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JPH10126210A - 音響表面波で動作する音響電子デバイス - Google Patents

音響表面波で動作する音響電子デバイス

Info

Publication number
JPH10126210A
JPH10126210A JP9153082A JP15308297A JPH10126210A JP H10126210 A JPH10126210 A JP H10126210A JP 9153082 A JP9153082 A JP 9153082A JP 15308297 A JP15308297 A JP 15308297A JP H10126210 A JPH10126210 A JP H10126210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
acoustic surface
semiconductor structure
field effect
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9153082A
Other languages
English (en)
Inventor
Achim Dr Wixforth
ウイツクスフオルト アヒム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH10126210A publication Critical patent/JPH10126210A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
    • H03H9/02976—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 最大で数ボルトのオーダーの小さい電圧で駆
動可能でありしかも駆動周波数に依存しない相互作用メ
カニズムで動作するデバイスを提供する。 【解決手段】 圧電基板１内を導かれる音響表面波が電
子系４、５、６と相互作用する音響表面波で動作する音
響電子デバイスが、音響表面波の走行区間内の基板１上
に配置され導電率を電界効果によって調整可能である電
子チャネルとして形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、音響表面波を導く
圧電基板と、音響表面波と相互作用する電子系とを備え
た音響表面波で動作する音響電子デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】刊行物「フィジカル・レビュー（Ｐｈｙ
ｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ）Ｂ」（第４０巻、第１１
号、１９８９年１０月１５日発行、第７８７４頁〜第７
８８７頁参照）により、音響表面波と半導体電子系との
相互作用効果の基本的原理が知られている。特にこの刊
行物ではＧａＡｓ／Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓヘテロ構造の音
響表面波が取扱われている。とりわけ音響表面波と準二
次元反転電子系との相互作用は強い磁界内でかつ低温度
にて検討されている。その際音響表面波と高速移動可能
な準二次元電子との相互作用は緩和メカニズムに至るこ
とが述べられている。この相互作用は表面波強度ならび
に音速の強い量子発振によって検出され、強い磁界内に
おける準二次元電子系のパーミアンスの量子発振を表し
ている。
【０００３】例えば刊行物「アイ・イー・イー・イー
トランサクションズ オン マイクロウェーブ セオリ
ー アンド テクニクス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔ
ｉｏｎｓ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）」（第ＭＴＴ−２９
巻、第１２号、１９８１年１２月１２日発行、第１３４
８頁〜第１３５６頁参照）又は刊行物「アイ・イー・イ
ー・イー トランサクションズ オン ソニックス ア
ンド ウルトラソニックス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｓｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｕｌｔｒａ
ｓｏｎｉｃｓ）」（第ＳＵ−２９巻、第５号、１９８２
年９月発行、第２５５頁〜第２６１頁参照）により、集
積回路技術によりＧａＡｓもしくはＳｉに共用の表面波
装置が知られている。これらの刊行物では、調整可能な
表面波共振器、調整可能なＧａＡｓ表面波発振器、モノ
リシック表面波コンボルバー、非同期式表面波相関器／
プログラム可能な信号整合フィルタの実現可能性が述べ
られている。しかしながら、前者の刊行物には、チップ
及びＶＬＳＩに共用できない高い電圧で動作するショッ
トキーダイオードをベースにした高電圧技術で動作する
システムが示されている。さらに、これを実施すると不
可避的に生ずる逆方向電流がデバイスの電力制限におけ
る重大な問題となる。後者の刊行物により、表面波の位
相ずれを空乏層の電圧制御された厚みによって調整する
ことのできるシステムが知られている。しかしながら、
このシステムは表面波と可動電荷キャリヤとの最大相互
作用が周波数に依存する体積効果を使用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、最大でも数
ボルトのオーダーの小さな電圧で駆動可能でありしかも
駆動周波数に依存しない相互作用メカニズムで動作する
上述の種類のデバイスを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、電子系が音響表面波の走行区間内の圧電基板上に配
置され導電率を電界効果によって調整可能である電子チ
ャネルとして形成されることによって解決される。
【０００６】本発明の実施態様は請求項２以降に記載さ
れている。
【０００７】一般的に言えば、本発明は、音響表面波
と、数ＧＨｚまでの範囲内で駆動可能である完全に集積
された電圧制御形超高周波デバイスの半導体膜構造にお
ける導電率を調整可能な電子膜との相互作用によって実
現することができる。その周波数範囲は特に移動無線及
び自動車電話通信に関連して技術的に非常に関心を持た
れている。本発明の基礎は音響表面波の走行時間ないし
は速度を電界効果によって変えることにあり、このこと
は直接圧電半導体系で、又は圧電体と（必ずしも圧電性
であることは必要とされない）半導体膜構造とから成る
ハイブリッド系で実現される。調整は、既に公知のシス
テムとは異なり、音響表面波と半導体構造における準二
次元電子系との直接の内的相互作用に基づいている。
【０００８】この準二次元電子系におけるキャリヤ密度
はゲート電圧による電界効果によって的確に調整するこ
とができる。これによって同時に準二次元電子系の面導
電率が広範囲に亘って変えられる。音響表面波と準二次
元電子系との相互作用によって、音響表面波が減衰され
かつ音速が変えられる。音響表面波の減衰及び音速の変
化は準二次元電子系の導電率に直接依存する。
【０００９】使用に供される半導体構造は、問題にして
いる周波数範囲用の超高周波トランジスタを形成した構
造に完全に共用できるように選択することができる。こ
れによって、全ての増幅及び制御電子回路は付加的な費
用を要することなく単一チップ上に完全に集積すること
ができる。
【００１０】さらに、本発明による構造は音響表面波で
動作するデバイスによる高周波信号処理の今日広く開発
されているテクノロジーに完全に共用し得る。それゆ
え、高周波電子回路に共用できる半導体系に音響表面波
で動作するデバイスを集積し、内的な相互作用メカニズ
ムを利用することによって、本発明による非常に複雑な
機能は１つのチップ上にプレーナテクノロジーで実現す
ることができる。
【００１１】本発明によるデバイスにおいては、使用さ
れた動作電圧がチップ及びＶＬＳＩに共用し得ることの
他に、完全に異なる基本原理に基づいて生ずる逆方向電
流は無視することができ、それによってデバイスは極め
て少ない電力で制御することができる。さらに、音響表
面波と準二次元電子系との最大相互作用は体積効果に基
づく上述の素子とは異なり広範囲に亘って表面波の周波
数に依存せず、それゆえ本発明による複数のデバイスを
種々の周波数に機能的に同じように調整して同時駆動す
ることもできる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【００１３】音響表面波で動作する電気的に調整可能な
遅延線の形態の本発明によるデバイスを示した概略斜視
図によれば、圧電基板１上に２個のインターディジタル
変換器２、３が設けられており、これらは例えば遅延線
の入力インターディジタル変換器及び出力インターディ
ジタル変換器になる。両インターディジタル変換器２、
３間の音響表面波の走行区間内に準二次元電子系４が設
けられており、この準二次元電子系４はこの系のオーミ
ックコンタクト５と特に示されていない電界電極のコン
タクト６を備えている。
【００１４】既に詳細に述べたように、インターディジ
タル変換器２、３間の走行区間における音響表面波の走
行時間ないしは速度はコンタクト６及び（特に示されて
いない）電界電極に印加された電圧による電界効果によ
って制御することができる。このことから、電界効果に
よって音響表面波の速度を変えることを基礎とする多数
の用途が生ずる。それは例えば既に述べた遅延線、電圧
制御発振器、共振器、電圧センサ、又は電圧とは異なる
他の量のセンサである。
【００１５】本発明によるデバイスの実際の実現にあた
っては多数の態様が考えられる。
【００１６】本発明の１つの実施例によれば、図１に示
された圧電基板１及び準二次元電子チャネル４は唯一つ
の圧電半導体構造に纏められる。圧電半導体材料には公
知の二元、三元又は四元のＩＩＩ−Ｖ族もしくはＩＩ−
ＶＩ族化合物、ヘテロ構造又はこれらから成る超格子が
ある。この種の半導体材料の特殊な例としてＧａＡｓ、
ＧａＡｓＰ、インジウムアンチモン又はインジウムガリ
ウムヒ素がある。
【００１７】本発明の他の実施例においては、図１に示
された圧電基板１及び準二次元電子チャネル４は圧電材
料と半導体構造とから成るハイブリッド構造として形成
することができる。その場合、電子チャネルを含む半導
体構造が圧電基板上に設けられるか、又は圧電材料が電
子チャネルを含む半導体構造上に設けられる。圧電基板
の材料としては、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸
リチウム、石英又は酸化亜鉛のような、音響表面波で動
作するデバイスの技術において使用に供されている全て
の材料が考慮される。電子チャネルを含む半導体構造の
材料としては、例えば既に述べた化合物半導体、シリコ
ン、ゲルマニウム、半導電性ポリマー又は炭化ケイ素の
ような、半導体技術において使用されている全ての材料
が考慮される。
【００１８】準二次元電子系のための２つの実施例が図
２及び図３に示されている。
【００１９】図２は半導体ヘテロ構造の実施例を示す。
例えばＧａＡｓから成る半導電性基板１０上には例えば
三元のＡｌＧａＡｓから成るドープされた半導体膜１１
が設けられており、これによって半導電性ヘテロ構造が
形成される。膜１１上には電気端子１３を有する電界電
極１２が設けられている。基板１０内には準二次元電子
系１４が形成されており、この電子系１４はその導電率
を電界電極１２の端子１３に印加された電圧によって制
御可能である。
【００２０】半導体ヘテロ構造を上述のように形成する
ことによって、ヘテロ構造にとっては一般的な価電子帯
及び伝導帯の推移が生じ、その推移には低次元の電子系
のためのポテンシャルウェルが形成される。
【００２１】図３は、１つの膜列を備えたＧａＡｓ−Ａ
ｌx Ｇａx-1 Ａｓヘテロ構造の伝導帯推移、すなわち図
３において右から左に見て、ドープされていないＧａＡ
ｓ膜３１、ドープされていないＡｌＧａＡｓ膜３２、ｎ
ドープされたＡｌＧａＡｓ膜３３、ドープされていない
ＧａＡｓ膜３４ならびに金属電極３５を示す。その場合
に生じた伝導帯エッジもしくは伝導帯の推移はＥL を付
されている。フェルミ準位は破線で示され、ＥFermi を
付されている。
【００２２】ドープされていないＡｌＧａＡｓ膜３２の
側面ではドープされていないＧａＡｓ膜３１内にポテン
シャルウェルが生じ、このポテンシャルウェルに本発明
によれば準二次元電子系が形成される。
【００２３】図４の実施例においては、電界効果によっ
て制御可能な電子チャネルもしくは準二次元電子系がＭ
ＩＳＦＥＴ構造内に形成されている。特に、ＭＩＳダイ
オードは半導体膜４０と、絶縁膜４１と、その上に設け
られ電気端子４３を有する電界電極４２とによって形成
されている。半導体膜４０は例えばシリコンであり、絶
縁膜４１は二酸化シリコンである。
【００２４】本発明の枠内において準二次元電子系ない
しは電界効果によって導電率を制御可能な電子チャネル
は図２乃至図４に示されたような装置によってしか実現
できないというわけではない。例えば、公知の図面には
特に示されていないポリマー電界効果構造によっても実
現することができる。
【００２５】図５は本発明によるデバイスの用途の一例
として電圧制御発振器の概略図を示す。本発明によるデ
バイスはこの場合図１の実施例と同様に２個のインター
ディジタル変換器５１、５２と、このインターディジタ
ル変換器５１、５２間の音響表面波の走行区間内に配置
され印加されたゲート電圧による電界効果によって制御
可能である電子チャネル５３とを備えた圧電基板５０に
よって形成されている。両インターディジタル変換器５
１、５２間の帰還回路は高周波増幅器５４、電力分割器
５５ならびに帯域通過フィルタ５６から形成されてい
る。発振器出力信号は電力分割器５５の出力端５７から
取出すことができる。
【００２６】図６は本発明によるデバイスを使用した音
響表面波で動作する共振器の実施例を示す。圧電基板６
０上には、インターディジタル変換器６１と、反射器６
２と、インターディジタル変換器６１と反射器６２との
間の音響表面波の走行区間内に配置され導電率を電界効
果によって制御可能である電子チャネル６３とが設けら
れている。この種の共振器の場合、導電率を制御可能な
電子チャネル６３の少なくとも一部分をインターディジ
タル変換器６１又は反射器６２上に配置することも可能
であり、これによって電子・音響相互作用は電気反射な
らびに音響反射の形態で相応してコントロールすること
ができる。
【００２７】さらに、本発明によるデバイスは電圧セン
サとしても使用可能であり、この場合導電率を電界効果
によって制御可能な電子チャネルに印加された電圧の大
きさは音響表面波の走行時間によって測定可能である。
【００２８】さらに、電圧とは異なった値のための検出
器も実現可能であり、これには例えば音響表面波で動作
する公知のガスセンサがある。このガスセンサは本発明
による電子系を用いて拡張することができる。
【００２９】最後に、本発明によるデバイスは、例えば
刊行物「１９９５年超音波シンポジウム（Ｕｌｔｒａｓ
ｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ）」（第４０１頁〜第
４０４頁参照）に記載されているような公知のリフトオ
フ技術によって特に良好に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】走行時間を電気的に調整可能な遅延線の形態の
本発明によるデバイスの概略斜視図。
【図２】導電率を電界効果によって調整可能な電子チャ
ネルの第１の実施例を示す概略図。
【図３】ＧａＡｓ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓヘテロ構造の伝
導帯推移を示す概略図。
【図４】導電率を電界効果によって調整可能な電子チャ
ネルの第２の実施例を示す概略図。
【図５】本発明によるデバイスを使用した発振器回路の
原理構成を示す概略図。
【図６】本発明によるデバイスを使用した電気的に調整
可能な共振器の原理構成を示す概略図。
【符号の説明】
１ 圧電基板 ２、３ インターディジタル変換器 ４ 準二次元電子系 ５ 準二次元電子系のオーミックコンタクト ６ 電界電極のコンタクト １０ 半導電性基板 １１ ドープされた半導体膜 １２ 電界電極 １３ 電気端子 １４ 準二次元電子系 ３１ ドープされていないＧａＡｓ膜 ３２ ドープされていないＡｌＧａＡｓ膜 ３３ ｎドープされたＡｌＧａＡｓ膜 ３４ ドープされていないＧａＡｓ膜 ３５ 金属電極 ４０ 半導体膜 ４１ 絶縁膜 ４２ 電界電極 ４３ 電気端子 ５０ 圧電基板 ５１、５２ インターディジタル変換器 ５３ 電子チャネル ５４ 高周波増幅器 ５５ 電力分割器 ５６ 帯域通過フィルタ ５７ 出力端 ６０ 圧電基板 ６１ インターディジタル変換器 ６２ 反射器 ６３ 電子チャネル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｃ

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 音響表面波を導く圧電基板（１）と、音
    響表面波と相互作用する電子系とを備えた音響表面波で
    動作する音響電子デバイスにおいて、電子系は音響表面
    波の走行区間内の圧電基板（１）上に配置され導電率を
    電界効果によって調整可能である電子チャネル（４、
    ５、６）として形成されることを特徴とする音響表面波
    で動作する音響電子デバイス。
  2. 【請求項２】 圧電基板及び電子チャネルは１つの圧電
    半導体構造に纏められることを特徴とする請求項１記載
    のデバイス。
  3. 【請求項３】 圧電半導体構造の材料は二元、三元又は
    四元のＩＩＩ−Ｖ族又はＩＩ−ＶＩ族化合物、ヘテロ構
    造又はこれらから成る超格子構造であることを特徴とす
    る請求項２記載のデバイス。
  4. 【請求項４】 圧電半導体構造の材料はＧａＡｓである
    ことを特徴とする請求項２又は３記載のデバイス。
  5. 【請求項５】 圧電半導体構造の材料はＧａＡｓＰであ
    ることを特徴とする請求項２又は３記載のデバイス。
  6. 【請求項６】 圧電半導体構造の材料はインジウムアン
    チモンであることを特徴とする請求項２又は３記載のデ
    バイス。
  7. 【請求項７】 圧電半導体構造の材料はインジウムガリ
    ウムヒ素であることを特徴とする請求項２又は３記載の
    デバイス。
  8. 【請求項８】 圧電基板及び電子チャネルは圧電材料と
    半導体構造とから成るハイブリッド構造として形成され
    ることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
  9. 【請求項９】 電子チャネルを含む半導体構造（４、
    ５、６）は圧電基板（１）上に形成されることを特徴と
    する請求項８記載のデバイス。
  10. 【請求項１０】 圧電基板（１）の材料はタンタル酸リ
    チウム、ニオブ酸リチウム、石英、酸化亜鉛のグループ
    から選択されることを特徴とする請求項８又は９記載の
    デバイス。
  11. 【請求項１１】 電子チャネルを含む半導体構造（４、
    ５、６）の材料は化合物半導体、シリコン、ゲルマニウ
    ム、半導電性ポリマー、炭化ケイ素のグループから選択
    されることを特徴とする請求項８乃至１０の１つに記載
    のデバイス。
  12. 【請求項１２】 電子チャネルを含む半導体構造上に圧
    電材料が設けられることを特徴とする請求項８、１０、
    １１の１つに記載のデバイス。
  13. 【請求項１３】 電界効果によって導電率を制御可能な
    電子チャネル（１４）は半導体ヘテロ構造（１０、１
    １）によって形成されることを特徴とする請求項１乃至
    １２の１つに記載のデバイス。
  14. 【請求項１４】 半導体ヘテロ構造は価電子帯と伝導帯
    との間に種々のエネルギーギャップを持つ半導体膜（１
    ０、１１）によって形成されることを特徴とする請求項
    １３記載のデバイス。
  15. 【請求項１５】 半導体ヘテロ構造はガリウムヒ素膜
    （１０）とこの上に成長してアルミニウムをドープされ
    たガリウムヒ素膜（１１）とによって形成されることを
    特徴とする請求項１４記載のデバイス。
  16. 【請求項１６】 導電率を電界効果によって制御可能な
    電子チャネルはＭＩＳＦＥＴ構造に形成されることを特
    徴とする請求項１乃至１２の１つに記載のデバイス。
  17. 【請求項１７】 ＭＩＳＦＥＴ構造はＭＩＳダイオード
    （４０、４１、４２）によって形成されることを特徴と
    する請求項１６記載のデバイス。
  18. 【請求項１８】 圧電基板（１）上に設けられた入力イ
    ンターディジタル変換器及び出力インターディジタル変
    換器（２、３）とこの両インターディジタル変換器
    （２、３）間に設けられ電界効果によって導電率を調整
    可能である電子チャネル（４、５、６）とを備えること
    を特徴とする請求項１乃至１６の１つに記載のデバイス
    を使用した音響表面波で動作する調整可能な遅延線。
  19. 【請求項１９】 電圧センサとして使用されることを特
    徴とする請求項１８記載の遅延線。
  20. 【請求項２０】 電圧制御発振器内の周波数決定素子と
    して使用されることを特徴とする請求項１８記載の遅延
    線。
  21. 【請求項２１】 少なくとも１つのインターディジタル
    変換器（６１）と、少なくとも１つの反射器（６２）
    と、インターディジタル変換器（６１）と反射器（６
    ２）との間の音響表面波の走行区間に配置され導電率を
    電界効果によって調整可能である電子チャネル（６３）
    とを備えることを特徴とする請求項１乃至１７の１つに
    記載のデバイスを使用した音響表面波で動作する共振
    器。
  22. 【請求項２２】 少なくとも１つのインターディジタル
    変換器（６１）及び反射器（６２）を備え、インターデ
    ィジタル変換器（６１）又は反射器（６２）の両要素の
    少なくとも１つが導電率を調整可能な電子チャネル（６
    ３）によって少なくとも一部分を形成されることを特徴
    とする請求項１乃至１７の１つに記載のデバイスを使用
    した音響表面波で動作する共振器。
  23. 【請求項２３】 導電率を電界効果によって調整可能な
    電子チャネル及び／又は音響表面波を導く基板は検出す
    べき値に感応する構造として利用されることを特徴とす
    る請求項１乃至１７の１つに記載のデバイスを使用した
    半導体センサ。
JP9153082A 1996-05-31 1997-05-28 音響表面波で動作する音響電子デバイス Withdrawn JPH10126210A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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DE19622013A DE19622013A1 (de) 1996-05-31 1996-05-31 Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes akustoelektronisches Bauelement
DE19622013.0 1996-05-31

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EP (1) EP0810724A3 (ja)
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DE (1) DE19622013A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011187766A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Toshiba Corp 半導体装置
CN111044770A (zh) * 2019-12-18 2020-04-21 中国科学院声学研究所 一种基于单端谐振器的无线无源声表面波电流传感器

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19622013A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-11 Siemens Ag Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes akustoelektronisches Bauelement
DE19822501C2 (de) * 1998-05-19 2000-05-04 Siemens Ag Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes akustoelektronisches Bauelement
IL127699A0 (en) 1998-12-23 1999-10-28 Bar Dov Aharon Method and device for non contact detection of external electric or magnetic fields
DE19957557A1 (de) * 1999-11-30 2001-06-07 Siemens Ag Identifikationssystem, insbesondere für ein Kraftfahrzeug, und Verfahren zum Betreiben des Identifikationssystems
AU2001273465A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-30 Rutgers, The State University Integrated tunable surface acoustic wave technology and systems provided thereby
AU2001273466A1 (en) 2000-07-13 2002-01-30 Rutgers, The State University Of New Jersey Integrated tunable surface acoustic wave technology and sensors provided thereby
DE10047343B4 (de) * 2000-09-25 2004-04-15 Siemens Ag Resonatoranordnung
DE10047379B4 (de) 2000-09-25 2004-07-15 Siemens Ag Bauelement mit akustisch aktivem Material
DE10049019A1 (de) * 2000-10-04 2002-05-02 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur drahtlosen Messung wenigstens eines aus einer Drehbewegung eines Objekts, insbesondere Rotors resultierenden Parameters
DE10057670C1 (de) * 2000-11-21 2002-03-14 Siemens Ag Antennenelement
US6993107B2 (en) * 2001-01-16 2006-01-31 International Business Machines Corporation Analog unidirectional serial link architecture
JP2002271171A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Tdk Corp 弾性表面波装置用圧電基板および弾性表面波装置
DE10229055A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-29 Siemens Ag IC auf Quarzsubstrat
SE524009C2 (sv) * 2002-10-25 2004-06-15 Sture Petersson Avstämbar anordning för akustisk våg samt förfarande för avstämning av anordning för akustisk våg
WO2006117402A1 (de) * 2005-05-04 2006-11-09 Azzurro Semiconductors Ag Sicherheitsmerkmal
KR100811862B1 (ko) 2006-12-28 2008-03-10 한국표준과학연구원 압전배열막을 이용한 음향센서
GB0900744D0 (en) * 2009-01-16 2009-03-04 Oxford Rf Sensors Ltd Remote sensor device
GB0900746D0 (en) * 2009-01-16 2009-03-04 Oxford Rf Sensors Ltd Delay-line self oscillator
EP2685406A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-15 CTR Carinthian Tech Research AG Electro-acoustic component and electro-acoustic transponder having an electro-acoustic component
CN104406613B (zh) * 2014-12-09 2016-09-28 常州智梭传感科技有限公司 一种频率资源利用率高的声表面波传感器及其识别方法
CN107015048B (zh) * 2017-04-21 2019-08-30 中国科学院声学研究所 一种基于磁致伸缩效应的声表面波电流传感器
CN111157393B (zh) * 2020-01-11 2022-07-12 浙江师范大学 一种微量质量传感器信号检测电路
CN115694405B (zh) * 2022-11-16 2024-10-11 华中科技大学 一种产生挠曲电的结构和方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4844385B1 (ja) * 1969-02-18 1973-12-24
US3749984A (en) * 1969-04-11 1973-07-31 Rca Corp Electroacoustic semiconductor device employing an igfet
GB1323339A (en) * 1969-09-11 1973-07-11 Texas Instruments Inc Elastic wave detector
US3633118A (en) * 1970-07-22 1972-01-04 Us Navy Amplifying surface wave device
US3662712A (en) * 1971-04-08 1972-05-16 Murray Singer Convertible pen
US3851280A (en) * 1973-08-01 1974-11-26 Texas Instruments Inc Non-linear signal processing device using square law detection of surface elastic waves with insulated gate field effect transistor
US4247903A (en) * 1979-01-08 1981-01-27 United Technologies Corporation Monolithic isolated gate FET saw signal processor
US4328473A (en) * 1980-11-03 1982-05-04 United Technologies Corporation Isolated gate, programmable internal mixing saw signal processor
US4468639A (en) * 1982-09-29 1984-08-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Monolithic combined charge transfer and surface acoustic wave device
US4990814A (en) * 1989-11-13 1991-02-05 United Technologies Corporation Separated substrate acoustic charge transport device
US5047363A (en) * 1990-09-04 1991-09-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for reducing heterostructure acoustic charge transport device saw drive power requirements
EP0508325A1 (de) * 1991-04-11 1992-10-14 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Reflektive Verzögerungsleitung in Oberflächenwellentechnik
US5264717A (en) * 1992-06-04 1993-11-23 United Technologies Corporation HACT structure with reduced surface state effects
US5283444A (en) * 1992-07-24 1994-02-01 United Technologies Corporation Increased well depth hact using a strained layer superlattice
DE19622013A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-11 Siemens Ag Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes akustoelektronisches Bauelement

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011187766A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Toshiba Corp 半導体装置
CN111044770A (zh) * 2019-12-18 2020-04-21 中国科学院声学研究所 一种基于单端谐振器的无线无源声表面波电流传感器

Also Published As

Publication number Publication date
DE19622013A1 (de) 1997-12-11
EP0810724A3 (de) 1998-07-08
EP0810724A2 (de) 1997-12-03
US6029324A (en) 2000-02-29

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