JPH10270817A - 回路基板、回路付きサスペンション基板及びそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】金属箔基材上のポリイミド樹脂からなる絶縁層
を有する回路基板において、ポリイミド樹脂が低い吸湿
性を有し、従って、環境雰囲気中の湿度が変化しても、
寸法安定性にすぐれ、反りが生じない回路基板と、それ
を用いる回路付きサスペンション基板を提供することに
ある。 【解決手段】本発明による回路基板は、金属箔基材上に
ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板におい
て、上記ポリイミド樹脂が（Ａ）(a) 1,３−ビス（４−
アミノフェノキシ）ベンゼンと(b) 2,2'−ビス（トリフ
ルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニルとからなる
芳香族ジアミンと、（Ｂ）(a) 3,4,3',4' −ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物と(b) 2,２−ビス（3,４−ジ
カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物
とからなる芳香族テトラカルボン酸二無水物との反応に
よって得られるポリイミド樹脂であることを特徴とす
る。本発明による回路付きサスペンション基板は、この
ような回路基板上に導体層からなる所要の回路をパター
ニング技術によって形成してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板、回路付
きサスペンション基板及びそれらの製造方法に関し、詳
しくは、金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層
を有する回路基板、そのような回路基板上に導体層から
なるパターン回路を設けた回路付きサスペンション基
板、それらの製造方法に関する。

【０００２】例えば、コンピュータ等の外部記憶装置と
して用いられるハードディスク装置等の磁気ディスク装
置において、磁気記録や再生を行なうには、上記磁気デ
ィスクと磁気ヘッドとを相対的に走行させ、これによっ
て生じる空気流に抗して、磁気ヘッドを磁気ディスクに
弾性的に押し付けて、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間
に一定の微小な間隔を保つことが必要である。このよう
に、磁気ヘッドを空気流に抗して磁気ディスクに弾性的
に押し付ける磁気ヘッド支持装置がサスペンションであ
る。本発明は、そのような回路付きサスペンション基板
を製造するために好適に用いることができる回路基板、
そのような回路基板上に導体層からなる回路をパターニ
ング技術によって形成してなるパターン回路付きサスペ
ンション基板、及びそれらの製造方法に関する。

【０００３】

【従来の技術】近年、半導体の高密度実装や高速信号処
理を目的とした薄膜多層回路基板として、金属箔にポリ
イミド樹脂からなる絶縁層を設けてなる回路基板が用い
られるようになっている。しかし、従来、知られている
このような回路基板では、ポリイミド樹脂が大きい吸湿
性を有することから、環境雰囲気中の湿度の変化によっ
て寸法変化や反りが生じやすい。

【０００４】他方、コンピュータやその周辺機器である
記憶装置は、容量の向上の一方で小型化や低価格が求め
られており、このような要望を背景として、なかでも、
ハードディスクドライブの技術が著しい進歩をみせてい
る。磁気ヘッドにおいても、従来からのメタルインギャ
ップ（ＭＩＧ）に対して、最近では、コイル部分を薄膜
化した薄膜磁気ヘッド（ＴＦＨ）や、更には、読み書き
兼用で且つ記憶容量も飛躍的に大きい薄膜−磁気抵抗複
合ヘッド（ＭＲ）の開発が急がれている。

【０００５】しかしながら、従来のように、所要の配線
をサスペンション基板上に導線を引き回して構成する技
術によっては、その導線がサスペンションの弾性率に影
響を与えて、前記浮上量の変動を招来し、場合によって
は、磁気ディスクとの接触によって、磁気ディスク装置
の耐久性を低下させることもある。そこで、近年、ヘッ
ドを実装するサスペンション基板上に直接、電気回路を
形成してなるサスペンションが実用化されるに至ってい
る。しかし、このようなサスペンションにおいて、上述
したように、環境雰囲気中の湿度の変化によって、回路
基板に寸法変化や反りが生じた場合、性能不良を起こす
ことがある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の金属
箔上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板
や、それを用いる回路付きサスペンション基板における
上述したような問題を解決するためになされたものであ
って、ポリイミド樹脂が吸湿性が低く、従って、環境雰
囲気に湿度の変化があっても、寸法変化や反りが殆ど生
じない回路基板、それを用いる回路付きサスペンション
基板、及びそれらの製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による回路基板
は、金属箔基材上にポリイミド樹脂からなるした絶縁層
を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が
（Ａ）(a) 1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ンと(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチル）−4,4'−ジ
アミノビフェニルとからなる芳香族ジアミンと、（Ｂ）
(a) 3,4,3',4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン二無水物とからなる芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物との反応によって得られるポリイミド
樹脂であることを特徴とする。

【０００８】より詳細には、上記ポリイミド樹脂は、
（Ａ）(a) 1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ンと(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチル）−4,4'−ジ
アミノビフェニルとからなる芳香族ジアミンと、（Ｂ）
(a) 3,4,3',4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン二無水物とからなる芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物より得られるポリイミド樹脂前駆体を
感光剤の存在下で反応して得られるポリイミド樹脂であ
る。

【０００９】本発明による回路基板の製造方法は、金属
箔基材上に感光性ポリイミド樹脂前駆体からなる被膜を
形成し、露光させ、露光後加熱し、現像し、加熱してイ
ミド化させて、ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する
回路基板を製造する方法において、上記感光性ポリイミ
ド樹脂前駆体が（Ａ）(a) 1,３−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼンと(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチ
ル）−4,4'−ジアミノビフェニルとからなる芳香族ジア
ミンと、（Ｂ）(a) 3,4,3',4' −ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物とからなる
芳香族テトラカルボン酸二無水物との反応によって得ら
れるポリアミド酸に感光剤を配合してなることを特徴と
する。

【００１０】この方法によれば、金属箔基材上に感光性
ポリイミド樹脂前駆体からなる被膜を所定のパターンに
従って露光させ、露光後加熱し、現像して、上記前駆体
からなる所定のパターンを形成させ、これを最終的に高
温に加熱してイミド化させることによって、パターン化
したポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板を
得ることができる。

【００１１】本発明による回路付きサスペンションは、
金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有し、
その上に導体層からなるパターン回路を有する回路付き
サスペンション基板において、ポリイミド樹脂が前記し
た芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反応
によって得られるポリイミド樹脂であることを特徴とす
る。

【００１２】また、本発明による回路付きサスペンショ
ンの製造方法は、前記回路基板のポリイミド樹脂からな
る絶縁層の上に導体層からなるパターン回路を形成する
回路付きサスペンション基板の製造方法において、感光
性ポリイミド樹脂前駆体が前記芳香族ジアミンとテトラ
カルボン酸二無水物との反応によって得られるポリアミ
ド酸に感光剤を配合してなることを特徴とする。

【００１３】即ち、この方法は、所定のパターン化した
ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する前記回路基板を
形成し、次いで、上記絶縁層の上に導体層からなるパタ
ーン回路を形成することによって、回路付きサスペンシ
ョン基板を得るものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明によれば、金属箔基材上に
ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板におい
て、上記ポリイミド樹脂が（Ａ）(a) 1,３−ビス（４−
アミノフェノキシ）ベンゼン

【００１５】

【化９】

【００１６】と(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチル）
−4,4'−ジアミノビフェニル

【００１７】

【化１０】

【００１８】とからなる芳香族ジアミンと、（Ｂ）(a)
3,4,3',4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物

【００１９】

【化１１】

【００２０】と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物

【００２１】

【化１２】

【００２２】とからなる芳香族テトラカルボン酸二無水
物との反応によって得られるポリイミド樹脂である。

【００２３】本発明において、金属箔基材は、特に、限
定されるものではないが、通常、ステンレス箔、銅箔、
アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、リン青銅箔、４２
アロイ箔等が用いられる。更に、本発明によれば、この
ような金属箔基材は、長尺物が好ましく用いられる。即
ち、長尺の金属箔基材にポリイミド樹脂からなる絶縁層
を一定のパターンを繰り返すようにして設け、それぞれ
パターン化した絶縁層の上にそれぞれ導体層からなる所
要のパターン回路を形成し、かくして、最終的に、個々
のパターン回路ごとに金属箔基材を裁断すれば、個々の
回路付きサスペンション基板を得ることができる。

【００２４】そこで、本発明によれば、回路基板は、好
ましくは、長尺の金属箔基材、通常、長尺のステンレス
箔上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布し、乾
燥させて、被膜を形成した後、この被膜を所定のパター
ンを有するマスクを介して、紫外線に露光させ、加熱
（露光後加熱）し、現像し、この後、加熱硬化（ポリア
ミド酸のポリイミド化）を行なって、ポリイミド樹脂か
らなる所定のパターンを形成させて、これを絶縁層とす
ることによって得ることができる。

【００２５】上記感光性ポリイミド樹脂前駆体は、上記
芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とを
実質的に等モル比にて適宜の有機溶剤、例えば、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドンやジメチルアセトアミド等の中で
反応させて、ポリアミド酸（ポリアミック酸）を生成さ
せ、これに感光剤を配合してなる液状の組成物である。

【００２６】本発明によれば、上記芳香族ジアミンのう
ち、（ａ）成分である1,３−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼンの割合は４０〜６０モル％、好ましくは、
４５〜５５モル％の範囲であり、（ｂ）成分である2,2'
−ビス（トリフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェ
ニルの割合は６０〜４０モル％、好ましくは、５５〜４
５モル％の範囲であると共に、上記芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物のうち、（ａ）成分である3,4,3',4' −ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物の割合は４０〜６０
モル％、好ましくは、４５〜５５モル％の範囲であり、
（ｂ）成分である2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンの割合は６０〜４０モル
％、好ましくは、５５〜４５モル％の範囲である。

【００２７】本発明において、上記芳香族ジアミン
（Ａ）における（ａ）成分及び（ｂ）成分の割合（モル
％）は、（ａ）成分及び（ｂ）成分のモル数をそれぞれ
ａ及びｂとするとき、それぞれ（ａ／（ａ＋ｂ））×１
００及び（ｂ／（ａ＋ｂ））×１００で定義される。同
様に、上記芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）にお
ける（ａ）成分及び（ｂ）成分の割合（モル％）も、
（ａ）成分及び（ｂ）成分のモル数をそれぞれａ及びｂ
とするとき、それぞれ（ａ／（ａ＋ｂ））×１００及び
（ｂ／（ａ＋ｂ））×１００で定義される。

【００２８】本発明によれば、このような割合の２種類
の芳香族ジアミンと２種類の芳香族テトラカルボン酸二
無水物とを用いることによって、低吸湿性のポリイミド
樹脂を得ることができる。更に、本発明によれば、芳香
族ジアミンのうち、1,３−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼンは、得られるポリイミド樹脂を紫外線に対
して透明とし、後述するように、感光剤を含む感光性ポ
リイミド樹脂前駆体を紫外線に対して高感度とし、ま
た、感光性ポリイミド樹脂前駆体を露光させ、加熱し、
現像するときに、露光部と未露光部の現像剤への溶解速
度の差を大きくし、高コントラストの画像を与え、従っ
て、精密なパターニング加工を行なうことを可能とす
る。

【００２９】他方、芳香族ジアミンのうち、2,2'−ビス
（トリフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニル
は、未露光部の現像速度を速めるので、アルカリ濃度の
低い現像液を用いることができ、また、現像温度を低く
することができる。しかも、現像液にアルコール類を配
合する必要がなく、現像の際の安全性を高める。上記感
光剤としては、その詳細が特開平６−７５３７６号公報
に記載されているように、一般式（Ｉ）

【００３０】

【化１３】

【００３１】（式中、Ｘ¹ からＸ⁴ はそれぞれ独立に水
素原子、フッ素原子、ニトロ基、メトキシ基、アミノ
基、ジアルキルアミノ基、シアノ基又はフッ化アルキル
基を示し、Ｙ¹ はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ³ を示
し、Ｙ² はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ⁴ を示し、ここ
に、Ｒ³ 及びＲ⁴ はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアル
キル基若しくはアルコキシ基、アニリノ基、トルイジノ
基、ベンジルオキシ基、アミノ基又はジアルキルアミノ
基を示し、Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ⁵ はそれぞれ独立に水素原
子又は炭素数１〜３のアルキル基を示す。Ｒ¹ とＲ³ 、
Ｒ² とＲ⁴ は、ケト基を含む５員環、６員環又は複素環
の形成可能な員環となることができる。）で表わされる
ジヒドロピリジン誘導体が用いられる。

【００３２】具体例としては、例えば、４−ｏ−ニトロ
フェニル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチ
ル−1,４−ジヒドロピリジン（以下、ニフェジピンとい
う。）、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジメトキシカ
ルボニル−2,６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピ
リジン（以下、Ｎ−メチル体という。）、４−ｏ−ニト
ロフェニル−3,５−ジアセチル−1,４−ジヒドロピリジ
ン（以下、単にアセチル体という。）等を挙げることが
できる。これらは単独で、又は２種以上の混合物として
用いられる。必要に応じて、現像剤に対する溶解助剤と
して、イミダゾールが適当量用いられる。

【００３３】本発明においては、上記ジヒドロピリジン
誘導体は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二
無水物の合計量１モル部に対して、通常、0.０５〜0.５
モル部の範囲で用いられる。イミダゾールも、必要に応
じて、芳香族ジアミンを含むジアミンと芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物の合計量１モル部に対して、通常、0.
０５〜0.５モル部の範囲で用いられる。

【００３４】このような感光性ポリイミド樹脂前駆体
は、その溶液を適宜の基材上に塗布し、乾燥させ、これ
に紫外線を照射して露光（紫外線照射）させた後、加熱
（露光後加熱）することによって、ポジ型又はネガ型の
潜像を形成し、これを現像して、ポジ型又はネガ型の画
像、即ち、所要のパターンを得る。そこで、これを最終
的に高温に加熱して、ポリアミド酸をイミド化すれば、
ポリイミド樹脂からなるパターン被膜を得ることができ
る。

【００３５】より詳細には、上記感光性ポリイミド樹脂
前駆体は、用いる感光剤の種類によって幾らか異なるも
のの、露光後加熱の温度が１４０℃前後の比較的低温で
あるときは、露光部が現像剤に溶解して、ポジ型画像を
形成し、他方、上記露光後加熱の温度が約１７０℃以上
の比較的高温であるときは、未露光部が現像剤に溶解し
て、ネガ型画像を形成する。

【００３６】ここに、上記現像剤としては、通常、水酸
化テトラメチルアンモニウム等のような有機アルカリの
水溶液や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機
アルカリの水溶液が用いられる。アルカリ濃度は、通
常、２〜５重量％の範囲が適当である。必要に応じて、
上記アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール、ｎ
−プロパノール、イソプロパノール等の低級脂肪族アル
コールを加えてもよい。アルコールの添加量は、通常、
５０重量％以下である。また、現像温度は、通常、２５
〜５０℃の範囲が適当である。

【００３７】本発明において用いる感光性ポリイミド樹
脂前駆体によれば、露光後加熱の温度が１４０℃前後の
比較的低温であるときは、未露光部においては、前記ジ
ヒドロピリジン誘導体の１位置のイミノ基水素とポリア
ミド酸のカルボキシル基との間に水素結合を形成して、
ポリイミド樹脂の親水性と被膜の現像液への拡散速度と
が低下し、結果として、被膜の現像剤への溶解速度が低
下し、他方、露光部においては、露光によって、中性化
合物である前記ジヒドロピリジン誘導体が塩基性のピリ
ジン化合物に変化し、これがポリアミド酸と弱い塩構造
を形成し、その結果として、被膜の親水性が増大し、現
像剤への溶解速度が増す。このように、露光部の現像剤
への溶解速度が未露光部よりも大きいために、露光、露
光後加熱及び現像後の被膜は、ポジ型画像を与える。

【００３８】他方、本発明において用いる感光性ポリイ
ミド樹脂前駆体によれば、露光後加熱の温度が約１７０
℃以上の比較的高温であるときは、未露光部は、露光後
加熱の温度が１４０℃前後の比較的低温であるときと同
様に、被膜の現像剤への溶解速度が低下するが、他方、
露光部においては、前記ジヒドロピリジン誘導体が露光
によって塩基性のピリジン化合物に変化し、これがポリ
アミド酸のポリイミド化を促進し、被膜の現像剤への溶
解速度を低下させると同時に、上記ピリジン化合物自身
も露光後加熱によって更に不溶性の環化化合物に変化す
ると共に、ポリアミド酸のポリイミド化を促進し、その
結果として、露光部の被膜の現像剤に対する溶解性が上
記未露光部に比べて一層低下する。このように、露光後
の上記加熱温度が約１７０℃以上の比較的高温であると
きは、露光部の現像剤への溶解速度が未露光部に比べて
著しく小さいので、露光、露光後加熱及び現像後の被膜
は、ネガ型画像を与える。

【００３９】本発明によれば、長尺の金属箔基材上に上
述したような感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布
し、加熱乾燥させて、前駆体被膜を形成し、これにマス
クを介して紫外線を照射して所定のパターンを露光さ
せ、露光後加熱し、現像し、好ましくは、所定のパター
ンを有するネガ画像を形成した後、これを加熱硬化し
て、イミド化反応を起こさせることによって、ポリイミ
ド樹脂からなる絶縁層を形成して、本発明による回路基
板を得ることができる。

【００４０】このように、ポリイミド樹脂前駆体を加熱
してポリイミド化するには、好ましくは、その被膜を真
空下又は不活性ガス雰囲気下に３５０〜４００℃程度に
数時間、加熱するのが好ましい。この後、この絶縁層の
上に常法に従って所定のパターンを有する導体層からな
る所定の回路を形成すると共に、所要の端子を形成し、
次いで、長尺の金属箔基材を所要の形状に化学的に切り
抜くことによって、本発明による回路付きサスペンショ
ン基板を得ることができる。

【００４１】本発明によれば、得られるポリイミド樹脂
の基材に対する接着性を向上させるために、必要に応じ
て、ジアミン成分の一部として、アミノ基含有２官能性
ポリシロキサンを用いてもよい。このようなアミノ基含
有２官能性ポリシロキサンの具体例として、例えば、一
般式（II）

【００４２】

【化１４】

【００４３】（式中、Ｒ¹ は炭素数１〜１８のアルキレ
ン基、Ｒ² は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎは
１〜１００の整数である。）で表わされるポリシロキサ
ンを挙げることができる。このようなアミノ基含有２官
能性ポリシロキサンは、ジアミン成分の１０モル％以下
の範囲で用いられる。

【００４４】本発明において、上記アミノ基含有２官能
性ポリシロキサンの割合（モル％）は、前記芳香族ジア
ミン（ａ）成分及び（ｂ）成分のモル数をそれぞれａ及
びｂとし、アミノ基含有２官能性ポリシロキサンのモル
数をｃとするとき、（ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ））×１００で
定義される。

【００４５】特に、上記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹ は
炭素数１〜７のアルキレン基であることが好ましく、具
体例として、例えば、メチレン、エチレン、プロピレ
ン、ブチレン、ヘキシレン等のアルキレン基を挙げるこ
とができる。Ｒ² は炭素数１〜７のアルキル基であるこ
とが好ましく、具体例として、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基を挙げ
ることができる。また、ｎは好ましくは１〜４０であ
る。なかでも、アミノ基含有２官能性ポリシロキサンと
して、ビス（アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンが好ましく用いられる。

【００４６】次に、本発明による回路付きサスペンショ
ン基板は、前述したようにして、回路基板を製造した
後、パターニング技術の常法に従って、ポリイミド樹脂
からなる絶縁層の上に導体層からなるパターン回路を形
成すると共に、所要の端子を形成した後、最終的に前記
絶縁層を含む所要の形状にステンレス箔を化学的に切り
抜くことによって、個々の回路付きサスペンション基板
を得ることができる。

【００４７】このようにして、本発明によれば、前述し
たような低い吸湿性を有するポリイミド樹脂からなる絶
縁層を有する回路基板上に所要の加工を行なって、回路
付きサスペンション基板とするので、このようなサスペ
ンション基板は、環境雰囲気中の湿度による寸法変化や
反りが非常に少なく、ハードディスク装置等の磁気ディ
スク装置において、磁気記録や再生を行なう際に、性能
不良を起こすことがない。

【００４８】しかも、本発明によれば、前述したよう
に、高感度高コントラストにて精密なパターニング加工
を行なうことができるので、回路付きサスペンション基
板の高容量小型化が可能である。以下に、図面に基づい
て本発明による回路付きサスペンション基板及びその製
造について詳細に説明する。

【００４９】図１は、本発明による回路付きサスペンシ
ョン基板１の一例を示す斜視図であり、ステンレス箔基
材２の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層（図示せず）
を有し、その上に導体層３からなる所定のパターン回路
が薄膜として形成されている。先端には、基材への切込
みによって、ジンバル４が基材に一体に形成されてお
り、この上に磁気ヘッドを有するスライダ（図示せず）
が固定される。前後の端部にはそれぞれ所要の端子５及
び６が形成されている。但し、図１においては、基板の
表面を被覆保護する被覆層（カバー・レイ）が剥離され
ている状態を示す。

【００５０】図２は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
からなる絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３からなる所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
らなる被覆にて保護されており、更に、その上に端子５
が形成されている。端子を除く全表面は、被覆層８によ
って被覆保護されている。

【００５１】図３は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
からなる絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３からなる所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
らなる被覆にて保護されており、更に、被覆層８によっ
て被覆保護されている。長尺のステンレス箔基材２とし
ては、通常、その厚みが１０〜６０μｍ、好ましくは、
振動特性の観点から、１５〜３０μｍで、幅が５０〜５
００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍの範囲のも
のが用いられる。しかし、これらに限定されるものでは
ない。

【００５２】図４から図５は、本発明による回路基板の
製造工程を示し、図６から図１６は、本発明による回路
付きサスペンションの製造工程を示す。

【００５３】先ず、図４に示すように、上述したような
ステンレス箔基材２の全面に、得られる樹脂層の厚みが
２〜２０μｍ、好ましくは、５〜１０μｍとなるよう
に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布し、６０
〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、
上記感光性ポリイミド樹脂前駆体の被膜２１を形成す
る。

【００５４】次に、この感光性ポリイミド樹脂前駆体の
被膜に適宜のマスクを介して紫外線を照射し、所定のパ
ターンに露光させる。ここに、露光積算光量は、１００
〜１０００ｍＪ／ｃｍ² 、好ましくは、２００〜７００
ｍＪ／ｃｍ² の範囲であり、露光波長は、通常、３００
〜４５０ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍの範囲
である。この露光の後、被膜を８０〜２００℃、好まし
くは、１２０〜１８０℃の温度で約２〜１０分程度加熱
（露光後加熱）し、次いで、現像処理を行なう。本発明
においては、ネガ型画像を得るのが好ましい。この後、
このようにして得られたポリイミド樹脂前駆体のパター
ン被膜を高温に加熱して、ポリイミド化し、かくして、
図５に示すように、ステンレス箔基材２上にポリイミド
樹脂からなるパターン化した絶縁層２２を形成して、本
発明による回路基板を得る。

【００５５】次いで、図６に示すように、パターン化し
たポリイミドの絶縁層２２を有するステンレス箔基材２
の全面にクロム薄膜２３と銅薄膜２４とをスパッタリン
グにて連続して順次に形成する。クロム薄膜２３は、ポ
リイミドからなる絶縁層２２上に銅薄膜２４を密着させ
るのに有用である。ここに、膜厚は、クロム薄膜が１０
０〜６００オングストローム、銅薄膜が５００〜２００
０オングストロームの範囲が好ましい。このようにして
得られる銅薄膜の表面抵抗は、通常、0.６Ω／□以下で
ある。

【００５６】この後、図７に示すように、上記銅薄膜２
４の上に厚さ２〜１５μｍ程度の電解銅めっきを行なっ
て、銅からなる導体層２５を形成する。図７において
は、前記クロム薄膜は図示されていない。

【００５７】次いで、図８及び図９に示すように、常法
に従って、フォトレジスト２６又はドライフィルムラミ
ネートを用いるパターニング技術によって、露光及び現
像処理を行なった後、非パターン部の銅導体層２５をエ
ッチングにて除去し、かくして、前記ポリイミド樹脂か
らなる絶縁層２２の上に上記銅からなる所定の導体パタ
ーン２７を形成する。ここに、銅のエッチングにはアル
カリエッチングによることが好ましい。

【００５８】このような非パターン部の銅導体層のエッ
チング除去の後、更に、前記クロム薄膜２３をエッチン
グ除去して、図１０に示すように、前記ポリイミド樹脂
からなる絶縁層２２の上に所定の導体パターン２７を得
る。クロム薄膜２３のエッチングには、例えば、フェリ
シアン化カリウム系のエッチング液や、このほか、過マ
ンガン酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム系等のエッチ
ング液が用いられる。

【００５９】このようにして、基材上の不必要なクロム
薄膜を除去した後、無電解ニッケルめっきを行なって、
図１１に示すように、上記銅導体層２７とステンレス箔
基材２の表面に硬質のニッケル薄膜２８を形成して、銅
導体層の表面を被覆、保護する。従って、このニッケル
めっきの膜厚は、下層の銅導体層が露出しない程度であ
ればよく、通常、0.０５〜0.１μｍの範囲である。

【００６０】この後、配線部分の導体パターン２７を前
記した感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて被覆保護す
ると共に、所要の端子部には端子を形成し、これを残し
て、表面を同様に被覆保護して、被覆層（カバー・レ
イ）を形成する。図１２以下において、基材の左側は配
線部の形成を示し、右側は端子部の形成を示す。

【００６１】即ち、図１２に示すように、配線部では、
ポリイミド樹脂２９にて導体パターン２７を被覆し、端
子部では、パターニングによって、端子部を残すと共
に、端子を電解めっきにて形成するためのリード部３０
を残して、前記感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、
前記同様の塗布、露光、露光後加熱、現像及び加熱硬化
（イミド化）を行なって、ポリイミド樹脂にて被覆し、
被覆層３１を形成する。

【００６２】次いで、図１３に示すように、端子部にお
いては、先ず、導体パターン２７の表面を保護していた
無電解ニッケルめっき薄膜２８（図１１参照）を剥離
し、同時に、ステンレス箔基材２上の無電解ニッケルめ
っき薄膜２８も除去する。この後に、常法に従って、通
常のフォトレジストを用いる方法によって、端子部のみ
を残して、ステンレス箔基材、導体パターン２７及びポ
リイミド樹脂被覆層３１をレジストにて被覆した後、上
記端子部に電解ニッケルめっき３２と電解金めっき３３
を順次に行なって、端子３４を形成する。ここに、電解
ニッケルめっきと電解金めっきの厚さは、いずれも、１
〜５μｍ程度が適当である。この後、上記レジストを除
去する。

【００６３】次いで、図１４に示すように、端子３４を
形成した導体パターン２７において、上記電解めっきに
用いたリード部３０（図１２参照）を化学エッチングに
て除去する。リード部の銅及びクロムの除去は、前述し
たと同じ方法によればよい。このようにして、リード部
を除去した後、ステンレス箔基材２を化学エッチングに
よって所要の形状に切り抜くために、常法に従って、フ
ォトレジスト３５又はドライフィルムラミネートを用い
て、露光、現像を行なって、図１５に示すように、ステ
ンレス箔基材２上に所要のパターンを形成した後、ステ
ンレス箔基材をエッチングにて所要の形状に切り抜く。
ここに、エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄、
塩化第二銅等の水溶液が用いられる。

【００６４】このエッチング処理の後、純水にて洗浄
し、乾燥すれば、図１６に示すように、本発明による回
路付きサスペンション基板１を得ることができる。即
ち、この回路付きサスペンション基板は、ステンレス箔
基材２上にポリイミド樹脂からなる絶縁層２２を有し、
その上に導体層の薄膜からなる導体パターン２７、即
ち、パターン回路を有し、端子３４を除いて、全表面が
ポリイミド樹脂からなる被覆層３１にて被覆保護されて
いる。

【００６５】

【発明の効果】以上のように、本発明による回路基板
は、金属箔基材の上に、所定の割合の２種類の芳香族ジ
アミンと所定の２種類の芳香族テトラカルボン酸二無水
物との反応によって得られるポリイミド樹脂層を絶縁層
として有し、このポリイミド樹脂が低吸湿性を有するの
で、環境雰囲気中の湿度の変化による寸法変化や反りが
非常に少ない。

【００６６】従って、本発明による回路付きサスペンシ
ョン基板においても、ポリイミド樹脂層が低吸湿性を有
するので、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に
おいて、磁気記録や再生を行なう際に、性能不良を起こ
すことがない。

【００６７】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。

【００６８】実施例１ ジアミンとして、1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン0.９４９ｋｇ（3.２５モル）と2,2'−ビス（ト
リフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニル0.９３
６ｋｇ（2.９２モル）とビス（アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサン0.０８１ｋｇ（0.３３モル）（ジア
ミン成分合計6.５モル）と、芳香族テトラカルボン酸二
無水物として、ジフタル酸二無水物0.９５６ｋｇ（3.２
５モル）と2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン二無水物1.４４３ｋｇ（3.２５
モル）（テトラカルボン酸二無水物成分合計6.５０モ
ル）とをＮ−メチル−２−ピロリドン１1.８１ｋｇに溶
解させ、室温で２４時間攪拌した。この後、７５℃に昇
温し、粘度が５０００センチポイズに達したとき、加熱
を止め、室温まで放置、冷却した。次いで、これにＮ−
メチル体0.６９６ｋｇ（1.９３モル）を加えて、感光性
ポリイミド樹脂前駆体の溶液を調製した。

【００６９】厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を連
続コーターにて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱
乾燥して、感光性ポリイミド樹脂前駆体の被膜を形成し
た。次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ
² にて紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現
像処理して、ネガ型画像を形成し、更に、0.０１ｔｏｒ
ｒの真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリ
イミド樹脂からなる絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、
回路基板を得た。

【００７０】この回路基板を温度８５℃、相対湿度８５
％の雰囲気中に１００時間放置した後、カール・フィッ
シャー法にて測定したポリイミド樹脂層の吸水率は0.５
％であり、他方、ポリイミド樹脂層の伸びは、約0.１％
であって、実質的に伸びはなく、かくして、上記試験前
後での形状の変化は殆どなく、反りも観察されなかっ
た。

【００７１】次に、このような回路基板のポリイミドか
らなる絶縁層上に連続スパッタリング処理によってクロ
ムと銅をそれぞれ５００オングストローム及び１０００
オングストロームの膜厚で薄膜形成した。銅薄膜の表面
抵抗は0.３〜0.４Ω／□であった。次いで、ステンレス
基材の裏面に軽粘着シートをめっきマスクとして貼着し
た後、上記銅薄膜の全面に硫酸銅電解めっきを行なっ
て、膜厚１０μｍの銅めっきからなる導体層を形成し
た。

【００７２】この後、常法に従って、市販のドライフィ
ルムラミネートを１１０℃導体層上にラミネートした
後、露光量８０ｍＪ／ｃｍ² にてこれを露光させ、現像
し、非パターン部の銅導体層をアルカリエッチングし
て、配線部と端子部と共に電解めっきのリード部を残す
ように導体層をパターン化し、この後、レジストを除去
した。次いで、このように処理したステンレス箔をフエ
リシアン化カリウムと水酸化ナトリウムの混合水溶液に
２５℃で浸漬し、不必要な前記クロム薄膜を除去した。

【００７３】この後、このステンレス基材に通常の無電
解めっきを施し、膜厚約0.５μｍのニッケル薄膜を導体
層及び絶縁層を含むステンレス箔の全面上に形成した。
次いで、前述したように、ステンレス箔上の導体層の配
線部及び端子部に、前記と同様にして、感光性ポリイミ
ド樹脂前駆体を用いて、所要の被覆層を形成した。次い
で、基材を硝酸系剥離剤に室温で浸漬して、端子部及び
ステンレス箔上の前記無電解めっき薄膜を除去した。

【００７４】この後、常法に従って、上記端子部を除い
て、通常のフォトレジストて被覆した後、上記端子部に
電解ニッケルめっきと電解金めっきを順次に行なって、
それぞれ膜厚１μｍのめっき層を形成し、端子を形成し
た。この後、上記レジストを剥離した。このめっき処理
に続いて、めっきに用いたリード部を導体層から除去す
るために、銅アルカリエッチングとクロムエッチングを
前述したのと同様の方法で行なった。

【００７５】このようにして、導体層からめっきリード
部を除去した後、ステンレス箔基材を所要の形状に切り
抜くために、常法に従って、フォトレジスト又はドライ
フィルムラミネートを用いて、露光、現像を行なって、
ステンレス箔上に所要のパターンを形成した後、ステン
レス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に４５℃で浸漬し
て、所要の形状に切り抜いた。これを純水にて十分に洗
浄した後、乾燥して、個々に切り抜かれた回路付きサス
ペンション基板を得た。

【００７６】このようにして得られた回路付きサスペン
ション基板から、ポリイミド樹脂フィルムを剥離し、幅
５ｍｍ、厚さ６μｍ、長さ１００ｍｍの試料とし、これ
を温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気中に１００時間
放置した後、カール・フィッシャー法にて測定した水分
量は0.５％であって、小さい値を有することから、環境
雰囲気中の湿度の変化にかかわらず、寸法安定性にすぐ
れ、また、反りも起こらないものであった。

【００７７】実施例２ ジアミンとして、1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン0.９４９ｋｇ（3.２５モル）と2,2'−ビス（ト
リフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニル1.０４
ｋｇ（3.２５モル）（ジアミン成分合計6.５０モル）
と、芳香族テトラカルボン酸二無水物として、ジフタル
酸二無水物0.９５６ｋｇ（3.２５モル）と2,２−ビス
（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン二無水物1.４４３ｋｇ（3.２５モル）（テトラカルボ
ン酸二無水物成分合計6.５０モル）とをＮ−メチル−２
−ピロリドン１1.８１ｋｇに溶解させ、室温で２４時間
攪拌した。この後、７５℃に昇温し、粘度が５０００セ
ンチポイズに達したとき、加熱を止め、室温まで放置、
冷却した。次いで、これにＮ−メチル体0.６９６ｋｇ
（1.９３モル）を加えて、感光性ポリイミド樹脂前駆体
の溶液を調製した。

【００７８】厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を連
続コーターにて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱
乾燥して、感光性ポリイミド樹脂前駆体の被膜を形成し
た。次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ
² にて紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現
像処理して、ネガ型画像を形成し、更に、0.０１ｔｏｒ
ｒの真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリ
イミド樹脂からなる絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、
回路基板を得た。

【００７９】次いで、この回路基板を用いて、実施例１
と同じ手順によって、回路付きサスペンション基板を得
た。このようにして得られた回路付きサスペンション基
板から、ポリイミド樹脂フィルムを剥離し、実施例１と
同様にして、その水分量を測定したところ、0.４％であ
った。このように、ポリイミド樹脂フィルムの吸湿性が
小さいので、本発明による回路付きサスペンション基板
は、環境雰囲気中の湿度の変化にかかわらず、寸法安定
性にすぐれ、また、反りも起こらないものであった。

【００８０】実施例３ ジアミンとして、1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン0.８５３ｋｇ（2.９２モル）と2,2'−ビス（ト
リフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニル1.０４
ｋｇ（3.２５モル）とビス（アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン0.０８１ｋｇ（0.３３モル）（ジアミ
ン成分合計6.５０モル）と、芳香族テトラカルボン酸二
無水物として、ジフタル酸二無水物0.９５６ｋｇ（3.２
５モル）と2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン二無水物1.４４３ｋｇ（3.２５
モル）（テトラカルボン酸二無水物成分合計6.５０モ
ル）とをＮ−メチル−２−ピロリドン１1.８１ｋｇに溶
解させ、室温で２４時間攪拌した。この後、７５℃に昇
温し、粘度が５０００センチポイズに達したとき、加熱
を止め、室温まで放置、冷却した。次いで、これにＮ−
メチル体0.６９６ｋｇ（1.９３モル）を加えて、感光性
ポリイミド樹脂前駆体の溶液を調製した。

【００８１】厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を連
続コーターにて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱
乾燥して、感光性ポリイミド樹脂前駆体の被膜を形成し
た。次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ
² にて紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現
像処理して、ネガ型画像を形成し、更に、0.０１ｔｏｒ
ｒの真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリ
イミド樹脂からなる絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、
回路基板を得た。

【００８２】次いで、この回路基板を用いて、実施例１
と同じ手順によって、回路付きサスペンション基板を得
た。このようにして得られた回路付きサスペンション基
板から、ポリイミド樹脂フィルムを剥離し、実施例１と
同様にして、その水分量を測定したところ、0.３％であ
った。このように、ポリイミド樹脂フィルムの吸湿性が
小さいので、本発明による回路付きサスペンション基板
は、環境雰囲気中の湿度の変化にかかわらず、寸法安定
性にすぐれ、また、反りも起こらないものであった。

【００８３】実施例４ ジアミンとして、1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン0.９４ｋｇ（3.２５モル）と2,2'−ビス（トリ
フルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニル0.９３６
ｋｇ（2.９２モル）とビス（アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン0.０８１ｋｇ（0.３３モル）（ジアミ
ン成分合計6.５０モル）と、芳香族テトラカルボン酸二
無水物として、ジフタル酸二無水物0.７６４ｋｇ（2.６
０モル）と2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン二無水物1.７３２ｋｇ（3.９０
モル）（テトラカルボン酸二無水物成分合計6.５０モ
ル）とをＮ−メチル−２−ピロリドン１1.８１ｋｇに溶
解させ、室温で２４時間攪拌した。この後、７５℃に昇
温し、粘度が５０００センチポイズに達したとき、加熱
を止め、室温まで放置、冷却した。次いで、これにＮ−
メチル体0.６９６ｋｇ（1.９３モル）を加えて、感光性
ポリイミド樹脂前駆体の溶液を調製した。

【００８４】厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を連
続コーターにて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱
乾燥して、感光性ポリイミド樹脂前駆体の被膜を形成し
た。次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ
² にて紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現
像処理して、ネガ型画像を形成し、更に、0.０１ｔｏｒ
ｒの真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリ
イミド樹脂からなる絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、
回路基板を得た。

【００８５】次いで、この回路基板を用いて、実施例１
と同じ手順によって、回路付きサスペンション基板を得
た。このようにして得られた回路付きサスペンション基
板から、ポリイミド樹脂フィルムを剥離し、実施例１と
同様にして、その水分量を測定したところ、0.３％であ
った。このように、ポリイミド樹脂フィルムの吸湿性が
小さいので、本発明による回路付きサスペンション基板
は、環境雰囲気中の湿度の変化にかかわらず、寸法安定
性にすぐれ、また、反りも起こらないものであった。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明による回路付きサスペンション基板
の一例を示す斜視図である。

【図２】は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断面図であ
る。

【図３】は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。

【図４】、

【図５】、

【図６】、

【図７】、

【図８】、

【図９】、

【図１０】、

【図１１】、

【図１２】、

【図１３】、

【図１４】、

【図１５】及び

【図１６】は、本発明による回路付きサスペンション基
板の製造工程を示す要部部分断面図である。

【符号の説明】

１…回路付きサスペンション基板、２…ステンレス箔基
材、３…導体層、４…ジンバル、５及び６…端子、７…
絶縁層、８…被覆層、２１…感光性ポリイミド樹脂前駆
体からなる被膜、２２…ポリイミド樹脂からなる絶縁
層、２３…クロム薄膜、２４…銅薄膜、２５…導体層、
２６…フォトレジスト、２７…導体パターン、２８…ニ
ッケル薄膜、２９…ポリイミド樹脂、３０…リード部、
３１…ポリイミド樹脂被覆層、３３…電解金めっき薄
膜、３４…端子、３５…フォトレジスト。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 25/04 １０１ Ｇ１１Ｂ 25/04 １０１Ｒ 33/02 ３０１ 33/02 ３０１Ｂ

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
   縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が
   （Ａ）(a) 1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
   ンと(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチル）−4,4'−ジ
   アミノビフェニルとからなる芳香族ジアミンと、（Ｂ）
   (a) 3,4,3',4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
   と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
   サフルオロプロパン二無水物とからなる芳香族テトラカ
   ルボン酸二無水物との反応によって得られるポリイミド
   樹脂であることを特徴とする回路基板。
2. 【請求項２】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
   縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が
   （Ａ）(a) 1,３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
   ンと(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチル）−4,4'−ジ
   アミノビフェニルとからなる芳香族ジアミンと、（Ｂ）
   (a) 3,4,3',4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
   と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
   サフルオロプロパン二無水物とからなる芳香族テトラカ
   ルボン酸二無水物より得られるポリイミド樹脂前駆体を
   感光剤の存在下で反応して得られるポリイミド樹脂であ
   ることを特徴とする回路基板。
3. 【請求項３】感光剤が一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘ¹ からＸ⁴ はそれぞれ独立に水素原子、フッ
   素原子、ニトロ基、メトキシ基、アミノ基、ジアルキル
   アミノ基、シアノ基又はフッ化アルキル基を示し、Ｙ¹
   はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ³ を示し、Ｙ² はシアノ
   基又は一般式−ＣＯＲ⁴ を示し、ここに、Ｒ³ 及びＲ⁴
   はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基若しくはア
   ルコキシ基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキ
   シ基、アミノ基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ¹ 、
   Ｒ² 及びＲ⁵ はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜
   ３のアルキル基を示す。Ｒ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ は、ケ
   ト基を含む５員環、６員環又は複素環の形成可能な員環
   となることができる。）で表わされる請求項２に記載の
   回路基板。
4. 【請求項４】感光剤が４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−
   ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−1,４−ジヒド
   ロピリジン、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジアセチ
   ル−1,４−ジヒドロピリジン及び４−ｏ−ニトロフェニ
   ル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−１
   −メチル−４−ヒドロピリジンから選ばれる少なくとも
   １種のジヒドロピリジン誘導体である請求項２に記載の
   回路基板。
5. 【請求項５】芳香族ジアミン（Ａ）のうち、（ａ）成分
   が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０〜４０モル％で
   あり、芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）のうち、
   （ａ）成分が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０〜４
   ０モル％である請求項１から４のいずれかに記載の回路
   基板。
6. 【請求項６】一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜１８のアルキレン基、Ｒ² は
   炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎは１〜１００の
   整数である。）で表わされるアミノ基含有２官能性ポリ
   シロキサンを芳香族ジアミンとこのアミノ基含有２官能
   性ポリシロキサンとからなる全ジアミン成分の１０モル
   ％以下の範囲で用いてなる請求項１から５のいずれかに
   記載の回路基板。
7. 【請求項７】金属箔基材上に感光性ポリイミド樹脂前駆
   体からなる被膜を形成し、露光させ、露光後加熱し、現
   像し、この後、加熱してイミド化させて、ポリイミド樹
   脂からなる絶縁層を有する回路基板を製造する方法にお
   いて、上記感光性ポリイミド樹脂前駆体が（Ａ）(a) 1,
   ３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンと(b) 2,2'
   −ビス（トリフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェ
   ニルとからなる芳香族ジアミンと、（Ｂ）(a) 3,4,3',
   4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と(b) 2,２
   −ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロ
   プロパン二無水物とからなる芳香族テトラカルボン酸二
   無水物との反応によって得られるポリアミド酸に感光剤
   を配合してなることを特徴とする回路基板の製造方法。
8. 【請求項８】感光剤が一般式（Ｉ） 【化３】 （式中、Ｘ¹ からＸ⁴ はそれぞれ独立に水素原子、フッ
   素原子、ニトロ基、メトキシ基、アミノ基、ジアルキル
   アミノ基、シアノ基又はフッ化アルキル基を示し、Ｙ¹
   はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ³ を示し、Ｙ² はシアノ
   基又は一般式−ＣＯＲ⁴ を示し、ここに、Ｒ³ 及びＲ⁴
   はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基若しくはア
   ルコキシ基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキ
   シ基、アミノ基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ¹ 、
   Ｒ² 及びＲ⁵ はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜
   ３のアルキル基を示す。Ｒ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ は、ケ
   ト基を含む５員環、６員環又は複素環の形成可能な員環
   となることができる。）で表わされる請求項７に記載の
   回路基板の製造方法。
9. 【請求項９】感光剤が４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−
   ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−1,４−ジヒド
   ロピリジン、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジアセチ
   ル−1,４−ジヒドロピリジン及び４−ｏ−ニトロフェニ
   ル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−１
   −メチル−４−ヒドロピリジンから選ばれる少なくとも
   １種のジヒドロピリジン誘導体である請求項７に記載の
   回路基板の製造方法。
10. 【請求項１０】芳香族ジアミン（Ａ）のうち、（ａ）成
    分が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０〜４０モル％
    であり、芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）のう
    ち、（ａ）成分が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０
    〜４０モル％である請求項７から９のいずれかに記載の
    回路基板の製造方法。
11. 【請求項１１】一般式（II） 【化４】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜１８のアルキレン基、Ｒ² は
    炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎは１〜１００の
    整数である。）で表わされるアミノ基含有２官能性ポリ
    シロキサンを芳香族ジアミンとこのアミノ基含有２官能
    性ポリシロキサンとからなる全ジアミン成分の１０モル
    ％以下の範囲で用いてなる請求項７から１０のいずれか
    に記載の回路基板の製造方法。
12. 【請求項１２】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる
    絶縁層を有し、その上に導体層からなるパターン回路を
    有する回路付きサスペンション基板において、上記ポリ
    イミド樹脂が（Ａ）(a) 1,３−ビス（４−アミノフェノ
    キシ）ベンゼンと(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチ
    ル）−4,4'−ジアミノビフェニルとからなる芳香族ジア
    ミンと、（Ｂ）(a) 3,4,3',4' −ビフェニルテトラカル
    ボン酸二無水物と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシ
    フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物とからなる
    芳香族テトラカルボン酸二無水物との反応によって得ら
    れるポリイミド樹脂であることを特徴とする回路付きサ
    スペンション基板。
13. 【請求項１３】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる
    絶縁層を有し、その上に導体層からなるパターン回路を
    有する回路付きサスペンション基板において、上記ポリ
    イミド樹脂が（Ａ）(a) 1,３−ビス（４−アミノフェノ
    キシ）ベンゼンと(b) 2,2'−ビス（トリフルオロメチ
    ル）−4,4'−ジアミノビフェニルとからなる芳香族ジア
    ミンと、（Ｂ）(a) 3,4,3',4' −ビフェニルテトラカル
    ボン酸二無水物と(b) 2,２−ビス（3,４−ジカルボキシ
    フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物とからなる
    芳香族テトラカルボン酸二無水物より得られるポリイミ
    ド樹脂前駆体を感光剤の存在下で反応して得られるポリ
    イミド樹脂であることを特徴とする回路付きサスペンシ
    ョン基板。
14. 【請求項１４】感光剤が一般式（Ｉ） 【化５】 （式中、Ｘ¹ からＸ⁴ はそれぞれ独立に水素原子、フッ
    素原子、ニトロ基、メトキシ基、アミノ基、ジアルキル
    アミノ基、シアノ基又はフッ化アルキル基を示し、Ｙ¹
    はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ³ を示し、Ｙ² はシアノ
    基又は一般式−ＣＯＲ⁴ を示し、ここに、Ｒ³ 及びＲ⁴
    はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基若しくはア
    ルコキシ基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキ
    シ基、アミノ基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ¹ 、
    Ｒ² 及びＲ⁵ はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜
    ３のアルキル基を示す。Ｒ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ は、ケ
    ト基を含む５員環、６員環又は複素環の形成可能な員環
    となることができる。）で表わされる請求項１３に記載
    の回路付きサスペンション基板。
15. 【請求項１５】感光剤が４−ｏ−ニトロフェニル−3,５
    −ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−1,４−ジヒ
    ドロピリジン、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジアセ
    チル−1,４−ジヒドロピリジン及び４−ｏ−ニトロフェ
    ニル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−
    １−メチル−４−ヒドロピリジンから選ばれる少なくと
    も１種のジヒドロピリジン誘導体である請求項１３に記
    載の回路付きサスペンション基板。
16. 【請求項１６】芳香族ジアミン（Ａ）のうち、（ａ）成
    分が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０〜４０モル％
    であり、芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）のう
    ち、（ａ）成分が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０
    〜４０モル％である請求項１２から１５のいずれかに記
    載の回路付きサスペンション基板。
17. 【請求項１７】一般式（II） 【化６】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜１８のアルキレン基、Ｒ² は
    炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎは１〜１００の
    整数である。）で表わされるアミノ基含有２官能性ポリ
    シロキサンを芳香族ジアミンとこのアミノ基含有２官能
    性ポリシロキサンとからなる全ジアミン成分の１０モル
    ％以下の範囲で用いてなる請求項１２から１６のいずれ
    かに記載の回路付きサスペンション基板。
18. 【請求項１８】金属箔基材上に感光性ポリイミド樹脂前
    駆体からなる被膜を形成し、露光させ、露光後加熱し、
    現像し、この後、加熱してイミド化させて、ポリイミド
    樹脂からなる絶縁層を有する回路基板を形成し、次い
    で、上記絶縁層の上に導体層からなるパターン回路を形
    成する回路付きサスペンション基板の製造方法におい
    て、上記感光性ポリイミド樹脂前駆体が（Ａ）(a) 1,３
    −ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンと(b) 2,2'−
    ビス（トリフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニ
    ルとからなる芳香族ジアミンと、（Ｂ）(a) 3,4,3',4'
    −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と(b) 2,２−ビ
    ス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
    パン二無水物とからなる芳香族テトラカルボン酸二無水
    物との反応によって得られるポリアミド酸に感光剤を配
    合してなることを特徴とする回路付きサスペンション基
    板の製造方法。
19. 【請求項１９】感光剤が一般式（Ｉ） 【化７】 （式中、Ｘ¹ からＸ⁴ はそれぞれ独立に水素原子、フッ
    素原子、ニトロ基、メトキシ基、アミノ基、ジアルキル
    アミノ基、シアノ基又はフッ化アルキル基を示し、Ｙ¹
    はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ³ を示し、Ｙ² はシアノ
    基又は一般式−ＣＯＲ⁴ を示し、ここに、Ｒ³ 及びＲ⁴
    はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基若しくはア
    ルコキシ基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキ
    シ基、アミノ基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ¹ 、
    Ｒ² 及びＲ⁵ はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜
    ３のアルキル基を示す。Ｒ¹ とＲ³ 、Ｒ² とＲ⁴ は、ケ
    ト基を含む５員環、６員環又は複素環の形成可能な員環
    となることができる。）で表わされることを特徴とする
    請求項１８に記載の回路付きサスペンション基板の製造
    方法。
20. 【請求項２０】感光剤が４−ｏ−ニトロフェニル−3,５
    −ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−1,４−ジヒ
    ドロピリジン、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジアセ
    チル−1,４−ジヒドロピリジン及び４−ｏ−ニトロフェ
    ニル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチル−
    １−メチル−４−ヒドロピリジンから選ばれる少なくと
    も１種のジヒドロピリジン誘導体である請求項１８に記
    載の回路付きサスペンション基板の製造方法。
21. 【請求項２１】芳香族ジアミン（Ａ）のうち、（ａ）成
    分が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０〜４０モル％
    であり、芳香族テトラカルボン酸二無水物（Ｂ）のう
    ち、（ａ）成分が４０〜６０モル％、（ｂ）成分が６０
    〜４０モル％である請求項１８から２０のいずれかに記
    載の回路付きサスペンション基板の製造方法。
22. 【請求項２２】一般式（II） 【化８】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜１８のアルキレン基、Ｒ² は
    炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎは１〜１００の
    整数である。）で表わされるアミノ基含有２官能性ポリ
    シロキサンを芳香族ジアミンとこのアミノ基含有２官能
    性ポリシロキサンとからなる全ジアミン成分の１０モル
    ％以下の範囲で用いてなる請求項１８から２１のいずれ
    かに記載の回路付きサスペンション基板の製造方法。