JPH1170610A

JPH1170610A - 透明導電膜、および透明電極の形成方法

Info

Publication number: JPH1170610A
Application number: JP9194446A
Authority: JP
Inventors: Satoru Takagi; 悟高木; Kazuo Sato; 一夫佐藤; Masami Miyazaki; 正美宮崎; Arinori Kawamura; 有紀河村; Hiromichi Nishimura; 啓道西村
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1996-07-26
Filing date: 1997-07-18
Publication date: 1999-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】低比抵抗で、耐久性に優れ、微細電極加工性能
に優れた透明導電膜と透明電極形成方法の提供。【解決手段】基体１側から、透明酸化物層２、４とＡｇ
を含有する金属層３がこの順に（２ｎ＋１）層（ｎは１
以上の整数）積層され、透明酸化物層２、４が、ＺｎＯ
を含み、かつＩｎを、ＺｎとＩｎとの総和に対して９〜
９８原子％の範囲で含有する酸化物層である透明導電膜
および透明電極の形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）などに使用される透明導電膜、および透明電
極の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＬＣＤ用電極としてＩｎとＳｎと
の混合酸化物（以下、ＩｎＳｎ_x Ｏ_yという）膜が広く
用いられている。特に、ＳＴＮ型のカラーＬＣＤにおい
ては、その高精細化、大画面化に伴い、液晶駆動用透明
電極の線幅もより細く、また長い形状のものが必要とな
ってきている。このため、シート抵抗３Ω／□以下のき
わめて低抵抗の透明導電膜が必要とされる。このシート
抵抗を達成するためには、透明導電膜の厚膜化（３００
ｎｍ以上）または低比抵抗化（１００μΩ・ｃｍ以下）
をはかる必要がある。

【０００３】しかし、厚膜化は、１）透明導電膜の成膜
コストが増加すること、２）電極パターニングの困難さ
が増加すること、３）透明電極の有無による段差が大き
くなり、液晶の配向制御が困難になるなどの問題が生じ
るため、限界がある。一方、ＩｎＳｎ_x Ｏ_y 膜自体を低
比抵抗化する方法も検討されているが、１００μΩ・ｃ
ｍ以下の低抵抗ＩｎＳｎ_x Ｏ_y 膜を安定して生産する方
法はまだ確立されていない。

【０００４】他方、１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗透明
導電膜を容易に得る方法としては、Ａｇ層をＩｎＳｎ_x
Ｏ_y 層で挟んだＩｎＳｎ_x Ｏ_y ／Ａｇ／ＩｎＳｎ_x Ｏ_y
という構成が知られている。しかし、この構成も低比抵
抗ではあるが、室内放置により膜剥離と思われる白色欠
点を生じてしまうほど耐久性が不充分である。また、酸
性水溶液を用いたエッチングによる電極加工の際にも、
サイドエッチングが進行し、パターンエッジ部に剥離が
見られるなど、その加工性は不充分である。

【０００５】このため、ＩｎＳｎ_x Ｏ_y ／Ａｇ／ＩｎＳ
ｎ_x Ｏ_y 構成の基板は低抵抗が容易に得られる利点を有
しながら、ＬＣＤ用透明導電基板としてはこれまで実用
化されていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＬＣＤなど
に使用される、低比抵抗で、耐久性に優れ、微細電極加
工性能に優れた透明導電膜、および透明電極の形成方法
の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基体上に、基
体側から、透明酸化物層と金属層とがこの順に（２ｎ＋
１）層（ｎは１以上の整数）積層されてなる透明導電膜
において、透明酸化物層は、ＺｎＯを含み、かつ、Ｉｎ
を、ＺｎとＩｎとの総和に対して９〜９８原子％の範囲
で含有する酸化物層であり、金属層は、Ａｇを含有する
金属層であることを特徴とする透明導電膜を提供する。

【０００８】図１（ａ）にｎ＝１の場合、図１（ｂ）に
ｎ＝２の場合の本発明の透明導電膜の断面図を示す。１
は基体、２、４、６は透明酸化物層、３、５はＡｇを含
有する金属層である。透明酸化物層２、４、６は、Ｚｎ
Ｏを含み、かつ、Ｉｎを、ＺｎとＩｎとの総和に対して
９〜９８原子％の範囲で含有する酸化物層である。Ｉｎ
の含有割合は、特に４５〜９５原子％が好ましい。

【０００９】本発明は、透明酸化物層がＺｎＯを含有す
るため、従来のＩｎＳｎ_x Ｏ_y 膜を用いた場合に比較し
て、１５０℃以下の低温成膜条件下においても、Ａｇの
結晶化を促し、Ａｇを含有する金属層（以下、Ａｇ層と
いう）の低抵抗化とＡｇの凝集現象を防止するだけでな
く、ＺｎＯを含んだ酸化物層とＡｇ層との界面の付着力
が向上し、その結果、耐湿性と酸性水溶液による微細電
極パターンの加工性（以下、パターニング性という）が
著しく向上する。

【００１０】この際、Ａｇ層とＺｎＯ成分の富なる層が
接するように構成することが好ましい。特に、Ａｇ層と
接する酸化物層において、Ａｇ層と接する部分において
は、ＺｎをＺｎとＩｎとの総和に対して５０原子％以上
含有することが好ましい。この場合、Ｚｎが１００原子
％、すなわちＡｇ層と接する部分がＩｎを含まないＺｎ
Ｏとなっていてもよい。Ａｇ層と接する部分の厚さは、
１ｎｍ以上、特に５ｎｍ以上とすることが好ましい。

【００１１】また、酸化物層が、Ｉｎを、ＺｎとＩｎと
の総和に対して９〜９８原子％の範囲で含有するため、
前述のＺｎＯが有する優れた特徴に加え、アルカリ溶液
や酸性溶液に対する耐久性が向上する。

【００１２】本発明における基体１としては、ガラス
板、樹脂製フィルムなどが使用される。また、図２に示
すような基体も使用される。図２に、図１の基体１に相
当するカラーＬＣＤ用の基板を示す。３９はガラス基
板、７はカラー画素となるカラーフィルタ層、８は透明
樹脂保護層、９は無機中間層である。透明樹脂保護層８
は、カラーフィルタ層を保護、平滑化する。無機中間層
９は、透明樹脂保護層８と透明導電膜との密着性を高め
るためのもので、シリカ、ＳｉＮ_x などが用いられる。

【００１３】透明酸化物層の少なくとも１層は、１）Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ とＺｎＯとの混合酸化物からなる層、または、
２）図３に示すように、Ｉｎ₂ Ｏ₃ を主成分とする膜１
０とＺｎＯを主成分とする膜１１との多層膜からなる層
である。実用的には、すべての透明酸化物層は１）また
は２）のいずれかのタイプで統一されることが望まし
い。

【００１４】透明酸化物層が多層膜からなる層である場
合、透明酸化物層２の総膜厚が１０〜２００ｎｍで、総
膜厚に対してＩｎ₂ Ｏ₃ を主成分とする膜１０の合計の
膜厚比が５〜９５％であることが好ましい。透明酸化物
層４、６についても同様である。こうした構成とするこ
とによって、耐湿性やパターニング性が損なわれずに、
耐アルカリ性が向上する。特に、４５〜９５％であるこ
とが好ましい。なお、本明細書において「膜厚」は幾何
学的膜厚を意味する。

【００１５】基体から最も離れた透明酸化物層６とし
て、ａ）図４（ａ）に示すようなＩｎ₂ Ｏ₃ を主成分と
する膜とＺｎＯを主成分とする膜との多層膜からなる層
であって、基体から遠ざかる方向にある膜ほどＩｎの含
有量（ＺｎとＩｎとの総和に対するＩｎの割合）が増加
するように膜を重ねた多層膜からなる層とすること、ま
たは、ｂ）図４（ｂ）に示すようなＩｎ₂ Ｏ₃ とＺｎＯ
との混合酸化物層であって、基体から遠ざかる方向に行
くにしたがって、膜厚方向にＩｎ含有量が増加する傾斜
組成を有する層とすることが好ましい。なお、図４
（ｂ）は透明酸化物層６のＩｎの含有量が、基板から遠
ざかる方向で増加する様子を示している。

【００１６】図４において、１２は酸化物膜１３よりも
Ｉｎの含有量が少ない膜、１３は酸化物膜１２よりもＩ
ｎの含有量が多い膜、１４はＩｎの含有量が５０原子％
未満の部分、４０はＩｎの含有量が５０原子％以上の部
分である。ａ）またはｂ）の構成とすることで、アルカリ溶液や酸
性溶液に対する腐食・耐久性に優れる。

【００１７】ａ）の場合の作成例としては、基体側から
ＺｎＯを主成分とする膜とＩｎ₂ Ｏ₃ を主成分とする膜
をこの順で積層し、基体から遠ざかる方向に行くほど、
ＺｎＯを主成分とする膜厚に対するＩｎ₂ Ｏ₃ を主成分
とする膜の膜厚比を増加させ、かつ最上層をＩｎ₂ Ｏ₃
を主成分とする膜とすればよい。

【００１８】ｂ）の場合の作成例としては、ＺｎＯを主
成分とするターゲットとＩｎ₂ Ｏ₃を主成分とするター
ゲットとを同時にスパッタリングし、基体から遠ざかる
方向でＩｎ₂ Ｏ₃ の組成比が増加するようにそれぞれの
ターゲットのスパッタリング電力を変化させることで実
現できる。また、いくつかのＺｎＯとＩｎ₂ Ｏ₃ との組
成比の異なる混合酸化物ターゲットを、基体から遠ざか
る方向でＩｎ₂ Ｏ₃ の組成比が増加するような順番で、
順次スパッタリングすることによっても実現できる。

【００１９】また、基体に最も近い透明酸化物層２とし
て、ｃ）図４（ｃ）に示すようなＩｎ₂ Ｏ₃ を主成分と
する膜とＺｎＯを主成分とする膜との多層膜からなる層
であって、基体に近づく方向にある膜ほどＩｎの含有量
が増加するように膜を重ねた多層膜からなる層とするこ
と、または、ｄ）図４（ｄ）に示すようなＩｎ₂ Ｏ₃と
ＺｎＯとの混合酸化物層であって、基体と近づく方向に
行くにしたがって、膜厚方向にＩｎ含有量が増加する傾
斜組成を有する層とすることが好ましい。なお、図４
（ｄ）は透明酸化物層２のＩｎの含有量が基板に近づく
方向で増加する様子を示している。ｃ）またはｄ）の構
成とすることで、アルカリ溶液や酸性溶液に接触したと
きの付着力が著しく向上する。

【００２０】ａ）〜ｄ）の構成とした場合、該透明酸化
物層の膜厚は、色調および可視光透過率の観点から、１
０〜２００ｎｍが好ましい。また、ａ）〜ｄ）の構成に
おいては、ＺｎＯを主成分とする膜の膜厚に対する該膜
上のＩｎ₂ Ｏ₃ を主成分とする膜の膜厚比が１以上の部
分の合計の膜厚（例えば、最上の酸化物層６を基板側か
ら、ａ）ＺｎＯ（７ｎｍ）／ｂ）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （３ｎｍ）
／ｃ）ＺｎＯ（５ｎｍ）／ｄ）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （５ｎｍ）／
ｅ）ＺｎＯ（３ｎｍ）／ｆ）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （２０ｎｍ）と
した場合、ｃ）〜ｆ）の合計膜厚）、または、Ｉｎ含有
量が５０原子％を超える部分の膜厚は、パターニング性
および耐アルカリ性の観点から、５〜５０ｎｍが好まし
い。５ｎｍ未満では耐アルカリ性が優れず、５０ｎｍ超
ではパターニング性が低下するためである。

【００２１】特に、ａ）またはｂ）の構成において、基
体から最も離れた透明酸化物層６の下層部分１２または
１４がＩｎ含有量が５０〜９０原子％で、かつ上層部分
１３または４０がＩｎの含有量が９０原子％以上で、か
つ上層部分１３または４０の膜厚が５〜５０ｎｍである
ことが耐アルカリ性、パターニング性の観点から好まし
い。

【００２２】本発明において、ＺｎＯを主成分とする膜
を形成する場合、該膜はＧａを含有することが好まし
い。具体的にはＧａを含有するＺｎＯが好ましい。絶縁
物であるＺｎＯにＡｌなどの３価のドーパントを添加す
ると導電性を示すが、Ｇａを添加したものが最良の導電
性と可視光透過率を示す。

【００２３】また、ＺｎＯの成膜法として、量産性の高
い直流スパッタリングを想定した場合、Ｚｎ金属もター
ゲットとして使用できるが、成膜条件のマージンが狭い
難点がある。ＺｎにＧａを添加することでＺｎＯターゲ
ットからの直流スパッタリングが可能となり、その成膜
条件のマージンもきわめて広くなる。

【００２４】Ｇａの含有割合は、ＺｎとＧａとの総和に
対して１〜１５原子％であることが好ましい。１％原子
未満では成膜速度が遅くなり、ドープ量が１５原子％超
では可視光透過率が低くなる。

【００２５】本発明における金属層の１層以上は、１）
Ａｇと他の金属との合金膜からなる層、２）Ａｇ層と他
の金属層とからなる多層構成の層、または、３）Ａｇと
他の金属とからなり、層の厚さ方向にＡｇ濃度が変化す
る傾斜組成を有する層、とすることが好ましい。

【００２６】上記２）の場合、例えば、他の金属層が、
透明酸化物層との界面に介在するように構成することも
好ましい。この場合、界面は複数あるが、少なくとも１
つの界面に介在するように構成する。

【００２７】金属層を、上記のように、１）合金層、
２）多層構成層、または３）傾斜組成膜とすることで、
低抵抗、高い可視高透過性を損なわずに、Ａｇの凝集現
象による耐湿性低下を改善しうる。

【００２８】上記１）〜３）のいずれの場合でも、金属
層（図５、図６の３、５に相当）のそれぞれの厚さは、
３〜２０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満ではシ
ート抵抗が高くなり、２０ｎｍ超では可視光透過率が低
下する。

【００２９】他の金属としては、抵抗の低下、透過率の
向上、耐久性の向上を満足できるという理由から、Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍｏ、およびＡｌからな
る群から選ばれる１種以上の金属が好ましい。特に、他
の金属が、Ａｕおよび／またはＰｄであることが好まし
い。ＡｕやＰｄの添加によって、Ａｇの凝集現象を防止
し、耐久性の高いＡｇ膜が得られる。

【００３０】他の金属として、Ｐｄを例に挙げて上記
１）〜３）の金属層の構成を具体的に説明する。上記
１）の構成としては、ＡｇとＰｄとの合金膜からなる層
（ＰｄＡｇ合金層という）を用いる。ＰｄＡｇ合金層中
では、Ａｇ中にＰｄが均一に存在している。この場合、
ＰｄＡｇ合金層におけるＰｄの含有割合は、Ａｇとの総
和に対して、０．１〜５．０原子％であることが好まし
い。０．１原子％未満では耐久性が不充分となり、５．
０原子％超では可視光透過率の低下および抵抗の上昇を
もたらす。

【００３１】上記２）の構成としては、図５（ａ）に示
すように、透明酸化物層２、４とＡｇ層１６との界面
に、Ｐｄ層（介在層）１５、１７が介在する。この場
合、介在層１５、１７の厚さの範囲は、０．１〜３ｎｍ
が好ましい。この厚さで介在すると、前記１）のＰｄを
添加する効果と同様の効果が得られる。介在層の厚さが
０．１ｎｍ未満では耐久性が不充分となり、３ｎｍ超で
は可視光透過率が低下する。特に、０．１〜１ｎｍが好
ましい。また、上記２）の構成として、図６（ａ）に示
すように、Ａｇ層２２とＰｄ層２１との多層構成として
もよい。この場合、各Ｐｄ層２１の厚さを０．１〜３ｎ
ｍ、各Ａｇ層２２の厚さを１〜２０ｎｍとすることが好
ましい。

【００３２】上記３）の構成としては、図５（ｂ）、ま
たは図６（ｂ）に示すように、層の厚さ方向にＡｇ濃度
が変化する傾斜組成を有する層を用いる。この場合、Ｐ
ｄ濃度が高くなるＰｄリッチ層１８、２０が介在する構
成や、図６（ｂ）に示すように、Ａｇリッチ層１９とＰ
ｄリッチ層１８、２０、２３、２４の多層構成などが用
いられる。

【００３３】Ｐｄリッチ層１８、２０、２３、２４と
は、図５（ｂ）に示すように、ＡｇとＰｄとの総和に対
してＰｄが５０原子％以上であるような層である。Ｐｄ
リッチ層の厚さは、０．１ｎｍでは耐久性が不充分とな
り、３ｎｍ超では可視光透過率が低下する傾向にあるこ
とから、０．１〜３ｎｍの厚さが適当である。

【００３４】透明導電膜を構成するそれぞれの層の厚さ
を前述の範囲内で選択することによって、光学的干渉効
果による透過率、色調の調整やシート抵抗値の調整がで
きる。本発明の（２ｎ＋１）層（ｎは１以上の整数）積
層されてなる透明導電膜の構成の具体例としては、ａ）
基体／透明酸化物層（５〜３０ｎｍ）／金属層（５〜２
０ｎｍ）／透明酸化物層（３０〜５０ｎｍ）、ｂ）透明
酸化物層（３０〜５０ｎｍ）／金属層（５〜２０ｎｍ）
／透明酸化物層（８０〜１２０ｎｍ）／金属層（５〜２
０ｎｍ）／透明酸化物層（３０〜５０ｎｍ）などがあ
る。

【００３５】本発明の透明導電膜は、低シート抵抗、高
可視光透過率、高耐久性を示すが、さらに特性を向上さ
せるために、成膜後１００〜３００℃の加熱処理を施し
てもよい。この熱処理によって、酸化物層およびＡｇ層
の結晶化、安定化を促し、より低い抵抗とより高い可視
光透過率が得られ、耐熱性も向上する。

【００３６】本発明の透明導電膜は、３Ω／□以下の低
い抵抗が容易に得られることから、ＬＣＤをはじめと
し、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマ
ディスプレイ、または、エレクトロクロミック素子など
の低抵抗を必要とする電子ディスプレイの透明電極膜と
して最適である。特に、単純マトリックス型ＬＣＤにお
いては、本発明の透明導電膜を用いることによって、表
示面積の大型化、クロストーク低減などの表示品位向上
に優れた効果を発揮する。

【００３７】本発明は、また、基体上に前記の透明導電
膜を形成した後、水素イオン濃度が０．０１〜９Ｍの酸
性水溶液を用いてエッチングすることによりパターニン
グする透明電極形成方法を提供する。本発明の透明電極
の形成方法を用いることにより、サイドエッチング量５
μｍ以下のパターニングが可能となり、微細な寸法精度
が要求されるＬＣＤなどの各種ディスプレイ用透明導電
基板の透明電極として好適である。

【００３８】第一のパターニング方法として、図１に示
すような透明導電膜上にフォトリソグラフィ法により所
望のレジストパターンを形成した後、水素イオン濃度
０．０１〜９Ｍ（ｍｏｌ／リットル）の酸性水溶液を用
いてエッチングすることでパターニングを行うことが挙
げられる。該水素イオン濃度範囲でも、サイドエッチン
グ量が５μｍ以下となる濃度範囲が好ましい。水素イオ
ン濃度０．０１Ｍ未満の酸性水溶液では、エッチングが
ほとんど進まず、水素イオン濃度９Ｍ超の酸性水溶液で
は、エッチング速度が速くなり制御困難となったり、サ
イドエッチング量も５μｍを超えて大きく進行してしま
う。

【００３９】酸性水溶液としては、塩酸、臭化水素酸、
ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、塩化第二鉄を主成分とする
水溶液などが挙げられる。特に、エッチング速度が大き
く、サイドエッチングが小さいという理由から、塩酸ま
たは臭化水素酸を主成分とする酸性水溶液が好ましい。

【００４０】また、Ａｇ層を効率よくエッチングできる
という理由から、前述の酸性水溶液に、Ａｇよりも酸化
還元電位が貴なる（Ａｇに対して酸化作用を有する）酸
化剤を添加することが好ましい。酸化剤の添加でＡｇの
溶解速度を高めることができ、より良好なパターニング
性が得られる。また、酸化剤の添加は、酸化インジウム
を効率的に溶解するという点からも効果がある。酸化剤
としては、亜硝酸、過酸化水素、過マンガン酸カリウ
ム、ヨウ素酸カリウム、硝酸第二セリウムアンモニウ
ム、塩化第二鉄などが挙げられる。特に、塩化第二鉄が
好ましい。

【００４１】この場合、酸性水溶液に酸化剤を添加し、
水素イオン濃度が０．０１〜９Ｍでありかつ酸化剤濃度
が０．０００１〜１．５Ｍであるようにすることが好ま
しい。この濃度範囲外では、Ａｇ層のエッチングが進行
しにくくなり、エッチング残渣が生じたり、サイドエッ
チング量が５μｍを超えて大きくなったりする。あるい
は、エッチング速度が速くなり制御困難となる。

【００４２】特に、制御しやすいエッチング速度が得ら
れることとサイドエッチングが小さいという理由から、
塩化第二鉄と塩酸、あるいは塩化第二鉄と臭化水素酸を
主成分とする酸性水溶液が好ましい。具体的には、サイ
ドエッチング量が２〜４μｍと非常に良好なパターニン
グ性が得られるという理由から、塩化第二鉄が０．０１
〜１．５Ｍに対して塩酸が水素イオン濃度で０．１〜５
Ｍとなる組合せ、または塩化第二鉄が０．０００５〜
０．５Ｍに対して臭化水素酸が水素イオン濃度で３〜９
Ｍとなる組合せなどが好ましい例として挙げられる。

【００４３】それぞれの膜構成に応じて、適宜、酸およ
び酸化剤の濃度を最適化して使用することが好ましい
が、酸化物層として、例４、６、１９に示すような酸化
亜鉛リッチな酸化物を用いた場合には、酸のみでも良好
なパターニングが可能となる。一方、酸のみでは溶解し
にくい酸化インジウムリッチな酸化物を用いた膜をパタ
ーニングする場合には、酸化インジウムを溶解しやすい
という理由からも上記の範囲内で酸化剤を添加すること
が好ましい。

【００４４】本発明においては、酸性水溶液として、ハ
ロゲンイオンを含有する酸性水溶液を用い、エッチング
した後、ハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液またはチオ
硫酸ナトリウムの水溶液に浸漬するが好ましい。こうし
た処理によって、図７に示すようなエッチング残渣２５
を効果的に除去できる。

【００４５】これは、エッチングの際の反応生成物など
のエッチング残渣を過剰のハロゲンイオンの存在する溶
液に浸漬すると溶解平衡が崩れ、エッチング残渣が速や
かにハロゲン化アルカリ金属塩の水溶液中に溶解するた
めと思われる。また、チオ硫酸ナトリウムの水溶液に浸
漬すると、ハロゲン化銀などのエッチング残渣が速やか
に溶解するためと思われる。

【００４６】ハロゲンイオンを含有する酸性水溶液とし
ては、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、塩化第二鉄水溶液などが
挙げられ、ハロゲン化アルカリ金属塩としては、ＮａＣ
ｌ、ＫＣｌ、ＮａＢｒなどが挙げられる。ハロゲン化ア
ルカリ金属塩の濃度としては、エッチング残渣の確実な
除去という点で０．５Ｍ以上とすることが好ましい。ま
た、チオ硫酸ナトリウムの濃度としては０．１〜３Ｍが
好ましい。

【００４７】本発明における第二のパターニング方法と
しては、図８に示すように、基体上に、アルカリ溶液ま
たは有機溶媒に可溶なレジストを用いて所望のパターン
を形成し、次いで前記の透明導電膜を形成し、その後、
アルカリ溶液または有機溶媒により該透明導電膜の不要
な部分をレジストごと剥離する方法が挙げられる。

【００４８】アルカリ溶液または有機溶媒に可溶なレジ
スト２６としては、感光性材料を含んだノボラック樹脂
をエチレングリコールモノエチルエーテルモノアセテー
ト等の有機溶媒に溶かしたものなどが挙げられる。剥離
液のアルカリ溶液としては、ＮａＯＨを溶液に対して
０．５〜３重量％含んだアルカリ水溶液、水酸化テトラ
メチルアンモニウムを溶液に対して２〜３重量％含んだ
アルカリ水溶液、あるいは、ｏ−ジクロルベンゼンとフ
ェノールとアルキルベンゼンスルホン酸とからなる有機
アルカリ溶液などが挙げられる。

【００４９】剥離液の有機溶媒としては、イソプロパノ
ール、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、ト
リクロロエチレンなどの有機溶媒が挙げられる。レジス
ト、剥離液ともに、透明導電膜や基体にダメージを与え
ないものであれば、特に限定されない。レジストパター
ン形成後の透明導電膜の成膜方法としては、レジストへ
の熱的なダメージを避けるために、１５０℃以下の基板
温度で成膜することが好ましい。

【００５０】前述の第一のパターニング方法の特徴とし
ては、成膜後の任意の電極パターンが形成できること、
成膜の際にレジストからの脱ガスによる膜特性劣化がな
いことが挙げられる。一方、第二のパターニング方法
は、煩雑なエッチング液組成やエッチング条件の最適化
は必要ないこと、酸との反応生成物などのエッチング残
渣も少なく、高いパターニング精度と良好なパターン形
状が得られるという特徴を有する。

【００５１】本発明の透明導電膜および透明電極形成方
法は、図９に示すような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）型
ＬＣＤにも応用できる。図９において、２７はゲート電
極、２８はゲート絶縁膜、２９は半導体層、３０は画素
電極、３１はドレイン電極、３２はソース電極、３３は
画素電極一体化ドレイン電極、３４はソース電極であ
る。

【００５２】本発明は、ＴＦＴ型ＬＣＤのソース電極、
ドレイン電極、および画素電極が前記の透明導電膜で形
成されたＬＣＤ用電極配線付き基板を提供する。本発明
は、また、基体上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜および
半導体層を形成した後に、前記の透明導電膜を形成し、
次いで、該透明導電膜をエッチング加工することにより
ソース電極および画素電極と一体化したドレイン電極を
形成することを特徴とするＬＣＤ用電極配線付き基板の
形成方法を提供する。

【００５３】前記の透明導電膜をソース電極３２、かつ
ドレイン電極３１、かつ画素電極３０として用いること
によって、ソース、ドレイン、画素電極の一括成膜、お
よび一括パターニングが可能となり、生産性向上や欠陥
の低減に優れた効果を発揮する。

【００５４】

【実施例】図２に示すような、ガラス基板３９、および
カラーフィルタ層７、およびカラーフィルタの保護と平
滑化のためのアクリル系透明樹脂保護層８、シリカ膜か
らなる無機中間層９をあらかじめ形成した基体１上に、
表１〜２の例１〜１８（いずれも実施例）および例１９
〜２０（いずれも比較例）に示すような構成の透明導電
膜を直流スパッタリングにより形成した。

【００５５】Ｉｎ₂ Ｏ₃ を主成分とする膜を形成する際
には、Ｓｎを１０原子％含むＩｎ₂Ｏ₃ （「Ｓｎを１０
原子％含むＩｎ₂ Ｏ₃ 」を以下「ＩＴＯ」という）焼結
体ターゲットを用い、３体積％酸素を含んだＡｒガス３
ｍＴｏｒｒの雰囲気で成膜した。ＺｎＯを主成分とする
膜を形成する際には、Ｇａを５原子％含むＺｎＯ（「Ｇ
ａを５原子％含むＺｎＯ」を以下「ＧＺＯ」という）焼
結体ターゲットを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気
で成膜した。

【００５６】酸化物層を多層構成とする場合には、ＩＴ
Ｏ層とＧＺＯ層を交互に積層し、Ａｇ層と接する部分に
は、ＧＺＯ層を配置するように、かつ最上層酸化物層の
最上部には、ＩＴＯ層を配置するように積層した。

【００５７】混合酸化物を形成する際にはＩｎとＺｎの
原子比が４：６（表では、混合１と記述）、８：２（表
では、混合２と記述）、９：１（表では、混合３と記
述）となる各種混合酸化物の焼結体ターゲットを用い、
３体積％酸素を含んだＡｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気で
成膜した。また、表中の多層１は、ＩＴＯの膜厚を約３
ｎｍ、ＧＺＯの膜厚を約７ｎｍとし、多層２は、ＩＴＯ
の膜厚を約７ｎｍ、ＧＺＯの膜厚を約３ｎｍとした。そ
して、多層１、多層２とも、ア）基体と金属層との間で
は、基体／ＩＴＯ／ＧＺＯ／・・・／ＩＴＯ／ＧＺＯ／
金属層、イ）金属層と金属層との間では、金属層／ＧＺ
Ｏ／ＩＴＯ／・・・／ＩＴＯ／ＧＺＯ／金属層、ウ）最
外の金属層上では、金属層／ＧＺＯ／ＩＴＯ・・・ＧＺ
Ｏ／ＩＴＯとなるように交互に積層した。

【００５８】金属層は、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、１原子％の
Ｐｄを含むＡｇ合金（１％ＰｄＡｇ）、または１原子％
のＡｕを含むＡｇ合金（１％ＡｕＡｇ）の各種ターゲッ
トを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気で成膜した。
それぞれの膜の膜厚は、スパッタリング電力および成膜
時間により調整した。表中のＰｄリッチ層、およびＡｇ
リッチ層は、ＰｄターゲットとＡｇターゲットとを同時
にスパッタリングし、酸化物層との界面でＰｄ組成比が
高くなり（５０％以上）、金属膜の中心部でＡｇ組成比
が高くなるように（５０％以上）、それぞれのターゲッ
トのスパッタリング電力を変化させ、Ｐｄリッチ層の厚
さが約１ｎｍとなるように作製した。

【００５９】また、成膜後に大気中で、２５０℃×３０
分間の熱処理を行った場合を熱処理「有り」とし、行わ
なかった場合を「無し」として表に示した。また、表中
の（）内の数字は膜厚（ｎｍ）である。

【００６０】表１と表２の例１〜２０に示すサンプルに
ついて、１）抵抗、２）可視光透過率、３）パターニン
グ性、４）耐湿性、５）耐アルカリ性を評価した。な
お、３）パターニング性、４）耐湿性、５）耐アルカリ
性の評価方法は表３に示す。

【００６１】パターニングは、表１、表２に示すそれぞ
れの透明導電膜上に、レジストを塗布し、フォトリソグ
ラフィ法によりライン幅１３０μｍ、スペース幅２０μ
ｍのストライプ状のレジストパターンを形成した後、次
に示すエッチング液により行った。すなわち、例４、
６、１９については、酸性水溶液と酸化剤とを兼ねた塩
化第二鉄のエッチング液を用い、それぞれについて、水
素イオン濃度が０．０１〜６Ｍの範囲から最適な濃度を
決定した後に行い、また、それ以外の例については、塩
酸（酸性水溶液）と塩化第二鉄（酸化剤）とからなるエ
ッチング液を用い、それぞれについて、水素イオン濃度
が０．１〜５Ｍ、かつ酸化剤濃度が０．０１〜１．５Ｍ
の範囲から最適な組成濃度を決定した後に行った。結果
は表１、２に示されるとおりである。

【００６２】次に、エッチング液の有効な組成範囲を詳
細に調べるために、透明導電膜を各種組成のエッチング
液を用いてパターニングした。すなわち、例１の透明導
電膜上に、前記同様にレジストパターンを形成した後、
表４に示す各種組成のエッチング液を用いてパターニン
グ性を評価した。結果は表４に示すとおりである。各種
組成のエッチング液による同様のパターニング性評価を
例２〜１８について行ったところ、例１の場合と同様の
結果が得られた。さらに、例４については表５に示した
各種濃度のエッチング液を用い行った。結果は表５に示
すとおりである。各種組成のエッチング液による同様の
パターニング性評価を例６および１９について行ったと
ころ、例４の場合と同様の結果が得られた。一方、例２
０については、表４および５に示す各種組成のエッチン
グ液でパターニングを試みたが、いずれの場合も良好な
パターニング性は得られなかった。

【００６３】なお、表５中の濃度は水素イオン濃度を示
す。また、表４、表５に示す◎はサイドエッチング量が
４μｍ以下、○はサイドエッチング量が４μｍ超５μｍ
以下、×はサイドエッチング量が５μｍ超を意味する。

【００６４】表４、表５に示すように、エッチャントの
組成は、最適の酸濃度よりも低い濃度の領域では、エッ
チング速度が低下し、サイドエッチング量も増加する。
最適の酸濃度よりも高い濃度の領域では、エッチング速
度が必要以上に速くなり、サイドエッチング量も大きく
なる。酸化剤については、最適の酸化剤濃度よりも低い
濃度の領域では、Ａｇ層の溶解が進みにくく、サイドエ
ッチング量も増加し、最適の酸化剤濃度よりも高い濃度
の領域でも、サイドエッチング量が増加する傾向にあっ
た。

【００６５】特に、塩化第二鉄を含んだ酸性水溶液を用
いてエッチングした後、５Ｍのハロゲン化アルカリ金属
塩の水溶液に浸漬したものと、しないものとでエッチン
グ残渣の除去効果を比較したところ、ハロゲン化アルカ
リ金属塩の水溶液に浸漬したものは良好な結果が得られ
た。また、同様に、エッチング後、上記ハロゲン化アル
カリ金属塩の水溶液に代えて、１Ｍのチオ硫酸ナトリウ
ムの水溶液に浸漬した場合も良好な結果が得られた。

【００６６】本発明の透明導電膜の諸性能を表１、２に
示す。例１〜１４、例１９〜２０に示す透明酸化物とＡ
ｇ層との３層膜構成において、抵抗３〜４Ω／□、可視
光透過率７４〜７６％の透明導電膜が得られ、例１５〜
１８に示す５層膜構成においては、抵抗２Ω／□程度、
可視光透過率７３％程度の透明導電膜が得られた。ま
た、成膜後の熱処理によっても、可視光透過率の向向、
低抵抗化が図れた。

【００６７】例１〜１９に示す透明導電膜を用いた場合
では、シャープなパターンエッジ形状を有し、エッチン
グ残渣もほとんど見られず、サイドエッチング量も２〜
４μｍ程度と良好なパターニング性が得られた。耐湿性
についても、直径０．５ｍｍ以上の輝点（欠点）の発生
は見られず良好な性能が得られた。

【００６８】例１９に示すＩｎ₂ Ｏ₃ を含まない酸化物
膜を使った構成の耐アルカリ性は、必ずしも充分ではな
い。耐アルカリ性は、ＺｎＯに対するＩｎ₂ Ｏ₃ の混合
比が増えるほど、またはＧＺＯ層に対するＩＴＯ層の膜
厚の比が増加するほど向上する。ただし、Ｉｎ₂ Ｏ₃ の
成分比が９８原子％を超えると、または、ＩＴＯ層の膜
厚の比が９５％を超えるとパターニング性、耐湿性が低
下する。

【００６９】例７、８、１４、１６、１７、１８に示す
ように、最上酸化物層の最上部をＩｎ₂ Ｏ₃ 成分が多い
層とすることで、膜表面からのアルカリのアタックを効
果的に阻止できる。ただし、該膜厚が５０ｎｍを超える
とパターニング性が低下する。

【００７０】例１１〜１５に示すように、金属層を多層
構成や傾斜組成構成とすることで可視光透過率の向上、
低抵抗化が図れる。他方、例２０に示すＡｇを主成分と
する膜をＩＴＯ膜で挟んだ構成を有する膜では、耐アル
カリ性には優れるが、金属膜とＩＴＯ膜との界面での剥
離が激しく、所望の電極パターンが得られず、かつ、耐
湿性テストについても直径１ｍｍ以上の輝点（欠点）が
多数発生し、良好な結果は得られなかった。

【００７１】次に、第二のパターニング方法として、ガ
ラス基板３９上に、カラーフィルタ層７、およびカラー
フィルタの保護と平滑化のためのアクリル系透明樹脂保
護層８、そしてシリカからなる無機中間層９があらかじ
め形成された基体１上に、ノボラック系樹脂からなるフ
ォトレジストを塗布し、通常のフォトリソグラフィ法に
よりライン幅１３０μｍ、スペース幅２０μｍとなるス
トライプ状パターン２６を形成した後（図８（ａ））、
例１〜１８に示す構成の透明導電膜を直流スパッタリン
グにより形成した。基板加熱は行わなかった（図８
（ｂ））。その後、超音波振動を加えながら、ＮａＯＨ
の水溶液により、透明導電膜の不要な部分をレジストご
と剥離し、所望の電極パターンを形成した（図８
（ｃ））。

【００７２】その結果、いずれの場合についてもスペー
ス部に透明導電膜の残渣は一切見られず、エッジ形状も
非常にシャープで、しかもパターン幅の寸法精度も１〜
２μｍ程度と良好なものが得られた。

【００７３】また、ガラス基板上に例１〜１８に示す構
成の透明導電膜を直流スパッタリングにより、基板加熱
を行わずに形成した。一部の膜については、成膜後に大
気中で、２５０℃、３０分間の熱処理を行った。その
後、レジストを塗布し、図９（ｂ）に示すようなＴＦＴ
型ＬＣＤ用のソース３４、ドレイン３３、および画素電
極（ＩｎＳｎ_x Ｏ_y ）３３を模したレジストパターンを
形成した。

【００７４】さらに、図１０に示すようなドライエッチ
ング装置を用いて、ＨＩ（ヨウ化水素）とＡｒガスを用
いて電極パターン形成を試みた。その結果、パターンエ
ッジ形状はシャープで、エッチング残渣等は見られず、
サイドエッチング量も１〜２μｍ程度とＴＦＴ型ＬＣＤ
用ソース、ドレイン、および画素電極としては満足でき
る結果が得られた。図１０において、３５はＲＦ電源、
３６はカソード電極、３７はサンプル、３８はアノード
電極を示す。

【００７５】

【表１】

【００７６】

【表２】

【００７７】

【表３】

【００７８】

【表４】

【００７９】

【表５】

【００８０】

【発明の効果】本発明によれば、透明導電膜の合計膜厚
が３００ｎｍ以下で、シート抵抗値３Ω／□以下という
低比抵抗が容易に実現でき、しかも耐アルカリ性や耐湿
性などの耐久性に優れる透明導電膜が提供できる。

【００８１】また、本発明の電極形成方法によれば、安
価で精度のよい電極の加工を行うことができる。

【００８２】本発明の透明導電膜は、ガラス上以外に、
成膜温度の低い（１００℃以下）プラスチック上や、カ
ラーＬＣＤ用のカラーフィルタ付き基板上（２５０℃以
下）にも形成可能なことから、ＬＣＤをはじめとして、
エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディ
スプレイ、またはエレクトロクロミック素子などの低抵
抗を必要とする電子ディスプレイ用の透明電極膜として
最適で、従来に比較し低コストで提供できる。特に、単
純マトリックス型ＬＣＤにおいては、表示面積の大型
化、クロストーク低減などの表示品位向上に優れた効果
を発揮する。

【００８３】また、ＴＦＴ型ＬＣＤにおいても、ソース
電極、かつドレイン電極、かつ画素電極として用いるこ
とによって、ソース、ドレイン、画素電極の一括成膜、
および一括パターニングが可能となり、生産性向上や欠
陥の低減に優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の３層膜系透明導電膜の一例の断
面模式図、（ｂ）本発明の５層膜系透明導電膜の一例の
断面模式図。

【図２】本発明に使用されるカラーＬＣＤ用基板の断面
模式図。

【図３】本発明の酸化物層が多層構造である透明導電膜
の一例の断面模式図。

【図４】（ａ）本発明の最上の透明酸化物層が、Ｉｎ₂
Ｏ₃ を主成分とする膜とＺｎＯを主成分とする膜との多
層膜からなる層であって、基体から遠ざかる方向にある
膜ほどＩｎ₂ Ｏ₃ の含有量が増加するように膜を重ねた
多層膜からなる透明導電膜の一例の断面模式図、（ｂ）
本発明の最上の透明酸化物層が、Ｉｎ₂ Ｏ₃ とＺｎＯと
の混合酸化物層であって、基体と遠ざかる方向に行くに
したがって、膜厚方向にＩｎ₂ Ｏ₃ 含有量が増加する傾
斜組成を有する層からなる透明導電膜の一例の断面模式
図、（ｃ）本発明の基体に最も近い透明酸化物層が、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃ を主成分とする膜とＺｎＯを主成分とする膜と
の多層膜からなる層であって、基体に近づく方向にある
膜ほどＩｎ₂ Ｏ₃ の含有量が増加するように膜を重ねた
多層膜からなる透明導電膜の一例の断面模式図、（ｄ）
本発明の基体に最も近い透明酸化物層が、Ｉｎ₂ Ｏ₃ と
ＺｎＯとの混合酸化物層であって、基体に近づく方向に
行くにしたがって、膜厚方向にＩｎ₂ Ｏ₃ 含有量が増加
する傾斜組成を有する層からなる透明導電膜の一例の断
面模式図。

【図５】（ａ）本発明のＡｇを含有する金属層と酸化物
層の界面にＡｇ以外の他の金属が介在する透明導電膜の
一例の断面模式図、（ｂ）本発明のＡｇを含有する金属
層と酸化物層の界面にＡｇ以外の他の金属組成比率が高
い傾斜組成金属膜を使用した透明導電膜の一例の断面模
式図。

【図６】（ａ）本発明の金属層が多層構造である透明導
電膜の一例の断面模式図、（ｂ）本発明の金属層がＡｇ
とＡｇ以外の金属の傾斜組成金属膜である透明導電膜の
一例の断面模式図。

【図７】エッチング残渣が生じた様子を示す模式図。

【図８】本発明のパターニング方法を示す模式図。

【図９】（ａ）従来例に関わるＴＦＴ型ＬＣＤ用電極配
線の模式図、（ｂ）本発明の実施形態に関わるＴＦＴ型
ＬＣＤ用電極配線の模式図。

【図１０】実施例において使用するドライエッチング装
置の模式図。

【符号の説明】

１：基体、２、４、６：透明酸化物層、３、５：Ａｇを含有する金属層、７：カラーフィルタ層、８：透明樹脂保護層、９：無機中間層、１０：Ｉｎ₂ Ｏ₃ を主成分とする膜、１１：ＺｎＯを主成分とする膜、１２：Ｉｎの含有量が１３より少ない膜、１３：Ｉｎの含有量が１２より多い膜、１４：Ｉｎの含有量が５０原子％未満の部分、１５、１７、２１：Ａｇ以外の他の金属層、１６、２２：Ａｇを含有する金属層、１８、２０、２３、２４：Ａｇ以外の他の金属組成比が
５０％以上の金属層、１９：Ａｇの組成比が５０％以上の金属層、２５：エッチング残渣、２６：レジスト、２７：ゲート電極、２８：ゲート絶縁膜、２９：半導体層、３０：画素電極、３１：ドレイン電極、３２：ソース電極、３３：画素電極一体化ドレイン電極、３４：ソース電極、３５：ＲＦ電源、３６：カソード電極、３７：サンプル、３８：アノード電極、３９：ガラス基板、４０：Ｉｎの含有量が５０原子％以上の部分。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 ＡＨ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ // Ｈ０５Ｂ 33/28 Ｈ０５Ｂ 33/28 (72)発明者河村有紀神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者西村啓道神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地旭硝子株式会社中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体側から、透明酸化物層と金属層がこの
順に（２ｎ＋１）層（ｎは１以上の整数）積層されてな
る透明導電膜において、透明酸化物層は、ＺｎＯを含み、かつＩｎを、ＺｎとＩ
ｎとの総和に対して９〜９８原子％の範囲で含有する酸
化物層であり、金属層は、Ａｇを含有する金属層である
ことを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】透明酸化物層の少なくとも１層が、Ｉｎ₂
Ｏ₃ を主成分とする膜とＺｎＯを主成分とする膜との多
層膜からなる層である請求項１記載の透明導電膜。
【請求項３】基体から最も離れた透明酸化物層が、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ を主成分とする膜とＺｎＯを主成分とする膜との
多層膜からなる層であって、基体から遠ざかる方向にあ
る膜ほどＩｎの含有量が増加するように膜を重ねた多層
膜からなる層である請求項１または２記載の透明導電
膜。
【請求項４】基体に最も近い透明酸化物層が、Ｉｎ₂ Ｏ
₃ を主成分とする膜とＺｎＯを主成分とする膜との多層
膜からなる層であって、基体に近づく方向にある膜ほど
Ｉｎの含有量が増加するように膜を重ねた多層膜からな
る層である請求項１または２記載の透明導電膜。
【請求項５】透明酸化物層の少なくとも１層が、Ｉｎ₂
Ｏ₃ とＺｎＯとの混合酸化物を含む層である請求項１記
載の透明導電膜。
【請求項６】基体から最も離れた透明酸化物層が、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ とＺｎＯとの混合酸化物を含む層であって、基体
から遠ざかる方向に行くにしたがって、膜厚方向にＩｎ
含有量が増加する傾斜組成を有する層である請求項１ま
たは５記載の透明導電膜。
【請求項７】基体に最も近い透明酸化物層が、Ｉｎ₂ Ｏ
₃ とＺｎＯとの混合酸化物を含む層であって、基体に近
づく方向に行くにしたがって、膜厚方向にＩｎ含有量が
増加する傾斜組成を有する層である請求項１または５記
載の透明導電膜。
【請求項８】透明酸化物層の少なくとも１層が、Ｉｎ₂
Ｏ₃ とＺｎＯとの混合酸化物を含む層、または、Ｉｎ₂
Ｏ₃ を主成分とする膜とＺｎＯを主成分とする膜との多
層膜からなる層であって、当該透明酸化物層がＡｇを含
有する金属層と接する部分において、ＺｎをＺｎとＩｎ
との総和に対して５０原子％以上含有する酸化物層であ
る請求項１〜７のいずれか１項記載の透明導電膜。
【請求項９】透明酸化物層の少なくとも１層がＩｎ₂ Ｏ
₃ を主成分とする膜とＺｎＯを主成分とする膜との多層
膜からなる層であって、ＺｎＯを主成分とする膜がＧａ
を含有する請求項１〜８のいずれか１項記載の透明導電
膜。
【請求項１０】金属層の少なくとも１層が、Ａｇと他の
金属との合金膜からなる層である請求項１〜９のいずれ
か１項記載の透明導電膜。
【請求項１１】金属層の少なくとも１層が、Ａｇを含有
する金属層と他の金属からなる金属層との多層膜からな
る層である請求項１〜９のいずれか１項記載の透明導電
膜。
【請求項１２】金属層の少なくとも１層が、Ａｇと他の
金属とからなり、層の厚さ方向にＡｇ濃度が変化する傾
斜組成を有する層である請求項１〜９のいずれか１項記
載の透明導電膜。
【請求項１３】他の金属が、Ａｕおよび／またはＰｄで
ある請求項１０、１１または１２記載の透明導電膜。
【請求項１４】基体上に請求項１〜１３のいずれか１項
記載の透明導電膜を形成した後、水素イオン濃度が０．
０１〜９Ｍの酸性水溶液を用いてエッチングすることに
よりパターニングする透明電極の形成方法。
【請求項１５】酸性水溶液として、Ａｇに対して酸化作
用を有する酸化剤が添加された酸性水溶液を用いる請求
項１４記載の透明電極の形成方法。
【請求項１６】薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイの
ソース電極、ドレイン電極、および画素電極が請求項１
〜１３のいずれか１項記載の透明導電膜で形成された液
晶ディスプレイ用電極配線付き基板。
【請求項１７】基体上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜お
よび半導体層を形成した後に、請求項１〜１３のいずれ
か１項記載の透明導電膜を形成し、次いで、該透明導電
膜をエッチング加工することによりソース電極および画
素電極と一体化したドレイン電極を形成することを特徴
とする液晶ディスプレイ用電極配線付き基板の形成方
法。