JPH10142263A

JPH10142263A - 電流検出装置

Info

Publication number: JPH10142263A
Application number: JP8298280A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Honda; 修一本多
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-11-11
Filing date: 1996-11-11
Publication date: 1998-05-29

Abstract

(57)【要約】【課題】外部からの磁気ノイズの影響を受け難く、Ｓ
／Ｎ比の高い電流検出装置を得る。【解決手段】電流検出素子２は、一対の磁気抵抗体
３，４と、この一対の磁気抵抗体３，４間に配置された
電流路５を有している。電流検出素子２等を搭載した回
路基板７は磁石１２上に接着剤で固定されている。さら
に、回路基板７上にスペーサ９を介して磁石１３が配設
されている。すなわち、磁石１２と１３は電流検出素子
２を間に配置した対向構造になっている。対向する磁極
面１２ａ，１３ａは相互に異磁極であり、吸引力が作用
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電流検出装置、例
えば、電子機器等に組み込まれて、被検出電流の方向と
大きさを検出する電流検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２に示すように、従来の電流検出装
置８０は、電流検出素子８１と、電流検出素子８１等を
搭載するための回路基板８６と、磁石８８とで構成され
ている。電流検出素子８１は、一対の磁気抵抗体８２，
８３と、この一対の磁気抵抗体８２，８３の間に配置さ
れた電流路８４と、基板８５とからなる。磁気抵抗体８
２，８３は、磁石８８によって磁界φ１が印加されてい
る。

【０００３】電流路８４に電流が流れていないときは、
磁石８８からの磁界φ１は磁気抵抗体８２，８３にそれ
ぞれ略等しく印加される。一方、電流路８４に電流が流
れると、図１３に示すように、右ネジの法則により電流
路８４の周囲に磁界φ２が発生する。そして、電流によ
り発生した磁界φ２と磁石８８による磁界φ１が合成さ
れることにより、磁気抵抗体８２，８３のそれぞれに印
加される磁界が異なったものになる。この磁界の変化
を、磁気抵抗体８２，８３の抵抗値（電圧値）の変化と
して検出することにより、電流の流れ方向と電流の大き
さを測定することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電流検出装置８０にあっては、一つの磁石８８が磁気抵
抗体８２，８３に磁界を印加する構造であるため、磁石
８８と磁気抵抗体８２，８３の間隔が僅かに変わって
も、磁気抵抗体８２，８３に印加される磁界が大きく変
化し、検出能力がばらつくという問題があった。従っ
て、この検出能力のばらつきを抑えるため、部品８１，
８６，８８の加工精度や組立て精度を高める必要があっ
た。

【０００５】また、一つの磁石８８で磁気抵抗体８２，
８３に磁界を印加する構造の場合、外部からの磁気ノイ
ズの影響を受け易く、電流検出精度が低下し易いという
問題もあった。そこで、本発明の目的は、磁気抵抗体に
印加されるバイアス磁界が変化しにくい構造の電流検出
装置を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、外部からの磁気ノイズの影響を受け難い、Ｓ／Ｎ比
の高い電流検出装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る電流検出装置は、（ａ）一対の
磁気抵抗体と、前記一対の磁気抵抗体の間に前記一対の
磁気抵抗体と略平行に配置された、被検出電流が流され
る電流路とを有した電流検出素子と、（ｂ）前記磁気抵
抗体にバイアス磁場を印加する一対の磁石とを備え、
（ｃ）前記一対の磁石の異磁極間に、前記電流検出素子
を配置したこと、を特徴とする。

【０００７】以上の構成により、一対の磁石間に発生す
る磁界の方向は、磁気抵抗体に対して略垂直な関係にあ
る。そして、一対の磁石間の任意の位置における磁束密
度の変化は極めて小さいため、一対の磁石間に配置され
た電流検出素子の位置が若干変化しても、磁気抵抗体に
は常に所定の磁界が印加されることになる。さらに、一
対の磁石間の磁界は、外部からの磁気ノイズに対しても
安定している。

【０００８】さらに、前記一対の磁石と共に磁気回路を
構成する磁性体ヨークを備えるとよい。一対の磁石と磁
性体ヨークによって、略閉磁路が形成されるため、磁束
漏れが少なくなり、一対の磁石間の磁束密度が大きくな
る。従って、外部からの磁気ノイズ等に対して極めて強
い磁気回路が構成される。また、本発明に係る電流検出
装置は、磁気抵抗体にバイアス磁場を印加するために磁
石と磁性体ヨークを備え、この磁石と磁性体ヨークの間
に電流検出素子を配置したことを特徴とする。この構成
においても、前記と同様の作用が働く。

【０００９】また、本発明に係る電流検出装置は、電流
検出素子や磁石を磁性体ケースに収容したことを特徴と
する。以上の構成により、ノイズ磁界は電流検出装置の
磁性体ケースを磁路とする磁気ループを形成するため、
電流検出素子に印加されている磁界に影響を及ぼさな
い。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電流検出装置
の実施形態について添付図面を参照して説明する。各実
施形態において同一部品及び同一部分には同じ符号を付
した。［第１実施形態、図１〜図６］図１に示すように、電流
検出装置１は、概略、電流検出素子２と、電流検出素子
２等を搭載するための回路基板７と、スペーサ９と、２
個の磁石１２，１３とで構成されている。

【００１１】電流検出素子２は、一対の磁気抵抗体３，
４と、この一対の磁気抵抗体３，４の間に配置された電
流路５と、基板６とからなる。図２に示すように、磁気
抵抗体３，４は所定の抵抗値を得るため蛇行形状とさ
れ、各々の抵抗体のセグメントの幅Ｗと長さＬの比Ｗ／
Ｌを大きくして高感度なものにしている。磁気抵抗体
３，４は、例えばインジウムアンチモン等の化合物半導
体の表面にＴｉ／Ａｌ等のメタル膜を所定のピッチで形
成したものである。バイアス磁界が強くなればなるほど
電気抵抗が増加する。電流路５は、磁気抵抗体３，４に
対して略平行に配置されている。

【００１２】磁気抵抗体３の一方の端部は電源電極３ａ
に接続され、他方の端部は出力電極３ｂに接続されてい
る。磁気抵抗体４の一方の端部は出力電極４ａに接続さ
れ、他方の端部はグランド電極４ｂに接続されている。
しかも、出力電極３ｂと４ａは、図示しない中継線にて
電気的に接続されている。電流路５の両端部は引出し電
極５ａ，５ｂに接続されている。図３は電流検出素子２
の電気回路図である。

【００１３】電流検出素子２等を搭載した回路基板７
は、磁石１２上に接着剤等で固定されている。さらに、
回路基板７上にスペーサ９を介して磁石１３が配設され
ている。すなわち、磁石１２と１３は電流検出素子２を
間に配置した対向構造になっている。対向する磁極面１
２ａ，１３ａは相互に異磁極であり、吸引力が作用して
いる。磁極面１２ａ，１３ａは電流検出素子２のサイズ
より大きく設計することが好ましい。部品２，７，９，
１２，１３の組立て精度を緩くでき、また、外部からの
磁気ノイズ等に対する耐ノイズ性も向上するからであ
る。

【００１４】次に、以上の構成からなる電流検出装置１
の作用効果について説明する。図４に示すように、電流
路５に被検出電流Ｉが流れていない状態のとき、磁気抵
抗体３，４は、磁石１２，１３間に発生する安定した磁
界φ１が略等しく印加される。従って、磁気抵抗体３，
４の抵抗値は等しくなる。この磁界φ１の方向は、磁気
抵抗体３，４に対して略垂直であり、磁石１２，１３間
の任意の位置における磁束密度の変化は、従来の電流検
出装置と比較して極めて小さい。従って、電流検出素子
２が正規の位置から若干ずれても、磁気抵抗体３，４に
は常に所定の磁界を印加することができる。この結果、
検出能力のばらつきが小さい電流検出装置１が得られ
る。

【００１５】さらに、磁石１２と磁石１３が近接対向し
ているので、磁石１２と磁石１３の間に発生する磁界φ
１は、従来の電流検出装置の磁石によって発生する磁界
と比較して、極めて安定している。従って、磁界φ１は
外部からの磁界ノイズの影響を受けにくく、電流検出装
置１は被検出電流を安定して検出することができる。次
に、図５に示すように、電流路５に被検出電流Ｉが流れ
ると、右ネジの法則により電流路５の周囲に磁界φ２が
発生し、磁石１２，１３間に生じているバイアス磁界φ
１を乱すことになる。図５では、被検出電流Ｉが電流路
５の引出し電極５ｂに流入し、引出し電極５ａから流出
する方向に流れた場合を表示している。電極Ｉによって
生じた磁界φ２と磁石１２，１３間に生じているバイア
ス磁界φ１が合成されると、磁気抵抗体３に印加される
磁界の強度が強くなり、磁気抵抗体４に印加される磁界
の強度が弱くなる。従って、磁気抵抗体３の抵抗値が大
きくなると共に磁気抵抗体４の抵抗値が小さくなる。

【００１６】これを逆に言えば、磁気抵抗体３の抵抗値
が大きくなると共に磁気抵抗体４の抵抗値が小さくなる
場合には、被検出電流Ｉが引出し電極５ｂに流入し、引
出し電極５ａから流出する方向に流れていることにな
る。一方、磁気抵抗体３の抵抗値が小さくなると共に、
磁気抵抗体４の抵抗値が大きくなる場合には、被検出電
流Ｉが引出し電極５ａに流入し、引出し電極５ｂから流
出する方向に流れていることになる。従って、抵抗値が
減少した磁気抵抗体の検出を行なうことにより、電流路
５に流れる被検出電流Ｉの方向を検出することができ
る。

【００１７】さらに、電流路５の周囲に発生する磁界φ
２の大きさは、電流路５中を流れる被検出電流Ｉの大き
さに比例し、さらに、磁石１２，１３間に発生する磁界
φ１の乱され度合いは、磁界φ２の大きさに追従するた
め、磁界φ１の乱され度合いを検出することによって電
流路５に流れる被検出電流Ｉの大きさが検出できる。そ
して、磁界φ１の乱され度合いは、磁気抵抗体３，４の
抵抗値の変化として検出することができるので、磁気抵
抗体３，４の抵抗値を検出すれば、電流路５に流れる被
検出電流Ｉの大きさを検出することができる。すなわ
ち、磁気抵抗体３又は４の抵抗値の変化が大きければ大
きいほど電流路５に流れる被検出電流Ｉの大きさが大き
いこととなる。

【００１８】さらに、具体的に数値を用いて詳説する。
磁気抵抗体３，４の抵抗値をそれぞれＲ₁，Ｒ₂、電源電
極３ａに入力される電源電圧をＶ_iとすると、出力電極
３ｂ（又は４ａ）の出力電圧Ｖ_oは以下の（１）式にて
表される。Ｖ_o＝｛Ｒ₂／（Ｒ₁＋Ｒ₂）｝×Ｖ_i ……（１）電流路５に被検出電流Ｉが流れていない状態のとき、図
４に示すように、磁気抵抗体３，４に印加される磁界φ
１は略等しいため、磁気抵抗体３，４の抵抗値はＲ₁＝
Ｒ₂＝Ｒ₀となり、前記（１）式より、電流検出装置１の
出力電圧Ｖ_o1は以下の（２）式となる。Ｖ_o1＝Ｖ_i／２ ……（２）

【００１９】次に、電流路５に被検出電流Ｉ₁が流れて
いる状態のとき、図５に示すように、右ネジの法則によ
り電流路５の周囲に磁界φ２が発生する。磁界φ１に磁
界φ２が合成されると、磁気抵抗体３に加わる磁束量が
増加し、この磁束量の増加分だけ磁気抵抗体４に加わる
磁束量が増加し、この磁束量の増加分だけ磁気抵抗体４
に加わる磁束量が減少する。従って、磁気抵抗体３の抵
抗値Ｒ₁はＲ₀＋ΔＲとなり、磁気抵抗体４の抵抗値Ｒ₂
はＲ₀−ΔＲとなる。この結果、前記（１）式より、電
流検出素子２の出力電圧Ｖ_o2は以下の（３）式となる。Ｖ_o2＝（Ｖ_i／２）−（Ｖ_i・ΔＲ／２Ｒ₀） ……（３）

【００２０】図６は電流検出装置１の被検出電流と出力
電圧の関係を示すグラフである。なお、図１に示した電
流検出装置１において、二つの磁石１２，１３のうち、
いずれか一方の磁石、例えば磁石１３を略同形状の磁性
体ヨークに替えても、略同様の効果を得ることができ
る。

【００２１】［第２実施形態、図７］図７に示すよう
に、電流検出装置３１は、概略、電流検出素子２と、電
流検出素子２等を搭載するための回路基板３７と、磁石
４０と、磁性体ヨーク４２とで構成されている。電流検
出素子２等を搭載した回路基板３７は、磁石４０の上面
４０ａに接着剤等で固定されている。磁石４０の下面４
０ｂには、略Ｃ字形状の磁性体ヨーク４２の一端部４３
ａが接合されている。磁性体ヨーク４２の他端部４３ｂ
は磁石４０の上面４０ａに対向しており、上面４０ａと
の間に電流検出素子２を配置した構造になっている。他
端部４３ｂの対向面４４と上面４０ａは異磁極であり、
両者の間には吸引力が作用している。組立て精度及び耐
ノイズ性の観点から、上面４０ａ及び対向面４４は、電
流検出素子２のサイズより大きく設計することが好まし
い。

【００２２】以上の構成の電流検出装置３１において、
上面４０ａと対向面４４は近接対向しているので、上面
４０ａと対向面４４との間に発生する磁界は、従来の電
流検出装置の磁石によって発生する磁界と比較して、極
めて安定している。従って、外部からの磁界ノイズの影
響を受けにくく、被検出電流を安定して検出することが
できる。

【００２３】さらに、上面４０ａと対向面４４の間に発
生する磁界の方向は磁気抵抗体３，４に対して略垂直で
あり、上面４０ａと対向面４４間の任意の位置における
磁束密度の変化は、従来の電流検出装置と比較して極め
て小さい。従って、電流検出素子２が正規の位置から若
干ずれても、磁気抵抗体３，４には常に所定の磁界を印
加することができ、検出能力のばらつきが小さい電流検
出装置３１が得られる。

【００２４】［第３実施形態、図８〜図１１］前記第１
及び第２実施形態の電流検出装置のように、外部からの
ノイズ磁界の影響を受けにくい構造にしても、強ノイズ
磁界がバイアス磁界に垂直に加わると、この強ノイズ磁
界の影響を受け、電流検出装置が被検出電流を安定して
検出することができないことがある。また、微小電流を
検出する場合には、磁気抵抗体の抵抗値変化が僅かであ
るため、僅かのノイズ磁界であっても誤検出の原因とな
る。そこで、第３実施形態では、更にＳ／Ｎ比の優れた
電流検出装置について説明する。

【００２５】図８に示すように、電流検出装置５１は、
概略、電流検出素子２と、電流検出素子２等を搭載する
ための回路基板５２と、２個の磁石５３，５４と、磁性
体ヨーク５７と、スペーサ５９と、ＩＣ６０と、磁性体
ケース６２とで構成されている。電流検出素子２やＩＣ
６０等を搭載した回路基板５２は、磁石５３上に接着剤
等で固定されている。

【００２６】さらに、回路基板５２上にスペーサ５９を
介して磁石５４が配設されている。すなわち、磁石５３
と５４は電流検出素子２を間に配置した対向構造になっ
ている。対向する磁極面５３ａと５４ａは相互に異磁極
であり、吸引力が作用している。組立て精度及び耐ノイ
ズ性の観点から、磁極面５３ａ，５４ａは電流検出素子
２のサイズより大きく設計することが好ましい。磁石５
３の他の磁極面５３ｂには、コ字形状の磁性体ヨーク５
７の一端部５７ａが接合され、磁石５４の他の磁極面５
４ｂには他端部５７ｂが接合されている。

【００２７】各部品２，５２〜５４，５７，５９，６０
等は磁性体ケース６２内に収容され、磁性体ケース６２
の開口部には磁性体蓋６３が被せられる。このとき、磁
石５３，５４と磁性体ヨーク５７が、磁性体ケース６２
や磁性体蓋６３に接触しないように配置される。磁気抵
抗体３，４のバイアス磁界の磁気ループと磁性体ケース
６２や磁性体蓋６３を通る外部からのノイズ磁界の磁気
ループを分離させるためである。磁性体ケース６２や磁
性体蓋６３は、鉄等の透磁率の高い材料からなる板を絞
り加工することによって成形される。磁性体蓋６３には
穴６３ａが設けられ、この穴６３ａから、回路基板５７
に取り付けられた入出力端子６１が導出している。な
お、穴６３ａから導出される端子は５本であるが、図８
では１本しか表示していない。

【００２８】第３実施形態では、磁性体ケース６２を接
地して電気的にグランド電位にしている。具体的には、
磁性体ケース６２にグランド端子（図示せず）を直接溶
接又はネジ留めしたり、プリント基板を介して磁性体ケ
ース６２とグランド端子を接続している。ただし、磁性
体ケース６２の接地は必ずしも必要なものではない。図
９は、電流検出装置５１の電気回路図である。６５〜６
８は負荷抵抗である。

【００２９】以上の構成の電流検出装置５１において、
磁極面５３ａと５４ａは近接対向し、かつ、磁石５３と
５４は磁性体ヨーク５７と共に略閉磁路を形成している
ので、漏れ磁束が少なく、一対の磁石５３と５４間の磁
束密度を大きくできる。従って、外部からのノイズ磁界
に対して極めて強い電流検出装置５１が得られる。さら
に、磁極面５３ａと５４ａの間に発生する磁界の方向は
磁気抵抗体３，４に対して略垂直であり、磁極面５３ａ
と５４ａ間の任意の位置における磁束密度の変化は、従
来の電流検出装置と比較して極めて小さい。従って、電
流検出素子２が正規の位置から若干ずれても、磁気抵抗
体３，４には常に所定の磁界を印加することができ、検
出能力のばらつきが小さい電流検出装置５１が得られ
る。

【００３０】また、電流検出素子２や磁石５３，５４や
磁性体ヨーク５７を磁性体ケース６２内に収容している
ので、たとえ、強ノイズ磁界が発生しても、ノイズ磁界
は電流検出装置５１の磁性体ケース６２を磁路とする磁
気ループを形成するため、電流検出素子２に印加されて
いる磁界に影響を及ぼさない。従って、電流検出装置５
１が強ノイズ磁界にさらされても、磁気抵抗体３，４に
印加される磁界は磁石５３，５４によるバイアス磁界と
被検出電流によって生じる磁界だけであり、高精度の電
流検出を行なうことができる。特に、磁性体ケース６２
が接地されている場合には、ノイズはグランドに流れ、
電流検出素子２の電源ライン、グランドライン及び出力
ラインにノイズが侵入せず、Ｓ／Ｎ比がより高くなる。

【００３１】なお、磁性体ケースの構造は、図８に示し
たものに限定されるものではなく、例えば、図１０に示
すように、磁性体蓋を省いて、替わりに封止樹脂７１を
磁性体ケース６２内に充填したものであってもよい。あ
るいは、図１１に示すように、筒状の磁性体ケース７５
を用い、この磁性体ケース７５内に封止樹脂７６を充填
させたものであってもよい。ノイズ磁界の大きさ及び発
生位置によっては十分にこれらの構成でＳ／Ｎ比を改善
することができる。

【００３２】［他の実施形態］なお、本発明に係る電流
検出装置は前記実施形態に限定するものではなく、その
要旨の範囲内で種々に変更することができる。前記第２
及び第３実施形態においては、磁性体ヨーク４２は磁石
４０に、磁性体ヨーク５７は磁石５３，５４にそれぞれ
直接接触しているが、磁性体ヨークと磁石が狭い間隔に
て近接した状態で磁気回路を構成するものであってもよ
い。

【００３３】また、前記第３実施形態の磁性体ケース６
２や７５を備えた電流検出装置において、目的をＳ／Ｎ
比のアップに限れば、必ずしも磁石を２個備えたり、磁
石と磁性体ヨークを備えたものに限る必要はなく、磁気
抵抗体に磁界をバイアスするための磁石を１個のみ備え
た（磁性体ヨークを備えない）構造であってもよい。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、一対の磁石間に電流検出素子を配置したので、
一対の磁石間に発生するバイアス磁界は安定しており、
一対の磁石間から外れたところで生じたノイズ磁界によ
って殆ど影響を受けない。従って、外部からの磁気ノイ
ズに対してＳ／Ｎ比の高い電流検出装置を得ることがで
きる。また、一対の磁石間の任意の位置における磁束密
度の変化は、従来の電流検出装置と比較して小さく、電
流検出素子の取付け位置精度や部品寸法精度を緩めるこ
とができ、製造コストの低減を図れ、電流検出装置の検
出能力のばらつきを抑えることができる。

【００３５】さらに、一対の磁石と共に磁気回路を構成
する磁性体ヨークを備えることにより、一対の磁石と磁
性体ヨークによって、略閉磁路が形成されるので、磁束
漏れが少なくなり、一対の磁石間の磁束密度が大きくな
る。従って、外部からの磁気ノイズ等に対して極めて強
い磁気回路が構成され、更にＳ／Ｎ比の高い電流検出装
置を得ることができる。また、磁石と磁性体ヨークの間
に電流検出素子を配置した場合も、同様の効果を奏する
ことができる。

【００３６】また、電流検出素子や磁石を磁性体ケース
内に収容することにより、磁性体ケースの外部で生じた
ノイズ磁界の影響を電流検出素子は受けず、磁気的にＳ
／Ｎ比の高い電流検出装置を得ることができる。さら
に、バイアス磁界及び電流路に流れた電流により誘起さ
れた磁界が磁性体ケースの外部に漏れず、電流検出装置
の周辺に配置されている他の電子機器への磁気ノイズを
抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電流検出装置の第１実施形態を示
す正面図。

【図２】図１に示した磁気抵抗素子の磁気抵抗体と電流
路のパターンを示す平面図。

【図３】電流検出素子の電気回路図。

【図４】図１に示した電流検出装置の磁界分布図。

【図５】電流路に電流が流れた際の電流検出装置の磁界
分布図。

【図６】電流検出装置の出力電圧特性を示すグラフ。

【図７】本発明に係る電流検出装置の第２実施形態を示
す正面図。

【図８】本発明に係る電流検出装置の第３実施形態を示
す一部断面図。

【図９】図８に示した電流検出装置の電気回路図。

【図１０】図８に示した電流検出装置の変形例。

【図１１】図８に示した電流検出装置の別の変形例。

【図１２】従来の電流検出装置を示す正面図。

【図１３】図１２に示した電流検出装置において、電流
路に電流が流れた際の電流検出装置の磁界分布図。

【符号の説明】

１，３１，５１…電流検出装置２…電流検出素子３，４…磁気抵抗体５…電流路１２，１３，４０，５３，５４…磁石４２，５７…磁性体ヨーク６２，７５…磁性体ケース

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の磁気抵抗体と、前記一対の磁気抵
抗体の間に前記一対の磁気抵抗体と略平行に配置され
た、被検出電流が流される電流路とを有した電流検出素
子と、前記磁気抵抗体にバイアス磁場を印加する一対の磁石と
を備え、前記一対の磁石の異磁極間に、前記電流検出素子を配置
したこと、を特徴とする電流検出装置。
【請求項２】前記一対の磁石と共に磁気回路を構成す
る磁性体ヨークを備えたことを特徴とする請求項１記載
の電流検出装置。
【請求項３】一対の磁気抵抗体と、前記一対の磁気抵
抗体の間に前記一対の磁気抵抗体と略平行に配置され
た、被検出電流が流される電流路とを有した電流検出素
子と、前記磁気抵抗体にバイアス磁場を印加する磁石及び磁性
体ヨークとを備え、前記磁石と磁性体ヨークの間に前記電流検出素子を配置
したこと、を特徴とする電流検出装置。
【請求項４】一対の磁気抵抗体と、前記一対の磁気抵
抗体の間に前記一対の磁気抵抗体と略平行に配置され
た、被検出電流が流される電流路とを有した電流検出素
子と、前記磁気抵抗体にバイアス磁場を印加する磁石と、前記電流検出素子及び前記磁石を収容するための磁性体
ケースと、を備えたことを特徴とする電流検出装置。