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JPH1019998A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPH1019998A
JPH1019998A JP8167726A JP16772696A JPH1019998A JP H1019998 A JPH1019998 A JP H1019998A JP 8167726 A JP8167726 A JP 8167726A JP 16772696 A JP16772696 A JP 16772696A JP H1019998 A JPH1019998 A JP H1019998A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
input
voltage
output
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8167726A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Nakajima
修 中島
Yasuo Yamada
泰生 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP8167726A priority Critical patent/JPH1019998A/ja
Publication of JPH1019998A publication Critical patent/JPH1019998A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】モード切換え専用の端子を備えることなくモー
ドを切り換えることのできる半導体集積回路を提供す
る。 【解決手段】第1の電源電圧IVDD,第2の電源電圧O
DDを通常動作時の電圧にして、出力バッファ14から
出力された’H’レベルの信号を入力バッファ13を経
由してモード切換回路16でラッチすることにより内部
回路11を通常動作モードにする。また第1の電源電圧
IVDDを通常動作時の電圧,第2の電源電圧OVDDを第
1の電源電圧IVDDの1/2未満にして、出力バッファ
14から出力された’H’レベルの信号を、入力バッフ
ァ13には’L’レベルの信号として入力させ、その入
力バッファ13から出力された’L’レベルの信号をモ
ード切換回路16でラッチすることにより内部回路11
をテストモードにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、通常動作を行う通
常動作モードと被テスト動作を行なうテストモードとを
有し、これら通常動作モードとテストモードとの間で自
在にモード切換えが行なわれる内部回路を備えた半導体
集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、製造された半導体集積回路の
良否判断を容易にかつ効率良く行なうために、通常動作
モードの他にテストモードを有し、テストモードに切り
換えるためのモード切換え端子を備えた半導体集積回路
が知られている。このような半導体集積回路では、モー
ド切換え端子に所定の信号を印加してテストモードに切
り換えることによりその半導体集積回路のテストが行な
われる。
【0003】しかし、近年益々の多機能化,高密度化が
要求される半導体集積回路では端子数の制約は厳しく、
通常動作モードでは信号のやりとりが行なわれることの
ないモード切換え端子を備えることは好ましくない。場
合によっては1本のモード切換え端子の増加がパッケー
ジの大型化を招くことにもなる。そこで特開昭58−5
680号公報に、少なくとも3個の電源端子を具備し、
それらの電源端子のうちの1個に電源電圧およびその電
源電圧よりも低い’L’レベルの電圧を選択的に印加
し、’L’レベルの電圧が印加されている間テストモー
ドに保つことにより、モード切換え端子を不要にした半
導体集積回路が提案されている。
【0004】また特開昭58−207662号公報に
は、通常動作時よりも高い電源電圧が印加されたことを
検出し、この検出結果に基づいてテストモードに切り換
えることにより、モード切換え端子を不要にした半導体
集積回路が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した、少
なくとも3個の電源端子のうちの1個に’L’レベルの
電圧を印加することによりテストモードに保つ技術で
は、被テスト回路に電源を供給すべくもう1つの電源端
子が必要であり、電源端子が増えるという問題がある。
【0006】一方、上述した、高電圧が印加されたこと
を検出することによりテストモードに切り換える技術で
は、高電圧印加時にその半導体集積回路を構成するトラ
ンジスタが破壊される恐れがある。益々の半導体製造技
術の進歩に伴い、トランジスタの一層の微細化が進むこ
とが予想され、これに伴いそれらのトランジスタの耐圧
は小さくなる傾向にあるため、通常動作時よりも高い電
圧を印加してテストモードに切り換える技術ではトラン
ジスタが破壊される可能性が大きくなることが考えられ
る。
【0007】本発明は、上記事情に鑑み、モード切換え
のための端子を備えることなくテストモードに切り換え
ることのできる半導体集積回路を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体集積回路は、通常動作を行なう通常動作モー
ドと被テスト動作を行なうテストモードとを有しこれら
通常動作モードとテストモードとの間で自在にモード切
換えが行なわれる内部回路を備えた半導体集積回路にお
いて、 (1)上記内部回路と、上記半導体集積回路とは別の外
部回路との間で授受される信号を中継する信号ピン (2)上記信号ピンに入力側が接続され入力側から入力
された信号を上記内部回路に伝達する入力バッファ (3)上記信号ピンに出力側が接続され上記内部回路で
生成された信号を出力側に伝達する出力バッファ (4)上記入力バッファにその入力バッファ作動用の第
1の電力を供給するための第1の電源ピン (5)上記出力バッファに、上記第1の電力の電圧とは
独立に電圧が調整される、その出力バッファ作動用の第
2の電力を供給するための第2の電源ピン (6)上記内部回路を所定の初期状態にリセットするリ
セット信号を入力するリセットピン (7)上記リセットピンからのリセット信号の入力を受
けて、上記出力バッファに向けて、その出力バッファか
らグラウンド側の論理とは異なる電源側の論理の信号が
出力される起因となる信号を出力する信号出力回路 (8)上記入力バッファから出力された信号の論理に基
づいて、上記内部回路を上記通常動作モードもしくは上
記テストモードに切り換えるモード切換回路を備え、上
記(8)のモード切換回路が、上記第1の電源ピンから
所定の第1の電圧の電力が入力され上記入力バッファが
その第1の電圧の電力で作動する状態において、上記第
2の電源ピンにも上記所定の第1の電圧と同一の電圧の
電力が供給され上記出力バッファがその第1の電圧と同
一の電圧の電力で作動する状態での上記リセット信号の
入力を受けて上記信号出力回路から出力された信号に起
因して上記入力バッファから出力された信号に基づいて
上記内部回路を上記通常動作モードに切り換え、上記第
2の電源ピンに、前記出力バッファから出力された電源
側の論理の信号が上記入力バッファにグラウンド側の論
理の信号として入力される所定の第2の電圧の電力が供
給され上記出力バッファがその第2の電圧の電力で作動
する状態での上記リセット信号の入力を受けて上記信号
出力回路から出力された信号に起因して上記入力バッフ
ァから出力された信号に基づいて上記内部回路を上記テ
ストモードに切り換えるものであることを特徴とする。
【0009】本発明の半導体集積回路は、テストモード
への切換えにあたり、入力バッファには第1の電圧(通
常の動作電圧)の電力を供給し、出力バッファには、そ
の出力バッファから出力された電源側の論理’H’の信
号が入力バッファにとってはグラウンド側の論理’L’
の信号として入力されるように第2の電圧(例えば通常
の動作電圧の1/2未満の低電圧)の電力を供給し、こ
のようにして入力バッファに論理’L’の信号を入力す
ることによりテストモードに切り換えるものである。一
方、通常の動作モードに切り換えるためには、入力バッ
ファと出力バッファの双方に通常の動作電圧の電力を供
給し、入力バッファに論理’H’の信号を入力すること
により通常動作モードに切り換えるものである。従っ
て、テストモードへの切換えにあたり、通常動作時より
も高い電源電圧を印加する必要はなく、内部回路を構成
するトランジスタが破壊される可能性を避けることがで
きるとともに、テストモードに切り換えるためのモード
切換え端子も不要である。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図1は、本発明の一実施形態の半導体集積回
路の回路図、図2は、図1に示す半導体集積回路のパッ
ケージを示す図である。図1に示す半導体集積回路10
に備えられた内部回路11は、通常動作を行なう通常動
作モードと被テスト動作を行なうテストモードとを有
し、これら通常モードとテストモードとの間で自在にモ
ード切換えが行なわれる。この内部回路11は、図2に
示すリセットピン21からパッド21aを経由してリセ
ット信号(’L’レベル)が入力されると所定の初期状
態にリセットされるとともに、後述する出力バッファ1
4に向けて’H’レベルの信号を出力する。
【0011】図1に示す信号中継用のパッド22aは、
図2に示す、内部回路11と、半導体集積回路10とは
別の外部回路(図示せず)との間で授受される信号を中
継する信号ピン22のうちの1本に接続されている。入
力バッファ13は、入力側がパッド22aに接続されて
おり、その入力側から入力された信号を内部回路11に
伝達する。この入力バッファ13には、図2に示す第1
の電源ピン23から、その入力バッファ13を作動させ
るための第1の電源電圧IVDDの電力が供給される。
【0012】出力バッファ14は、出力側がパッド22
aに接続されており、イネーブル端子Eに、後述する信
号出力回路15から’L’レベルの信号が入力される
と、内部回路11で生成された信号を出力側に伝達す
る。この出力バッファ14には、図2に示す第2の電源
ピン24からその出力バッファ14を作動させるための
第2の電源電圧OVDDの電力が供給される。第2の電源
電圧OVDDは、第1の電源電圧IVDDとは独立にその電
圧が調整される。
【0013】信号出力回路15は、リセットピン21か
らのリセット信号を、パッド21aを経由して入力し、
そのリセット信号の入力を受けて出力バッファ14のイ
ネーブル端子Eに向けて’L’レベルの信号を出力す
る。モード切換回路16は、フリップフロップで構成さ
れており、リセットピン21からのリセット信号(’
L’レベル)が入力されたことを受けて内部回路11か
ら出力された信号(’H’レベルの信号)が出力バッフ
ァ14を経由し、さらに入力バッファ13を経由してそ
の入力バッファ13から出力された信号を、リセット信
号の立上りエッジ(リセット解除時)でラッチし、これ
により内部回路11を通常動作モードもしくはテストモ
ードに切り換える。
【0014】ここで、半導体集積回路10の内部回路1
1を通常動作モードに切り換えるために、先ず第1の電
源電圧IVDDと第2の電源電圧OVDDとを通常動作時の
電圧である5Vに設定する。次に、リセット端子21か
ら’L’レベルのリセット信号を入力する。すると信号
出力回路15から’L’レベルの信号が出力バッファ1
4のイネーブル端子Eに出力され、これにより、出力バ
ッファ14は、導通状態となり、またこれとともに内部
回路11から出力バッァ14に向けて’H’レベルの信
号が出力され、出力バッファ14は導通状態にあるた
め、その出力バッファ14から’H’レベルの信号が出
力される。この’H’レベルの信号は入力バッファ13
に入力され、その入力バッファ13からやはり’H’レ
ベルの信号が出力される。この’H’レベルの信号はモ
ード切換回路16のデータ端子Dに入力される。
【0015】ここで、モード切換回路16のクロック端
子CKに、パッド21aを経由して入力されているリセ
ット信号の立上りエッジで、データ端子Dに入力されて
いる’H’レベルの信号がラッチされる。すると、その
モード切換信号回路16の出力端子Qから’H’レベル
の信号が出力される。この’H’レベルの信号が内部回
路11に入力され、これにより、内部回路11は通常動
作モードで動作する。
【0016】一方、内部回路11をテストモードに切り
換えるためには、先ず第1の電源電圧IVDDを通常動作
時の電圧である5V,第2の電源電圧OVDDをその通常
動作時の電圧1/2未満の、例えば2.3Vに設定す
る。次に、リセット端子21から、’L’レベルのリセ
ット信号を入力する。すると、そのリセット信号の入力
を受けて信号出力回路15から’L’レベルの信号が出
力バッファ14のイネーブル端子Eに出力され、これに
より、出力バッファ14は導通状態となり、また内部回
路11から出力バッファ14に向けて’H’レベルの信
号が出力される。ここで、出力バッファ14には2.3
Vの電源電圧OVDDが供給されているため、その出力バ
ッファ14から’H’レベルの信号として2.3Vの電
圧信号が出力される。この2.3Vの電圧信号は入力バ
ッファ13に入力される。一方、入力バッファ13に
は、5Vの電源電圧IVDDが供給されている。この入力
バッファ13は、IVDD/2より高い電圧信号が入力さ
れると’H’レベルと認識し、IVDD/2より低い電圧
信号が入力されると’L’レベルと認識する、いわゆる
通常の入力バッファである。ここではIVDD=5Vであ
るため、入力バッファ13は、2.5Vより高い電圧信
号が入力されると’H’レベルと認識し、2.5Vより
低い電圧信号が入力されると’L’レベルと認識する。
ここでは入力バッファ13に、2.3Vの電圧信号が入
力されるため、その入力バッファ13から’L’レベル
の信号が出力される。この’L’レベルの信号はモード
切換回路16のデータ端子Dに入力される。
【0017】次に、モード切換回路16のクロック端子
CKに入力されているリセット信号の立上りエッジで、
データ端子Dに入力されている’L’レベルの信号がラ
ッチされる。すると、モード切換回路16の出力端子Q
から’L’レベルの信号が出力される。この’L’レベ
ルの信号が内部回路11に入力され、これにより内部回
路11はテストモードとして動作する。
【0018】モード切換回路16に’L’レベルの信号
を格納した後、第2の電源電圧OV DDを第1の電源電圧
IVDDと同じ5Vにして内部回路11をテストする。こ
のように、本実施形態の半導体集積回路10では、第1
の電源電圧IVDDを通常動作時の電源電圧と同じ電位に
しておき、第2の電源電圧OVDDを第1の電源電圧IV
DDの1/2未満にしてリセット信号を入力すると、テス
トモードに切換えられ、第2の電源電圧OVDDを第1の
電源電圧IVDDと同じ電圧にしてリセット信号を入力す
ると通常動作モードに切り換えられる。従って、この半
導体集積回路10には通常の動作電圧を越える電圧を印
加することなくモード切り換えを行うことができ、内部
回路11を構成するトランジスタが破壊される可能性を
避けることができる。
【0019】尚、本実施形態の半導体集積回路10で
は、リセットピン21からのリセット信号の立上がりエ
ッジでモード切換回路16のデータ端子Dに入力されて
いる信号をラッチしたが、これに限られるものではなく
第2の電源電圧OVDDを通常の動作電圧の1/2未満の
電圧から通常の動作電圧に戻すときの電圧変化のエッジ
でモード切換回路16にモード切換え用の信号をラッチ
してもよく、リセット信号がアサートされた時点(上述
の例ではリセット信号が’L’レベルに変化した時点)
から遅延回路で遅延させた信号でラッチしてもよい。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路では、モード切換え専用の端子を備えることなく
モードを切り換えることができる。従って半導体集積回
路のパッケージの端子数を抑えることができ、コストの
低減につながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の半導体集積回路の回路図
である。
【図2】図1に示す半導体集積回路のパッケージを示す
図である。
【符号の説明】
10 半導体集積回路 11 内部回路 13 入力バッファ 14 出力バッファ 15 信号出力回路 16 モード切換回路 21 リセットピン 21a,22a パッド 22 信号ピン 23 第1の電源ピン 24 第2の電源ピン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 通常動作を行なう通常動作モードと被テ
    スト動作を行なうテストモードとを有しこれら通常動作
    モードとテストモードとの間で自在にモード切換えが行
    なわれる内部回路を備えた半導体集積回路において、 前記内部回路と、前記半導体集積回路とは別の外部回路
    との間で授受される信号を中継する信号ピンと、 前記信号ピンに入力側が接続され入力側から入力された
    信号を前記内部回路に伝達する入力バッファと、 前記信号ピンに出力側が接続され前記内部回路で生成さ
    れた信号を出力側に伝達する出力バッファと、 前記入力バッファに該入力バッファ作動用の第1の電力
    を供給するための第1の電源ピンと、 前記出力バッファに、前記第1の電力の電圧とは独立に
    電圧が調整される、該出力バッファ作動用の第2の電力
    を供給するための第2の電源ピンと、 前記内部回路を所定の初期状態にリセットするリセット
    信号を入力するリセットピンと、 前記リセットピンからのリセット信号の入力を受けて、
    前記出力バッファに向けて、該出力バッファからグラウ
    ンド側の論理とは異なる電源側の論理の信号が出力され
    る起因となる信号を出力する信号出力回路と、 前記入力バッファから出力された信号の論理に基づい
    て、前記内部回路を前記通常動作モードもしくは前記テ
    ストモードに切り換えるモード切換回路とを備え、 前記モード切換回路が、前記第1の電源ピンから所定の
    第1の電圧の電力が入力され前記入力バッファが該第1
    の電圧の電力で作動する状態において、前記第2の電源
    ピンにも前記所定の第1の電圧と同一の電圧の電力が供
    給され前記出力バッファが該第1の電圧と同一の電圧の
    電力で作動する状態での前記リセット信号の入力を受け
    て前記信号出力回路から出力された信号に起因して前記
    入力バッファから出力された信号に基づいて前記内部回
    路を前記通常動作モードに切り換え、前記第2の電源ピ
    ンに、前記出力バッファから出力された電源側の論理の
    信号が前記入力バッファにグラウンド側の論理の信号と
    して入力される所定の第2の電圧の電力が供給され前記
    出力バッファが該第2の電圧の電力で作動する状態での
    前記リセット信号の入力を受けて前記信号出力回路から
    出力された信号に起因して前記入力バッファから出力さ
    れた信号に基づいて前記内部回路を前記テストモードに
    切り換えるものであることを特徴とする半導体集積回
    路。
JP8167726A 1996-06-27 1996-06-27 半導体集積回路 Withdrawn JPH1019998A (ja)

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Effective date: 20030902