JPH1020320A - 透明導電膜のパターニング方法および透明電極付き基体 - Google Patents
透明導電膜のパターニング方法および透明電極付き基体Info
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- JPH1020320A JPH1020320A JP17689996A JP17689996A JPH1020320A JP H1020320 A JPH1020320 A JP H1020320A JP 17689996 A JP17689996 A JP 17689996A JP 17689996 A JP17689996 A JP 17689996A JP H1020320 A JPH1020320 A JP H1020320A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低比抵抗の透明導電膜を容易に、しかも精度よ
くパターニングできる方法と該方法により得られる透明
電極付き基体の提供。 【解決手段】基体１上に、アルカリ溶液または有機溶媒
に可溶なレジストを用いて所望のパターンを形成した後
に、透明酸化物層２と金属層３とがこの順に交互に（２
ｎ＋１）層積層されてなる透明導電膜を形成し、その
後、アルカリ溶液あるいは有機溶媒によりパターニング
する。
くパターニングできる方法と該方法により得られる透明
電極付き基体の提供。 【解決手段】基体１上に、アルカリ溶液または有機溶媒
に可溶なレジストを用いて所望のパターンを形成した後
に、透明酸化物層２と金属層３とがこの順に交互に（２
ｎ＋１）層積層されてなる透明導電膜を形成し、その
後、アルカリ溶液あるいは有機溶媒によりパターニング
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明電導膜のパタ
ーニング方法と、該方法を用いて得られる電子ディスプ
レイ用として好適な透明電極付き基体に関する。
ーニング方法と、該方法を用いて得られる電子ディスプ
レイ用として好適な透明電極付き基体に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶ディスプレイ（以下ＬＣＤと
称する）などの透明電極として、スズを含んだ酸化イン
ジウム膜（以下ＩＴＯ膜と称する）が広く用いられてい
るが、一方でさらなる低抵抗の透明電極も要求されてい
る。特に、ＳＴＮ型のカラーＬＣＤにおいては、その高
精細化、大画面化に伴い、液晶駆動用透明電極の線幅も
より細く、また長い形状のものが必要となり、シート抵
抗３Ω／□以下の極めて低抵抗の透明導電膜が必要とさ
れる。
称する）などの透明電極として、スズを含んだ酸化イン
ジウム膜（以下ＩＴＯ膜と称する）が広く用いられてい
るが、一方でさらなる低抵抗の透明電極も要求されてい
る。特に、ＳＴＮ型のカラーＬＣＤにおいては、その高
精細化、大画面化に伴い、液晶駆動用透明電極の線幅も
より細く、また長い形状のものが必要となり、シート抵
抗３Ω／□以下の極めて低抵抗の透明導電膜が必要とさ
れる。
【０００３】しかし、従来のＩＴＯ膜を用いた場合、こ
のシート抵抗を達成するためには、膜厚を３００ｎｍ以
上にする必要があり、ＩＴＯ膜の成膜コストが増加する
こと、電極パターニングの困難さが増加することなどの
問題が生じ、限界がある。
のシート抵抗を達成するためには、膜厚を３００ｎｍ以
上にする必要があり、ＩＴＯ膜の成膜コストが増加する
こと、電極パターニングの困難さが増加することなどの
問題が生じ、限界がある。
【０００４】他方、低抵抗透明導電膜を容易に得る方法
としては、Ａｇなどの金属層をＩＴＯなどの透明体層で
はさんだ透明体層／金属層／透明体層という構成が知ら
れているが、十分なパターニング性能が得られず、実用
化されていなかった。
としては、Ａｇなどの金属層をＩＴＯなどの透明体層で
はさんだ透明体層／金属層／透明体層という構成が知ら
れているが、十分なパターニング性能が得られず、実用
化されていなかった。
【０００５】すなわち、酸化物層と金属層の酸などのエ
ッチング液に対するエッチング特性が異なるために、金
属層のエッチング残渣が発生したり、シャープなエッジ
形状が得られない、十分なパターン寸法精度が実現でき
ない等の問題点があった。
ッチング液に対するエッチング特性が異なるために、金
属層のエッチング残渣が発生したり、シャープなエッジ
形状が得られない、十分なパターン寸法精度が実現でき
ない等の問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術が
有していた前述の欠点を解決し、低比抵抗の透明導電膜
を容易に、しかも精度よくパターニングできる方法、お
よびその方法によって形成された低抵抗微細電極を有す
る透明電極付き基体の提供を目的とする。
有していた前述の欠点を解決し、低比抵抗の透明導電膜
を容易に、しかも精度よくパターニングできる方法、お
よびその方法によって形成された低抵抗微細電極を有す
る透明電極付き基体の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体上に、透
明酸化物層と金属層とがこの順に交互に（２ｎ＋１）層
（ｎ≧１）積層されてなる透明導電膜のパターニング法
において、基体上に、アルカリ溶液または有機溶媒に可
溶なレジストを用いて所望のパターンを形成した後に、
前記透明導電膜を形成し、その後、アルカリ溶液あるい
は有機溶媒により該透明電導膜の不要な部分をレジスト
ごと剥離することを特徴とする透明導電膜のパターニン
グ方法を提供する。
明酸化物層と金属層とがこの順に交互に（２ｎ＋１）層
（ｎ≧１）積層されてなる透明導電膜のパターニング法
において、基体上に、アルカリ溶液または有機溶媒に可
溶なレジストを用いて所望のパターンを形成した後に、
前記透明導電膜を形成し、その後、アルカリ溶液あるい
は有機溶媒により該透明電導膜の不要な部分をレジスト
ごと剥離することを特徴とする透明導電膜のパターニン
グ方法を提供する。
【０００８】本発明は、また、基体上に、透明酸化物層
と金属層とがこの順に交互に（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）
積層されてなる透明導電膜が形成された透明電極付き基
体において、前記透明導電膜が、前記のパターニング方
法によりパターニングされた透明導電膜であることを特
徴とする透明電極付き基体を提供する。
と金属層とがこの順に交互に（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）
積層されてなる透明導電膜が形成された透明電極付き基
体において、前記透明導電膜が、前記のパターニング方
法によりパターニングされた透明導電膜であることを特
徴とする透明電極付き基体を提供する。
【０００９】図１に本発明の透明導電膜付き基体の３層
構成の断面模式図を示す。図２に代表的なカラー液晶デ
ィスプレイ用基板の断面模式図を示す。また、図３に
は、本発明のパターニング方法の模式手順を示す。
構成の断面模式図を示す。図２に代表的なカラー液晶デ
ィスプレイ用基板の断面模式図を示す。また、図３に
は、本発明のパターニング方法の模式手順を示す。
【００１０】１はカラーフィルタ付き基板などの基体、
２、４は透明酸化物層、３は金属層を示す。５はガラス
などの透明基板、６はカラー画素となるカラーフィルタ
層、７は透明樹脂保護層、８は無機中間膜層、９はアル
カリ溶液または有機溶媒に可溶なレジストを示す。
２、４は透明酸化物層、３は金属層を示す。５はガラス
などの透明基板、６はカラー画素となるカラーフィルタ
層、７は透明樹脂保護層、８は無機中間膜層、９はアル
カリ溶液または有機溶媒に可溶なレジストを示す。
【００１１】本発明における基体１としては、ガラス板
の他、樹脂製のフィルムや板も使用できる。また、図２
に示すようにガラス基板５上にカラー画素となるカラー
フィルタ層６を形成した基体、さらに、該カラーフィル
タ層上に、カラーフィルタ層を保護、平滑化するための
透明樹脂層７やこれら樹脂層と透明導電膜との密着性を
高めるためのシリカ、ＳｉＮX などの無機中間膜層８を
順次積層した基体を用いてもよい。
の他、樹脂製のフィルムや板も使用できる。また、図２
に示すようにガラス基板５上にカラー画素となるカラー
フィルタ層６を形成した基体、さらに、該カラーフィル
タ層上に、カラーフィルタ層を保護、平滑化するための
透明樹脂層７やこれら樹脂層と透明導電膜との密着性を
高めるためのシリカ、ＳｉＮX などの無機中間膜層８を
順次積層した基体を用いてもよい。
【００１２】透明酸化物層２、４としては、電気抵抗が
低いという理由から、酸化インジウムまたは酸化亜鉛を
主成分とする透明酸化物層が好ましい。
低いという理由から、酸化インジウムまたは酸化亜鉛を
主成分とする透明酸化物層が好ましい。
【００１３】特に、酸化インジウムを主成分とする膜と
しては、（Ｉｎ＋Ｓｎ）に対してＳｎを０〜１５原子％
含んだ酸化インジウム、また酸化亜鉛を主成分とする膜
としては、（亜鉛＋添加金属）に対してＧａやＡｌなど
の添加金属を０〜１５原子％含んだ酸化亜鉛膜が好まし
い。
しては、（Ｉｎ＋Ｓｎ）に対してＳｎを０〜１５原子％
含んだ酸化インジウム、また酸化亜鉛を主成分とする膜
としては、（亜鉛＋添加金属）に対してＧａやＡｌなど
の添加金属を０〜１５原子％含んだ酸化亜鉛膜が好まし
い。
【００１４】これら透明酸化物層のそれぞれの膜厚（幾
何学的膜厚）は、特に限定されないが、好ましい色調お
よびより高い可視光透過率を得るために、１０〜２００
ｎｍが適当である。
何学的膜厚）は、特に限定されないが、好ましい色調お
よびより高い可視光透過率を得るために、１０〜２００
ｎｍが適当である。
【００１５】金属層３としては、低い抵抗とより高い可
視光透過率が得られるという理由から、Ａｇを主成分と
する金属層が好ましい。特に、Ａｇの凝集現象を防止
し、耐久性の高いＡｇ膜が得られるという理由から、
（Ａｇ＋Ｐｄ）に対して０．１〜５．０原子％のＰｄを
添加したＡｇ層や、０．１〜３ｎｍのＰｄ膜とＡｇ膜と
を積層させた層とすることが好ましい。また、該金属層
３の膜厚（幾何学的膜厚）は、３〜２０ｎｍが好まし
い。
視光透過率が得られるという理由から、Ａｇを主成分と
する金属層が好ましい。特に、Ａｇの凝集現象を防止
し、耐久性の高いＡｇ膜が得られるという理由から、
（Ａｇ＋Ｐｄ）に対して０．１〜５．０原子％のＰｄを
添加したＡｇ層や、０．１〜３ｎｍのＰｄ膜とＡｇ膜と
を積層させた層とすることが好ましい。また、該金属層
３の膜厚（幾何学的膜厚）は、３〜２０ｎｍが好まし
い。
【００１６】かかる理由としては、金属層３の膜厚が３
ｎｍ未満では低いシート抵抗が得られず、２０ｎｍ超過
では可視光透過率の低下をもたらすので好ましくない。
ｎｍ未満では低いシート抵抗が得られず、２０ｎｍ超過
では可視光透過率の低下をもたらすので好ましくない。
【００１７】該透明導電膜のパターニング手段として
は、図３（ａ）に示すごとく、基体１上に所望のレジス
トパターンを形成した後に、該透明導電膜を形成し（図
３（ｂ））、その後、図３（ｃ）に示すごとくアルカリ
溶液または有機溶媒により該透明電導膜の不要な部分を
レジストごと剥離する。
は、図３（ａ）に示すごとく、基体１上に所望のレジス
トパターンを形成した後に、該透明導電膜を形成し（図
３（ｂ））、その後、図３（ｃ）に示すごとくアルカリ
溶液または有機溶媒により該透明電導膜の不要な部分を
レジストごと剥離する。
【００１８】レジストをエッチングのマスクとして用
い、酸性エッチング液により、透明導電膜の不要な部分
をエッチング除去する従来のパターニング法では、１）
エッチング速度などのエッチング特性が酸化物と金属で
は大きく異なること、２）透明導電膜とレジスト界面の
付着力も十分ではないことなどから、これらの特性を考
慮したエッチング液の組成、エッチング条件の最適化
は、非常に煩雑なものがあり、エッチング残渣が時折発
生し、歩留低下の要因となっていた。また、得られるパ
ターン精度も必ずしも十分なものではなかった。
い、酸性エッチング液により、透明導電膜の不要な部分
をエッチング除去する従来のパターニング法では、１）
エッチング速度などのエッチング特性が酸化物と金属で
は大きく異なること、２）透明導電膜とレジスト界面の
付着力も十分ではないことなどから、これらの特性を考
慮したエッチング液の組成、エッチング条件の最適化
は、非常に煩雑なものがあり、エッチング残渣が時折発
生し、歩留低下の要因となっていた。また、得られるパ
ターン精度も必ずしも十分なものではなかった。
【００１９】本発明においては、アルカリ溶液あるいは
有機溶媒に可溶なレジストを用い、かつ酸を用いずにア
ルカリ溶液または有機溶媒によりパターニングするた
め、前述の酸性エッチング液を用いた不具合が解消され
る。
有機溶媒に可溶なレジストを用い、かつ酸を用いずにア
ルカリ溶液または有機溶媒によりパターニングするた
め、前述の酸性エッチング液を用いた不具合が解消され
る。
【００２０】本発明において用いるアルカリ溶液あるい
は有機溶媒に可溶なレジストとしては、透明導電膜や基
体にダメージを与えないものであれば特に限定されず、
感光性材料を含んだノボラック樹脂などが挙げられる。
レジストは、例えば、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルモノアセテートなどの有機溶媒に溶かして用いら
れる。
は有機溶媒に可溶なレジストとしては、透明導電膜や基
体にダメージを与えないものであれば特に限定されず、
感光性材料を含んだノボラック樹脂などが挙げられる。
レジストは、例えば、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルモノアセテートなどの有機溶媒に溶かして用いら
れる。
【００２１】本発明においてパターニングするために用
いるアルカリ溶液としては、透明導電膜や基体にダメー
ジを与えないものであれば特に限定されず、ＮａＯＨを
溶液に対して０．５〜３重量％含んだアルカリ水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウムを溶液に対して２〜３
重量％含んだアルカリ水溶液や、Ｏ−ジクロルベンゼ
ン、フェノール、あるいはアルキルベンゼンスルホン酸
からなるアルカリ溶液などが挙げられる。
いるアルカリ溶液としては、透明導電膜や基体にダメー
ジを与えないものであれば特に限定されず、ＮａＯＨを
溶液に対して０．５〜３重量％含んだアルカリ水溶液、
水酸化テトラメチルアンモニウムを溶液に対して２〜３
重量％含んだアルカリ水溶液や、Ｏ−ジクロルベンゼ
ン、フェノール、あるいはアルキルベンゼンスルホン酸
からなるアルカリ溶液などが挙げられる。
【００２２】本発明においてパターニングするために用
いる有機溶媒としては、透明導電膜や基体にダメージを
与えないものであれば特に限定されず、イソプロピルア
ルコール、ジメチルスルホキシド、エチレングリコー
ル、トリクレンなどの有機溶媒が挙げられる。
いる有機溶媒としては、透明導電膜や基体にダメージを
与えないものであれば特に限定されず、イソプロピルア
ルコール、ジメチルスルホキシド、エチレングリコー
ル、トリクレンなどの有機溶媒が挙げられる。
【００２３】また、レジストパターンの形成方法につい
ては、数μｍオーダーの微細パターンが容易に得られる
フォトリソグラフィー法が好ましい。
ては、数μｍオーダーの微細パターンが容易に得られる
フォトリソグラフィー法が好ましい。
【００２４】また、効率的にレジストの剥離を行うため
に、レジスト剥離の時に超音波振動を与えたり、柔らか
いブラシなどによりラビングしてもよい。
に、レジスト剥離の時に超音波振動を与えたり、柔らか
いブラシなどによりラビングしてもよい。
【００２５】また、透明導電膜は、１５０℃以下の基板
温度で形成されることが好ましい。かかる理由として、
１５０℃以上の基板温度では、透明電導膜が緻密にな
り、レジスト剥離液の浸透を妨げ、レジストを容易に剥
離できなくなる他に、成膜の際にレジストの分解が起こ
り、透明導電膜の特性を低下させるためである。
温度で形成されることが好ましい。かかる理由として、
１５０℃以上の基板温度では、透明電導膜が緻密にな
り、レジスト剥離液の浸透を妨げ、レジストを容易に剥
離できなくなる他に、成膜の際にレジストの分解が起こ
り、透明導電膜の特性を低下させるためである。
【００２６】以上のように、透明導電膜の成膜温度を１
５０℃以下とすることで、レジスト剥離液の浸透性をよ
くしたり、また、剥離時に機械的な外力を加えることに
よって、より効果的に不要な部分の透明導電膜をレジス
トごと剥離することができ、１μｍ程度と寸法精度の非
常に高い電極パターンを容易に形成できる。
５０℃以下とすることで、レジスト剥離液の浸透性をよ
くしたり、また、剥離時に機械的な外力を加えることに
よって、より効果的に不要な部分の透明導電膜をレジス
トごと剥離することができ、１μｍ程度と寸法精度の非
常に高い電極パターンを容易に形成できる。
【００２７】なお、透明導電膜は、低シート抵抗、高可
視光透過率、高耐久性を示すが、さらに特性を向上させ
るために、透明導電膜の成膜直後、あるいはレジストの
剥離後に１００〜３００℃の加熱処理を行ってもよい。
視光透過率、高耐久性を示すが、さらに特性を向上させ
るために、透明導電膜の成膜直後、あるいはレジストの
剥離後に１００〜３００℃の加熱処理を行ってもよい。
【００２８】
【実施例】ガラス基板５上に、カラーフィルタ層６、お
よびカラーフィルタの保護と平滑化のためのアクリル系
樹脂層保護層７、そしてシリカ中間層８があらかじめ形
成された基体１上に、ノボラック系樹脂からなるフォト
レジストを塗布し、通常のフォトリソグラフィー法によ
りライン幅１３０μｍ、スペース幅２５μｍとなるスト
ライプ状パターン９を形成した（図３（ａ））。
よびカラーフィルタの保護と平滑化のためのアクリル系
樹脂層保護層７、そしてシリカ中間層８があらかじめ形
成された基体１上に、ノボラック系樹脂からなるフォト
レジストを塗布し、通常のフォトリソグラフィー法によ
りライン幅１３０μｍ、スペース幅２５μｍとなるスト
ライプ状パターン９を形成した（図３（ａ））。
【００２９】次いで、表１に示すような例１〜５の５種
類の構成の透明導電膜を直流スパッタリング法により、
基板加熱を行わずに形成した（図３（ｂ））。
類の構成の透明導電膜を直流スパッタリング法により、
基板加熱を行わずに形成した（図３（ｂ））。
【００３０】なお、表１において、熱処理「有り」の場
合は、透明導電膜形成後に、大気雰囲気で、２５０℃、
３０分という条件で熱処理を行ったことを意味する。
合は、透明導電膜形成後に、大気雰囲気で、２５０℃、
３０分という条件で熱処理を行ったことを意味する。
【００３１】その後、超音波振動を加えながら、ＮａＯ
Ｈの水溶液により、透明導電膜の不要な部分をレジスト
ごと剥離し、所望の電極パターンを形成した（図３
（ｃ））。
Ｈの水溶液により、透明導電膜の不要な部分をレジスト
ごと剥離し、所望の電極パターンを形成した（図３
（ｃ））。
【００３２】なお、ＺｎＯを主成分とする膜は、Ｇａを
（Ｇａ＋Ｚｎ）に対して５原子％含むＺｎＯ焼結体ター
ゲットを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜
した（ＧＺＯ膜と称する）。
（Ｇａ＋Ｚｎ）に対して５原子％含むＺｎＯ焼結体ター
ゲットを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜
した（ＧＺＯ膜と称する）。
【００３３】Ｉｎ2 Ｏ3 を主成分とする膜は、Ｓｎを
（Ｓｎ＋Ｉｎ）に対して１０原子％含むＩｎ2 Ｏ3 焼結
体ターゲットを用い、酸素を３％含んだＡｒガス３ｍＴ
ｏｒｒの雰囲気下で成膜した。
（Ｓｎ＋Ｉｎ）に対して１０原子％含むＩｎ2 Ｏ3 焼結
体ターゲットを用い、酸素を３％含んだＡｒガス３ｍＴ
ｏｒｒの雰囲気下で成膜した。
【００３４】金属膜は、Ａｇターゲット、Ｐｄターゲッ
ト、またはＰｄを（Ｐｄ＋Ａｇ）に対して１原子％含む
Ａｇ合金ターゲットを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰
囲気下で成膜した。
ト、またはＰｄを（Ｐｄ＋Ａｇ）に対して１原子％含む
Ａｇ合金ターゲットを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰
囲気下で成膜した。
【００３５】それぞれの膜厚は、スパッタ電力およびス
パッタ時間により調整した。
パッタ時間により調整した。
【００３６】また、比較例（例６〜７）として、従来法
である上記透明導電膜を成膜した後に、フォトリソグラ
フィー法によりライン幅１３０μｍ、スペース幅２５μ
ｍのストライプ状のレジストパターンを形成し、これを
マスクとして、塩化第二鉄を含んだ酸性水溶液により、
透明導電膜を透明導電膜をエッチング除去した。
である上記透明導電膜を成膜した後に、フォトリソグラ
フィー法によりライン幅１３０μｍ、スペース幅２５μ
ｍのストライプ状のレジストパターンを形成し、これを
マスクとして、塩化第二鉄を含んだ酸性水溶液により、
透明導電膜を透明導電膜をエッチング除去した。
【００３７】これらのサンプルの抵抗（Ω／□）、波長
が５５０ｎｍでの透過率を評価するとともにパターニン
グ性を評価し、表１にまとめた。パターニング性は、：
非常に良好で寸法精度１μｍ程度を○とし、寸法精度５
μｍ程度で一部エッチング残渣発生の場合を×とした。
が５５０ｎｍでの透過率を評価するとともにパターニン
グ性を評価し、表１にまとめた。パターニング性は、：
非常に良好で寸法精度１μｍ程度を○とし、寸法精度５
μｍ程度で一部エッチング残渣発生の場合を×とした。
【００３８】本方法を用いた実施例１〜５では、スペー
ス部に透明導電膜の残渣は一切見られず、エッジ形状も
非常にシャープで、しかもパターン幅の寸法精度も１μ
ｍ程度と良好なものが得られた。これに対し、例６〜７
ではエッジ形状はシャープなものが得られるが、一部に
エッチング残渣が発生したり、寸法精度が５μｍ程度と
より悪化した。
ス部に透明導電膜の残渣は一切見られず、エッジ形状も
非常にシャープで、しかもパターン幅の寸法精度も１μ
ｍ程度と良好なものが得られた。これに対し、例６〜７
ではエッジ形状はシャープなものが得られるが、一部に
エッチング残渣が発生したり、寸法精度が５μｍ程度と
より悪化した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、透明酸化物層と金属層
の積層体からなる低比抵抗の透明電導膜を、容易に、数
μｍオーダーで微細電極加工することができる。
の積層体からなる低比抵抗の透明電導膜を、容易に、数
μｍオーダーで微細電極加工することができる。
【００４１】したがって、ガラス基板上はもちろんのこ
と、成膜温度の低いプラスチック製基板（耐熱温度１０
０℃以下）やカラーＬＣＤ用のカラーフィルタ付き基板
上（耐熱温度２５０℃以下）に、３Ω／□以下の低抵抗
透明電極が提供可能となる。これにより液晶ディスプレ
イの高精細化、大画面化、表示品位の向上実現を容易に
することができる。
と、成膜温度の低いプラスチック製基板（耐熱温度１０
０℃以下）やカラーＬＣＤ用のカラーフィルタ付き基板
上（耐熱温度２５０℃以下）に、３Ω／□以下の低抵抗
透明電極が提供可能となる。これにより液晶ディスプレ
イの高精細化、大画面化、表示品位の向上実現を容易に
することができる。
【図１】本発明の実施形態の係わる透明導電膜の断面模
式図
式図
【図２】本発明に使用される代表的なカラー液晶ディス
プレイ用基板の断面模式図
プレイ用基板の断面模式図
【図３】本発明の実施形態に係わるパターニング方法の
工程模式図
工程模式図
１：基体 ２：透明酸化物層 ３：金属層 ４：透明酸化物層 ５：ガラス基板 ６：カラーフィルタ層 ７：樹脂保護層 ８：シリカなどの無機中間膜層 ９：レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 正美 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 西村 啓道 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】基体上に、透明酸化物層と金属層とがこの
順に交互に（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）積層されてなる透
明導電膜のパターニング法において、基体上に、アルカ
リ溶液または有機溶媒に可溶なレジストを用いて所望の
パターンを形成した後に、前記透明導電膜を形成し、そ
の後、アルカリ溶液あるいは有機溶媒により該透明電導
膜の不要な部分をレジストごと剥離することを特徴とす
る透明導電膜のパターニング方法。 - 【請求項２】該透明導電膜の透明酸化物層が、酸化イン
ジウムまたは酸化亜鉛を主成分とする透明酸化物層であ
る請求項１の透明導電膜のパターニング方法。 - 【請求項３】該透明導電膜の金属層が、Ａｇを主成分と
する金属層である請求項１または２の透明導電膜のパタ
ーニング方法。 - 【請求項４】該透明導電膜が、１５０℃以下の基板温度
で形成された透明導電膜である請求項１〜３いずれか１
項の透明導電膜のパターニング方法。 - 【請求項５】基体上に、透明酸化物層と金属層とがこの
順に交互に（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）積層されてなる透
明導電膜が形成された透明電極付き基体において、前記
透明導電膜が、請求項１〜４いずれか１項のパターニン
グ方法によりパターニングされた透明導電膜であること
を特徴とする透明電極付き基体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17689996A JPH1020320A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 透明導電膜のパターニング方法および透明電極付き基体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17689996A JPH1020320A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 透明導電膜のパターニング方法および透明電極付き基体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1020320A true JPH1020320A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16021707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17689996A Pending JPH1020320A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | 透明導電膜のパターニング方法および透明電極付き基体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1020320A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008506272A (ja) * | 2004-07-12 | 2008-02-28 | グァンジュ インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2008507842A (ja) * | 2004-07-23 | 2008-03-13 | グァンジュ インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| KR100968809B1 (ko) | 2008-09-30 | 2010-07-08 | 한국전자통신연구원 | 산화 아연 나노 패턴 형성방법 |
| KR101273760B1 (ko) * | 2011-01-10 | 2013-06-12 | 경희대학교 산학협력단 | 투명전극과 이를 이용한 투명 안테나 및 투명전극의 제조방법 |
-
1996
- 1996-07-05 JP JP17689996A patent/JPH1020320A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008506272A (ja) * | 2004-07-12 | 2008-02-28 | グァンジュ インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| US7872271B2 (en) | 2004-07-12 | 2011-01-18 | Samsung Led Co., Ltd. | Flip-chip light emitting diodes and method of manufacturing thereof |
| US8202751B2 (en) | 2004-07-12 | 2012-06-19 | Samsung Led Co., Ltd. | Flip-chip light emitting diodes and method of manufacturing thereof |
| JP2008507842A (ja) * | 2004-07-23 | 2008-03-13 | グァンジュ インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| US7880176B2 (en) | 2004-07-23 | 2011-02-01 | Samsung Led Co., Ltd. | Top-emitting light emitting diodes and methods of manufacturing thereof |
| US8053786B2 (en) | 2004-07-23 | 2011-11-08 | Samsung Led Co., Ltd. | Top-emitting light emitting diodes and methods of manufacturing thereof |
| JP2013065889A (ja) * | 2004-07-23 | 2013-04-11 | Samsung Electronics Co Ltd | トップエミット型窒化物系発光素子 |
| KR100968809B1 (ko) | 2008-09-30 | 2010-07-08 | 한국전자통신연구원 | 산화 아연 나노 패턴 형성방법 |
| KR101273760B1 (ko) * | 2011-01-10 | 2013-06-12 | 경희대학교 산학협력단 | 투명전극과 이를 이용한 투명 안테나 및 투명전극의 제조방법 |
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