換力制御層Ｃ12が薄すぎると、上述した作用によ
る交換力の制御が難しくなり、厚すぎると、他の磁性層
との間の交換力が弱くなりすぎる。
好ましくは５〜３０nm、より好ましくは８〜２０nmであ
る。交換力制御層Ｃ12が薄すぎると、上述した作用によ
る交換力の制御が難しくなり、厚すぎると、他の磁性層
との間の交換力が弱くなりすぎる。
【００４０】記録層Ｗ2 記録層Ｗ2は、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを主成分とする。
記録層Ｗ2の希土類元素の含有率は、好ましくは２９〜
３５原子％、より好ましくは３０〜３３原子％である。
希土類元素の含有率が低すぎると、記録層Ｗ2の初期化
が困難になるため、オーバーライトによりＣ／Ｎが著し
く低くなってしまう。一方、希土類元素の含有率が高す
ぎると、Ｃ／Ｎが著しく低くなり、オーバーライトによ
りさらにＣ／Ｎが低下する。
記録層Ｗ2の希土類元素の含有率は、好ましくは２９〜
３５原子％、より好ましくは３０〜３３原子％である。
希土類元素の含有率が低すぎると、記録層Ｗ2の初期化
が困難になるため、オーバーライトによりＣ／Ｎが著し
く低くなってしまう。一方、希土類元素の含有率が高す
ぎると、Ｃ／Ｎが著しく低くなり、オーバーライトによ
りさらにＣ／Ｎが低下する。
【００４１】記録層Ｗ2における原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ
＋Ｃｏ）］は、０．４０〜０．５８、好ましくは０．４
５〜０．５５である。この原子比が小さすぎると、Ｃ／
Ｎが低くなり、この原子比が大きすぎると、オーバーラ
イトによりＣ／Ｎが著しく低下してしまう。
＋Ｃｏ）］は、０．４０〜０．５８、好ましくは０．４
５〜０．５５である。この原子比が小さすぎると、Ｃ／
Ｎが低くなり、この原子比が大きすぎると、オーバーラ
イトによりＣ／Ｎが著しく低下してしまう。
【００４２】記録層Ｗ2は、室温より高く、メモリ層Ｍ1
へ磁化が転写される温度より低い温度域に補償温度をも
つことが好ましい。記録層Ｗ2の補償温度は、好ましく
は１００〜１６０℃である。
へ磁化が転写される温度より低い温度域に補償温度をも
つことが好ましい。記録層Ｗ2の補償温度は、好ましく
は１００〜１６０℃である。
【００４３】記録層Ｗ2の厚さは、好ましくは１５nm以
上、より好ましくは２０nm以上である。記録層Ｗ2が薄
すぎると、メモリ層Ｍ1との間の交換力が大きくなりす
ぎてオーバーライトが困難になる。一方、記録層Ｗ2が
厚くても特に問題は生じないが、製造コストを抑える点
からは、記録層Ｗ2の厚さは６０nm以下、特に５０nm以
下とすることが好ましい。
上、より好ましくは２０nm以上である。記録層Ｗ2が薄
すぎると、メモリ層Ｍ1との間の交換力が大きくなりす
ぎてオーバーライトが困難になる。一方、記録層Ｗ2が
厚くても特に問題は生じないが、製造コストを抑える点
からは、記録層Ｗ2の厚さは６０nm以下、特に５０nm以
下とすることが好ましい。
【００４４】構成Ｉにおいて、４層の磁性層からなる磁
性積層体の厚さは８０nmを超えないことが好ましい。磁
性積層体の厚さが８０nmを超えると、高い記録感度を得
ることが難しくなる。
性積層体の厚さは８０nmを超えないことが好ましい。磁
性積層体の厚さが８０nmを超えると、高い記録感度を得
ることが難しくなる。
【００４５】構成II（図２、図５、図６） 図２の光磁気記録媒体は、記録層Ｗ2の表面側にスイッ
チング層Ｓ3と初期化層Ｉ4とをこの順で有するほかは図
１に示す光磁気記録媒体と同様な構成である。スイッチ
ング層Ｓ3および初期化層Ｉ4は、それぞれ希土類元素と
遷移元素とを含有する非晶質合金から構成され、室温に
おいて垂直磁気異方性を有する磁性層である。図２にお
いても、隣接する磁性層は互いに交換力で結合されてい
る。
チング層Ｓ3と初期化層Ｉ4とをこの順で有するほかは図
１に示す光磁気記録媒体と同様な構成である。スイッチ
ング層Ｓ3および初期化層Ｉ4は、それぞれ希土類元素と
遷移元素とを含有する非晶質合金から構成され、室温に
おいて垂直磁気異方性を有する磁性層である。図２にお
いても、隣接する磁性層は互いに交換力で結合されてい
る。
【００４６】次に説明する光変調オーバーライトを行う
ためには、メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録
層Ｗ2のキュリー温度をＴｃW2、スイッチング層Ｓ3のキ
ュリー温度をＴｃS3、初期化層Ｉ4のキュリー温度をＴ
ｃI4としたとき、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1かつ ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃS3 であることが必要であり、さらに、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1＞ＴｃS3 であることが好ましい。
ためには、メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録
層Ｗ2のキュリー温度をＴｃW2、スイッチング層Ｓ3のキ
ュリー温度をＴｃS3、初期化層Ｉ4のキュリー温度をＴ
ｃI4としたとき、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1かつ ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃS3 であることが必要であり、さらに、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1＞ＴｃS3 であることが好ましい。
【００４７】光変調オーバーライト 図２の構成を有する光磁気記録媒体を用いた光変調オー
バーライトについて、図５〜図６を用いて説明する。な
お、両図では、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1＞ＴｃS3 となっている。
バーライトについて、図５〜図６を用いて説明する。な
お、両図では、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1＞ＴｃS3 となっている。
【００４８】各図において、記録層Ｍ1に上向きの磁化
をもつ磁区が記録されている状態を記録状態［０］と
し、下向きの磁化をもつ磁区が記録されている状態を記
録状態［１］とする。
をもつ磁区が記録されている状態を記録状態［０］と
し、下向きの磁化をもつ磁区が記録されている状態を記
録状態［１］とする。
【００４９】オーバーライトを行う媒体は、記録状態
［０］または記録状態［１］となっている。これにオー
バーライトを行って、当初の記録状態によらず記録状態
［１］とする場合の説明図が図５であり、当初の記録状
態によらず記録状態［０］とする場合の説明図が図６で
ある。
［０］または記録状態［１］となっている。これにオー
バーライトを行って、当初の記録状態によらず記録状態
［１］とする場合の説明図が図５であり、当初の記録状
態によらず記録状態［０］とする場合の説明図が図６で
ある。
【００５０】図示例では、記録層Ｗ2は室温より高い補
償温度を有するため、記録状態［０］および記録状態
［１］のときには全体磁化の向きと遷移元素副格子の磁
化の向きとが逆になっている。一方、他の磁性層は、図
示例では補償温度をもたないか、補償温度が室温未満で
あるものとしているので、両矢印の向きが一致してい
る。
償温度を有するため、記録状態［０］および記録状態
［１］のときには全体磁化の向きと遷移元素副格子の磁
化の向きとが逆になっている。一方、他の磁性層は、図
示例では補償温度をもたないか、補償温度が室温未満で
あるものとしているので、両矢印の向きが一致してい
る。
【００５１】図５では、まず、レーザービームを照射
し、照射領域の磁性積層体の温度をＴｃW2以上ＴｃI4未
満まで上昇させて、初期化層Ｉ4以外の磁性層の磁化を
消滅させる。レーザービームが移動するにしたがって磁
性積層体の温度は低下し、温度がＴｃW2未満かつ記録層
Ｗ2の補償温度より高い状態となると、図中下向きに印
加されているバイアス磁界Ｈｂによって記録層Ｗ2が下
向きに磁化され、記録層Ｗ2の遷移元素副格子の磁化は
下向きとなる。なお、バイアス磁界Ｈｂは、オーバーラ
イトの際には常に印加されている。さらに温度が低下し
てＴｃM1未満かつ記録層Ｗ2の補償温度より高い状態と
なると、メモリ層Ｍ1の遷移元素副格子の磁化の向き
は、記録層Ｗ2との間の交換結合力によって下向きとな
り、記録状態［１］となる。さらに温度が低下してＴｃ
S3未満かつ記録層Ｗ2の補償温度未満となると、スイッ
チング層Ｓ3に磁化が生じ、初期化層Ｉ4との間の交換結
合力によりスイッチング層Ｓ3の遷移元素副格子の磁化
は上向きとなり、さらに、記録層Ｗ2の遷移元素副格子
の磁化は、スイッチング層Ｓ3との間の交換結合力によ
り反転して上向きとなる。このときメモリ層Ｍ1の磁化
が反転しないように、この温度域ではメモリ層Ｍ1の保
磁力が記録層Ｗ2との間の交換結合力よりも支配的とな
るように、各磁性層の特性を設定しておく。また、この
とき、スイッチング層Ｓ3において交換結合力がバイア
ス磁界の影響を上回るように、各磁性層の特性を設定し
ておく。
し、照射領域の磁性積層体の温度をＴｃW2以上ＴｃI4未
満まで上昇させて、初期化層Ｉ4以外の磁性層の磁化を
消滅させる。レーザービームが移動するにしたがって磁
性積層体の温度は低下し、温度がＴｃW2未満かつ記録層
Ｗ2の補償温度より高い状態となると、図中下向きに印
加されているバイアス磁界Ｈｂによって記録層Ｗ2が下
向きに磁化され、記録層Ｗ2の遷移元素副格子の磁化は
下向きとなる。なお、バイアス磁界Ｈｂは、オーバーラ
イトの際には常に印加されている。さらに温度が低下し
てＴｃM1未満かつ記録層Ｗ2の補償温度より高い状態と
なると、メモリ層Ｍ1の遷移元素副格子の磁化の向き
は、記録層Ｗ2との間の交換結合力によって下向きとな
り、記録状態［１］となる。さらに温度が低下してＴｃ
S3未満かつ記録層Ｗ2の補償温度未満となると、スイッ
チング層Ｓ3に磁化が生じ、初期化層Ｉ4との間の交換結
合力によりスイッチング層Ｓ3の遷移元素副格子の磁化
は上向きとなり、さらに、記録層Ｗ2の遷移元素副格子
の磁化は、スイッチング層Ｓ3との間の交換結合力によ
り反転して上向きとなる。このときメモリ層Ｍ1の磁化
が反転しないように、この温度域ではメモリ層Ｍ1の保
磁力が記録層Ｗ2との間の交換結合力よりも支配的とな
るように、各磁性層の特性を設定しておく。また、この
とき、スイッチング層Ｓ3において交換結合力がバイア
ス磁界の影響を上回るように、各磁性層の特性を設定し
ておく。
【００５２】図６では、図５よりも低パワーのレーザー
ビームを照射し、磁性積層体の温度をＴｃM1以上ＴｃW2
未満まで上昇させて、メモリ層Ｍ1の磁化とスイッチン
グ層Ｓ3の磁化とを消滅させる。次いで、磁性積層体の
温度がＴｃM1未満となると、メモリ層Ｍ1の遷移元素副
格子の磁化は記録層Ｗ2との間の交換力によって上向き
となり、記録状態［０］となる。さらに温度が低下して
ＴｃS3未満となると、スイッチング層Ｓ3に磁化が生
じ、初期化層Ｉ4との間の交換結合力および記録層Ｗ2と
の間の交換結合力により、スイッチング層Ｓ3には遷移
元素副格子の上向きの磁化が生じる。図６においても図
５と同様にバイアス磁界Ｈｂは常に印加されているが、
図６のオーバーライト過程ではバイアス磁界は影響しな
い。
ビームを照射し、磁性積層体の温度をＴｃM1以上ＴｃW2
未満まで上昇させて、メモリ層Ｍ1の磁化とスイッチン
グ層Ｓ3の磁化とを消滅させる。次いで、磁性積層体の
温度がＴｃM1未満となると、メモリ層Ｍ1の遷移元素副
格子の磁化は記録層Ｗ2との間の交換力によって上向き
となり、記録状態［０］となる。さらに温度が低下して
ＴｃS3未満となると、スイッチング層Ｓ3に磁化が生
じ、初期化層Ｉ4との間の交換結合力および記録層Ｗ2と
の間の交換結合力により、スイッチング層Ｓ3には遷移
元素副格子の上向きの磁化が生じる。図６においても図
５と同様にバイアス磁界Ｈｂは常に印加されているが、
図６のオーバーライト過程ではバイアス磁界は影響しな
い。
【００５３】図５の高パワー記録の場合でも、図６の低
パワー記録の場合でも、記録層Ｗ2、スイッチング層Ｓ3
および初期化層Ｉ4それぞれの遷移元素副格子の磁化は
いずれも上向きとなり、オーバーライト前の状態に復帰
することになる。すなわち、記録状態を決定するメモリ
層Ｍ1を除く記録層Ｗ2、スイッチング層Ｓ3および初期
化層Ｉ4の磁化の向きは、履歴（オーバーライト）に左
右されないことになる。したがって、低パワーまたは高
パワーのレーザービームを照射することにより、繰り返
しオーバーライトが可能となる。すなわち、光変調オー
バーライトが可能となる。
パワー記録の場合でも、記録層Ｗ2、スイッチング層Ｓ3
および初期化層Ｉ4それぞれの遷移元素副格子の磁化は
いずれも上向きとなり、オーバーライト前の状態に復帰
することになる。すなわち、記録状態を決定するメモリ
層Ｍ1を除く記録層Ｗ2、スイッチング層Ｓ3および初期
化層Ｉ4の磁化の向きは、履歴（オーバーライト）に左
右されないことになる。したがって、低パワーまたは高
パワーのレーザービームを照射することにより、繰り返
しオーバーライトが可能となる。すなわち、光変調オー
バーライトが可能となる。
【００５４】図５および図６からわかるように、各磁性
層の役割は次のようになる。メモリ層Ｍ1は、カー効果
を利用して再生される情報を保持する磁性層である。記
録層Ｗ2は、交換結合力によりメモリ層Ｍ1を磁化する役
割をもち、メモリ層Ｍ1の磁化方向を決定する磁性層で
ある。スイッチング層Ｓ3は、高パワー記録時に、記録
層Ｗ2と初期化層Ｉ4との間の磁気的結合を遮断するため
に設けられる磁性層である。スイッチング層Ｓ3が高パ
ワー記録時に非磁性化することにより、記録層Ｗ2が初
期化層Ｉ4の影響を受けずにバイアス磁界方向に磁化さ
れることになる。初期化層Ｉ4は、常に一方向の磁化を
もち、記録層Ｗ2を初期化するための磁性層である。
層の役割は次のようになる。メモリ層Ｍ1は、カー効果
を利用して再生される情報を保持する磁性層である。記
録層Ｗ2は、交換結合力によりメモリ層Ｍ1を磁化する役
割をもち、メモリ層Ｍ1の磁化方向を決定する磁性層で
ある。スイッチング層Ｓ3は、高パワー記録時に、記録
層Ｗ2と初期化層Ｉ4との間の磁気的結合を遮断するため
に設けられる磁性層である。スイッチング層Ｓ3が高パ
ワー記録時に非磁性化することにより、記録層Ｗ2が初
期化層Ｉ4の影響を受けずにバイアス磁界方向に磁化さ
れることになる。初期化層Ｉ4は、常に一方向の磁化を
もち、記録層Ｗ2を初期化するための磁性層である。
【００５５】なお、説明を簡単にするために、図５では
ＴｃW2以上ＴｃI4未満まで磁性積層体を昇温させるとし
たが、実際には、記録層Ｗ2がバイアス磁界の方向に揃
うことが可能であれば、到達温度はＴｃW2未満であって
よい。また、図６ではＴｃM1以上ＴｃW2未満まで磁性積
層体を昇温させるとしたが、実際には、記録層Ｗ2の磁
化がメモリ層Ｍ1に転写できれば、到達温度はＴｃM1未
満であってよい。
ＴｃW2以上ＴｃI4未満まで磁性積層体を昇温させるとし
たが、実際には、記録層Ｗ2がバイアス磁界の方向に揃
うことが可能であれば、到達温度はＴｃW2未満であって
よい。また、図６ではＴｃM1以上ＴｃW2未満まで磁性積
層体を昇温させるとしたが、実際には、記録層Ｗ2の磁
化がメモリ層Ｍ1に転写できれば、到達温度はＴｃM1未
満であってよい。
【００５６】また、図５および図６では、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1＞ＴｃS3 としてあるが、上述したようにＴｃM1とＴｃS3との高低
は限定されない。すなわち、図５および図６と異なりＴ
ｃS3＞ＴｃM1であってもよい。この場合、記録層Ｗ2の
磁化がメモリ層Ｍ1に転写されるまでの間、スイッチン
グ層Ｓ3と記録層Ｗ2との間の交換力が小さければ、スイ
ッチング層Ｓ3に磁化が生じていても記録層Ｗ2の磁化は
反転しないので問題は生じない。そして、スイッチング
層Ｓ3が室温付近に補償温度をもつ組成（補償温度組
成）であれば、さらに温度が下がったときにスイッチン
グ層Ｓ3の交換エネルギーが増大するので、スイッチン
グ層Ｓ3との間の交換力により記録層Ｗ2の磁化が反転し
（初期化され）、図５および図６と同様に履歴に左右さ
れないオーバーライトが可能となる。
は限定されない。すなわち、図５および図６と異なりＴ
ｃS3＞ＴｃM1であってもよい。この場合、記録層Ｗ2の
磁化がメモリ層Ｍ1に転写されるまでの間、スイッチン
グ層Ｓ3と記録層Ｗ2との間の交換力が小さければ、スイ
ッチング層Ｓ3に磁化が生じていても記録層Ｗ2の磁化は
反転しないので問題は生じない。そして、スイッチング
層Ｓ3が室温付近に補償温度をもつ組成（補償温度組
成）であれば、さらに温度が下がったときにスイッチン
グ層Ｓ3の交換エネルギーが増大するので、スイッチン
グ層Ｓ3との間の交換力により記録層Ｗ2の磁化が反転し
（初期化され）、図５および図６と同様に履歴に左右さ
れないオーバーライトが可能となる。
【００５７】磁性積層体 読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ1、交換力制御層Ｃ12 これらの磁性層は、上述した構成Ｉと同様な構成とす
る。
る。
【００５８】なお、交換力制御層Ｃ12が前記（１）の性
質をもつ場合、図５および図６において記録層Ｗ2から
メモリ層Ｍ1に交換力によって磁化が転写される際に、
交換力制御層Ｃ12の磁化容易軸は垂直方向を向いている
ため、磁化の転写が容易に行われる。次いで、スイッチ
ング層Ｓ3を介して初期化層Ｉ4により記録層Ｗ2の磁化
を反転させる（初期化する）際には、交換力制御層Ｃ12
の磁化容易軸は面内方向を向いているため、メモリ層Ｍ
1と記録層Ｗ2との間の交換力を遮断することができ、メ
モリ層Ｍ1の磁化状態の変化を防ぐことができる。
質をもつ場合、図５および図６において記録層Ｗ2から
メモリ層Ｍ1に交換力によって磁化が転写される際に、
交換力制御層Ｃ12の磁化容易軸は垂直方向を向いている
ため、磁化の転写が容易に行われる。次いで、スイッチ
ング層Ｓ3を介して初期化層Ｉ4により記録層Ｗ2の磁化
を反転させる（初期化する）際には、交換力制御層Ｃ12
の磁化容易軸は面内方向を向いているため、メモリ層Ｍ
1と記録層Ｗ2との間の交換力を遮断することができ、メ
モリ層Ｍ1の磁化状態の変化を防ぐことができる。
【００５９】記録層Ｗ2 構成IIにおける記録層Ｗ2は、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを
主成分とし、希土類元素の含有率が、好ましくは２９〜
３５原子％、より好ましくは３０〜３３原子％である。
希土類元素の含有率が低すぎると、高パワー記録の際に
記録層Ｗ2の初期化が困難になるため、オーバーライト
によりＣ／Ｎが著しく低くなってしまう。一方、希土類
元素の含有率が高すぎると、記録層Ｗ2が補償温度をも
たなくなるため、Ｃ／Ｎが著しく低くなり、オーバーラ
イトによりさらにＣ／Ｎが低下する。
主成分とし、希土類元素の含有率が、好ましくは２９〜
３５原子％、より好ましくは３０〜３３原子％である。
希土類元素の含有率が低すぎると、高パワー記録の際に
記録層Ｗ2の初期化が困難になるため、オーバーライト
によりＣ／Ｎが著しく低くなってしまう。一方、希土類
元素の含有率が高すぎると、記録層Ｗ2が補償温度をも
たなくなるため、Ｃ／Ｎが著しく低くなり、オーバーラ
イトによりさらにＣ／Ｎが低下する。
【００６０】記録層Ｗ2における原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ
＋Ｃｏ）］は、好ましくは０．４０〜０．５８、より好
ましくは０．４５〜０．５５である。この原子比が小さ
すぎると、Ｃ／Ｎが低くなり、この原子比が大きすぎる
と、オーバーライトによりＣ／Ｎが著しく低下してしま
う。
＋Ｃｏ）］は、好ましくは０．４０〜０．５８、より好
ましくは０．４５〜０．５５である。この原子比が小さ
すぎると、Ｃ／Ｎが低くなり、この原子比が大きすぎる
と、オーバーライトによりＣ／Ｎが著しく低下してしま
う。
【００６１】構成IIにおける記録層Ｗ2は、室温より高
く、メモリ層Ｍ1へ磁化が転写される温度より低い温度
域に補償温度をもつことが好ましい。記録層Ｗ2の補償
温度は、好ましくは１００〜１６０℃である。
く、メモリ層Ｍ1へ磁化が転写される温度より低い温度
域に補償温度をもつことが好ましい。記録層Ｗ2の補償
温度は、好ましくは１００〜１６０℃である。
【００６２】上記した以外は、構成Ｉにおける記録層Ｗ
2と同様である。
2と同様である。
【００６３】スイッチング層Ｓ3 スイッチング層Ｓ3は、ＴｂおよびＦｅを主成分とす
る。スイッチング層Ｓ3のＴｂの含有率は、好ましくは
２３〜２９原子％、より好ましくは２４〜２７原子％で
ある。Ｔｂ含有率が低すぎても高すぎても、キュリー温
度の低下と飽和磁化の上昇とにより交換結合が弱くなっ
てしまう。
る。スイッチング層Ｓ3のＴｂの含有率は、好ましくは
２３〜２９原子％、より好ましくは２４〜２７原子％で
ある。Ｔｂ含有率が低すぎても高すぎても、キュリー温
度の低下と飽和磁化の上昇とにより交換結合が弱くなっ
てしまう。
【００６４】スイッチング層Ｓ3の厚さは、好ましくは
５〜１５nm、より好ましくは８〜１２nmである。スイッ
チング層Ｓ3が薄すぎると、記録層Ｗ2と初期化層Ｉ4と
の間の交換力の遮断が不十分になる。スイッチング層Ｓ
3が厚すぎると、記録層Ｗ2との間の交換力および初期化
層Ｉ4との間の交換力が小さくなりすぎて、記録層Ｗ2の
初期化が困難になる。
５〜１５nm、より好ましくは８〜１２nmである。スイッ
チング層Ｓ3が薄すぎると、記録層Ｗ2と初期化層Ｉ4と
の間の交換力の遮断が不十分になる。スイッチング層Ｓ
3が厚すぎると、記録層Ｗ2との間の交換力および初期化
層Ｉ4との間の交換力が小さくなりすぎて、記録層Ｗ2の
初期化が困難になる。
【００６５】初期化層Ｉ4 初期化層Ｉ4は、ＴｂおよびＣｏを主成分とする。初期
化層Ｉ4のＴｂ含有率は、好ましくは２１〜２８原子
％、より好ましくは２３〜２７原子％である。
化層Ｉ4のＴｂ含有率は、好ましくは２１〜２８原子
％、より好ましくは２３〜２７原子％である。
【００６６】初期化層Ｉ4の厚さは、好ましくは１５〜
５０nm、より好ましくは１８〜４５nmである。初期化層
Ｉ4が薄すぎると、記録層Ｗ2との間の交換力が大きくな
りすぎてスピンが反転しやすくなり、初期化層Ｉ4の磁
化を一方向に保つことが難しくなる。初期化層Ｉ4が厚
くても特に問題はないが、成膜コストが高くなるため、
５０nmを超える厚さとする必要はない。
５０nm、より好ましくは１８〜４５nmである。初期化層
Ｉ4が薄すぎると、記録層Ｗ2との間の交換力が大きくな
りすぎてスピンが反転しやすくなり、初期化層Ｉ4の磁
化を一方向に保つことが難しくなる。初期化層Ｉ4が厚
くても特に問題はないが、成膜コストが高くなるため、
５０nmを超える厚さとする必要はない。
【００６７】構成Ｉおよび構成IIにおいて、各磁性層
は、主成分として挙げたもの以外の希土類元素を含んで
いてもよい。なお、本明細書において希土類元素とは、
Ｙ、Ｓｃおよびランタニド元素である。また、上記各磁
性層は、主成分として挙げたもの以外の遷移元素を含ん
でいてもよい。
は、主成分として挙げたもの以外の希土類元素を含んで
いてもよい。なお、本明細書において希土類元素とは、
Ｙ、Ｓｃおよびランタニド元素である。また、上記各磁
性層は、主成分として挙げたもの以外の遷移元素を含ん
でいてもよい。
【００６８】基体 光磁気記録媒体に対し記録および再生を行うときには、
基体の裏面側（メモリ層Ｍ1側）からレーザー光が照射
される。このため、基体はレーザー光（波長４００〜９
００nm程度）に対し透明性を有することが好ましい。具
体的には、ポリカーボネート、アクリル樹脂、非晶質ポ
リオレフィン、スチレン系樹脂等の透明樹脂や、ガラス
などを用いればよい。
基体の裏面側（メモリ層Ｍ1側）からレーザー光が照射
される。このため、基体はレーザー光（波長４００〜９
００nm程度）に対し透明性を有することが好ましい。具
体的には、ポリカーボネート、アクリル樹脂、非晶質ポ
リオレフィン、スチレン系樹脂等の透明樹脂や、ガラス
などを用いればよい。
【００６９】第１、第２誘電体層 第１および第２誘電体層は、Ｃ／Ｎの向上および磁性層
の腐食の防止を目的として設けられる。また、放熱層を
設ける場合には、第２誘電体層は、記録時に生じる記録
層の熱を蓄えると共に放熱層に伝達する役割をもつ。
の腐食の防止を目的として設けられる。また、放熱層を
設ける場合には、第２誘電体層は、記録時に生じる記録
層の熱を蓄えると共に放熱層に伝達する役割をもつ。
【００７０】第１誘電体層の厚さは、通常、３０〜１０
０nmとすればよく、第２誘電体層の厚さは、通常、５〜
１００nmとすればよい。
０nmとすればよく、第２誘電体層の厚さは、通常、５〜
１００nmとすればよい。
【００７１】各誘電体層は、酸化物や窒化物、これらの
混合物など、例えば酸化ケイ素 、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、ＳｉＡｌＯＮ等から構成すればよい。
混合物など、例えば酸化ケイ素 、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、ＳｉＡｌＯＮ等から構成すればよい。
【００７２】放熱層 放熱層は、記録時に磁性積層体からの熱を放散する作用
をもち、必要に応じて設けられる。放熱層の厚さは特に
限定されず、通常、２０〜８０nmとすればよい。
をもち、必要に応じて設けられる。放熱層の厚さは特に
限定されず、通常、２０〜８０nmとすればよい。
【００７３】放熱層は、金属（合金を含む）から構成さ
れる。放熱層構成材料は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕや、
これらの少なくとも１種を含有する合金、あるいはこれ
らにＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｃｏなどの添加元素を適
量加えた材料で構成することが好ましい。
れる。放熱層構成材料は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕや、
これらの少なくとも１種を含有する合金、あるいはこれ
らにＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｃｏなどの添加元素を適
量加えた材料で構成することが好ましい。
【００７４】保護層 放熱層表面には、紫外線硬化型樹脂等の樹脂から構成さ
れる保護層を設けることが好ましい。保護層の厚さは、
好ましくは１〜３０μmである。なお、基体の裏面側に
も同様な保護層を設けてもよい。
れる保護層を設けることが好ましい。保護層の厚さは、
好ましくは１〜３０μmである。なお、基体の裏面側に
も同様な保護層を設けてもよい。
【００７５】
【実施例】実施例１（構成II） 基体として、外径１２０mm、厚さ１．２mmのディスク状
ポリカーボネート（トラックピッチ１．１μm）を用
い、第２誘電体層および放熱層の厚さを表２に示すもの
として、以下の手順で図２の構成をもつ光磁気記録ディ
スクサンプルNo.１を作製した。
ポリカーボネート（トラックピッチ１．１μm）を用
い、第２誘電体層および放熱層の厚さを表２に示すもの
として、以下の手順で図２の構成をもつ光磁気記録ディ
スクサンプルNo.１を作製した。
【００７６】第１誘電体層 Ａｒ＋Ｎ2 雰囲気中において、Ｓｉをターゲットとして
スパッタ法により窒化ケイ素膜を形成し、第１誘電体層
とした。厚さは６０nmとした。
スパッタ法により窒化ケイ素膜を形成し、第１誘電体層
とした。厚さは６０nmとした。
【００７７】磁性積層体の各磁性層 Ａｒ雰囲気中において、スパッタ法により形成した。
【００７８】第２誘電体層 第１誘電体層と同様にして形成した。厚さは１０nmとし
た。
た。
【００７９】放熱層 Ａｒ雰囲気中において、Ａｌ−Ｎｉ合金をターゲットと
してスパッタ法により形成した。
してスパッタ法により形成した。
【００８０】保護層 紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布し、紫外
線照射により硬化して形成した。厚さは約５μmとし
た。
線照射により硬化して形成した。厚さは約５μmとし
た。
【００８１】各磁性層の組成、厚さおよびキュリー温度
（Ｔｃ）を、表１に示す。また、補償温度を有するもの
については補償温度（Ｔcomp）を表１に示す。なお、磁
性層の組成は、後述する特性評価後にオージェ分析装置
により測定した。また、磁性層の厚さは、スパッタレー
トとスパッタ時間とから算出した。スパッタレートは、
実際の成膜の際の条件と同じ条件で長時間スパッタを行
って厚い膜を形成し、実測により求めた膜厚とスパッタ
時間とから算出した。
（Ｔｃ）を、表１に示す。また、補償温度を有するもの
については補償温度（Ｔcomp）を表１に示す。なお、磁
性層の組成は、後述する特性評価後にオージェ分析装置
により測定した。また、磁性層の厚さは、スパッタレー
トとスパッタ時間とから算出した。スパッタレートは、
実際の成膜の際の条件と同じ条件で長時間スパッタを行
って厚い膜を形成し、実測により求めた膜厚とスパッタ
時間とから算出した。
【００８２】
【表１】
【００８３】次に、読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ1およ
び交換力制御層Ｃ12について希土類元素含有率および厚
さを表２に示すものとしたほかはサンプルNo.１と同様
にして、表２に示す各サンプルを作製した。なお、各磁
性層において希土類元素含有率を変更したとき、Ｆｅ：
ＣｏはサンプルNo.１と同じ値に保った。表２に示す希
土類元素含有率は、読み出し層Ｒ01ではＧｄ含有率であ
り、メモリ層Ｍ1ではＴｂ含有率であり、交換力制御層
Ｃ12ではＧｄ含有率である。
び交換力制御層Ｃ12について希土類元素含有率および厚
さを表２に示すものとしたほかはサンプルNo.１と同様
にして、表２に示す各サンプルを作製した。なお、各磁
性層において希土類元素含有率を変更したとき、Ｆｅ：
ＣｏはサンプルNo.１と同じ値に保った。表２に示す希
土類元素含有率は、読み出し層Ｒ01ではＧｄ含有率であ
り、メモリ層Ｍ1ではＴｂ含有率であり、交換力制御層
Ｃ12ではＧｄ含有率である。
【００８４】特性評価 各サンプルについて、光ディスク評価装置を用いて特性
評価を行った。測定条件は以下のとおりとした。
評価を行った。測定条件は以下のとおりとした。
【００８５】レーザー波長：６８０nm、 開口率ＮＡ：０．５５、 記録パワー：ハイパワー記録時１３mW、ローパワー記録
時４mW、 再生パワー：１．５mW、 バイアス磁界：３００Oe、 相対線速度：７．４m/s、 記録パターン：パルス分割法［２０ns（オン）、１５２
ns（オフ）］
時４mW、 再生パワー：１．５mW、 バイアス磁界：３００Oe、 相対線速度：７．４m/s、 記録パターン：パルス分割法［２０ns（オン）、１５２
ns（オフ）］
【００８６】この測定により得られたオーバーライト１
万回後のＣ／Ｎを、表２に示す。
万回後のＣ／Ｎを、表２に示す。
【００８７】
【表２】
【００８８】表２から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、本発明サンプルは記録保持の安定性が高いた
めに、オーバーライト１万回後でも高Ｃ／Ｎが得られて
いるのに対し、比較サンプルでは、読み出し層Ｒ01、メ
モリ層Ｍ1、交換力制御層Ｃ1 2において希土類元素含有
率や厚さが本発明範囲を外れているため、オーバーライ
ト１万回後のＣ／Ｎは低い値となっている。
すなわち、本発明サンプルは記録保持の安定性が高いた
めに、オーバーライト１万回後でも高Ｃ／Ｎが得られて
いるのに対し、比較サンプルでは、読み出し層Ｒ01、メ
モリ層Ｍ1、交換力制御層Ｃ1 2において希土類元素含有
率や厚さが本発明範囲を外れているため、オーバーライ
ト１万回後のＣ／Ｎは低い値となっている。
【００８９】実施例２（構成Ｉ） 図１の構成をもつ光磁気記録ディスクサンプルを作製し
た。このサンプルは、スイッチング層Ｓ3および初期化
層Ｉ4を設けず、かつ、記録層Ｗ2の組成（原子比）を Ｄｙ32Ｆｅ34Ｃｏ34 としたほかは実施例１のサンプルNo.１と同様にして作
製したものである。このサンプルのＣ／Ｎを実施例１と
同様にして測定した。ただし、測定の際には、初期化磁
界として３kOeの磁界を印加した。この測定の結果、初
期Ｃ／Ｎは４８dBであり、オーバーライト１万回後のＣ
／Ｎも４８dBであって、劣化は認められなかった。
た。このサンプルは、スイッチング層Ｓ3および初期化
層Ｉ4を設けず、かつ、記録層Ｗ2の組成（原子比）を Ｄｙ32Ｆｅ34Ｃｏ34 としたほかは実施例１のサンプルNo.１と同様にして作
製したものである。このサンプルのＣ／Ｎを実施例１と
同様にして測定した。ただし、測定の際には、初期化磁
界として３kOeの磁界を印加した。この測定の結果、初
期Ｃ／Ｎは４８dBであり、オーバーライト１万回後のＣ
／Ｎも４８dBであって、劣化は認められなかった。
【００９０】以上の各実施例の結果から、本発明の効果
が明らかである。
が明らかである。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す模式図
である。
である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す模式図
である。
である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体にオーバーライトを行
うときの説明図である。
うときの説明図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体にオーバーライトを行
うときの説明図である。
うときの説明図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体にオーバーライトを行
うときの説明図である。
うときの説明図である。
【図６】本発明の光磁気記録媒体にオーバーライトを行
うときの説明図である。
うときの説明図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 基体表面側に磁性積層体を有し、この磁
性積層体が、基体側から、読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ
1、交換力制御層Ｃ12および記録層Ｗ2の４層の磁性層を
この順で含み、各磁性層がそれぞれ希土類元素と遷移元
素とを含有し、読み出し層Ｒ01、メモリ層Ｍ1および記
録層Ｗ2が室温において垂直磁気異方性を有するもので
あり、隣接する磁性層が互いに交換力で結合されてお
り、 メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録層Ｗ2のキュ
リー温度をＴｃW2としたとき、 ＴｃW2＞ＴｃM1 であり、 読み出し層Ｒ01の厚さをｔR01、メモリ層Ｍ1の厚さをｔ
M1としたとき、 ｔR01／（ｔR01＋ｔM1）＝０．３〜０．６、 ｔR01＋ｔM1＝２０〜４０nm であり、 読み出し層Ｒ01が、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主成分と
し、Ｇｄを２３〜２７原子％含有し、 メモリ層Ｍ1が、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成分とし、
Ｔｂを２１〜２５原子％含有し、 交換力制御層Ｃ12が、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主成分と
し、Ｇｄを２３〜３２原子％含有し、厚さ３０nm以下で
あり、 光強度変調方式によるダイレクト・オーバーライトが可
能である光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 記録層Ｗ2が、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを
主成分とする請求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 磁性積層体の厚さが８０nm以下である請
求項１または２の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 磁性積層体が、記録層Ｗ2の表面側にス
イッチング層Ｓ3と初期化層Ｉ4とをこの順で含み、スイ
ッチング層Ｓ3および初期化層Ｉ4がそれぞれ希土類元素
と遷移元素とを含有し、室温において垂直磁気異方性を
有する磁性層であり、磁性積層体中において隣接する磁
性層が互いに交換力で結合されており、 メモリ層Ｍ1のキュリー温度をＴｃM1、記録層Ｗ2のキュ
リー温度をＴｃW2、スイッチング層Ｓ3のキュリー温度
をＴｃS3、初期化層Ｉ4のキュリー温度をＴｃI4とした
とき、 ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃM1かつ ＴｃI4＞ＴｃW2＞ＴｃS3 である請求項１または２の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 スイッチング層Ｓ3がＴｂおよびＦｅを
主成分とし、初期化層Ｉ4がＴｂおよびＣｏを主成分と
する請求項４の光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9137859A JPH10312594A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | 光磁気記録媒体 |
| US09/067,258 US6086993A (en) | 1997-05-12 | 1998-05-04 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9137859A JPH10312594A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312594A true JPH10312594A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=15208440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9137859A Pending JPH10312594A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6086993A (ja) |
| JP (1) | JPH10312594A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158508A3 (en) * | 2000-05-23 | 2005-09-14 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6501728B2 (en) | 2000-04-21 | 2002-12-31 | Sony Corporation | Optical disc having groove and land tracks |
| JP2002288897A (ja) | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Fujitsu Ltd | 光磁気記憶媒体 |
| JP2005050400A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JP5440509B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-03-12 | 富士電機株式会社 | 不揮発記憶装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2503708B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1996-06-05 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及び装置 |
| US5241520A (en) * | 1990-12-28 | 1993-08-31 | Sony Corporation | System and method of reproducing signals recorded on a magneto-optic recording medium |
| JPH0536141A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sony Corp | 光磁気記録装置 |
| JPH0729231A (ja) * | 1992-01-07 | 1995-01-31 | Nikon Corp | ５３ｄＢを越えるオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JP2542148B2 (ja) * | 1992-06-25 | 1996-10-09 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2938284B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 |
| JP3297513B2 (ja) * | 1993-03-04 | 2002-07-02 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
| JP3049482B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2000-06-05 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| JPH092400A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-07 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 宇宙空間構造物の温度制御構造及びその温度調整方法 |
| JP3452451B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2003-09-29 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
-
1997
- 1997-05-12 JP JP9137859A patent/JPH10312594A/ja active Pending
-
1998
- 1998-05-04 US US09/067,258 patent/US6086993A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158508A3 (en) * | 2000-05-23 | 2005-09-14 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6086993A (en) | 2000-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05225627A (ja) | 高密度光磁気ディスク | |
| US6200673B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| US5663935A (en) | Magneto-optical recording medium having two magnetic layers of exchange-coupled at ferromagnetic phase | |
| JP3568787B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び再生装置 | |
| EP1050877B1 (en) | Opto-magnetic recording medium and its manufacturing method, and opto-magnetic information recording/reproducing device | |
| US5965286A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| KR100238692B1 (ko) | 광자기기록매체 | |
| JP2503708B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び装置 | |
| JPH10312594A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US6017620A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS61196445A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP3349403B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3794596B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2724003B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5529854A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JP3570922B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| KR890004262B1 (ko) | 광자기 디스크 | |
| JP3570921B2 (ja) | 光磁気記録媒体を用いた情報の記録方法 | |
| JP3381960B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10312595A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2604475B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2674815B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2707796B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0780841A2 (en) | Magnetooptical recording medium using a magnetic phase transformation material and a recording method using the medium | |
| JPH07320320A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法並びに光磁気記録情報の再生方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040309 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050225 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050414 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050517 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050719 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060313 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060501 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060519 |